CH698058B1 - Kapillare für Drahtbonden. - Google Patents

Kapillare für Drahtbonden. Download PDF

Info

Publication number
CH698058B1
CH698058B1 CH01060/05A CH10602005A CH698058B1 CH 698058 B1 CH698058 B1 CH 698058B1 CH 01060/05 A CH01060/05 A CH 01060/05A CH 10602005 A CH10602005 A CH 10602005A CH 698058 B1 CH698058 B1 CH 698058B1
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
capillary tip
bonding
bonding wire
diameter
capillary
Prior art date
Application number
CH01060/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Loon Aik Lim
Charles J Vath Iii
Original Assignee
Asm Tech Singapore Pte Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asm Tech Singapore Pte Ltd filed Critical Asm Tech Singapore Pte Ltd
Publication of CH698058B1 publication Critical patent/CH698058B1/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004Wire welding
    • B23K20/005Capillary welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48455Details of wedge bonds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • H01L2224/78302Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20751Diameter ranges larger or equal to 10 microns less than 20 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20752Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30105Capacitance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Eine Kapillarenspitze 12, um einen Bonddraht, während dem Bonden des Drahtes zu einer Bonding-Oberfläche, zu deformieren, umfasst eine untere Fläche (18) entlang einem inneren Rand der Kapillarenspitze, um den Bonddraht gegen die Bonding-Oberfläche zu drücken, einen äusseren Radius entlang einem äusseren Rand (24) der Kapillarenspitze, und beinhaltet ferner eine erste geneigte Fläche (20) angrenzend zu der unteren Fläche und schiefwinklig zu der unteren Fläche erstreckend, sowie eine zweite geneigte Fläche, angrenzend an die erste geneigte Fläche und sich schiefwinklig zu der ersten geneigten Fläche erstreckend.

Description


  Technisches Gebiet der Erfindung

  
Die Erfindung betrifft eine Kapillare, um einen Bonddraht abzugeben, und insbesondere eine Kapillare, um einen Draht mittels Bonden mit einem Halbleiterelement zu verbinden, zum Beispiel, durch die Applikation von Ultraschall-Energie.

Hintergrund und Stand der Technik

  
Während dem Packaging von Halbleiterelementen ist es typischerweise notwendig, einen Halbleiterchip oder Halbleiterplättchen eines integrierten Schaltkreises auf einem Substrat, wie einem IC-Träger, zu platzieren und dann das Halbleiterplättchen und Substrat mit leitenden Bonddrähten elektrisch zu verbinden. In hochleistungsfähigen integrierten Schaltungsbausteinen wird üblich Aluminiumdickdraht verwendet, um die Verbindung herzustellen und Strom zwischen dem Halbleiterplättchen und dem Substrat zu leiten. Diese Aluminiumdrähte haben typischerweise Durchmesser von 0,127 mm und grösser und können im Durchmesser bis zu 0,508 mm breit sein. Die Aluminiumdrähte sind vorzugsweise über Bondinseln des jeweiligen Halbleiterplättchens und Substrates, unter Verwendung von Keilbonden, gebonded.

  
Es gibt mehrere Nachteile, verbunden mit dem existierenden Keilbonden von Aluminiumdickdrähten. Erstens sind die Kosten der Dickdraht-Keilbondmaschinen hoch, welche bis zu dreimal der Kosten von äquivalenten Ballbondmaschinen sein können. Zweitens ist die Durchsatzleistung von Keilbondmaschinen sehr klein und die Zeit, die es braucht, um einen einzigen Draht mit Keilbonden zu bonden, ist bis zu dreimal länger als mit einer vergleichbaren Ballbondmaschine. Infolgedessen macht es für Montagebetriebe von integrierten Schaltkreisen ökonomisch Sinn, Kupferdrähte anstelle von Aluminiumdrähten zu verwenden, weil Kupfer günstiger und besser für Ballbonding geeignet ist. Deshalb gibt es ökonomische und andere Vorteile, um eine Dickaluminium-Keilbondmaschine mit einer Kupfer-Ballbondmaschine zu ersetzen.

  
Weil beim Keilbonden beide, der erste und zweite Bond in einer identischen Weise geformt sind, gibt es keine wesentliche Variation in der Strombelastbarkeit des Drahtes über die ganze Drahtlänge, da die Querschnittsfläche durch den ganzen Draht etwa die gleiche ist. Konsequenterweise gibt es keinen signifikanten Unterschied in der Zugkraft an einer Bondinsel des ersten Keilbonds, verglichen mit der Zugkraft an einer zweiten Bondinsel eines zweiten Keilbonds. Jedoch ist beim Ballbonden der erste Bond von einer Kugel geformt und der zweite Bond erfolgt durch Pressen des Drahtes zwischen die Kapillare und die Bondoberfläche, resultierend in einer abgeflachten Oberfläche mit verminderter Querschnittsfläche, im Weiteren als Stichbond bezeichnet.

   Die Strombelastbarkeit des Drahtes bei der Ballbondstelle des ersten Bonds ist demnach grösser als die Strombelastbarkeit des Drahtes bei der Stichbondstelle des zweiten Bonds, wo die Querschnittsfläche des Drahtes am kleinsten ist. Demnach ist beim Stichbond ein Stromführungs-Engpass. Weiter bedeutet die kleinere Querschnittsfläche, dass die kleinste Bond-Zugfestigkeit des Drahtes beim Stichbond ist.

  
Derzeit ist Kupfer-Ballbonding generell auf Drahtdurchmesser von etwa 2 mils (ungefähr 50 Mikrometer) und kleiner beschränkt. Für Kupfer-Ballbonding von Drähten mit Drahtdurchmesser grösser als 2 mils würde die mangelnde Stich-Zugfestigkeit und Werkstoffhomogenität des Drahtes, die grösseren elektrischen Widerstand beim Stichbond verursacht, grössere operationelle Probleme darstellen. Es ist erstrebenswert, die Querschnittsfläche des Drahtes an der Stichbond-Position so zu erhöhen, dass der Engpasseffekt verkleinert wird und die Zugfestigkeit an der Stichbond-Position erhöht wird.

  
Fig. 1 ist eine Querschnittsseitenansicht einer Kapillare 100 gemäss dem Stand der Technik. Die Kapillare 100 hat eine Kapillarenspitze 102, welche einen Bonddraht 104 durch eine Kapillarenöffnung 106 zum Zentrum der Kapillarenspitze 102 führt. An der Unterseite der Kapillarenspitze 102 gibt es eine untere Fläche 108, welche beim Pressen des Bonddrahtes 104 auf die Bonding-Oberfläche hilfreich ist. Angrenzend an die unter Fläche 108 ist eine geneigte Kapillaren-Spitzenfläche 110, welche zu einem äusseren Radius 112 der Kapillarenspitze 102 führt. Die geneigte Kapillaren-Spitzenfläche bildet einen Winkel A0 in Bezug zu einer horizontalen Bonding-Oberfläche.

  
Ein Stichbond wird durch die Kapillarenspitze 102 gebildet, die den Draht 104 gegen die zu bondende Oberfläche deformiert, typischerweise ein "Anschluss" oder eine "Zweite Bond-Oberfläche", wodurch ein keilförmiger Bond erzeugt wird. Der obere Teil des Stichbondes folgt der Kontur der geneigten Kapillaren-Spitzenfläche 110 und dem äusseren Radius 112 der Kapillarenspitze 102. Die eigentliche Fläche, die unter dem Stich geschweisst oder gebonded ist, hängt von der Ausgestaltung der Kapillarenspitze, den eingesetzten Bonding-Parametern (Ultraschallenergie, Bondingzeit, Bondingkraft und Bondingtemperatur) und der Bondbarkeit des zu bondenden Materials ab. Ein kleinerer Flächenwinkel A0 der geneigten Kapillaren-Spitzenfläche 110 führt zu einem Stich, der dünner ist als die geneigte Kapillaren-Spitzenfläche 110 mit einem grösseren Flächenwinkel.

   Trotzdem würde ein einfaches Vergrössern des Flächenwinkels AO, um einen dickeren Stich zu erhalten, die Bondkraft reduzieren und zu einem unzuverlässigen Bond führen.

  
Fig. 2 ist eine Querschnittsseitenansicht eines Stichbondes gebildet durch die Kapillare der Fig. 1. Die Drahtdicke X-X, an einer bestimmten Stelle des Stichbondes, wo der Draht die Bonding-Oberfläche zuerst berührt, ist 39 Mikrometer. Mit dieser Drahtdicke für einen Dickdraht können Probleme mit der Zugfestigkeit und der Strombelastbarkeit, wie oben erklärt, erfahren werden.

  
Eine Methode des Standes der Technik, um die Zugfestigkeit des Drahtes an der Stichbond-Stelle zu erhöhen, ist in der japanischen Patentschrift JP2001-291 736, betitelt mit "Kapillare für Drahtbonden", beschrieben. Die Druckschrift offenbart eine Kapillare mit einer nach unten zugewandten konischen Form. Eine vordere Kante der Kapillare ist in zwei Bereichen ausgebildet. Die vordere Kante hat eine untere Fläche, um einen Feindraht herauszuführen, und eine Kante an der unteren Fläche, die verwendet wird, um den Feindraht zu schneiden. Auch gibt es einen stufenähnlichen peripheren Bereich, welcher in der Nähe der Kante angeordnet ist. Wenn der Feindraht durch das Ultraschall-Bonden geschnitten wird, wird ein Teil des Feindrahtes, welcher in der Nähe des Schneidendes ist, gleichzeitig mittels dem stufenähnlichen peripheren Bereich gepresst.

  
Jedoch gilt diese Erfindung als anwendbar für das Bonden von dünnen Golddrähten, speziell Golddrähte mit einem Durchmesser von 10-20 Mikrometer, nicht für Dickdrähte. Obwohl der stufenähnliche periphere Bereich mit rechtwinkliger Ausrichtung dazu tendiert, den Draht zum Keilbond zu drücken und diesen zu deformieren, um zu helfen, die Bondadhäsion gegen das Drahtende hin zu verbessern, schneidet der relativ flache Kontakt an der unteren Fläche der Kapillare den Draht ziemlich abrupt. Weil die Kontaktfläche zwischen dem Stichbond und der Bonding-Oberfläche einer der Faktoren ist, der die Stich-Zugfestigkeit bestimmt, limitiert die flache untere Fläche die Kontaktfläche zwischen dem Stichbond und der Bonding-Oberfläche des Halbleiterplättchens oder Substrates. Das Ende des Stich-Profils des Stichbonds ist immer noch relativ dünn.

  
Ausserdem hat der Stichbond, welcher geformt wird, eine abgestufte Form, weil die peripheren Oberflächen parallel oder senkrecht bezüglich der unteren Fläche sind, was die Werkstoffhomogenität des Drahtes vermindert. Es kann sich eine mechanische Schwächung im Bond bilden, weil die scharfe, rechtwinklige Kante der Stufe Mikrorisse im Stichbond initiiert, welche zu Brüchen während nachträglichen Betriebszyklen führen wird. Scharfe Kanten der Kapillare führen zu sehr schnellem Aufbau von Drahtmaterial, resultierend in Bonds mit tieferen und inkonsistenten Stich-Zugfestigkeiten. Die Homogenität der Strombelastbarkeit am Stichbond ist mangelhaft.

Darstellung der Erfindung

  
Die Erfindung will eine Kapillare für Drahtbonden bereitstellen, welche, verglichen mit dem zuvor erwähnten Stand der Technik, verbesserte Bond-Zugfestigkeit und Strombelastbarkeit bietet.

  
Demgemäss weist die Erfindung eine Kapillarenspitze auf, um einen Bondraht umzuformen, umfassend: eine untere Fläche, entlang einem inneren Rand der Kapillarenspitze, um den Bonddraht gegen eine Bonding-Oberfläche zu pressen; einen äusseren Radius entlang einem äusseren Rand der Kapillarenspitze; eine erste geneigte Fläche, angrenzend zur unteren Fläche und schiefwinklig bis zur unteren Fläche erstreckend; und eine zweite geneigte Fläche, angrenzend an die erste geneigte Fläche und schiefwinklig bis zur ersten geneigten Fläche erstreckend.

  
Es würde dienlich sein, die Erfindung im Weiteren in ausführlicher Weise, mit Bezugnahme zu den beliegenden Zeichnungen, welche ein Ausführungsbeispiel der Erfindung illustrieren, zu beschreiben. Die Genauigkeit der Zeichnungen und der zugehörigen Beschreibung wird nicht als Ersatz für die Allgemeingültigkeit der breiten Erklärung der Erfindung, wie sie durch die Ansprüche definiert ist, verstanden.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

  
Beispiele von bevorzugten Ausführungsbeispielen von Kapillaren, gemäss der Erfindung, werden jetzt unter Bezugnahme zu den beiliegenden Zeichnungen erklärt, in welchen:
<tb>Fig. 1<sep>eine Querschnittseitenansicht einer Kapillare gemäss dem Stand der Technik ist;


  <tb>Fig. 2<sep>eine Querschnittseitenansicht eines Stichbonds ist, geformt durch die Kapillare des Standes der Technik von Fig. 1;


  <tb>Fig. 3<sep>eine Querschnittseitenansicht einer Kapillare gemäss einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist;


  <tb>Fig. 4<sep>eine Querschnittseitenansicht eines Stichbonds ist, geformt durch die Kapillare der Fig. 3; und


  <tb>Fig. 5<sep>eine Querschnittseitenansicht Kapillare gemäss einer einem zweiten Ausführungsbeispiel der Kapillare gemäss Erfindung ist.

Detaillierte Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen

  
Fig. 3 ist eine Querschnittseitenansicht einer Kapillare 10, gemäss einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Kapillare 10 umfasst eine Kapillarenspitze 12, welche Bonddraht 14 durch eine abgeschrägte Öffnung 16 zu einer Bondstelle hindurchführt. Eine untere Fläche 18 der Kapillarenspitze 12 ist wirksam, um den Bonddraht 14, nach dem ein Stichbond an der Bondstelle gebildet wurde, zu pressen und umzuformen. Der Bonddraht hat vorzugsweise einen Durchmesser von mindestens 3 mils (76.2 Mikrometer) und ist vorzugsweise aus Kupferwerkstoff gefertigt.

  
Anstelle einer einzigen geneigten Kapillaren-Spitzenfläche 110 (siehe Fig. 1) , welche im Stand der Technik gefunden werden kann, beinhaltet die Kapillarenspitze 12 eine erste geneigte Fläche 20, angrenzend zu der unteren Fläche 18, welche sich schiefwinklig bis zur unteren Fläche 18 erstreckt, und eine zweite geneigte Fläche 22, welche angrenzend an und sich schiefwinklig zu der ersten geneigten Fläche 20 erstreckt. In diesem Ausführungsbeispiel umfasst die zweite geneigte Fläche 22 eine im Wesentlichen flache Oberfläche. Ein äusserer Radius 24, entlang einem äusseren Rand der Kapillarenspitze 12, ist zu der zweiten geneigten Fläche 22 angrenzend.

  
Die Höhe (Abstand) D1, welche eine Höhe der Schnittlinie der ersten und zweiten geneigten Fläche 20, 22 gegenüber einer Ebene, die koplanar mit der unteren Fläche 18 liegt, ist, liegt vorzugsweise zwischen 0.1 bis 0.5 des Drahtdurchmessers, kurz WD, des Bonddrahtes 14, so dass 0.1 WD <= D1 <= 0.5 WD. Besonders bevorzugt ist die Höhe D1 so gewählt, dass: 0.3 WD <= D1 <= 0.4 WD. Der Durchmesser D3 des äusseren Umfangs der unteren Fläche 18 liegt vorzugsweise zwischen 1[1/2] und 3 WD, so dass: 1[1/2] WD <= D3 <= 3 WD. Besonders bevorzugt ist der Durchmesser D3 so gewählt, dass: 2 WD <= D3 <= 2[1/2] WD.

  
Der äussere Radius 24, umfassend eine gekrümmte Oberfläche, hat einen Radius R, wobei 0.4WD <= R <= 1WD. Besonders bevorzugt ist der Radius R so gewählt, dass 0.5WD <= R <= 0.8 WD.

  
Ein Winkel A1 der zweiten geneigten Fläche 22 in Bezug zu einer Bonding-Oberfläche, welche typischerweise horizontal ist, ist vorzugsweise zwischen 4 Grad und 11 Grad. Besonders bevorzugt ist der Winkel zwischen 6 Grad und 10 Grad. Ein Grenzflächen-Winkel A2 zwischen zwei gegenüberliegenden Flächen der ersten geneigten Fläche 20 ist vorzugsweise zwischen 70 Grad und 120 Grad. Besonders bevorzugt ist der Winkel A2 zwischen 80 Grad und 100 Grad.

  
Fig. 4 ist eine Querschnittseitenansicht eines Stichbondes gebildet durch die Kapillare der Fig. 3. Die Drahtdicke X-X an einer bestimmten Stelle des Stichbondes, wo der Bonddraht 14 die Bonding-Oberfläche zuerst berührt (welcher, für den Vergleich der gleiche Punkt, wie der in Fig. 2 bestimmt, ist) ist 61 Mikrometer. Mit der Kapillare 10 gemäss dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung hat sich demnach die Drahtdicke an dem bestimmten Punkt von 39 Mikrometer auf 61 Mikrometer vergrössert. Mit dieser Drahtdicke werden die Probleme mit der Zugfestigkeit und Strombelastbarkeit signifikant reduziert.

  
Fig. 5 ist eine Querschnittseitenansicht der Kapillare 30, gemäss einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Kapillare 30 hat ebenfalls eine Kapillaren-Spitze 12, beinhaltend eine abgeschrägte Öffnung 16, um den Bonddraht 14 zu einem Bondort zu führen. Die untere Fläche 18 liegt neben der abgeschrägten Öffnung 16.

  
Angrenzend an die untere Fläche 18 ist eine erste geneigte Fläche 20, welche zu dieser angrenzend ist und sich schiefwinklig zu der unteren Fläche 18 erstreckt. Eine zweite geneigte Fläche, welche in diesem Ausführungsbeispiel die Form einer Nut 26 hat, ist angrenzend an und erstreckt sich schiefwinklig zu der ersten geneigten Fläche 20. Die zweite geneigte Fläche oder Nut 26 ist angrenzend zu einem äusseren Radius 24 der Kapillarenspitze 12 angeformt. Der Hauptunterschied zwischen dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel der Kapillaren 10, 30 ist, dass die zweite geneigte Fläche in der Form einer Nut 26 ist, anstelle einer im Wesentlichen flacher geneigten Fläche 22.

  
Die Nut 26 hat vorzugsweise einen Radius R1, wobei 0.25 WD <= R1 <= 0.75 WD. Besonders bevorzugt ist der Radius R1 der Nut 26 so gewählt, dass 0.35 WD <= R1 <= 0.55 WD. Der äussere Radius 24 hat vorzugsweise einen Radius R2, wobei 0.25 WD <= R2 <= 0.75 WD. Besonders bevorzugt ist der Radius R2 der zweiten geneigten Fläche 22 so gewählt, dass 0.35 WD <= R2 <= 0.55 WD. Wenn R2 zu klein ist, kann dies zu einem geschwächten Stichbond führen.

  
Die Höhe (Abstand) D2 des tiefsten Punktes des äusseren Radius 24 von einer Fläche, welche koplanar mit der unteren Fläche 18 ist, ist vorzugsweise 0.2-mal der Drahtdurchmesser WD, und bis zu 0.4-mal WD, so dass: 0.2 WD <= D2 <= 0.4 WD. Besonders bevorzugt ist die Tiefe (Abstand) D2 so gewählt, dass: 0.2 WD <= D2 <= 0.3 WD. Der Durchmesser D4 des äusseren Umfangs der unteren Fläche 18 liegt vorzugsweise zwischen 1[1/2]- und 3-mal WD, so dass: [1/2] WD <= D4 <= 3 WD. Besonders bevorzugt ist der Durchmesser D4 so gewählt, dass: 2 WD <= D4 <= 3 WD.

  
Mit der Kapillare 10, gemäss dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung, wurde mit einem Bonddraht mit einem Durchmesser von 6 mils und einer Querschnittsfläche von 18232.22 [micro]m<2>ein Vergleich des elektrischen Widerstandes gemacht. Der Draht hatte eine Länge von 5 mm und einen Durchschnittswiderstand von 0.9269 [micro]Ohm. Es wurde festgestellt, dass der Stichbond, mit einer Kapillare 10 hergestellt, einen elektrischen Widerstand hat, welcher 27% kleiner war als der einer Kapillare 100 des Standes der Technik, gezeigt in Fig. 1, wie in untenstehender Tabelle A dargelegt:

Tabelle A:

  

<tb>Kapillaren
Ausführung<sep>Stichweite
([micro]m)<sep>Stichdicke
([micro]m)<sep>Querschnittsfläche
([micro]m<2>)<sep>Widerstand
(R) [micro] Ohm


  <tb>Konventionell<sep>275.89<sep>39.39<sep>10 867.46<sep>1.5551


  <tb>Erfindung<sep>245.695<sep>60.61<sep>14 891.57<sep>1.1349

  
Weiter wurde festgestellt, dass die Kapillare 10 eine Strombelastbarkeit hat, welche 37% höher gewesen ist, als die einer Kapillare 100 des Standes der Technik, wie in untenstehender Tabelle B dargelegt:

Tabelle B:

  

<tb>Kapillaren
Ausführung<sep>Querschnittstläche
([micro]m<2>)<sep>Drahtlänge
(mm)<sep>Schmelzzeit
(sec)<sep>Schmelzstrom
(A)


  <tb>Konventionell<sep>10'867.46<sep>5<sep>5<sep>28.72


  <tb>Erfindung<sep>14'891.57<sep>5<sep>5<sep>39.36

  
Es wurde weiterhin festgestellt, dass bei einem Stichzugtest, ausgeführt auf einem Total von 36 Drähten, für jeden der konventionellen Ausführung und der Ausführung gemäss einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung, die Kapillare 10 eine durchschnittliche Stichzugfestigkeit von 360.077 g erreichen konnte, während die Kapillare 100 des Standes der Technik nur eine durchschnittliche Stichzugfestigkeit von 260.427 g erreichen konnte. Die durchschnittliche Steigerung in Stichzugfestigkeit mit der Verwendung einer Kapillare 10, gemäss dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung, war demnach etwa 100 g.

  
Die hier beschriebene Erfindung kann mit Variationen, Modifikationen und/oder Zusätzen ausgeführt werden, die anders als die sind, die hier spezifisch beschrieben wurden, und es ist ersichtlich, dass die Erfindung alle solche Variationen, Modifikationen und/oder Zusätze miteinschliesst, welche in den Rahmen der oben stehenden Beschreibung fallen.

Claims (1)

  1. Kapillarenspitze (12), um einen Bonddraht zu deformieren, umfassend:
    eine untere Fläche (18), die einen inneren Rand bei der Unterseite der Kapillarenspitze umgibt, wobei die untere Fläche (18) sich im Wesentlichen radial in eine Richtung entlang einer geplanten Bond-Oberfläche erstreckt, um den Bonddraht (14) gegen eine Bond-Oberfläche zu pressen;
    eine erste geneigte nach innen abgeschrägte Fläche (20), welche als zwei gerade Linien erscheint, wenn diese in ihrem Querschnitt gesehen wird, und einen einzigen zwischenflächigen Winkel zwischen den zwei geraden Linien hat, wobei die erste geneigte Fläche (20) zwischen der unteren Fläche (18) und einer zweiten geneigten nach innen abgeschrägten Fläche (22) angeordnet ist, welche als zwei gerade Linien erscheint, wenn diese in ihrem Querschnitt gesehen wird, wobei ein unteres Ende der ersten geneigten Fläche (20) mit einer radialen äusseren Begrenzung der unteren Fläche zusammengeht; und
    die zweite geneigte nach innen abgeschrägte Fläche (22), welche zwischen der ersten geneigten Fläche (20) und einem äusseren Rand (24) der Kapillarenspitze angeordnet ist, wobei die zweite geneigte Fläche (22) sich schräg zur ersten geneigten Fläche erstreckt, wobei die zweite geneigte Fläche (22) mit einem einzigen Winkel bezüglich der Bond-Oberfläche geneigt ist.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 1, wobei eine Höhe (D1) von einer Schnittlinie zwischen der ersten und zweiten geneigten Fläche (20, 22) zu einer Ebene, welche koplanar mit der unteren Fläche (18) ist, zwischen 0,1- bis 0,5-mal eines Durchmessers des Bonddrahtes ist.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 2, wobei die Höhe zwischen 0,3- und 0,4-mal eines Durchmesser des Bonddrahtes ist.
    Kapillarenspitze nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Durchmesser (D3) eines äusseren Randes der unteren Fläche (18) zwischen 1[1/2]- und 3-mal eines Durchmessers des Bonddrahtes ist.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 4, wobei der Durchmesser zwischen 2- und 2[1/2]-mal eines Durchmessers des Bonddrahtes ist.
    Kapillarenspitze nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der ein äusserer Rand eine gekrümmte Oberfläche mit einem Radius (R) von zwischen 0,4-mal eines Durchmessers des Bonddrahtes und des Durchmessers des Bonddrahtes aufweist.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 6, wobei der äussere Rand einen Radius (R) von zwischen 0.5- und 0,8-mal eines Durchmessers des Bonddrahtes aufweist.
    Kapillarenspitze, nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der einzige Winkel der zweiten geneigten Fläche (22) in Bezug zu einer Bond-Oberfläche zwischen 4 Grad und 11 Grad ist.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 8, wobei der einzige Winkel der zweiten geneigten Fläche (22) bezüglich der Bond-Oberfläche zwischen 6 Grad und 10 Grad ist.
    Kapillarenspitze nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der einzige Grenzflächenwinkel zwischen zwei gegenüberliegenden Flächen (A2) der ersten geneigten Fläche zwischen 70 Grad und 120 Grad ist.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 10, wobei der einzige Grenzflächenwinkel (A2) zwischen 80 Grad und 100 Grad ist.
    Kapillarenspitze, um einen Bonddraht zu deformieren, umfassend:
    eine untere Fläche (18), die einen inneren Rand bei der Unterseite der Kapillarenspitze umgibt, wobei die untere Fläche (18) sich im Wesentlichen radial in eine Richtung entlang einer geplanten Bond-Oberfläche erstreckt, um den Bonddraht (14) gegen eine Bond-Oberfläche zu pressen;
    eine erste geneigte nach innen abgeschrägte Fläche (20), welche als zwei gerade Linien erscheint, wenn diese in ihrem Querschnitt gesehen wird, die zwischen der unteren Fläche (18) und einer zweiten geneigten Oberfläche (22) angeordnet ist, wobei ein unteres Ende der ersten geneigten Fläche (20) mit einer radialen äusseren Begrenzung der unteren Fläche zusammengeht; und
    die zweite geneigte Fläche (22), eine einen Radius aufweisende Nut (26) beinhaltet, die zwischen der ersten abgeschrägten Oberfläche (20) und einem äusseren Rand (24) der Kapillarenspitze angeordnet ist, wobei sich die zweite geneigte Oberfläche (22) schräg zur ersten geneigten Oberfläche (20) erstreckt.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 12, wobei die Nut einen Radius zwischen 0,25- und 0,75-mal eines Durchmessers des Bonddrahtes hat.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 13, wobei die Nut einen Radius zwischen 0,35- und 0,55-mal eines Durchmessers des Bonddrahtes hat.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 12, wobei der äussere Rand einen Radius zwischen 0,25- und 0,75-mal eines Durchmessers des Bonddrahtes hat.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 15, wobei der äussere Rand einen Radius, zwischen 0,35- und 0,55-mal eines Durchmessers des Bonddrahtes hat.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 12, wobei eine Höhe (D2) eines tiefsten Punktes des äusseren Randes von einer Ebene, die mit der unteren Fläche koplanar ist, zwischen 0,2- und 0,4-mal eines Durchmessers des Bonddrahtes ist.
    Kapillarenspitze nach Anspruch 17, wobei die Höhe eines tiefsten Punktes des äusseren Randes von einer Ebene, die mit der unteren Fläche koplanar ist, zwischen 0,2- und 0,3-mal eines Durchmessers des Bonddrahtes ist.
    Kapillarenspitze, nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der der Bonddraht einen Durchmesser von mindestens 0,0762 Millimeter hat.
CH01060/05A 2004-06-24 2005-06-22 Kapillare für Drahtbonden. CH698058B1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/877,079 US7427009B2 (en) 2004-06-24 2004-06-24 Capillary for wire bonding

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH698058B1 true CH698058B1 (de) 2009-05-15

Family

ID=35504526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH01060/05A CH698058B1 (de) 2004-06-24 2005-06-22 Kapillare für Drahtbonden.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7427009B2 (de)
JP (1) JP2006013512A (de)
KR (1) KR100749691B1 (de)
CN (1) CN100423219C (de)
CH (1) CH698058B1 (de)
MY (1) MY140036A (de)
SG (2) SG138614A1 (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8357998B2 (en) * 2009-02-09 2013-01-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wirebonded semiconductor package
WO2010147187A1 (ja) 2009-06-18 2010-12-23 ローム株式会社 半導体装置
CN102820236B (zh) * 2011-06-08 2015-08-26 无锡华润安盛科技有限公司 一种预塑封引线框的引线键合方法
US8618677B2 (en) 2012-04-06 2013-12-31 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wirebonded semiconductor package
US9093515B2 (en) * 2013-07-17 2015-07-28 Freescale Semiconductor, Inc. Wire bonding capillary with working tip protrusion
JP6331633B2 (ja) * 2014-04-17 2018-05-30 富士電機株式会社 ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法
DE112018007032T5 (de) * 2018-02-07 2020-10-29 Mitsubishi Electric Corporation Keilwerkzeug, Bondvorrichtung und Bondprüfverfahren
US20210111146A1 (en) * 2019-10-10 2021-04-15 Skyworks Solutions, Inc. Cupd wire bond capillary design
IT201900024295A1 (it) * 2019-12-17 2021-06-17 St Microelectronics Srl Utensile di wire bonding, procedimento e struttura di bond corrispondenti
US11515284B2 (en) 2020-07-14 2022-11-29 Semiconductor Components Industries, Llc Multi-segment wire-bond
FR3126898B1 (fr) * 2021-09-15 2023-11-24 St Microelectronics Grenoble 2 Outil de soudure par fil

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4315128A (en) * 1978-04-07 1982-02-09 Kulicke And Soffa Industries Inc. Electrically heated bonding tool for the manufacture of semiconductor devices
US4415115A (en) * 1981-06-08 1983-11-15 Motorola, Inc. Bonding means and method
US4974767A (en) * 1988-04-25 1990-12-04 Texas Instruments Incorporated Double cone wire bonding capillary
US5183973A (en) * 1989-08-14 1993-02-02 Santa Barbara Research Center Flexible cable for interconnecting electronic components
US5421503A (en) * 1994-08-24 1995-06-06 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Fine pitch capillary bonding tool
US5662261A (en) * 1995-04-11 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Wire bonding capillary
US6158647A (en) * 1998-09-29 2000-12-12 Micron Technology, Inc. Concave face wire bond capillary

Also Published As

Publication number Publication date
SG138614A1 (en) 2008-01-28
US7427009B2 (en) 2008-09-23
KR20060048506A (ko) 2006-05-18
US20050284913A1 (en) 2005-12-29
SG118392A1 (en) 2006-01-27
KR100749691B1 (ko) 2007-08-17
CN1722396A (zh) 2006-01-18
MY140036A (en) 2009-11-30
JP2006013512A (ja) 2006-01-12
CN100423219C (zh) 2008-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH698058B1 (de) Kapillare für Drahtbonden.
US5953624A (en) Bump forming method
DE69737621T2 (de) Halbleiterelement mit einer Höckerelektrode
DE102005006333B4 (de) Halbleiterbauteil mit mehreren Bondanschlüssen und gebondeten Kontaktelementen unterschiedlicher Metallzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69012438T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Unebenheit auf einer Halbleiterchip-Elektrode und Apparat zur Anwendung dafür.
DE112004000727T9 (de) Bandverbindung
EP0144915B1 (de) Verfahren zum Anheften eines dünnen elektrisch leitenden Drahtes an elektronischen Bauteilen, insbesondere Halbleiterbauelementen
DE69213522T2 (de) Verbindungsverfahren für innere TAB-Leiter und Werkzeug zum Verbinden
EP1080491B1 (de) Verfahren zur herstellung einer bond-draht-verbindung
DE112004000360T5 (de) Zweimetallisches Stud-Bumping für Flipchip-Anwendungen
DE19744266A1 (de) Drahtbondierungsverfahren
DE102011053149C5 (de) Die-Anordnung und Verfahren zum Prozessieren eines Dies
DE69213269T2 (de) Metall-Basisplatte wie Wärmesenke für eine Plastikumhüllte Halbleiteranordnung mit erhöhten Teilen zum Löten von Erdschluss-Verbindungsdrähten
EP0852807B1 (de) Verfahren zum elektrischen verbinden eines halbleiterchips mit zumindest einer kontaktfläche
DE19924239A1 (de) Kontaktstelle und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstelle
DE60315224T2 (de) Halbleiterbauelement mit Druckkontakt
EP1656719B1 (de) Druckkontaktfeder für kontaktanordnung in leistungshalbleitermodul
EP2133915A1 (de) Halbleiteranordnung mit besonders gestalteten Bondleitungen und Verfahren zum Herstellen einer solchen Anordnung
DE102004047306B4 (de) Leistungs-Halbleiterbauteil mit mehreren Bauteilkomponenten
DE102022110250A1 (de) Halbleiterpackages mit Drahtbondverbindungen und entsprechende Herstellungsverfahren
DE102007013100A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Wedge Wedge Drahtbrücke
DE3028570C2 (de)
EP1075346B1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrischen verbindung
DE112021004272T5 (de) Integriertes schaltkreis-bond-pad mit zahnstruktur aus mehreren materialien
DE19508617C1 (de) Verfahren zum Ultraschall-Keil-Drahtbonden von Mikrodrähten und Werkzeug hierzu