JP2016149516A

JP2016149516A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2016149516A
Application number: JP2015092059A
Authority: JP
Inventors: 井剛福; Takeshi Fukui
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2015-02-05
Filing date: 2015-04-28
Publication date: 2016-08-18

Abstract

【課題】コネクタの金属放熱板を半導体チップの上部電極のサイズより大きくすることを可能とする半導体装置を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体装置は、第１金属部を備えている。半導体チップは、第１金属部上に搭載され上面に第１電極を有する。半田は、半導体チップの第１電極上に設けられている。コネクタは、半田上に設けられ第１電極に対向する第１面において半田の周囲に設けられた第１部分を有する。第１部分における半田との接触角がコネクタの第１部分以外の領域における半田との接触角よりも大きい。樹脂は、半導体チップの周囲に設けられている。【選択図】図１

Description

本発明による実施形態は、半導体装置に関する。

近年、半導体パッケージの熱抵抗を低減させるために、コネクタの金属放熱板を封止樹脂から露出させる半導体パッケージが開発されている。また、熱抵抗をさらに低減させるために、半導体チップよりも大きな金属放熱板を半導体チップ上に搭載した半導体パッケージも開発されている。

しかし、半田のリフロー時に、半導体チップがリードフレームと金属放熱板との間で移動可能となる。このとき、コネクタの金属放熱板が半導体チップの上部電極のサイズより大きいと、金属放熱板が半導体チップの位置を制限または固定することができなくなってしまう。この場合、金属放熱板において半田が半導体チップの上部電極のサイズよりの広い範囲に流れて広がると、半導体チップの位置がリードフレームと金属放熱板との間においてずれてしまい、あるいは、半導体チップがリードフレームと金属放熱板との間において傾斜するおそれもある。

また、コネクタの金属放熱板を大型化すると、リフローにおいて、半田および樹脂にかかる熱応力が増大する。この場合、信頼性試験（例えば、ＴＣＴ(Thermal Cycle Test)、ＴＦＴ(Thermal Fatigue Test)、ＰＣＴ(Pressure Cooker Test) 等）のレベルが低下するおそれがある。さらに、実装時や製品の取り扱い時に半導体チップに衝撃がかかり、不良を引き起こすおそれがある。

特開２００５−２８６１８７号公報

半導体チップの電極上に平面サイズの大きな金属放熱板を搭載でき、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供する。

本実施形態による半導体装置は、第１金属部を備えている。半導体チップは、第１金属部上に搭載され上面に第１電極を有する。半田は、半導体チップの第１電極上に設けられている。コネクタは、半田上に設けられ第１電極に対向する第１面において半田の周囲に設けられた第１部分を有する。第１部分における半田との接触角がコネクタの第１部分以外の領域における半田との接触角よりも大きい。樹脂は、半導体チップの周囲に設けられている。

第１の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す平面図および断面図。第１刻印部７１の構成の一例を示す断面図。第２の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す平面図および断面図。半田５１の接触角を示す図。

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。

（第１の実施形態）
図１（Ａ）および図１（Ｂ）は、第１の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す平面図および断面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面を示す。

半導体装置１は、リードフレーム１０〜１２と、半導体チップ２０と、ソースコネクタ３１と、ゲートコネクタ３２と、樹脂４０と、半田５０〜５２と、メッキ６０と、刻印部７０〜７３とを備えている。

第１金属部としてのリードフレーム（ベッド）１０は、その上方に半導体チップ２０を搭載する。リードフレーム１０は、樹脂４０に被覆されているが、その一部（１０ｐ）が樹脂４０から突出している。リードフレーム１０の突出部１０ｐは、樹脂４０から突出しており、ドレイン端子として機能する。リードフレーム１０は、例えば、半導体チップ３０の裏面に設けられたドレイン電極に電気的に接続されており、ドレイン端子として機能する。

第２金属部としてのリードフレーム（ポスト）１１は、リードフレーム１０と離間しており、樹脂４０によってリードフレーム１０と電気的に絶縁されている。リードフレーム１１は、ソースコネクタ３１を介して半導体チップ２０の上面に設けられたソース電極（第１電極）２１に電気的に接続されている。リードフレーム１１の突出部１１ｐは、樹脂４０から突出しており、ソース端子として機能する。

リードフレーム１２は、リードフレーム１０、１１と離間しており、樹脂４０によってリードフレーム１０、１１と電気的に絶縁されている。リードフレーム１２は、ゲートコネクタ３２を介して半導体チップ２０のゲート電極２２に電気的に接続されている。リードフレーム１２の突出部１２ｐは、樹脂４０から突出しており、ゲート端子として機能する。リードフレーム１０〜１２には、例えば、銅、ニッケルメッキされた銅、銀メッキされた銅、金メッキされた銅、銅合金、または、アルミニウム等の低抵抗かつ熱伝導率の高い金属を用いている。

半導体チップ２０は、半導体基板上に任意の半導体素子を備えている。例えば、半導体チップ２０は、その裏面に半導体素子のドレインを有し、その表面に半導体素子のソース２１およびゲート電極２２を有する。図１（Ｂ）に示すように、半導体チップ２０は、リードフレーム１０の上方に配置されており、半田５０によって固定されている。半田５０は、リードフレーム１０と半導体チップ２０との間に設けられている。

ソースコネクタ３１は、半導体チップ２０のソース電極（第１電極）２１の上方に設けられており、図１（Ｂ）に示すように半田５１によって固定されている。半田５１は、半導体チップ２０とソースコネクタ３１との間に設けられている。また、ソースコネクタ３１は、半田５２によってリードフレーム１１と接続されている。半田５２は、ソースコネクタ３１とリードフレーム１１との間に設けられている。これにより、ソースコネクタ３１は、半導体チップ２０のソース電極２１とリードフレーム１１とを電気的に接続する。このように、ソースコネクタ３１は、半導体チップ２０のソース電極２１に半田５１を介して接続されるベッド側コネクタ３１ａと、リードフレーム１１に半田５２を介して接続されるポスト側コネクタ３１ｂとを含む。本実施形態では、ソース電極２１に対向するベッド側コネクタ３１ａの面（第１面）Ｆ１の面積は、ソース電極２１の面積より広い。また、樹脂４０から露出されメッキ６０で被覆されているベッド側コネクタ３１ａの上面の面積もソース電極２１の面積より広い。これにより、ベッド側コネクタ３１ａは、高い放熱性を有する。さらに、ベッド側コネクタ３１ａの厚みは、図１（Ｂ）に示すように比較的厚く、ポスト側コネクタ３１ｂの厚みは、ベッド側コネクタ３１ａに比べて薄い。

ゲートコネクタ３２は、半導体チップ２０のゲート電極２２上に設けられており半田（図示せず）によって固定されている。また、ゲートコネクタ３２は、半田（図示せず）によってリードフレーム１２と接続されている。これにより、ゲートコネクタ３２は、半導体チップ２０のゲート電極２２とリードフレーム１２とを電気的に接続する。ゲートコネクタ３１、３２には、例えば、銅、ニッケルメッキされた銅、銀メッキされた銅、金メッキされた銅、銅合金、または、アルミニウム等の低抵抗かつ熱伝導率の高い金属を用いている。

樹脂４０は、半導体チップ２０の周囲、半田５０〜５２の周囲を封止し、リードフレーム１０〜１２およびコネクタ３１、３２を部分的に被覆している。これにより、樹脂４０は、半導体チップ２０および半田５０〜５２を保護し、ドレイン、ソースおよびゲートを相互に絶縁する。リードフレーム１０〜１２およびコネクタ３１、３２の一部は、樹脂４０から露出されており、メッキ６０で被覆されている。

メッキ６０は、樹脂４０から露出されたリードフレーム１０〜１２、コネクタ３１、３２を被覆する。メッキ６０は、リードフレーム１０〜１２、コネクタ３１、３２を腐食から保護し、かつ、見栄えを良くする。メッキ６０は、放熱性を向上させるために、樹脂４０の表面よりも外側へ張り出している。尚、メッキ６０は、外部からの衝撃を半導体チップ２０へ与えないように、樹脂４０の表面よりも内側に窪んでいてもよい。この場合、メッキ６０の上には、グリース等の衝撃緩衝材が塗布されていてもよい。

ここで、本実施形態によるソースコネクタ３１は、第１部分としての第１刻印部７１を有する。図１（Ｂ）に示すように、第１刻印部７１は、ソース電極２１と対向するベッド側コネクタ３１ａの第１面（裏面）Ｆ１に設けられている。第１刻印部７１は、ソースコネクタ３１の第１面Ｆ１において半田５１の周囲に設けられている。第１刻印部７１は、ソースコネクタ３１よりも半田５１をはじきやすい性質を有する。即ち、第１刻印部７１は、半田５１と接触するソースコネクタ３１の部分と比べて半田５１に濡れ難く、半田５１に対して濡れ性が悪い。さらに換言すると、第１刻印部７１における半田５１との接触角は、ソースコネクタ３１の第１刻印部７１以外の領域における半田５１との接触角よりも大きい。

例えば、ソースコネクタ３１を半田５１上に搭載した後、半導体チップ２０をリードフレーム１０とソースコネクタ３１との間に挟んだ状態で加圧しながら半田５０〜５２をリフローする。このとき、もし、半田５１がソースコネクタ３１の第１面Ｆ１上をソース電極２１の外部へ流れ出すと、半田５１とともに半導体チップ２０の位置がずれ、あるいは、半導体チップ２０が傾斜するおそれがある。

一方、本実施形態では、第１刻印部７１がベッド側コネクタ３１ａの第１面Ｆ１に設けられている。これにより、半田５１は、ソース電極２１とソースコネクタ３１との間において、第１刻印部７１で囲まれたソースコネクタ３１の領域Ｒ７１の内側に抑制され、領域Ｒ７１の外側にはみ出し難くなる。第１刻印部７１は、図１（Ａ）の破線で示すように、半導体チップ２０のソース電極２１の平面形状と略相似の形状を有する。半導体チップ２０の表面上方から見たときに、領域Ｒ７１の平面形状の中心または重心は、ソース電極２１の平面形状の中心または重心とほぼ一致する。従って、半田５１の広がる範囲は、ソース電極２１の平面形状の範囲内（第１刻印部７１で囲まれた平面形状の範囲内）に抑制される。

第１刻印部７１は、例えば、図２に示すように、溝ＴＲ７１と、溝ＴＲ７１の表面を被覆する酸化膜ＯＸ７１とからなる。図２は、第１刻印部７１の構成の一例を示す断面図である。第１刻印部７１は、例えば、レーザ等を用いてソースコネクタ３１の裏面を加工することによって形成される。レーザは、ソースコネクタ３１を削ることによって溝ＴＲ７１を形成し、かつ、溝ＴＲ７１の内表面を酸化することによってソースコネクタ３１の酸化膜ＯＸ７１を形成する。例えば、ソースコネクタ３１の材料が銅である場合、酸化膜ＯＸ７１は、酸化銅である。酸化銅は、銅よりも半田５１に対して濡れ性が悪い。従って、第１刻印部７１は、領域Ｒ７１以外のソースコネクタ３１の裏面に半田５１がはみ出すことを抑制することができる。第１刻印部７１の幅は、例えば、約１０〜５０μｍでよい。尚、第１刻印部７１の他の材料（例えば、ニッケルメッキされた銅、銀メッキされた銅、金メッキされた銅、銅合金、または、アルミニウム等）についても同様のことが言える。このように本実施形態による半導体装置１は、第１刻印部７１を有するソースコネクタ３１を備えている。上述のように、第１刻印部７１は、半田５１の広がる範囲をソース電極２１の平面形状の範囲内に抑制することができる。従って、ベッド側コネクタ３１ａの第１面Ｆ１の面積をソース電極２１の表面の面積よりも大きくしても、半田５１はソース電極２１からはみ出さない。これにより、樹脂４０から露出されるソースコネクタ３１の部分の面積（金属放熱板の面積）は、ソース電極２１の面積または半導体チップ２０の面積より大きくすることができる。その結果、本実施形態による半導体装置１は、半導体チップ２０からの熱を高効率で発散させることができる。即ち、本実施形態による半導体装置１は、従来よりも熱抵抗を低くすることができる。尚、樹脂４０から露出されるソースコネクタ３１の部分の面積は、ソースコネクタ３１のベッド側コネクタ３１ａの上面の面積よりも小さくてもよい。これにより、樹脂４０とソースコネクタ３１との接触面積が増大し、半導体装置１の信頼性を向上させることができる。

また、半田５１の広がる範囲を領域Ｒ７１内に抑制することによって、半田５１が領域Ｒ７１の外へ流出し難くなるので、ソースコネクタ３１の配置がリフローにおいても自己整合的に決定される。よって、ソースコネクタ３１の位置精度が向上する。また、リフローにおいて、半導体チップ２０をソースコネクタ３１およびリードフレーム１０〜１２に対して略平行（水平）に維持することができる。これにより、ソースコネクタ３１とリードフレーム１１との間のオープン不良、あるいは、ソースコネクタ３１と他の部材とショート不良を抑制することができる。また、半田５１が領域Ｒ７１内に留まることによって、半田５１の厚みを比較的厚くすることができる。半田５１が厚いと、応力耐性が向上するので、半導体装置１の信頼性（例えば、ＴＣＴ、ＴＦＴ、ＰＣＴ等）がさらに向上する。

また、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、ソースコネクタ３１は、その裏面にコイニング（第１溝）７８を有する。コイニング７８は、ソースコネクタ３１の裏面において半田５１との接触領域Ｒ７１以外の領域に設けられている。コイニング７８の深さは、例えば、約１００μｍでよい。コイニング７８には、樹脂４０が充填されている。これにより、樹脂４０とソースコネクタ３１との接触面積が増大し、アンカー効果により、樹脂４０とソースコネクタ３１との密着性が向上する。その結果、耐リフロー性、耐温度サイクル性、耐湿性等の信頼性試験のレベルを向上させることができる。

さらに、ソースコネクタ３１は、第２部分としての第２刻印部７２を有する。図１（Ｂ）に示すように、第２刻印部７２は、第２金属部としてのリードフレーム１１と対向するポスト側コネクタ３１ｂの面（第２面）Ｆ２に設けられている。第２刻印部７２は、第１刻印部７１と同様に、ソースコネクタ３１よりも半田５２をはじきやすい性質を有する。即ち、第２刻印部７２は、半田５２と接触するソースコネクタ３１の部分と比べて半田５２に濡れ難く、半田５２に対して濡れ性が悪い。さらに換言すると、第２刻印部７２における半田５２との接触角は、ソースコネクタ３１の第２刻印部７２以外の領域における半田５２との接触角よりも大きい。これにより、半田５２は、ポスト側コネクタ３１ｂとリードフレーム１１との間において、第２刻印部７２で囲まれたソースコネクタ３１の領域Ｒ７２の内側に抑制され、領域Ｒ７２の外側にはみ出し難くなる。即ち、半田５２の広がる範囲は、ポスト側コネクタ３１ｂのうち第２刻印部７２で囲まれた領域Ｒ７２内に抑制される。半田５２の広がる範囲を領域Ｒ７２内に抑制することによって、半田５２が領域Ｒ７２の外へ流出し難くなるので、ソースコネクタ３１の配置がリフローにおいて自己整合的に決定され、ソースコネクタ３１の位置精度が向上する。また、半田のリフローにおいて、半導体チップ２０をソースコネクタ３１およびリードフレーム１０〜１２に対して略平行（水平）に維持することができる。これにより、ソースコネクタ３１とリードフレーム１１との間のオープン不良、あるいは、ソースコネクタ３１と他の部材とショート不良を抑制することができる。また、半田５２が領域Ｒ７２内に留まることによって、半田５２の厚みを比較的厚くすることができる。半田５２が厚いと、応力耐性が向上するので、半導体装置１の信頼性がさらに向上する。

また、第２刻印部７２は、図１（Ａ）の破線で示すように、ソースコネクタ３１のポスト側コネクタ３１ｂの平面形状を複数に分割した形状を有する。このように、半田５２は、ポスト側コネクタ３１ｂとリードフレーム１１との間において複数に分割されている。これにより、応力により発生するクラックが半田５２の一部に発生しても、そのクラックは、半田５２の他の部分に伝搬し難くなる。これにより、半導体装置１の信頼性が向上する。尚、第２刻印部７２の構成は、図２に示す第１刻印部７１のそれと同様でよい。

さらに、図１（Ｂ）に示すように、第１金属部としてのリードフレーム１０は、第３部分としての第３刻印部７０を有する。第３刻印部７０は、半導体チップ２０と対向する面（第３面）Ｆ３に設けられている。第３刻印部７０は、リードフレーム１０よりも半田５０をはじきやすい性質を有する。即ち、第３刻印部７０は、半田５０と接触するリードフレーム１０の部分と比べて半田５０に濡れ難く、半田５０に対して濡れ性が悪い。さらに換言すると、第３刻印部７０における半田５０との接触角は、リードフレーム１０の第３刻印部７０以外の領域における半田５０との接触角よりも大きい。これにより、半田５０は、リードフレーム１０と半導体チップ２０との間において、第３刻印部７３で囲まれた領域の内側に抑制され、その領域の外側にはみ出し難くなる。このように、半田５０の広がる範囲を制限することによって、半田５０がその範囲外へ流れ出し難くなる。これにより、半導体チップ２０の配置がリフローにおいて自己整合的に決定され、半導体チップ２０の位置精度が向上する。また、リフローにおいて、半導体チップ２０をソースコネクタ３１およびリードフレーム１０〜１２に対して略平行（水平）に維持することができる。これにより、半導体チップ２０とリードフレーム１０との間のオープン不良、半導体チップ２０とソースコネクタ３１との間のオープン不良、あるいは、半導体チップ２０と他の部材とショート不良を抑制することができる。また、半田５０の広がる範囲を制限することによって、半田５０の厚みを比較的厚くすることができる。半田５０が厚いと、応力耐性が向上するので、半導体装置１の信頼性がさらに向上する。尚、第３刻印部７０の断面形状は、図２に示す第１刻印部７１のそれと同様でよい。

さらに、図１（Ｂ）に示すように、第２金属部としてのリードフレーム１１は、第４部分としての第４刻印部７３を有する。第４刻印部７３は、ソースコネクタ３１のポスト側コネクタ３１ｂと対向する面（第４面）Ｆ４に設けられている。第４刻印部７３は、リードフレーム１１よりも半田５２をはじきやすい性質を有する。即ち、第４刻印部７３は、半田５２と接触するリードフレーム１１の部分と比べて半田５２に濡れ難く、半田５２に対して濡れ性が悪い。さらに換言すると、第４刻印部７３における半田５２との接触角は、リードフレーム１１の第４刻印部７３以外の領域における半田５２との接触角よりも大きい。これにより、半田５２は、ポスト側コネクタ３１ｂとリードフレーム１１との間において、第４刻印部７３で囲まれた領域の内側に抑制され、その領域の外側にはみ出し難くなる。このように、半田５２の広がる範囲を制限することによって、半田５２がその範囲外へ流れ出し難くなる。また、第４刻印部７３は、第２刻印部７２に対向するように設けられていてもよい。即ち、第４刻印部７３は、リードフレーム１１の上面上において複数に分割され、第２刻印部７２と同様の形状を有していてもよい。これにより、第４刻印部７３は、第２刻印部７２と同様の効果を有することができる。第２刻印部７２および第４刻印部７３の両方を設けることによって、半導体装置１の信頼性をより一層向上させることができる。

（第２の実施形態）
図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、第２の実施形態による半導体装置１の構成の一例を示す平面図および断面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面を示す。第２の実施形態は、ソースコネクタ３１のポスト側コネクタ３１ｂがベッド側コネクタ３１ａと略等しい厚みを有する点で第１の実施形態と異なる。即ち、ソースコネクタ３１は、全体としてディスク状であり、リードフレーム１０の上方の部分と、リードフレーム１１の上方の部分とで厚みが略等しい。第２の実施形態による半導体装置１のその他の構成は、第１の実施形態による半導体装置１の対応する構成と同様でよい。

このように、ポスト側コネクタ３１ｂの厚みをベッド側コネクタ３１ａのそれと略等しくすることによって、樹脂４０から露出されるソースコネクタ３１の部分の面積（金属放熱板の面積）は、さらに大きくなる。これにより、第２の実施形態による半導体装置１は、半導体チップ２０からの熱をさらに高効率で発散させることができる。第２の実施形態は、さらに第１の実施形態の効果を得ることができる。

尚、半田の接触角は、溶融した液体半田を固体材料（例えば、第１〜第４刻印部７０〜７３、ソースコネクタ３１、リードフレーム１１〜１２）の表面上に滴下し、半田と固体材料との接点において半田に接する第１接線と固体材料の表面とが成す角度（第１接線と固体材料の表面とが半田を挟む側の角度）を測定することにより得られる。例えば、図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、半田５１の接触角を示す図である。図４（Ａ）は、ソースコネクタ３１（またはリードフレーム１０、１１）の表面上に滴下した半田５１の接触角θ１を示す。図４（Ｂ）は、第１刻印部７１の表面上に滴下した半田５１の接触角θ２を示す。このように、第１刻印部７１の表面上に滴下した半田５１の接触角θ２は、ソースコネクタ３１の表面上に滴下した半田５１の接触角θ１よりも大きい。同様に、第２〜第４刻印部７２、７０、７３の表面上に滴下した半田の接触角は、それぞれ、ソースコネクタ３１、リードフレーム１０、１１の表面上に滴下した半田の接触角よりも大きい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１・・・半導体装置、１０〜１２・・・リードフレーム、２０・・・半導体チップ、３１・・・ソースコネクタ、３２・・・ゲートコネクタ、４０・・・樹脂、５０〜５２・・・半田、６０・・・メッキ、７１・・・第１刻印部、７２・・・第２刻印部、７０・・・第３刻印部、７３・・・第４刻印部、７８・・・コイニング

Claims

第１金属部と、
前記第１金属部上に搭載され第１電極を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記第１電極上に設けられた半田と、
前記半田上に設けられ、前記第１電極に対向する第１面において前記半田の周囲に設けられた第１部分を有するコネクタであって、前記第１部分における前記半田との接触角が前記コネクタの前記第１部分以外の領域における前記半田との接触角よりも大きいコネクタと、
前記半導体チップの周囲に設けられた樹脂とを備えた半導体装置。
前記第１部分で囲まれた前記コネクタの領域の平面形状は、前記第１電極の平面形状と略相似の形状を有し、前記半導体チップの表面上方から見たときに、前記第１部分で囲まれた前記コネクタの領域の平面形状の中心または重心は、前記第１電極の平面形状の中心または重心とほぼ一致する、請求項１に記載の半導体装置。
前記半田は、前記第１部分で囲まれた前記コネクタの領域と前記第１電極との間に挟まれている、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
前記第１部分は、溝と、該溝の表面を被覆する酸化膜とを含む、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記樹脂から露出される前記コネクタの面積は、前記第１電極の面積または前記半導体チップの面積より大きい、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記コネクタは、前記第１面において前記半田との接触領域以外の領域に第１溝を有し、
前記樹脂は、前記第１溝内に設けられている、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記第１金属部から離間され、前記コネクタと電気的に接続される第２金属部をさらに備え、
前記コネクタは、前記第２金属部に対向する第２面に設けられた第２部分をさらに有し、前記第２部分における前記半田との接触角が前記コネクタの前記第１および第２部分以外の領域における前記半田との接触角よりも大きい、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記第１部分は、前記コネクタの酸化膜である、請求項１に記載の半導体装置。