CN104681684A - 一种发光器件及发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种发光器件及发光器件封装，该发光器件包括：发光结构，发光结构包括依次层叠设置的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，其中，第二导电型半导体层作为发光结构的出光面；第一电极，第一电极设置于第一导电型半导体层远离有源层的表面，且与第一导电型半导体层电连接；第一电极层，第一电极层设置于第二导电型半导体层远离有源层的表面，且与第二导电型半导体层电连接；第二电极，第二电极贯穿发光结构，并与第一电极层电连接；绝缘层，绝缘层设置于发光结构与第二电极之间。采用本发明，从发光器件底部引出电极，避免了引线对光线的遮挡和吸收，提高了出光率。

Description

一种发光器件及发光器件封装
技术领域
本发明涉及发光器件领域，尤其涉及一种发光器件以及发光器件封装。
背景技术
能源的可持续利用一直是社会关注的重点，科学家们正在研制各种低能耗、高性能的发光灯管以缓解当前面临的能源压力，其中，发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)在高效节能方面效果凸出，正在不断地向生活中各个领域普及。
现有技术中，发光器件比如LED发光芯片通常从发光面引线，以连接正负电极，然而，引线本身会对发光器件发出的光线产生吸收和遮挡，影响发光器件的光取出率。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于发光芯片通过引线连接电极，影响发光效率，提供一种发光器件及发光器件封装，避免了引线对光的吸收和遮挡，提高了发光器件的光取出率。
第一方面，本发明实施例提供一种发光器件，该发光器件包括：
发光结构，所述发光结构包括依次层叠设置的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，其中，所述第二导电型半导体层作为所述发光结构的出光面；
第一电极，所述第一电极设置于所述第一导电型半导体层远离所述有源层的表面，且与所述第一导电型半导体层电连接；
第一电极层，所述第一电极层设置于所述第二导电型半导体层远离所述有源层的表面，且与所述第二导电型半导体层电连接；
第二电极，所述第二电极贯穿所述发光结构，并与所述第一电极层电连接；
绝缘层，所述绝缘层设置于所述发光结构与所述第二电极之间。
结合第一方面，在第一种可能的实现方式中，所述发光器件还包括反射层，所述反射层设置于所述第一导电型半导体层远离所述有源层的表面，所述第一电极和所述第二电极贯穿所述反射层。
结合第一方面，在第二种可能的实现方式中，所述发光器件还包括透射层，所述透射层设置于所述第一电极层远离所述第二导电型半导体层的表面，所述透射层用于提高所述发光结构的光取出率。
结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述透射层远离所述第一电极层的表面为凹凸状。
结合第一方面，在第四种可能的实现方式中，所述发光器件还包括第二电极层，所述第二电极层设置于所述第一导电型半导体层远离所述绝缘层的表面，所述第一电极与所述第一导电型半导体层通过所述第二电极层电连接，所述第二电极贯穿所述第二电极层，所述绝缘层还设置于所述第二电极与所述第二电极层之间。
结合第一方面的第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述发光器件还包括反射层，所述反射层设置于所述第二电极层远离所述第一导电型半导体层的表面，所述第一电极和所述第二电极贯穿所述反射层。
结合第一方面，在第六种可能的实现方式中，所述发光结构还包括第一垫和第二垫，所述第一垫设置于所述第一电极远离所述第一导电型半导体层的表面，用于和所述第一电极电连接；所述第二垫设置于所述第二电极远离所述第一电极层的表面，用于和所述第二电极电连接。
结合第一方面的第六种可能的实现方式，在第七可能的实现方式中，所述发光器件还包括第二电极层，所述第二电极层设置于所述第一导电型半导体层远离所述绝缘层的表面，所述第一电极与所述第一导电型半导体通过所述第二电极层电连接，所述第二垫贯穿所述第二电极层，所述绝缘层还设置于所述第二电极与所述第二电极层之间，以及所述第二垫与所述第二电极层之间。
结合第一方面的第七种可能的实现方式，在第八种可能的实现方式中，所述发光器件还包括反射层，所述反射层设置于所述第二电极层远离所述第一导电型半导体层的表面，所述第一电极或所述第一垫贯穿所述反射层，并且所述第二电极或所述第二垫贯穿所述反射层。
第二方面，本发明实施例提供一种发光器件封装，包括发光器件，所述发光器件具体包括：
发光结构，所述发光结构包括依次层叠设置的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，其中所述第二导电型半导体层作为所述发光结构的出光面；
第一电极，所述第一电极设置于所述第一导电型半导体层远离所述有源层的表面，且与所述第一导电型半导体层电连接；
第一电极层，所述第一电极层设置于所述第二导电型半导体层远离所述有源层的表面，且与所述第二导电型半导体层电连接；
第二电极，所述第二电极贯穿所述发光结构，并与所述第一电极层电连接；
绝缘层，所述绝缘层设置于所述发光结构于所述第二电极之间。
通过实施本发明实施例提供的发光器件，将第一电极和第二电极这两个电极从发光器件的出光面的背面凸出，不需要再从发光器件的发光面引线，避免了与第一电极和第二电极相连的引线对光的吸收和遮挡，提高了出光率。进一步地，本发明的发光器件在第一电极层上面设置透射层，通过该透射层可使发出的光更加均匀，另外，可将透射层上表面可设置为凹凸状，增大透射层的表面积以提高光取出率；在透射层与第二导电型半导体层之间设置第一电极层，使得由第二电极传出的电流能够通过第一电极层均匀地分散到第二导电型半导体层上，在第一电极与第一导电型半导体层之间设置第二电极层，使得由第一电极传出的电流能够通过第二电极层均匀地分散到第一导电型半导体层上，提高了发光结构的发光性能；在第二电极层远离第一导电型半导体层的表面设置反射层，将发光结构从第一导电型半导体层发散的光反射到发光结构的出光面，提高了发光器件的出光率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光器件的立体结构示意图；
图2是本发明实施例提供的图1的A-A’截面的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种发光器件的立体结构示意图；
图4是本发明实施例提供的图3的A-A’截面的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的另一种发光器件的立体结构示意图；
图6是本发明实施例提供的图5的A-A’截面的结构示意图；
图7～17是本发明实施例提供的一种发光器件的工艺流程图；
图18是本发明实施例提供的一种发光器件的封装的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合，另外，本实施例中的描述涉及到的“上部”、“下部”、“上面”、“下面”、“上表面”和“下表面”等方向性的描述都是以发光器件的出光方向作为参照，对一个特定的部件来说，朝向出光方向的部分可以称之为“上部”、“上面”、“上表面”等，背向出光方向的部分可以称之为“下部”、“下面”、“下表面”等。
请参照图1和图2，图1是本发明实施例提供的一种发光器件的立体结构示意图；图2是本发明实施例提供的图1的A-A’截面的结构示意图。所述发光器件10包括发光结构13、第一电极16、第一电极层12，第二电极18及绝缘层17。所述发光结构13用于通电后发出光，所述发光结构13包括依次层叠设置的第一导电型半导体层133、有源层132以及第二导电型半导体层131。所述第一电极16设置于所述第一导电型半导体层133远离所述有源层132的表面，且与所述第一导电型半导体层133电连接，以向所述发光结构13传递电流。所述第一电极层12设置于所述第二导电型半导体层131远离所述有源层132的表面， 且与所述第二导电型半导体层131电连接，以向所述发光结构13传递电流。所述第二电极18贯穿所述发光结构13，并与所述第一电极层12电连接，以通过所述第一电极层12向所述发光结构13传递电流。所述绝缘层17设置于所述发光结构13与所述第二电极18之间，以避免所述第二电极18直接与所述发光结构13电连接。
为了使本实施例更加完善，所述发光器件10还包括透射层11所述透射层11设置于所述第一电极层12远离所述第二导电型半导体层131的表面，所述透射层11用于提高所述发光结构13的光取出率。所述透射层11为透明材质，可以是蓝宝石、树脂等，此处不作限制，该透射层11用于透光，可以将透射层11的上表面设置为图文状，如凹凸结构，以增大透射层的表面积从而提高其取光率。
所述发光器件10还包括第一垫19和第二垫20。所述第一垫19设置于所述第一电极16远离所述第一导电型半导体层133的表面的中部，与所述第一电极16电连接，用于向所述第一电极16传输电流。所述第二垫20设置于所述第二电极18远离所述第一电极层12的表面的中部位，与所述第二电极18电连接，用于向所述第二电极20传输电流。
具体地，以下按照对发光器件10的结构顺序对其包含的部件进行详细描述，另外，为了方便描述，暂且规定出光方向为朝上方向，显然，当参照对象发生变化时，针对本实施例的方位词应该对应改变。
第一电极层12设置于透射层11的下表面，第一电极层12为导电材料，该导电材料具有透光性能如Au、Al、Pd、Rh等，它们所形成的薄膜不仅可以导电还能透光，本发明不对材料作限制。
发光结构13设置于第一电极层12远离透射层11的表面，即第一电极层12的下表面，发光结构13包括第一导电型半导体层133、有源层132和第二导电型半导体层131。其中，有源层132设置于第一导电型半导体层133之上、第二导电型半导体层131设置于有源层132之上，所述第一导电型半导体层133、所述有源层132及所述第二导电型半导体层131三者电性连接以形成能发光的元件，该元件在上下表面分别连接异性电极后，即可通电发光。
其中，第一导电型半导体层133包括掺杂有第一类型离子的至少一个半导体层，当第一导电型半导体层133是N型半导体层时，第一导电型半导体层133 可包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或者AlGaInP中的至少一种，当第一类型离子是N型离子时，第一导电型半导体层133可包括Si、Ge、Sn、Se或者Te。
有源层132可包括III-V族化合物半导体。有源层132可包括单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构或者量子点结构中的至少一种。有源层132的阱层/势垒层可包括InGaN/GaN、GaN/AlGaN、或者InGaN/InGaN中的配对结构，但是实施方案不限于此。有源层132由具有取决于发出的光的波长的带隙的材料制成。例如，在波长为460～470nm的蓝色光的情况下，有源层132具有包括InGaN阱层/GaN势垒层的单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层132可选择性地包括能够提供可见射线频带的光例如蓝色光、红色光和绿色光的材料，所述材料可在实施方案技术范围内进行改变。
所述第二导电型半导体层131包括掺杂有第二类型离子的至少一个半导体层，当第二导电型半导体层131是P型半导体层时，第二导电型半导体层131可包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或者AlGaInP中的至少一种，当第二类型离子是P型离子时，第二导电型半导体层131可包括Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba中的至少一种。
具体地，发光结构13中的第二导电型半导体层131的上表面与第一电极层12的下表面接触，因此，第二导电型半导体层131与第一电极层12之间可以均匀稳定地扩散电流。
第一电极16与所述发光结构13电性连接，具体地，第一电极16与发光结构13中的第一导电型半导体层133远离有源层132的表面接触，以使电流更加均匀地在其与第一导电型半导体层133之间传输，第一电极16与第一导电型半导体层133下表面接触的具体部位不作限制。
第二电极18与第一电极层12接触，具体的，第二电极18贯穿发光结构13，与第一电极层12远离透射层11的表面接触，形成电连接，以通过第一电极层12将电流分散到第二导电型半导体层131。需要说明的是，第二电极18虽然贯穿发光结构13，但是与发光结构13之间不存在电性接触，具体地，在第二电极18与发光结构13之间设置绝缘层17，使得第二电极18不直接与发光结构13连接，而是通过第二电极层12间接地与发光结构13的第二导电型半导体层131连接，实现电流的传递。
绝缘层17所用到的材料包括但不限于有机固体绝缘材料：绝缘漆、绝缘胶、 绝缘纸、绝缘纤维制品、塑料、橡胶、漆布漆管及绝缘浸渍纤维制品、电工用薄膜、复合制品和粘带、电工用层压制品等；无机固体绝缘材料主要有云母、玻璃、陶瓷及其制品等。
进一步地，第一电极16和第二电极18的材质可以是Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Rh、Au、Ir、Pt、W或者Au中的至少一种或者多种混合物材料，但是本实施例不限于所述材料。另外，第一电极16和第二电极18各自的俯视结构包括但不限于直线图案、弯曲图案、直线图案和弯曲图案的混合图案、由一个图案分支的多个图案、多边形图案、栅格形图案、点形图案、菱形图案、平行四边形图案、网格形图案、条形图案、十字形图案、星形图案、圆形图案或者其混合图案，但是本实施方案不限于此。具有图案的第一电极16可对第一导电型半导体层133均匀供电，由此防止电流集中在一个位置上，具有图案的第二电极18可对第一电极层12均匀供电，由此防止电流集中在一个位置上。
再进一步地，第一电极16的下部可以形成第一垫19以平稳传输功率、第二电极18下部可以连接第二垫20以平稳传输功率，第一垫19和第二垫20可以是包含Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Rh、Au、Ir、Pt、W或者Au的材料制作而成，本实施例不限制所述材料。
基于上述结构，可以给第一垫19接通电源正极，以使第一垫19获得来自电源的电流，并将该电流传递给与其连接的第一电极16，第一电极16将电流扩散至与其连接的发光结构13中的第一导电型半导体层133，进一步地，发光结构13的第二导电型半导体层131将电流平稳地传递给与其连接的第一电极层12，再由第一电极层12将电流传递给第二电极18，进一步流向第二垫20，由第二垫20将电流传回电源负极，至此，形成了电流的闭合回路，发光结构13的第一导电型半导体层133有电流流入，第二导电型半导体层131有电流流出，因此发光。需要说明的是，第一电极16和第二电极18具体哪个连接正极哪个连接负极需要根据发光结构13的结构来确定，此处不对第一电极16和第二电极18的连接的电极作限定。
与现有技术相较，采用图1～2所示的发光器件10，将第一电极16和第二电极18这两个电极从发光器件10的出光面的背面凸出，不需要再从发光器件10的发光面引线，避免了与第一电极16和第二电极18相连的引线对光的吸收和遮挡，提高了出光率。进一步地，本发明的发光器件10在第一电极层12上面设置透射层11，通过该透射层11可使发出的光更加均匀，另外，可将透射层11 上表面可设置为凹凸状，增大透射层11的表面积以提高光取出率。
请参阅图3和图4，图3是本发明实施例提供的另一种发光器件的立体结构示意图；图4是本发明实施例提供的图3的A-A’截面的结构示意图。所述发光器件10除了包括图2所示的发光结构10所包括的发光结构13、第一电极16、第一电极层12，第二电极18、绝缘层17、透射层11、第一垫19和第二垫20之外，还包括第二电极层14，该第二电极层14设置于第一导电型半导体层133远离绝缘层的表面，第一电极16通过第二电极层14连接第一导电型半导体层133，以均匀地将电流传输给第一导电型半导体层133，避免了电流集中在一块传输，其中，所述第二电极层14覆盖第一导电型半导体层133的整个下表面。进一步地，第二电极层14设有一缺口，与第二电极16电性连接的第二垫20从该缺口凸出，以连接外部引线，另外，在第二电极层14与第二垫20之间设置绝缘层17，防止第二电极层14与第二垫20电连接而导致整个发光器件10短路。需要说明的是，第二电极层14所使用的材料包括但不限于Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf。
与现有技术相较，采用图3～4所示的发光器件10，将第一电极16和第二电极18这两个电极从发光器件10的出光面的背面凸出，不需要再从发光器件10的发光面引线，避免了与第一电极16和第二电极18相连的引线对光的吸收和遮挡，提高了出光率。进一步地，本发明的发光器件10在第一电极层12上面设置透射层11，通过该透射层11可使发出的光更加均匀，另外，可将透射层11上表面可设置为凹凸状，增大透射层11的表面积以提高光取出率；在透射层11与第二导电型半导体层131之间设置第一电极层，使得由第二电极18传出的电流能够通过第一电极层12均匀地分散到第二导电型半导体层131上，在第一电极16与第一导电型半导体层133之间设置第二电极层14，使得由第一电极16传出的电流能够通过第二电极层14均匀地分散到第一导电型半导体层133上，提高了发光结构13的发光性能。
请参阅图5和图6，图5是本发明实施例提供的另一种发光器件的立体结构示意图；图6是本发明实施例提供的图5的A-A’截面的结构示意图。所述发光器件10除了包括图4所示的发光结构10所包括的发光结构13、第一电极16、第一电极层12，第二电极18、绝缘层17、透射层11、第一垫19、第二垫20以及第二电极层14之外，还包括反射层15；该反射层15设置于第二电极层14远离第一导电型半导体层133的整个表面，用于反射发从光结构13从第一导电型 半导体层133发散的光，提高发光器件10的光取出率。
进一步地，反射层15设有两个缺口，第一电极16或者第一垫19从其中一个缺口凸出以连接外部引线，第二垫20从另外一个缺口凸出以连接外部引线。
需要说明的是，反射层15可以是Al、Ag等金属材料，当为金属材料时，反射层15与第二垫20之间还应设置绝缘层17，反射层15也可以是PVC、PU等高分子材料，本发明实施例不对构成反射层15的材料作限制，但是，本实施例优选绝缘的高分子作为反射层15的材料来源，这样不断能起到反光的作用，还能够与外部绝缘，提高安全性。
与现有技术相较，采用图5～6所示的发光器件10，将第一电极16和第二电极18这两个电极从发光器件10的出光面的背面凸出，不需要再从发光器件10的发光面引线，避免了与第一电极16和第二电极18相连的引线对光的吸收和遮挡，提高了出光率。进一步地，本发明的发光器件10在第一电极层12上面设置透射层11，通过该透射层11可使发出的光更加均匀，另外，可将透射层11上表面可设置为凹凸状，增大透射层11的表面积以提高光取出率；在透射层11与第二导电型半导体层131之间设置第一电极层，使得由第二电极18传出的电流能够通过第一电极层12均匀地分散到第二导电型半导体层131上，在第一电极16与第一导电型半导体层133之间设置第二电极层14，使得由第一电极16传出的电流能够通过第二电极层14均匀地分散到第一导电型半导体层133上，提高了发光结构13的发光性能；在第二电极层14远离第一导电型半导体层133的表面设置反射层15，将发光结构13从第一导电型半导体层133发散的光反射到发光结构13的出光面，提高了发光器件10的出光率。
图7～17是本发明实施例提供的一种发光器件的工艺流程图，该工艺用于制作图5～6所示的发光器件10。
如图7，在透射层11上形成第一电极层12，第一电极层12可以由Au、Al等形成的薄膜构成，从而可以透光，并且具备导电性能。
在第一电极层12上形成发光结构13，其中，发光结构13依次包括层叠的第一导电型半导体层133、有源层132和第二导电型半导体层131。
在第一导电型半导体层133上形成有源层132。有源层132可包括III-V族化合物半导体。有源层132可包括单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。有源层132的阱层/势垒层可包括InGaN/GaN、 GaN/AlGaN、或者InGaN/InGaN中的配对结构，但是实施方案不限于此。
在有源层132下可提供第一导电覆层。在有源层132下可提供第二导电覆层。第一和第二导电覆层可包括GaN基半导体，并且带隙高于有源层132的带隙。
有源层132可包括发出彩色光例如蓝色光、红色光或者绿色光的材料，所述材料在实施方案的技术范围内可进行改变。
在有源层132上形成第二导电型半导体层131，第二导电型半导体层131包括掺杂有第二类型离子的至少一个半导体层和包括第二电极接触层。当第二导电型半导体层131是P型半导体层时，第二导电型半导体层131可包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或者AlGaInP中的至少一种。当第二类型离子是P型离子时，第二导电型半导体层131可包括Mg、Zn、Ca、Sr和Ba中的至少一种。
如图8，通过蚀刻工艺在发光结构13上开设第一凹槽134，该第一凹槽134为发光结构13的一个贯通空腔，以暴露与发光结构13相连接的第一电极层12；
如图9，第一凹槽134用于安置第二电极18，使得第二电极18与第一电极层12建立电性连接，其中，发光结构13与第二电极18之间产生第一间隙135；
如图10，在第一间隙135中填充绝缘层17，以使第二电极18固定在发光结构13中，使其与第一电极层12电性连接的同时，与发光结构13绝缘；绝缘层17所用到的材料包括但不限于有机固体绝缘材料：绝缘漆、绝缘胶、绝缘纸、绝缘纤维制品、塑料、橡胶、漆布漆管及绝缘浸渍纤维制品、电工用薄膜、复合制品和粘带、电工用层压制品等；无机固体绝缘材料主要有云母、玻璃、陶瓷及其制品等，本实施例不对绝缘层17用到的材料作限制。
如图11，在发光结构13和绝缘层17上渡制第二电极层14，该第二电极层14所使用的材料包括但不限于Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf。
如图12，通过蚀刻工艺在第二电极层14上开设第二凹槽141，第二凹槽141贯穿第二电极层14和与第二电极层14接触的绝缘层17，从而暴露出第二电极18；
如图13，在第二凹槽141中设置第二垫20，第二垫20的一端与暴露出的第二电极18电连接，第二垫20的另一端凸出第二电极层14的表面，其中，第 二垫20与第一电极层14之间形成第二间隙142；
如图14，在第二间隙142中，即第二垫20与第二电极层14之间渡制绝缘层17，避免第二垫20与第二电极层14接触而使整个发光器件10短路；
如图15，使用电镀工艺在第一电极层14上渡制第一电极16；
如图16，使用电镀工艺在第一电极16上渡制第一垫19；
如图17，在第一电极层14上表面不与其他结构接触的部分渡制反射层15，该反射层15的厚度不作限制。
需要说明的是，以上实施例中，层与层之间的连接处可以设置为凹凸状，以增强连接的紧密度，各层的厚度此处以不作限制，可根据实际需要设置厚度；另外，上述工艺流程只是一种可选的实施方式，显然，基于本发明的发光器件10，还有其他的工艺可以达到该效果，此处不再一一举例。
如图18是本发明实施例提供的一种发光器件封装50的侧截面图，以下具体结合发光器件的结构进行描述。
参考图18，发光器件封装50包括：主体51、设置在主体51上的第一和第二引线电极52和53、设置于主体51中并与第一和第二引线电极52和53电连接的图1～6所对应的实施方案中的发光器件10、以及包围发光器件10的模制元件54。
主体51可包括硅、合成树脂等如PPA或者金属材料。在发光器件10周围可形成倾斜表面。主体51可具有上部打开的腔结构。在腔中可提供发光器件10。
第一和第二引线电极52和53彼此绝缘并对发光器件10供电。第一和第二引线电极52和53可将来自发光器件10的热排放至外部。
发光器件10可安装在主体51上，或者安装说在第一引线电极52和第二引线电极53上。
发光器件10可通过第一垫和第二垫支撑在引线(52和53)上，减小了发光器件10与主体51之间的接触面积，有利于散热导线。
模制元件54可通过包围发光器件10来保护发光器件10。模制元件54包括磷光体以改变从发光器件10发射的光的波长。在模制元件54上可形成透镜。
将根据一个或者更多个实施方案的发光器件10封装在包括树脂或者硅的半导体衬底、绝缘衬底或者陶瓷衬底上，使得半导体发光器件10用作光源，用于指示器件、照明装置、显示器等。各个实施方案均可选择性地适合于另一实施 方案。
综上所述，采用本发明的发光器件10，将第一电极16和第二电极18这两个电极从发光器件10的出光面的背面凸出，不需要再从发光器件10的发光面引线，避免了与第一电极16和第二电极18相连的引线对光的吸收和遮挡，提高了出光率。进一步地，本发明的发光器件10在第一电极层12上面设置透射层11，通过该透射层11可使发出的光更加均匀，另外，可将透射层11上表面可设置为凹凸状，增大透射层11的表面积以提高光取出率；在透射层11与第二导电型半导体层131之间设置第一电极层，使得由第二电极18传出的电流能够通过第一电极层12均匀地分散到第二导电型半导体层131上，在第一电极16与第一导电型半导体层133之间设置第二电极层14，使得由第一电极16传出的电流能够通过第二电极层14均匀地分散到第一导电型半导体层133上，提高了发光结构13的发光性能；在第二电极层14远离第一导电型半导体层133的表面设置反射层15，将发光结构13从第一导电型半导体层133发散的光反射到发光结构13的出光面，提高了发光器件10的出光率。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：
发光结构，所述发光结构包括依次层叠设置的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，其中，所述第二导电型半导体层作为所述发光结构的出光面；
第一电极，所述第一电极设置于所述第一导电型半导体层远离所述有源层的表面，且与所述第一导电型半导体层电连接；
第一电极层，所述第一电极层设置于所述第二导电型半导体层远离所述有源层的表面，且与所述第二导电型半导体层电连接；
第二电极，所述第二电极贯穿所述发光结构，并与所述第一电极层电连接；
绝缘层，所述绝缘层设置于所述发光结构与所述第二电极之间。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括反射层，所述反射层设置于所述第一导电型半导体层远离所述有源层的表面，所述第一电极和所述第二电极贯穿所述反射层。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括透射层，所述透射层设置于所述第一电极层远离所述第二导电型半导体层的表面，所述透射层用于提高所述发光结构的光取出率。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述透射层远离所述第一电极层的表面为凹凸状。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括第二电极层，所述第二电极层设置于所述第一导电型半导体层远离所述绝缘层的表面，所述第一电极与所述第一导电型半导体层通过所述第二电极层电连接，所述第二电极贯穿所述第二电极层，所述绝缘层还设置于所述第二电极与所述第二电极层之间。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括反射层，所述反射层设置于所述第二电极层远离所述第一导电型半导体层的表面，所述第一电极和所述第二电极贯穿所述反射层。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光结构还包括第一垫和第二垫，所述第一垫设置于所述第一电极远离所述第一导电型半导体层的表面，所述第一垫用于和所述第一电极电连接；所述第二垫设置于所述第二电极远离所述第一电极层的表面，所述第二垫用于和所述第二电极电连接。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括第二电极层，所述第二电极层设置于所述第一导电型半导体层远离所述绝缘层的表面，所述第一电极与所述第一导电型半导体通过所述第二电极层电连接，所述第二垫贯穿所述第二电极层，所述绝缘层还设置于所述第二电极与所述第二电极层之间，以及所述第二垫与所述第二电极层之间。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括反射层，所述反射层设置于所述第二电极层远离所述第一导电型半导体层的表面，所述第一电极或所述第一垫贯穿所述反射层，并且所述第二电极或所述第二垫贯穿所述反射层。
10.一种发光器件封装，包括发光器件，其特征在于，所述发光器件包括：
发光结构，所述发光结构包括依次层叠设置的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，其中所述第二导电型半导体层作为所述发光结构的出光面；
第一电极，所述第一电极设置于所述第一导电型半导体层远离所述有源层的表面，且与所述第一导电型半导体层电连接；
第一电极层，所述第一电极层设置于所述第二导电型半导体层远离所述有源层的表面，且与所述第二导电型半导体层电连接；
第二电极，所述第二电极贯穿所述发光结构，并与所述第一电极层电连接；
绝缘层，所述绝缘层设置于所述发光结构于所述第二电极之间。
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