KR100990122B1

KR100990122B1 - 교류 발광 다이오드 칩 및 그의 제조방법

Info

Publication number: KR100990122B1
Application number: KR20080121321A
Authority: KR
Inventors: 탁 정; 백종협; 이현행; 김강호; 이상헌; 진정근; 전성란; 이승재; 김상묵; 오화섭
Original assignee: 한국광기술원
Priority date: 2008-12-02
Filing date: 2008-12-02
Publication date: 2010-10-29
Also published as: KR20100062603A

Abstract

본 발명은 교류 발광 다이오드 칩 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 제 1기판의 상부에 버퍼층, 제 1반도체층, 활성층, 및 제 2반도체층을 형성하고, 제 1반도체층의 일부가 드러나도록 메사 식각을 하는 단계; 상기 식각 후 제 2반도체층의 상부에 반사막을 형성하는 단계; 상기 반사막을 제외한 제 2반도체층 및 상기 메사 식각에 의해 형성된 측면을 감싸는 절연체를 증착하고, 상기 식각되어 드러난 제 1반도체층 중 상기 절연체가 증착되지 않은 부분에 상기 제 1반도체층의 극성과 동일한 제 1전극을 증착하는 단계; 및 상기 반사막 및 상기 제 1전극의 상부에 본딩 금속을 증착한 후, 비아홀이 형성된 제 2기판을 접합하고, 제 1기판을 제거하는 단계;를 통해 형성한다.

본 발명에 의하면, 발광 영역에 전극을 구비하지 않아 발광 다이오드 칩의 광도를 향상시키며, 열 전도율이 좋은 AlN 기판을 사용하여 발광 다이오드의 신뢰성을 향상시킨다.

교류 발광 다이오드, 본딩 메탈, 광 출력

Description

교류 발광 다이오드 칩 및 그의 제조방법{ALTERNATING CURRENT LIGHT EMITTING DIODE CHIP AND ITS PROCESSING METHOD}

본 발명은 발광 다이오드 칩 제작시 전극에 의해 발광 영역의 일부가 가려저 광도를 떨어지는 단점을 극복하여 동일 사이즈의 발광 다이오드 칩에서 최대의 광출력(광도)을 나타낼 뿐만 아니라 열 방출 특성이 우수한 기판을 발광 다이오드와 접합하여 소자의 신뢰성을 개선시킨 교류 발광 다이오드 칩 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기적 신호를 빛으로 변환시키는 화합물 반도체 발광소자 즉, LED(Lght EmittiNg Diode) 또는 레이저 다이오드(Laser diode, LD)와 같은 발광소자들은 조명, 광통신, 다중통신 등의 응용분야에서 많이 연구되고 실용화되고 있다.

최근 질화물계(GaN) 반도체를 이용한 발광소자(LED)가 백열등, 형광등, 수은등과 같은 기존의 광원을 대체할 수 있다는 전망이 형성되면서, 고출력 발광소 자(LED)에 대한 연구가 진행되고 있다.

일반적인 발광소자는 사파이어 기판의 상부에 버퍼층, N형 질화갈륨 반도체층, 활성층 및 P형 질화갈륨 반도체층을 순차적으로 적층하고, 상기 P형 질화갈륨 반도체층의 상부에 투명전극을 증착한 후, 플리즈마 식각을 통해 상기 N형 질화갈륨 반도체층의 일부 영역이 드러나도록 에칭을 실시하고, 상기 드러난 N형 질화갈륨 반도체층 또는 P형 질화갈륨 반도체층의 상부에 N형 또는 P형 전극을 형성하여 제작하였다.

하지만, 상기의 방법으로 제작된 발광소자의 경우 도 1에서 알 수 있듯이, 발광 영역에 P형 전극이 형성되어 발광 영역의 일부가 가려져 광도가 떨어지는 단점이 있다.

게다가, 사파이어 기판을 사용하기 때문에 고 신뢰성 광원을 필요로 하는 백라이트 유닛(Back Light unit) 및 조명용으로는 열방출 효과가 크지 않고 오래 사용할수록 발광소자의 신뢰성이 떨어지는 단점이 발생한다.

본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 열전도율이 좋은 기판(AlN)을 사용하고, 상기 기판에 비아홀을 형성하여 전기전도도가 우수한 메탈을 충진함으로써 발광 다이오드에서 발생된 열을 더욱 효과적으로 방출할 뿐만 아니라 기판의 일면에 P전극 및 N전극을 모두 형성함으로써 발광영역이 전극에 의해 가려지는 것을 완전하게 방지하여 동일 발광 면적에서 발광 효율을 더욱 향상시키는 교류 발광 다이오드 칩 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 교류 발광 다이오드 및 그의 제조방법은 기존 발광 영역에 형성되던 전극을 기판의 일면에 모든 배치하여 발광 영역이 전극에 의해 가려지는 현상을 방지하여 동일 사이즈의 발광 다이오드 칩의 광출력을 향상할 수 있다. 또한, 에피텍셜 성장용으로 사용한 사파이어 기판을 제거한 뒤 비아홀이 형성된 AlN 기판을 발광 다이오드와 접합하여 발광 다이오드의 열방출 특성을 획기적으로 개선할 수 있다.

본 발명은 교류 발광 다이오드 칩의 제조방법에 관한 것으로, 제 1기판의 상부에 버퍼층, 제 1반도체층, 활성층, 및 제 2반도체층을 형성하고, 상게 제 2반도체층의 소정 부분에 반사막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 반사막을 제외한 부 분에 제 1반도체층의 일부가 드러나도록 메사 식각을 하는 단계;를 포함한다. 그리고, 상기 반사막을 제외한 제 2반도체층 및 상기 메사 식각에 의해 형성된 측면을 감싸며 절연체를 증착하고, 상기 식각되어 드러난 제 1반도체층 중 상기 절연체가 증착되지 않은 부분에 상기 제 1반도체층의 극성과 동일한 제 1전극을 증착하는 단계를 포함하며, 상기 반사막 및 상기 제 1전극의 상부에 본딩 금속을 증착한 후, 비아홀이 형성된 제 2기판을 접합하고, 제 1기판을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명에서 상기 제 1기판은 사파이어 기판이며, 제 2기판은 질화알루미늄 기판 및 세라믹 기판 중 선택되는 어느 하나의 기판으로 형성할 수 있다.

본 발명에서 상기 반사막은 인듐주석산화물(ITO), 인듐 산화물, 주석 산화물, 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 구리은합금(AgCu), 및 구리은팔라듐합금(AgCuPd) 중 선택되는 어느 하나의 물질로 형성할 수 있다.

본 발명에서 상기 제 2기판의 비아홀은 제 1전극 및 반사막에 대응하는 위치에 형성되며, 전도성 금속으로 충진될 수 있다.

본 발명에서 상기 전도성 금속은 구리(Cu), 동탄(CuW), 알루미늄(Al), 금(Au), 및 은(Ag) 중 선택되는 어느 하나의 금속으로 형성할 수 있다.

본 발명에서 상기 본딩 금속은 시드 금속층 및 도전성 접착층으로 형성될 수 있다.

본 발명에서 상기 시드 금속층은 텅스텐(W), 텅스텐티타늄합금(WTi), 몰리뷰 덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 루테늄(Rf), 이리듐(Ir), 탄탈륨(Ta), 또는 구리(Cu) 중 선택되는 어느 하나의 금속으로 형성될 수 있다.

본 발명에서 상기 도전성 접착층은, 팔라듐인듐화합물(Pd/In), 팔라듐주석화합물(Pd/Sn), 금주석화합물(Au-Sn), 인듐(In), 금(Au), 금은화합물(Au/Ag), 및 납주석화합물(Pb-Sn)로 이루어진 그룹 중 선택되는 적어도 하나 이상으로 형성될 수 있다.

본 발명에서 제 1기판을 제거하는 단계 후, 노출된 상기 버퍼층을 제거하는 단계를 포함하고, 제 1반도체층에 텍스처링 구조를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 비아홀의 상부에 제 2전극 또는 제 3전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명에서 상기 제 2전극 또는 제 3전극을 형성하는 단계는, 상기 반사막의 상부에 증착된 비아홀의 상부에는 제 2전극을 증착하고, 상기 제 1전극의 상부에 증착된 비아홀의 상부에는 제 3전극을 증착할 수 있다.

본 발명에서 상기 텍스처링 구조를 형성하는 단계는 나노 임프린팅법, 리소그래피법, 및 레이저 홀로그라피법 중 선택되는 어느 하나의 방법으로 패터닝 후 건식식각을 통해 형성하거나 패터닝 없이 습식 화학 에칭법을 통해 형성할 수 있다.

본 발명에 의하면 기판의 일면에 모든 전극을 배치하여 발광 영역이 전극에 의해 가려지는 현상을 방치하여 동일 사이즈의 발광 다이오드 칩에서 최대의 광출력을 나타내는 효과가 있다.

또한, 칩 자체에서 패키지까지 완료할 수 있는 칩 스케일 패키지 구조로 구현함에 따라 공정 비용이 절감되는 효과가 있다.

그리고, 발광 영역에 텍스처링을 형성하고, 열전도율이 큰 기판(AlN)을 사용함에 따라 발광 소자의 열 방출 효과를 향상시키는 동시에 발광 소자의 수명을 연장하여 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.

본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일 실시 에에 따른 교류 발광 다이오드 칩 제조방법을 나타낸 도면이다.

도 2a를 참조하면, 제 1기판(100), 버퍼층(102), 제 1반도체층(104), 활성층(106), 제 2반도체층(108), 및 반사막(110)을 포함한다.

제 1기판(100)은 기존에 사용되어 오던 사파이어 기판을 사용할 수 있다.

버퍼층(102)은 제 1기판(100)의 상부에 증착되며, 발광 다이오드 칩의 구현하는 방법에 따라 생략할 수 있다.

제 1반도체층(104), 활성층(106), 및 제 2반도체층(108)은 버퍼층(102)의 상부에 순차적으로 적층되며, 제 1반도체층(104)의 전극와 제 2반도체층(108)의 전극은 서로 상이하게 형성하여 활성층(106)에 의해 발광이 이루어진다.

반사막(110)은 제 2반도체층(108)의 상부의 소정부분에 형성되며, 활성층(106)에 의해 형성된 빛을 반사하여, 빛이 제 1기판(100) 방향으로만 방출되도록 한다.

그리고, 반사막(110)은 인듐주석산화물(ITO), 인듐 산화물, 주석 산화물, 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 구리은(AgCu), 및 구리은팔라듐(AgCuPd) 중 선택되는 적어도 하나 이상의 물질로 형성한다.

도 2b를 참조하면, 반사막(108)이 형성된 부분을 제외한 제 2반도체층(108)을 메사식각하여 제 1반도체층(104)의 일부가 노출되도록 한다.

이때, 도 2a에서 반사막(108)을 증착하지 않고 메사식각을 먼저 실행한 후, 식각이 일어나지 않은 제 2반도체층(108)의 상부에 반사막(108)을 증착할 수도 있다.

도 2c를 참조하면, 메사 식각에 의해 노출된 제 1반도체층(104)에 제 1반도체층과 동일한 극성을 나타내는 제 1전극(112)을 증착하고, 제 1전극(112)과 반사막(108)을 제외한 부분을 절연체(114)로 코팅한다.

즉, 메사 식각에 의해 형성된 메사 기둥의 측면을 절연체(114)로 감싸서 각 메사 기둥에 형성된 제 1반도체층(104), 활성층(106), 제 2반도체층(108), 및 제 1전극(112) 사이의 교류를 방지한다.

도 2d를 참조하면, 도 2c에서 절연체(114)가 증착되지 않은 반사막(108) 및 제 1전극(112)의 상부에 전도성 특징을 갖는 본딩 금속(116)을 형성하여, 반사막(108), 및 제 1전극(112)을 극성을 본딩 금속(116)을 매개로 하여 제 2기판(미도시)으로 전달한다.

도시하지는 않았지만, 본딩 금속(116)은 시드 금속층과 도전성 접착층으로 구성할 수 있으며, 시드 금속층은 도전성 접착층으로 구성된 물질이 반사막(108)으로 확산되는 것을 방지한다.

시드 금속층은 상기 본딩 금속은 텅스텐(W), 텅스텐티타늄합금(WTi), 몰리뷰덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 루테늄(Rf), 이리듐(Ir), 탄탈륨(Ta), 또는 구리(Cu) 중 선택되는 어느 하나의 금속으로 형성할 수 있으며, 상기 도전성 접착층은 팔라듐인듐화합물(Pd/In), 팔라듐주석화합물(Pd/Sn), 금주석화합물(Au-Sn), 인듐(In), 금(Au), 금은화합물(Au/Ag), 및 납주석화합물(Pb-Sn)로 이루어진 그룹 중 선택되는 적어도 하나 이상으로 물질로 형성할 수 있다.

도 2e를 참조하면, 도 2d에서 형성된 칩의 상부에 제 2기판(200)을 형성하며, 제 2기판(200)은 전도율이 높은 질화알루미늄(AlN) 기판 또는 세라믹 기판을 형성한다.

상기 제 2기판(200)은 내부가 전도성 금속으로 충진된 다수의 비아홀(210)을 포함하며, 상기 비아홀의 위치는 도 2d에 의해 형성된 칩의 반사막(108)과 제 1전극(112)의 위치와 동일하다.

즉, 반사막(110) 및 제 1전극(112)에 의해 흐르는 전류는 본딩 금속(116) 및 비아홀(210) 내부의 전도성 금속으로 전달된다.

그리고 본 발명에 한정하는 것은 아니지만 상기 전도성 금속은 구리(Cu), 동탄(Cuw), 알루미늄(Al), 금(Au), 및 은(Ag) 중 선택되는 어느 하나의 금속으로 형성할 수 있다.

도 2f를 참조하면, 도 2e에 의해 형서된 칩의 하부에 존재하는 제 1기판(100)을 제거하여, 활성층(108)에 의해 형성되는 빛을 방출한다.

그리고 도시하지는 않았지만, 제 2반도체층(108), 반사막(110), 본딩금속(116), 및 비아홀(210)의 전도성 금속의 상부에 제 2전극(220)을 증착하고, 제 1전극(112), 본딩금속(116), 및 비아홀(210)의 전도성 금속의 상부 제 3전극(230)을 증착할 수 있으며, 제 2전극(220) 및 제 3전극(230)의 증착순서는 제 1기판(100)을 제거하기 전에 실행할 수도 있다.

이에 따라, 제 2전극(220)과 제 3전극(230)이 모두 제 2기판(200) 상에 존재하며, 빛이 방출되는 부분 즉, 제 1기판(100)이 제거된 부분에는 전극이 존재하지 않기 때문에, 전극에 의해 발광 영역이 가려지는 현상을 방지하고, 광방출 효율을 향상시킨다.

여기서, 제 2전극(220) 및 제 3전극(230)은 동일하거나 상이한 물질로 구성 된 전극 메탈을 사용할 수 있으나, 바람직하게는 동일한 구조의 메탈 물질을 사용하여 공정의 단순화 효과를 얻을 수 있다.

도 2g를 참조하면, 광 효율을 더욱 향상시키기 위하여 버퍼층(102) 및 제 1반도체층(104)의 하부에 텍스처링 구조를 형성하며, 이때 제 1전극(112)이 증착된 부분은 제외하고 형성할 수 있다. 그리고, 도시하지는 않았지만, 노출된 제 1반도체층(104)의 전면에 텍스쳐링 구조를 형성할 수도 있다.

도 3a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 교류 발광 다이오드 칩의 발광 셀을 나타낸 도면이고, 도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 교류 발광 다이오드 칩을 나타낸 도면이며, 도 3c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 교류 발광 다이오드의 회로도를 나타낸 도면이다.

도 3a를 참조하면, 발광 셀(300)은 각기 다른 전극(제 2전극(220)과 제 3전극(230))을 하나씩 가지고 있는 발광 다이오드를 의미하며, 직류 작동 시 발광 다이오드가 동작한다.

하지만, 교류 발광 다이오드의 경우 적어도 두 개 이상의 발광 셀(300)을 필요로 하며, 두 개의 발광 셀을 가진 교류 다이오드에서는 정방향 전류 인가 시 하나의 발광 셀에서만 발광하고, 역방향 전류인가 시에는 다른 발광 셀에서 동작하게 되어 전류의 방향과 무관하게 지속적으로 발광할 수 있다(도 3c참조).

도 3b는 두 개의 발광 셀(300A, 300B)로 형성된 교류 발광 다이오드를 나타낸 도면이지만, 교류 발광 다이오드 구성 시 발광 셀의 갯수는 사용자가 다양하게 선택하여 설계할 수 있으며, 발광 셀의 크기는 가로, 세로 모두 50㎛ ~ 500㎛ 로 형성할 수 있다.

그리고, 각 발광 셀(300A, 300B)을 구성하는 제 2전극(220)과 제 3전극(230)은 별도의 전극(310)을 통해 서로 연결하여 전기적으로 연결한다.

또한, 두 개 이상으로 구성된 발광 셀들은 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있으며, 도 3b에서는 정방향 전류 인가시 300B의 발광셀이 동작하고, 역방향 전류 인가시 300A의 발광셀이 동작한다.

도 3c를 참조하면, 4개의 발광셀을 가지고 있는 교류 발광 다이오드의 회로도로서, 두 개의 발광셀이 직렬로 연결되며, 다른 두 개의 발광 셀은 다른 두 개의 발광 셀과 병렬로 연결된다. 이때, 연결되는 발광 셀의 갯수 및 연결되는 형태(직렬, 병렬)는 전체 교류 발광 다이오드의 칩 사이즈 등을 고려하여 사용자의 편의에 따라 용이하게 설계 변경하여 사용하여 사용할 수 있다.

본 발명에서는 교류 발광 다이오드 칩은 별도의 패키징 공정을 거치지 않아도 발광 다이오드 패키지의 역할을 할 수 있어, 공정의 소요 시간을 절감시키는 장점도 가지고 있다.

당업자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 본 명세서에서 설명한 각 구성요소의 물질은 당업자가 공지된 다양한 물질로부터 용이하게 선택하여 대처할 수 있다. 또한, 당업자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다.

도 1은 종래의 교류 발광 다이오드를 나타낸 도면.

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일 실시 에에 따른 교류 발광 다이오드 칩 제조방법을 나타낸 도면.

도 3a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 교류 발광 다이오드 칩의 발광 셀을 나타낸 도면.

도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 교류 발광 다이오드 칩을 나타낸 도면.

도 3c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 교류 발광 다이오드의 회로도를 나타낸 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 제 1기판 102 : 버퍼층

104 : 제 1반도체층 106 : 활성층

108 : 제 2반도체층 110 : 반사막

112 : 제 1전극 114 : 절연체

116 : 본딩 금속 200 : 제 2기판

210 : 비아홀 220 : 제 2전극

230 : 제 3전극 300, 300A, 300B : 발광 셀

310 : 전극

Claims

제 1기판의 상부에 버퍼층, 제 1반도체층, 활성층, 및 제 2반도체층을 형성하고, 상게 제 2반도체층의 소정 부분에 반사막을 형성하는 단계;

상기 반사막을 제외한 부분에 제 1반도체층의 일부가 드러나도록 메사 식각을 하는 단계;

상기 반사막을 제외한 제 2반도체층 및 상기 메사 식각에 의해 형성된 측면을 감싸며 절연체를 증착하고, 상기 식각되어 드러난 제 1반도체층 중 상기 절연체가 증착되지 않은 부분에 상기 제 1반도체층의 극성과 동일한 제 1전극을 증착하는 단계; 및

상기 반사막 및 상기 제 1전극의 상부에 본딩 금속을 증착한 후, 비아홀이 형성된 제 2기판을 접합하고, 제 1기판을 제거하는 단계;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 교류(AlterNatiNg CurreNt;AC) 발광 다이오드(LED) 칩 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 제 1기판은 사파이어 기판이며, 제 2기판은 질화알루미늄 기판 및 세라믹 기판 중 선택되는 어느 하나의 기판인 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드 칩 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 반사막은

인듐주석산화물(ITO), 인듐 산화물, 주석 산화물, 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 구리은(AgCu), 및 구리은팔라듐(AgCuPd) 중 선택되는 적어도 어느 하나 이상의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드 칩 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 제 2기판의 비아홀은 제 1전극 및 반사막에 대응하는 위치에 형성되며, 전도성 금속으로 충진되는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드 칩 제조방법.
제 4항에 있어서, 상기 전도성 금속은 구리(Cu), 동탄(CuW), 알루미늄(Al), 금(Au), 및 은(Ag) 중 선택되는 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드 칩 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 본딩 금속은

시드 금속층 및 도전성 접착층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드 칩 제조방법.
제 6항에 있어서, 상기 시드 금속층은 텅스텐(W), 텅스텐티타늄합금(WTi), 몰리뷰덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 금(Au), 루테늄(Rf), 이리듐(Ir), 탄탈륨(Ta), 또는 구리(Cu) 중 선택되는 어느 하나의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드 칩 제조방법.
제 6항에 있어서, 상기 도전성 접착층은,

팔라듐인듐화합물(Pd/In), 팔라듐주석화합물(Pd/Sn), 금주석화합물(Au-Sn), 인듐(In), 금(Au), 금은화합물(Au/Ag), 및 납주석화합물(Pb-Sn)로 이루어진 그룹 중 선택되는 적어도 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드 칩 제조방법.
제 1항에 있어서, 제 1기판을 제거하는 단계 후,

노출된 상기 버퍼층을 제거하고 제 1반도체층에 텍스처링 구조를 형성하는 단계; 및

상기 비아홀의 상부에 제 2전극 또는 제 3전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드 칩 제조방법.
제 9항에 있어서, 상기 텍스처링 구조를 형성하는 단계는,

나노 임프린팅법, 리소그래피법, 및 레이저 홀로그라피법 중 선택된느 어느 하나의 방법으로 패터닝 후 건식식각을 통해 형성하거나 습식 화학 에칭법을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드 칩 제조방법.
제 9항에 있어서, 상기 제 2전극 또는 제 3전극을 형성하는 단계는,

상기 반사막의 상부에 증착된 비아홀의 상부에는 제 2전극을 증착하고, 상기 제 1전극의 상부에 증착된 비아홀의 상부에는 제 3전극을 증착하는 것을 특징으로 하는 교류 발광 다이오드 칩 제조방법.
제 1항 내지 제 11항의 방법에 의해 형성되며, 제 2전극 및 제 3전극이 제 2기판의 일면에 형성된 교류 발광 다이오드 칩.