DE102016110235B4 - Halbleitervorrichtungen mit Clipvorrichtung und Verfahren zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung - Google Patents
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Abstract
Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400), umfassend:einen Leadframe (102), umfassend eine Chipauflage (104) und einen Anschluss (106);einen Halbleiterchip (110) mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite, wobei die erste Seite an der Chipauflage (104) angebracht ist und die zweite Seite ein erstes Bondpad (112) und ein zweites Bondpad (114) umfasst;eine Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402), die das erste Bondpad (112) elektrisch mit dem Anschluss (106) koppelt, wobei die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) das erste Bondpad (112) an einem ersten Randabschnitt (116) des ersten Bondpads (112) neben dem zweiten Bondpad (114) kontaktiert und eine erste Kavität (129, 204, 304, 404) zwischen einem zentralen Abschnitt (118) des ersten Bondpads (112) und der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) definiert;ein die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) elektrisch mit dem ersten Bondpad (112) koppelndes Lot (132, 134) innerhalb der ersten Kavität (129, 204, 304, 404); undeine erste Öffnung (414) zur ersten Kavität (129, 204, 304, 404), um Flussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens vom zweiten Bondpad (114) weg zu leiten.
Description
- Leistungs-Halbleitervorrichtungen können einen Halbleiterchip und einen Leadframe (Anschlussrahmen) einschließen. Ein Bondpad des Halbleiterchips kann über eine Clipvorrichtung elektrisch mit einem Anschluss des Leadframes verbunden sein. Üblicherweise ist eine Seite der Clipvorrichtung an das Bondpad des Halbleiterchips gelötet, und die andere Seite der Clipvorrichtung ist an den Anschluss gelötet. Während eines Wiederaufschmelzlötprozesses zum Anbringen der Clipvorrichtung kann sich Lötflussmittel über den Halbleiterchip verbreiten und andere Bondpads des Halbleiterchips kontaminieren. Diese Kontaminierung kann verursachen, dass Bonddrähte während eines nachfolgenden Drahtbondens nicht an den Bondpads haften.
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EP 2 930 747 A1 offenbart eine Halbleitervorrichtung, umfassend einen Leadframe mit einer Chipauflage und einem Anschluss; einen Halbleiterchip mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite, wobei die erste Seite an der Chipauflage angebracht ist und die zweite Seite ein Bondpad umfasst; eine Clipvorrichtung, die das Bondpad elektrisch mit dem Anschluss koppelt, wobei die Clipvorrichtung das Bondpad kontaktiert und eine erste Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des Bondpads und der Clipvorrichtung definiert; ein die Clipvorrichtung elektrisch mit dem Bondpad koppelndes Lot innerhalb der ersten Kavität; und eine erste Öffnung zur ersten Kavität. - US 2007 / 0 267 727 A1 offenbart eine Halbleitervorrichtung, umfassend einen Leadframe mit einer Chipauflage und einem Anschluss; einen Halbleiterchip mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite, wobei die erste Seite an der Chipauflage angebracht ist und die zweite Seite ein erstes Bondpad und ein zweites Bondpad umfasst; eine Clipvorrichtung, die das erste Bondpad elektrisch mit dem Anschluss koppelt, wobei die Clipvorrichtung das erste Bondpad an einem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads neben dem zweiten Bondpad kontaktiert und eine erste Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und der Clipvorrichtung definiert; und ein die Clipvorrichtung elektrisch mit dem ersten Bondpad koppelndes Lot innerhalb der ersten Kavität.
- US 2003 / 0 075 785 A1 offenbart ein Verfahren und eine Vorrichtung zum elektrischen Verbinden des Chips einer Hochleistungs-Halbleitervorrichtung mit einem Substrat mit einem leitfähigen Band. Dabei fließt ein Klebstoff oder Lot einer Fügestelle in eine Öffnung und bildet darin beim Erstarren mechanisch ineinandergreifende Keile, um elektrische Verbindungen gegen die zerstörerischen Auswirkungen von temperaturbedingten Spannungen zu immunisieren.
- Aus diesem und weiteren Gründen besteht ein Bedarf nach der vorliegenden Erfindung.
- Zusammenfassung
- Eine Ausführungsform schließt eine Halbleitervorrichtung ein. Die Halbleitervorrichtung schließt einen Leadframe ein, der eine Chipauflage („die paddle“) und einen Anschluss, einen Halbleiterchip und eine Clipvorrichtung bzw. einen Clip einschließt. Der Halbleiterchip weist eine erste Seite und eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite auf. Die erste Seite ist an der Chipauflage angebracht, und die zweite Seite schließt ein erstes Bondpad und ein zweites Bondpad ein. Die Clipvorrichtung koppelt das erste Bondpad elektrisch mit dem Anschluss. Die Clipvorrichtung kontaktiert das erste Bondpad an einem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads neben dem zweiten Bondpad und definiert eine erste Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und der Clipvorrichtung. Lot befindet sich innerhalb der ersten Kavität, um die Clipvorrichtung elektrisch mit dem ersten Bondpad zu koppeln. Die Halbleitervorrichtung schließt eine erste Öffnung zur ersten Kavität ein, um während eines Wiederaufschmelzlötens Flussmittel vom zweiten Bondpad durch eine erste Öffnung zur ersten Kavität weg zu leiten.
- Figurenliste
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1 veranschaulicht eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung. -
2A-2D veranschaulichen verschiedene Ansichten einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung. -
3A und3B veranschaulichen jeweils eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung. -
4A und4B veranschaulichen jeweils eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung. -
5 ist ein Flussdiagramm, das eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung veranschaulicht. - Ausführliche Beschreibung
- In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil hiervon bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Beispiele gezeigt werden, in denen die Offenbarung ausgeführt werden kann. Es versteht sich, dass andere Beispiele benutzt werden können und strukturelle Änderungen vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Die folgende ausführliche Beschreibung ist daher nicht in einem einschränkenden Sinn aufzufassen, und der Umfang der vorliegenden Offenbarung wird durch die angehängten Ansprüche definiert. Es versteht sich, dass Merkmale der verschiedenen hierin beschriebenen Beispiele in Teilen oder ganz miteinander kombiniert werden können, sofern nicht ausdrücklich etwas anderes vermerkt ist.
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1 veranschaulicht eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung 100. Die Halbleitervorrichtung 100 schließt einen Leadframe 102, einen Halbleiterchip 110, einen Bonddraht 128, eine Clipvorrichtung 130, Lot 132 und 134 und ein Formmaterial 140 ein. Der Leadframe 102 ist aus Kupfer oder einem anderen geeigneten Metall hergestellt und schließt eine Chipauflage 104 und einen Anschluss 106 ein. In weiteren Beispielen kann der Leadframe 102 eine Mehrzahl von Anschlüssen einschließen (nicht gezeigt). Das Formmaterial 140, wie ein Kunststoffmaterial oder ein anderes geeignetes elektrisch isolierendes Material, kapselt den Halbleiterchip 110, den Bonddraht 128, die Clipvorrichtung 130, das Lot 132 und 134 und Abschnitte des Leadframes 102 derart, dass weitere Abschnitte des Leadframes 102 freiliegend bleiben, um dem Halbleiterchip 110 elektrische Kontakte bereitzustellen. - In einem Beispiel schließt der Halbleiterchip 110 eine Leistungs-Halbleitervorrichtung ein, wie eine Leistungsdiode oder einen Leistungstransistor. Eine erste Seite (d.h. Unterseite) des Halbleiterchips 110 ist durch Lot, ein Haftmaterial oder ein anderes geeignetes Material (nicht gezeigt) an der Chipauflage 104 angebracht. In einem Beispiel ist der Halbleiterchip 110 über die erste Seite des Halbleiterchips 110 elektrisch mit der Chipauflage 104 gekoppelt. Die zweite Seite (d.h. Oberseite) des Halbleiterchips 110 gegenüber der ersten Seite schließt ein erstes Bondpad 112 und ein zweites Bondpad 114 ein. In weiteren Beispielen kann der Halbleiterchip 110 zusätzliche Bondpads einschließen (nicht gezeigt). Das erste Bondpad 112 und das zweite Bondpad 114 sind aus Kupfer oder einem anderen geeigneten Metall hergestellt. Das erste Bondpad 112 ist durch das Lot 132, die Clipvorrichtung 130 und das Lot 134 elektrisch mit dem Anschluss 106 gekoppelt. Das zweite Bondpad 114 ist durch den Bonddraht 128 elektrisch mit dem Anschluss 106 oder einem anderen Anschluss (nicht gezeigt) gekoppelt. Der Bonddraht 128 kann aus Kupfer, Gold oder einem anderen geeigneten Metall hergestellt sein.
- Die Clipvorrichtung 130 ist eingerichtet, um zu verhindern, dass Lötflussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens das Bondpad 114 kontaminiert. Die Clipvorrichtung 130 kann aus Kupfer oder einem anderen geeigneten Metall hergestellt sein. In einem Beispiel wird die Clipvorrichtung 130 durch Stanzen geformt, um eine erste Kavität 129 zwischen der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 bereitzustellen, und um eine zweite Kavität 133 zwischen der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 bereitzustellen. Die Clipvorrichtung 130 kontaktiert das erste Bondpad 112 an einem ersten Randabschnitt 116 neben dem zweiten Bondpad 114 und an einem zweiten Randabschnitt 120 gegenüber dem ersten Randabschnitt 116. Die Clipvorrichtung 130 kontaktiert zudem den Anschluss 106 an einem ersten Randabschnitt 122 und an einem zweiten Randabschnitt 126 gegenüber dem ersten Randabschnitt 122. Die erste Kavität 129 enthält das Lot 132, das die Clipvorrichtung 130 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 koppelt. Die zweite Kavität 133 enthält das Lot 134, das die Clipvorrichtung 130 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 koppelt. Mit der den ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 kontaktierenden Clipvorrichtung 130 wird verhindert, dass sich Lötflussmittel während des Wiederaufschmelzlötens über das zweite Bondpad 114 verbreitet. Vielmehr wird aufgrund der Einrichtung der Clipvorrichtung 130 Lötflussmittel während des Wiederaufschmelzlötens vom zweiten Bondpad 114 weg geleitet, wie nachstehend unter Bezugnahme auf
2A -4B ausführlicher beschrieben wird. -
2A-2D veranschaulichen verschiedene Ansichten einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung 200.2A veranschaulicht eine Draufsicht,2B veranschaulicht eine Querschnittsansicht,2C veranschaulicht eine erste Seitenansicht und2D veranschaulicht eine zweite Seitenansicht senkrecht zur ersten Seitenansicht. Die Halbleitervorrichtung 200 schließt einen Leadframe 102, einen Halbleiterchip 110, eine Clipvorrichtung 202 und Lot 132 und 134 ein. Bonddrähte und Formmaterial wurden in2A-2D der Einfachheit halber ausgeschlossen. Der Leadframe 102 schließt eine Chipauflage 104 und einen Anschluss 106 ein. Eine erste Seite (d.h. Unterseite) des Halbleiterchips 110 ist an der Chipauflage 104 angebracht. Die zweite Seite (d.h. Oberseite) des Halbleiterchips 110 gegenüber der ersten Seite schließt ein erstes Bondpad 112 und eine Mehrzahl von zweiten Bondpads 114 neben dem ersten Bondpad 112 ein. Das erste Bondpad 112 ist durch das Lot 132, die Clipvorrichtung 202 und das Lot 134 elektrisch mit dem Anschluss 106 gekoppelt. - Die Clipvorrichtung 202 ist eingerichtet, um zu verhindern, dass Lötflussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens die Bondpads 114 kontaminiert. Wie in
2B veranschaulicht, kontaktiert die Clipvorrichtung 202 das erste Bondpad 112 an einem ersten Randabschnitt 116 neben den zweiten Bondpads 114 und an einem zweiten Randabschnitt 120 gegenüber dem ersten Randabschnitt 116. Die Clipvorrichtung 202 kontaktiert zudem den Anschluss 106 an einem ersten Randabschnitt 122 und an einem zweiten Randabschnitt 126 gegenüber dem ersten Randabschnitt 122. In diesem Beispiel weist die Clipvorrichtung 202 eine variierende Dicke in einer Richtung senkrecht zum Halbleiterchip 110 auf, zwischen einer ersten Dicke, die zum Beispiel in 208 an einem ersten Randabschnitt 116 des Bondpads 112 angegeben ist, und einer zweiten Dicke, die zum Beispiel in 210 an einem zentralen Abschnitt 118 des Bondpads 112 angegeben ist, um eine erste Kavität 204 (z.B. ein Halbrandsenkloch) zwischen der Clipvorrichtung und dem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 zu definieren. Die erste Kavität 204 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 und dem zweiten Randabschnitt 120 des ersten Bondpads 112. Gleichermaßen variiert die Dicke der Clipvorrichtung 120, um zwei zweite Kavitäten 206 zwischen einem ersten Abschnitt 203a der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 sowie zwischen einem zweiten Abschnitt 203b der Clipvorrichtung und dem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 zu definieren. Jede zweite Kavität 206 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 und dem zweiten Randabschnitt 126 des Anschlusses 106. - Die erste Kavität 204 enthält das Lot 132, das die Clipvorrichtung 202 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 koppelt. Die zweiten Kavitäten 206 enthalten das Lot 134, das den ersten Abschnitt 203a und den zweiten Abschnitt 203b von Clipvorrichtung 202 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 koppelt. Wie in der Seitenansicht von
2C veranschaulicht, definieren die Seiten des ersten Abschnitts 203a und des zweiten Abschnitts 203b der Clipvorrichtung 202 senkrecht zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 Öffnungen, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel aus den entsprechenden zweiten Kavitäten 206 in einer Richtung parallel zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 heraus zu leiten. Wie ebenfalls in2C veranschaulicht, kontaktieren die Seiten der Clipvorrichtung 202 senkrecht zum ersten Randabschnitt 116 des Bondpads 112 das erste Bondpad 112, um die Kavität 204 zu umschließen. Wie in2D veranschaulicht, definiert die Clipvorrichtung 202 eine Öffnung 214, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel aus der Kavität 204 in die durch die Pfeile 212 angegebene Richtung heraus zu leiten (d.h. in einer Richtung senkrecht zum ersten Randabschnitt 116). Die Öffnung 214 erstreckt sich vom zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 zum zweiten Randabschnitt 120 des ersten Bondpads 112. Mit der den ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 kontaktierenden Clipvorrichtung 202 wird verhindert, dass sich Lötflussmittel während des Wiederaufschmelzlötens über die zweiten Bondpads 114 verbreitet. Vielmehr wird, wie durch die Pfeile 212 angegeben, während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel durch die Öffnung 214 von den zweiten Bondpads 114 weg geleitet, um eine Kontaminierung der zweiten Bondpads 114 zu verhindern. -
3A und3B veranschaulichen jeweils eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht einer weiteren Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung 300. Die Halbleitervorrichtung 300 schließt einen Leadframe 102, einen Halbleiterchip 110, eine Clipvorrichtung 302 und Lot 132 und 134 ein. Bonddrähte und Formmaterial wurden in3A und3B der Einfachheit halber ausgeschlossen. Der Leadframe 102 schließt eine Chipauflage 104 und einen Anschluss 106 ein. Eine erste Seite (d.h. Unterseite) des Halbleiterchips 110 ist an der Chipauflage 104 angebracht. Die zweite Seite (d.h. Oberseite) des Halbleiterchips 110 gegenüber der ersten Seite schließt ein erstes Bondpad 112 und eine Mehrzahl von zweiten Bondpads 114 neben dem ersten Bondpad 112 ein. Das erste Bondpad 112 ist durch das Lot 132, die Clipvorrichtung 302 und das Lot 134 elektrisch mit dem Anschluss 106 gekoppelt. - Die Clipvorrichtung 302 ist eingerichtet, um zu verhindern, dass Lötflussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens die Bondpads 114 kontaminiert. Wie in
3B veranschaulicht, kontaktiert die Clipvorrichtung 302 das erste Bondpad 112 an einem ersten Randabschnitt 116 neben den zweiten Bondpads 114 und an einem zweiten Randabschnitt 120 gegenüber dem ersten Randabschnitt 116. Die Clipvorrichtung 302 kontaktiert zudem den Anschluss 106 an einem ersten Randabschnitt 122 und an einem zweiten Randabschnitt 126 gegenüber dem ersten Randabschnitt 122. In diesem Beispiel weist die Clipvorrichtung 302 eine einzige Dicke auf und ist so geformt, dass sie eine erste Kavität 304 zwischen der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 definiert. Die erste Kavität 304 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 und dem zweiten Randabschnitt 120 des ersten Bondpads 112. Gleichermaßen ist die Clipvorrichtung 302 geformt, um zwei zweite Kavitäten 306 zwischen einem ersten Abschnitt 303a der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 und zwischen einem zweiten Abschnitt 303b der Clipvorrichtung und dem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 zu definieren. Jede zweite Kavität 306 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 und dem zweiten Randabschnitt 126 des Anschlusses 106. - Die erste Kavität 304 enthält das Lot 132, um die Clipvorrichtung 302 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 zu koppeln. Die zweiten Kavitäten 306 enthalten das Lot 134, um den ersten Abschnitt 303a und den zweiten Abschnitt 303b der Clipvorrichtung 302 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 124 des ersten Anschlusses 106 zu koppeln. Wie in der
3B veranschaulicht, definieren die Seiten des ersten Abschnitts 303a und des zweiten Abschnitts 303b der Clipvorrichtung 302 senkrecht zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 Öffnungen, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel aus den entsprechenden zweiten Kavitäten 306 in einer Richtung parallel zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 heraus zu leiten. Wie ebenfalls in3B veranschaulicht, definieren die Seiten der Clipvorrichtung 302 senkrecht zum ersten Randabschnitt 116 des Bondpads 112 Öffnungen, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel in einer Richtung parallel zum ersten Randabschnitt 116 aus der Kavität 304 heraus zu leiten, wie durch die Pfeile 312 angegeben. Mit der den ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 kontaktierenden Clipvorrichtung 302 wird verhindert, dass sich Lötflussmittel während des Wiederaufschmelzlötens über die zweiten Bondpads 114 verbreitet. Vielmehr wird, wie durch die Pfeile 312 angegeben, während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel durch die Öffnungen an jedem Ende der Kavität 304 von den zweiten Bondpads 114 weg geleitet, um eine Kontaminierung der zweiten Bondpads 114 zu verhindern. -
4A und4B veranschaulichen jeweils eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht einer weiteren Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung 400. Die Halbleitervorrichtung 400 schließt einen Leadframe 102, einen Halbleiterchip 110, eine Clipvorrichtung 402 und Lot 132 und 134 ein. Bonddrähte und Formmaterial wurden in4A und4B der Einfachheit halber ausgeschlossen. Der Leadframe 102 schließt eine Chipauflage 104 und einen Anschluss 106 ein. Eine erste Seite (d.h. Unterseite) des Halbleiterchips 110 ist an der Chipauflage 104 angebracht. Die zweite Seite (d.h. Oberseite) des Halbleiterchips 110 gegenüber der ersten Seite schließt ein erstes Bondpad 112 und eine Mehrzahl von zweiten Bondpads 114 neben dem ersten Bondpad 112 ein. Das erste Bondpad 112 ist durch das Lot 132, die Clipvorrichtung 402 und das Lot 134 elektrisch mit dem Anschluss 106 gekoppelt. - Die Clipvorrichtung 402 ist eingerichtet, um zu verhindern, dass Lötflussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens die Bondpads 114 kontaminiert. Wie in
4B veranschaulicht, kontaktiert die Clipvorrichtung 402 das erste Bondpad 112 an einem ersten Randabschnitt 116 neben den zweiten Bondpads 114 und an einem zweiten Randabschnitt 120 gegenüber dem ersten Randabschnitt 116. Die Clipvorrichtung 402 kontaktiert zudem den Anschluss 106 an einem ersten Randabschnitt 122 und an einem zweiten Randabschnitt 126 gegenüber dem ersten Randabschnitt 122. In diesem Beispiel weist die Clipvorrichtung 402 eine einzige Dicke auf und ist so geformt, dass sie eine erste Kavität 404 zwischen der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 definiert. Die erste Kavität 404 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 und dem zweiten Randabschnitt 120 des ersten Bondpads 112. Gleichermaßen ist die Clipvorrichtung 402 geformt, um zwei zweite Kavitäten 406 zwischen einem ersten Abschnitt 403a der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 und zwischen einem zweiten Abschnitt 403b der Clipvorrichtung und dem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 zu definieren. Jede zweite Kavität 406 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 und dem zweiten Randabschnitt 126 des Anschlusses 106. - Die erste Kavität 404 enthält das Lot 132, um die Clipvorrichtung 402 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 zu koppeln. Die zweiten Kavitäten 406 enthalten das Lot 134, um den ersten Abschnitt 403a und den zweiten Abschnitt 403b der Clipvorrichtung 402 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 124 des ersten Anschlusses 106 zu koppeln. Wie in
4B veranschaulicht, definieren die Seiten des ersten Abschnitts 403a und des zweiten Abschnitts 403b der Clipvorrichtung 402 senkrecht zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 Öffnungen, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel aus den entsprechenden zweiten Kavitäten 406 in einer Richtung parallel zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 heraus zu leiten. Wie ebenfalls in4B veranschaulicht, definieren die Seiten der Clipvorrichtung 402 senkrecht zum ersten Randabschnitt 116 des Bondpads 112 Öffnungen, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel in einer Richtung parallel zum ersten Randabschnitt 116 aus der Kavität 404 heraus zu leiten, wie durch die Pfeile 412 angegeben. - Die Clipvorrichtung 402 schließt zudem eine erste Öffnung 414 und zweite Öffnungen 416a und 416b ein, die sich in einer Richtung senkrecht zum Halbleiterchip 110 und Leadframe 102 durch die Clipvorrichtung erstrecken, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel jeweils aus den Kavitäten 404 und 406 in der vertikalen Richtung heraus zu leiten, wie durch die Pfeile 413 angegeben. Mit der den ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 kontaktierenden Clipvorrichtung 402 wird verhindert, dass sich Lötflussmittel während des Wiederaufschmelzlötens über die zweiten Bondpads 114 verbreitet. Vielmehr wird, wie durch die Pfeile 412 und 413 angegeben, während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel durch die Öffnungen an jedem Ende der Kavität 404 und durch die Öffnung 414 von den zweiten Bondpads 114 weg geleitet, um eine Kontaminierung der zweiten Bondpads 114 zu verhindern.
-
5 zeigt ein Flussdiagramm, das eine Ausführungsform eines Verfahrens 500 zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung, wie der Halbleitervorrichtung 200, 300 oder 400, veranschaulicht, die zuvor unter Bezugnahme auf2A-4B beschrieben und veranschaulicht wurden. In 502 wird eine erste Seite eines Halbleiterchips an einer Chipauflage eines Leadframes angebracht, wobei eine zweite Seite des Halbleiterchips gegenüber der ersten Seite ein erstes Bondpad und ein zweites Bondpad umfasst. In 504 wird Lotpaste auf einen zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und auf einen zentralen Abschnitt eines Anschlusses des Leadframes aufgebracht. In 506 wird eine Clipvorrichtung auf dem ersten Bondpad und dem Anschluss derart platziert, dass die Clipvorrichtung einen ersten Randabschnitt des ersten Bondpads neben dem zweiten Bondpad kontaktiert und eine erste Kavität zwischen dem zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und der Clipvorrichtung definiert, wo die Lotpaste aufgebracht ist. In 508 wird das Lot wieder aufgeschmolzen, um das erste Bondpad elektrisch mit dem Anschluss zu koppeln, so dass Flussmittel vom zweiten Bondpad weg geleitet wird. - In einem Beispiel umfasst das Platzieren der Clipvorrichtung ein Platzieren der Clipvorrichtung derart, dass die Clipvorrichtung einen ersten Randabschnitt des Anschlusses kontaktiert und eine zweite Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des Anschlusses und der Clipvorrichtung definiert, wo die Lotpaste aufgebracht ist. In einem anderen Beispiel umfasst das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich vom zentralen Abschnitt des ersten Bondpads zu einem zweiten Randabschnitt des ersten Bondpads gegenüber dem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads erstreckt. In einem anderen Beispiel umfasst das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich senkrecht zum ersten Randabschnitt des ersten Bondpads erstreckt. In einem anderen Beispiel umfasst das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich im zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und senkrecht zum Halbleiterchip durch die Clipvorrichtung erstreckt.
Claims (20)
- Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400), umfassend: einen Leadframe (102), umfassend eine Chipauflage (104) und einen Anschluss (106); einen Halbleiterchip (110) mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite, wobei die erste Seite an der Chipauflage (104) angebracht ist und die zweite Seite ein erstes Bondpad (112) und ein zweites Bondpad (114) umfasst; eine Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402), die das erste Bondpad (112) elektrisch mit dem Anschluss (106) koppelt, wobei die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) das erste Bondpad (112) an einem ersten Randabschnitt (116) des ersten Bondpads (112) neben dem zweiten Bondpad (114) kontaktiert und eine erste Kavität (129, 204, 304, 404) zwischen einem zentralen Abschnitt (118) des ersten Bondpads (112) und der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) definiert; ein die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) elektrisch mit dem ersten Bondpad (112) koppelndes Lot (132, 134) innerhalb der ersten Kavität (129, 204, 304, 404); und eine erste Öffnung (414) zur ersten Kavität (129, 204, 304, 404), um Flussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens vom zweiten Bondpad (114) weg zu leiten.
- Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach
Anspruch 1 , wobei die erste Öffnung (414) durch die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) definiert wird und sich vom zentralen Abschnitt (118) des ersten Bondpads (112) zu einem zweiten Randabschnitt (120) des ersten Bondpads (112) gegenüber dem ersten Randabschnitt (116) des ersten Bondpads (112) erstreckt. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach
Anspruch 1 oder2 , wobei die erste Öffnung (414) durch die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) definiert wird, um während des Wiederaufschmelzlötens Flussmittel parallel zum ersten Randabschnitt (116) des ersten Bondpads (112) zu leiten. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , wobei sich die erste Öffnung (414) im zentralen Bereich (118) des ersten Bondpads (112) und senkrecht zum Halbleiterchip (110) durch die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) erstreckt. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach einem der
Ansprüche 1 bis4 , wobei eine Dicke der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) in einer Richtung senkrecht zum Halbleiterchip (110) vom ersten Randabschnitt (116) des ersten Bondpads (112) zum zentralen Abschnitt (118) des ersten Bondpads (112) variiert, um die erste Kavität (129, 204, 304, 404) zu definieren. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach einem der
Ansprüche 1 bis4 , wobei die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) eine einzige Dicke aufweist und geformt ist, um die erste Kavität (129, 204, 304, 404) zu definieren. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach einem der
Ansprüche 1 bis6 , wobei die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) den Anschluss (106) an einem ersten Randabschnitt (122) des Anschlusses (106) kontaktiert und eine zweite Kavität (133, 206, 306, 406) zwischen einem zentralen Abschnitt (124) des Anschlusses (106) und der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) definiert, wobei die Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) ferner umfasst: eine zweite Öffnung (416a, 416b) zur zweiten Kavität (133, 206, 306, 406), um Flussmittel während des Wiederaufschmelzlötens aus der zweiten Kavität (133, 206, 306, 406) heraus zu leiten. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach
Anspruch 7 , wobei die zweite Öffnung (416a, 416b) durch die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) definiert wird, um während des Wiederaufschmelzlötens Flussmittel parallel zum ersten Randabschnitt (122) des Anschlusses (106) zu leiten. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach
Anspruch 7 oder8 , wobei sich die zweite Öffnung (416a, 416b) im zentralen Bereich (124) des Anschlusses (106) und senkrecht zum Leadframe (102) durch die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) erstreckt. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach einem der
Ansprüche 7 bis9 , wobei eine Dicke der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) in einer Richtung senkrecht zum Anschluss (106) vom ersten Randabschnitt (122) des Anschlusses (106) zum zentralen Abschnitt (124) des Anschlusses (106) variiert, um die zweite Kavität (133, 206, 306, 406) zu definieren. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach einem der
Ansprüche 7 bis9 , wobei die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) eine einzige Dicke aufweist und geformt ist, um die zweite Kavität (133, 206, 306, 406) zu definieren. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400), umfassend: einen Leadframe (102), umfassend eine Chipauflage (104) und einen Anschluss (106); einen Halbleiterchip (110) mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite, wobei die erste Seite an der Chipauflage (104) angebracht ist und die zweite Seite ein erstes Bondpad (112) und ein zweites Bondpad (114) umfasst; eine Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402), die das erste Bondpad (112) elektrisch mit dem Anschluss (106) koppelt, wobei die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) das erste Bondpad (112) an einem ersten Randabschnitt (116) des ersten Bondpads (112) neben dem zweiten Bondpad (114) kontaktiert und eine erste Kavität (129, 204, 304, 404) zwischen einem zentralen Abschnitt (118) des ersten Bondpads (112) und der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) definiert, wobei die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) den Anschluss (106) an einem ersten Randabschnitt (122) des Anschlusses (106) kontaktiert und eine zweite Kavität (133, 206, 306, 406) zwischen einem zentralen Abschnitt (124) des Anschlusses (106) und der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) definiert; ein die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) elektrisch mit dem ersten Bondpad (112) koppelndes erstes Lot (132) innerhalb der ersten Kavität (129, 204, 304, 404); ein die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) elektrisch mit dem Anschluss (106) koppelndes zweites Lot (134) innerhalb der zweiten Kavität (133, 206, 306, 406); eine erste Öffnung (414) zur ersten Kavität (129, 204, 304, 404), um Flussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens vom zweiten Bondpad (114) weg zu leiten; und eine zweite Öffnung (416a, 416b) zur zweiten Kavität (133, 206, 306, 406), um Flussmittel während des Wiederaufschmelzlötens aus der zweiten Kavität (133, 206, 306, 406) heraus zu leiten.
- Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach
Anspruch 12 , wobei die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) einen zweiten Randabschnitt (120) des ersten Bondpads (112) gegenüber dem ersten Randabschnitt (116) des ersten Bondpads (112) kontaktiert und sich die erste Kavität (129, 204, 304, 404) zwischen dem ersten Randabschnitt (116) des ersten Bondpads (112) und dem zweiten Randabschnitt (120) des ersten Bondpads (112) erstreckt, und wobei die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) einen zweiten Randabschnitt (122) des Anschlusses (106) gegenüber dem ersten Randabschnitt (122) des Anschlusses (106) kontaktiert und sich die zweite Kavität (133, 206, 306, 406) zwischen dem ersten Randabschnitt (122) des Anschlusses (106) und dem zweiten Randabschnitt des Anschluss (106) erstreckt. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach
Anspruch 12 oder13 , wobei die erste Kavität (129, 204, 304, 404) und die zweite Kavität (133, 206, 306, 406) definiert werden, indem eine Dicke der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) in einer Richtung senkrecht zum Leadframe (102) variiert wird. - Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400) nach einem der
Ansprüche 12 bis13 , wobei die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) eine einzige Dicke aufweist und geformt ist, um die erste Kavität (129, 204, 304, 404) und die zweite Kavität (133, 206, 306, 406) zu definieren. - Verfahren zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung (100, 200, 300, 400), wobei das Verfahren umfasst: Anbringen einer ersten Seite eines Halbleiterchips (110) an einer Chipauflage (104) eines Leadframes (102), wobei eine zweite Seite des Halbleiterchips (110) gegenüber der ersten Seite ein erstes Bondpad (112) und ein zweites Bondpad (114) umfasst; Aufbringen einer Lotpaste auf einen zentralen Abschnitt (118) des ersten Bondpads (112) und auf einen zentralen Abschnitt (124) eines Anschlusses (106) des Leadframes; Platzieren einer Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) auf dem ersten Bondpad (112) und dem Anschluss (106) derart, dass die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) einen ersten Randabschnitt (116) des ersten Bondpads (112) neben dem zweiten Bondpad (114) kontaktiert und eine erste Kavität (129, 204, 304, 404) zwischen dem zentralen Abschnitt (118) des ersten Bondpads (112) und der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) definiert, wo die Lotpaste aufgebracht ist; und Wiederaufschmelzen des Lotes, um das erste Bondpad (112) elektrisch mit dem Anschluss (106) zu koppeln, so dass Flussmittel vom zweiten Bondpad (114) durch eine erste Öffnung (414) zur ersten Kavität (129, 204, 304, 404) weg geleitet wird.
- Verfahren nach
Anspruch 16 , wobei das Platzieren der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) ein Platzieren der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) derart umfasst, dass die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) einen ersten Randabschnitt (122) des Anschlusses (106) kontaktiert und eine zweite Kavität (133, 206, 306, 406) zwischen einem zentralen Abschnitt (124) des Anschlusses (106) und der Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) definiert, wo die Lotpaste aufgebracht ist. - Verfahren nach
Anspruch 16 oder17 , wobei das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart umfasst, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich vom zentralen Abschnitt (118) des ersten Bondpads (112) zu einem zweiten Randabschnitt (120) des ersten Bondpads (112) gegenüber dem ersten Randabschnitt (116) des ersten Bondpads (112) erstreckt. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 16 bis18 , wobei das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart umfasst, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich senkrecht zum ersten Randabschnitt (116) des ersten Bondpads (112) erstreckt. - Verfahren nach einem der
Ansprüche 16 bis19 , wobei das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart umfasst, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich im zentralen Abschnitt (118) des ersten Bondpads (112) und senkrecht zum Halbleiterchip (110) durch die Clipvorrichtung (130, 202, 302, 402) erstreckt.
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