DE102016110235A1 - Halbleitervorrichtung mit Clipvorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit Clipvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102016110235A1
DE102016110235A1 DE102016110235.0A DE102016110235A DE102016110235A1 DE 102016110235 A1 DE102016110235 A1 DE 102016110235A1 DE 102016110235 A DE102016110235 A DE 102016110235A DE 102016110235 A1 DE102016110235 A1 DE 102016110235A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
clip device
cavity
edge portion
bonding pad
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102016110235.0A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102016110235B4 (de
Inventor
Xavier Arokiasamy
Chung Ching Liew
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of DE102016110235A1 publication Critical patent/DE102016110235A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102016110235B4 publication Critical patent/DE102016110235B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/49513—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4825—Connection or disconnection of other leads to or from flat leads, e.g. wires, bumps, other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/49524—Additional leads the additional leads being a tape carrier or flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/038—Post-treatment of the bonding area
    • H01L2224/03848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H01L2224/03849—Reflowing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/0501—Shape
    • H01L2224/05012—Shape in top view
    • H01L2224/05014—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/4005—Shape
    • H01L2224/4007—Shape of bonding interfaces, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40105—Connecting bonding areas at different heights
    • H01L2224/40108—Connecting bonding areas at different heights the connector not being orthogonal to a side surface of the semiconductor or solid-state body, e.g. fanned-out connectors, radial layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40105—Connecting bonding areas at different heights
    • H01L2224/40111—Connecting bonding areas at different heights the strap connector extending above another semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73221—Strap and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/808—Bonding techniques
    • H01L2224/80801—Soldering or alloying
    • H01L2224/80815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/84009—Pre-treatment of the connector and/or the bonding area
    • H01L2224/8401—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/84011—Chemical cleaning, e.g. etching, flux
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H01L2224/84815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Eine Halbleitervorrichtung schließt einen Leadframe ein, der eine Chipauflage und einen Anschluss, einen Halbleiterchip und eine Clipvorrichtung einschließt. Der Halbleiterchip weist eine erste Seite und eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite auf. Die erste Seite ist an der Chipauflage angebracht, und die zweite Seite schließt ein erstes Bondpad und ein zweites Bondpad ein. Die Clipvorrichtung koppelt das erste Bondpad elektrisch mit dem Anschluss. Die Clipvorrichtung kontaktiert das erste Bondpad an einem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads neben dem zweiten Bondpad und definiert eine erste Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und der Clipvorrichtung. Lot befindet sich innerhalb der ersten Kavität, um die Clipvorrichtung elektrisch mit dem ersten Bondpad zu koppeln. Die Halbleitervorrichtung schließt eine erste Öffnung zur ersten Kavität ein, um während eines Wiederaufschmelzlötens Flussmittel vom zweiten Bondpad weg zu leiten.

Description

  • Allgemeiner Stand der Technik
  • Leistungs-Halbleitervorrichtungen können einen Halbleiterchip und einen Leadframe (Anschlussrahmen) einschließen. Ein Bondpad des Halbleiterchips kann über eine Clipvorrichtung elektrisch mit einem Anschluss des Leadframes verbunden sein. Üblicherweise ist eine Seite der Clipvorrichtung an das Bondpad des Halbleiterchips gelötet, und die andere Seite der Clipvorrichtung ist an den Anschluss gelötet. Während eines Wiederaufschmelzlötprozesses zum Anbringen der Clipvorrichtung kann sich Lötflussmittel über den Halbleiterchip verbreiten und andere Bondpads des Halbleiterchips kontaminieren. Diese Kontaminierung kann verursachen, dass Bonddrähte während eines nachfolgenden Drahtbondens nicht an den Bondpads haften.
  • Aus diesem und weiteren Gründen besteht ein Bedarf nach der vorliegenden Erfindung.
  • Zusammenfassung
  • Eine Ausführungsform schließt eine Halbleitervorrichtung ein. Die Halbleitervorrichtung schließt einen Leadframe ein, der eine Chipauflage („die paddle“) und einen Anschluss, einen Halbleiterchip und eine Clipvorrichtung bzw. einen Clip einschließt. Der Halbleiterchip weist eine erste Seite und eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite auf. Die erste Seite ist an der Chipauflage angebracht, und die zweite Seite schließt ein erstes Bondpad und ein zweites Bondpad ein. Die Clipvorrichtung koppelt das erste Bondpad elektrisch mit dem Anschluss. Die Clipvorrichtung kontaktiert das erste Bondpad an einem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads neben dem zweiten Bondpad und definiert eine erste Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und der Clipvorrichtung. Lot befindet sich innerhalb der ersten Kavität, um die Clipvorrichtung elektrisch mit dem ersten Bondpad zu koppeln. Die Halbleitervorrichtung schließt eine erste Öffnung zur ersten Kavität ein, um während eines Wiederaufschmelzlötens Flussmittel vom zweiten Bondpad weg zu leiten.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1 veranschaulicht eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung.
  • 2A–2D veranschaulichen verschiedene Ansichten einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung.
  • 3A und 3B veranschaulichen jeweils eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung.
  • 4A und 4B veranschaulichen jeweils eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht einer anderen Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung.
  • 5 ist ein Flussdiagramm, das eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
  • Ausführliche Beschreibung
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil hiervon bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Beispiele gezeigt werden, in denen die Offenbarung ausgeführt werden kann. Es versteht sich, dass andere Beispiele benutzt werden können und strukturelle Änderungen vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Die folgende ausführliche Beschreibung ist daher nicht in einem einschränkenden Sinn aufzufassen, und der Umfang der vorliegenden Offenbarung wird durch die angehängten Ansprüche definiert. Es versteht sich, dass Merkmale der verschiedenen hierin beschriebenen Beispiele in Teilen oder ganz miteinander kombiniert werden können, sofern nicht ausdrücklich etwas anderes vermerkt ist.
  • 1 veranschaulicht eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung 100. Die Halbleitervorrichtung 100 schließt einen Leadframe 102, einen Halbleiterchip 110, einen Bonddraht 128, eine Clipvorrichtung 130, Lot 132 und 134 und ein Formmaterial 140 ein. Der Leadframe 102 ist aus Kupfer oder einem anderen geeigneten Metall hergestellt und schließt eine Chipauflage 104 und einen Anschluss 106 ein. In weiteren Beispielen kann der Leadframe 102 eine Mehrzahl von Anschlüssen einschließen (nicht gezeigt). Das Formmaterial 140, wie ein Kunststoffmaterial oder ein anderes geeignetes elektrisch isolierendes Material, kapselt den Halbleiterchip 110, den Bonddraht 128, die Clipvorrichtung 130, das Lot 132 und 134 und Abschnitte des Leadframes 102 derart, dass weitere Abschnitte des Leadframes 102 freiliegend bleiben, um dem Halbleiterchip 110 elektrische Kontakte bereitzustellen.
  • In einem Beispiel schließt der Halbleiterchip 110 eine Leistungs-Halbleitervorrichtung ein, wie eine Leistungsdiode oder einen Leistungstransistor. Eine erste Seite (d.h. Unterseite) des Halbleiterchips 110 ist durch Lot, ein Haftmaterial oder ein anderes geeignetes Material (nicht gezeigt) an der Chipauflage 104 angebracht. In einem Beispiel ist der Halbleiterchip 110 über die erste Seite des Halbleiterchips 110 elektrisch mit der Chipauflage 104 gekoppelt. Die zweite Seite (d.h. Oberseite) des Halbleiterchips 110 gegenüber der ersten Seite schließt ein erstes Bondpad 112 und ein zweites Bondpad 114 ein. In weiteren Beispielen kann der Halbleiterchip 110 zusätzliche Bondpads einschließen (nicht gezeigt). Das erste Bondpad 112 und das zweite Bondpad 114 sind aus Kupfer oder einem anderen geeigneten Metall hergestellt. Das erste Bondpad 112 ist durch das Lot 132, die Clipvorrichtung 130 und das Lot 134 elektrisch mit dem Anschluss 106 gekoppelt. Das zweite Bondpad 114 ist durch den Bonddraht 128 elektrisch mit dem Anschluss 106 oder einem anderen Anschluss (nicht gezeigt) gekoppelt. Der Bonddraht 128 kann aus Kupfer, Gold oder einem anderen geeigneten Metall hergestellt sein.
  • Die Clipvorrichtung 130 ist eingerichtet, um zu verhindern, dass Lötflussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens das Bondpad 114 kontaminiert. Die Clipvorrichtung 130 kann aus Kupfer oder einem anderen geeigneten Metall hergestellt sein. In einem Beispiel wird die Clipvorrichtung 130 durch Stanzen geformt, um eine erste Kavität 129 zwischen der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 bereitzustellen, und um eine zweite Kavität 133 zwischen der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 bereitzustellen. Die Clipvorrichtung 130 kontaktiert das erste Bondpad 112 an einem ersten Randabschnitt 116 neben dem zweiten Bondpad 114 und an einem zweiten Randabschnitt 120 gegenüber dem ersten Randabschnitt 116. Die Clipvorrichtung 130 kontaktiert zudem den Anschluss 106 an einem ersten Randabschnitt 122 und an einem zweiten Randabschnitt 126 gegenüber dem ersten Randabschnitt 122. Die erste Kavität 129 enthält das Lot 132, das die Clipvorrichtung 130 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 koppelt. Die zweite Kavität 133 enthält das Lot 134, das die Clipvorrichtung 130 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 koppelt. Mit der den ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 kontaktierenden Clipvorrichtung 130 wird verhindert, dass sich Lötflussmittel während des Wiederaufschmelzlötens über das zweite Bondpad 114 verbreitet. Vielmehr wird aufgrund der Einrichtung der Clipvorrichtung 130 Lötflussmittel während des Wiederaufschmelzlötens vom zweiten Bondpad 114 weg geleitet, wie nachstehend unter Bezugnahme auf 2A–4B ausführlicher beschrieben wird.
  • 2A–2D veranschaulichen verschiedene Ansichten einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung 200. 2A veranschaulicht eine Draufsicht, 2B veranschaulicht eine Querschnittsansicht, 2C veranschaulicht eine erste Seitenansicht und 2D veranschaulicht eine zweite Seitenansicht senkrecht zur ersten Seitenansicht. Die Halbleitervorrichtung 200 schließt einen Leadframe 102, einen Halbleiterchip 110, eine Clipvorrichtung 202 und Lot 132 und 134 ein. Bonddrähte und Formmaterial wurden in 2A–2D der Einfachheit halber ausgeschlossen. Der Leadframe 102 schließt eine Chipauflage 104 und einen Anschluss 106 ein. Eine erste Seite (d.h. Unterseite) des Halbleiterchips 110 ist an der Chipauflage 104 angebracht. Die zweite Seite (d.h. Oberseite) des Halbleiterchips 110 gegenüber der ersten Seite schließt ein erstes Bondpad 112 und eine Mehrzahl von zweiten Bondpads 114 neben dem ersten Bondpad 112 ein. Das erste Bondpad 112 ist durch das Lot 132, die Clipvorrichtung 202 und das Lot 134 elektrisch mit dem Anschluss 106 gekoppelt.
  • Die Clipvorrichtung 202 ist eingerichtet, um zu verhindern, dass Lötflussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens die Bondpads 114 kontaminiert. Wie in 2B veranschaulicht, kontaktiert die Clipvorrichtung 202 das erste Bondpad 112 an einem ersten Randabschnitt 116 neben den zweiten Bondpads 114 und an einem zweiten Randabschnitt 120 gegenüber dem ersten Randabschnitt 116. Die Clipvorrichtung 202 kontaktiert zudem den Anschluss 106 an einem ersten Randabschnitt 122 und an einem zweiten Randabschnitt 126 gegenüber dem ersten Randabschnitt 122. In diesem Beispiel weist die Clipvorrichtung 202 eine variierende Dicke in einer Richtung senkrecht zum Halbleiterchip 110 auf, zwischen einer ersten Dicke, die zum Beispiel in 208 an einem ersten Randabschnitt 116 des Bondpads 112 angegeben ist, und einer zweiten Dicke, die zum Beispiel in 210 an einem zentralen Abschnitt 118 des Bondpads 112 angegeben ist, um eine erste Kavität 204 (z.B. ein Halbrandsenkloch) zwischen der Clipvorrichtung und dem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 zu definieren. Die erste Kavität 204 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 und dem zweiten Randabschnitt 120 des ersten Bondpads 112. Gleichermaßen variiert die Dicke der Clipvorrichtung 120, um zwei zweite Kavitäten 206 zwischen einem ersten Abschnitt 203a der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 sowie zwischen einem zweiten Abschnitt 203b der Clipvorrichtung und dem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 zu definieren. Jede zweite Kavität 206 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 und dem zweiten Randabschnitt 126 des Anschlusses 106.
  • Die erste Kavität 204 enthält das Lot 132, das die Clipvorrichtung 202 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 koppelt. Die zweiten Kavitäten 206 enthalten das Lot 134, das den ersten Abschnitt 203a und den zweiten Abschnitt 203b von Clipvorrichtung 202 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 koppelt. Wie in der Seitenansicht von 2C veranschaulicht, definieren die Seiten des ersten Abschnitts 203a und des zweiten Abschnitts 203b der Clipvorrichtung 202 senkrecht zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 Öffnungen, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel aus den entsprechenden zweiten Kavitäten 206 in einer Richtung parallel zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 heraus zu leiten. Wie ebenfalls in 2C veranschaulicht, kontaktieren die Seiten der Clipvorrichtung 202 senkrecht zum ersten Randabschnitt 116 des Bondpads 112 das erste Bondpad 112, um die Kavität 204 zu umschließen. Wie in 2D veranschaulicht, definiert die Clipvorrichtung 202 eine Öffnung 214, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel aus der Kavität 204 in die durch die Pfeile 212 angegebene Richtung heraus zu leiten (d.h. in einer Richtung senkrecht zum ersten Randabschnitt 116). Die Öffnung 214 erstreckt sich vom zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 zum zweiten Randabschnitt 120 des ersten Bondpads 112. Mit der den ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 kontaktierenden Clipvorrichtung 202 wird verhindert, dass sich Lötflussmittel während des Wiederaufschmelzlötens über die zweiten Bondpads 114 verbreitet. Vielmehr wird, wie durch die Pfeile 212 angegeben, während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel durch die Öffnung 214 von den zweiten Bondpads 114 weg geleitet, um eine Kontaminierung der zweiten Bondpads 114 zu verhindern.
  • 3A und 3B veranschaulichen jeweils eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht einer weiteren Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung 300. Die Halbleitervorrichtung 300 schließt einen Leadframe 102, einen Halbleiterchip 110, eine Clipvorrichtung 302 und Lot 132 und 134 ein. Bonddrähte und Formmaterial wurden in 3A und 3B der Einfachheit halber ausgeschlossen. Der Leadframe 102 schließt eine Chipauflage 104 und einen Anschluss 106 ein. Eine erste Seite (d.h. Unterseite) des Halbleiterchips 110 ist an der Chipauflage 104 angebracht. Die zweite Seite (d.h. Oberseite) des Halbleiterchips 110 gegenüber der ersten Seite schließt ein erstes Bondpad 112 und eine Mehrzahl von zweiten Bondpads 114 neben dem ersten Bondpad 112 ein. Das erste Bondpad 112 ist durch das Lot 132, die Clipvorrichtung 302 und das Lot 134 elektrisch mit dem Anschluss 106 gekoppelt.
  • Die Clipvorrichtung 302 ist eingerichtet, um zu verhindern, dass Lötflussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens die Bondpads 114 kontaminiert. Wie in 3B veranschaulicht, kontaktiert die Clipvorrichtung 302 das erste Bondpad 112 an einem ersten Randabschnitt 116 neben den zweiten Bondpads 114 und an einem zweiten Randabschnitt 120 gegenüber dem ersten Randabschnitt 116. Die Clipvorrichtung 302 kontaktiert zudem den Anschluss 106 an einem ersten Randabschnitt 122 und an einem zweiten Randabschnitt 126 gegenüber dem ersten Randabschnitt 122. In diesem Beispiel weist die Clipvorrichtung 302 eine einzige Dicke auf und ist so geformt, dass sie eine erste Kavität 304 zwischen der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 definiert. Die erste Kavität 304 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 und dem zweiten Randabschnitt 120 des ersten Bondpads 112. Gleichermaßen ist die Clipvorrichtung 302 geformt, um zwei zweite Kavitäten 306 zwischen einem ersten Abschnitt 303a der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 und zwischen einem zweiten Abschnitt 303b der Clipvorrichtung und dem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 zu definieren. Jede zweite Kavität 306 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 und dem zweiten Randabschnitt 126 des Anschlusses 106.
  • Die erste Kavität 304 enthält das Lot 132, um die Clipvorrichtung 302 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 zu koppeln. Die zweiten Kavitäten 306 enthalten das Lot 134, um den ersten Abschnitt 303a und den zweiten Abschnitt 303b der Clipvorrichtung 302 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 124 des ersten Anschlusses 106 zu koppeln. Wie in der 3B veranschaulicht, definieren die Seiten des ersten Abschnitts 303a und des zweiten Abschnitts 303b der Clipvorrichtung 302 senkrecht zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 Öffnungen, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel aus den entsprechenden zweiten Kavitäten 306 in einer Richtung parallel zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 heraus zu leiten. Wie ebenfalls in 3B veranschaulicht, definieren die Seiten der Clipvorrichtung 302 senkrecht zum ersten Randabschnitt 116 des Bondpads 112 Öffnungen, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel in einer Richtung parallel zum ersten Randabschnitt 116 aus der Kavität 304 heraus zu leiten, wie durch die Pfeile 312 angegeben. Mit der den ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 kontaktierenden Clipvorrichtung 302 wird verhindert, dass sich Lötflussmittel während des Wiederaufschmelzlötens über die zweiten Bondpads 114 verbreitet. Vielmehr wird, wie durch die Pfeile 312 angegeben, während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel durch die Öffnungen an jedem Ende der Kavität 304 von den zweiten Bondpads 114 weg geleitet, um eine Kontaminierung der zweiten Bondpads 114 zu verhindern.
  • 4A und 4B veranschaulichen jeweils eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht einer weiteren Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung 400. Die Halbleitervorrichtung 400 schließt einen Leadframe 102, einen Halbleiterchip 110, eine Clipvorrichtung 402 und Lot 132 und 134 ein. Bonddrähte und Formmaterial wurden in 4A und 4B der Einfachheit halber ausgeschlossen. Der Leadframe 102 schließt eine Chipauflage 104 und einen Anschluss 106 ein. Eine erste Seite (d.h. Unterseite) des Halbleiterchips 110 ist an der Chipauflage 104 angebracht. Die zweite Seite (d.h. Oberseite) des Halbleiterchips 110 gegenüber der ersten Seite schließt ein erstes Bondpad 112 und eine Mehrzahl von zweiten Bondpads 114 neben dem ersten Bondpad 112 ein. Das erste Bondpad 112 ist durch das Lot 132, die Clipvorrichtung 402 und das Lot 134 elektrisch mit dem Anschluss 106 gekoppelt.
  • Die Clipvorrichtung 402 ist eingerichtet, um zu verhindern, dass Lötflussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens die Bondpads 114 kontaminiert. Wie in 4B veranschaulicht, kontaktiert die Clipvorrichtung 402 das erste Bondpad 112 an einem ersten Randabschnitt 116 neben den zweiten Bondpads 114 und an einem zweiten Randabschnitt 120 gegenüber dem ersten Randabschnitt 116. Die Clipvorrichtung 402 kontaktiert zudem den Anschluss 106 an einem ersten Randabschnitt 122 und an einem zweiten Randabschnitt 126 gegenüber dem ersten Randabschnitt 122. In diesem Beispiel weist die Clipvorrichtung 402 eine einzige Dicke auf und ist so geformt, dass sie eine erste Kavität 404 zwischen der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 definiert. Die erste Kavität 404 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 und dem zweiten Randabschnitt 120 des ersten Bondpads 112. Gleichermaßen ist die Clipvorrichtung 402 geformt, um zwei zweite Kavitäten 406 zwischen einem ersten Abschnitt 403a der Clipvorrichtung und einem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 und zwischen einem zweiten Abschnitt 403b der Clipvorrichtung und dem zentralen Abschnitt 124 des Anschlusses 106 zu definieren. Jede zweite Kavität 406 erstreckt sich zwischen dem ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 und dem zweiten Randabschnitt 126 des Anschlusses 106.
  • Die erste Kavität 404 enthält das Lot 132, um die Clipvorrichtung 402 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 118 des ersten Bondpads 112 zu koppeln. Die zweiten Kavitäten 406 enthalten das Lot 134, um den ersten Abschnitt 403a und den zweiten Abschnitt 403b der Clipvorrichtung 402 elektrisch mit dem zentralen Abschnitt 124 des ersten Anschlusses 106 zu koppeln. Wie in 4B veranschaulicht, definieren die Seiten des ersten Abschnitts 403a und des zweiten Abschnitts 403b der Clipvorrichtung 402 senkrecht zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 Öffnungen, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel aus den entsprechenden zweiten Kavitäten 406 in einer Richtung parallel zum ersten Randabschnitt 122 des Anschlusses 106 heraus zu leiten. Wie ebenfalls in 4B veranschaulicht, definieren die Seiten der Clipvorrichtung 402 senkrecht zum ersten Randabschnitt 116 des Bondpads 112 Öffnungen, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel in einer Richtung parallel zum ersten Randabschnitt 116 aus der Kavität 404 heraus zu leiten, wie durch die Pfeile 412 angegeben.
  • Die Clipvorrichtung 402 schließt zudem eine erste Öffnung 414 und zweite Öffnungen 416a und 416b ein, die sich in einer Richtung senkrecht zum Halbleiterchip 110 und Leadframe 102 durch die Clipvorrichtung erstrecken, um während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel jeweils aus den Kavitäten 404 und 406 in der vertikalen Richtung heraus zu leiten, wie durch die Pfeile 413 angegeben. Mit der den ersten Randabschnitt 116 des ersten Bondpads 112 kontaktierenden Clipvorrichtung 402 wird verhindert, dass sich Lötflussmittel während des Wiederaufschmelzlötens über die zweiten Bondpads 114 verbreitet. Vielmehr wird, wie durch die Pfeile 412 und 413 angegeben, während des Wiederaufschmelzlötens überschüssiges Lot und/oder Lötflussmittel durch die Öffnungen an jedem Ende der Kavität 404 und durch die Öffnung 414 von den zweiten Bondpads 114 weg geleitet, um eine Kontaminierung der zweiten Bondpads 114 zu verhindern.
  • 5 zeigt ein Flussdiagramm, das eine Ausführungsform eines Verfahrens 500 zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung, wie der Halbleitervorrichtung 200, 300 oder 400, veranschaulicht, die zuvor unter Bezugnahme auf 2A–4B beschrieben und veranschaulicht wurden. In 502 wird eine erste Seite eines Halbleiterchips an einer Chipauflage eines Leadframes angebracht, wobei eine zweite Seite des Halbleiterchips gegenüber der ersten Seite ein erstes Bondpad und ein zweites Bondpad umfasst. In 504 wird Lotpaste auf einen zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und auf einen zentralen Abschnitt eines Anschlusses des Leadframes aufgebracht. In 506 wird eine Clipvorrichtung auf dem ersten Bondpad und dem Anschluss derart platziert, dass die Clipvorrichtung einen ersten Randabschnitt des ersten Bondpads neben dem zweiten Bondpad kontaktiert und eine erste Kavität zwischen dem zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und der Clipvorrichtung definiert, wo die Lotpaste aufgebracht ist. In 508 wird das Lot wieder aufgeschmolzen, um das erste Bondpad elektrisch mit dem Anschluss zu koppeln, so dass Flussmittel vom zweiten Bondpad weg geleitet wird.
  • In einem Beispiel umfasst das Platzieren der Clipvorrichtung ein Platzieren der Clipvorrichtung derart, dass die Clipvorrichtung einen ersten Randabschnitt des Anschlusses kontaktiert und eine zweite Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des Anschlusses und der Clipvorrichtung definiert, wo die Lotpaste aufgebracht ist. In einem anderen Beispiel umfasst das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich vom zentralen Abschnitt des ersten Bondpads zu einem zweiten Randabschnitt des ersten Bondpads gegenüber dem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads erstreckt. In einem anderen Beispiel umfasst das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich senkrecht zum ersten Randabschnitt des ersten Bondpads erstreckt. In einem anderen Beispiel umfasst das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich im zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und senkrecht zum Halbleiterchip durch die Clipvorrichtung erstreckt.
  • Obwohl hierin spezifische Beispiele veranschaulicht und beschrieben wurden, kann eine Vielfalt von alternativen und/oder äquivalenten Implementierungen anstelle der gezeigten und beschriebenen spezifischen Beispiele eingesetzt werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Diese Anmeldung soll jegliche Anpassungen oder Variationen der hierin erläuterten spezifischen Beispiele abdecken. Diese Offenbarung soll daher nur durch die Ansprüche und deren Äquivalente beschränkt sein.

Claims (20)

  1. Halbleitervorrichtung, umfassend: einen Leadframe, umfassend eine Chipauflage und einen Anschluss; einen Halbleiterchip mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite, wobei die erste Seite an der Chipauflage angebracht ist und die zweite Seite ein erstes Bondpad und ein zweites Bondpad umfasst; eine Clipvorrichtung, die das erste Bondpad elektrisch mit dem Anschluss koppelt, wobei die Clipvorrichtung das erste Bondpad an einem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads neben dem zweiten Bondpad kontaktiert und eine erste Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und der Clipvorrichtung definiert; die Clipvorrichtung elektrisch mit dem ersten Bondpad koppelndes Lot innerhalb der ersten Kavität; und eine erste Öffnung zur ersten Kavität, um Flussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens vom zweiten Bondpad weg zu leiten.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Öffnung durch die Clipvorrichtung definiert wird und sich vom zentralen Abschnitt des ersten Bondpads zu einem zweiten Randabschnitt des ersten Bondpads gegenüber dem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads erstreckt.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste Öffnung durch die Clipvorrichtung definiert wird, um während des Wiederaufschmelzlötens Flussmittel parallel zum ersten Randabschnitt des ersten Bondpads zu leiten.
  4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei sich die erste Öffnung im zentralen Bereich des ersten Bondpads und senkrecht zum Halbleiterchip durch die Clipvorrichtung erstreckt.
  5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Dicke der Clipvorrichtung in einer Richtung senkrecht zum Halbleiterchip vom ersten Randabschnitt des ersten Bondpads zum zentralen Abschnitt des ersten Bondpads variiert, um die erste Kavität zu definieren.
  6. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Clipvorrichtung eine einzige Dicke aufweist und geformt ist, um die erste Kavität zu definieren.
  7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Clipvorrichtung den Anschluss an einem ersten Randabschnitt des Anschlusses kontaktiert und eine zweite Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des Anschlusses und der Clipvorrichtung definiert, wobei die Halbleitervorrichtung ferner umfasst: eine zweite Öffnung zur zweiten Kavität, um Flussmittel während des Wiederaufschmelzlötens aus der zweiten Kavität heraus zu leiten.
  8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei die zweite Öffnung durch die Clipvorrichtung definiert wird, um während des Wiederaufschmelzlötens Flussmittel parallel zum ersten Randabschnitt des Anschlusses zu leiten.
  9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, wobei sich die zweite Öffnung im zentralen Bereich des Anschlusses und senkrecht zum Leadframe durch die Clipvorrichtung erstreckt.
  10. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei eine Dicke der Clipvorrichtung in einer Richtung senkrecht zum Anschluss vom ersten Randabschnitt des Anschlusses zum zentralen Abschnitt des Anschlusses variiert, um die zweite Kavität zu definieren.
  11. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei die Clipvorrichtung eine einzige Dicke aufweist und geformt ist, um die zweite Kavität zu definieren.
  12. Halbleitervorrichtung, umfassend: einen Leadframe, umfassend eine Chipauflage und einen Anschluss; einen Halbleiterchip mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite, wobei die erste Seite an der Chipauflage angebracht ist und die zweite Seite ein erstes Bondpad und ein zweites Bondpad umfasst; eine Clipvorrichtung, die das erste Bondpad elektrisch mit dem Anschluss koppelt, wobei die Clipvorrichtung das erste Bondpad an einem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads neben dem zweiten Bondpad kontaktiert und eine erste Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und der Clipvorrichtung definiert, wobei die Clipvorrichtung den Anschluss an einem ersten Randabschnitt des Anschlusses kontaktiert und eine zweite Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des Anschlusses und der Clipvorrichtung definiert; ein die Clipvorrichtung elektrisch mit dem ersten Bondpad koppelndes erstes Lot innerhalb der ersten Kavität; ein die Clipvorrichtung elektrisch mit dem Anschluss koppelndes zweites Lot innerhalb der zweiten Kavität; eine erste Öffnung zur ersten Kavität, um Flussmittel während eines Wiederaufschmelzlötens vom zweiten Bondpad weg zu leiten; und eine zweite Öffnung zur zweiten Kavität, um Flussmittel während des Wiederaufschmelzlötens aus der zweiten Kavität heraus zu leiten.
  13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12, wobei die Clipvorrichtung einen zweiten Randabschnitt des ersten Bondpads gegenüber dem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads kontaktiert und sich die erste Kavität zwischen dem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads und dem zweiten Randabschnitt des ersten Bondpads erstreckt, und wobei die Clipvorrichtung einen zweiten Randabschnitt des Anschlusses gegenüber dem ersten Randabschnitt des Anschlusses kontaktiert und sich die zweite Kavität zwischen dem ersten Randabschnitt des Anschlusses und dem zweiten Randabschnitt des Anschlusses erstreckt.
  14. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, wobei die erste Kavität und die zweite Kavität definiert werden, indem eine Dicke der Clipvorrichtung in einer Richtung senkrecht zum Leadframe variiert wird.
  15. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei die Clipvorrichtung eine einzige Dicke aufweist und geformt ist, um die erste Kavität und die zweite Kavität zu definieren.
  16. Verfahren zum Fertigen eines Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst: Anbringen einer ersten Seite eines Halbleiterchips an einer Chipauflage eines Leadframes, wobei eine zweite Seite des Halbleiterchips gegenüber der ersten Seite ein erstes Bondpad und ein zweites Bondpad umfasst; Aufbringen einer Lotpaste auf einen zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und auf einen zentralen Abschnitt eines Anschlusses des Leadframes; Platzieren einer Clipvorrichtung auf dem ersten Bondpad und dem Anschluss derart, dass die Clipvorrichtung einen ersten Randabschnitt des ersten Bondpads neben dem zweiten Bondpad kontaktiert und eine erste Kavität zwischen dem zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und der Clipvorrichtung definiert, wo die Lotpaste aufgebracht ist; und Wiederaufschmelzen des Lotes, um das erste Bondpad elektrisch mit dem Anschluss zu koppeln, so dass Flussmittel vom zweiten Bondpad weg geleitet wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Platzieren der Clipvorrichtung ein Platzieren der Clipvorrichtung derart umfasst, dass die Clipvorrichtung einen ersten Randabschnitt des Anschlusses kontaktiert und eine zweite Kavität zwischen einem zentralen Abschnitt des Anschlusses und der Clipvorrichtung definiert, wo die Lotpaste aufgebracht ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, wobei das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart umfasst, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich vom zentralen Abschnitt des ersten Bondpads zu einem zweiten Randabschnitt des ersten Bondpads gegenüber dem ersten Randabschnitt des ersten Bondpads erstreckt.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, wobei das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart umfasst, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich senkrecht zum ersten Randabschnitt des ersten Bondpads erstreckt.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, wobei das Wiederaufschmelzen des Lotes ein Wiederaufschmelzen des Lotes derart umfasst, dass Flussmittel durch eine Öffnung geleitet wird, die sich im zentralen Abschnitt des ersten Bondpads und senkrecht zum Halbleiterchip durch die Clipvorrichtung erstreckt.
DE102016110235.0A 2015-06-03 2016-06-02 Halbleitervorrichtungen mit Clipvorrichtung und Verfahren zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung Active DE102016110235B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/729,672 US9640465B2 (en) 2015-06-03 2015-06-03 Semiconductor device including a clip
US14/729,672 2015-06-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102016110235A1 true DE102016110235A1 (de) 2016-12-08
DE102016110235B4 DE102016110235B4 (de) 2023-08-10

Family

ID=57352377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016110235.0A Active DE102016110235B4 (de) 2015-06-03 2016-06-02 Halbleitervorrichtungen mit Clipvorrichtung und Verfahren zum Fertigen einer Halbleitervorrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9640465B2 (de)
CN (1) CN106252287B (de)
DE (1) DE102016110235B4 (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9640465B2 (en) * 2015-06-03 2017-05-02 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a clip
US9911684B1 (en) * 2016-08-18 2018-03-06 Semiconductor Components Industries, Llc Holes and dimples to control solder flow
US10825757B2 (en) * 2016-12-19 2020-11-03 Nexperia B.V. Semiconductor device and method with clip arrangement in IC package
US9935041B1 (en) * 2017-04-06 2018-04-03 Texas Instruments Incorporated Multi-chip module clips with connector bar
US10600725B2 (en) * 2018-05-29 2020-03-24 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor module having a grooved clip frame
WO2019229828A1 (ja) * 2018-05-29 2019-12-05 新電元工業株式会社 半導体モジュール
EP3761358A1 (de) * 2019-07-02 2021-01-06 Nexperia B.V. Leitungsrahmenanordnung für ein halbleiterbauelement
US20210074667A1 (en) * 2019-09-05 2021-03-11 Infineon Technologies Ag Interconnect Clip with Angled Contact Surface and Raised Bridge Technical Field
US11183451B2 (en) * 2019-09-05 2021-11-23 Infineon Technologies Ag Interconnect clip with angled contact surface and raised bridge
US11901309B2 (en) * 2019-11-12 2024-02-13 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor device package assemblies with direct leadframe attachment
CN114628347B (zh) * 2022-05-16 2022-07-22 山东中清智能科技股份有限公司 一种半导体封装结构及其制备方法
CN116705770B (zh) * 2023-08-03 2023-12-01 深圳市锐骏半导体股份有限公司 半导体装置及其制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5015206A (en) 1990-04-05 1991-05-14 Die Tech, Inc. Solder terminal
US6657313B1 (en) 1999-01-19 2003-12-02 International Business Machines Corporation Dielectric interposer for chip to substrate soldering
US6521982B1 (en) 2000-06-02 2003-02-18 Amkor Technology, Inc. Packaging high power integrated circuit devices
JP4085768B2 (ja) * 2002-10-08 2008-05-14 トヨタ自動車株式会社 上部電極、パワーモジュール、および上部電極のはんだ付け方法
TWI221343B (en) 2003-10-21 2004-09-21 Advanced Semiconductor Eng Wafer structure for preventing contamination of bond pads during SMT process and process for the same
US7683464B2 (en) 2005-09-13 2010-03-23 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Semiconductor package having dimpled plate interconnections
US7622796B2 (en) 2005-09-13 2009-11-24 Alpha And Omega Semiconductor Limited Semiconductor package having a bridged plate interconnection
US7285849B2 (en) 2005-11-18 2007-10-23 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package using leadframe and clip and method of manufacturing
US7859089B2 (en) 2006-05-04 2010-12-28 International Rectifier Corporation Copper straps
US8680658B2 (en) * 2008-05-30 2014-03-25 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Conductive clip for semiconductor device package
JP5384913B2 (ja) 2008-11-18 2014-01-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100959866B1 (ko) 2009-07-20 2010-05-27 삼성전기주식회사 패키지 기판용 리드핀
CN102956509A (zh) * 2011-08-31 2013-03-06 飞思卡尔半导体公司 功率器件和封装该功率器件的方法
JP2013161941A (ja) * 2012-02-06 2013-08-19 Renesas Electronics Corp 半導体装置
EP2930747A1 (de) 2014-04-07 2015-10-14 Nxp B.V. Leitung zum Anschluss an eine Halbleitervorrichtung
US9640465B2 (en) * 2015-06-03 2017-05-02 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including a clip

Also Published As

Publication number Publication date
CN106252287A (zh) 2016-12-21
DE102016110235B4 (de) 2023-08-10
US10424534B2 (en) 2019-09-24
CN106252287B (zh) 2019-04-09
US9640465B2 (en) 2017-05-02
US20170250125A1 (en) 2017-08-31
US20160358843A1 (en) 2016-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016110235A1 (de) Halbleitervorrichtung mit Clipvorrichtung
DE69133497T2 (de) Leiterrahmen für eine Halbleiteranordnung und dessen Herstellungsverfahren
DE102014118836B4 (de) Halbleiter-packaging-anordnung und halbleiter-package
DE112007001227T5 (de) Flip-Chip-MLP mit gefalteter Wärmesenke
DE102015210603B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE10295972T5 (de) Nicht in einer Form hergestellte Packung für eine Halbleiteranordnung
DE112006003372T5 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Montage eines oben und unten freiliegenden eingehausten Halbleiters
DE112006003633T5 (de) Klemmenlose und drahtlose Halbleiterchipbaugruppe und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102015100862B4 (de) Elektronisches Durchsteck-Bauelement und Verfahren zum Fertigen eines elektronischen Durchsteck-Bauelements
DE102011053519A1 (de) Elektronisches Bauelement
DE102015103897B4 (de) Leitungsrahmen mit Kühlerplatte, Verfahren zur Herstellung eines Leitungsrahmens mit Kühlerplatte, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE102018206482B4 (de) Halbleiterbauelement mit einem Verbundwerkstoffclip aus Verbundmaterial
DE102017204594A1 (de) Leiterrahmenanschlussbeinchen mit vollständig plattierten Endflächen
DE102014223863B4 (de) Leistungshalbleitereinrichtungen
DE102014104497B4 (de) Halbleitergehäuse mit mehreren ebenen und verfahren zu deren herstellung
DE102020109692A1 (de) Quad-gehäuse mit an anschlüssen an der oberseite eines halbleiterchips angebrachten leitenden clips
DE19651549B4 (de) Anschlußrahmen und Chipgehäuse
DE102017207727B4 (de) Halbleiteranordnung
DE102014107088A1 (de) Halbleiterpackage mit kleiner grundfläche
DE102020110920A1 (de) Leiterrahmen für halbleitergehäuse
DE102013103351B4 (de) Elektronikmodul
DE102018130965A1 (de) Gehäuse-in-gehäuse struktur für halbleitervorrichtungen und verfahren zur herstellung
DE102021005969A1 (de) Leadframe-gehäuse mit einstellbarem clip
DE102015103555A1 (de) Elektronisches Bauteil und Leadframe
DE102014114933B4 (de) Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division