JP2020167233A - モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂絶縁層の変形を抑制すること。【解決手段】本発明は、電子部品２０が搭載され可撓性を有する樹脂絶縁層１０と、前記樹脂絶縁層１０に接合され前記電子部品２０と電気的に接続されたリード３０、３２と、前記樹脂絶縁層１０における前記電子部品２０を囲む少なくとも一部の領域に接合されたフレーム３４ａ、３４ｂと、を備えるモジュールである。【選択図】図１

Description

本発明はモジュールおよびその製造方法に関し、例えば電子部品を搭載するモジュールおよびその製造方法に関する。

ポリイミド等の樹脂絶縁層の上面に電子部品を搭載し、樹脂絶縁層を貫通する貫通孔を介し樹脂絶縁層の下面から電子部品に接続する配線を設けることが知られている（例えば特許文献１）。

特開２０１６−４６５２３号公報

樹脂絶縁層が可撓性を有すると、樹脂絶縁層が変形してしまう。例えば樹脂絶縁層上に搭載された電子部品を封止するときに樹脂絶縁層が変形する。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、樹脂絶縁層の変形を抑制することを目的とする。

本発明は、電子部品が搭載され可撓性を有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層に接合され前記電子部品と電気的に接続されたリードと、前記樹脂絶縁層における前記電子部品を囲む少なくとも一部の領域に接合されたフレームと、を備えるモジュールである。

上記構成において、前記フレームは前記リードと略同じ材料および略同じ厚さを有する構成とすることができる。

上記構成において、前記フレームは前記リードおよび前記電子部品と電気的に接続されていない構成とすることができる。

上記構成において、前記樹脂絶縁層の平面形状は略矩形であり、前記電子部品、前記フレームおよび前記リードを側方からみたとき、前記電子部品、前記フレームおよび前記リードが重なる領域は前記樹脂絶縁層の両辺の間に連続して設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記樹脂絶縁層の平面形状は略矩形であり、前記フレームの一部は前記略矩形の角部近傍に設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記電子部品、前記リードおよび前記フレームを封止する封止部材を備え、前記封止部材から前記リードと前記フレームに接続するタイバーとが露出する構成とすることができる。

上記構成において、前記リードおよび前記フレームの端に形成されたバリは前記樹脂絶縁層と反対側に設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記リードおよび前記フレームの端に形成されたバリは前記樹脂絶縁層側に設けられ、前記リードおよび前記フレームと前記樹脂絶縁層は前記バリの高さ以上離れている構成とすることができる。

本発明は、枠体と、電子部品と電気的に接続されるリードと、前記電子部品を囲む少なくとも一部の領域に接合されるフレームと、前記フレームと前記枠体を接続するタイバーと、を備えるリードフレームのうち、前記リードと前記フレームを、前記電子部品が搭載され可撓性を有する樹脂絶縁層に接合する工程と、前記リードおよび前記タイバーを前記枠体から切断する工程と、を含むモジュールの製造方法である。

上記構成において、前記リードおよび前記タイバーを前記枠体から切断する工程の前に、前記電子部品、前記リードおよび前記フレームを封止部材で封止する工程を含む構成とすることができる。

本発明によれば、絶縁層の変形を抑制することができる。

図１（ａ）は、実施例１に係るモジュールの平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの側面図である。 図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。 図４は、実施例１におけるモジュールの製造方法を示す平面図（その１）である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１におけるモジュールの製造方法を示す平面図（その２）である。 図６は、実施例１の変形例１に係るモジュールの断面図である。 図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１の変形例２および３に係るモジュールの平面図である。 図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１の変形例４および５に係るモジュールの平面図である。 図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例１の変形例６から８に係るモジュールの断面図である。 図１０は、実施例１の変形例９に係るモジュールの平面図である。

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係るモジュールの平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）では封止部材の図示を省略している。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、絶縁層１０（樹脂絶縁層）の下面および上面にそれぞれ金属層１４および１８が設けられている。絶縁層１０は例えばポリイミド層等の樹脂層であり、可撓性を有する。絶縁層１０の厚さは例えば１０μｍから１００μｍである。金属層１４および１８は例えば銅を主材料とする。金属層１４および１８の厚さは、例えば１０μｍから１００μｍである。金属層１４および１８は大電流を流すため例えば絶縁層１０より厚い。

絶縁層１０の上面に接着剤１２を介し電子部品２０が搭載されている。接着剤１２は例えばエポキシ樹脂等からなる絶縁性樹脂接着剤である。接着剤１２の厚さは例えば５μｍから５００μｍである。接着剤１２は絶縁層１０と電子部品２０の間の領域のみに設けられているが、接着剤１２は絶縁層１０の上面全体に設けられていてもよい。

電子部品２０の下面には電極２２ａが設けられ、上面に電極２２ｂが設けられている。電子部品２０は、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、バイポーラトランジスタまたはＦＥＴ（Field Effect Transistor）等のトランジスタまたはダイオードである。トランジスタまたはダイオードには、Ｓｉ、ＧａＮまたはＳｉＣ等を材料とする半導体が用いられる。電子部品２０が例えば縦型のトランジスタであれば、電極２２ａは、ゲート電極とソース電極（またはドレイン電極）であり、電極２２ｂは、チップ裏面に設けられたドレイン電極（またはソース電極）である。電極２２ａおよび２２ｂは、例えば、金、アルミニウムまたは銅等を主材料とする金属層である。電子部品２０の厚さは例えば１００μｍから５００μｍである。金属層１４は、絶縁層１０および接着剤１２を貫通する貫通孔１６（ビア）を介し電極２２ａに電気的に接続する。電子部品２０は、ベアチップ状態で絶縁層１０に実装されている。電子部品２０は、ベアチップが封止されて実装されたパッケージでもよい。

金属層１８上に電子部品２１が搭載されている。電子部品２１は例えばディスクリートのチップ抵抗、チップコンデンサおよび／またはチップインダクタである。電子部品２１の両端に電極２３が設けられ、電極２３は金属層１８に接続されている。電極２３は、例えば、金、アルミニウムまたは銅等を主材料とする金属層である。金属層１４は、貫通孔１６および金属層１８を介し電極２３に電気的に接続されている。なお、電子部品２１は、電子部品２０と同様に、金属層１８を介さずに金属層１４に接続されていてもよい。この場合金属層１４は、メッキで形成される。

電子部品２０の上面に接合層２６を介しリード３２が接合されている。金属層１８上に接合層２６を介しリード３０が接合されている。接合層２６は例えば導電性接合層であり、例えば金属ペースト、導電性樹脂または半田等のロウ材である。電子部品２０の電極２２ｂは接合層２６を介しリード３２に電気的に接続されている。金属層１４は貫通孔１６、金属層１８および接合層２６を介しリード３０に電気的に接続されている。絶縁層１０上に接着剤２４を介しフレーム３４ａが接着されている。接着剤２４は例えば絶縁性樹脂である。封止部材４０は、電子部品２０、２１、リード３０および３２、フレーム３４ａおよび３４ｂを封止するように絶縁層１０上に設けられている。封止部材４０は、例えば樹脂（エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂）等の絶縁体である。

平面視において、フレーム３４ａおよび３４ｂは電子部品２０および２１を囲むように設けられ、フレーム３４ｂは絶縁層１０の角部に設けられている。特に、リード３０および３２が、絶縁層１０の図１（ａ）における右方向および左方向の側辺から外部へ延出しており、この部分を除いて、フレーム３４ａおよび３４ｂが設けられることが好ましい。このフレーム３４ａおよび３４ｂは、絶縁層１０の反りを抑制するものであり、配置する領域等は適宜設定できる。絶縁層１０の平面形状は矩形であるため、対向する左右方向に延伸する側辺に沿って、左右方向に延伸するフレーム３４ａを設けることが好ましい。またこの平行な２つのフレームと交差し、直交する図１（ａ）における上下方向に延伸するフレーム３４ａの部分３４ｃを設けることがさらに好ましい。

上下方向に延伸するフレーム３４ａの部分３４ｃの図１（ａ）における左側には５個の金属層１８からなる電極が上下方向に並び、右側には、２個の金属層１８からなる電極が上下方向に並んでいる。特に左側の５個の金属層１８は、５本のリード３０と接合されている。５本のリード３０を５個の金属層１８に接合するためには、高い位置精度が要求される。上下方向に並んだ金属層１８に隣接してフレーム３４ａの部分３４ｃを設けることで、５個の金属層１８の平坦性および位置精度を維持することができる。このように、電極となる金属層１８が、絶縁層１０の左右方向の辺または上下方向の辺に対して平行に、その辺の半分以上の長さに渡り並んで配置される場合、金属層１８の配列方向に平行にフレーム３４ａの部分３４ｃを延伸させることが有効である。

さらに、絶縁層１０の角部（コーナー）は、絶縁層１０を取り扱う作業のときに、ぶつかったり、反ったりする部分である。このため、絶縁層１０の角部にフレーム３４ａと一体の部分、またはフレーム３４ａと別体のフレーム３４ｂを設けることがさらに好ましい。

なお、フレーム３４ａおよび３４ｂには、作業性の観点からフレーム３４ａおよび３４ｂを一体で接続するタイバー３６が設けられている。さらには、フレーム３４ａおよび３４ｂとリード３０および３２がタイバー３６で一体に接続されてもよい。タイバー３６はモジュールを実装固着してから切断してもよい。この場合、タイバー３６は矩形の絶縁層１０の外側に在ることが好ましい。このように、フレーム３４ａ、３４ｂ、リード３０、３２およびタイバー３６が一体でなる場合、リード３０、３２、フレーム３４ａ、３４ｂおよびタイバー３６の主材料は同じであり、例えば銅を主材料とする。また、リード３０、３２、フレーム３４ａ、３４ｂおよびタイバー３６の厚さは互いに略同じであるが、プレスなどを用いることにより、リード３０、３２、フレーム３４ａ、３４ｂおよびタイバー３６の厚さを異ならせることも可能である。これらの厚さは、例えば５０μｍから２００μｍである。

また、リード３０および３２が半田または導電ペースト等の接合層２６により絶縁層１０に固着され、フレーム３４ａおよび３４ｂが接着剤２４で絶縁層１０に固定される場合、リード３０および３２とフレーム３４ａおよび３４ｂは、別体としてもよい。図１（ａ）における上下方向に延伸するフレーム３４ａの部分３４ｃを中心に左右方向を見ると、左側にはリード３０が並び、右側には電子部品２０および２１が搭載されている。そしてリード３０と電子部品２０および２１は、電気的に接続される。しかしながら、電子部品２０は、パワートランジスタなどであり大電流を扱う。よって上下方向に延伸するフレーム３４ａの部分３４ｃと絶縁層１０との間に配線を通過させるのは好ましくない。配線が発熱すると、フレーム３４ａが直接加熱され、フレーム３４ａが歪むためである。実施例１では、リード３０が接合する金属層１８と、電子部品２０および２１と、は、貫通孔１６を介して絶縁層１０の下面の金属層１４に接続される。金属層１４は絶縁層１０の下面でフレーム３４ａと交差する。これにより、フレーム３４ａの歪を抑制できる。

図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの側面図である。図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、リード３０および３２は、封止部材４０から外に延伸する。図１（ａ）に示すように、フレーム３４ａおよび３４ｂには、タイバー３６が設けられ、フレーム３４ａおよび３４ｂが絶縁層１０に装着してからタイバー３６が切断される。このため、タイバー３６は封止部材４０の側面から露出する。また、タイバー３６は、封止部材４０の直ぐ外側で切断されるため、封止部材４０とタイバー３６の側面は略同一平面であるが、実際はタイバー３６の側面は封止部材４０の側面から若干突出している。図１（ｂ）のように、リード３０と３２とで、接合層２６に接合する面の高さが異なる場合、リード３０および３２の段差を異ならせることで、図２（ａ）のように、封止部材４０から引き出されるリード３０と３２との高さをほぼ同じにできる。

図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、絶縁層１０の上面には、金属層１８が形成されている。図３（ａ）における左側の金属層１８は、リード３０用であり、右側の金属層１８は、電子部品２１用である。続いて絶縁層１０上に電子部品２０を搭載する。電子部品２０は半導体素子である。電極２２ａに対応する絶縁層１０の部分には、貫通孔１６が形成され、下面からめっき法により金属層１４が被膜され、パターニングされて金属層１４が形成される。そして金属層１８には、ロウ材または導電ペースト等で電子部品２１が固着される。

続いて、図３（ｂ）に示すように、金属層１８および電子部品２０上に、半田または導電性ペーストからなる接合層２６を形成し、絶縁層１０上には接着剤２４が設けられる。

さらに、図３（ｃ）に示すように、接合層２６上にリード３０および３２を接合し、接着剤２４上にフレーム３４ａおよび３４ｂを接合する。なお、フレーム３４ａおよび３４ｂを固着して、シートである絶縁層１０の平坦性を維持しながらリード３０および３２を搭載させる。特に接合層２６がロウ材である場合、熱が加えられるため、接着剤２４は、耐熱性の樹脂か、導電ペーストまたはロウ材が好ましい。フレーム３４ａおよび３４ｂで絶縁層１０が固定され平坦性が維持された状態でリード３０、３２が搭載できるからである。

図４から図５（ｂ）は、図３（ｃ）においてリードフレーム３５を搭載する方法を示す平面図である。リードフレーム３５は、周りを囲む枠体３８、この枠体３８（細条ともいう）の内側に、リード３０、３２、フレーム３４ａ、３４ｂおよびタイバー３６を有する。リング状の枠体３８の内側において枠体３８はリード３０および３２の一端と一体となる。リード３０および３２の他端は、金属層１８との接続部となる。またフレーム３４ａおよび３４ｂはタイバー３６を介して枠体３８の内側と一体となる。なお、タイバー３６は、これ以外にも設けられ、夫々のフレームおよびリードが暴れないように配置されてもよい。これにより、リード３０、３２、フレーム３４ａおよび３４ｂが分散されることを抑制できる。リードフレーム３５は、例えば打ち抜き法またはエッチング法により形成する。

このリードフレーム３５は、図４から図５（ｂ）では、図面の都合上、５ユニットが横に並んであり、絶縁層１０も５ユニットが並んだ大判の絶縁層１０が用意される。そして夫々が位置合わせされている。ユニットは５以上でもよい。リード３０の他端は、金属層１８に、リード３２の他端は、電子部品２０の上面に位置合わせされる。さらにはフレーム３４ａおよび３４ｂは、図１（ａ）のように、絶縁層１０の側辺に、フレーム３４ａの一部は、左側の金属層１８の列と右側の金属層１８の列との間に配置される。リード３０および３２を配置する金属層１８および電子部品２０の上面には、半田等の接合層２６が設けられ、フレーム３４ａおよび３４ｂに相当する絶縁層１０には接着剤２４が設けられ、リードフレーム３５と絶縁層１０とが固定される。好ましくは、熱処理により先にフレーム３４ａおよび３４ｂ用の接着剤２４が硬化され、絶縁層１０の平坦性を維持し、続いて半田等の接合層２６によりリード３０および３２が固定されることが好ましい。

なお、リード３０および３２とフレーム３４ａおよび３４ｂとは、夫々別の枠体で一体化して用意し、先にフレーム３４ａおよび３４ｂを接着剤２４で絶縁層１０に固着し、続いてリード３０および３２を接合層２６で絶縁層１０に固定してもよい。これらの色々な方法により、リード３０、３２、フレーム３４ａおよび３４ｂは、絶縁層１０に固定される。

図５（ａ）に示すように、封止工程がある。ここでは、絶縁層１０上の電子部品２０、２１、リード３０、３２、フレーム３４ａおよび３４ｂを封止部材４０により封止する。封止部材４０は、例えばトランスファーモールド法、ポッテング法、コンプレッションモールド法または真空印刷法等を用い形成する。ここでは、図１（ａ）に示すように、フレーム３４ａおよび３４ｂで基板である絶縁層１０の平坦性を維持しながら電子部品２０および２１等が封止される。よって封止部材４０の下面に露出する金属層１４の平坦性が維持され、マザーボードへの実装性が向上する。

図５（ｂ）に示すように、リード３０および３２と枠体３８は、切断線５０および５２のところで切断される。これにより、図１（ａ）から図２（ｂ）の実施例１に係るモジュールが製造できる。タイバー３６は、封止部材４０の側面と面一で切断することが好ましい。

絶縁層１０が可撓性を有するので、変形しやすい。このため、電子部品２０および２１を封止部材４０で封止するときに、絶縁層１０が変形すると、リード３０および３２が平坦に搭載できなかったり、封止部材４０の下面の電極である金属層１４が全て面一で形成できず、モジュールが不良となったり、マザーボードへの実装性が悪化する可能性がある。また、封止部材４０を形成しない状態では、これらの問題が更に顕著となり、モジュールが不良となる可能性が増大する。

フレーム３４ａおよび３４ｂは絶縁層１０の補強のために設けられている。よって、フレーム３４ａおよび３４ｂは、絶縁層１０上においてリード３０、３２および電子部品２０および２１と電気的に接続されていない。フレーム３４ａおよび３４ｂは例えばグランド等に電気的に接続されていてもよい。

図１（ａ）のように、絶縁層１０の平面形状は略矩形である。フレーム３４ａ、３４ｂ、リード３０および３２を、図１（ａ）における上下方向（側方から）にみたとき、電子部品２０、２１、フレーム３４ａ、３４ｂ、リード３０および３２が重なる領域は絶縁層１０の左右方向の両辺の間に連続して設けられている。これにより、絶縁層１０が変形することを抑制できる。フレーム３４ａ、３４ｂ、リード３０および３２を、左右方向にみたとき、フレーム３４ａは絶縁層１０の上下方向の両辺の間に連続して設けられている。これにより、絶縁層１０が変形することを抑制できる。

フレーム３４ａおよび３４ｂの一部は矩形の角部近傍に設けられている。これにより、絶縁層１０が角部において、変形することをより抑制できる。フレーム３４ａおよび３４ｂは絶縁層１０の４角部近傍全てに設けられることが好ましい。フレーム３４ａおよび３４ｂは、角部で交わる２辺に沿って延伸することが好ましい。これにより、角部における絶縁層１０の変形をより抑制できる。

図５（ａ）のように、リード３０、３２およびタイバー３６を枠体３８から切断する前に、電子部品２０、２１、リード３０、３２、フレーム３４ａおよび３４ｂを封止部材４０で封止する。これにより、封止工程において絶縁層１０が変形することを抑制できる。

［実施例１の変形例１］
図６は、実施例１の変形例１に係るモジュールの断面図である。図６に示すように、リード３０は接着剤２４により絶縁層１０の上面に接合されていてもよい。リード３０と金属層１８とは金属細線２５（ボンディングワイヤ）により電気的に接続されていてもよい。電子部品２０が集積回路または横型のトランジスタの場合、上面にリード３２が設けられていなくてもよい。この場合、図１（ａ）のフレーム３４ａは電子部品２０および２１を完全に囲ってもよい。これにより、電子部品２０および２１付近の絶縁層１０の変形を抑制できる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。前述のように、電子部品２０とリード３０は、絶縁層１０の下面に設けた金属層１４で電気的に接続される。

［実施例１の変形例２］
図７（ａ）から図８（ｂ）は、実施例１の変形例２から５に係るモジュールの平面図である。図７（ａ）に示すように、実施例１の変形例２では、フレーム３４ａは電子部品２０および２１を囲むフレーム３４ａのみ設けられ、図１（ａ）のフレーム３４ｂは設けられていない。実施例１の変形例２のように、絶縁層１０の４つの角部の一部にフレーム３４ｂは設けられていなくともよい。

［実施例１の変形例３］
図７（ｂ）に示すように、実施例１の変形例３では、点線で囲んだ楕円である領域５４に図７（ｂ）における左方向に伸びるフレーム３４ａの一部分が設けられていない。フレーム３４ａ、３４ｂ、リード３０および３２を、上下方向からみたとき、フレーム３４ａ、３４ｂ、リード３０および３２が重なる領域は絶縁層１０の左右方向の両辺の間に一部隙間（領域５４付近）があってもよい。電子部品２０および２１を囲むフレーム３４ａは複数に分割されていてもよい。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

［実施例１の変形例４］
図８（ａ）に示すように、実施例１の変形例４では、電子部品２０および２１を囲むフレーム３４ａが複数に分割されている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

［実施例１の変形例５］
図８（ｂ）に示すように、実施例１の変形例５では、フレーム３４ａは一体で設けられている。フレーム３４ａを、図８（ｂ）における上下方向からみたとき、フレーム３４ａは絶縁層１０の左右方向の両辺の間に連続して設けられている。これにより、絶縁層１０の変形をより抑制できる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

［実施例１の変形例６から８］
図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例１の変形例６から８に係るモジュールの断面図である。図９（ａ）に示すように、リードフレーム３５を打ち抜き法を用いて加工すると、リード３０、３２、フレーム３４ａおよび３４ｂの端にバリ４２が形成される。バリ４２の高さＨ１は例えば５０μｍとなることもある。実施例１の変形例６のように、バリ４２が絶縁層１０側に設けられていると、バリ４２が絶縁層１０を貫通し金属層１４と短絡する可能性がある。これは、本実施例の絶縁層１０が非常に薄いポリイミド膜であるためである。

図９（ｂ）に示すように、実施例１の変形例７では、リード３０、３２、フレーム３４ａおよび３４ｂの端に形成されたバリ４２は絶縁層１０と反対側に設けられている。これにより、バリによるリード３０、３２、フレーム３４ａまたは３４ｂと金属層１４との電気的な短絡を抑制できる。

図９（ｃ）に示すように、実施例１の変形例８では、リード３０、３２、フレーム３４ａおよび３４ｂの端に形成されたバリ４２は絶縁層１０側に設けられ、リード３０、３２、フレーム３４ａおよび３４ｂと絶縁層１０はバリ４２の高さＨ１以上離れている。リード３２が電子部品２０の上面からある程度の高さを持って水平に延伸する場合、バリ４２は、下向きにあっても絶縁層１０との距離を確保できる。一方、リード３０が金属層１８から水平に延伸する場合、絶縁層１０との距離が小さい。よって、リード３０の下にスペーサとなる電極または金属の塊を設ける。これにより、リード３０と絶縁層１０との間の距離を大きくできるため、バリ４２が絶縁層１０に接することを抑制できる。リード３０、３２、フレーム３４ａおよび３４ｂと絶縁層１０との距離Ｈ２は例えば５０μｍ以上である。これより、バリによるリード３０、３２、フレーム３４ａまたは３４ｂと金属層１４との電気的な短絡を抑制できる。

［実施例１の変形例９］
図１０は、実施例１の変形例９に係るモジュールの平面図である。図１０に示すように、絶縁層１０上に電子部品２０ａ、２０ｂおよび２１が搭載されている。電子部品２０ａは例えばＧａＮトランジスタまたはＳｉＣトランジスタである。電子部品２０ｂは例えば集積回路であり、電子部品２０ａ等のパワー素子を駆動するドライバである。

実施例１の変形例９では、パワートランジスタ等の電子部品２０ａと電極の多い制御用の集積回路である電子部品２０ｂが絶縁層１０上に集積化し設けられている。電子部品２０ｂが絶縁層１０にフェイスダウンで実装される場合、電子部品２０ｂの下面には、ＢＧＡ（Ball grid array）のような外部接続端子が多数設けられている。絶縁層１０が反っていると電子部品２０ｂの外部接続端子の中に絶縁層１０との接合性が低下する接続端子が生じる可能性がある。このように、絶縁層１０上への電子部品２０ｂの実装性が低下する。実施例１の変形例９では、フレーム３４ａおよび３４ｂで絶縁層１０の平坦性を維持できるので、絶縁層１０上への電子部品２０ｂの実装性を向上できる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 絶縁層
１２、２４ 接着剤
１４、１８ 金属層
２０、２０ａ、２０ｂ、２１ 電子部品
２２ａ、２２ｂ、２３ 電極
２６ 接合層
３０、３２ リード
３４ａ、３４ｂ フレーム
３５ リードフレーム
３６ タイバー
３８ 枠体
４０ 封止部材

Claims (10)

1. 電子部品が搭載され可撓性を有する樹脂絶縁層と、
   前記樹脂絶縁層に接合され前記電子部品と電気的に接続されたリードと、
   前記樹脂絶縁層における前記電子部品を囲む少なくとも一部の領域に接合されたフレームと、
   を備えるモジュール。
2. 前記フレームは前記リードと略同じ材料および略同じ厚さを有する請求項１に記載のモジュール。
3. 前記フレームは前記リードおよび前記電子部品と電気的に接続されていない請求項１または２に記載のモジュール。
4. 前記樹脂絶縁層の平面形状は略矩形であり、前記電子部品、前記フレームおよび前記リードを側方からみたとき、前記電子部品、前記フレームおよび前記リードが重なる領域は前記樹脂絶縁層の両辺の間に連続して設けられている請求項１から３のいずれか一項に記載のモジュール。
5. 前記樹脂絶縁層の平面形状は略矩形であり、前記フレームの一部は前記略矩形の角部近傍に設けられている請求項１から４のいずれか一項に記載のモジュール。
6. 前記電子部品、前記リードおよび前記フレームを封止する封止部材を備え、
   前記封止部材から前記リードと前記フレームに接続するタイバーとが露出する請求項１から５のいずれか一項に記載のモジュール。
7. 前記リードおよび前記フレームの端に形成されたバリは前記樹脂絶縁層と反対側に設けられている請求項１から６のいずれか一項に記載のモジュール。
8. 前記リードおよび前記フレームの端に形成されたバリは前記樹脂絶縁層側に設けられ、前記リードおよび前記フレームと前記樹脂絶縁層は前記バリの高さ以上離れている請求項１から７のいずれか一項に記載のモジュール。
9. 枠体と、電子部品と電気的に接続されるリードと、前記電子部品を囲む少なくとも一部の領域に接合されるフレームと、前記フレームと前記枠体を接続するタイバーと、を備えるリードフレームのうち、前記リードと前記フレームを、前記電子部品が搭載され可撓性を有する樹脂絶縁層に接合する工程と、
   前記リードおよび前記タイバーを前記枠体から切断する工程と、
   を含むモジュールの製造方法。
10. 前記リードおよび前記タイバーを前記枠体から切断する工程の前に、前記電子部品、前記リードおよび前記フレームを封止部材で封止する工程を含む請求項９に記載のモジュールの製造方法。

Images