JP2022061802A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】モールド樹脂がクリップから剥離することを抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】クリップ３０は、一面３００ａおよび一面３００ａと反対側の他面３００ｂを有する板状とされた主部３００と、他面３００ｂに備えられ、他面３００ｂの面方向に対する法線方向に突出した第１突出部３１０および第２突出部３２０とを有し、さらに、法線方向から視た際、主部３００の外縁端部３０１～３０４と、当該外縁端部３０１～３０４と対向する第１突出部３１０との間、および当該外縁端部３０１～３０４と対向する第２突出部３２０との間の少なくとも一部に、クリップ３０よりもはんだ濡れ性の低い材料で構成された抑制部３３１～３３４が形成された構成とする。【選択図】図２

Description

本発明は、第１部材と第２部材とを接続するクリップがモールド樹脂で封止された半導体装置に関するものである。

従来より、半導体チップ上にはんだを介してクリップが配置された半導体装置が提案されている。具体的には、この半導体装置は、互いに分離されて配置された第１部材と第２部材とを有している。なお、第１部材は、第１リードフレーム上に半導体チップが配置されて構成されている。第２部材は、第２リードフレームを有している。そして、第１部材の半導体チップと第２部材とは、それぞれはんだを介して金属で構成されるクリップと接続されることにより、電気的に接続されている。

また、この半導体装置では、第１部材、第２部材、およびクリップ等を封止するようにモールド樹脂が配置されている。詳しくは、モールド樹脂は、クリップの周囲でクリップに回り込むように配置されてクリップと密着している。言い換えると、モールド樹脂は、クリップを包み込むように配置されてクリップと密着している。そして、モールド樹脂は、このようにクリップを回り込むように配置されることにより、周り込むように配置された部分で圧縮応力が発生する。このため、モールド樹脂は、クリップから剥離し難くなる。

ところで、このような半導体装置では、クリップと第１部材および第２部材とを接続するはんだがクリップに沿って這い上がる可能性がある。この場合、はんだとモールド樹脂との密着性が低いため、はんだがクリップを回り込むように配置されず、モールド樹脂がクリップから剥離し易くなる。

このため、例えば、特許文献１には、クリップに溝部を形成することにより、はんだがクリップに沿って這い上がることを抑制するようにした半導体装置が提案されている。

特開２０１３－４９４３号公報

しかしながら、上記半導体装置では、例えば、はんだの量が多い場合等、はんだが溝部を超えてクリップ側に這い上がる可能性があり、十分にモールド樹脂がクリップから剥離することを抑制できない可能性がある。

本発明は上記点に鑑み、モールド樹脂がクリップから剥離することを抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するための請求項１では、第１部材（１０）と第２部材（２０）とを接続するクリップ（３０）がモールド樹脂（６０）で封止された半導体装置であって、半導体チップ（１３）を有する第１部材と、第２部材と、第１部材と第２部材とを電気的に接続するクリップと、第１部材の半導体チップとクリップとの間、および第２部材とクリップとの間に配置されるはんだ（４０、５０）と、第１部材、第２部材、およびクリップを一体的に封止するモールド樹脂と、を備えている。そして、クリップは、一面（３００ａ）および一面と反対側の他面（３００ｂ）を有する板状とされた主部（３００）と、他面に備えられ、他面の面方向に対する法線方向に突出した第１突出部（３１０）および第２突出部（３２０）とを有し、さらに、法線方向から視た際、主部の外縁端部（３０１～３０４）と、当該外縁端部と対向する第１突出部との間、および当該外縁端部と対向する第２突出部との間の少なくとも一部に、クリップよりもはんだ濡れ性の低い材料で構成された抑制部（３３１～３３４）が形成されており、はんだは、第１部材の半導体チップと第１突出部との間、および第２部材と第２突出部との間に配置されている。

これによれば、クリップには、法線方向から視た際、主部の外縁端部と、第１、第２突出部との間の少なくとも一部に、クリップよりもはんだ濡れ性の低い材料で構成された抑制部が形成されている。このため、抑制部が形成されている部分では、はんだが主部の外縁端部に達することが抑制される。そして、モールド樹脂は、当該外縁端部に回り込まないことが抑制される。したがって、モールド樹脂は、当該外縁端部から剥離することが抑制される。

なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。

第１実施形態における半導体装置の断面図である。 図１中のクリップをクリップの他面側から視た平面図である。 図２中のIII方向から視たクリップの平面図である。 第２実施形態における半導体装置の断面図である。 図４中のクリップをクリップの他面側から視た平面図である。 第３実施形態における半導体装置の断面図である。 図６中のクリップをクリップの他面側から視た平面図である。 第４実施形態における半導体装置の断面図である。 図８中のクリップをクリップの他面側から視た平面図である。 第５実施形態における半導体装置の断面図である。 図１０中のクリップをクリップの他面側から視た平面図である。 第６実施形態における半導体装置の断面図である。 図１２中のクリップをクリップの他面側から視た平面図である。 第７実施形態における半導体装置の断面図である。 図１４中のクリップをクリップの他面側から視た平面図である。 第８実施形態におけるクリップをクリップの他面側から視た平面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の半導体装置は、例えば、インバータ等を構成するのに利用されると好適である。

半導体装置は、図１に示されるように、第１部材１０、第２部材２０、クリップ３０、はんだ４０、５０、モールド樹脂６０等を有する構成とされている。

第１部材１０は、一面１１ａおよび他面１１ｂを有する第１リードフレーム１１と、第１リードフレーム１１の一面１１ａ上に、はんだや導電性接着剤等の接続部材１２を介して配置される半導体チップ１３とを有する構成とされている。第２部材２０は、一面２１ａおよび他面２１ｂを有する第２リードフレーム２１を有する構成とされている。

第１リードフレーム１１および第２リードフレーム２１は、例えば、銅、４２アロイ等の金属材料を用いて構成される１枚の金属板がプレス打ち抜き等されることによって形成されている。本実施形態では、第１リードフレーム１１および第２リードフレーム２１は、厚さが等しくされている。そして、第１リードフレーム１１および第２リードフレーム２１は、それぞれの他面１１ｂ、２１ｂが同一平面上に位置するように、並べて配置されている。

半導体チップ１３は、一般的な半導体製造プロセスによって形成された半導体素子を有する構成とされている。例えば、半導体チップ１３は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistorの略）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistorの略）、ダイオード、キャパシタ等が形成されて構成されている。

なお、本実施形態では、第１部材１０は、第１リードフレーム１１の一面１１ａ上に半導体チップ１３が配置された構成とされており、第２部材２０は、第２リードフレーム２１のみで構成されている。そして、第１リードフレーム１１および第２リードフレーム２１は、厚さが等しくされている。このため、第１部材１０における第１リードフレーム１１の他面１１ｂからの高さは、第２部材２０における第２リードフレーム２１の他面２１ｂからの高さよりも高くされている。

クリップ３０は、第１部材１０の半導体チップ１３と第２部材２０とを電気的に接続するものであり、銅等の導電性部材で構成されている。そして、クリップ３０は、第１部材１０の半導体チップ１３とはんだ４０を介して接続されていると共に、第２部材２０とはんだ５０を介してそれぞれと接続されている。以下、本実施形態のクリップ３０の構成について具体的に説明する。

クリップ３０は、図１～図３に示されるように、一面３００ａおよび一面３００ａと反対側の他面３００ｂを有する板状の主部３００を有している。また、クリップ３０は、主部３００の他面３００ｂに備えられ、当該他面３００ｂの面方向に対する法線方向（以下では、単に法線方向ともいう）に沿って突出している第１突出部３１０および第２突出部３２０を有している。なお、図１は、図２中のI－I線に沿った断面に相当している。

本実施形態では、主部３００は、一対の短辺３０１、３０３と、一対の長辺３０２、３０４とを有する平面矩形状とされている。以下では、主部３００の短辺３０１、３０３および長辺３０２、３０４をまとめて外縁端部ともいう。

第１突出部３１０および第２突出部３２０は、それぞれ四角柱状とされている。そして、法線方向から視た際、第１突出部３１０は、主部３００の短辺３０１側に配置され、第２突出部３２０は、主部３００の短辺３０３側に配置されている。

なお、クリップ３０は、後述するように、主部３００の他面３００ｂが第１部材１０および第２部材２０と対向しつつ、一面３００ａが第１リードフレーム１１の一面１１ａおよび第２リードフレーム２１の一面２１ａと略平行となるように配置される。そして、クリップ３０は、第１突出部３１０が第１部材１０の半導体チップ１３と接続され、第２突出部３２０が第２部材２０の第２リードフレーム２１と接続される。このため、第２突出部３２０は、第１突出部３１０より突出方向の長さが長くされている。

また、本実施形態の第１突出部３１０および第２突出部３２０は、クリップ３０を法線方向から視た際、外縁端部から外側にはみ出さず、かつ外縁端部と一致しないように配置されている。つまり、第１突出部３１０および第２突出部３２０は、法線方向から視た際、全部分が主部３００の内部に位置するように配置されている。言い換えると、第１突出部３１０および第２突出部３２０は、法線方向から視た際、当該第１突出部３１０および第２突出部３２０と主部３００の外縁端部との間に主部３００の他面３００ｂが視認できるように配置されている。

そして、クリップ３０には、法線方向から視た際、主部３００の外縁端部と当該外縁端部と対向する第１突出部３１０および第２突出部３２０の間の少なくとも一部に、クリップ３０よりもはんだ濡れ性の低い材料で構成される抑制部３３１が形成されている。本実施形態では、クリップ３０には、法線方向から視た際、第１突出部３１０のうちの主部３００の短辺３０１と対向する部分に抑制部３３１が形成されている。より詳しくは、クリップ３０には、第１突出部３１０のうちの突出方向に沿った側面に溝部３１１が形成され、当該溝部３１１に抑制部３３１が形成されている。

なお、本実施形態の抑制部３３１は、第１突出部３１０にレーザビームを照射することで構成されるレーザ酸化膜で形成されている。つまり、第１突出部３１０に形成されている溝部３１１は、第１突出部３１０にレーザビームを照射した際に形成されるものである。このように抑制部３３１をレーザ酸化膜で構成することにより、所望の位置に抑制部３３１を容易に配置することができる。

以上が本実施形態におけるクリップ３０の構成である。このようなクリップ３０は、主部３００の他面３００ｂが第１部材１０および第２部材２０と対向しつつ、一面３００ａが第１リードフレーム１１の一面１１ａおよび第２リードフレーム２１の一面２１ａと略平行となるように配置される。そして、クリップ３０は、第１突出部３１０における突出方向の先端部が第１部材１０の半導体チップ１３とはんだ４０を介して接続され、第２突出部３２０における突出方向の先端部が第２部材２０とはんだ５０を介して接続されている。

この場合、本実施形態のクリップ３０には、法線方向から視た際、第１突出部３１０のうちの主部３００の短辺３０１と対向する部分に抑制部３３１が形成されている。このため、特に、はんだ４０が主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０１側まで這い上がることが抑制される。

なお、半導体チップ１３は、例えば、ｎチャネル型である縦型のＭＯＳＦＥＴが形成されて構成される場合、ドレイン電極側が第１リードフレーム１１と接続され、ソース電極側がはんだ４０を介してクリップ３０と接続される。そして、特に図示しないが、半導体チップ１３の周囲には、ゲート電極と接続される接続端子等も配置されている。

モールド樹脂６０は、例えば、エポキシ樹脂等で構成されている。そして、モールド樹脂６０は、第１リードフレーム１１の他面１１ｂおよび第２リードフレーム２１の他面２１ｂを露出させつつ、半導体チップ１３やクリップ３０等を一体的に封止するように形成されている。

より詳しくは、モールド樹脂６０は、主部３００の他面３００ｂにも回り込んで配置されており、回り込んだ部分に角部Ｒが形成された状態となっている。そして、モールド樹脂６０は、主部３００の他面３００ｂと密着しつつ、角部Ｒの近傍では圧縮応力が印加された状態となっており、クリップ３０から剥離されることが抑制された状態となっている。

このようなモールド樹脂６０は、例えば、金型を用いたコンプレッション成形やトランスファー成形等で形成される。この場合、本実施形態では、上記のようにクリップ３０の第１突出部３１０に抑制部３３１が形成されており、はんだ４０が主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０１側まで這い上がることが抑制されている。このため、モールド樹脂６０を配置する際、モールド樹脂６０が主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０１付近の部分に回り込まないことが抑制される。したがって、本実施形態のモールド樹脂６０は、特に、主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０１近傍で剥離することが抑制される。

以上説明した本実施形態によれば、クリップ３０には、法線方向から視た際、第１突出部３１０のうちの主部３００の短辺３０１と対向する部分に、クリップ３０よりもはんだ濡れ性が低い材料で構成された抑制部３３１が形成されている。このため、はんだ４０が主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０１側まで這い上がることが抑制される。そして、モールド樹脂６０を配置する際、モールド樹脂６０が主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０１付近の部分に回り込まないことが抑制される。したがって、本実施形態のモールド樹脂６０は、特に、主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０１近傍で剥離することが抑制される。

また、本実施形態では、第１突出部３１０は、第２突出部３２０よりも突出方向に沿った長さが短くされている。このため、はんだ４０およびはんだ５０は、はんだ４０の方が主部３００の他面３００ｂまで這い上がり易い。そして、本実施形態では、第１突出部３１０に抑制部３３１が形成されている。したがって、モールド樹脂６０がクリップ３０から剥離することを効果的に抑制できる。

さらに、抑制部３３１は、レーザビームを照射することで構成されるレーザ酸化膜で形成されている。このため、所望の位置に容易に抑制部３３１を形成することができる。

（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、第２突出部３２０にも抑制部を配置するようにしたものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態では、図４および図５に示されるように、法線方向から視た際、第２突出部３２０のうちの主部３００の短辺３０３と対向する部分に抑制部３３２が形成されている。より詳しくは、クリップ３０には、第２突出部３２０のうちの突出方向に沿った側面に溝部３２１が形成され、当該溝部３２１に抑制部３３２が形成されている。なお、第２突出部３２０に形成される抑制部３３２は、第１突出部３１０に形成される抑制部３３１と同様に、レーザ酸化膜で構成される。また、図４は、図５中のIV－IV線に沿った断面に相当している。

このような半導体装置では、主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０３側にはんだ５０が這い上がることも抑制される。このため、モールド樹脂６０を配置する際、モールド樹脂６０が主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０３付近の部分に回り込まないことが抑制される。したがって、本実施形態のモールド樹脂６０は、主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０３近傍で剥離することも抑制される。

なお、上記第２実施形態において、クリップ３０には、第１突出部３１０に抑制部３３１が形成されず、第２突出部３２０のみに抑制部３３２が形成されるようにしてもよい。但し、上記第１実施形態で説明したように、第１突出部３１０および第２突出部３２０は、第１突出部３１０の方が第２突出部３２０よりも法線方向に沿った長さが短くされている。このため、主部３００の他面３００ｂには、第１突出部３１０と第１部材１０との間に配置されるはんだ４０の方が第２突出部３２０と第２部材２０との間に配置されるはんだ５０より這い上がり易い。したがって、第１突出部３１０および第２突出部３２０の一方のみに抑制部３３１、３３２を配置する場合には、突出方向に沿った長さが短い方に配置することが好ましく、第１突出部３１０に抑制部３３１を配置する方が好ましい。

（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対し、抑制部３３１、３３２の配置構成を変更したものである。その他に関しては、第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態では、図６および図７に示されるように、抑制部３３１は、法線方向から視た際、第１突出部３１０を囲む枠状（すなわち、はんだ４０を囲む枠状）に形成されている。具体的には、抑制部３３１は、第１突出部３１０の突出方向に沿った側面を一周するように形成されている。また、抑制部３３１がレーザ酸化膜で構成されるため、第１突出部３１０に形成される溝部３１１も同様に、第１突出部３１０の側面を一周するように形成されている。

同様に、抑制部３３２は、法線方向から視た際、第２突出部３２０を囲む枠状（すなわち、はんだ５０を囲む枠状）に形成されている。具体的には、抑制部３３２は、第２突出部３２０の突出方向に沿った側面を一周するように形成されている。また、抑制部３３２がレーザ酸化膜で構成されるため、第２突出部３２０に形成される溝部３２１も同様に、第２突出部３２０の側面を一周するように形成されている。なお、図６は、図７中のVI－VI線に沿った断面に相当している。

このような半導体装置では、第１突出部３１０を囲むように抑制部３３１が形成され、第２突出部３２０を囲むように抑制部３３２が形成されている。このため、はんだ４０が第１突出部３１０から主部３００側に這い上がることを全体的に抑制できると共に、はんだ５０が第２突出部３２０から主部３００側に這い上がることを全体的に抑制できる。したがって、さらに、モールド樹脂６０が主部３００の他面３００ｂから剥離することが抑制される。

（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、抑制部を配置する場所を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態では、図８および図９に示されるように、主部３００の他面３００ｂに抑制部３３３が形成されている。本実施形態では、抑制部３３３は、法線方向から視た際、主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０１と第１突出部３１０との間に位置する部分に形成されている。

なお、本実施形態の抑制部３３３は、主部３００の他面３００ｂにレーザビームを照射することで構成されるレーザ酸化膜で形成されている。このため、抑制部３３３は、主部３００の他面３００ｂにレーザビームを照射することで構成される溝部３０５内に配置されている。また、図８は、図９中のVIII－VIII線に沿った断面に相当している。

このような半導体装置としても、はんだ４０が主部３００の他面３００ｂの短辺３０１側まで這い上がることが抑制される。このため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形態に対し、抑制部を配置する場所を追加したものである。その他に関しては、第４実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態では、図１０および図１１に示されるように、法線方向から視た際、主部３００の他面３００ｂのうちの短辺３０３と第２突出部３２０との間に位置する部分にも抑制部３３４が形成されている。なお、抑制部３３４は、抑制部３３３と同様に、主部３００の他面３００ｂにレーザビームを照射することで構成されるレーザ酸化膜で形成されている。このため、抑制部３３４は、主部３００の他面３００ｂにレーザビームを照射することで構成される溝部３０６内に配置されている。また、図１０は、図１１中のX－X線に沿った断面に相当している。

このような半導体装置では、はんだ５０が主部３００の他面３００ｂの短辺３０３側まで這い上がることが抑制される。このため、モールド樹脂６０が主部３００の他面３００ｂの短辺３０３近傍で剥離することを抑制しつつ、上記第４実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第６実施形態）
第６実施形態について説明する。本実施形態は、第５実施形態に対し、抑制部３３３の配置構成を変更したものである。その他に関しては、第５実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態では、図１２および図１３に示されるように、抑制部３３３は、法線方向から視た際、主部３００の他面３００ｂにおいて、第１突出部３１０を囲む枠状とされている。同様に、抑制部３３４は、主部３００の他面３００ｂにおいて、第２突出部３２０を囲む枠状とされている。なお、抑制部３３３がレーザ酸化膜で構成されるため、主部３００の他面３００ｂに形成される溝部３０５も第１突出部３１０を囲む枠状とされている。同様に、抑制部３３４がレーザ酸化膜で構成されるため、主部３００の他面３００ｂに形成される溝部３０６も第２突出部３２０を囲む枠状とされている。また、図１２は、図１３中のXII－XII線に沿った断面に相当している。

このような半導体装置では、法線方向から視た際、第１突出部３１０を囲むように抑制部３３３が形成されており、第２突出部３２０を囲むように抑制部３３４が形成されている。このため、はんだ４０が第１突出部３１０から主部３００の他面３００ｂにおける外縁端部に達することが抑制され、はんだ５０が第２突出部３２０から主部３００の他面３００ｂにおける外縁端部に達することが抑制される。このため、モールド樹脂６０が主部３００の他面３００ｂから剥離することが抑制される。

（第７実施形態）
第７実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、第１突出部３１０および第２突出部３２０の配置場所を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態では、図１４および図１５に示されるように、第１突出部３１０は、法線方向から視た際、一部が主部３００の外縁端部における短辺３０１と一致するように配置されている。同様に、第２突出部３２０は、法線方向から視た際、一部が主部３００の外縁端部における短辺３０３と一致するように配置されている。そして、抑制部３３１は、法線方向から視た際、第１突出部３１０のうちの主部３００の長辺３０２、３０４と対向する部分に形成されている。なお、図１４は、図１５中のXIV－XIV線に沿った断面に相当している。

このように、法線方向から視た際、第１突出部３１０および第２突出部３２０の一部が主部３００の外縁端部と一致する構成としてもよい。そして、本実施形態の半導体装置では、抑制部３３１が長辺３０２、３０４と対向するように配置されている。このため、はんだ４０が主部３００の他面３００ｂのうちの長辺３０２、３０４側まで這い上がることが抑制される。したがって、本実施形態のモールド樹脂６０は、特に、主部３００の他面３００ｂのうちの長辺３０２、３０４近傍で剥離することが抑制される。

（第８実施形態）
第８実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、第１突出部３１０および第２突出部３２０の構成を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態では、図１６に示されるように、第１突出部３１０は、法線方向から視た際、一部が主部３００の外縁端部における長辺３０２、３０４と一致するように配置されている。同様に、第２突出部３２０は、法線方向から視た際、主部３００の外縁端部における長辺３０２、３０４と一致するように配置されている。なお、本実施形態では、抑制部３３１は、上記第１実施形態と同様に、法線方向から視た際、第１突出部３１０のうちの主部３００の短辺３０１と対向する部分に形成されている。

このように、法線方向から視た際、第１突出部３１０および第２突出部３２０の一部が主部３００の外縁端部と一致する構成としても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（他の実施形態）
本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。

例えば、上記各実施形態において、モールド樹脂６０は、クリップ３０の主部３００における一面３００ａが当該モールド樹脂６０から露出するように配置されていてもよい。これによれば、主部３００からの放熱性の向上を図ることができる。

また、上記各実施形態において、主部３００は、平面矩形状とされていなくてもよい。例えば、主部３００は、平面楕円形状とされていてもよいし、三角形状や五角形状等の多角形状とされていてもよい。同様に、第１突出部３１０および第２突出部３２０は、四角柱状ではなく、円柱状とされていてもよいし、三角柱状や五角柱状とされていてもよい。

そして、上記各実施形態において、抑制部３３１～３３４の構成は適宜変更可能である。すなわち、抑制部３３１～３３４は、クリップ３０よりもはんだ濡れ性が低い材料で構成されていればよく、例えば、レジスト等で構成されていてもよい。

さらに、上記各実施形態において、第２部材２０は、第２リードフレーム２１の一面２１ａ上に半導体チップが配置された構成とされていてもよい。

また、上記各実施形態において、第２部材２０は、第２部材２０における第２リードフレーム２１の他面２１ｂからの高さが、第１部材１０における第１リードフレーム１１の他面１１ｂからの高さより高くされていてもよい。例えば、第２部材２０は、第２リードフレーム２１の厚さが第１リードフレーム１１の厚さよりも厚くされることにより、第２部材２０における第２リードフレーム２１の他面２１ｂからの高さが、第１部材１０における第１リードフレーム１１の他面１１ｂからの高さより高くされていてもよい。

さらに、上記第３実施形態において、抑制部３３１、３３２は、法線方向から視た際、枠状とされておらず、一部が分離されていてもよい。例えば、抑制部３３１は、法線方向から視た際、第１突出部３１０のうちの短辺３０１および長辺３０２、３０４と対向する部分に形成され、第２突出部３２０と対向する部分に形成されていなくてもよい。同様に、上記第６実施形態において、抑制部３３３、３３４は、法線方向から視た際、枠状とされておらず、一部が分離されていてもよい。

そして、上記各実施形態を組み合わせることもできる。例えば、上記第１実施形態に上記第３実施形態を組み合わせ、抑制部３３１が枠状に配置されていてもよい。同様に、上記第４実施形態に上記第６実施形態を組み合わせ、抑制部３３３が枠状に配置されていてもよい。そして、上記第１～第３実施形態を上記第４～第６実施形態に組み合わせ、第１突出部３１０および第２突出部３２０の少なくとも一方に抑制部３３１、３３２を配置しつつ、主部３００の他面３００ｂに抑制部３３３、３３４を配置するようにしてもよい。また、上記第１～第６実施形態に上記第７、第８実施形態を適宜組み合わせ、第１突出部３１０および第２突出部３２０の配置場所を適宜変更してもよい。さらに、上記各実施形態を組み合わせたもの同士を適宜組み合わせてもよい。

１０ 第１部材
１３ 半導体チップ
２０ 第２部材
３０ クリップ
６０ モールド樹脂
３００ 主部
３１０ 第１突出部
３２０ 第２突出部

Claims (9)

1. 第１部材（１０）と第２部材（２０）とを接続するクリップ（３０）がモールド樹脂（６０）で封止された半導体装置であって、
   半導体チップ（１３）を有する前記第１部材と、
   前記第２部材と、
   前記第１部材と前記第２部材とを電気的に接続する前記クリップと、
   前記第１部材の半導体チップと前記クリップとの間、および前記第２部材と前記クリップとの間に配置されるはんだ（４０、５０）と、
   前記第１部材、前記第２部材、および前記クリップを一体的に封止する前記モールド樹脂と、を備え、
   前記クリップは、一面（３００ａ）および前記一面と反対側の他面（３００ｂ）を有する板状とされた主部（３００）と、前記他面に備えられ、前記他面の面方向に対する法線方向に突出した第１突出部（３１０）および第２突出部（３２０）とを有し、さらに、前記法線方向から視た際、前記主部の外縁端部（３０１～３０４）と、当該外縁端部と対向する前記第１突出部との間、および当該外縁端部と対向する前記第２突出部との間の少なくとも一部に、前記クリップよりもはんだ濡れ性の低い材料で構成された抑制部（３３１～３３４）が形成されており、
   前記はんだは、前記第１部材の半導体チップと前記第１突出部との間、および前記第２部材と前記第２突出部との間に配置されている半導体装置。
2. 前記抑制部は、前記第１突出部および前記第２突出部の少なくとも一方に形成されている請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記抑制部は、前記主部の他面に形成されている請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記第１突出部および前記第２突出部は、前記第１突出部の方が前記第２突出部よりも突出方向の長さが短くされており、
   前記抑制部は、前記法線方向から視た際、前記第１突出部と当該第１突出部と対向する前記主部の外縁端部との間に形成されている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
5. 前記抑制部は、前記法線方向から視た際、前記はんだを囲む枠状とされている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
6. 前記抑制部は、溝（３０５、３０６、３１１、３２１）に配置されている請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
7. 前記抑制部は、レーザ酸化膜である請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記クリップは、前記主部が平面矩形状とされ、前記第１突出部および前記第２突出部が四角柱状とされており、前記法線方向から視た際、前記第１突出部および前記第２突出部の全部分が前記主部の外縁端部より内側に位置している請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置。
9. 前記クリップは、前記主部が平面矩形状とされ、前記第１突出部および前記第２突出部が四角柱状とされており、前記法線方向から視た際、前記第１突出部の外縁端部の一部が前記主部の外縁端部と一致している請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置。

Images