JP2021082794A - 電子部品および電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】放熱性の向上を図ることのできる電子部品を提供する。【解決手段】被実装部材１００の第１電圧側領域１１０と接続される第１リードフレーム２０と、被実装部材１００の第２電圧側領域１２０と接続される第２リードフレーム３０と、第１リードフレーム１００に配置される第１半導体チップ４０と、第２リードフレーム３０に配置される第２半導体チップ５０と、第１リードフレーム２０および第２リードフレーム３０の一部を露出させつつ、第１リードフレーム２０、第２リードフレーム３０、第１半導体チップ４０、および第２半導体チップ５０を一体的に封止するモールド樹脂７０と、を備える。そして、モールド樹脂７０内に、第１リードフレーム２０および第２リードフレーム３０と熱的に接続され、モールド樹脂７０よりも熱伝導率が高い材料であって、絶縁材料で構成された絶縁熱伝導部材８０を配置する。【選択図】図３

Description

本発明は、半導体チップがモールド樹脂で封止された電子部品および電子装置に関するものである。

従来より、高電圧側の部品と接続される高電圧側半導体チップと、低電圧側の部品と接続される低電圧側半導体チップとを備え、これらの半導体チップをモールド樹脂で一体的に封止した電子部品が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、この電子部品では、各半導体チップは、セラミック基板等に搭載されており、半導体チップで発生した熱がセラミック基板を介して外部へ放出されるようにしている。

特開２００２−２４６５１５号公報

ところで、この電子部品は、被実装部材としてのプリント基板に配置されることで電子装置を構成する。この場合、プリント基板は、高電圧側の配線パターン等が形成されている領域が高電圧側領域とされ、低電圧側の配線パターン等が形成されている領域が低電圧側領域とされる。そして、電子部品は、高電圧側半導体チップが高電圧側領域と接続され、低電圧側半導体チップが低電圧側領域と接続されるように、プリント基板に配置される。

しかしながら、このような電子装置では、被実装部材のうちの高電圧側領域は、低電圧側領域よりも高温になり易い。このため、高電圧側半導体チップで発生した熱が効率的に放熱され難い可能性がある。

本発明は上記点に鑑み、放熱性の向上を図ることのできる電子部品および電子装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、被実装部材（１００）における第１電圧側領域（１１０）に接続されると共に第１電圧側領域より低電圧領域となる第２電圧側領域（１２０）に接続される電子部品であって、被実装部材の第１電圧側領域と接続される第１リードフレーム（２０）と、被実装部材の第２電圧側領域と接続される第２リードフレーム（３０）と、第１リードフレームに配置されて第１リードフレームと電気的、熱的に接続される第１半導体チップ（４０）と、第２リードフレームに配置されて第２リードフレームと電気的、熱的に接続される第２半導体チップ（５０）と、第１リードフレームおよび第２リードフレームの一部を露出させつつ、第１リードフレーム、第２リードフレーム、第１半導体チップ、および第２半導体チップを一体的に封止するモールド樹脂（７０）と、を備え、モールド樹脂内には、第１リードフレームおよび第２リードフレームと熱的に接続され、モールド樹脂よりも熱伝導率が高い材料であって、絶縁材料で構成された絶縁熱伝導部材（８０）が配置されている。

これによれば、第１リードフレームと第２リードフレームとが絶縁熱伝導部材によって熱的に接続されている。このため、第１半導体チップで発生した熱は、絶縁熱伝導部材を介して第２リードフレームから放熱される。したがって、第１半導体チップに発生する熱を効率的に放熱できる。これにより、放熱性の向上を図ることができる。

また、請求項１０では、請求項１ないし９のいずれか１つに記載の電子部品（１０）と、電子部品が配置される被実装部材と、を備え、被実装部材のうちの電子部品側の一面（１００ａ）には、第１リードフレームが接続される第１電圧側領域と、第２リードフレームが接続される第２電圧側領域との間に位置する絶縁領域（１３０）に凹部（１３１）が形成されている。

これによれば、高電圧側領域と低電圧側領域との絶縁性を向上しつつ、第１半導体チップに発生する熱を効率的に放熱できる。

なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。

第１実施形態における電子装置の断面図である。 第１実施形態における図１とは別断面の電子装置の断面図である。 図１および図２に示す電子部品の平面図である。 第２実施形態における電子装置の断面図である。 図４に示す電子部品の平面図である。 第３実施形態における電子装置の断面図である。 第３実施形態の変形例における電子装置の断面図である。 第４実施形態における電子装置の断面図である。 図８に示す電子部品の平面図である。 第５実施形態における電子部品の平面図である。 第６実施形態における電子装置の断面図である。 第６実施形態における図１１とは別断面の電子装置の断面図である。 図１１および図１２に示す電子部品の平面図である。 第７実施形態における電子装置の断面図である。 第７実施形態における図１４とは別断面の電子装置の断面図である。 第８実施形態における電子装置の断面図である。 第８実施形態における図１６とは別断面の電子装置の断面図である。 図１６および図１７に示す電子部品の平面図である。 第９実施形態における電子装置の断面図である。 第１０実施形態における電子装置の断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、大出力モータ用インバータ等、制御信号系よりも高い電圧で駆動信号を受け取る部品を駆動制御するための電子装置として適用されると好適である。

本実施形態の電子装置１は、図１および図２に示されるように、電子部品１０が被実装部材としてのプリント基板１００にはんだ１４０を介して配置されることで構成されている。なお、本実施形態のプリント基板１００は、具体的には後述するが、高電圧側の部品を駆動するための配線パターン等が形成された高電圧側領域１１０と、低電圧側の部品を駆動するための配線パターン等が形成された低電圧側領域１２０とが混在した状態となっている。つまり、プリント基板１００は、高電圧が印加される高電圧側領域１１０と、高電圧側領域１１０よりも低電圧が印加される低電圧側領域１２０とが混在した状態となっている。そして、高電圧側領域１１０と低電圧側領域１２０との間の部分は、高電圧側領域１１０と低電圧側領域１２０との絶縁性を確保するための絶縁領域１３０となっている。また、本実施形態では、高電圧側領域１１０が第１電圧側領域に相当し、低電圧側領域１２０が第２電圧側領域に相当している。

まず、本実施形態の電子部品１０の構成について、図１〜図３を参照しつつ説明する。なお、図１中の電子部品１０は、図３中のI−I線に沿った断面に相当し、図２中の電子部品１０は、図３中のII−II線に沿った断面に相当している。また、図３は、電子部品１０の平面図であるが、理解をし易くするため、後述するモールド樹脂７０を破線で示し、モールド樹脂７０内に配置される高電圧側リードフレーム２０等を実線で示している。なお、後述する図３に相当する他の図においても、理解をし易くするため、モールド樹脂７０を破線で示し、モールド樹脂７０内に配置される高電圧側リードフレーム２０等を実線で示している。

電子部品１０は、高電圧側リードフレーム２０、低電圧側リードフレーム３０、高電圧側半導体チップ４０、低電圧側半導体チップ５０、ボンディングワイヤ６１〜６３、モールド樹脂７０、絶縁熱伝導部材８０等を有する構成とされている。

高電圧側リードフレーム２０は、高電圧側アイランド部２１および高電圧側端子部２２を有している。低電圧側リードフレーム３０は、低電圧側アイランド部３１および低電圧側端子部３２を有している。このような高電圧側リードフレーム２０および低電圧側リードフレーム３０は、例えば、銅、４２アロイ等の金属材料を用いて構成される１枚の金属板がプレス打ち抜き等されることによって形成されている。

なお、高電圧側アイランド部２１、高電圧側端子部２２、低電圧側アイランド部３１、および低電圧側端子部３２は、後述するモールド樹脂７０で封止される前はタイバー等によって一体化されており、モールド樹脂７０で封止された後にカットされることで分離される。また、本実施形態では、高電圧側リードフレーム２０が第１リードフレームに相当し、高電圧側アイランド部２１が第１アイランド部に相当し、高電圧側端子部２２が第１端子部に相当する。同様に、本実施形態では、低電圧側リードフレーム３０が第２リードフレームに相当し、低電圧側アイランド部３１が第２アイランド部に相当し、低電圧側端子部３２が第２端子部に相当する。

高電圧側アイランド部２１および低電圧側アイランド部３１は、本実施形態では、それぞれ一面２１１、３１１および一面２１１、３１１と反対側の他面２１２、３１２を有する四角形板状となる部分を備えている。高電圧側端子部２２および低電圧側端子部３２は、短冊状とされており、それぞれ高電圧側アイランド部２１および低電圧側アイランド部３１の近傍に配置されている。

具体的には、高電圧側アイランド部２１と低電圧側アイランド部３１は、隣合うように配置されている。本実施形態では、高電圧側アイランド部２１および低電圧側アイランド部３１は、厚さが等しくされており、それぞれの一面２１１、３１１が同一平面上に位置するように配置されている。

そして、高電圧側端子部２２は、高電圧側アイランド部２１を挟んで低電圧側アイランド部３１と反対側に配置されている。低電圧側端子部３２は、低電圧側アイランド部３１を挟んで高電圧側アイランド部２１と反対側に配置されている。つまり、高電圧側端子部２２および低電圧側端子部３２は、高電圧側アイランド部２１および低電圧側アイランド部３１を挟むように配置されている。

高電圧側半導体チップ４０および低電圧側半導体チップ５０は、一般的な半導体製造プロセスによって形成された半導体素子を有する構成とされている。例えば、高電圧側半導体チップ４０および低電圧側半導体チップ５０は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistorの略）、ダイオード等の能動素子、インダクタ（すなわち、トランス）、キャパシタ（すなわち、コンデンサ）等の受動素子のいずれか、または複数が形成されて構成されている。そして、高電圧側半導体チップ４０は、高電圧側アイランド部２１の一面２１１上に接合部材４１を介して配置され、高電圧側アイランド部２１と熱的に接続されている。低電圧側半導体チップ５０は、低電圧側アイランド部３１の一面３１１上に接合部材５１を介して配置され、低電圧側アイランド部３１と熱的に接続されている。

なお、高電圧側半導体チップ４０の基準電位となるグランドと、低電圧側半導体チップ５０の基準電位となるグランドは、それぞれ分離された状態で用いられる。例えば、高電圧半導体チップ４０は車載部品としてのアクチュエー等とグランドを共有する等した状態、低電圧側半導体チップ５０は車載部品としてのマイコン等とグランドを共有する等した状態で用いられる。また、本実施形態では、高電圧側半導体チップ４０が第１半導体チップに相当し、低電圧側半導体チップ５０が第２半導体チップに相当している。接合部材４１、５１は、例えば、はんだ、銀ペースト、導電性接着剤等が用いられる。

また、高電圧側半導体チップ４０および低電圧側半導体チップ５０には、図示しない電極パッドが形成されている。そして、高電圧側半導体チップ４０と低電圧側半導体チップ５０は、ボンディングワイヤ６１を介して電気的に接続されている。高電圧側半導体チップ４０は、高電圧側端子部２２とボンディングワイヤ６２を介して電気的に接続されている。低電圧側半導体チップ５０は、低電圧側端子部３２とボンディングワイヤ６３を介して電気的に接続されている。

モールド樹脂７０は、例えば、エポキシ樹脂等で構成されている。そして、モールド樹脂７０は、高電圧側端子部２２、低電圧側端子部３２の一部を露出させつつ、高電圧側半導体チップ４０、低電圧側半導体チップ５０、高電圧側アイランド部２１、低電圧側アイランド部３１、高電圧側端子部２２、低電圧側端子部３２を一体的に封止するように形成されている。

具体的には、このようなモールド樹脂７０は、例えば、金型を用いたコンプレッション成形やトランスファー成形等で形成される。本実施形態のモールド樹脂７０は、高電圧側アイランド部２１の一面２１１および低電圧側アイランド部３１の一面３１１と対向する一面７１、高電圧側アイランド部２１の他面２１２および低電圧側アイランド部３１の他面３１２と対向する他面７２、一面７１と他面７２とを繋ぐ側面７３を有する略直方体状とされている。そして、モールド樹脂７０は、高電圧側端子部２２および低電圧側端子部３２が側面７３から露出するように形成されている。

また、モールド樹脂７０内には、高電圧側リードフレーム２０および低電圧側リードフレーム３０と熱的に接続される絶縁熱伝導部材８０が配置されている。絶縁熱伝導部材８０は、モールド樹脂７０よりも熱伝導率が高い絶縁材料で構成されており、本実施形態では、セラミックス板等で構成されている。そして、本実施形態の絶縁熱伝導部材８０は、高電圧側アイランド部２１の一面２１１と接合部材８１を介して接続されていると共に、低電圧側アイランド部３１の一面３１１と接合部材８１を介して接続されている。

さらに詳しくは、本実施形態では、絶縁熱伝導部材８０は、２つ備えられている。そして、各絶縁熱伝導部材８０は、モールド樹脂７０の一面７１に対する法線方向（以下では、単に法線方向ともいう）から視たとき、図３に示されるように、高電圧側半導体チップ４０を挟むように高電圧側アイランド部２１の一面２１１と接続されていると共に、低電圧側半導体チップ５０を挟むように低電圧側アイランド部３１の一面３１１に接続されている。なお、接合部材８１は、モールド樹脂７０よりも熱伝導率が高いものが用いられ、例えば、アクリル系接着剤が用いられる。

以上が本実施形態における電子部品１０の構成である。

プリント基板１００は、図１および図２に示されるように、一面１００ａ側に、銅やアルミニウム等で構成される図示しない高電圧側ランド１１１および低電圧側ランド１２１が形成されている。そして、プリント基板１００は、高電圧側ランド１１１や当該高電圧側ランド１１１と電気的に接続される図示しない配線パターン等が形成される領域が高電圧側領域１１０とされ、低電圧側ランド１２１や当該低電圧側ランドと電気的に接続される図示しない配線パターン等が形成される領域が低電圧側領域１２０とされている。

また、高電圧側領域１１０と低電圧側領域１２０との間の領域は、高電圧側領域１１０と低電圧側領域１２０との絶縁性を確保するための絶縁領域１３０とされ、ランドや配線パターン等が形成されない領域とされている。

そして、電子部品１０は、モールド樹脂７０の他面７２がプリント基板１００の一面１００ａと対向する状態でプリント基板１００の一面１００ａ上に配置されている。具体的には、電子部品１０は、モールド樹脂７０から露出する高電圧側端子部２２が高電圧側ランド１１１とはんだ１４０を介して接続され、モールド樹脂７０から露出する低電圧側端子部３２が低電圧側ランド１２１とはんだ１４０を介して接続されるように配置されている。

以上が本実施形態の電子装置１の構成である。このような電子装置１では、高電圧側半導体チップ４０および低電圧側半導体チップ５０がそれぞれ発熱する。また、プリント基板１００における高電圧側領域１１０は、低電圧側領域１２０よりも高温となっている。この場合、本実施形態では、高電圧側リードフレーム２０と低電圧側リードフレーム３０とが絶縁熱伝導部材８０によって熱的に接続されている。このため、高電圧側半導体チップ４０で発生した熱は、図２中の矢印Ａに示されるように、絶縁熱伝導部材８０を介して低電圧側リードフレーム３０からプリント基板１００へ放熱される。したがって、高電圧側半導体チップ４０に発生する熱を効率的に放熱でき、放熱性の向上を図ることができる。なお、低電圧側半導体チップ５０で発生した熱も低電圧側リードフレーム３０からプリント基板１００へ放熱される。

以上説明したように、本実施形態では、高電圧側リードフレーム２０と低電圧側リードフレーム３０とが絶縁熱伝導部材８０によって熱的に接続されている。このため、高電圧側半導体チップ４０で発生した熱は、絶縁熱伝導部材８０を介して低電圧側リードフレーム３０からプリント基板１００へ放熱される。したがって、高電圧側半導体チップ４０に発生する熱を効率的に放熱でき、放熱性の向上を図ることができる。

また、絶縁熱伝導部材８０は、高電圧側リードフレーム２０および低電圧側リードフレーム３０とモールド樹脂７０よりも熱伝導率の高い接合部材８１を介して直接接続されている。このため、絶縁熱伝導部材８０と、高電圧側リードフレーム２０および低電圧側リードフレーム３０とが離れて配置され、絶縁熱伝導部材８０と、高電圧側リードフレーム２０および低電圧側リードフレーム３０との間にモールド樹脂７０が存在する場合と比較して、高電圧側リードフレーム２０から絶縁熱伝導部材８０へ伝熱し易くなる。したがって、さらに放熱性の向上を図ることができる。

また、絶縁熱伝導部材８０は、高電圧側リードフレーム２０（すなわち、高電圧側アイランド部２１）および低電圧側リードフレーム３０（すなわち、低電圧側アイランド部３１）と接合部材８１を介して機械的にも接続されている。このため、例えば、高電圧側アイランド部２１と低電圧側アイランド部３１とが機械的に接続されていない場合と比較して、搬送時等に高電圧側アイランド部２１と低電圧側アイランド部３１の高さ関係が相対的に変位することを抑制でき、ボンディングワイヤ６１が切断される等の不具合が発生することを抑制できる。

（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、絶縁熱伝導部材８０の配置場所を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電子部品１０では、図４および図５に示されるように、絶縁熱伝導部材８０は、高電圧側アイランド部２１の他面２１２および低電圧側アイランド部３１の他面３１２を接続するように、接合部材８１を介して配置されている。なお、図４は、図５中のIV−IV線に沿った断面に相当している。

このように、絶縁熱伝導部材８０を高電圧側アイランド部２１の他面２１２と低電圧側アイランド部３１の他面３１２とを接続するように配置しても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、絶縁熱伝導部材８０を高電圧側アイランド部２１の他面２１２と低電圧側アイランド部３１の他面３１２とを接続するように配置する場合、高電圧側半導体チップ４０および低電圧側半導体チップ５０が配置される領域が存在しないため、上記第１実施形態よりも絶縁熱伝導部材８０を大きくすることができる。したがって、さらに高電圧側半導体チップ４０の熱を低電圧側リードフレーム３０へと伝達し易くなり、さらに放熱性の向上を図ることができる。

（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対し、絶縁熱伝導部材８０の配置方法を変更したものである。その他に関しては、第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電子部品１０では、図６に示されるように、絶縁熱伝導部材８０は、低電圧側アイランド部３１の他面３１２から離れて配置されている。つまり、本実施形態では、絶縁熱伝導部材８０は、高電圧側アイランド部２１の他面２１２のみと機械的に接続されている。但し、絶縁熱伝導部材８０は、低電圧側アイランド部３１と熱的には接続されている。なお、図６は、図５中のIV−IV線に沿った断面に相当する。

このように、絶縁熱伝導部材８０が低電圧側アイランド部３１の他面２１２から離れた構成としても、絶縁熱伝導部材８０が低電圧側アイランド部３１と熱的に接続されていれば、上記第２実施形態と同様の効果を得ることができる。また、このように絶縁熱伝導部材８０が低電圧側アイランド部３１の他面３１２から離れた構成とする場合、高精度な位置合わせ等が不要となり、製造工程の簡略化を図ることができる。さらに、絶縁熱伝導部材８０が低電圧側アイランド部３１の他面３１２から離れた構成とする場合、接合部材８１を配置しなくてよいため、部品点数の削減を図ることもできる。

（第３実施形態の変形例）
第３実施形態の変形例について説明する。上記第３実施形態において、絶縁熱伝導部材８０は、図７に示されるように、高電圧側アイランド部２１の他面２１２および低電圧側アイランド部３１の他面３１２の両方から離れるように配置されていてもよい。なお、図７は、図５中のIV−IV線に沿った断面に相当する。

このように絶縁熱伝導部材８０を配置しても、絶縁熱伝導部材８０が高電圧側アイランド部２１および低電圧側アイランド部３１と熱的に接続されることにより、上記第３実施形態と同様の効果を得ることができる。

また、特に図示しないが、絶縁熱伝導部材８０は、低電圧側アイランド部３１の他面３１２と接合部材８１を介して接続されると共に、高電圧側アイランド部２１の他面２１２と離れるように配置されていてもよい。さらに、上記第１実施形態と組み合わせ、絶縁熱伝導部材８０は、高電圧側アイランド部２１の一面２１１側および低電圧側アイランド部３１の一面３１１側に配置されており、高電圧側アイランド部２１の一面２１１側および低電圧側アイランド部３１の一面３１１の少なくとも一方と離れて配置されていてもよい。

なお、第３実施形態や第３実施形態の変形例のように、絶縁熱伝導部材８０が低電圧側アイランド部３１および高電圧側アイランド部２１のうちの少なくとも一方から離れるように配置する場合、以下の構成とすることが好ましい。すなわち、絶縁熱伝導部材８０が低電圧側アイランド部３１および高電圧側アイランド部２１のうちの少なくとも一方から離れたとしても、絶縁熱伝導部材８０は、低電圧側アイランド部３１および高電圧側アイランド部２１との熱的な接続が十分に確保されることが望ましい。このため、絶縁熱伝導部材８０は、低電圧側アイランド部３１と離れて配置される場合には、モールド樹脂７０の法線方向から視たとき、低電圧側アイランド部３１と重複する部分を有する構成とされることが好ましい。また、絶縁熱伝導部材８０は、高電圧側アイランド部２１と離れて配置される場合には、モールド樹脂７０の法線方向から視たとき、高電圧側アイランド部２１と重複する部分を有する構成とされることが好ましい。

（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、絶縁熱伝導部材８０の構成を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電子部品１０は、図８および図９に示されるように、絶縁熱伝導部材８０は、高電圧側アイランド部２１と低電圧側アイランド部３１の間に配置されている。なお、本実施形態の絶縁熱伝導部材８０は、モールド樹脂７０よりも熱伝導率が高く、かつ絶縁材料で構成されるものが用いられ、例えば、アクリル系接着剤が用いられる。

そして、高電圧側アイランド部２１と低電圧側アイランド部３１とは、絶縁熱伝導部材８０によって熱的に接続されていると共に機械的に接続されている。

このように、絶縁熱伝導部材８０を高電圧側アイランド部２１と低電圧側アイランド部３１との間に配置するようにしても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、絶縁熱伝導部材８０の構成を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電子部品１０は、図１０に示されるように、高電圧側リードフレーム２０は、第１高電圧側リードフレーム２０ａと第２高電圧側リードフレーム２０ｂとに分割されている。第１高電圧側リードフレーム２０ａは、第１高電圧側アイランド部２１ａおよび第１高電圧側端子部２２ａを有する構成とされている。第２高電圧側リードフレーム２０ｂは、第２高電圧側アイランド部２１ｂおよび第２高電圧側端子部２２ｂを有する構成とされている。

そして、第１高電圧側アイランド部２１ａ上および第２高電圧側アイランド部２１ｂ上には、それぞれ高電圧側半導体チップ４０が配置されており、各高電圧側半導体チップ４０は、ボンディングワイヤ６４を介して接続されている。また、低電圧側アイランド部３１上には、２つの低電圧側半導体チップ５０が配置されている。

このように、高電圧側半導体チップ４０の数、低電圧側半導体チップ５０の数、高電圧側リードフレーム２０の数等を適宜変更しても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

また、本実施形態では、第１高電圧側リードフレーム２０ａと第２高電圧側リードフレーム２０ｂとを備えている。そして、第１高電圧側アイランド部２１ａ上および第２高電圧側アイランド部２１ｂ上にそれぞれ高電圧側半導体チップ４０が配置されている。また、高電圧側領域１１０は、低電圧側領域１２０と比較すると、サージ電圧によってグランドが変動し易い。このため、高電圧側半導体チップ４０を複数備える場合には、本実施形態のように、高電圧側リードフレーム２０を第１高電圧側リードフレーム２０ａと第２高電圧側リードフレーム２０ｂとに分割すると共にそれぞれに高電圧側半導体チップ４０を配置することにより、例えば、共通の高電圧側リードフレーム２０に２個の高電圧側半導体チップ４０を配置する場合と比較して、一方の高電圧側半導体チップ４０に印加されたサージが他方の高電圧側半導体チップ４０に印加され難くできる。

なお、上記では、高電圧側リードフレーム２０を分割する例について説明したが、低電圧側リードフレーム３０を分割するようにしてもよい。また、高電圧側リードフレーム２０および低電圧側リードフレーム３０を分割せず、高電圧側半導体チップ４０および低電圧側半導体チップ５０の数のみを変更するようにしてもよい。

（第６実施形態）
第６実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、絶縁熱伝導部材８０を配置する場所を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電子部品１０は、図１１〜図１３に示されるように、高電圧側アイランド部２１と低電圧側アイランド部３１とは、各一面２１１、３１１が同一平面上に配置されていない。つまり、高電圧側アイランド部２１と低電圧側アイランド部３１とは、異なる高さに配置されている。本実施形態では、高電圧側アイランド部２１が低電圧側アイランド部３１よりもモールド樹脂７０の他面７２側に位置するように配置されている。

なお、本実施形態では、高電圧側アイランド部２１は、低電圧側アイランド部３１よりもモールド樹脂７０の他面７２側に位置するように配置されているが、他面２１２がモールド樹脂７０で封止されている。また、図１１中の電子部品１０は、図１３中のXI−XI線に沿った断面に相当し、図１２中の電子部品１０は、図３中のXII−XII線に沿った断面に相当している。

そして、絶縁熱伝導部材８０は、高電圧側アイランド部２１の一面２１１と接合部材８１を介して接続されていると共に、低電圧側アイランド部３１の他面３１２と接合部材８１を介して接続されている。

このように、絶縁熱伝導部材８０を配置する場所を変更しても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、上記では、絶縁熱伝導部材８０は、高電圧側アイランド部２１の一面２１１と接合部材８１を介して接続されていると共に、低電圧側アイランド部３１の他面３１２と接合部材８１を介して接続されている例について説明したが、次の構成としてもよい。すなわち、絶縁熱伝導部材８０は、高電圧側アイランド部２１の一面２１１側に配置されると共に、低電圧側アイランド部３１の他面３１２側に配置され、高電圧側アイランド部２１および低電圧側アイランド部３１の少なくとも一方と離れていてもよい。つまり、本実施形態に上記第３実施形態の構成を組み合わせてもよい。さらに、特に図示しないが、低電圧側アイランド部３１が高電圧側アイランド部２１よりもモールド樹脂７０の他面７２側に位置するようにしてもよい。

（第７実施形態）
第７実施形態について説明する。本実施形態は、第６実施形態に対し、高電圧側アイランド部２１をモールド樹脂７０から露出するようにしたものである。その他に関しては、第６実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電子部品１０は、図１４および図１５に示されるように、高電圧側アイランド部２１は、他面２１２がモールド樹脂７０の他面７２から露出している。これによれば、高電圧側アイランド部２１の他面２１２がモールド樹脂７０で封止されている場合と比較して、高電圧側アイランド部２１の他面２１２からも放熱できる。したがって、放熱性をさらに向上しつつ、上記第６実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第８実施形態）
第８実施形態について説明する。本実施形態は、第６実施形態に対し、高電圧側端子部２２および低電圧側端子部３２をモールド樹脂７０の他面７２から露出するようにしたものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

本実施形態の電子部品１０は、図１６〜図１８に示されるように、高電圧側端子部２２および低電圧側端子部３２がそれぞれモールド樹脂７０の他面７２から露出している。つまり、本実施形態の電子部品は、裏面露出パッケージとされており、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat No leaded packageの略)パッケージとされている。なお、図１６中の電子部品１０は、図１８中のXVI−XVI線に沿った断面に相当し、図１７中の電子部品１０は、図１８中のXVII−XVIII線に沿った断面に相当している。

そして、本実施形態の電子装置１では、プリント基板１００は、高電圧側端子部２２と接続される部分を含む周囲の領域が高電圧側領域１１０とされ、低電圧側端子部３２と接続される部分を含む周囲の領域が低電圧側領域１２０とされる。このため、上記第１実施形態と比較すると、高電圧側領域１１０および低電圧側領域１２０は、電子部品１０の下方に位置する部分まで入り込んだ状態となっている。

このように、高電圧側端子部２２および低電圧側端子部３２がモールド樹脂７０の他面７２から露出する構造としても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、高電圧側端子部２２および低電圧側端子部３２がモールド樹脂７０の他面７２から露出するため、例えば、モールド樹脂７０の側面７３から高電圧側端子部２２および低電圧側端子部３２が露出する場合と比較して、電子部品１０の小型化を図ることができる。

なお、特に図示しないが、上記第８実施形態において、上記第７実施形態のように、高電圧側アイランド部２１の他面２１２がモールド樹脂７０の他面７２から露出するようにしてもよい。

（第９実施形態）
第９実施形態について説明する。本実施形態は、第７実施形態に対し、モールド樹脂７０の他面７２に凹部を形成したものである。その他に関しては、第８実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

まず、上記第７実施形態のように、高電圧側アイランド部２１の他面２１２をモールド樹脂７０の他面７２から露出させた場合、高電圧側リードフレーム２０と低電圧側リードフレーム３０との間の沿面距離が短くなり易い。つまり、高電圧側リードフレーム２０のうちのモールド樹脂７０から露出する部分と、低電圧側リードフレーム３０のうちのモールド樹脂７０から露出する部分とのモールド樹脂７０の外面に沿った最短距離が短くなり易い。

このため、本実施形態の電子部品１０では、図１９に示されるように、モールド樹脂７０の外面のうちの高電圧側アイランド部２１の他面２１２と低電圧側端子部３２との間となる部分に凹部７４を形成している。本実施形態では、モールド樹脂７０の他面７２に凹部７４が形成されている。

これによれば、凹部７４よって沿面距離を長くしつつ、上記第７実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第１０実施形態）
第１０実施形態について説明する。本実施形態は、第８実施形態に対し、プリント基板１００に凹部を形成したものでる。その他に関しては、第８実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。

まず、上記第８実施形態のように、高電圧側端子部２２および低電圧側端子部３２をモールド樹脂７０の他面７２から露出するようにすることにより、プリント基板１００では、高電圧側領域１１０と低電圧側領域１２０との間に位置する絶縁領域１３０の幅が狭くなり易い。つまり、高電圧側領域１１０と低電圧側領域１２０との絶縁性を確保し難くなる。

このため、本実施形態の電子装置１では、プリント基板１００の絶縁領域１３０に凹部１３１を形成している。本実施形態では、凹部１３１として、プリント基板１００を貫通する開口部を形成し、高電圧側領域１１０と低電圧側領域１２０とが区画されるようにしている。

これによれば、高電圧側領域１１０と低電圧側領域１２０との間隔が狭くなる場合においても高電圧側領域１１０と低電圧側領域１２０との絶縁性を確保しつつ、上記第８実施形態と同様の効果を得ることができる。

なお、上記では、凹部１３１がプリント基板１００を貫通する開口部で構成されている例を説明したが、凹部１３１は、プリント基板１００を貫通しない溝部等であってもよい。

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、上記各実施形態では、被実装部材がプリント基板１００である例について説明したが、被実装部材は、多層配線基板等であってもよい。

また、上記各実施形態を組み合わせた電子部品１０および電子装置１としてもよい。例えば、上記第３実施形態を上記第５〜第１０実施形態に組み合わせ、絶縁熱伝導部材８０が高電圧側アイランド部２１および低電圧側アイランド部３１の少なくとも一方から離れるように配置されていてもよい。また、上記第９実施形態を上記各実施形態に適用し、モールド樹脂７０の他面７２に凹部７４を形成することで沿面距離を長くするようにしてもよい。さらに、上記第１０実施形態を上記各実施形態に適用し、プリント基板１００に凹部１３１を形成することで高電圧側領域１１０と低電圧側領域１２０との間の絶縁性を向上させるようにしてもよい。また、上記各実施形態を組み合わせたもの同士をさらに組み合わせてもよいし、組み合わせ方法は適宜変更可能である。

１ 電子装置
１０ 電子部品
２０ 高電圧側リードフレーム（第１リードフレーム）
３０ 低電圧側リードフレーム（第２リードフレーム）
４０ 高電圧側半導体チップ（第１半導体チップ）
５０ 低電圧側半導体チップ（第２半導体チップ）
７０ モールド樹脂
８０ 絶縁熱伝導部材
１００ プリント基板（被実装部材）
１１０ 高電圧側領域（第１電圧側領域）
１２０ 低電圧側領域（第２電圧側領域）

Claims (10)

1. 被実装部材（１００）における第１電圧側領域（１１０）に接続されると共に前記第１電圧側領域より低電圧領域となる第２電圧側領域（１２０）に接続される電子部品であって、
   前記被実装部材の第１電圧側領域と接続される第１リードフレーム（２０）と、
   前記被実装部材の第２電圧側領域と接続される第２リードフレーム（３０）と、
   前記第１リードフレームに配置されて前記第１リードフレームと電気的、熱的に接続される第１半導体チップ（４０）と、
   前記第２リードフレームに配置されて前記第２リードフレームと電気的、熱的に接続される第２半導体チップ（５０）と、
   前記第１リードフレームおよび前記第２リードフレームの一部を露出させつつ、前記第１リードフレーム、前記第２リードフレーム、前記第１半導体チップ、および前記第２半導体チップを一体的に封止するモールド樹脂（７０）と、を備え、
   前記モールド樹脂内には、前記第１リードフレームおよび前記第２リードフレームと熱的に接続され、前記モールド樹脂よりも熱伝導率が高い材料であって、絶縁材料で構成された絶縁熱伝導部材（８０）が配置されている電子部品。
2. 前記絶縁熱伝導部材は、前記第１リードフレームおよび前記第２リードフレームと、前記モールド樹脂よりも熱伝導率が高い材料で構成された接合部材（８１）を介して接合されている請求項１に記載の電子部品。
3. 前記絶縁熱伝導部材は、前記第１リードフレームのうちの前記第１半導体チップが配置される側と反対側の部分と前記接合部材を介して接合されていると共に、前記第２リードフレームのうちの前記第２半導体チップが配置される側と反対側の部分と前記接合部材を介して接合されている請求項２に記載の電子部品。
4. 前記絶縁熱伝導部材は、前記第１リードフレームおよび前記第２リードフレームのうちの少なくとも一方と離れて配置されている請求項１に記載の電子部品。
5. 前記絶縁熱伝導部材は、前記第１リードフレームおよび前記第２リードフレームとの間に配置され、前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとを熱的に接続すると共に、機械的に接続している請求項１に記載の電子部品。
6. 前記第１リードフレームは、一面（２１１）および前記一面と反対側の他面（２１２）を有し、前記一面に前記第１半導体チップが配置される第１アイランド部（２１）を備え、
   前記第２リードフレームは、一面（３１１）および前記一面と反対側の他面（３１２）を有し、前記一面に前記第２半導体チップが配置される第２アイランド部（３１）を備え、
   前記第１アイランド部の一面と前記第２アイランド部の一面とは、異なる面上に位置しており、
   前記絶縁熱伝導部材は、前記第１アイランド部における一面および他面の一方側に配置されると共に、前記第２アイランド部における一面および他面の他方側に配置されている請求項１に記載の電子部品。
7. 前記絶縁熱伝導部材は、前記第１アイランド部における一面側に配置されると共に、前記第２アイランド部における他面側に配置されており、
   前記第１アイランド部は、前記他面が前記モールド樹脂から露出している請求項６に記載の電子部品。
8. 前記第１リードフレームは、前記モールド樹脂から露出して前記第１電圧側領域と接続される第１端子部（２２）を有し、
   前記第２リードフレームは、前記モールド樹脂から露出して前記第２電圧側領域と接続される第２端子部（３２）を有し、
   前記第１端子部および前記第２端子部は、前記モールド樹脂のうちの前記被実装部材に配置される際に前記被実装部材と対向する面（７２）から露出している請求項１ないし７のいずれか１つに記載の電子部品。
9. 前記モールド樹脂は、外面のうちの、前記第１リードフレームが前記モールド樹脂から露出する部分と前記第２リードフレームが前記モールド樹脂から露出する部分との間の最も間隔が短くなる部分に凹部（７４）が形成されている請求項１ないし８のいずれか１つに記載の電子部品。
10. 請求項１ないし９のいずれか１つに記載の電子部品（１０）と、
    前記電子部品が配置される前記被実装部材と、を備え、
    前記被実装部材のうちの前記電子部品と対向する一面（１００ａ）には、前記第１リードフレームが接続される前記第１電圧側領域と、前記第２リードフレームが接続される前記第２電圧側領域との間に位置する絶縁領域（１３０）に凹部（１３１）が形成されている電子装置。

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