JP2014515559A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. ｎ型領域とｐ型領域との間に挟まれた発光体層を各々有する半導体発光デバイスのウェハーを提供することと、
   ボディを各々有する支持基板のウェハーを提供することと、
   前記半導体発光デバイスのウェハーを接合層を介して前記支持基板のウェハーに接合することと、
   前記半導体発光デバイスのウェハーを前記支持基板のウェハーに接合後、各支持基板のボディの全体の厚さ及び前記接合層の全体の厚さを貫通して延在する複数のビアを形成することとを含む、方法。
2. 前記半導体発光デバイスのウェハーを前記支持基板のウェハーに接合することは、少なくとも一つの接合層を介して接合することを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記少なくとも一つの接合層は、誘電領域によって分離された金属領域を含み、前記金属領域及び誘電領域は、各支持基板のボディの上面上に形成される、請求項２に記載の方法。
4. 前記少なくとも一つの接合層は、前記半導体発光デバイスのウェハー上に形成されたポリマー層を含む、請求項２に記載の方法。
5. 前記少なくとも一つの接合層は、前記半導体発光デバイスのウェハー上に形成された有機接着剤を含む、請求項２に記載の方法。
6. 前記少なくとも一つの接合層は、前記半導体発光デバイスのウェハー上に形成された第一誘電性接合層と、前記支持基板のウェハー上に形成された第二誘電性接合層とを含む、請求項２に記載の方法。
7. 前記第一及び第二誘電性接合層は、ケイ素酸化物を含む、請求項６に記載の方法。
8. 各支持基板のボディは、Ｓｉ、ＧａＡｓ、及びＧｅのうちの一つを含む、請求項１に記載の方法。
9. 各支持基板のボディの全体の厚さを貫通して延在する複数のビアを形成することは、各支持基板のボディの全体の厚さを貫通するビアをエッチングして、少なくとも一つの金属領域を露出させることを含む、請求項１に記載の方法。
10. 前記金属領域は、前記支持基板のウェハー上に形成された金属接合層である、請求項９に記載の方法。
11. 前記金属領域は、前記半導体発光デバイスのウェハー上に形成され、前記ｎ型領域及び前記ｐ型領域のうちの一方に電気的に接続される金属コンタクトである、請求項９に記載の方法。
12. 前記半導体発光デバイスのウェハーを前記支持基板のウェハーに接合後、前記半導体発光デバイスのウェハーを個々の発光デバイスチップにダイシングすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
13. 前記半導体発光デバイスのウェハーをダイシングする前に、前記半導体発光デバイスのウェハーから成長基板を除去することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記成長基板を除去することによって露出された前記半導体発光デバイスのウェハーの表面を粗面化することをさらに含み、前記粗面化は、前記半導体発光デバイスのウェハーをダイシングする前に実施される、請求項１３に記載の方法。
15. 前記半導体発光デバイスのウェハーをダイシングする前に、前記半導体発光デバイスのウェハー上に波長変換層を配置することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。