JP2011510493A5 - - Google Patents
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Claims (17)
- 上面と下面とを有する基板と、
側面、中央区域、および当該中央区域の周囲の縁部を有するとともに、前記基板の前記上面に形成されたn型半導体材料層と、
前記n型半導体材料層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成されるp型半導体材料層と、
前記p型半導体材料層上に形成されたアノードと、
前記基板の前記下面に形成され、前記n型半導体材料層に接触する導電性材料と、
を含むことを特徴とするLED。 - 前記n型半導体材料層の前記縁部に沿って形成され、前記導電性材料に接触するカソードをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のLED。
- 前記n型半導体材料層では、前記縁部が前記中央区域よりも薄く当該縁部に段差が形成され、前記カソードが当該段差の上に形成されることを特徴とする、請求項2に記載のLED。
- 前記カソードが前記n型半導体材料層の前記側面に接触して前記基板上に形成されることを特徴とする、請求項2に記載のLED。
- 前記導電性材料および前記カソードが一体に形成されることを特徴とする、請求項2に記載のLED。
- 前記導電性材料がめっき金属または導電性接着剤であることを特徴とする、請求項1に記載のLED。
- 上面と下面とを有する基板と、
側面、中央区域、および当該中央区域の周囲の縁部を有するとともに、前記基板の前記上面に形成されたn型半導体材料層と、
前記n型半導体材料層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成されるp型半導体材料層と、
前記p型半導体材料層上に形成されたアノードと、
前記アノードに接続されるリード線と、
前記基板の前記下面に形成され、前記n型半導体材料層に接触する導電性材料と
を含み、
前記リード線および前記導電性材料が、外部回路に接続するのに使用されるリードフレームにそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする、LEDのパッケージ構造体。 - 前記n型半導体材料層の前記縁部に沿って形成され、前記導電性材料に接触するカソードをさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載のLEDのパッケージ構造体。
- 前記n型半導体材料層では、前記縁部が前記中央区域よりも薄く当該縁部に段差が形成され、前記カソードが当該段差の上に形成されることを特徴とする、請求項8に記載のLEDのパッケージ構造体。
- 前記カソードが前記n型半導体材料層の前記側面に接触して前記基板上に形成されることを特徴とする、請求項8に記載のLEDのパッケージ構造体。
- 前記導電性材料および前記カソードが一体に形成されることを特徴とする、請求項8に記載のLEDのパッケージ構造体。
- 前記導電性材料がめっき金属または導電性接着剤であることを特徴とする、請求項7に記載のLEDのパッケージ構造体。
- 基板を用意するステップと、
前記基板の上面にn型半導体材料層、発光層、およびp型半導体材料層を順次含むように積層構造体を形成するステップと、
前記n型半導体材料層の縁部が露出するまで、前記積層構造体の縁部を除去するべく、当該積層構造体の縁部をエッチングするステップと、
前記p型半導体材料層上に、リード線に接続するアノードを形成するステップと、
前記n型半導体材料層に接触し、且つ、前記リード線とともに外部回路に接続するのに使用されるリードフレームに電気的に接続するように、前記基板の前記下面に導電性材料を形成するステップと
を含むことを特徴とするLEDの製造方法。 - 前記エッチングするステップで、前記n型半導体材料層の前記縁部がエッチングされて前記n型半導体材料層の中央区域よりも薄くなることを特徴とする、請求項13に記載のLEDの製造方法。
- 前記エッチングするステップの後に、前記n型半導体の前記縁部の上に前記導電性材料に接触するようにカソードを形成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項13に記載のLEDの製造方法。
- 前記カソードを形成するステップにおいて、当該カソードが前記導電性材料と一体に形成されることを特徴とする、請求項13に記載のLEDの製造方法。
- 前記導電性材料を形成するステップにおいて、前記導電性材料がめっき金属または導電性接着剤であることを特徴とする、請求項13に記載のLEDの製造方法。
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