JP2016021592A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. ウェハレベルで半導体発光装置を製造する方法であって、
   成長基板の上に半導体構造を成長させ、前記半導体構造は、ｎ型領域とｐ型領域との間に配される発光層を有し、
   前記ｐ型領域の上に導電性ボンディング層を形成し、
   前記導電性ボンディング層を窓層にボンディングし、
   前記成長基板を除去して前記ｎ型領域を露出させ、
   前記ｎ型領域の露出された表面領域内又は露出された表面上に、前記窓層に向かって光を指向する光指向構造を形成し、
   前記半導体構造を貫いて前記導電性ボンディング層を露出させる開口を形成し、
   前記ｎ型領域に電気的に接続されるｎコンタクト及びｐ型領域に電気的に接続されるｐコンタクトを形成し、前記ｐコンタクトは、前記開口内に配されて、前記導電性ボンディング層に接続される、
   ことを有する方法。
2. 前記光指向構造を形成することは、多孔性半導体領域を形成することを有する、請求項１に記載の方法。
3. 前記光指向構造を形成することは、前記ｎ型領域内に多孔性領域を形成することを有する、請求項１に記載の方法。
4. 前記多孔性領域を形成することは、
   電気化学的な陽極エッチングを実行することと、
   前記電気化学的な陽極エッチングを実行することの後に、光化学的な陽極エッチングを実行することと
   を有する、請求項３に記載の方法。
5. 前記電気化学的な陽極エッチングは、前記多孔性領域の深さを決定し、前記光化学的な陽極エッチングは、前記電気化学的な陽極エッチング中に形成された孔を拡大する、請求項４に記載の方法。
6. 前記窓層は、波長変換構造、セラミック蛍光体、サファイア、ガラス、フィルタ、及び分布ブラッグ反射体のうちの１つである、請求項１に記載の方法。