WO2019229829A1 - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
半導体モジュールは、ダイパッドフレーム(DF)と、半導体チップ(CX)と、ダイパッド用導電性接続部材(A2)と、第1のクリップフレーム(CF1)と、第1のクリップ用導電性接続部材(A1)と、封止樹脂(H)とを備え、前記第1のクリップフレームの上面(CF1E)の端部には、前記半導体チップの上面から離間するように、前記第1のクリップフレームの上面よりも部分的に上方に位置するクリップ用係止部(DY)が設けられており、前記クリップ用係止部の下面には、溝(DM)が形成されている。
Description
本発明は、半導体モジュールに関する。
従来、半導体チップと、この半導体チップにボンディングワイヤにより電気的に接続されたリードフレームと、半導体チップとリードフレームとを封止する封止樹脂と、半導体チップに接着材等で接合されたダイパッドフレームと、を備えた半導体モジュールが知られている(例えば、特開平06-260572、特開2008-311366等参照)。
このような、半導体モジュールでは、ダイパッドフレームの端部に突起部を設けることで、封止樹脂と当該ダイパッドフレームとの間の密着性を向上させている。
しかしながら、このような半導体モジュールでは、半導体チップが配置されるダイパッドフレームDFの端部において、封止樹脂HのクラックKや剥離が発生する問題がある(図14、図15)。
ここで、このような半導体モジュールにおいて、半導体チップCX上に配置されるクリップフレームCF1の端部は、半導体チップCXに対して絶縁されている必要がある。
さらに、半導体チップCX上に配置されるクリップフレームCF1の端部の近傍においても、上述のような封止樹脂HのクラックQの発生し得る問題がある(図15)。
そこで、本発明は、半導体チップ上に配置されるクリップフレームの端部の近傍において、クリップフレームと半導体チップとの絶縁性を向上しつつ、封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制することができる半導体モジュールを提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る実施形態に従った半導体モジュールは、
ダイパッドフレームと、
前記ダイパッドフレームの上面のチップ領域に配置され、上面に第1電極が設けられ且つ下面に第2電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップの前記第2電極と前記ダイパッドフレームの上面との間に位置し、前記半導体チップの前記第2電極と前記ダイパッドフレームの上面とを電気的に接続するダイパッド用導電性接続部材と、
前記半導体チップの上面に配置された第1のクリップフレームと、
前記半導体チップの前記第1電極と前記第1のクリップフレームの下面との間に位置し、前記半導体チップの前記第1電極と前記第1のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第1のクリップ用導電性接続部材と、
前記半導体チップ、前記ダイパッドフレーム、前記第1のクリップフレーム、前記第1のクリップ用導電性接続部材、及び、前記ダイパッド用導電性接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記第1のクリップフレームの上面の端部には、前記半導体チップの上面から離間するように、前記第1のクリップフレームの上面よりも部分的に上方に位置するクリップ用係止部が設けられており、
前記クリップ用係止部の下面には、溝が形成されている
ことを特徴とする。
ダイパッドフレームと、
前記ダイパッドフレームの上面のチップ領域に配置され、上面に第1電極が設けられ且つ下面に第2電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップの前記第2電極と前記ダイパッドフレームの上面との間に位置し、前記半導体チップの前記第2電極と前記ダイパッドフレームの上面とを電気的に接続するダイパッド用導電性接続部材と、
前記半導体チップの上面に配置された第1のクリップフレームと、
前記半導体チップの前記第1電極と前記第1のクリップフレームの下面との間に位置し、前記半導体チップの前記第1電極と前記第1のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第1のクリップ用導電性接続部材と、
前記半導体チップ、前記ダイパッドフレーム、前記第1のクリップフレーム、前記第1のクリップ用導電性接続部材、及び、前記ダイパッド用導電性接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記第1のクリップフレームの上面の端部には、前記半導体チップの上面から離間するように、前記第1のクリップフレームの上面よりも部分的に上方に位置するクリップ用係止部が設けられており、
前記クリップ用係止部の下面には、溝が形成されている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記クリップ用係止部の下面の前記溝が延在する長さ方向に垂直な前記溝の断面形状は、V字状の形状を有する
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部の下面の前記溝が延在する長さ方向に垂直な前記溝の断面形状は、V字状の形状を有する
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記クリップ用係止部の下面の前記溝は、レーザ照射、又は、押圧により形成されている
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部の下面の前記溝は、レーザ照射、又は、押圧により形成されている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記クリップ用係止部の下面の前記溝は、前記第1のクリップフレームの上面の端部の周囲に沿って、設けられている
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部の下面の前記溝は、前記第1のクリップフレームの上面の端部の周囲に沿って、設けられている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部の周囲に沿って、連続的に設けられている
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部の周囲に沿って、連続的に設けられている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記クリップ用係止部の下面の前記溝は、前記第1のクリップフレームの上面の端部の周囲に沿って、複数本並んで設けられている
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部の下面の前記溝は、前記第1のクリップフレームの上面の端部の周囲に沿って、複数本並んで設けられている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部から上方に突出する段差を有する
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部から上方に突出する段差を有する
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部から上方に段階的に突出する複数の段差を有する
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部から上方に段階的に突出する複数の段差を有する
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記クリップ用係止部の端部は、矩形の形状、又は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部の端部は、矩形の形状、又は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部を上方に押圧することで形成されている
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部を上方に押圧することで形成されている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記封止樹脂の線膨張係数は、前記ダイパッドフレーム及び前記第1のクリップフレームの線膨張係数よりも、小さく、且つ、前記半導体チップの線膨張係数よりも、大きい
ことを特徴とする。
前記封止樹脂の線膨張係数は、前記ダイパッドフレーム及び前記第1のクリップフレームの線膨張係数よりも、小さく、且つ、前記半導体チップの線膨張係数よりも、大きい
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記半導体チップは、上面に前記第1電極よりも上面の面積が小さい第3電極が設けられており、
前記半導体モジュールは、
前記半導体チップの上面に前記第1のクリップフレームと隣接して配置され、前記第1のクリップフレームよりも上面の面積が小さい第2のクリップフレームと、
前記半導体チップの前記第3電極と前記第2のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第2のクリップ用導電性接続部材と、をさらに備える
ことを特徴とする。
前記半導体チップは、上面に前記第1電極よりも上面の面積が小さい第3電極が設けられており、
前記半導体モジュールは、
前記半導体チップの上面に前記第1のクリップフレームと隣接して配置され、前記第1のクリップフレームよりも上面の面積が小さい第2のクリップフレームと、
前記半導体チップの前記第3電極と前記第2のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第2のクリップ用導電性接続部材と、をさらに備える
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記半導体チップは、MOSトランジスタであり、
前記第1電極は、前記MOSトランジスタのソース電極であり、
前記第2電極は、前記MOSトランジスタのドレイン電極であり、
前記第3電極は、前記MOSトランジスタのゲート電極である
ことを特徴とする。
前記半導体チップは、MOSトランジスタであり、
前記第1電極は、前記MOSトランジスタのソース電極であり、
前記第2電極は、前記MOSトランジスタのドレイン電極であり、
前記第3電極は、前記MOSトランジスタのゲート電極である
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記第1のクリップ用導電性接続部材、第2のクリップ用導電性接続部材、及びダイパッド用導電性接続部材は、はんだ部材である
ことを特徴とする。
前記第1のクリップ用導電性接続部材、第2のクリップ用導電性接続部材、及びダイパッド用導電性接続部材は、はんだ部材である
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記ダイパッドフレームは、
前記ダイパッドフレームの本体の端部の上側に設けられ且つ前記ダイパッドフレームの前記本体の上面から前記ダイパッドフレームの前記本体の上面と平行な方向に延在し、前記封止樹脂との密着性を向上するための突起部を、有し、
前記突起部の先端には、前記突起部の上面よりも部分的に上方に位置する係止部が設けられている
ことを特徴とする。
前記ダイパッドフレームは、
前記ダイパッドフレームの本体の端部の上側に設けられ且つ前記ダイパッドフレームの前記本体の上面から前記ダイパッドフレームの前記本体の上面と平行な方向に延在し、前記封止樹脂との密着性を向上するための突起部を、有し、
前記突起部の先端には、前記突起部の上面よりも部分的に上方に位置する係止部が設けられている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記ダイパッドフレームの前記突起部は、前記突起部Tの上面に、前記ダイパッドフレームの前記本体の端部に沿って延在するように、レーザ照射により形成された1つ又は複数のレーザ溝が設けられている
ことを特徴とする。
前記ダイパッドフレームの前記突起部は、前記突起部Tの上面に、前記ダイパッドフレームの前記本体の端部に沿って延在するように、レーザ照射により形成された1つ又は複数のレーザ溝が設けられている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記突起部の上面に前記レーザ溝が延在する長さ方向に垂直な前記レーザ溝の断面形状は、V字形状またはU字形状を有し、
前記レーザ溝のうち第1のレーザ溝の底は、前記第1のレーザ溝の幅の中心よりも前記半導体チップが配置されるチップ領域側に偏って位置している
ことを特徴とする。
前記突起部の上面に前記レーザ溝が延在する長さ方向に垂直な前記レーザ溝の断面形状は、V字形状またはU字形状を有し、
前記レーザ溝のうち第1のレーザ溝の底は、前記第1のレーザ溝の幅の中心よりも前記半導体チップが配置されるチップ領域側に偏って位置している
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記突起部の上面の前記第1のレーザ溝が形成される溝領域に対する前記レーザ照射の方向は、前記突起部Tの上面の前記溝領域を通る垂直線から、前記係止部側に、傾いている
ことを特徴とする。
前記突起部の上面の前記第1のレーザ溝が形成される溝領域に対する前記レーザ照射の方向は、前記突起部Tの上面の前記溝領域を通る垂直線から、前記係止部側に、傾いている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記突起部の上面の前記レーザ溝が延在する長さ方向に垂直な前記レーザ溝の断面形状は、V字形状またはU字形状を有し、前記レーザ溝のうち第2のレーザ溝の底は、前記第2のレーザ溝の幅の中心よりも前記係止部側に偏って位置している
ことを特徴とする。
前記突起部の上面の前記レーザ溝が延在する長さ方向に垂直な前記レーザ溝の断面形状は、V字形状またはU字形状を有し、前記レーザ溝のうち第2のレーザ溝の底は、前記第2のレーザ溝の幅の中心よりも前記係止部側に偏って位置している
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記突起部の上面の前記第2のレーザ溝が形成される溝領域に対する前記レーザ照射の方向は、前記突起部の上面の前記溝領域を通る垂直線から、前記半導体チップが配置されるチップ領域側に、傾いている
ことを特徴とする。
前記突起部の上面の前記第2のレーザ溝が形成される溝領域に対する前記レーザ照射の方向は、前記突起部の上面の前記溝領域を通る垂直線から、前記半導体チップが配置されるチップ領域側に、傾いている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記レーザ照射によって、前記レーザ溝の内面および前記レーザ溝の周縁部が粗面化され、前記ダイパッドフレームの上面において、前記ダイパッド用導電性接続部材の濡れ広がりを抑制するようになっている
ことを特徴とする。
前記レーザ照射によって、前記レーザ溝の内面および前記レーザ溝の周縁部が粗面化され、前記ダイパッドフレームの上面において、前記ダイパッド用導電性接続部材の濡れ広がりを抑制するようになっている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記ダイパッドフレームは、第1の辺、一端が前記第1の辺の一端に交わる第2の辺、一端が前記第1の辺の他端に一端が交わる第3の辺、及び、一端が前記第2の辺の他端に交わり且つ他端が前記第3の辺に交わる第4の辺を有し、
前記突起部及び前記係止部は、前記第1、第2、及び第3の辺に沿った領域に形成されており、且つ、前記第4の辺に沿った領域には形成されておらず、
前記ダイパッドフレームの上面の前記第4の辺に沿った前記領域には、前記本体を貫通し、前記封止樹脂との密着性を向上するための貫通孔が形成されており、
前記突起部の上面に、前記ダイパッドフレームの前記第1、第2、及び第3の辺に沿って延在するように、レーザ照射により形成された前記レーザ溝が設けられており、
前記第4の辺に沿って、前記貫通孔が形成された前記領域と前記チップ領域との間に、レーザ照射により形成された1つ又は複数の追加レーザ溝が設けられている
ことを特徴とする。
前記ダイパッドフレームは、第1の辺、一端が前記第1の辺の一端に交わる第2の辺、一端が前記第1の辺の他端に一端が交わる第3の辺、及び、一端が前記第2の辺の他端に交わり且つ他端が前記第3の辺に交わる第4の辺を有し、
前記突起部及び前記係止部は、前記第1、第2、及び第3の辺に沿った領域に形成されており、且つ、前記第4の辺に沿った領域には形成されておらず、
前記ダイパッドフレームの上面の前記第4の辺に沿った前記領域には、前記本体を貫通し、前記封止樹脂との密着性を向上するための貫通孔が形成されており、
前記突起部の上面に、前記ダイパッドフレームの前記第1、第2、及び第3の辺に沿って延在するように、レーザ照射により形成された前記レーザ溝が設けられており、
前記第4の辺に沿って、前記貫通孔が形成された前記領域と前記チップ領域との間に、レーザ照射により形成された1つ又は複数の追加レーザ溝が設けられている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記レーザ溝は、前記ダイパッドフレームの前記第1、第2、及び第3の辺に沿って連続的に設けられており、
前記追加レーザ溝の本数は、前記レーザ溝の本数よりも、多い
ことを特徴とする。
前記レーザ溝は、前記ダイパッドフレームの前記第1、第2、及び第3の辺に沿って連続的に設けられており、
前記追加レーザ溝の本数は、前記レーザ溝の本数よりも、多い
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記レーザ溝と前記追加レーザ溝とが連通し、前記半導体チップが配置される前記ダイパッドフレームのチップ領域の外周を囲むように、形成されている
ことを特徴とする。
前記レーザ溝と前記追加レーザ溝とが連通し、前記半導体チップが配置される前記ダイパッドフレームのチップ領域の外周を囲むように、形成されている
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記ダイパッドフレームを構成する導電性金属材料は、銅材、又は、銅材にSn、Zn、Fe、Cr、Niの何れかの異種金属を添加した合金であり、前記ダイパッドフレームの表面はめっき処理されていない
ことを特徴とする。
前記ダイパッドフレームを構成する導電性金属材料は、銅材、又は、銅材にSn、Zn、Fe、Cr、Niの何れかの異種金属を添加した合金であり、前記ダイパッドフレームの表面はめっき処理されていない
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記係止部の下面と前記突起部の下面との間の段差の高さは、前記係止部の上面と前記突起部の上面との間の段差の高さ以上である
ことを特徴とする。
前記係止部の下面と前記突起部の下面との間の段差の高さは、前記係止部の上面と前記突起部の上面との間の段差の高さ以上である
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記係止部の下面は、前記係止部の端部に向かって上方に傾斜している
ことを特徴とする。
前記係止部の下面は、前記係止部の端部に向かって上方に傾斜している
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記クリップ用係止部の下面は、前記クリップ用係止部の端部に向かって上方に傾斜している
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部の下面は、前記クリップ用係止部の端部に向かって上方に傾斜している
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記クリップ用係止部の上面は、前記クリップ用係止部の端部に向かって下方に傾斜している
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部の上面は、前記クリップ用係止部の端部に向かって下方に傾斜している
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記係止部の下面に繋がる前記突起部の下面の端部は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする。
前記係止部の下面に繋がる前記突起部の下面の端部は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする。
前記半導体モジュールにおいて、
前記係止部の下面の端部は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする。
前記係止部の下面の端部は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする。
本発明の一態様に係る半導体モジュールは、ダイパッドフレームと、ダイパッドフレームの上面のチップ領域に配置され、上面に第1電極が設けられ且つ下面に第2電極が設けられた半導体チップと、半導体チップの第2電極とダイパッドフレームの上面との間に位置し、半導体チップの第2電極とダイパッドフレームの上面とを電気的に接続するダイパッド用導電性接続部材と、半導体チップの上面に配置された第1のクリップフレームと、半導体チップの第1電極と第1のクリップフレームの下面との間に位置し、半導体チップの第1電極と第1のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第1のクリップ用導電性接続部材と、半導体チップ、ダイパッドフレーム、第1のクリップフレーム、第1のクリップ用導電性接続部材、及び、ダイパッド用導電性接続部材を封止する封止樹脂と、を備える。
そして、第1のクリップフレームの上面の端部には、半導体チップの上面から離間するように、第1のクリップフレームの上面よりも部分的に上方に位置するクリップ用係止部が設けられている。
そして、クリップ用係止部の下面には、溝が形成されている。
これにより、第1のクリップフレームの端部と半導体チップとが離間しているため、第1のクリップフレームの端部が半導体チップに対して十分に絶縁することができる。
さらに、第1のクリップフレームの端部のクリップ用係止部近傍において、当該クリップ用係止部の溝が、封止樹脂の収縮を抑えることで、当該封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制することができる。
このように、本発明の半導体モジュールによれば、半導体チップ上に配置されるクリップフレームの端部の近傍において、クリップフレームと半導体チップとの絶縁性を向上しつつ、封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制すことができる。
以下、本発明に係る実施形態について図面に基づいて説明する。
図1は、実施例1に係る半導体モジュール100の構成の外観の一例を示す上面図である。また、図2は、図1に示す半導体モジュール100の構成の外観の一例を示す下面図である。また、図3は、図1に示す半導体モジュール100の構成の外観の一例を示す第1の方向D1の反対から見た側面図である。また、図4は、図1に示す半導体モジュール100の構成の外観の一例を示す第2の方向D2から見た側面図である。また、図5は、図1に示す半導体モジュール100の構成の外観の一例を示す第1の方向D1から見た側面図である。また、図6は、図1に示す半導体モジュール100の内部の構成の一例を示す上面図である。また、図7は、図6に示す半導体モジュールのN-N線に沿った断面の一例を示す断面図である。また、図8は、図6に示す半導体モジュールのN-N線に沿った断面の他の例を示す断面図である。なお、図6において、封止部材Aは透視されるように表記されている。
ここで、例えば、図1ないし図8に示すように、実施例1に係る半導体モジュール100は、ダイパッドフレーム(リードフレーム)DFと、半導体チップCXと、ダイパッド用導電性接続部材A2と、封止樹脂Hと、第1のクリップフレームCF1と、第1のクリップ用導電性接続部材A1と、第2のクリップフレームCF2と、第2のクリップ用導電性接続部材A3と、を備える。
本実施例では、この半導体モジュール100は、3端子の半導体装置(MOSトランジスタ)として機能するようになっている。
そして、半導体チップCXは、ダイパッドフレームDFの上面のチップ領域CXaに配置されている。
この半導体チップCXは、上面に第1電極(ソース電極)Sが設けられ且つ下面に第2電極(ドレイン電極)Dが設けられている。さらに、この半導体チップCXは、上面に第1電極Sよりも上面の面積が小さい第3電極(ゲート電極)Gが設けられている。
なお、この半導体チップCXは、本実施例では、例えば、MOSトランジスタである。この場合、第1電極Sは、当該MOSトランジスタのソース電極である。そして、第2電極Dは、当該MOSトランジスタのドレイン電極である。また、第3電極Gは、当該MOSトランジスタのゲート電極である。
また、ダイパッド用導電性接続部材A2は、半導体チップCXの第2電極DとダイパッドフレームDFの上面との間に位置している。
このダイパッド用導電性接続部材A2は、半導体チップCXの第2電極DとダイパッドフレームDFの上面とを電気的に接続するようになっている。
このダイパッド用導電性接続部材A2は、例えば、はんだ部材である。
また、第1のクリップフレームCF1は、例えば、図6、図7に示すように、半導体チップCXの上面に配置されている。
この第1のクリップフレームCF1は、例えば、図1ないし図6に示すように、封止樹脂Hから突出した端子CF1a、CF1b、CF1cを有する。
また、この第1のクリップフレームCF1の上面CF1Eの端部には、例えば、図6、図7に示すように、半導体チップCXの上面から離間するように、第1のクリップフレームCF1の上面CF1Eよりも部分的に上方に位置するクリップ用係止部DYが設けられている。
このクリップ用係止部DYにより、第1のクリップフレームCF1の上面CF1Eの端部の近傍における封止樹脂Hが、モールドロックされるようになっている。
ここで、特に、図7、図8に示すように、当該クリップ用係止部DYの下面には、溝DMが形成されている。
このクリップ用係止部DYの下面の溝DMが延在する長さ方向に垂直な溝DMの断面形状は、V字状の形状を有する。
また、このクリップ用係止部DYの下面の溝DMは、レーザ照射、又は、押圧により形成されている。
また、クリップ用係止部DYの下面の溝DMは、第1のクリップフレームCF1の上面CF1Eの端部の周囲に沿って、設けられている。特に、このクリップ用係止部DYは、第1のクリップフレームCF1の上面CF1Eの端部の周囲に沿って、連続的に設けられている。
このクリップ用係止部DYの下面の溝DMは、例えば、図7、図8に示すように、第1のクリップフレームCF1の上面CF1Eの端部の周囲に沿って、複数本並んで設けられている。
なお、図7、図8の例では、溝DMが2本の場合を示しているが、1、若しくは3本以上であってもよい。
また、このクリップ用係止部DYは、第1のクリップフレームCF1の上面CF1Eの端部から上方に突出する段差を有するようにしてもよい。
また、クリップ用係止部DYは、第1のクリップフレームCF1の上面CF1Eの端部から上方に段階的に突出する複数(2段以上)の段差を有するようにしてもよい。
なお、このクリップ用係止部DYの端部Daは、矩形の形状、又は、湾曲した形状を有するようにしてもよい。
なお、クリップ用係止部DYは、例えば、第1のクリップフレームCF1の上面CF1Eの端部を上方に押圧することで形成されている。
また、第1のクリップフレームCF1は、例えば、図6に示すように、上方からの押圧により下方に突出した4個の凸部(ダボ部)CF1Dを有する。この4個の凸部CF1Dが、例えば、半導体チップCXの上面の第1電極(ソース電極)Sに、直接もしくは第1のクリップ用導電性接続部材A1を介して接触するようになっている。
また、第1のクリップ用導電性接続部材A1は、例えば、図7、図8に示すように、半導体チップCXの第1電極Sと第1のクリップフレームCF1の下面との間に位置している。
そして、この第1のクリップ用導電性接続部材A1は、半導体チップCXの第1電極Sと第1のクリップフレームCF1の下面とを電気的に接続するようになっている。
なお、この第1のクリップ用導電性接続部材A1は、例えば、はんだ部材である。
また、第2のクリップフレームCF2は、半導体チップCXの上面に第1のクリップフレームCF1と隣接して配置されている。
この第2のクリップフレームCF2は、封止樹脂Hから突出している端子CF2aを有する。
この第2のクリップフレームCF2は、第1のクリップフレームCF1よりも上面の面積が小さくなっている。
また、第2のクリップ用導電性接続部材A3は、半導体チップCXの第3電極Gと第2のクリップフレームCF2の下面とを電気的に接続するようになっている。
この第2のクリップ用導電性接続部材A3は、例えば、はんだ部材である。
また、封止樹脂Hは、半導体チップCX、ダイパッドフレームDF、第1のクリップフレームCF1、第1のクリップ用導電性接続部材A1、第2のクリップフレームCF2、第2のクリップ用導電性接続部材A3、及び、ダイパッド用導電性接続部材A2を、封止するようになっている。
なお、この封止樹脂Hの線膨張係数は、例えば、ダイパッドフレームDF及び第1のクリップフレームCF1の線膨張係数よりも、小さく、且つ、半導体チップCXの線膨張係数よりも、大きくなるように設定されている。
ここで、ダイパッドフレーム(リードフレーム)DFは、例えば、図6に示すように、第1の辺DF1、一端がこの第1の辺DF1の一端に交わる第2の辺DF2、一端が第1の辺DF1の他端に一端が交わる第3の辺DF3、及び、一端が第2の辺DF2の他端に交わり且つ他端が第3の辺DF3に交わる第4の辺DFを有する。
すなわち、このダイパッドフレームDFは、略矩形の形状を有する。
このダイパッドフレームDFは、封止樹脂Hとの密着性を向上するための突起部Tを、有する。
そして、当該突起部Tは、例えば、図6、図7に示すように、ダイパッドフレームDFの本体Bの端部Baの上側に設けられ且つダイパッドフレームDFの本体Bの上面からダイパッドフレームDFの本体Bの上面と平行な方向(例えば第2の方向D2)に延在している。
この突起部Tの当該構成により、ダイパッドフレームDFと封止樹脂Hとの密着性を向上することができるようになっている。
ここで、突起部Tの先端には、突起部Tの上面よりも部分的に上方に位置する係止部Uが設けられている。
当該係止部Uは、例えば、図7に示すように、突起部Tの先端Taの上面から上方に突出する段差Ubを有する。さらに、当該係止部Uは、下面に、先端に向かって上方に変化する段差Ucを有するようにしてもよい。
これにより、突起部Tの先端の上面近傍における封止樹脂Hを係止して、モールドロックすることができる。
なお、当該係止部Uの段差Ubは、例えば、突起部Tの先端を上方に押圧(プレス)することで形成される。
なお、当該係止部Uは、例えば、図8に示すように、突起部Tの先端Taの上面から上方に段階的(階段状)に突出する複数(2段以上)の段差Ubを有するようにしてもよい。さらに、当該係止部Uは、下面に、先端に向かって上方に階段状に設けられた複数(2段以上)の段差Ucを有するようにしてもよい。
これにより、突起部Tの先端の上面近傍における封止樹脂Hを、当該突起部Tの先端の上面から上方に段階的(階段状)に突出する複数(2段以上)の段差Ubにより係止して、確実にモールドロックすることができる。
なお、当該係止部Uの段差Ubは、例えば、突起部Tの先端を上方に複数回押圧(プレス)することで形成される。
また、係止部Uの上部の高さは、例えば、図7、図8に示すように、ダイパッド用導電性接続部材A2の流れ止めをするように、ダイパッド用導電性接続部材A2の上部の高さよりも、高くなるように設定してもよい。
また、例えば、図7、図8に示すように、突起部Tが延在する方向(例えば第2の方向D2)において、係止部Uの長さは、突起部Tのうち係止部Uを除く部分の長さよりも、短くなるように設定されている。なお、必要に応じて、係止部Uの長さは、突起部Tのうち係止部Uを除く部分の長さ以上になるように設定されていてもよい。
なお、当該係止部Uの端部Uaは、例えば、矩形の形状、又は、湾曲した形状を有するようにしてもよい。
なお、ダイパッドフレームDFを構成する導電性金属材料は、銅(Cu)材、又は、銅(Cu)材にSn、Zn、Fe、Cr、Ni等の異種金属を添加した合金である。そして、当該ダイパッドフレームDFの表面はめっき処理されていないが、必要に応じて当該ダイパッドフレームDFの表面はめっき処理されているようにしてもよい。
これにより、ダイパッドフレームDFの形成を容易にすることができる。
また、突起部Tは、例えば、図6に示すように、ダイパッドフレームDFの本体Bの上面の端部Baの周囲に沿って(第1、第2、及び第3の辺DF1、DF2、DF3に沿って)、連続的に設けられている。
また、突起部T及び係止部Uは、図6に示すように、第1、第2、及び第3の辺DF1、DF2、DF3に沿った領域に形成されており、且つ、第4の辺DF4に沿った領域には形成されていない。
また、図6に示すように、ダイパッドフレームDFの上面の第4の辺DF4に沿った領域には、本体Bを貫通し、封止樹脂Hとの密着性を向上するための貫通孔Zが形成されている。
この貫通孔Z内において、封止樹脂Hにより封止される側のダイパッドフレームDFの部分は、突起部Tの厚さ(ダイパッドフレームDFの中心部分の半分の厚さ)と同じ厚さになっている。これにより、ダイパッドフレームDFと封止樹脂Hとの密着性を向上することができる。
なお、当該係止部Uは、例えば、突起部Tの厚さと同じ厚さを有するようにしてもよい。
また、係止部Uの下面U1と突起部Tの下面T1との間の段差Ucの高さUchは、係止部Uの上面U2と突起部Tの上面T2との間の段差Ubの高さUbh以上であるようにしてもよい(図7)。
なお、係止部Uの下面U1は、当該係止部Uの端部に向かって上方に傾斜しているようにしてもよい(図7の領域UR)。これにより、封止樹脂Hの応力を低減することができる。
なお、第1のクリップフレームCF1の上面CF1Eの端部には、半導体チップCXの上面から離間するように、第1のクリップフレームCF1の上面CF1Eよりも部分的に上方に位置する当該クリップ用係止部DYが設けられており、当該クリップ用係止部DYの下面DY1は、クリップ用係止部DYの端部に向かって上方に傾斜しているようにしてもよい(図7の領域DYR1)。これにより、クリップ用係止部DYと半導体チップCXの下面DY1との間の絶縁性をさらに向上することができる。
なお、クリップ用係止部DYの上面DY2は、クリップ用係止部DYの端部に向かって下方に傾斜しているようにしてもよい(図7の領域DYR2)。これにより、クリップ用係止部DYの端部における封止樹脂Hの応力を低減しつつ、クリップ用係止部DYの端部と封止樹脂Hとの密着性を向上することができる。
なお、係止部Uの下面U1に繋がる突起部Tの下面の端部Tb(図7)は、矩形の形状に代えて、湾曲した形状を有するようにしてもよい。これにより、突起部Tの端部Tbにおける封止樹脂Hの応力を低減することができる。
なお、係止部Uの下面U1の端部Ud(図7)は、矩形の形状に代えて、湾曲した形状を有するようにしてもよい。これにより、係止部Uの端部Udにおける封止樹脂Hの応力を低減することができる。
以上のように、既述のような構成を有する半導体モジュール100は、ダイパッドフレームの突起部Tの先端の係止部Uが、ダイパッド用導電性接続部材を堰き止めることができる。
さらに、ダイパッドフレームの突起部Tの先端近傍において、当該係止部Uが、封止樹脂の収縮を抑えることで、当該封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制することができる。
すなわち、実施例1に係る半導体モジュールによれば、半導体チップ上に配置されるクリップフレームの端部の近傍において、クリップフレームと半導体チップとの絶縁性を向上しつつ、封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制すことができる。
さらに、実施例1に係る半導体モジュールによれば、ダイパッドフレームの端部の近傍において、半導体チップとダイパッドフレームとを電気的に接続する導電性接続部材が流れるのを抑制しつつ、ダイパッドフレームの端部における封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制することができる。
本実施例2では、半導体モジュールのダイパッドフレームDFの突起部Tの上面にレーザ溝が設けられた構成の一例について説明する。
図9は、実施例2に係る半導体モジュールの断面の一例を示す断面図である。また、図10は、実施例2に係る半導体モジュールの断面の他の例を示す断面図である。また、図11は、実施例2に係る半導体モジュールのダイパッドフレームDFの上面の構成の一例を示す上面図である。また、図12は、レーザ照射によりダイパッドフレームDFの突起部Tの上面にレーザ溝LMを形成する工程の一例を示すダイパッドフレームDFの断面図である。また、図13は、レーザ照射によりダイパッドフレームDFの突起部Tの上面に第1、第2のレーザ溝LMa、LMbを形成する工程の一例を示すダイパッドフレームDFの断面図である。
なお、図9、図10の半導体モジュールの断面は、実施例1の図6のN-N線に沿った断面に当該溝が追加されたものである。また、図11に示す実施例2に係る半導体モジュールのダイパッドフレームDFは、実施例1の図1ないし図6に示す半導体モジュール100に適用される。
例えば、図9ないし図11に示すように、ダイパッドフレームDFの突起部Tは、突起部Tの上面に、ダイパッドフレームDFの本体Bの端部Baに沿って延在するように、レーザ照射により形成された1つ又は複数のレーザ溝LM(LM1、LM2、LM3)が設けられている。
そして、突起部Tの上面にレーザ溝LMが延在する長さ方向(例えば、図9、図10の第1の方向D1)に垂直なレーザ溝LMの断面形状は、V字形状を有する。
なお、突起部Tの上面にレーザ溝LMが延在する長さ方向(例えば、図9、図10の第1の方向D1)に垂直なレーザ溝LMの断面形状は、U字形状を有するようにしてもよい。
また、ダイパッドフレームDFは、例えば、図11に示すように、第1の辺DF1、一端がこの第1の辺DF1の一端に交わる第2の辺DF2、一端が第1の辺DF1の他端に一端が交わる第3の辺DF3、及び、一端が第2の辺DF2の他端に交わり且つ他端が第3の辺DF3に交わる第4の辺DFを有する。
すなわち、このダイパッドフレームDFは、実施例1と同様に、略矩形の形状を有する。
また、突起部T及び係止部Uは、図11に示すように、第1、第2、及び第3の辺DF1、DF2、DF3に沿った領域に形成されており、且つ、第4の辺DF4に沿った領域には形成されていない。
また、図11に示すように、ダイパッドフレームDFの上面の第4の辺DF4に沿った領域には、本体Bを貫通し、封止樹脂Hとの密着性を向上するための貫通孔Zが形成されている。
特に、本実施例2では、図11に示すように、突起部Tの上面に、ダイパッドフレームDFの第1、第2、及び第3の辺F1、DF2、DF3に沿って延在するように、レーザ照射により形成されたレーザ溝LM(LM1、LM2、LM3)が設けられている。
さらに、本実施例2では、図11に示す第4の辺DF4に沿って、貫通孔Zが形成された領域とチップ領域CXとの間に、レーザ照射により形成された複数の追加レーザ溝LM4a、LM4b、LM4c、LM4dが設けられている。
なお、図11の例では、追加レーザ溝が4本の場合を示しているが、1~3本、若しくは、5本以上であってもよい。
また、例えば、図11に示すように、レーザ溝LM1、LM2、LM3は、ダイパッドフレームDFの第1、第2、及び第3の辺DF1、DF2、DF3に沿って連続的に設けられている。
また、例えば、図11に示すように、追加レーザ溝LM4a、LM4b、LM4c、LM4dの本数(図11の例では4本)は、連続するレーザ溝LM1、LM2、LM3の本数(図11の例では1本)よりも、多くなるように設定されている。
また、例えば、図11に示すように、連続するレーザ溝LM1、LM2、LM3と追加レーザ溝LM4aとが連通し、半導体チップCXが配置されるダイパッドフレームDFのチップ領域CXaの外周を囲むように、形成されている。
なお、実施例1と同様に、ダイパッドフレームDFを構成する導電性金属材料は、銅(Cu)材、又は、銅(Cu)材にSn、Zn、Fe、Cr、Ni等の異種金属を添加した合金である。そして、当該ダイパッドフレームDFの表面はめっき処理されていないが、必要に応じて当該ダイパッドフレームDFの表面はめっき処理されているようにしてもよい。
これにより、ダイパッドフレームDFの形成を容易にすることができる。
ここで、例えば、図12に示すように、レーザ溝LMを形成する場合において、突起部Tの上面のレーザ溝LMが形成される溝領域DXに対するレーザ照射の方向DLは、突起部Tの上面の溝領域DXを通る垂直線Pと平行に設定する。
これにより、レーザ溝LMの底が、レーザ溝LMの幅(例えば、第2の方向D2の幅)の中心を通るように、断面形状が略V字形状のレーザ溝LMを形成することができる。
特に、このレーザ照射によって、レーザ溝LMの内面およびレーザ溝LMの周縁部が粗面化され、ダイパッドフレームDFの上面において、ダイパッド用導電性接続部材A2の濡れ広がりを抑制するようになっている。
また、例えば、図13に示すように、レーザ溝LMのうち第1のレーザ溝LMaの底LMasは、第1のレーザ溝LMaの幅(例えば、第2の方向D2の幅)の中心LMamよりも半導体チップCXが配置されるチップ領域CXa側に偏って(近接して)位置するようにしてもよい。
これにより、封止樹脂Hのモールドロックをより確実に実施することができる。
ここで、当該第1のレーザ溝LMaを形成する場合には、例えば、図13に示すように、突起部Tの上面の第1のレーザ溝LMaが形成される溝領域DXに対するレーザ照射の方向DLaは、突起部Tの上面の溝領域DXを通る垂直線Pから、係止部U側に、傾くように設定する。
これにより、第1のレーザ溝LMaの底LMasが、第1のレーザ溝LMaの幅(例えば、第2の方向D2の幅)の中心LMamよりもチップ領域CXa側に偏って(近接して)位置するように、第1のレーザ溝LMaを形成することができる。
また、例えば、図13に示すように、レーザ溝LMのうち第2のレーザ溝LMbの底LMbsは、第2のレーザ溝LMbの幅(例えば、第2の方向D2の幅)の中心LMbmよりも係止部U側に偏って(近接して)位置するようにしてもよい。
これにより、例えば、ダイパッド用導電性接続部材A2の流れ止めをより確実に実施することができる。
ここで、当該第2のレーザ溝LMbを形成する場合には、例えば、図13に示すように、突起部Tの上面の第2のレーザ溝LMbが形成される溝領域DXに対するレーザ照射の方向DLbは、突起部Tの上面の溝領域DXを通る垂直線Pから、半導体チップCXが配置されるチップ領域CXa側に、傾くように設定する。
これにより、第2のレーザ溝LMbの底LMbsが、第2のレーザ溝LMbの幅(例えば、第2の方向D2の幅)の中心LMbmよりも係止部U側に偏って(近接して)位置するように、第2のレーザ溝LMbを形成することができる。
なお、この実施例2におけるその他の半導体モジュールの構成は、実施例1と同様である。
すなわち、実施例2に係る半導体モジュールによれば、半導体チップ上に配置されるクリップフレームの端部の近傍において、クリップフレームと半導体チップとの絶縁性を向上しつつ、封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制すことができる。
さらに、実施例2に係る半導体モジュールによれば、ダイパッドフレームの端部の近傍において、半導体チップとダイパッドフレームとを電気的に接続する導電性接続部材が流れるのを抑制しつつ、ダイパッドフレームの端部における封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制することができる。
既述の実施例1では、半導体チップCXが、MOSFETである例について説明したが、他の半導体素子を適用するようにしてもよい。
すなわち、半導体チップCXは、例えば、ダイオードやIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、他のFET等を適用するようにしてもよい。
なお、この実施例3におけるその他の半導体モジュールの構成は、実施例1又は実施例2と同様である。
すなわち、実施例3に係る半導体モジュールによれば、半導体チップ上に配置されるクリップフレームの端部の近傍において、クリップフレームと半導体チップとの絶縁性を向上しつつ、封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制すことができる。
さらに、実施例3に係る半導体モジュールによれば、ダイパッドフレームの端部の近傍において、半導体チップとダイパッドフレームとを電気的に接続する導電性接続部材が流れるのを抑制しつつ、ダイパッドフレームの端部における封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制することができる。
以上のように、本発明の一態様に係る半導体モジュールは、ダイパッドフレームと、ダイパッドフレームの上面のチップ領域に配置され、上面に第1電極が設けられ且つ下面に第2電極が設けられた半導体チップと、半導体チップの第2電極とダイパッドフレームの上面との間に位置し、半導体チップの第2電極とダイパッドフレームの上面とを電気的に接続するダイパッド用導電性接続部材と、半導体チップの上面に配置された第1のクリップフレームと、半導体チップの第1電極と第1のクリップフレームの下面との間に位置し、半導体チップの第1電極と第1のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第1のクリップ用導電性接続部材と、半導体チップ、ダイパッドフレーム、第1のクリップフレーム、第1のクリップ用導電性接続部材、及び、ダイパッド用導電性接続部材を封止する封止樹脂と、を備える。
そして、第1のクリップフレームの上面の端部には、半導体チップの上面から離間するように、第1のクリップフレームの上面よりも部分的に上方に位置するクリップ用係止部が設けられている。
そして、クリップ用係止部の下面には、溝が形成されている。
これにより、第1のクリップフレームの端部と半導体チップとが離間しているため、第1のクリップフレームの端部が半導体チップに対して十分に絶縁することができる。
さらに、第1のクリップフレームの端部のクリップ用係止部近傍において、当該クリップ用係止部の溝が、封止樹脂の収縮を抑えることで、当該封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制することができる。
このように、本発明の半導体モジュールによれば、半導体チップ上に配置されるクリップフレームの端部の近傍において、クリップフレームと半導体チップとの絶縁性を向上しつつ、封止樹脂のクラックの発生や剥離を抑制すことができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
100 半導体モジュール
DF ダイパッドフレーム(リードフレーム)
CX 半導体チップ
A2 ダイパッド用導電性接続部材
H 封止樹脂
CF1 第1のクリップフレーム
A1 第1のクリップ用導電性接続部材
CF2 第2のクリップフレーム
A3 第2のクリップ用導電性接続部材
DF1 第1の辺
DF2 第2の辺
DF3 第3の辺
DF4 第4の辺
T 突起部
B 本体
LM レーザ溝
LM1、LM2、LM3 レーザ溝
LM4a、LM4b、LM4c、LM4d 追加レーザ溝
DF ダイパッドフレーム(リードフレーム)
CX 半導体チップ
A2 ダイパッド用導電性接続部材
H 封止樹脂
CF1 第1のクリップフレーム
A1 第1のクリップ用導電性接続部材
CF2 第2のクリップフレーム
A3 第2のクリップ用導電性接続部材
DF1 第1の辺
DF2 第2の辺
DF3 第3の辺
DF4 第4の辺
T 突起部
B 本体
LM レーザ溝
LM1、LM2、LM3 レーザ溝
LM4a、LM4b、LM4c、LM4d 追加レーザ溝
Claims (31)
- ダイパッドフレームと、
前記ダイパッドフレームの上面のチップ領域に配置され、上面に第1電極が設けられ且つ下面に第2電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップの前記第2電極と前記ダイパッドフレームの上面との間に位置し、前記半導体チップの前記第2電極と前記ダイパッドフレームの上面とを電気的に接続するダイパッド用導電性接続部材と、
前記半導体チップの上面に配置された第1のクリップフレームと、
前記半導体チップの前記第1電極と前記第1のクリップフレームの下面との間に位置し、前記半導体チップの前記第1電極と前記第1のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第1のクリップ用導電性接続部材と、
前記半導体チップ、前記ダイパッドフレーム、前記第1のクリップフレーム、前記第1のクリップ用導電性接続部材、及び、前記ダイパッド用導電性接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記第1のクリップフレームの上面の端部には、前記半導体チップの上面から離間するように、前記第1のクリップフレームの上面よりも部分的に上方に位置するクリップ用係止部が設けられており、
前記クリップ用係止部の下面には、溝が形成されている
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部の下面の前記溝が延在する長さ方向に垂直な前記溝の断面形状は、V字状の形状を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部の下面の前記溝は、レーザ照射、又は、押圧により形成されている
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部の下面の前記溝は、前記第1のクリップフレームの上面の端部の周囲に沿って、設けられている
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部の周囲に沿って、連続的に設けられている
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部の下面の前記溝は、前記第1のクリップフレームの上面の端部の周囲に沿って、複数本並んで設けられている
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部から上方に突出する段差を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部から上方に段階的に突出する複数の段差を有する
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部の端部は、矩形の形状、又は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部は、前記第1のクリップフレームの上面の端部を上方に押圧することで形成されている
ことを特徴とする請求項8に記載の半導体モジュール。 - 前記封止樹脂の線膨張係数は、前記ダイパッドフレーム及び前記第1のクリップフレームの線膨張係数よりも、小さく、且つ、前記半導体チップの線膨張係数よりも、大きい
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記半導体チップは、上面に前記第1電極よりも上面の面積が小さい第3電極が設けられており、
前記半導体モジュールは、
前記半導体チップの上面に前記第1のクリップフレームと隣接して配置され、前記第1のクリップフレームよりも上面の面積が小さい第2のクリップフレームと、
前記半導体チップの前記第3電極と前記第2のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第2のクリップ用導電性接続部材と、をさらに備える
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記半導体チップは、MOSトランジスタであり、
前記第1電極は、前記MOSトランジスタのソース電極であり、
前記第2電極は、前記MOSトランジスタのドレイン電極であり、
前記第3電極は、前記MOSトランジスタのゲート電極である
ことを特徴とする請求項12に記載の半導体モジュール。 - 前記第1のクリップ用導電性接続部材、第2のクリップ用導電性接続部材、及びダイパッド用導電性接続部材は、はんだ部材である
ことを特徴とする請求項13に記載の半導体モジュール。 - 前記ダイパッドフレームは、
前記ダイパッドフレームの本体の端部の上側に設けられ且つ前記ダイパッドフレームの前記本体の上面から前記ダイパッドフレームの前記本体の上面と平行な方向に延在し、前記封止樹脂との密着性を向上するための突起部を、有し、
前記突起部の先端には、前記突起部の上面よりも部分的に上方に位置する係止部が設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記ダイパッドフレームの前記突起部は、前記突起部Tの上面に、前記ダイパッドフレームの前記本体の端部に沿って延在するように、レーザ照射により形成された1つ又は複数のレーザ溝が設けられている
ことを特徴とする請求項15に記載の半導体モジュール。 - 前記突起部の上面に前記レーザ溝が延在する長さ方向に垂直な前記レーザ溝の断面形状は、V字形状またはU字形状を有し、
前記レーザ溝のうち第1のレーザ溝の底は、前記第1のレーザ溝の幅の中心よりも前記半導体チップが配置されるチップ領域側に偏って位置している
ことを特徴とする請求項16に記載の半導体モジュール。 - 前記突起部の上面の前記第1のレーザ溝が形成される溝領域に対する前記レーザ照射の方向は、前記突起部Tの上面の前記溝領域を通る垂直線から、前記係止部側に、傾いている
ことを特徴とする請求項17に記載の半導体モジュール。 - 前記突起部の上面の前記レーザ溝が延在する長さ方向に垂直な前記レーザ溝の断面形状は、V字形状またはU字形状を有し、前記レーザ溝のうち第2のレーザ溝の底は、前記第2のレーザ溝の幅の中心よりも前記係止部側に偏って位置している
ことを特徴とする請求項16ないし18のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 前記突起部の上面の前記第2のレーザ溝が形成される溝領域に対する前記レーザ照射の方向は、前記突起部の上面の前記溝領域を通る垂直線から、前記半導体チップが配置されるチップ領域側に、傾いている
ことを特徴とする請求項19に記載の半導体モジュール。 - 前記レーザ照射によって、前記レーザ溝の内面および前記レーザ溝の周縁部が粗面化され、前記ダイパッドフレームの上面において、前記ダイパッド用導電性接続部材の濡れ広がりを抑制するようになっている
ことを特徴とする請求項16に記載の半導体モジュール。 - 前記ダイパッドフレームは、第1の辺、一端が前記第1の辺の一端に交わる第2の辺、一端が前記第1の辺の他端に一端が交わる第3の辺、及び、一端が前記第2の辺の他端に交わり且つ他端が前記第3の辺に交わる第4の辺を有し、
前記突起部及び前記係止部は、前記第1、第2、及び第3の辺に沿った領域に形成されており、且つ、前記第4の辺に沿った領域には形成されておらず、
前記ダイパッドフレームの上面の前記第4の辺に沿った前記領域には、前記本体を貫通し、前記封止樹脂との密着性を向上するための貫通孔が形成されており、
前記突起部の上面に、前記ダイパッドフレームの前記第1、第2、及び第3の辺に沿って延在するように、レーザ照射により形成された前記レーザ溝が設けられており、
前記第4の辺に沿って、前記貫通孔が形成された前記領域と前記チップ領域との間に、レーザ照射により形成された1つ又は複数の追加レーザ溝が設けられている
ことを特徴とする請求項16に記載の半導体モジュール。 - 前記レーザ溝は、前記ダイパッドフレームの前記第1、第2、及び第3の辺に沿って連続的に設けられており、
前記追加レーザ溝の本数は、前記レーザ溝の本数よりも、多い
ことを特徴とする請求項22に記載の半導体モジュール。 - 前記レーザ溝と前記追加レーザ溝とが連通し、前記半導体チップが配置される前記ダイパッドフレームのチップ領域の外周を囲むように、形成されている
ことを特徴とする請求項22に記載の半導体モジュール。 - 前記ダイパッドフレームを構成する導電性金属材料は、銅材、又は、銅材にSn、Zn、Fe、Cr、Niの何れかの異種金属を添加した合金であり、前記ダイパッドフレームの表面はめっき処理されていない
ことを特徴とする請求項16に記載の半導体モジュール。 - 前記係止部の下面と前記突起部の下面との間の段差の高さは、前記係止部の上面と前記突起部の上面との間の段差の高さ以上である
ことを特徴とする請求項15に記載の半導体モジュール。 - 前記係止部の下面は、前記係止部の端部に向かって上方に傾斜している
ことを特徴とする請求項15に記載の半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部の下面は、前記クリップ用係止部の端部に向かって上方に傾斜している
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部の上面は、前記クリップ用係止部の端部に向かって下方に傾斜している
ことを特徴とする請求項28に記載の半導体モジュール。 - 前記係止部の下面に繋がる前記突起部の下面の端部は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする請求項15に記載の半導体モジュール。 - 前記係止部の下面の端部は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする請求項15に記載の半導体モジュール。
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