DE102021005969A1 - Leadframe-gehäuse mit einstellbarem clip - Google Patents

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die
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die pad
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Christian Feuerbaum
Thomas Stoek
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Infineon Technologies AG
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Abstract

Ein Gehäuse einer integrierten Schaltung weist einen Leadframe auf, der ein Die-Pad und eine Leitung aufweist. Ein Halbleiter-Die ist an einer oberen Fläche des Die-Pads befestigt. Ein Clip weist eine Leitungskontaktfläche mit einer Oberflächenstruktur auf einer unteren Fläche des Clips auf, die sich nahe einem ersten Ende des Clips befindet. Ein Teil der Oberflächenstruktur ist an einer oberen Fläche eines Anschluss-Pads der Leitung befestigt. Der Clip weist eine Die-Kontaktfläche auf der unteren Fläche des Clips auf, die sich nahe einem zweiten Ende des Clips befindet. Die Die-Kontaktfläche des Clips ist an einem oberen Kontakt auf dem Halbleiter-Die befestigt. Die Oberflächenstruktur weist eine Länge in einer Längsrichtung des Clips in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung auf, die größer als eine Länge der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung ist.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Leadframe-Gehäuse mit einem Halbleiter-Die und einem Clip, der einen oberen Kontakt des Halbleiter-Dies mit einer Leitung des Leadframes verbindet. Insbesondere betrifft die vorliegende Offenbarung einen Clip, der Halbleiter-Dies mit verschiedenen Größen Rechnung tragen kann.
  • HINTERGRUND
  • Ein wichtiges Ziel bei dem Design von Leistungsvorrichtungen für Hochleistungs- und Hochstromanwendungen ist die Minimierung des Einschaltwiderstands der Leistungsvorrichtung zum Verbessern der Gesamtleistungseffizienz. Wenn eine Leistungsvorrichtung Strom leitet, ist der Gesamteinschaltwiderstand eine Summe des Widerstands des in dem Gehäuse montierten Halbleiter-Dies und des Widerstands des Gehäuses, das den Halbleiter-Die elektrisch mit äußeren Leitungen des Gehäuses verbindet. Aufgrund der wesentlichen Reduzierungen des Gehäusewiderstands, der im Vergleich zu Bonddrähte verwendenden Gehäusen erreicht werden kann, sind leitende Clips verwendet worden, um herkömmliche Bonddrahtverbindungen zu ersetzen. Herkömmliche für Leadframe-Gehäuse konzipierte Clips weisen eine Länge auf, die einer Verbindung eines oberen Kontakts der Halbleitervorrichtung, die in der Mitte des Die-Pads des Leadframes montiert ist, Rechnung trägt. Aufgrund der Länge des herkömmlichen Clips müssen jedoch immer noch kleinere Dies in der Mitte des Die-Pads montiert werden, was zu einem Einschaltwiderstandsanteil des Gehäuses führt, der höher als nötig ist.
  • Aus diesen und anderen Gründen besteht eine Notwendigkeit für die vorliegende Erfindung.
  • KURZDARSTELLUNG
  • Gemäß einer Ausführungsform eines Gehäuses einer integrierten Schaltung (IC-Gehäuse) weist das IC-Gehäuse einen Leadframe auf, der ein Die-Pad und eine Leitung aufweist. Ein Halbleiter-Die ist an einer oberen Fläche des Die-Pads befestigt. Das IC-Gehäuse weist einen Clip auf, der eine Leitungskontaktfläche mit einer Oberflächenstruktur auf einer unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem ersten Ende des Clips befindet. Ein Teil der Oberflächenstruktur ist an einer oberen Fläche eines Anschluss-Pads der Leitung befestigt. Der Clip weist eine Die-Kontaktfläche auf der unteren Fläche des Clips auf, die sich nahe einem zweiten Ende des Clips befindet. Die Die-Kontaktfläche des Clips ist an einem oberen Kontakt auf dem Halbleiter-Die befestigt. Die Oberflächenstruktur weist eine Länge in einer Längsrichtung des Clips in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung auf, die größer als eine Länge der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform eines IC-Gehäuses weist das IC-Gehäuse einen Leadframe auf, der ein Die-Pad und eine Leitung aufweist. Ein Halbleiter-Die ist an einer oberen Fläche des Die-Pads befestigt. Das Die-Pad weist eine rechte Seite, eine linke Seite und eine Mitte im gleichen Abstand von der rechten Seite und der linken Seite in einer parallel zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung auf. Das IC-Gehäuse weist einen Clip auf, der eine Oberflächenstruktur auf einer unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem ersten Ende des Clips befindet. Ein Teil der Oberflächenstruktur ist an einer oberen Fläche eines Anschluss-Pads der Leitung befestigt. Der Clip weist eine Die-Kontaktfläche auf der unteren Fläche des Clips auf, die sich nahe einem zweiten Ende des Clips befindet. Die Die-Kontaktfläche ist an einem oberen Kontakt des Halbleiter-Dies befestigt. Die Oberflächenstruktur weist Merkmale auf, die sich von der unteren Fläche des Clips nach unten erstrecken. Die Oberflächenstruktur weist eine Länge in einer Längsrichtung des Clips in der parallel zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung auf, die größer als eine Länge der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden eines IC-Gehäuses beinhaltet das Verfahren Bereitstellen eines Leadframes, der ein Die-Pad und eine Leitung mit einem Anschluss-Pad aufweist, wobei das Die-Pad eine rechte Seite, eine linke Seite und eine Mitte im gleichen Abstand von der rechten Seite und der linken Seite in einer parallel zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweist. Das Verfahren beinhaltet Bereitstellen eines Clips, der eine Oberflächenstruktur auf einer unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem ersten Ende des Clips befindet. Der Clip weist eine Die-Kontaktfläche auf der unteren Fläche des Clips auf, die sich nahe einem zweiten Ende des Clips befindet. Die Oberflächenstruktur weist Merkmale auf, die sich von der unteren Fläche des Clips nach unten erstrecken. Die Oberflächenstruktur weist eine Länge in einer Längsrichtung des Clips in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung auf, die größer als eine Länge der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung ist. Das Verfahren beinhaltet Befestigen eines Halbleiter-Dies an der oberen Fläche des Die-Pads. Das Verfahren beinhaltet Befestigen der Die-Kontaktfläche des Clips an einem oberen Kontakt des Halbleiter-Dies. Die Die-Kontaktfläche des Clips wird am oberen Kontakt des Halbleiter-Dies über der oberen Fläche des Die-Pads und zwischen der Mitte und der rechten Seite der oberen Fläche des Die-Pads in einer senkrecht zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung befestigt. Das Verfahren beinhaltet Befestigen eines Teils der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips an einer oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung, derart, dass sich andere Teile der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips, die nicht an der oberen Fläche des Anschluss-Pads befestigt sind, auf einer rechten Seite der oberen Fläche des Anschluss-Pads befinden.
  • Gemäß einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden eines IC-Gehäuses beinhaltet das Verfahren Bereitstellen eines Leadframes, der ein Die-Pad und eine Leitung mit einem Anschluss-Pad aufweist. Das Die-Pad weist eine rechte Seite, eine linke Seite und eine Mitte im gleichen Abstand von der rechten Seite und der linken Seite in einer parallel zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung auf. Das Verfahren beinhaltet Bereitstellen eines Clips, der eine Oberflächenstruktur auf einer unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem ersten Ende des Clips befindet. Der Clip weist eine Die-Kontaktfläche auf der unteren Fläche des Clips auf, die sich nahe einem zweiten Ende des Clips befindet. Die Oberflächenstruktur weist Merkmale auf, die sich von der unteren Fläche des Clips nach unten erstrecken. Die Oberflächenstruktur weist eine Länge in einer Längsrichtung des Clips in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung auf, die größer als eine Länge der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung ist. Das Verfahren beinhaltet Befestigen eines Halbleiter-Dies an der oberen Fläche des Die-Pads. Das Verfahren beinhaltet Befestigen der Die-Kontaktfläche des Clips an einem oberen Kontakt des Halbleiter-Dies. Die Die-Kontaktfläche des Clips wird am oberen Kontakt auf dem Halbleiter-Die über der oberen Fläche des Die-Pads ungefähr in der Mitte der oberen Fläche des Die-Pads in einer senkrecht zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung befestigt. Das Verfahren beinhaltet Befestigen eines Teils der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips an einer oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung, derart, dass sich andere Teile der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips, die nicht an der oberen Fläche des Anschluss-Pads befestigt sind, auf einer linken Seite der oberen Fläche des Anschluss-Pads befinden.
  • Gemäß einer Ausführungsform einer Einrichtung weist die Einrichtung einen Leadframe auf, der ein Die-Pad und eine Leitung aufweist, wobei die Leitung ein Anschluss-Pad aufweist. Ein Clip weist eine Leitungskontaktfläche mit einer Oberflächenstruktur auf einer unteren Fläche des Clips auf, die sich nahe einem ersten Ende des Clips befindet, wobei die Oberflächenstruktur zur Befestigung an einer oberen Fläche des Anschluss-Pads ausgebildet ist. Der Clip weist eine Die-Kontaktfläche auf der unteren Fläche des Clips auf, die sich nahe einem zweiten Ende des Clips befindet. Die Oberflächenstruktur weist eine Länge in einer Längsrichtung des Clips in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung auf, die größer als eine Länge der oberen Fläche des Anschluss-Pads ist, so dass ein aus mehreren Dies, die jeweils eine verschiedene Größe in der Längsrichtung des Clips in der parallel zu der Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweisen, ausgewähltes Die an dem Die-Pad befestigt werden kann, wobei die Die-Kontaktfläche des Clips an einem oberen Kontakt des Halbleiter-Dies so befestigt wird, dass in Abhängigkeit von der Größe des ausgewählten Dies ein anderer Teil der Oberflächenstruktur des Clips an der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung befestigt wird.
  • Der Fachmann erkennt bei Lektüre der folgenden detaillierten Beschreibung und bei Durchsicht der begleitenden Zeichnungen zusätzliche Merkmale und Vorteile.
  • Figurenliste
  • Die Elemente der Zeichnungen sind bezüglich einander nicht zwangsweise maßstäblich. Gleiche Bezugszahlen bezeichnen entsprechende gleiche Teile. Die Merkmale der verschiedenen dargestellten Ausführungsformen können kombiniert werden, es sei denn, sie schließen einander aus. In den Zeichnungen sind Ausführungsformen gezeigt, die in der folgenden Beschreibung ausführlich beschrieben werden.
    • 1 stellt eine Ausführungsform einer Querschnittsansicht eines IC-Gehäuses dar.
    • 2 stellt eine Ausführungsform einer Unteransicht des in 1 dargestellten Clips dar.
    • 3A und 3B stellen Ausführungsformen einer Seitenansicht eines Clips dar.
    • 4A-4C stellen Ausführungsformen einer Unteransicht von Oberflächenstrukturen für einen Clip dar.
    • 5 stellt eine Ausführungsform einer Schnittansicht eines Clips und einer Leitung dar.
    • 6 stellt eine Ausführungsform eines IC-Gehäuses dar.
    • 7 stellt eine Ausführungsform eines IC-Gehäuses dar.
    • 8 stellt eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden eines IC-Gehäuses mit einem Clip dar.
    • 9 stellt eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Bilden eines IC-Gehäuses mit einem Clip dar.
    • 10 stellt eine Ausführungsform einer Querschnittsansicht eines IC-Gehäuses dar.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • In der folgenden detaillierten Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil hiervon bilden und in denen zur Veranschaulichung spezielle Ausführungsformen gezeigt werden, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „Oberseite“, „Unterseite“, „Vorderseite“, „Rückseite“, „vordere(r)“, „hintere(r)“, „obere(r)“, „untere(r)“, „rechts“, „links“, „vertikal“, „horizontal“ usw. unter Bezugnahme auf die Ausrichtung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in mehreren verschiedenen Ausrichtungen positioniert sein können, wird die Richtungsterminologie zum Zwecke der Veranschaulichung verwendet und ist in keiner Weise einschränkend.
  • Wie in dieser Schrift verwendet, sollen die Begriffe „gebondet“, „befestigt“, „verbunden“, „gekoppelt“ und/oder „elektrisch verbunden/elektrisch gekoppelt“ nicht bedeuten, dass die Elemente oder Schichten direkt aneinander kontaktiert sein müssen; dazwischenliegende Elemente oder Schichten können jeweils zwischen den „gebondeten“, „befestigten“, „verbundenen“, „gekoppelten“ und/oder „elektrisch verbundenen/elektrisch gekoppelten“ Elementen vorgesehen sein. Gemäß der Offenbarung können die oben genannten Begriffe jedoch optional auch die spezielle Bedeutung haben, dass die Elemente oder Schichten direkt miteinander kontaktiert sind, d. h., dass keine dazwischenliegenden Elemente oder Schichten jeweils zwischen den „gebondeten“, „befestigten“, „verbundenen“, „gekoppelten“ und/oder „elektrisch verbundenen/elektrisch gekoppelten“ Elementen vorgesehen sind.
  • Des Weiteren kann das Wort „über“, das bezüglich eines Teils, eines Elements oder einer Materialschicht verwendet wird, der/das/die „über“ einer Oberfläche gebildet oder positioniert ist, hier mit der Bedeutung verwendet werden, dass der Teil, das Element oder die Materialschicht indirekt auf der implizierten Oberfläche positioniert ist (z. B. platziert, gebildet, abgeschieden usw.), wobei der Teil, das Element oder die Materialschicht oder Schichten zwischen der implizierten Oberfläche und dem Teil, dem Element oder der Materialschicht angeordnet ist/sind. Jedoch kann das Wort „über“, das bezüglich eines Teils, eines Elements oder einer Materialschicht verwendet wird, der/das/die „über“ einer Oberfläche gebildet oder positioniert ist, optional auch die spezielle Bedeutung aufweisen, dass der Teil, das Element oder die Materialschicht direkt auf, z. B. in direktem Kontakt mit, der implizierten Oberfläche positioniert (z. B. platziert, gebildet, abgeschieden usw.) ist.
  • Das Halbleiter-Die kann verschiedene Typen beinhalten, kann durch verschiedene Technologien hergestellt werden und kann zum Beispiel integrierte elektrische, elektrooptische oder elektromechanische Schaltungen und/oder passive Vorrichtungen beinhalten. Das Halbleiter-Die kann zum Beispiel integrierte Logikschaltungen, analoge integrierte Schaltungen, integrierte Schaltungen mit gemischtem Signal, integrierte Leistungsschaltungen, Speicherschaltungen oder passive Vorrichtungen sein. Sie können Steuerschaltungen, Mikroprozessoren oder mikroelektromechanische Komponenten enthalten. Das Halbleiter-Die kann ein Leistungshalbleiter-Die sein, das Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs), Galliumnitrid(GaN)-Vorrichtungen, Siliciumcarbid(SiC)-Vorrichtungen, Sperrschichtfeldeffekttransistoren (JFETs) sowie Leistungsbipolartransistoren oder Leistungsdioden, aber nicht darauf beschränkt, einschließt.
  • Die IC-Gehäuse, Leadframes und Leadframe-Module, die hier beschrieben werden, beinhalten Gehäuse wie zum Beispiel ein Transistor-Outline-Leadless(TOLL)-Gehäuse, ein Quad-Flat-No-Leads(QFN)-Gehäuse, ein Small-Outline(SO)-Gehäuse, ein SS08-Gehäuse, ein Small-Outline-Transistor(SOT)-Gehäuse, ein Thin-Small-Outline-Package-(TSOP)-Gehäuse, ein Dual-Small-Outline(DSO)-Gehäuse und ein Double-Sided-Cooling(DSC)-Gehäuse. Die Leadframe-Module können mehrere Halbleiter-Dies auf einem gleichen Die-Pad oder auf verschiedenen Die-Pads des Leadframe-Moduls beinhalten.
  • Es versteht sich, dass die Merkmale der verschiedenen hier beschriebenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht speziell etwas anderes angegeben ist. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen genutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die folgende ausführliche Beschreibung ist daher nicht in einem einschränkenden Sinne zu verstehen und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert.
  • 1 stellt bei 100 eine Ausführungsform einer Querschnittsansicht eines IC-Gehäuses dar. Das IC-Gehäuse 100 kann eine beliebige geeignete Art von Gehäuse sein, die ein TOLL-Gehäuse, ein SS08-Gehäuse, ein QFN-Gehäuse, ein SO-Gehäuse, ein SOT-Gehäuse, ein TSOP-Gehäuse, ein DSO-Gehäuse, ein DSC-Gehäuse und ein Leadframe-Modul, aber nicht darauf beschränkt, einschließt. Bei der dargestellten Ausführungsform weist ein Leadframe 102 ein Die-Pad 106 und eine Leitung 108 auf. Ein Halbleiter-Die 110 ist an der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 befestigt. Ein Clip 114 weist eine Leitungskontaktfläche 116 mit einer Oberflächenstruktur 118 auf einer unteren Fläche 120 des Clips 114 auf, die sich nahe einem ersten Ende 122 des Clips 114 befindet (siehe auch 2-3B). Bei der dargestellten Ausführungsform umfasst der Clip 114 Kupfer (Cu). Bei der dargestellten Ausführungsform umfasst der Leadframe 102 Kupfer (Cu). Bei anderen Ausführungsformen kann der Leadframe 102 aus anderen geeigneten Materialien gebildet sein, die Aluminium (Al), Nickel (Ni), Eisen (Fe) und Stahl beinhalten, aber nicht darauf beschränkt. Bei der dargestellten Ausführungsform ist ein Halbleiter-Die 110 ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) und weist einen oberen Kontakt 136 auf, der ein Source-Kontakt ist, und weist einen unteren Drain-Kontakt auf, der mit der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 elektrisch gekoppelt ist. Bei anderen Ausführungsformen kann das Halbleiter-Die 110 ein anderer beliebiger Typ von Vorrichtung sein, wie zum Beispiel ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), eine Galliumnitrid(GaN)-Vorrichtung oder eine Siliciumcarbid(SiC)-Vorrichtung.
  • Bei der dargestellten Ausführungsform ist ein bei 124 dargestellter Teil der Oberflächenstruktur 118 an einer oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 der Leitung 108 befestigt. Der Clip 114 weist eine Die-Kontaktfläche 130 auf der unteren Fläche 120 des Clips 114 auf, die sich nahe einem zweiten Ende 132 des Clips 114 befindet. Die Die-Kontaktfläche 130 ist an einem oberen Kontakt 136 auf der oberen Seite des Halbleiter-Dies 110 befestigt. Die Oberflächenstruktur 118 weist eine bei 138 dargestellte Länge in einer Längsrichtung 140 des Clips 114 in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche 142 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung auf, die größer als eine Länge 124 der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 der Leitung 108 ist (siehe auch 2). Eine Vergussmasse 104 verkapselt das Halbleiter-Die 110, den Clip 114 und einen Teil des Leadframes 102.
  • 2 stellt bei 200 eine Ausführungsform einer Unteransicht des in 1 dargestellten Clips 114 dar. Der Clip 114 weist einen Stufenteil zwischen 202 und 204 zwischen dem ersten Ende 122 des Clips 114 und dem zweiten Ende 132 des Clips 114 auf. Die Oberflächenstruktur 118 befindet sich zwischen dem ersten Ende 122 des Clips 114 und dem Stufenteilrand bei 202. Die Die-Kontaktfläche 130 befindet sich zwischen dem zweiten Ende 132 des Clips 114 und dem Stufenteilrand bei 204. Die untere Fläche 120 des Clips 114 zwischen dem Stufenteil 202/204 und der Oberflächenstruktur 118 ist bei 208 dargestellt. Die Die-Kontaktfläche 130 weist eine bei 206 dargestellte Länge auf, die zwischen dem zweiten Ende 132 und dem Stufenteilrand bei 204 liegt. Die Länge 138 der Oberflächenstruktur 118 ist etwas geringer als die Länge der bei 116 dargestellten Leitungskontaktfläche. Bei anderen Ausführungsformen ist die Länge 138 der Oberflächenstruktur 118 gleich der bei 116 dargestellten Länge für die Leitungskontaktfläche 116.
  • 3A und 3B stellen bei 300A und 300B Ausführungsformen einer Seitenansicht des in 1 und 2 dargestellten Clips 114 dar. Unter Bezugnahme auf die 3A und 3B ist die obere Fläche 312 des Clips 114 zwischen dem ersten Ende 122 des Clips 114 und dem Stufenteil bei 202 eine planare obere Fläche 312. Die Oberflächenstruktur 118 weist eine bei 138 dargestellte Länge in einer Längsrichtung 140 des Clips 114 auf. Bei einer Ausführungsform ist die untere Fläche 120 des Clips 114 zwischen dem Stufenteil bei 202 und der Oberflächenstruktur 118 parallel zu mindestens einem Teil der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 (siehe auch 1). Bei einer Ausführungsform ist die untere Fläche 120 des Clips 114 zwischen dem Stufenteil bei 202 und der Oberflächenstruktur 118 parallel zu der unteren Fläche 120 des Clips 114 zwischen dem zweiten Ende 132 und dem Stufenteil bei 204. Bei einer Ausführungsform weist der Clip 114 zwischen dem ersten Ende 122 und dem Stufenteilrand bei 202 eine Höhe in einer senkrecht zu einer Ebene der unteren Fläche 142 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung auf, die größer als eine Höhe des Clips 114 zwischen dem zweiten Ende 132 und dem Stufenteil bei 204 ist (siehe auch 1 und 2).
  • Unter Bezugnahme auf 3A weisen die Merkmale 302 der Oberflächenstruktur 118 eine Halbkugelform auf. Die Merkmale 302 erstrecken sich von der unteren Fläche 120 des Clips 114 um eine Strecke zwischen gestrichelten Linien 304 und 306 nach unten, wie durch die Pfeile 308 und 310 dargestellt ist. Bei der dargestellten Ausführungsform ist die Strecke zwischen den gestrichelten Linien 304 und 306 gleich oder größer als 30 µm. Bei anderen Ausführungsformen kann die Strecke zwischen den gestrichelten Linien 304 und 306 kleiner als 30 µm sein. Die Merkmale 302 sind zwischen den gestrichelten Linien 314 und 316, wie durch die Pfeile 318 und 320 dargestellt ist, in einem Abstand beabstandet, der gleich oder größer als 30 µm ist. Bei anderen Ausführungsformen kann der Abstand zwischen den gestrichelten Linien 314 und 316 kleiner als 30 µm sein.
  • Unter Bezugnahme auf 3B sind die Merkmale 322 der Oberflächenstruktur 118 parallele rechteckige Stabmerkmale. Die Merkmale 322 erstrecken sich von der unteren Fläche 120 des Clips 114 um eine Strecke zwischen gestrichelten Linien 324 und 326 nach unten, wie durch die Pfeile 328 und 330 dargestellt ist. Bei der dargestellten Ausführungsform ist die Strecke zwischen den gestrichelten Linien 324 in 326 gleich oder größer als 30 µm. Bei anderen Ausführungsformen kann die Strecke zwischen den gestrichelten Linien 324 und 326 kleiner als 30 µm sein. Die Merkmale 322 sind zwischen den gestrichelten Linien 332 und 334, wie durch die Pfeile 336 und 338 dargestellt ist, in einem Abstand beabstandet, der gleich oder größer als 30 µm ist. Bei anderen Ausführungsformen kann der Abstand zwischen den gestrichelten Linien 332 und 334 kleiner als 30 µm sein.
  • 4A-4C stellen Ausführungsformen 400A, 400B und 400C einer Unteransicht von Oberflächenstrukturen 118 für einen Clip 114 dar. 4A stellt eine Ausführungsform 400A paralleler rechteckiger Stabmerkmale bei 402 dar. Jedes rechteckige Stabmerkmal 402 weist eine Längsabmessung 404 in der Längsrichtung 140 des Clips 114 auf. Bei der dargestellten Ausführungsform ist jedes rechteckige Stabmerkmal 402 in einem Abstand 410 zwischen den gestrichelten Linien 406 und 408, der gleich oder größer als 30 µm ist, von einem benachbarten rechteckigen Stabmerkmal 402 beabstandet. Bei anderen Ausführungsformen ist jedes rechteckige Stabmerkmal 402 in einem Abstand 410, der kleiner als 30 µm ist, von einem benachbarten rechteckigen Stabmerkmal 402 beabstandet.
  • 4B stellt bei 412 eine Ausführungsform paralleler rechteckiger Stabmerkmale bei 400B dar. Jedes rechteckige Stabmerkmal 412 weist eine Längsabmessung 414 in einer quer zu der Längsrichtung 140 des Clips 114 verlaufenden Richtung auf. Bei der dargestellten Ausführungsform ist jedes rechteckige Stabmerkmal 412 in einem Abstand 420 zwischen den gestrichelten Linien 416 und 418, der gleich oder größer als 30 µm ist, von einem benachbarten rechteckigen Stabmerkmal 412 beabstandet. Bei anderen Ausführungsformen ist jedes rechteckige Stabmerkmal 412 in einem Abstand 420, der kleiner als 30 µm ist, von einem benachbarten rechteckigen Stabmerkmal 412 beabstandet.
  • 4C stellt bei 400C eine Ausführungsform mit einem Array von beabstandeten Merkmalen 422 von drei mal drei oder größer dar, die jeweils eine Halbkugelform aufweisen. Bei der dargestellten Ausführungsform ist das Array von beabstandeten Merkmalen 422 ein Array von beabstandeten Merkmalen 422 von vier mal vier. Bei anderen Ausführungsformen kann das Array von beabstandeten Merkmalen 422 ein Array von beabstandeten Merkmalen 422 von zwei mal zwei oder ein Array von beabstandeten Merkmalen 422 von fünf mal fünf sein. Bei anderen Ausführungsformen kann das Array von beabstandeten Merkmalen 422 ein Array von beabstandeten Merkmalen 422 von zwei mal drei oder größer sein oder kann ein Array von beabstandeten Merkmalen 422 von drei mal zwei oder größer sein. Bei anderen Ausführungsformen können die beabstandeten Merkmale irgendeine beliebige geeignete Kombination oder Ableitung der Merkmale 402, 412 und 422 sein. Bei der dargestellten Ausführungsform ist jedes der beabstandeten Merkmale 422 in einem Abstand zwischen den Pfeilen 428 und 430 zwischen den gestrichelten Linien 424 und 426, der gleich oder größer als 30 µm ist, von einem benachbarten der beabstandeten Merkmale 422 beabstandet. Bei anderen Ausführungsformen ist jedes der beabstandeten Merkmale 422 in einem Abstand zwischen den Pfeilen 428 und 430 zwischen den gestrichelten Linien 424 und 426, der kleiner als 30 µm ist, von einem benachbarten der beabstandeten Merkmale 422 beabstandet.
  • 5 stellt bei 500 eine Ausführungsform einer Schnittansicht des Clips 114 und der Leitung 108, die in 1 dargestellt sind, dar. Die Schnittansicht bei 500 verläuft in der Längsrichtung 140 in einer Richtung von dem ersten Ende 122 zu dem zweiten Ende 132 des Clips 114. Die Merkmale 422 erstrecken sich von der unteren Fläche 120 des Clips 114 nach unten und berühren die obere Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 der Leitung 108. Bei der in 5 dargestellten Ausführungsform sind die Merkmale 422 ein Array von beabstandeten Merkmalen 422, die jeweils eine Halbkugelform haben (siehe auch 3A und 4C). Bei anderen Ausführungsformen können die Merkmale 422 irgendeine beliebige geeignete Kombination oder Ableitung der in den 4A-4C dargestellten Merkmale 402, 412 und 422 sein. Bei der dargestellten Ausführungsform ist der Teil 124 der Oberflächenstruktur 118 über Lot, wie bei 502 dargestellt ist, an dem Anschluss-Pad 128 der Leitung 108 befestigt (siehe auch 1 Lot 502 füllt zumindest teilweise den Teil 124 der Oberflächenstruktur 118, um den Teil 124 Oberflächenstruktur 118 an der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 zu befestigen (siehe auch 1).
  • 6 stellt bei 600 eine Ausführungsform eines IC-Gehäuses dar. 7 stellt bei 700 eine Ausführungsform eines IC-Gehäuses dar. Bei den in 6 und 7 dargestellten Ausführungsformen verwenden die IC-Gehäuse 600 und 700 den gleichen Leadframe 102 und Clip 114, aber das IC-Die 110 in dem IC-Gehäuse 600 ist größer als das IC-Die 710 in dem IC-Gehäuse 700. Bei den in 6 und 7 dargestellten Ausführungsformen können der Leadframe 102 und der Clip 114 zusammen eine Einrichtung bilden, die zur Herstellung von IC-Gehäusen mit verschiedene Größen aufweisenden IC-Dies 110 verwendet werden können.
  • Unter Bezugnahme auf 6 weist der Leadframe 102 ein Die-Pad 106 und eine Leitung 108 auf. Ein Halbleiter-Die 110 ist an einer oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 befestigt. Ein Clip 114 weist eine Leitungskontaktfläche 116 mit einer Oberflächenstruktur 118 auf einer unteren Fläche 120 des Clips 114 auf, die sich nahe einem ersten Ende 122 des Clips 114 befindet (siehe auch 2). Der Clip 114 weist eine Oberflächenstruktur 118 auf einer unteren Fläche 120 des Clips 114 auf, die Merkmale (z.B. 402, 412 und/oder 422) aufweist, die sich von der unteren Fläche 120 des Clips nach unten erstrecken (siehe auch 3A-4C). Bei der dargestellten Ausführungsform umfasst der Clip 114 Kupfer (Cu) und umfasst der Leadframe 102 Kupfer (Cu). Bei anderen Ausführungsformen kann der Leadframe 102 aus anderen geeigneten Materialien gebildet sein, die Aluminium (Al), Nickel (Ni), Eisen (Fe) und Stahl beinhalten, aber nicht darauf beschränkt. Bei der dargestellten Ausführungsform ist das Halbleiter-Die 110 ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) und weist einen oberen Kontakt 136 auf, der ein Source-Kontakt ist, und weist einen unteren Drain-Kontakt auf, der mit der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 elektrisch gekoppelt ist. Bei anderen Ausführungsformen kann das Halbleiter-Die 110 ein anderer beliebiger Typ von Vorrichtung sein, wie zum Beispiel ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), eine Galliumnitrid(GaN)-Vorrichtung oder eine Siliciumcarbid(SiC)-Vorrichtung.
  • Bei der dargestellten Ausführungsform weist das Halbleiter-Die 110 eine rechte Seite 602, eine linke Seite 604 und eine Mitte 606 im gleichen Abstand von der rechten Seite 602 und der linken Seite 604 in einer parallel zu einer Ebene der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung auf. Die obere Fläche 112 des Die-Pads 106 weist eine Mitte 608, eine rechte Seite 610 und eine linke Seite 612 auf. Das Halbleiter-Die 110 ist so an der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 befestigt, dass sich eine Mitte 606 des Halbleiter-Dies 110 ungefähr in der Mitte 608 der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 befindet.
  • Bei der dargestellten Ausführungsform weist die Oberflächenstruktur 118 für den Clip 114 eine Länge auf, die als eine Summe der Länge 124 und der Länge 614 in einer Längsrichtung 140 des Clips 114 in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche 142 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung dargestellt ist. Die Länge 124 stellt eine Länge der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 dar, die kleiner als die Summe der Längen 124 und 614 ist, die die Länge der Oberflächenstruktur 118 darstellen. Die Die-Kontaktfläche 130 des Clips 114 ist über der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 ungefähr in der Mitte 608 der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 an dem oberen Kontakt 136 auf dem Halbleiter-Die 110 befestigt. Ein bei 124 der Oberflächenstruktur 118 dargestellter Teil ist an der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befestigt. In der Längsrichtung 140 des Clips 114 sind bei 614 andere Teile der Oberflächenstruktur 118 dargestellt, die nicht an der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befestigt sind und sich auf der linken Seite 618 der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befinden. Bei anderen Ausführungsformen können sich andere Teile der Oberflächenstruktur 118, die nicht an der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befestigt sind, auf der rechten Seite 616 der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 oder sowohl auf der rechten Seite 616 als auch auf der linken Seite 618 der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befinden.
  • Bei der dargestellten Ausführungsform weist der Clip 114 eine bei 620 dargestellte Länge zwischen dem ersten Ende 122 und dem zweiten Ende 132 auf, die die gleiche ist wie bei der in 7 dargestellten Ausführungsform. Wenn das Halbleiter-Die 110 Strom leitet, ist der Gesamteinschaltwiderstand des Halbleiter-Dies 110 und des IC-Gehäuses 600 eine Summe des Widerstands des auf dem Die-Pad 106 montierten Halbleiter-Dies 110 und des Widerstands des den Clip 114 enthaltenden Gehäuses. Da das Halbleiter-Die 110 ungefähr in der Mitte 608 des Die-Pads 106 montiert ist, so dass sich der obere Kontakt 136 auf dem Halbleiter-Die 110 ungefähr über der Mitte 608 des Die-Pads 106 befindet, wird die volle Länge 620 des Clips 114 dazu verwendet, den oberen Kontakt 136 des Halbleiter-Dies 110 mit der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 zu verbinden.
  • Unter Bezugnahme auf 7 weist ein Leadframe 102 ein Die-Pad 106 und eine Leitung 108 auf. Ein Halbleiter-Die 710 ist an einer oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 befestigt. Ein Clip 114 weist eine Leitungskontaktfläche 116 mit einer Oberflächenstruktur 118 auf einer unteren Fläche 120 des Clips 114 auf, die sich nahe einem ersten Ende 122 des Clips 114 befindet (siehe auch 2). Der Clip 114 weist eine Oberflächenstruktur 118 auf einer unteren Fläche 120 des Clips 114 auf, die Merkmale (z.B. 402, 412 und/oder 422) aufweist, die sich von der unteren Fläche 120 des Clips 114 nach unten erstrecken (siehe auch 3A-4C). Bei der dargestellten Ausführungsform umfasst der Clip 114 Kupfer (Cu) und umfasst der Leadframe 102 Kupfer (Cu). Bei anderen Ausführungsformen kann der Leadframe 102 aus anderen geeigneten Materialien gebildet sein, die Aluminium (A1), Nickel (Ni), Eisen (Fe) und Stahl beinhalten, aber nicht darauf beschränkt. Bei der dargestellten Ausführungsform ist das Halbleiter-Die 710 ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) und weist einen oberen Kontakt 708 auf, der ein Source-Kontakt ist, und weist einen unteren Drain-Kontakt auf, der mit der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 elektrisch gekoppelt ist. Bei anderen Ausführungsformen kann das Halbleiter-Die 710 ein anderer beliebiger Typ von Vorrichtung sein, wie zum Beispiel ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), eine Galliumnitrid(GaN)-Vorrichtung oder eine Siliciumcarbid(SiC)-Vorrichtung.
  • Bei der dargestellten Ausführungsform weist das Halbleiter-Die 710 eine rechte Seite 702, eine linke Seite 704 und eine Mitte 706 im gleichen Abstand von der rechten Seite 702 und der linken Seite 704 in einer parallel zu der Ebene der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung auf. Die obere Fläche 112 des Die-Pads 106 weist eine Mitte 608, eine rechte Seite 610 und eine linke Seite 612 auf. Das Halbleiter-Die 710 ist so an der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 befestigt, dass sich eine Mitte 706 des Halbleiter-Dies 710 zwischen der Mitte 608 und der rechten Seite 610 der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 befindet. Bei der dargestellten Ausführungsform weist die Oberflächenstruktur 118 für den Clip 114 eine Länge auf, die als eine Summe der Länge 124 und der Länge 712 in einer Längsrichtung 140 des Clips 114 in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche 142 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung dargestellt ist. Die Länge 124 stellt eine Länge der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 dar, die kleiner als die Summe der Längen 124 und 712 ist, die die Länge der Oberflächenstruktur 118 darstellen. Die Die-Kontaktfläche 130 des Clips 114 ist über der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 und zwischen der Mitte 608 und der rechten Seite 610 der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 an dem oberen Kontakt 708 auf dem Halbleiter-Die 710 befestigt. Ein bei 124 der Oberflächenstruktur 118 dargestellter Teil ist an der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befestigt. In der Längsrichtung 140 des Clips 114 sind bei 712 andere Teile der Oberflächenstruktur 118 dargestellt, die nicht an der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befestigt sind und sich auf einer rechten Seite 616 der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befinden. Bei anderen Ausführungsformen können sich andere Teile der Oberflächenstruktur 118, die nicht an der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befestigt sind, auf der linken Seite 618 der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 oder sowohl auf der rechten Seite 616 als auch auf der linken Seite 618 der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befinden.
  • Bei der dargestellten Ausführungsform weist der Clip 114 eine bei 620 dargestellte Länge zwischen dem ersten Ende 122 und dem zweiten Ende 132 auf, die die gleiche ist wie bei der in 6 dargestellten Ausführungsform. Wenn das Halbleiter-Die 710 Strom leitet, ist der Gesamteinschaltwiderstand des Halbleiter-Dies 710 und des IC-Gehäuses 700 eine Summe des Widerstands des auf dem Die-Pad 106 montierten Halbleiter-Dies 710 und des Widerstands des den Clip 114 enthaltenden Gehäuses. Da das Halbleiter-Die 710 so montiert ist, dass sich eine Mitte 706 des Halbleiter-Dies 710 zwischen der Mitte 608 und der rechten Seite 610 des Die-Pads 106 befindet, so dass sich der obere Kontakt 708 auf dem Halbleiter-Die 710 über der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 zwischen der Mitte 608 und der rechten Seite 610 des Die-Pads 106 befindet, wird nur ein Teil der vollen Länge 620 des Clips 114 dazu verwendet, den oberen Kontakt 708 des Halbleiter-Dies 710 mit der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 zu verbinden. Infolgedessen wird die effektive Länge des Clips 114 um den Teil 712 der Oberflächenstruktur 118 reduziert, der sich auf der rechten Seite 616 des Anschluss-Pads 128 befindet, was eine entsprechende Reduzierung des Widerstands des Clips 114 bereitstellt.
  • 8 stellt bei 800 eine Ausführungsform eines Verfahren zum Bilden eines IC-Gehäuses mit einem Clip dar. Das Verfahren 800 stellt eine Ausführungsform zum Bilden eines in 7 dargestellten IC-Gehäuses 700 dar. Bei 802 beinhaltet das Verfahren Bereitstellen eines Leadframes 102, der ein Die-Pad 106 und eine Leitung 108 mit einem Anschluss-Pad 128 aufweist. Das Die-Pad 106 weist eine rechte Seite 610, eine linke Seite 612 und eine Mitte 608 im gleichen Abstand von der rechten Seite 610 und der linken Seite 612 in einer parallel zu einer Ebene der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung auf. Bei 804 beinhaltet das Verfahren Bereitstellen eines Clips 114, der eine Oberflächenstruktur 118 auf einer unteren Fläche 120 des Clips 114 aufweist, die sich nahe einem ersten Ende 122 des Clips 114 befindet (siehe auch 2-3B). Der Clip 114 weist eine Die-Kontaktfläche 130 auf der unteren Fläche 120 des Clips 114 auf, die sich nahe einem zweiten Ende 132 des Clips 114 befindet (siehe auch 2-3B). Die Oberflächenstruktur 118 weist Merkmale (z. B. 402, 412 und/oder 422) auf, die sich von der unteren Fläche 120 des Clips 114 nach unten erstrecken (siehe auch 3A-4C). Das Oberflächenmuster weist eine Länge 138 in einer Längsrichtung 140 des Clips 114 in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche 142 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung auf, die größer als eine Länge 124 der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 der Leitung 108 ist (siehe auch 1). Bei der in 7 dargestellten Ausführungsform weist die Oberflächenstruktur 118 für den Clip 114 eine Länge auf, die als eine Summe der Länge 124 und der Länge 712 in einer Längsrichtung 140 des Clips 114 in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche 142 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung dargestellt ist.
  • Bei 806 beinhaltet das Verfahren Befestigen eines Halbleiter-Dies 710 an der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106. Das Halbleiter-Die 710 wird so an der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 befestigt, dass sich eine Mitte 706 des Halbleiter-Dies 710 zwischen der Mitte 608 und der rechten Seite 610 der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 befindet.
  • Bei 808 beinhaltet das Verfahren Befestigen der Die-Kontaktfläche 130 des Clips 114 an einem oberen Kontakt 708 des Halbleiter-Dies 710. Die Die-Kontaktfläche 130 des Clips 114 ist am oberen Kontakt 708 des Halbleiter-Dies 710 über der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 an einer Stelle befestigt, die zwischen der Mitte 608 und der rechten Seite 610 der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 in einer senkrecht zu einer Ebene der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung liegt.
  • Bei 810 beinhaltet das Verfahren Befestigen eines Teils der Oberflächenstruktur 118 auf der unteren Fläche 120 des Clips 114 an einer oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 der Leitung 108. Andere Teile der Oberflächenstruktur 118 auf der unteren Fläche 120 des Clips 114, die nicht an der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befestigt sind, wie bei 712 dargestellt, befinden sich auf einer rechten Seite 616 der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 (siehe auch 7) . Bei der dargestellten Ausführungsform beinhaltet das Befestigen des Teils der Oberflächenstruktur 118 auf der unteren Fläche 120 des Clips 114 an der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 der Leitung 108 Verwenden eine Lots, das den Teil der Oberflächenstruktur 118 zumindest teilweise füllt (siehe auch 5).
  • 9 stellt eine Ausführungsform 900 eines Verfahrens zum Bilden eines IC-Gehäuses mit einem Clip dar. Das Verfahren 900 stellt eine Ausführungsform zum Bilden des in 6 dargestellten IC-Gehäuses 600 dar. Bei 902 beinhaltet das Verfahren Bereitstellen eines Leadframes 102, der ein Die-Pad 106 und eine Leitung 108 mit einem Anschluss-Pad 128 aufweist. Das Die-Pad 106 weist eine rechte Seite 610, eine linke Seite 612 und eine Mitte 608 im gleichen Abstand von der rechten Seite 610 und der linken Seite 612 in einer parallel zu einer Ebene der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung auf. Bei 904 beinhaltet das Verfahren Bereitstellen eines Clips 114, der eine Oberflächenstruktur 118 auf einer unteren Fläche 120 des Clips 114 aufweist, die sich nahe einem ersten Ende 122 des Clips 114 befindet (siehe auch 2-3B). Der Clip 114 weist eine Die-Kontaktfläche 130 auf der unteren Fläche 120 des Clips 114 auf, die sich nahe einem zweiten Ende 132 des Clips 114 befindet (siehe auch 2-3B). Die Oberflächenstruktur 118 weist Merkmale (z. B. 402, 412 und/oder 422) auf, die sich von der unteren Fläche 120 des Clips 114 nach unten erstrecken (siehe auch 3A-4C). Die Oberflächenstruktur 118 weist eine Länge 138 in einer Längsrichtung 140 des Clips 114 in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche 142 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung auf, die größer als eine Länge 124 der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 der Leitung 108 ist (siehe auch 1). Bei der in 6 dargestellten Ausführungsform weist die Oberflächenstruktur 118 für den Clip 114 eine Länge auf, die als eine Summe der Länge 124 und der Länge 614 in einer Längsrichtung 140 des Clips 114 in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche 142 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung dargestellt ist.
  • Bei 906 beinhaltet das Verfahren Befestigen eines Halbleiter-Dies 110 an der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106. Bei einer Ausführungsform wird das Halbleiter-Die 110 so an der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 befestigt, dass eine Mitte 606 des Halbleiter-Dies 110 ungefähr auf die Mitte 608 der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 ausgerichtet ist.
  • Bei 908 beinhaltet das Verfahren Befestigen der Die-Kontaktfläche 130 des Clips 114 an einem oberen Kontakt 136 des Halbleiter-Dies 110. Die Die-Kontaktfläche 130 des Clips 114 wird am oberen Kontakt 136 auf dem Halbleiter-Die 110 über der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 ungefähr in der Mitte 606 der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 in einer senkrecht zu einer Ebene der oberen Fläche 112 des Die-Pads 106 verlaufenden Richtung befestigt.
  • Bei 910 beinhaltet das Verfahren Befestigen eines Teils der Oberflächenstruktur 118 auf der unteren Fläche 120 des Clips 114 an einer oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 der Leitung 108. Andere Teile der Oberflächenstruktur 118 auf der unteren Fläche 120 des Clips 114, die nicht an der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 befestigt sind, wie bei 614 dargestellt ist, befinden sich auf einer linken Seite 618 der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 (siehe auch 6). Bei der dargestellten Ausführungsform beinhaltet das Befestigen des Teils der Oberflächenstruktur 118 auf der unteren Fläche 120 des Clips 114 an der oberen Fläche 126 des Anschluss-Pads 128 der Leitung 108 Verwenden eines Lots, das den Teil der Oberflächenstruktur 118 zumindest teilweise füllt (siehe auch 5).
  • 10 stellt bei 1000 eine Ausführungsform einer Querschnittsansicht eines IC-Gehäuses dar. Ein flacher Leadframe 1002 weist ein Die-Pad 1006 und eine Leitung 1008 auf. Ein Halbleiter-Die 1010 ist an einer oberen Fläche 1012 des Die-Pads 1006 befestigt. Ein Clip 1014 weist eine bei 1016 dargestellte Leitungskontaktfläche mit einer Oberflächenstruktur 1018 auf einer unteren Fläche des Clips 1014 auf, die sich nahe einem ersten Ende 1020 des Clips 1014 befindet. Die Oberflächenstruktur 1018 weist bei 422 dargestellte Merkmale auf, kann aber auch Merkmale wie die bei 402 oder 412 dargestellten sowie andere geeignete Merkmale, die sich von der unteren Fläche des Clips 1014 nach unten erstrecken, aufweisen (siehe auch 4A-4C). Der Clip 1014 weist einen bei 1024 dargestellten mittleren Stufenteil auf, der sich zwischen dem ersten Ende 1020 des Clips 1014 und dem zweiten Ende 1030 des Clips 1014 befindet. Der Clip 1014 weist eine Höhe zwischen einer unteren Fläche 1026 des Stufenteils 1024 und einer Referenz bei 1028 auf, die dazu ausreicht, die Verwendung des Clips 1014 mit einem flachen Leadframe 1002 zu erleichtern. Bei einer Ausführungsform stellt die Höhe zwischen der unteren Fläche 1026 des Stufenteils 1024 und der Referenz bei 1028 eine Höhe zwischen der unteren Fläche 1026 des Stufenteils 1024 und einer unteren Fläche des Clips 1014 dar, die einen oberen Kontakt 1022 des Halbleiter-Dies 1010 berührt.
  • Bei der dargestellten Ausführungsform umfasst der Clip 1014 Kupfer (Cu) und umfasst der Leadframe 1002 Kupfer (Cu). Bei anderen Ausführungsformen kann der Leadframe 1002 aus anderen geeigneten Materialien gebildet sein, die Aluminium (Al), Nickel (Ni), Eisen (Fe) und Stahl beinhalten, aber nicht darauf beschränkt. Bei der dargestellten Ausführungsform ist das Halbleiter-Die 1010 ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) und weist einen oberen Kontakt 1022 auf, der ein Source-Kontakt ist, und weist einen unteren Drain-Kontakt auf, der mit der oberen Fläche 1012 des Die-Pads 1006 elektrisch gekoppelt ist. Bei anderen Ausführungsformen kann das Halbleiter-Die 1010 ein anderer beliebiger Typ von Vorrichtung sein, wie zum Beispiel ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), eine Galliumnitrid(GaN)-Vorrichtung oder eine Siliciumcarbid(SiC)-Vorrichtung.

Claims (25)

  1. Gehäuse einer integrierten Schaltung, umfassend: einen Leadframe, der ein Die-Pad und eine Leitung aufweist, wobei ein Halbleiter-Die an einer oberen Fläche des Die-Pads befestigt ist; und einen Clip, der Leitungskontaktfläche mit einer Oberflächenstruktur auf einer unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem ersten Ende des Clips befindet, wobei ein Teil der Oberflächenstruktur an einer oberen Fläche eines Anschluss-Pads der Leitung befestigt ist, wobei der Clip eine Die-Kontaktfläche auf der unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem zweiten Ende des Clips befindet, wobei die Die-Kontaktfläche an einem oberen Kontakt auf dem Halbleiter-Die befestigt ist, wobei die Oberflächenstruktur eine Länge in einer Längsrichtung des Clips in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweist, die größer als eine Länge der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung ist.
  2. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Oberflächenstruktur Merkmale aufweist, die sich von der unteren Fläche des Clips nach unten erstrecken, und wobei die Oberflächenstruktur eine Struktur umfasst, die aus einer Gruppe von Strukturen ausgewählt ist, welche aus parallelen rechteckigen Stabmerkmalen, die jeweils eine Längsabmessung in der Längsrichtung des Clips aufweisen, parallelen rechteckigen Stabmerkmalen, die jeweils eine Längsabmessung in einer quer zu der Längsrichtung des Clips verlaufenden Richtung aufweisen, einem Array von drei mal drei oder größer von beabstandeten Merkmalen, die jeweils eine Halbkugelform aufweisen, und einer beliebigen Kombination oder Ableitung dieser Merkmale besteht.
  3. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 2, wobei die Merkmale, die sich von der unteren Fläche des Clips nach unten erstrecken, die obere Fläche des Anschluss-Pads der Leitung berühren, und wobei der Teil der Oberflächenstruktur über Lot, das den Teil der Oberflächenstruktur zumindest teilweise füllt, an dem Anschluss-Pad der Leitung befestigt ist.
  4. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 1, wobei der Clip einen Stufenteil zwischen dem ersten Ende des Clips und dem zweiten Ende des Clips aufweist, wobei sich die Oberflächenstruktur zwischen dem ersten Ende des Clips und dem Stufenteil befindet, wobei sich die Die-Kontaktfläche zwischen dem zweiten Ende des Clips und dem Stufenteil befindet, und wobei der Clip zwischen dem ersten Ende und dem Stufenteil eine Höhe in einer senkrecht zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweist, die größer als eine Höhe des Clips zwischen dem zweiten Ende und dem Stufenteil ist.
  5. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 4, wobei eine obere Fläche des Clips zwischen dem ersten Ende des Clips und dem Stufenteil eine planare obere Fläche ist, und wobei die untere Fläche des Clips zwischen dem Stufenteil und der Oberflächenstruktur eine planare untere Fläche ist.
  6. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 5, wobei die untere Fläche des Clips zwischen dem Stufenteil und der Oberflächenstruktur parallel zu mindestens einem Teil der oberen Fläche des Anschluss-Pads ist.
  7. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 6, wobei die untere Fläche des Clips zwischen dem Stufenteil und der Oberflächenstruktur parallel zu der unteren Fläche des Clips zwischen dem zweiten Ende und dem Stufenteil ist.
  8. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 1, wobei der Clip Kupfer (Cu) umfasst.
  9. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 1, wobei der Leadframe Kupfer (Cu) umfasst.
  10. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 1, wobei sich die Merkmale der Oberflächenstruktur von der unteren Fläche des Clips um eine Strecke nach unten erstrecken, die gleich oder größer als 30 µm ist.
  11. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 2, wobei die parallelen rechteckigen Stabmerkmale und die beabstandeten Merkmale, die jeweils die Halbkugelform aufweisen, um eine Strecke beabstandet sind, die gleich oder größer als 30 µm ist.
  12. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch. 1, wobei sich andere Teile der Oberflächenstruktur, die nicht an der oberen Fläche des Anschluss-Pads befestigt sind, in der Längsrichtung des Clips auf einer rechten Seite der oberen Fläche des Anschluss-Pads, auf einer linken Seite der oberen Fläche des Anschluss-Pads oder sowohl auf der rechten Seite als auch der linken Seite der oberen Fläche des Anschluss-Pads befinden.
  13. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 1, wobei das Halbleiter-Die eine Vorrichtung ist, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus einem Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), einem Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), einer Galliumnitrid(GaN)-Vorrichtung, und einer Siliciumcarbid(SiC)-Vorrichtung besteht.
  14. Gehäuse einer integrierten Schaltung, umfassend: einen Leadframe, der ein Die-Pad und eine Leitung aufweist, wobei ein Halbleiter-Die an einer oberen Fläche des Die-Pads befestigt ist, wobei das Die-Pad eine rechte Seite, eine linke Seite und eine Mitte im gleichen Abstand von der rechten Seite und der linken Seite in einer parallel zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweist; einen Clip, der eine Oberflächenstruktur auf einer unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem ersten Ende des Clips befindet, wobei ein Teil der Oberflächenstruktur an einer oberen Fläche eines Anschluss-Pads der Leitung befestigt ist, wobei der Clip eine Die-Kontaktfläche auf der unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem zweiten Ende des Clips befindet, wobei die Die-Kontaktfläche an einem oberen Kontakt des Halbleiter-Dies befestigt ist, wobei die Oberflächenstruktur Merkmale aufweist, die sich von der unteren Fläche des Clips nach unten erstrecken, wobei die Oberflächenstruktur eine Länge in einer Längsrichtung des Clips in der parallel zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweist, die größer als eine Länge der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung ist.
  15. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 14, wobei die Die-Kontaktfläche des Clips an dem oberen Kontakt auf dem Halbleiter-Die über der oberen Fläche des Die-Pads und zwischen der Mitte und der rechten Seite der oberen Fläche des Die-Pads in einer senkrecht zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung befestigt ist, und wobei sich andere Teile der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips, die nicht an der oberen Fläche des Anschluss-Pads befestigt sind, auf einer rechten Seite der oberen Fläche des Anschluss-Pads befinden.
  16. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 15, wobei das Halbleiter-Die eine rechte Seite, eine linke Seite und eine Mitte im gleichen Abstand von der rechten Seite und der linken Seite in der parallel zu der Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweist, und wobei das Halbleiter-Die so an der oberen Fläche des Die-Pads befestigt ist, dass sich eine Mitte des Halbleiter-Dies zwischen der Mitte und der rechten Seite der oberen Fläche des Die-Pads befindet.
  17. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 14, wobei die Die-Kontaktfläche des Clips an dem oberen Kontakt auf dem Halbleiter-Die über der oberen Fläche des Die-Pads ungefähr in der Mitte der oberen Fläche des Die-Pads in einer senkrecht zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung befestigt ist, und wobei sich andere Teile der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips, die nicht an der oberen Fläche des Anschluss-Pads befestigt sind, auf einer linken Seite der oberen Fläche des Anschluss-Pads befinden.
  18. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 14, wobei die Oberflächenstruktur eine Struktur umfasst, die aus einer Gruppe von Strukturen ausgewählt ist, welche aus parallelen rechteckigen Stabmerkmalen, die jeweils eine Längsabmessung in der Längsrichtung des Clips aufweisen, parallelen rechteckigen Stabmerkmalen, die jeweils eine Längsabmessung in einer quer zu der Längsrichtung des Clips verlaufenden Richtung aufweisen, einem Array von drei mal drei oder größer von beabstandeten Merkmalen, die jeweils eine Halbkugelform aufweisen, und einer beliebigen Kombination oder Ableitung dieser Merkmale besteht.
  19. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 14, wobei der Clip Kupfer (Cu) umfasst.
  20. Gehäuse einer integrierten Schaltung nach Anspruch 14, wobei das Halbleiter-Die eine Vorrichtung umfasst, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus einem Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), einem Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), einer Galliumnitrid(GaN)-Vorrichtung, und einer Siliciumcarbid(SiC)-Vorrichtung besteht.
  21. Verfahren zum Bilden eines Gehäuses einer integrierten Schaltung, umfassend: Bereitstellen eines Leadframes, der ein Die-Pad und eine Leitung mit einem Anschluss-Pad aufweist, wobei das Die-Pad eine rechte Seite, eine linke Seite und eine Mitte im gleichen Abstand von der rechten Seite und der linken Seite in einer parallel zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweist; Bereitstellen eines Clips, der eine Oberflächenstruktur auf einer unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem ersten Ende des Clips befindet, wobei der Clip eine Die-Kontaktfläche auf der unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem zweiten Ende des Clips befindet, wobei die Oberflächenstruktur Merkmale aufweist, die sich von der unteren Fläche des Clips nach unten erstrecken, wobei die Oberflächenstruktur eine Länge in einer Längsrichtung des Clips in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweist, die größer als eine Länge der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung ist; Befestigen eines Halbleiter-Dies an der oberen Fläche des Die-Pads; Befestigen der Die-Kontaktfläche des Clips an einem oberen Kontakt des Halbleiter-Dies, wobei die Die-Kontaktfläche des Clips am oberen Kontakt auf dem Halbleiter-Die über der oberen Fläche des Die-Pads und zwischen der Mitte und der rechten Seite der oberen Fläche des Die-Pads in einer senkrecht zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung befestigt wird; und Befestigen eines Teils der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips an einer oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung, derart, dass sich andere Teile der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips, die nicht an der oberen Fläche des Anschluss-Pads befestigt sind, auf einer rechten Seite der oberen Fläche des Anschluss-Pads befinden.
  22. Verfahren nach Anspruch 21, wobei das Befestigen des Teils der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips an der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung Verwenden eines Lots umfasst, das den Teil der Oberflächenstruktur zumindest teilweise füllt.
  23. Verfahren zum Bilden eines Gehäuses einer integrierten Schaltung, umfassend: Bereitstellen eines Leadframes, der ein Die-Pad und eine Leitung mit einem Anschluss-Pad aufweist, wobei das Die-Pad eine rechte Seite, eine linke Seite und eine Mitte im gleichen Abstand von der rechten Seite und der linken Seite in einer parallel zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweist; Bereitstellen eines Clips, der eine Oberflächenstruktur auf einer unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem ersten Ende des Clips befindet, wobei der Clip eine Die-Kontaktfläche auf der unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem zweiten Ende des Clips befindet, wobei die Oberflächenstruktur Merkmale aufweist, die sich von der unteren Fläche des Clips nach unten erstrecken, wobei die Oberflächenstruktur eine Länge in einer Längsrichtung des Clips in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweist, die größer als eine Länge der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung ist; Befestigen eines Halbleiter-Dies an der oberen Fläche des Die-Pads; Befestigen der Die-Kontaktfläche des Clips an einem oberen Kontakt des Halbleiter-Dies wobei die Die-Kontaktfläche des Clips am oberen Kontakt des Halbleiter-Dies über der oberen Fläche des Die-Pads ungefähr in der Mitte der oberen Fläche des Die-Pads in einer senkrecht zu einer Ebene der oberen Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung befestigt wird; und Befestigen eines Teils der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips an einer oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung, derart, dass sich andere Teile der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips, die nicht an der oberen Fläche des Anschluss-Pads befestigt sind, auf der linken Seite der oberen Fläche des Anschluss-Pads befinden.
  24. Verfahren nach Anspruch 23, wobei das Befestigen des Teils der Oberflächenstruktur auf der unteren Fläche des Clips an der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung Verwenden eines Lots umfasst, das den Teil der Oberflächenstruktur zumindest teilweise füllt.
  25. Einrichtung, umfassend: einen Leadframe, der ein Die-Pad und eine Leitung aufweist, wobei die Leitung ein Anschluss-Pad aufweist; und einen Clip, der eine Leitungskontaktfläche mit einer Oberflächenstruktur auf einer unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem ersten Ende des Clips befindet, wobei die Oberflächenstruktur zur Befestigung an einer oberen Fläche des Anschluss-Pads ausgebildet ist, wobei der Clip eine Die-Kontaktfläche auf der unteren Fläche des Clips aufweist, die sich nahe einem zweiten Ende des Clips befindet, wobei die Oberflächenstruktur eine Länge in einer Längsrichtung des Clips in einer parallel zu einer Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweist, die größer als eine Länge der oberen Fläche des Anschluss-Pads ist, so dass ein aus mehreren Dies, die jeweils eine verschiedene Größe in der Längsrichtung des Clips in der parallel zu der Ebene der unteren Fläche des Die-Pads verlaufenden Richtung aufweisen, ausgewähltes Die an dem Die-Pad befestigt werden kann, wobei die Die-Kontaktfläche des Clips an einem oberen Kontakt des Halbleiter-Dies so befestigt wird, dass in Abhängigkeit von der Größe des ausgewählten Dies ein anderer Teil der Oberflächenstruktur des Clips an der oberen Fläche des Anschluss-Pads der Leitung befestigt wird.
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