KR20170001436A - 발광 다이오드 패키지를 포함하는 백라이트 유닛 - Google Patents

발광 다이오드 패키지를 포함하는 백라이트 유닛 Download PDF

Info

Publication number
KR20170001436A
KR20170001436A KR1020150091420A KR20150091420A KR20170001436A KR 20170001436 A KR20170001436 A KR 20170001436A KR 1020150091420 A KR1020150091420 A KR 1020150091420A KR 20150091420 A KR20150091420 A KR 20150091420A KR 20170001436 A KR20170001436 A KR 20170001436A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
emitting diode
mesa
semiconductor layer
Prior art date
Application number
KR1020150091420A
Other languages
English (en)
Inventor
송영준
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020150091420A priority Critical patent/KR20170001436A/ko
Priority to EP16814738.7A priority patent/EP3316244B1/en
Priority to PCT/KR2016/006768 priority patent/WO2016209025A2/ko
Priority to DE212016000126.4U priority patent/DE212016000126U1/de
Priority to CN201690000752.0U priority patent/CN208990251U/zh
Priority to JP2017549369A priority patent/JP2018528598A/ja
Priority to US15/354,292 priority patent/US9769897B2/en
Publication of KR20170001436A publication Critical patent/KR20170001436A/ko
Priority to US15/678,739 priority patent/US10091850B2/en
Priority to US15/873,769 priority patent/US10051705B2/en
Priority to JP2019194432A priority patent/JP6880148B2/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • F21Y2105/001—
    • G02F2001/133614—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드는, 베이스 및 상기 베이스 하면에 배치된 복수개의 발광 다이오드 패키지를 포함하며, 상기 발광 다이오드 패키지는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하고, 상기 발광 다이오드는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하고, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 메사, 상기 메사 상에 위치하는 반사 전극 구조체, 상기 메사 및 상기 제1 도전형 반도체층을 덮되, 상기 반사 전극 구조체를 노출시키는 제1 개구부를 가지며, 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속하고, 상기 반사 전극 구조체 및 메사로부터 절연된 전류 분산층, 및 상기 전류 분산층을 덮는 상부 절연층을 포함하고, 상기 상부 절연층은 상기 전류 분산층을 노출시켜 제1 전극 패드 영역을 한정하는 제2 개구부와 상기 노출된 반사 전극 구조체의 상부 영역을 노출시켜 제2 전극 패드 영역을 한정하는 제3 개구부를 가질 수 있다.

Description

발광 다이오드 패키지를 포함하는 백라이트 유닛{BACK LIGHT UNIT HAVING LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 백라이트 유닛에 관한 것으로, 특히 인쇄회로보드 등의 기판 상에 솔더 페이스트를 통해 접착될 수 있는 발광 다이오드를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다. 또한 본 발명은 직렬로 연결된 복수개의 발광 다이오드들을 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다.
액정 디스플레이(liquid crystal display)와 같은 수동 디스플레이 장치는 스스로 광을 발생하지 못하므로, 이미지를 구현하기 위해 광원을 필요로 한다. 예를 들어, 특정 액정 디스플레이는 주위의 태양광 또는 실내 조명 광원으로부터 방출된 광을 반사하거나 흡수하여 이미지를 구현할 수 있다. 그러나 주위의 태양광 또는 실내 조명 광원의 광 강도가 액정 디스플레이(LCD) 패널을 조명하기에 충분하지 않을 경우 이미지를 선명하게 디스플레이할 수 없는 문제점이 있다. 이러한 문제점에 대한 대안으로 디스플레이 패널을 백라이팅하기 위한 백라이트 유닛(back light unit; BLU)이 일반적으로 채택된다.
백라이트 유닛은 백열 램프, 형광 램프 또는 발광 다이오드(LED)와 같은 광원을 포함한다. 광원에서 방출된 광이 상기 LCD 패널을 조명함으로써 이미지가 구현된다. 한편, LED는 색재현성이 우수하여 백라이트 광원으로 종종 사용되며, 환경친화적이어서 앞으로 그 사용이 더욱 증가할 것으로 기대된다.
종래 백라이트 유닛에 사용되는 발광 다이오드는 지향각이 작고, 밝기가 충분하지 못하다. 그러므로 백라이트 유닛의 크기가 커지고, 발광 다이오드의 개수가 늘어, 제조 단가가 높은 문제가 있다. 따라서, 지향각이 크고, 밝기가 충분하여, 적은 개수로도 백라이트 유닛의 성능을 다 할 수 있는 발광 다이오드를 포함하는 백라이트 유닛이 요구된다.
또한, 백라이트 유닛이 구동 시, 백라이트 유닛 내의 발광 다이오드에 고전류가 인가되는 경우, 발광 다이오드의 외부 양자 효율이 급격히 저하되는 드룹 현상이 발생하는 문제가 있다. 이는 백라이트 유닛의 성능 저하로 이어지게 된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 크기가 작으며, 적은 발광 다이오드들을 포함하면서도 동일한 강도의 광을 방출하는 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 고전류에서의 발광 다이오드의 드룹 현상에 의한 성능 저하가 개선될 수 있는 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드는, 베이스 및 상기 베이스 하면에 배치된 복수개의 발광 다이오드 패키지, 상기 발광 다이오드 패키지는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하고, 상기 발광 다이오드는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하고, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 메사, 상기 메사 상에 위치하는 반사 전극 구조체, 상기 메사 및 상기 제1 도전형 반도체층을 덮되, 상기 반사 전극 구조체를 노출시키는 제1 개구부를 가지며, 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속하고, 상기 반사 전극 구조체 및 메사로부터 절연된 전류 분산층, 및 상기 전류 분산층을 덮는 상부 절연층을 포함하고, 상기 상부 절연층은 상기 전류 분산층을 노출시켜 제1 전극 패드 영역을 한정하는 제2 개구부와 상기 노출된 반사 전극 구조체의 상부 영역을 노출시켜 제2 전극 패드 영역을 한정하는 제3 개구부를 가질 수 있다.
상기 발광 다이오드는 상기 전류 분산층의 상기 제1 개구부 내에서 상기 반사 전극 구조체 상에 위치하는 확산 방지 보강층을 더 포함하고, 상기 확산 방지 보강층이 상기 상부 절연층의 제3 개구부를 통해 노출될 수 있다.
상기 확산 방지 보강층은 상기 전류 분산층과 동일 재료로 형성될 수 있다.
상기 전류 분산층은 오믹 콘택층, 금속 반사층, 확산 방지층 및 산화방지층을 포함할 수 있다.
상기 확산 방지층은 Cr, Ti, Ni, Mo, TiW 및 W으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속층을 포함하고, 상기 산화방지층은 Au, Ag 또는 유기물층을 포함할 수 있다.
상기 확산 방지층은 Ti/Ni 또는 Ti/Cr을 적어도 2쌍 포함할 수 있다.
상기 전류 분산층은 상기 산화방지층 상에 위치하는 접착층을 더 포함할 수 있다.
상기 반사 전극 구조체는, 반사 금속부, 캐핑 금속부, 및 산화 방지 금속부를 포함하고, 상기 반사 금속부는 상면이 하면보다 좁은 면적을 갖도록 경사진 측면을 갖고, 상기 캐핑 금속부는 상기 반사 금속부의 상면 및 측면을 덮으며, 상기 반사 금속부는 상기 캐핑 금속부와의 계면에 응력 완화층을 가질 수 있다.
상기 메사는 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상의 분지부와 상기 분지부들이 서로 연결된 연결부를 갖고, 상기 제1 개구부는 상기 연결부 상에 위치할 수 있다.
상기 메사는 복수개이며, 상기 복수의 메사는 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상일 수 있다.
상기 발광 다이오드는 상기 메사들 사이에서 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며, 상기 전류 분산층과 전기적으로 접속하는 오믹 콘택 구조체를 더 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드는, 상기 메사와 상기 전류 분산층 사이에 위치하여 상기 전류 분산층을 상기 메사로부터 절연시키는 하부 절연층을 더 포함하되,
상기 하부 절연층은 상기 메사 상부 영역 내에 위치하고 상기 반사 전극 구조체를 노출시키는 제4 개구부를 가질 수 있다.
청상기 제1 개구부는 상기 제4 개구부가 모두 노출되도록 상기 제4 개구부보다 더 넓은 폭을 가질 수 있다.
상기 제1 개구부 및 상기 제4 개구부 내에 위치하는 확산 방지 보강층을 더 포함하되, 상기 확산 방지 보강층이 상기 제3 개구부를 통해 노출될 수 있다.
상기 하부 절연층은 실리콘 산화막을 포함하고, 상기 상부 절연층은 실리콘 질화막을 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드 패키지는 상기 발광 다이오드로부터 방출된 광이 입사하는 입광면 및 상기 발광 다이오드로부터 방출된 광의 지향각보다 큰 지향각을 가지도록 광이 출사되는 출광면을 포함하는 광학부재를 더 포함할 수 있다.
형광체를 포함하며, 상기 제1 도전형 반도체층 하면을 균일한 두께로 덮는 파장변환기를 더 포함할 수 있다.
상기 파장변환기는 상기 제1 도전형 반도체층의 하면에서부터 연장되어 상기 발광 다이오드의 측면을 덮을 수 있다.
상기 파장변환기는 단결정의 형광체로 이루어질 수 있다.
상기 파장변환기와 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 접착층을 더 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드 패키지는 복수개의 발광 다이오드들을 포함하고, 상기 복수개의 발광 다이오드들은 직렬로 연결될 수 있다.
상기 발광 다이오드는 상기 1 도전형 반도체층 하면에 위치하는 기판을 더 포함하며, 상기 복수개의 발광 다이오드들은 단일의 기판을 공유할 수 있다.
상기 베이스의 하면과 상기 발광 다이오드의 상면은 서로 대향할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 백라이트 유닛이 지향각이 크고, 광속이 큰 발광 다이오드를 포함하므로, 백라이트 유닛의 크기가 작아질 수 있으며, 적은 발광 다이오드들을 포함하면서도 동일한 강도의 광을 방출할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 발광 다이오드 패키지가 직렬로 연결된 복수개의 발광 다이오드들을 포함하고, 백라이트 유닛이 상기 발광 다이오드 패키지를 포함하므로, 고전류에서의 발광 다이오드의 드룹 현상에 의한 성능 저하가 개선될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이다.
도 2 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛에 포함된 발광 다이오드의 일 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 2 내지 도 9의 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛에 포함된 발광 다이오드의 또 다른 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다.
도 15 내지 도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛에 포함된 발광 다이오드의 일 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 15 내지 도 21의 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이다. 도 1을 참조하면, 백라이트 유닛은 베이스(200) 및 발광 다이오드 패키지(110)를 포함할 수 있다.
베이스(200)는 발광 다이오드 패키지(110)를 지지하는 역할을 한다. 베이스(200)는 배선(미도시)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스(200)는 인쇄회로기판(미도시)을 포함할 수 있다.
발광 다이오드 패키지(110)는 베이스(200) 상에 배치될 수 있다. 발광 다이오드 패키지(110)는 복수개일 수 있다. 복수의 발광 다이오드 패키지(110)들은 베이스(200)의 배선에 전기적으로 연결되어 전류를 인가 받을 수 있다. 예를 들어, 베이스(200)가 인쇄회로기판을 포함하는 경우, 발광 다이오드 패키지(110)들은 인쇄회로기판과 전기적으로 연결될 수 있다.
백라이트 유닛은 확산판(300)을 더 포함할 수도 있다. 확산판(300)은 발광 다이오드 패키지(110) 상에 위치할 수 있다. 나아가, 확산판(300)은 베이스(200)와 이격되어 위치할 수 있다. 확산판(300)은 발광 다이오드 패키지(110)에서 방출된 광을 확산시켜, 액정 디스플레이 등의 디스플레이 장치의 각 영역들의 색상 및 밝기가 균일하게 보이도록 해주는 역할을 할 수 있다.
발명의 백라이트 유닛의 형태는 발광 다이오드 패키지(110)에서 방출된 광이 확산판(300)의 하면에 수직으로 입사되는 직하형(direct type) 또는 발광 다이오드 패키지(110)에서 방출된 광이 도광판(미도시)의 측면에 수직으로 입사되는 에지형(edge type)을 포함할 수 있다. 에지형의 경우, 직하형과 달리 발광 다이오드 패키지(110)의 출사면이 도광판의 측면을 향해야 하므로, 베이스(200)는 일부 절곡된 형태를 가지며, 도광판의 측면에 대향하는 베이스(200)의 일면 상에 발광 다이오드 패키지(110)가 배치될 수 있다.
본 발명에 사용되는 발광 다이오드는 발광 다이오드의 구성요소들이 성장하는 방향이 베이스(200)를 향하는 방향이다. 구체적으로, 베이스(200)의 하면과 발광 다이오드의 상면은 서로 대향할 수 있다. 즉, 도 1의 상하방향과 도 2 내지 도 21의 상하방향은 반대방향이다. 따라서, 베이스(200)의 하면에 발광 다이오드 패키지(110)가 위치할 수 있으며, 나아가 발광 다이오드 패키지(110)의 하부에 확산판(300)이 위치하는 것으로도 설명이 가능하며, 이와 같은 상하방향을 따라, 이하 다른 구성들을 설명하도록 한다.
도 2 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 2 내지 도 9의 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다.
우선, 도 2를 참조하면, 기판(21) 상에 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)이 성장된다. 상기 기판(100)은 질화가륨계 반도체층을 성장시킬 수 있는 기판으로서, 예컨대 사파이어 기판, 탄화실리콘 기판, 질화갈륨(GaN) 기판, 스피넬 기판 등일 수 있다. 특히, 상기 기판은 패터닝된 사파이어 기판과 같이 패터닝된 기판일 수 있다.
제1 도전형 반도체층은 예컨대 n형 질화갈륨계층을 포함하고, 제2 도전형 반도체층(27)은 p형 질화갈륨계층을 포함할 수 있다. 또한, 활성층(25)은 단일양자우물 구조 또는 다중양자우물 구조일 수 있으며, 우물층과 장벽층을 포함할 수 있다. 또한, 우물층은 요구되는 광의 파장에 따라 그 조성원소가 선택될 수 있으며, 예컨대 AlGaN, GaN 또는 InGaN을 포함할 수 있다.
한편, 제2 도전형 반도체층(27) 상에 예비 산화층(10)이 형성될 수 있다. 예비 산화층(10)은 예컨대 화학기상증착 기술을 이용하여 SiO2로 형성될 수 있다.
이어서, 포토레지스트 패턴(11)이 형성된다. 포토레지스트 패턴(11)은 반사전극 구조체를 형성하기 위한 개구부(11a)를 갖도록 패터닝된다. 상기 개구부(11a)는, 도 2(a) 및 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 입구의 폭보다 바닥부의 폭이 넓도록 형성된다. 네거티브 타입의 포토레지스트를 사용함으로써 위와 같은 형상의 개구부(11a)를 갖는 포토레지스트 패턴(11)을 용이하게 형성할 수 있다.
도 3을 참조하면, 포토레지스트 패턴(11)을 식각마스크로 사용하여 예비 산화층(10)을 식각한다. 예비 산화층(10)은 습식 식각 기술을 이용하여 식각될 수 있다. 이에 따라, 포토레지스트 패턴(11)의 개구부(11a) 내의 예비 산화층(10)이 식각되어 제2 도전형 반도체층(27)을 노출시키는 예비 산화층(10)의 개구부들(10a)이 형성된다. 개구부들(10a)은 대체로 포토레지스트 패턴(11)의 개구부(11a)의 바닥부 면적과 유사하거나 그보다 넓은 면적을 갖는다.
도 4를 참조하면, 이어서, 리프트 오프 기술을 이용하여 반사 전극 구조체(35)가 형성된다. 반사 전극 구조체(35)는 반사 금속부(31), 캐핑 금속부(32) 및 산화 방지 금속부(33)를 포함할 수 있다. 반사 금속부(31)는 반사층을 포함하며, 상기 캐핑 금속부(32)와의 사이에 응력 완화층을 포함할 수 있다. 응력 완환층은 반사 금속부(31)와 캐핑 금속부(32)의 열팽창 계수 차이에 의한 응력을 완화한다.
반사 금속부(31)는, 예컨대, Ni/Ag/Ni/Au로 형성될 수 있으며, 전체 두께가 약 1600Å일 수 있다. 또는, 반사 금속부(31)는 Ni/Ag, ITO/Ag 또는 ITO/DBR (DBR: 분포 브래그 반사기)로 이루어질 수 있다. 반사 금속부(31)는 도시한 바와 같이 측면이 경사지게, 즉, 바닥부가 상대적으로 더 넓은 형상을 갖도록 형성된다. 이러한 반사 금속부(31)는 전자-빔 증발법을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 캐핑 금속부(32)는 반사 금속부(31)의 상면 및 측면을 덮어 반사 금속부(31)를 보호한다. 캐핑 금속부(32)는 스퍼터링 기술을 이용하여 또는 기판(21)을 기울여서 회전시키며 진공증착하는 전자-빔 증발법(예컨대, planetary e-beam evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다. 캐핑 금속부(32)는 Ni, Pt, Ti, 또는 Cr을 포함할 수 있으며, 예컨대 약 5쌍의 Ni/Pt 또는 약 5쌍의 Ni/Ti를 증착하여 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 캐핑 금속부(32)는 TiW, W, 또는 Mo을 포함할 수 있다.
응력 완화층은 반사층과 캐핑 금속부(32)의 금속 물질에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 예컨대, 상기 반사층이 Al 또는 Al합금이고, 캐핑 금속부(32)가 W, TiW 또는 Mo을 포함하는 경우, 응력 완화층은 Ag, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Cr의 단일층이거나, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Au의 복합층일 수 있다. 또한, 반사층이 Al 또는 Al합금이고, 캐핑 금속부(32)가 Cr, Pt, Rh, Pd 또는 Ni인 경우, 응력 완화층은 Ag 또는 Cu의 단일층이거나, Ni, Au, Cu 또는 Ag의 복합층일 수 있다.
또한, 반사층이 Ag 또는 Ag합금이고, 캐핑 금속부(32)가 W, TiW 또는 Mo을 포함하는 경우, 응력 완화층은 Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Cr의 단일층이거나, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd, Cr 또는 Au의 복합층일 수 있다. 또한, 반사층이 Ag 또는 Ag합금이고, 캐핑 금속부(32)가 Cr 또는 Ni인 경우, 응력 완화층은 Cu, Cr, Rh, Pd, TiW, Ti의 단일층이거나, Ni, Au 또는 Cu의 복합층일 수 있다.
또한, 산화 방지 금속부(33)는 캐핑 금속부(32)의 산화를 방지하기 위해 Au를 포함하며, 예컨대 Au/Ni 또는 Au/Ti로 형성될 수 있다. Ti는 SiO2와 같은 산화층의 접착력이 양호하므로 선호된다. 산화 방지 금속부(33) 또한 스퍼터링 또는 기판(21)을 기울여서 회전시키며 진공증착하는 전자-빔 증발법(예컨대, planetary e-beam evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 반사 전극 구조체(35)가 증착된 후, 포토레지스트 패턴(11)이 제거됨으로써 도 4에 도시한 바와 같이 제2 도전형 반도체층(27) 상에 반사 금속 구조체(35)가 남게 된다.
상기 반사 전극 구조체(35)의 형상은 도시한 바와 같이 분지부(35b)와 연결부(35a)를 포함할 수 있다. 상기 분지부들(35b)은 기다란 형상을 가질 수 있으며 서로 평행할 수 있다. 한편, 연결부(35a)는 분지부들(35b)을 서로 연결한다. 그러나, 반사 전극 구조체(35)는 특정 형상에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형상으로 변형될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(21) 상에 메사(M)가 형성된다. 메사(M)는 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함한다. 활성층(25)이 제1 도전형 반도체층(23)과 제2 도전형 반도체층(27) 사이에 위치한다. 한편, 상기 메사(M) 상에 반사 전극 구조체(35)가 위치한다.
상기 메사(M)는 제1 도전형 반도체층(23)이 노출되도록 제2 도전형 반도체층(27) 및 활성층(25)을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 상기 메사(M)의 측면은 포토레지스트 리플로우와 같은 기술을 사용함으로써 경사지게 형성될 수 있다. 메사(M) 측면의 경사진 프로파일은 활성층(25)에서 생성된 광의 추출 효율을 향상시킨다.
메사(M)는 도시한 바와 같이 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상의 분지부(Mb)와 이들 분지부를 연결하는 연결부(Ma)를 가질 수 있다. 이러한 형상에 의해 제1 도전형 반도체층(23)에서 전류가 고르게 분산될 수 있는 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 다만, 메사(M)는 특정 형상으로 한정되는 것은 아니며, 그 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 한편, 상기 반사 전극 구조체(35)는 메사(M)의 상면을 대부분 덮으며, 메사(M)의 평면 형상과 대체로 동일한 형상을 갖는다.
상기 제2 도전형 반도체층(27) 및 활성층(25)을 식각하는 동안, 그 위에 잔존하는 예비 산화층(10) 또한 부분적으로 식각되어 제거된다. 한편, 메사(M) 상에서 반사 전극 구조체(35)의 가장자리 근처에 예비 산화층(10)이 잔류할 수 있으나, 이 예비 산화층(10)은 습식 식각 공정 등을 통해 제거될 수도 있다. 또는, 메사들(M)을 형성하기 전에 예비 산화층(10)이 미리 제거될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 상기 메사(M)가 형성된 후, 메사(M) 및 제1 도전형 반도체층을 덮도록 하부 절연층(37)이 형성된다. 상기 하부 절연층(37)은 화학기상증착(CVD) 등의 기술을 사용하여 SiO2 등의 산화막, SiNx 등의 질화막, MgF2의 절연막으로 형성될 수 있다. 상기 하부 절연층(37)은 예컨대 4000~12000Å의 두께로 형성될 수 있다. 상기 하부 절연층(37)은 단일층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 다중층으로 형성될 수도 있다. 나아가, 하부 절연층(37)은 저굴절 물질층과 고굴절 물질층이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기(DBR)로 형성될 수 있다. 예컨대, SiO2/TiO2나 SiO2/Nb2O5 등의 층을 적층함으로써 반사율이 높은 절연 반사층을 형성할 수 있다.
이어서, 하부 절연층(37) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 칩 단위로 분리하는 분리 영역(23h)이 형성된다. 레이저 스크라이빙에 의해 기판(21) 상면에도 홈이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 도전형 반도체층(23)의 가장자리 근처에서 기판(21)이 노출된다.
레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 제1 도전형 반도체층(23)을 칩 단위로 분리하기 때문에 별도의 포토 마스크는 사용되지 않는다.
상기 메사(M)는 도 6에 도시한 바와 같이 제1 도전형 반도체층(23)의 상부 영역 내부에 한정되어 위치하도록 형성될 수 있다. 즉, 메사(M)가 제1 도전형 반도체층(23)의 상부 영역 상에 아일랜드 형태로 위치할 수 있다.
도 7을 참조하면, 이어서 하부 절연층(37)을 패터닝하여 특정 영역에서 제1 도전형 반도체층(23) 및 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적 접속을 허용하기 위한 개구부들(37a, 37b)을 형성한다. 예컨대, 하부 절연층(37)은 제1 도전형 반도체층(23)을 노출시키는 개구부들(37a)과 반사 전극 구조체(35)를 노출시키는 개구부들(37b)을 가질 수 있다.
개구부들(37b)은 메사(M) 상부에 한정되어 위치하며, 특히 메사(M)의 연결부 상에 위치할 수 있다. 한편, 개구부들(37a)은 메사(M)의 분지부(Mb)들 사이의 영역 및 기판(21) 가장자리 근처에 위치할 수 있으며, 메사(M)의 분지부(Mb)를 따라 연장하는 기다란 형상을 가질 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 하부 절연층(37) 상에 전류 분산층(39)이 형성된다. 상기 전류 분산층(39)은 메사(M) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 덮는다. 또한, 전류 분산층(39)은 메사(M) 상부 영역 내에 위치하고 상기 반사 전극 구조체(35)를 노출시키는 개구부(39a)를 갖는다. 전류 분산층(39)은 하부 절연층(37)의 개구부들(37a)을 통해 상기 제1 도전형 반도체층(23)에 오믹콘택할 수 있다. 한편, 전류 분산층(39)은 하부 절연층(37)에 의해 메사(M) 및 반사 전극들(35)로부터 절연된다.
전류 분산층(39)의 개구부(39a)는 전류 분산층(39)이 반사 전극 구조체들(35)에 접속하는 것을 방지하도록 하부 절연층(37)의 개구부(37b)보다 더 넓은 면적을 갖는다. 따라서, 상기 개구부(39a)의 측벽은 하부 절연층(37) 상에 위치한다.
전류 분산층(39)은 개구부들(39a)을 제외한 기판(21)의 거의 전 영역 상부에 형성된다. 따라서, 상기 전류 분산층(39)을 통해 전류가 쉽게 분산될 수 있다.
상기 전류 분산층(39)은 오믹 콘택층, 금속 반사층, 확산 방지층 및 산화방지층을 포함할 수 있다. 상기 오믹 콘택층에 의해 상기 전류 분산층이 제1 도전형 반도체층에 오믹 콘택할 수 있다. 예를 들어, 오믹 콘택층으로 Ti, Cr, Ni 등이 사용될 수 있다. 한편, 상기 금속 반사층은 전류 분산층으로 입사된 광을 반사시켜 발광 다이오드의 반사율을 증가시킨다. 금속 반사층으로는 Al이 사용될 수 있다. 또한, 확산 방지층은 금속 원자의 확산을 방지하여 금속 반사층을 보호한다. 특히, 확산 방지층은 Sn과 같은 솔더 페이스트 내의 금속 원자의 확산을 방지할 수 있다. 확산 방지층은 Cr, Ti, Ni, Mo, TiW 또는 W 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. Mo, TiW 및 W은 단층으로 형성될 수 있다. 한편, Cr, Ti, Ni은 쌍으로 형성될 수 있다. 특히, 상기 확산 방지층은 Ti/Ni 또는 Ti/Cr을 적어도 2쌍 포함할 수 있다. 한편, 산화방지층은 확산 방지층의 산화를 방지하기 위해 형성되며, Au를 포함할 수 있다.
상기 전류 분산층의 반사율은 65 내지 75%일 수 있다. 이에 따라, 반사 전극 구조체에 의한 광 반사에 더하여, 전류 분산층에 의한 광 반사를 얻을 수 있으며, 따라서, 메사 측벽 및 제1 도전형 반도체층을 통해 진행하는 광을 반사시킬 수 있다.
상기 전류 분산층은 상기 산화방지층 상에 위치하는 접착층을 더 포함할 수 있다. 접착층은 Ti, Cr, Ni 또는 Ta를 포함할 수 있다. 접착층은 전류 분산층과 상부 절연층의 접착력을 향상시키기 위해 사용될 수 있으며, 생략될 수도 있다.
예를 들어, 상기 전류 분산층(39)은 Cr/Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
한편, 전류 분산층(39)을 형성하는 동안 반사 전극 구조체(35) 상에 확산 방지 보강층(40)이 형성된다. 상기 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)과 동일 재료로 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)으로부터 이격된다. 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)의 개구부(39a) 내에 위치하며 또한 하부 절연층(37)의 개구부(37b) 내에 위치할 수 있다.
도 9를 참조하면, 전류 분산층(39) 상에 상부 절연층(41)이 형성된다. 상부 절연층(41)은 전류 분산층(39)을 노출시켜 제1 전극 패드 영역(43a)을 정의하는 개구부(41a)와 함께, 반사 전극 구조체(35)를 노출시켜 제2 전극 패드 영역(43b)을 정의하는 개구부(41b)를 갖는다. 상기 개구부(41a)는 메사(M)의 분지부들(Mb)에 수직한 방향으로 기다란 형상을 가질 수 있다. 한편, 상부 절연층(41)의 개구부(41b)는 전류 분산층(39)의 개구부(39a)에 비해 더 좁은 면적을 갖고, 따라서, 상부 절연층(41)이 개구부(39a) 측벽을 덮을 수 있다.
반사 전극 구조체(35) 상에 확산 방지 보강층(40)이 형성된 경우, 상기 개구부(41b)는 확산 방지 보강층(40)을 노출시킨다. 이 경우, 반사 전극 구조체(35)는 상부 절연층(41) 및 확산 방지 보강층(40)에 의해 밀봉될 수 있다.
또한, 상부 절연층(41)은 칩 분리 영역(23h)에도 형성되어 제1 도전형 반도체층(23)의 측면을 덮을 수 있다. 이에 따라, 수분 등이 제1 도전형 반도체층의 상하 계면을 통해 침투되는 것을 방지할 수 있다.
상기 상부 절연층(41)은 솔더 페이스트의 금속 원소들이 확산되는 것을 방지하도록 실리콘 질화막으로 형성되는 것이 바람직하며, 1㎛ 이상 2㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 1㎛ 미만이면, 솔더 페이스트의 금속 원소들의 확산을 방지하기 어렵다.
선택적으로, 상기 제1 전극 패드 영역(43a) 및 제2 전극 패드 영역(43b) 상에 ENIG(electroless nickel immersion gold)와 같은 무전해 도금 기술을 이용하여 Sn 확산 방지 도금층(도시하지 않음)이 추가로 형성될 수 있다.
제1 전극 패드 영역(43a)은 전류 분산층(39)을 통해 제1 도전형 반도체층(23)에 전기적으로 접속하고, 제2 전극 패드 영역(43b)은 확산 방지 보강층(40), 반사 전극 구조체(35)를 통해 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적으로 접속한다.
상기 제1 전극 패드 영역(43a) 및 제2 전극 패드 영역(43b)은 솔더 페이스트를 통해 발광 다이오드를 인쇄회로보드 등에 실장하기 위해 사용된다. 따라서, 솔더 페이스트에 의해 제1 전극 패드 영역(43a)과 제2 전극 패드 영역(43b)가 단락되는 것을 방지하기 위해, 전극 패드들 사이의 거리는 약 300㎛ 이상인 것이 바람직하다.
그 후, 기판(21)의 하면을 그라인딩 및/또는 래핑 공정을 통해 부분적으로 제거하여 기판(21) 두께를 감소시킬 수 있다. 이어서, 기판(21)을 개별 칩 단위로 분할함으로써 서로 분리된 발광 다이오드가 제작된다. 이때, 상기 기판(21)은 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 형성된 분리 영역(23h)에서 분리될 수 있으며, 따라서 칩 분리를 위해 레이저 스크라이빙을 추가로 수행할 필요는 없다.
상기 기판(21)은 개별 발광 다이오드 칩 단위로 분할되기 전 또는 후에 발광 다이오드 칩에서 제거될 수도 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(21)이 제거되지 않을 수도 있다.
나아가, 도 10을 참조하면, 서로 분리된 발광 다이오드(100) 상에 파장변환기(45)가 형성될 수 있다. 파장변환기(45)는 발광 다이오드(100)의 상면을 균일한 두께로 덮을 수 있다. 예를 들어, 파장변환기(45)는 제1 도전형 반도체층(23) 하면을 균일한 두께로 덮을 수 있다. 이와 달리, 발광 다이오드(100)가 기판(21)을 포함하는 경우, 파장변환기(45)는 기판(21)의 하면을 덮을 수 있다. 파장변환기(45)는 형광체를 함유하는 수지를 프린팅 기법을 이용하여 발광 다이오(100)드 상에 코팅하거나, 또는 에어로졸 분사 장치를 이용하여 형광체 분말을 기판(21)에 코팅함으로써 형성될 수 있다. 특히, 에어로졸 증착 방법을 이용함으로써, 발광 다이오드에 균일한 두께의 형광체 박막을 형성할 수 있어 발광 다이오드(100)에서 출사되는 광의 색상 균일도가 향상된다. 또한, 파장변환기(45)는 제1 도전형 반도체층(23)의 하면에서부터 연장되어 발광 다이오드(100)의 측면을 덮을 수 있다. 이에 따라, 발광 다이오드(100)의 측면을 통해 방출되는 광에 대해서도, 파장 변환이 가능할 수 있다.
파장변환기(45)는 수지에 형광체가 담지된 형태로 사용될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다. 형광체가 유리에 담지되거나, 형광체가 별도의 세라믹에 담지된 형태로 사용될 수 있다.
나아가, 파장변환기(45)는 상술한 수지, 유리 또는 별도의 세라믹 등을 포함하지 않고, 형광체만으로 이루어질 수도 있다. 이에 따라, 수지, 유리, 별도의 세라믹에 의한 광 흡수가 제거될 수 있으므로, 광 추출 효율이 증가할 수 있다. 또한 파장변환기(45)의 두께가 줄어들 수 있어서, 발광 다이오드 내지 백라이트 유닛의 크기가 줄어들 수 있으며, 광 추출 효율도 더욱 개선될 수 있다. 이와 더불어, 파장변환기(45)는 단결정의 형광체만으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상술한 효과와 더불어, 원하는 지향각 내에 광이 집중되도록 조절 가능하며, 형광체에 의한 파장변환 정도가 특정 방향에 따라 균일하게 나타날 수 있다.
발광 다이오드는 파장변환기(45)와 제1 도전형 반도체층(23) 사이에 접착층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 접착층은 파장변환기(45) 및 제1 도전형 반도체층(23)과 각각 강한 접착력을 가진다. 이를 통해, 제1 도전형 반도체층(23)으로부터 파장변환기(45)가 박리되는 것이 방지될 수 있다.
나아가, 발광 다이오드 패키지(110)는 발광 다이오드를 덮는 광학부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 광학부재는 발광 다이오드를 외부 충격 및 오염 물질로부터 보호하며, 발광 다이오드로부터 방출된 광을 원하는 방향으로 전진시키는 역할을 할 수 있다. 광학부재는 유리 또는 플라스틱 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 광학부재의 바깥면은 거칠어진 표면을 포함하거나, 볼록한 형상을 가질 수 있다. 이에 따라 광학부재의 바깥면에서 전반사되어 발광 다이오드로 돌아오는 광이 줄어들 수 있어서 광 추출 효율이 개선될 수 있다.
광학부재는 발광 다이오드로부터 방출된 광이 입사하는 입광면 및 상기 광이 출사하는 출광면을 포함할 수 있다. 발광 다이오드에서 방출된 광의 지향각은 출광면을 통해 출사되면서 증가할 수 있다. 즉, 광학부재의 출광면에서 출사되는 광의 지향각은 발광 다이오드로부터 방출된 광의 지향각보다 클 수 있다. 따라서, 확산판의 더 넓은 영역에 광이 조사될 수 있으므로, 백라이트 유닛은 더 적은 개수의 발광 다이오드를 사용하면서도 균일한 발광 특성을 가질 수 있다.
이에 따라, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛의 발광 다이오드가 완성될 수 있다. 상기 발광 다이오드를 적어도 하나 이상 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)가 준비될 수 있다. 이 후, 발광 다이오드 패키지(110)가 베이스(200) 상에 실장되고, 발광 다이오드 패키지(110) 상에 확산판(300)이 형성되면서, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드는 그 자체로 발광 다이오드 패키지가 될 수 있다. 따라서, 발광 다이오드(00)를 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)의 크기가 지나치게 커지는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드 패키지의 크기는 1.3mm × 1.3mm × 0.35mm 일 수 있다. 이는 종래의 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 크기가 3.5mm × 2.8mm × 0.7mm인 것과 비교하여 상대적으로 작은 크기이다. 이에 따라, 백라이트 유닛의 소형화가 가능하며, 제조 단가가 감소할 수 있다.
또한, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 종래의 발광 다이오드에 비해 광 추출 효율이 개선된 발광 다이오드이다. 구체적으로, 400mA의 구동전류에서, 종래의 발광 다이오드는 98lm의 광속을 방출하는 반면, 본 실시예에 사용된 발광 다이오드는 107lm의 광속을 방출한다. 따라서, 본 실시예의 백라이트 유닛의 효율이 증가할 수 있다.
나아가, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 높은 신뢰성을 지니며, 전류 분산 효율이 높아, 고전류에서도 구동이 가능하다. 예를 들어, 종래의 발광 다이오드는 250 내지 400mA, 구체적으로 400mA에서 구동되어 98lm의 광속을 방출한다. 반면, 본 실시예서 사용된 발광 다이오드는 500 내지 1000mA, 구체적으로 800mA에서 구동될 수 있으며, 이 때 175lm의 높은 광속을 방출할 수 있다. 따라서, 보다 높은 출력을 나타내는 백라이트 유닛의 제조가 가능하다.
본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드는 지향각이 크다. 구체적으로, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 지향각이 145°일 수 있으며, 이는 120°의 지향각을 가지는 종래의 발광 다이오드에 비해 높다. 또한, 발광 다이오드의 실장면과 확산판의 하면까지의 거리를 18mm로 설정한 뒤, 발광 다이오드에서 방출된 광이 확산판의 하면에서 차지하는 면적을 계산해볼 수 있다. 지향각이 145°인 발광 다이오드를 사용한 본 실시예의 경우, 발광 다이오드를 포함하는 일 발광 다이오드 패키지(110)는 확산판의 하면 중 1017.88mm2에 광을 조사할 수 있다. 반면, 종래 발광 다이오드는 339.27mm2에 불과한 바, 본 실시예에 따른 발광 다이오드를 사용하는 경우, 백라이트 유닛에서 발광 다이오드의 개수를 종래의 백라이트 유닛에 비해 30% 정도 덜 사용할 수 있다. 이에 따라, 목표로 한 색좌효의 구현이 더욱 용이하며, 백라이트 유닛의 제조 공정이 간소화될 수 있으며, 백라이트 유닛의 제조 단가가 감소할 수 있다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛에 포함된 발광 다이오드의 또 다른 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다.
앞서 설명한 실시예들에 있어서, 메사(M)는 반사 전극 구조체(35)를 형성한 후에 형성되었으나, 본 실시예에 있어서, 메사(M)가 반사 전극 구조체(35)를 형성하기 전에 형성된다.
우선, 도 11을 참조하면, 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 기판(21) 상에 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)이 성장된다. 그 후, 패터닝 공정을 통해 메사(M)가 형성된다. 상기 메사(M)는 도 5를 참조하여 설명한 것과 유사하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 12를 참조하면, 제1 도전형 반도체층(23) 및 메사(M)를 덮도록 예비 산화층(10)이 형성된다. 예비 산화층(10)은 도 2를 참조하여 설명한 바와 동일한 재료 및 제조 기술을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 예비 산화층(10) 상에 개구부(11a)를 갖는 포토레지스트 패턴(11)이 형성된다. 포토레지스트 패턴(11)의 개구부(11a)는 메사(M)의 상부 영역 내에 위치한다. 포토레지스트 패턴(11)은 메사(M)가 형성된 기판(21) 상에 형성되는 것을 제외하면, 도 2를 참조하여 설명한 것과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 13을 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(11)을 식각 마스크로 사용하여 예비 산화층(10)이 식각되고, 이에 따라 제2 도전형 반도체층(27)을 노출시키는 개구부들(10a)이 형성된다.
도 14를 참조하면, 이어서, 도 4를 참조하여 상세히 설명한 바와 같이, 반사 전극 구조체(35)가 리프트 오프 기술을 이용하여 각 메사들(M) 상에 형성된다. 그 후, 도 6 내지 도 11을 참조하여 설명한 바와 유사한 공정을 거쳐 발광 다이오드가 제작될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 메사(M)가 반사 전극 구조체(35)보다 먼저 형성되므로, 예비 산화층(10)이 메사(M)의 측면 및 메사(M) 사이의 영역에 잔류할 수 있다. 상기 예비 산화층(10)은 그 후 하부 절연층(39)으로 덮이며, 하부 절연층(39)과 함께 패터닝된다.
도 15 내지 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 15 내지 도 21의 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다. 백라이트 유닛의 기본 구조는 도 1을 통해 설명한 것처럼, 베이스(200), 발광 다이오드 패키지(110) 및 확산판(300)을 포함하며, 이는 이하 설명할 발광 다이오드를 포함하는 백라이트 유닛에도 동일하게 적용된다.
우선, 도 15를 참조하면, 기판(21) 상에 제1 도전형 반도체층(21)이 형성되고, 상기 제1 도전형 반도체층(21) 상에 서로 이격된 복수의 메사들(M)이 형성된다. 복수의 메사들(M)은 각각 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함한다. 여기서, 3개의 메사들(M)이 서로 이격되어 형성된 것을 도시 및 설명하지만, 더 많은 수의 메사들(M)이 형성될 수도 있으며, 하나 또는 두 개의 메사들(M)이 형성될 수도 있다.
상기 복수의 메사(M)들은 기판(21) 상에 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함하는 에피층을 금속 유기화학 기상 성장법 등을 이용하여 성장시킨 후, 제1 도전형 반도체층(23)이 노출되도록 제2 도전형 반도체층(27) 및 활성층(25)을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 상기 복수의 메사들(M)의 측면은 포토레지스트 리플로우와 같은 기술을 사용함으로써 경사지게 형성될 수 있다. 메사(M) 측면의 경사진 프로파일은 활성층(25)에서 생성된 광의 추출 효율을 향상시킨다.
상기 기판(21)은 질화가륨계 반도체층을 성장시킬 수 있는 기판으로서, 예컨대 사파이어 기판, 탄화실리콘 기판, 질화갈륨(GaN) 기판, 스피넬 기판 등일 수 있다. 특히, 상기 기판은 패터닝된 사파이어 기판과 같이 패터닝된 기판일 수 있다.
제1 도전형 반도체층(23)은 예컨대 n형 질화갈륨계층을 포함하고, 제2 도전형 반도체층(27)은 p형 질화갈륨계층을 포함할 수 있다. 또한, 활성층(25)은 단일양자우물 구조 또는 다중양자우물 구조일 수 있으며, 우물층과 장벽층을 포함할 수 있다. 또한, 우물층은 요구되는 광의 파장에 따라 그 조성원소가 선택될 수 있으며, 예컨대 AlGaN, GaN 또는 InGaN을 포함할 수 있다. 활성층의 조성 원소에 따라, 발광 다이오드는 가시광을 방출하는 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드가 된다.
도 15에 도시한 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(21) 상에 복수의 메사들(M)이 형성될 경우, 복수의 메사들(M)은 기다란 형상을 가지고 일측 방향으로 서로 평행하게 연장할 수 있다. 이러한 형상은 기판(21) 상에서 복수의 칩 영역에 동일한 형상의 복수의 메사들(M)을 형성하는 것을 단순화시킨다.
도 16을 참조하면, 메사 식각에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(21) 상에 오믹 콘택 구조체(29)가 형성된다. 오믹 콘택 구조체(29)는 메사들(M)의 길이 방향을 따라 메사들(M) 사이 및 가장자리들에 형성될 수 있다. 오믹 콘택 구조체(29)는 제1 도전형 반도체층(21)에 오믹 콘택하는 재료로 형성되며, 예를 들어, Ti/Al을 포함할 수 있다. 특히, 자외선 발광 다이오드의 경우, 오믹 콘택 구조체는 Ti/Al/Ti/Au의 적층 구조를 가질 수 있다.
본 실시예에서, 복수의 오믹 콘택 구조체(29)가 서로 이격되어 형성된 것으로 도시 및 설명하지만, 서로 연결된 하나의 오믹 콘택 구조체(29)가 제1 도전형 반도체층(21) 상에 형성될 수도 있다.
도 17를 참조하면, 메사들(M) 상에 반사 전극 구조체(35)가 형성된다. 반사 전극 구조체(35)는 리프트 오프 기술을 이용하여 형성될 수 있다. 반사 전극 구조체(35)는 각 메사(M) 상에 형성되며, 메사(M)와 대체로 유사한 형상을 가진다.
반사 전극 구조체(35)는 발광 다이오드의 종류에 따라 그 구조가 다를 수 있다. 예컨대, UVB 영역 및 UVB에 가까운 UVA 영역대의 자외선을 방출하는 발광 다이오드에 있어서, 반사 전극 구조체(35)는 Ni/Au 또는 Ni/Au와 그 위의 접착층을 포함할 수 있다.
한편, 청색 발광 다이오드 또는 청색광에 가까운 UVA 영역대의 자외선 발광 다이오드의 경우, 반사 전극 구조체(35)는 반사 금속부(31), 캐핑 금속부(32) 및 산화 방지 금속부(33)를 포함할 수 있다. 반사 금속부(31)는 오믹층 및 반사층을 포함하며, 상기 캐핑 금속부(32)와의 사이에 응력 완화층을 포함할 수 있다. 응력 완환층은 반사 금속부(31)와 캐핑 금속부(32)의 열팽창 계수 차이에 의한 응력을 완화한다.
반사 금속부(31)는, 예컨대, Ni/Ag/Ni/Au로 형성될 수 있으며, 전체 두께가 약 1600Å일 수 있다. 또는, 반사 금속부(31)는 Ni/Ag, ITO/Ag 또는 ITO/DBR (DBR: 분포 브래그 반사기)로 이루어질 수 있다. 반사 금속부(31)는 도시한 바와 같이 측면이 경사지게, 즉, 바닥부가 상대적으로 더 넓은 형상을 갖도록 형성된다. 이러한 반사 금속부(31)는 메사들(M)을 노출시키는 개구부를 가지는 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 전자-빔 증발법을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 캐핑 금속부(32)는 반사 금속부(31)의 상면 및 측면을 덮어 반사 금속부(31)를 보호한다. 캐핑 금속부(32)는 스퍼터링 기술을 이용하여 또는 기판(21)을 기울여서 회전시키며 진공증착하는 전자-빔 증발법(예컨대, planetary e-beam evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다. 캐핑 금속부(32)는 Ni, Pt, Ti, 또는 Cr을 포함할 수 있으며, 예컨대 약 5쌍의 Ni/Pt 또는 약 5쌍의 Ni/Ti를 증착하여 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 캐핑 금속부(32)는 TiW, W, 또는 Mo을 포함할 수 있다.
응력 완화층은 반사층과 캐핑 금속부(32)의 금속 물질에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 예컨대, 상기 반사층이 Al 또는 Al합금이고, 캐핑 금속부(32)가 W, TiW 또는 Mo을 포함하는 경우, 응력 완화층은 Ag, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Cr의 단일층이거나, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Au의 복합층일 수 있다. 또한, 반사층이 Al 또는 Al합금이고, 캐핑 금속부(32)가 Cr, Pt, Rh, Pd 또는 Ni인 경우, 응력 완화층은 Ag 또는 Cu의 단일층이거나, Ni, Au, Cu 또는 Ag의 복합층일 수 있다.
또한, 반사층이 Ag 또는 Ag합금이고, 캐핑 금속부(32)가 W, TiW 또는 Mo을 포함하는 경우, 응력 완화층은 Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Cr의 단일층이거나, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd, Cr 또는 Au의 복합층일 수 있다. 또한, 반사층이 Ag 또는 Ag합금이고, 캐핑 금속부(32)가 Cr 또는 Ni인 경우, 응력 완화층은 Cu, Cr, Rh, Pd, TiW, Ti의 단일층이거나, Ni, Au 또는 Cu의 복합층일 수 있다.
또한, 산화 방지 금속부(33)는 캐핑 금속부(32)의 산화를 방지하기 위해 Au를 포함하며, 예컨대 Au/Ni 또는 Au/Ti로 형성될 수 있다. Ti는 SiO2와 같은 산화층의 접착력이 양호하므로 선호된다. 산화 방지 금속부(33) 또한 스퍼터링 또는 기판(21)을 기울여서 회전시키며 진공증착하는 전자-빔 증발법(예컨대, planetary e-beam evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 반사 전극 구조체(35)가 증착된 후, 포토레지스트 패턴이 제거됨으로써 도 4에 도시한 바와 같이 제2 도전형 반도체층(27) 상에 반사 전극 구조체(35)가 남게 된다.
본 실시예에 있어서, 메사(M), 오믹 콘택 구조체(29) 및 반사 전극 구조체(35)를 차례로 형성하는 것으로 설명하였지만, 이들의 형성 순서는 바뀔 수 있다. 예를 들어, 반사 전극 구조체(35)는 오믹 콘택 구조체(29)보다 앞서 형성될 수 있으며, 또한, 메사(M)에 앞서 형성될 수도 있다.
도 18을 참조하면, 메사(M) 및 제1 도전형 반도체층(21)을 덮도록 하부 절연층(37)이 형성된다. 상기 하부 절연층(37)은 화학기상증착(CVD) 등의 기술을 사용하여 SiO2 등의 산화막, SiNx 등의 질화막, MgF2의 절연막으로 형성될 수 있다. 상기 하부 절연층(37)은 예컨대 4000~12000Å의 두께로 형성될 수 있다. 상기 하부 절연층(37)은 단일층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 다중층으로 형성될 수도 있다. 나아가, 하부 절연층(37)은 저굴절 물질층과 고굴절 물질층이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기(DBR)로 형성될 수 있다. 예컨대, SiO2/TiO2나 SiO2/Nb2O5 등의 층을 적층함으로써 반사율이 높은 절연 반사층을 형성할 수 있다.
이어서, 하부 절연층(37) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 칩 단위로 분리하는 분리 영역(23h)이 형성될 수 있다. 레이저 스크라이빙에 의해 기판(21) 상면에도 홈이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 도전형 반도체층(23)의 가장자리 근처에서 기판(21)이 노출된다.
레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 제1 도전형 반도체층(23)을 칩 단위로 분리하기 때문에 별도의 포토 마스크는 사용되지 않는다.
본 실시예에 있어서, 하부 절연층(37)을 형성한 후에 하부절연층(37)과 제1 도전형 반도체층(23)을 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 칩 단위로 분리하지만, 하부 절연층(37)을 형성하기 전에, 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 제1 도전형 반도체층(23)을 칩 단위로 분리할 수도 있다.
도 19를 참조하면, 하부 절연층(37)을 패터닝하여 오믹 콘택 구조체들(29) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 노출시키는 개구부들(37a) 및 반사 전극 구조체들(35)을 노출시키는 개구부들(37b)을 형성한다.
도 19에 도시한 바와 같이, 개구부들(37b)은 기판(21)의 일측 가장자리에 치우쳐 각 메사(M) 상에 형성될 수 있다. 또한, 개구부들(37b) 사이에 위치하는 오믹 콘택 구조체(29)들은, 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 하부 절연층(37)으로 덮인다.
한편, 오믹 콘택 구조체들(29) 중 기판(21)의 가장자리들에 위치하는 오믹 콘택 구조체들(29)은 개구부들(37a)에 의해 그 전체가 노출될 수 있다. 그러나, 메사들(M) 사이에 위치하는 오믹 콘택 구조체들(29)의 경우, 후속 공정에서 오믹 콘택 구조체(29)와 반사 전극 구조체(35)가 단락되는 것을 방지하기 위해, 개구부들(37a)에 노출된 영역들은 개구부들(37a) 사이의 영역들로부터 떨어져 위치한다.
도 20을 참조하면, 상기 하부 절연층(37) 상에 전류 분산층(39)이 형성된다. 상기 전류 분산층(39)은 메사들(M) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 덮는다. 또한, 전류 분산층(39)은 개구부들(37b)을 노출시키는 개구부(39a)를 갖는다. 개구부(39a)는 제2 개구부들(37b)을 통해 노출된 반사 전극 구조체들(35)을 노출시킨다. 따라서, 전류 분산층(39)은 하부 절연층(37)에 의해 메사(M) 및 반사 전극 구조체들(35)로부터 절연된다.
한편, 전류 분산층(39)은 하부 절연층(37)의 개구부들(37a)을 통해 오믹 콘택 구조체(29) 및 제1 도전형 반도체층(23)에 전기적으로 접속한다. 서로 이격된 오믹 콘택 구조체들(29)이 전류 분산층(39)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 나아가, 전류 분산층(39)은 오믹 콘택 구조체들(29)의 측면을 덮을 수 있으며, 따라서, 오믹 콘택 구조체들(29)의 측면으로 입사되는 광은 전류 분산층(39)에서 반사될 수 있다.
도 20에 도시한 바와 같이, 전류 분산층(39)은 기판(21) 상의 대부분의 영역을 덮으며, 따라서, 저항이 낮아 오믹 콘택 구조체들(29)에 전류를 쉽게 분산시킬 수 있다.
상기 전류 분산층(39)은 금속 반사층, 확산 방지층 및 산화방지층을 포함할 수 있다. 나아가, 금속 반사층이 전류 분산층(39)의 최하층이 될 수 있다. 상기 금속 반사층은 전류 분산층으로 입사된 광을 반사시켜 발광 다이오드의 반사율을 증가시킨다. 금속 반사층으로는 Al이 사용될 수 있다. 또한, 확산 방지층은 금속 원자의 확산을 방지하여 금속 반사층을 보호한다. 특히, 확산 방지층은 Sn과 같은 솔더 페이스트 내의 금속 원자의 확산을 방지할 수 있다. 확산 방지층은 Cr, Ti, Ni, Mo, TiW 또는 W 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. Mo, TiW 및 W은 단층으로 형성될 수 있다. 한편, Cr, Ti, Ni은 쌍으로 형성될 수 있다. 특히, 상기 확산 방지층은 Ti/Ni 또는 Ti/Cr을 적어도 2쌍 포함할 수 있다. 한편, 산화방지층은 확산 방지층의 산화를 방지하기 위해 형성되며, Au를 포함할 수 있다.
상기 전류 분산층(39)은 최하층에 오믹 콘택층을 포함하는 종래의 전류 분산층과 대비하여 더 향상된 반사율을 가진다. 이에 따라, 전류 분산층(39)에서 광을 흡수하는 것에 의해 발생되는 광 손실을 감소시킬 수 있다.
상기 전류 분산층은 상기 산화방지층 상에 위치하는 접착층을 더 포함할 수 있다. 접착층은 Ti, Cr, Ni 또는 Ta를 포함할 수 있다. 접착층은 전류 분산층과 상부 절연층의 접착력을 향상시키기 위해 사용될 수 있으며, 생략될 수도 있다.
예를 들어, 상기 전류 분산층(39)은 Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
한편, 전류 분산층(39)을 형성하는 동안 개구부(39a) 내에 확산 방지 보강층(40)이 형성될 수 있다. 상기 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)과 동일 재료로 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. 따라서, 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)과 동일한 적층 구조를 가진다.
한편, 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)으로부터 이격되며, 개구부(37b)를 통해 노출된 반사 전극 구조체들(35)에 접속한다. 확산 방지 보강층(40)에 의해 서로 이격된 반사 전극 구조체들(35)이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 도 20(c)에 도시한 바와 같이, 확산 방지 보강층(40)은 하부 절연층(37)에 의해 오믹 콘택 구조체들(29)로부터 절연된다.
광 손실을 방지하기 위해, 상기 전류 분산층(39)과 확산 방지 보강층(40)은 전체 칩 면적의 80% 이상을 덮을 수 있다.
도 21을 참조하면, 전류 분산층(39) 상에 상부 절연층(41)이 형성된다. 상부 절연층(41)은 전류 분산층(39)을 노출시켜 제1 패드 영역(43a)을 정의하는 개구부(41a)와 함께, 확산 방지 보강층(40)을 노출시켜 제2 패드 영역(43a)을 정의하는 개구부(41b)를 갖는다. 상기 개구부들(41a, 41b)은 메사들(M)에 수직한 방향으로 기다란 형상을 가질 수 있다. 한편, 상부 절연층(41)의 개구부(41b)는 전류 분산층(39)의 개구부(39a)에 비해 더 좁은 면적을 가지며, 나아가, 확산 방지 보강층(40)의 면적보다 좁은 면적을 가질 수 있다. 따라서, 상부 절연층(41)이 개구부(39a) 측벽을 덮는다.
한편, 확산 방지 보강층(40)이 생략된 경우, 상기 개구부(41b)는 개구부들(37b)을 노출시키며, 또한, 개구부들(37b)에 노출된 반사 전극 구조체(35)를 노출시킬 것이다. 이 경우, 반사 전극 구조체들(35)이 제2 패드 영역으로 사용될 수 있다.
덧붙여, 상부 절연층(41)은 칩 분리 영역(23h)에도 형성되어 제1 도전형 반도체층(23)의 측면을 덮을 수 있다. 이에 따라, 수분 등이 제1 도전형 반도체층의 상하 계면을 통해 침투되는 것을 방지할 수 있다.
상기 상부 절연층(41)은 솔더 페이스트의 금속 원소들이 확산되는 것을 방지하도록 실리콘 질화막으로 형성될 수 있으며, 1㎛ 이상 2㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 1㎛ 미만이면, 솔더 페이스트의 금속 원소들의 확산을 방지하기 어렵다.
선택적으로, 상기 제1 전극 패드 영역(43a) 및 제2 전극 패드 영역(43b) 상에 ENIG(electroless nickel immersion gold)와 같은 무전해 도금 기술을 이용하여 Sn 확산 방지 도금층(도시하지 않음)이 추가로 형성될 수 있다.
제1 전극 패드 영역(43a)은 전류 분산층(39) 및 오믹 콘택 구조체(29)를 통해 제1 도전형 반도체층(23)에 전기적으로 접속하고, 제2 전극 패드 영역(43b)은 확산 방지 보강층(40), 반사 전극 구조체(35)를 통해 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적으로 접속한다.
상기 제1 전극 패드 영역(43a) 및 제2 전극 패드 영역(43b)은 솔더 페이스트를 통해 발광 다이오드를 인쇄회로보드 등에 실장하기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 솔더 페이스트에 의해 제1 전극 패드 영역(43a)과 제2 전극 패드 영역(43b)이 단락되는 것을 방지하기 위해, 전극 패드들 사이의 거리는 약 300㎛ 이상인 것이 바람직하다.
그 후, 기판(21)의 하면을 그라인딩 및/또는 래핑 공정을 통해 부분적으로 제거하여 기판(21) 두께를 감소시킬 수 있다. 이어서, 기판(21)을 개별 칩 단위로 분할함으로써 서로 분리된 발광 다이오드가 제작된다. 이때, 상기 기판(21)은 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 형성된 분리 영역(23h)에서 분리될 수 있으며, 따라서 칩 분리를 위해 레이저 스크라이빙을 추가로 수행할 필요는 없다.
상기 기판(21)은 개별 발광 다이오드 칩 단위로 분할되기 전 또는 후에 발광 다이오드 칩에서 제거될 수도 있다.
나아가, 도 10을 참조하면, 서로 분리된 발광 다이오드(100) 상에 파장변환기(45)가 형성될 수 있다. 파장변환기(45)는 발광 다이오드(100)의 상면을 균일한 두께로 덮을 수 있다. 예를 들어, 파장변환기(45)는 제1 도전형 반도체층(23) 하면을 균일한 두께로 덮을 수 있다. 이와 달리, 발광 다이오드(100)가 기판(21)을 포함하는 경우, 파장변환기(45)는 기판(21)의 하면을 덮을 수 있다. 파장변환기(45)는 형광체를 함유하는 수지를 프린팅 기법을 이용하여 발광 다이오드(100) 상에 코팅하거나, 또는 에어로졸 분사 장치를 이용하여 형광체 분말을 기판(21)에 코팅함으로써 형성될 수 있다. 특히, 에어로졸 증착 방법을 이용함으로써, 발광 다이오드(100)에 균일한 두께의 형광체 박막을 형성할 수 있어 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색상 균일도가 향상된다. 또한, 파장변환기(45)는 제1 도전형 반도체층(23)의 하면에서부터 연장되어 발광 다이오드(100)의 측면을 덮을 수 있다. 이에 따라, 발광 다이오드(100)의 측면을 통해 방출되는 광에 대해서도, 파장 변환이 가능할 수 있다.
파장변환기(45)는 수지에 형광체가 담지된 형태로 사용될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다. 형광체가 유리에 담지되거나, 형광체가 별도의 세라믹에 담지된 형태로 사용될 수 있다.
나아가, 파장변환기(45)는 상술한 수지, 유리 또는 별도의 세라믹 등을 포함하지 않고, 형광체만으로 이루어질 수도 있다. 이에 따라, 수지, 유리, 별도의 세라믹에 의한 광 흡수가 제거될 수 있으므로, 광 추출 효율이 증가할 수 있다. 또한 파장변환기(45)의 두께가 줄어들 수 있어서, 발광 다이오드(100) 내지 백라이트 유닛의 크기가 줄어들 수 있으며, 광 추출 효율도 더욱 개선될 수 있다. 이와 더불어, 파장변환기(45)는 단결정의 형광체만으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상술한 효과와 더불어, 원하는 지향각 내에 광이 집중되도록 조절 가능하며, 형광체에 의한 파장변환 정도가 특정 방향에 따라 균일하게 나타날 수 있다.
발광 다이오드(100)는 파장변환기(45)와 제1 도전형 반도체층(23) 사이에 접착층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 접착층은 파장변환기(45) 및 제1 도전형 반도체층(23)과 각각 강한 접착력을 가진다. 이를 통해, 제1 도전형 반도체층(23)으로부터 파장변환기(45)가 박리되는 것이 방지될 수 있다.
나아가, 발광 다이오드 패키지(110)는 발광 다이오드를 덮는 광학부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 광학부재는 발광 다이오드를 외부 충격 및 오염 물질로부터 보호하며, 발광 다이오드로부터 방출된 광을 원하는 방향으로 전진시키는 역할을 할 수 있다. 광학부재는 유리 또는 플라스틱 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 광학부재의 바깥면은 거칠어진 표면을 포함하거나, 볼록한 형상을 가질 수 있다. 이에 따라 광학부재의 바깥면에서 전반사되어 발광 다이오드로 돌아오는 광이 줄어들 수 있어서 광 추출 효율이 개선될 수 있다.
광학부재는 발광 다이오드로부터 방출된 광이 입사하는 입광면 및 상기 광이 출사하는 출광면을 포함할 수 있다. 발광 다이오드에서 방출된 광의 지향각은 출광면을 통해 출사되면서 증가할 수 있다. 즉, 광학부재의 출광면에서 출사되는 광의 지향각은 발광 다이오드로부터 방출된 광의 지향각보다 클 수 있다. 따라서, 확산판의 더 넓은 영역에 광이 조사될 수 있으므로, 백라이트 유닛은 더 적은 개수의 발광 다이오드를 사용하면서도 균일한 발광 특성을 가질 수 있다.
이에 따라, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛의 발광 다이오드가 완성될 수 있다. 상기 발광 다이오드를 적어도 하나 이상 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)가 준비될 수 있다. 이 후, 발광 다이오드 패키지(110)가 베이스(200) 상에 실장되고, 발광 다이오드 패키지(110) 상에 확산판(300)이 형성되면서, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드는 그 자체로 발광 다이오드 패키지가 될 수 있다. 따라서, 발광 다이오드(00)를 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)의 크기가 지나치게 커지는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드 패키지의 크기는 1.3mm × 1.3mm × 0.35mm 일 수 있다. 이는 종래의 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 크기가 3.5mm × 2.8mm × 0.7mm인 것과 비교하여 상대적으로 작은 크기이다. 이에 따라, 백라이트 유닛의 소형화가 가능하며, 제조 단가가 감소할 수 있다.
또한, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 종래의 발광 다이오드에 비해 광 추출 효율이 개선된 발광 다이오드이다. 구체적으로, 400mA의 구동전류에서, 종래의 발광 다이오드는 98lm의 광속을 방출하는 반면, 본 실시예에 사용된 발광 다이오드는 107lm의 광속을 방출한다. 따라서, 본 실시예의 백라이트 유닛의 효율이 증가할 수 있다.
나아가, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 높은 신뢰성을 지니며, 전류 분산 효율이 높아, 고전류에서도 구동이 가능하다. 예를 들어, 종래의 발광 다이오드는 250 내지 400mA, 구체적으로 400mA에서 구동되어 98lm의 광속을 방출한다. 반면, 본 실시예서 사용된 발광 다이오드는 500 내지 1000mA, 구체적으로 800mA에서 구동될 수 있으며, 이 때 175lm의 높은 광속을 방출할 수 있다. 따라서, 보다 높은 출력을 나타내는 백라이트 유닛의 제조가 가능하다.
본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드는 지향각이 크다. 구체적으로, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 지향각이 145°일 수 있으며, 이는 120°의 지향각을 가지는 종래의 발광 다이오드에 비해 높다. 또한, 발광 다이오드의 실장면과 확산판의 하면까지의 거리를 18mm로 설정한 뒤, 발광 다이오드에서 방출된 광이 확산판의 하면에서 차지하는 면적을 계산해볼 수 있다. 지향각이 145°인 발광 다이오드를 사용한 본 실시예의 경우, 발광 다이오드를 포함하는 일 발광 다이오드 패키지(110)는 확산판의 하면 중 1017.88mm2에 광을 조사할 수 있다. 반면, 종래 발광 다이오드는 339.27mm2에 불과한 바, 본 실시예에 따른 발광 다이오드를 사용하는 경우, 백라이트 유닛에서 발광 다이오드의 개수를 종래의 백라이트 유닛에 비해 30% 정도 덜 사용할 수 있다. 이에 따라, 목표로 한 색좌효의 구현이 더욱 용이하며, 백라이트 유닛의 제조 공정이 간소화될 수 있으며, 백라이트 유닛의 제조 단가가 감소할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛은 도 2 내지 도 14 및 도 15 내지 도 21을 통해 설명한 백라이트 유닛과 유사하나, 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)의 형태가 다른 점에서 차이가 있다.
구체적으로, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)는 복수개의 발광 다이오드들을 포함한다. 예를 들어, 하나의 발광 다이오드 패키지(110)는 네 개의 발광 다이오드들로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수개의 발광 다이오드들은 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라, 백라이트 유닛 구동 시, 발광 다이오드 패키지(110)에 고전류가 인가되더라도, 발광 다이오드 패키지(110)의 외부 양자 효율이 급격히 저하되는 드룹 현상이 개선될 수 있다. 복수개의 발광 다이오드는 도 2 내지 도 14 또는 도 15 내지 도 21을 통해 설명한 발광 다이오드들일 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛은 큰 지향각, 큰 광속을 가진 발광 다이오드에 의해, 소형화가 가능하며, 백라이트 유닛의 제조 단가가 절감될 수 있으며, 공정 시간이 단축될 수 있다. 직렬 연결된 복수개의 발광 다이오드는 단일의 기판(21)을 더 포함할 수 있다.
복수개의 발광 다이오드들은 별도의 배선을 통해 인접한 발광 다이오드와 직렬로 연결될 수 있다. 예를 들어, 일 배선의 일 말단은 일 발광 다이오드의 제2 도전형 반도체층(27)과 전기적으로 연결되며, 타 말단은 인접한 다른 발광 다이오드의 제1 도전형 반도체층(23)과 연결될 수 있다. 그러나, 반드시 별도의 배선이 필요한 것은 아니다. 일 발광 다이오드의 전류 분산층(39)이 연장되어 인접한 타 발광 다이오드의 제2 도전형 반도체층(27)과 전기적으로 연결될 수도 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
발광 다이오드 패키지(110)는 직렬 연결된 복수개의 발광 다이오드들을 덮는 광학부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 광학부재는 발광 다이오드를 외부 충격 및 오염 물질로부터 보호하며, 발광 다이오드로부터 방출된 광을 원하는 방향으로 전진시키는 역할을 할 수 있다. 광학부재는 유리 또는 플라스틱 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 광학부재의 바깥면은 거칠어진 표면을 포함하거나, 볼록한 형상을 가질 수 있다. 이에 따라 광학부재의 바깥면에서 전반사되어 발광 다이오드로 돌아오는 광이 줄어들 수 있어서 광 추출 효율이 개선될 수 있다.
앞에서 본 발명의 다양한 실시예들에 대해 설명하였으나, 본 발명은 특정 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특정 실시예에서 설명된 사항은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한 다른 실시예에서도 유사하게 적용될 수 있다.

Claims (23)

  1. 베이스 및
    상기 베이스 하면에 배치된 복수개의 발광 다이오드 패키지를 포함하며,
    상기 발광 다이오드 패키지는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 발광 다이오드는,
    제1 도전형 반도체층;
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하고, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 메사;
    상기 메사 상에 위치하는 반사 전극 구조체;
    상기 메사 및 상기 제1 도전형 반도체층을 덮되, 상기 반사 전극 구조체를 노출시키는 제1 개구부를 가지며, 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속하고, 상기 반사 전극 구조체 및 메사로부터 절연된 전류 분산층; 및
    상기 전류 분산층을 덮는 상부 절연층을 포함하고,
    상기 상부 절연층은 상기 전류 분산층을 노출시켜 제1 전극 패드 영역을 한정하는 제2 개구부와 상기 노출된 반사 전극 구조체의 상부 영역을 노출시켜 제2 전극 패드 영역을 한정하는 제3 개구부를 가지는 백라이트 유닛.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 상기 전류 분산층의 상기 제1 개구부 내에서 상기 반사 전극 구조체 상에 위치하는 확산 방지 보강층을 더 포함하고,
    상기 확산 방지 보강층이 상기 상부 절연층의 제3 개구부를 통해 노출되는 백라이트 유닛.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 확산 방지 보강층은 상기 전류 분산층과 동일 재료로 형성된 백라이트 유닛.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 전류 분산층은 오믹 콘택층, 금속 반사층, 확산 방지층 및 산화방지층을 포함하는 백라이트 유닛.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 확산 방지층은 Cr, Ti, Ni, Mo, TiW 및 W으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속층을 포함하고,
    상기 산화방지층은 Au, Ag 또는 유기물층을 포함하는 백라이트 유닛.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 확산 방지층은 Ti/Ni 또는 Ti/Cr을 적어도 2쌍 포함하는 백라이트 유닛.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 전류 분산층은 상기 산화방지층 상에 위치하는 접착층을 더 포함하는 백라이트 유닛.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사 전극 구조체는,
    반사 금속부;
    캐핑 금속부; 및
    산화 방지 금속부를 포함하고,
    상기 반사 금속부는 상면이 하면보다 좁은 면적을 갖도록 경사진 측면을 갖고, 상기 캐핑 금속부는 상기 반사 금속부의 상면 및 측면을 덮으며,
    상기 반사 금속부는 상기 캐핑 금속부와의 계면에 응력 완화층을 갖는 백라이트 유닛.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 메사는 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상의 분지부와 상기 분지부들이 서로 연결된 연결부를 갖고, 상기 제1 개구부는 상기 연결부 상에 위치하는 백라이트 유닛.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 메사는 복수개이며,
    상기 복수의 메사는 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상인 백라이트 유닛.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 상기 메사들 사이에서 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며, 상기 전류 분산층과 전기적으로 접속하는 오믹 콘택 구조체를 더 포함하는 백라이트 유닛.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드는, 상기 메사와 상기 전류 분산층 사이에 위치하여 상기 전류 분산층을 상기 메사로부터 절연시키는 하부 절연층을 더 포함하되,
    상기 하부 절연층은 상기 메사 상부 영역 내에 위치하고 상기 반사 전극 구조체를 노출시키는 제4 개구부를 갖는 백라이트 유닛.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 개구부는 상기 제4 개구부가 모두 노출되도록 상기 제4 개구부보다 더 넓은 폭을 갖는 백라이트 유닛.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 개구부 및 상기 제4 개구부 내에 위치하는 확산 방지 보강층을 더 포함하되,
    상기 확산 방지 보강층이 상기 제3 개구부를 통해 노출되는 백라이트 유닛.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 하부 절연층은 실리콘 산화막을 포함하고, 상기 상부 절연층은 실리콘 질화막을 포함하는 백라이트 유닛.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드로부터 방출된 광이 입사하는 입광면 및 상기 발광 다이오드로부터 방출된 광의 지향각보다 큰 지향각을 가지도록 광이 출사되는 출광면을 포함하는 광학부재를 더 포함하는 백라이트 유닛.
  17. 청구항 1에 있어서,
    형광체를 포함하며, 상기 제1 도전형 반도체층 하면을 균일한 두께로 덮는 파장변환기를 더 포함하는 백라이트 유닛.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 파장변환기는 상기 제1 도전형 반도체층의 하면에서부터 연장되어 상기 발광 다이오드의 측면을 덮는 백라이트 유닛.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 파장변환기는 단결정의 형광체로 이루어진 백라이트 유닛.
  20. 청구항 18에 있어서,
    상기 파장변환기와 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 접착층을 더 포함하는 백라이트 유닛.
  21. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드 패키지는 복수개의 발광 다이오드들을 포함하고,
    상기 복수개의 발광 다이오드들은 직렬로 연결된 백라이트 유닛.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 상기 1 도전형 반도체층 하면에 위치하는 기판을 더 포함하며,
    상기 복수개의 발광 다이오드들은 단일의 기판을 공유하는 백라이트 유닛.
  23. 청구항 1에 있어서,
    상기 베이스의 하면과 상기 발광 다이오드의 상면은 서로 대향하는 백라이트 유닛.
KR1020150091420A 2015-06-26 2015-06-26 발광 다이오드 패키지를 포함하는 백라이트 유닛 KR20170001436A (ko)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150091420A KR20170001436A (ko) 2015-06-26 2015-06-26 발광 다이오드 패키지를 포함하는 백라이트 유닛
EP16814738.7A EP3316244B1 (en) 2015-06-26 2016-06-24 Backlight unit using multi-cell light emitting diode
PCT/KR2016/006768 WO2016209025A2 (ko) 2015-06-26 2016-06-24 멀티셀 발광 다이오드를 이용한 백라이트 유닛
DE212016000126.4U DE212016000126U1 (de) 2015-06-26 2016-06-24 Hintergrundbeleuchtungseinheit unter Verwendung von Mehrzellen-Leuchtdioden
CN201690000752.0U CN208990251U (zh) 2015-06-26 2016-06-24 利用多单元发光二极管的背光部件
JP2017549369A JP2018528598A (ja) 2015-06-26 2016-06-24 マルチセル発光ダイオードを用いたバックライトユニット
US15/354,292 US9769897B2 (en) 2015-06-26 2016-11-17 Backlight unit using multi-cell light emitting diode
US15/678,739 US10091850B2 (en) 2015-06-26 2017-08-16 Backlight unit using multi-cell light emitting diode
US15/873,769 US10051705B2 (en) 2015-06-26 2018-01-17 Backlight unit using multi-cell light emitting diode
JP2019194432A JP6880148B2 (ja) 2015-06-26 2019-10-25 マルチセル発光ダイオードを用いたバックライトユニット

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150091420A KR20170001436A (ko) 2015-06-26 2015-06-26 발광 다이오드 패키지를 포함하는 백라이트 유닛

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170001436A true KR20170001436A (ko) 2017-01-04

Family

ID=57831822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150091420A KR20170001436A (ko) 2015-06-26 2015-06-26 발광 다이오드 패키지를 포함하는 백라이트 유닛

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20170001436A (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109307954A (zh) * 2018-10-31 2019-02-05 武汉华星光电技术有限公司 背光模块及液晶显示器
WO2019112397A1 (ko) * 2017-12-08 2019-06-13 서울반도체주식회사 백라이트 유닛
KR20190068657A (ko) * 2017-12-08 2019-06-19 서울반도체 주식회사 백라이트 유닛
KR20190090332A (ko) * 2018-01-22 2019-08-01 서울반도체 주식회사 백라이트 유닛
US10948163B2 (en) 2017-12-08 2021-03-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight unit
CN112578598A (zh) * 2020-12-14 2021-03-30 业成科技（成都）有限公司 直下式背光装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11598509B2 (en) 2017-12-08 2023-03-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight unit
WO2019112397A1 (ko) * 2017-12-08 2019-06-13 서울반도체주식회사 백라이트 유닛
KR20190068657A (ko) * 2017-12-08 2019-06-19 서울반도체 주식회사 백라이트 유닛
CN110140081A (zh) * 2017-12-08 2019-08-16 首尔半导体株式会社 背光单元
US10948163B2 (en) 2017-12-08 2021-03-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight unit
CN112531095A (zh) * 2017-12-08 2021-03-19 首尔半导体株式会社 背光单元
CN110140081B (zh) * 2017-12-08 2024-01-16 首尔半导体株式会社 背光单元
US11994269B2 (en) 2017-12-08 2024-05-28 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight unit
KR20190090332A (ko) * 2018-01-22 2019-08-01 서울반도체 주식회사 백라이트 유닛
CN109307954A (zh) * 2018-10-31 2019-02-05 武汉华星光电技术有限公司 背光模块及液晶显示器
CN109307954B (zh) * 2018-10-31 2024-04-09 武汉华星光电技术有限公司 背光模块及液晶显示器
CN112578598A (zh) * 2020-12-14 2021-03-30 业成科技（成都）有限公司 直下式背光装置
CN112578598B (zh) * 2020-12-14 2022-10-18 业成科技（成都）有限公司 直下式背光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10903397B2 (en) Light emitting device package
US20210257528A1 (en) Light emitting diode
KR101546929B1 (ko) 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 모듈
JP6133040B2 (ja) 発光素子及び発光素子パッケージ
CN110600593B (zh) 发光二极管
US10134956B2 (en) Light emitting diode and manufacturing method thereof
KR20170001436A (ko) 발광 다이오드 패키지를 포함하는 백라이트 유닛
JP2011171743A (ja) 発光素子及び発光素子パッケージ
KR101761835B1 (ko) 고효율 발광 다이오드
KR20140073160A (ko) 발광 다이오드 및 그것의 어플리케이션
KR101707532B1 (ko) 발광 소자
KR20170016630A (ko) 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20170078562A (ko) 발광 소자
KR20170027490A (ko) 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR102149911B1 (ko) 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 다이오드 모듈
KR102475409B1 (ko) 금속 벌크를 포함하는 발광 소자
KR101746818B1 (ko) 발광 소자
KR102320797B1 (ko) 발광 소자
KR20120130853A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20160101348A (ko) 발광 소자 및 발광 다이오드
KR20140085919A (ko) 발광 다이오드 및 그것을 채택하는 조명 장치