KR20170001436A - Back light unit having light emitting diode - Google Patents

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    • F21Y2105/001—
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Abstract

Provided is a backlight unit including a plurality of light emitting diodes connected in series to each other. The backlight unit includes: a base; and a plurality of light emitting diode packages arranged on the lower surface of the base, wherein each light emitting diode package comprises at least one light emitting diode that includes: a first conductive type semiconductor layer; a mesa located on the first conductive type semiconductor layer and comprising an active layer and a second conductive type semiconductor layer; a reflective electrode structure located on the mesa; a current spreading layer covering the mesa and the first conductive type semiconductor layer, wherein the current spreading layer has a first opening for exposing the reflective electrode structure and is electrically connected to the first conductive type semiconductor layer and insulated from the reflective electrode structure and the mesa; and an upper insulating layer covering the current spreading layer, and the upper insulating layer has: a second opening for exposing the current spreading layer to limit a first electrode pad area; and a third opening for exposing an upper area of the exposed reflective electrode structure to limit a second electrode pad area.

Description

발광 다이오드 패키지를 포함하는 백라이트 유닛{BACK LIGHT UNIT HAVING LIGHT EMITTING DIODE}BACKLIGHT UNIT HAVING LIGHT EMITTING DIODE BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 백라이트 유닛에 관한 것으로, 특히 인쇄회로보드 등의 기판 상에 솔더 페이스트를 통해 접착될 수 있는 발광 다이오드를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다. 또한 본 발명은 직렬로 연결된 복수개의 발광 다이오드들을 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a backlight unit, and more particularly, to a backlight unit including a light emitting diode that can be bonded onto a substrate such as a printed circuit board through a solder paste. The present invention also relates to a backlight unit including a plurality of light emitting diodes connected in series.

액정 디스플레이(liquid crystal display)와 같은 수동 디스플레이 장치는 스스로 광을 발생하지 못하므로, 이미지를 구현하기 위해 광원을 필요로 한다. 예를 들어, 특정 액정 디스플레이는 주위의 태양광 또는 실내 조명 광원으로부터 방출된 광을 반사하거나 흡수하여 이미지를 구현할 수 있다. 그러나 주위의 태양광 또는 실내 조명 광원의 광 강도가 액정 디스플레이(LCD) 패널을 조명하기에 충분하지 않을 경우 이미지를 선명하게 디스플레이할 수 없는 문제점이 있다. 이러한 문제점에 대한 대안으로 디스플레이 패널을 백라이팅하기 위한 백라이트 유닛(back light unit; BLU)이 일반적으로 채택된다. Passive display devices, such as liquid crystal displays, do not generate light by themselves, and thus require a light source to implement the image. For example, a particular liquid crystal display can implement images by reflecting or absorbing light emitted from ambient sunlight or indoor illumination sources. However, there is a problem that the image can not be displayed clearly if the light intensity of the surrounding sunlight or indoor illumination light source is not sufficient to illuminate the liquid crystal display (LCD) panel. As an alternative to such a problem, a backlight unit (BLU) for backlighting a display panel is generally adopted.

백라이트 유닛은 백열 램프, 형광 램프 또는 발광 다이오드(LED)와 같은 광원을 포함한다. 광원에서 방출된 광이 상기 LCD 패널을 조명함으로써 이미지가 구현된다. 한편, LED는 색재현성이 우수하여 백라이트 광원으로 종종 사용되며, 환경친화적이어서 앞으로 그 사용이 더욱 증가할 것으로 기대된다.The backlight unit includes a light source such as an incandescent lamp, a fluorescent lamp, or a light emitting diode (LED). An image is realized by the light emitted from the light source illuminating the LCD panel. On the other hand, LED has excellent color reproducibility and is often used as a backlight light source, and is expected to be used in the future because it is environmentally friendly.

종래 백라이트 유닛에 사용되는 발광 다이오드는 지향각이 작고, 밝기가 충분하지 못하다. 그러므로 백라이트 유닛의 크기가 커지고, 발광 다이오드의 개수가 늘어, 제조 단가가 높은 문제가 있다. 따라서, 지향각이 크고, 밝기가 충분하여, 적은 개수로도 백라이트 유닛의 성능을 다 할 수 있는 발광 다이오드를 포함하는 백라이트 유닛이 요구된다.The light emitting diode used in the conventional backlight unit has a small directivity angle and insufficient brightness. Therefore, the size of the backlight unit is increased, the number of light emitting diodes is increased, and the manufacturing cost is high. Accordingly, there is a demand for a backlight unit including a light emitting diode that has a large directivity angle, has sufficient brightness, and can perform the performance of the backlight unit even in a small number.

또한, 백라이트 유닛이 구동 시, 백라이트 유닛 내의 발광 다이오드에 고전류가 인가되는 경우, 발광 다이오드의 외부 양자 효율이 급격히 저하되는 드룹 현상이 발생하는 문제가 있다. 이는 백라이트 유닛의 성능 저하로 이어지게 된다.In addition, when the backlight unit is driven, when a high current is applied to the light emitting diode in the backlight unit, a droop phenomenon occurs in which the external quantum efficiency of the light emitting diode is rapidly lowered. This leads to degradation of the performance of the backlight unit.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 크기가 작으며, 적은 발광 다이오드들을 포함하면서도 동일한 강도의 광을 방출하는 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a backlight unit which is small in size and emits light of the same intensity while including a small number of light emitting diodes.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 고전류에서의 발광 다이오드의 드룹 현상에 의한 성능 저하가 개선될 수 있는 백라이트 유닛을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a backlight unit in which performance degradation due to droop phenomenon of a light emitting diode in a high current can be improved.

본 발명의 일 태양에 따른 발광 다이오드는, 베이스 및 상기 베이스 하면에 배치된 복수개의 발광 다이오드 패키지, 상기 발광 다이오드 패키지는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하고, 상기 발광 다이오드는, 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하고, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 메사, 상기 메사 상에 위치하는 반사 전극 구조체, 상기 메사 및 상기 제1 도전형 반도체층을 덮되, 상기 반사 전극 구조체를 노출시키는 제1 개구부를 가지며, 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속하고, 상기 반사 전극 구조체 및 메사로부터 절연된 전류 분산층, 및 상기 전류 분산층을 덮는 상부 절연층을 포함하고, 상기 상부 절연층은 상기 전류 분산층을 노출시켜 제1 전극 패드 영역을 한정하는 제2 개구부와 상기 노출된 반사 전극 구조체의 상부 영역을 노출시켜 제2 전극 패드 영역을 한정하는 제3 개구부를 가질 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode including a base and a plurality of light emitting diode packages disposed on the bottom surface of the base, the light emitting diode package including at least one light emitting diode, A mesa including an active layer and a second conductivity type semiconductor layer, a reflective electrode structure located on the mesa, the mesa, and the first conductive type semiconductor layer, the reflective electrode structure being disposed on the first conductive type semiconductor layer, A current spreading layer having a first opening exposing the electrode structure and electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer and insulated from the reflective electrode structure and the mesa and an upper insulating layer covering the current dispersion layer, The upper insulating layer includes a second opening exposing the current spreading layer to define a first electrode pad region, To expose the upper region of the four electrode structural body may have a third opening defining a second electrode pad region.

상기 발광 다이오드는 상기 전류 분산층의 상기 제1 개구부 내에서 상기 반사 전극 구조체 상에 위치하는 확산 방지 보강층을 더 포함하고, 상기 확산 방지 보강층이 상기 상부 절연층의 제3 개구부를 통해 노출될 수 있다.The light emitting diode further includes a diffusion prevention layer located on the reflective electrode structure within the first opening of the current spreading layer and the diffusion prevention enhancement layer may be exposed through the third opening of the upper insulation layer .

상기 확산 방지 보강층은 상기 전류 분산층과 동일 재료로 형성될 수 있다.The diffusion preventing reinforcing layer may be formed of the same material as the current spreading layer.

상기 전류 분산층은 오믹 콘택층, 금속 반사층, 확산 방지층 및 산화방지층을 포함할 수 있다.The current-spreading layer may include an ohmic contact layer, a metal reflection layer, a diffusion prevention layer, and an oxidation prevention layer.

상기 확산 방지층은 Cr, Ti, Ni, Mo, TiW 및 W으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속층을 포함하고, 상기 산화방지층은 Au, Ag 또는 유기물층을 포함할 수 있다.The anti-diffusion layer may include at least one metal layer selected from the group consisting of Cr, Ti, Ni, Mo, TiW and W, and the anti-oxidation layer may include Au, Ag or an organic material layer.

상기 확산 방지층은 Ti/Ni 또는 Ti/Cr을 적어도 2쌍 포함할 수 있다.The diffusion preventing layer may include at least two pairs of Ti / Ni or Ti / Cr.

상기 전류 분산층은 상기 산화방지층 상에 위치하는 접착층을 더 포함할 수 있다.The current spreading layer may further include an adhesive layer positioned on the oxidation preventing layer.

상기 반사 전극 구조체는, 반사 금속부, 캐핑 금속부, 및 산화 방지 금속부를 포함하고, 상기 반사 금속부는 상면이 하면보다 좁은 면적을 갖도록 경사진 측면을 갖고, 상기 캐핑 금속부는 상기 반사 금속부의 상면 및 측면을 덮으며, 상기 반사 금속부는 상기 캐핑 금속부와의 계면에 응력 완화층을 가질 수 있다.Wherein the reflective electrode structure includes a reflective metal portion, a capping metal portion, and an anti-oxidation metal portion, the reflective metal portion having a sloped side so that the upper surface has a smaller area than the lower surface, And the reflective metal portion may have a stress relieving layer at an interface with the capping metal portion.

상기 메사는 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상의 분지부와 상기 분지부들이 서로 연결된 연결부를 갖고, 상기 제1 개구부는 상기 연결부 상에 위치할 수 있다.The mesa may have an elongated branched portion extending in parallel to one direction and a connecting portion in which the branched portions are connected to each other, and the first opening may be located on the connecting portion.

상기 메사는 복수개이며, 상기 복수의 메사는 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상일 수 있다.The mesa may be a plurality of mesa, and the mesa may have an elongated shape extending parallel to each other in one direction.

상기 발광 다이오드는 상기 메사들 사이에서 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며, 상기 전류 분산층과 전기적으로 접속하는 오믹 콘택 구조체를 더 포함할 수 있다.The light emitting diode may further include an ohmic contact structure disposed on the first conductivity type semiconductor layer between the mesas and electrically connected to the current dispersion layer.

상기 발광 다이오드는, 상기 메사와 상기 전류 분산층 사이에 위치하여 상기 전류 분산층을 상기 메사로부터 절연시키는 하부 절연층을 더 포함하되,The light emitting diode further includes a lower insulating layer located between the mesa and the current dispersion layer to insulate the current dispersion layer from the mesa,

상기 하부 절연층은 상기 메사 상부 영역 내에 위치하고 상기 반사 전극 구조체를 노출시키는 제4 개구부를 가질 수 있다.The lower insulating layer may have a fourth opening located in the mesa upper region and exposing the reflective electrode structure.

청상기 제1 개구부는 상기 제4 개구부가 모두 노출되도록 상기 제4 개구부보다 더 넓은 폭을 가질 수 있다.The first opening may have a wider width than the fourth opening to expose all of the fourth openings.

상기 제1 개구부 및 상기 제4 개구부 내에 위치하는 확산 방지 보강층을 더 포함하되, 상기 확산 방지 보강층이 상기 제3 개구부를 통해 노출될 수 있다.And a diffusion prevention reinforcing layer disposed in the first opening and the fourth opening, wherein the diffusion preventing reinforcing layer is exposed through the third opening.

상기 하부 절연층은 실리콘 산화막을 포함하고, 상기 상부 절연층은 실리콘 질화막을 포함할 수 있다.The lower insulating layer may include a silicon oxide film, and the upper insulating layer may include a silicon nitride film.

상기 발광 다이오드 패키지는 상기 발광 다이오드로부터 방출된 광이 입사하는 입광면 및 상기 발광 다이오드로부터 방출된 광의 지향각보다 큰 지향각을 가지도록 광이 출사되는 출광면을 포함하는 광학부재를 더 포함할 수 있다.The light emitting diode package may further include an optical member including a light incident surface on which the light emitted from the light emitting diode is incident and a light emitting surface on which light is emitted such that the light emitting diode has a directional angle larger than that of light emitted from the light emitting diode have.

형광체를 포함하며, 상기 제1 도전형 반도체층 하면을 균일한 두께로 덮는 파장변환기를 더 포함할 수 있다.And a wavelength converter including a phosphor and covering the lower surface of the first conductivity type semiconductor layer with a uniform thickness.

상기 파장변환기는 상기 제1 도전형 반도체층의 하면에서부터 연장되어 상기 발광 다이오드의 측면을 덮을 수 있다.The wavelength converter may extend from a lower surface of the first conductive semiconductor layer to cover a side surface of the light emitting diode.

상기 파장변환기는 단결정의 형광체로 이루어질 수 있다.The wavelength converter may be a single crystal phosphor.

상기 파장변환기와 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 접착층을 더 포함할 수 있다.And an adhesive layer between the wavelength converter and the first conductive type semiconductor layer.

상기 발광 다이오드 패키지는 복수개의 발광 다이오드들을 포함하고, 상기 복수개의 발광 다이오드들은 직렬로 연결될 수 있다.The light emitting diode package may include a plurality of light emitting diodes, and the plurality of light emitting diodes may be connected in series.

상기 발광 다이오드는 상기 1 도전형 반도체층 하면에 위치하는 기판을 더 포함하며, 상기 복수개의 발광 다이오드들은 단일의 기판을 공유할 수 있다.The light emitting diode further includes a substrate disposed on a lower surface of the one-conductivity type semiconductor layer, and the plurality of light emitting diodes may share a single substrate.

상기 베이스의 하면과 상기 발광 다이오드의 상면은 서로 대향할 수 있다.The lower surface of the base and the upper surface of the light emitting diode may face each other.

본 발명의 실시예들에 따르면, 백라이트 유닛이 지향각이 크고, 광속이 큰 발광 다이오드를 포함하므로, 백라이트 유닛의 크기가 작아질 수 있으며, 적은 발광 다이오드들을 포함하면서도 동일한 강도의 광을 방출할 수 있다.According to embodiments of the present invention, since the backlight unit includes a light emitting diode having a large directivity angle and a large light flux, the size of the backlight unit can be reduced, and the light emitting diode can emit light of the same intensity have.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 발광 다이오드 패키지가 직렬로 연결된 복수개의 발광 다이오드들을 포함하고, 백라이트 유닛이 상기 발광 다이오드 패키지를 포함하므로, 고전류에서의 발광 다이오드의 드룹 현상에 의한 성능 저하가 개선될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, a light emitting diode package includes a plurality of light emitting diodes connected in series, and the backlight unit includes the light emitting diode package, so that the performance deterioration due to droop phenomenon of the light emitting diode at high current is improved .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이다.
도 2 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛에 포함된 발광 다이오드의 일 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 2 내지 도 9의 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛에 포함된 발광 다이오드의 또 다른 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다.
도 15 내지 도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛에 포함된 발광 다이오드의 일 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 15 내지 도 21의 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다.1 is a perspective view illustrating a backlight unit according to an embodiment of the present invention.
2 to 10 are diagrams for explaining a method of manufacturing a light emitting diode included in a backlight unit according to an embodiment of the present invention. In each of FIGS. 2 to 9, (a) Is a cross-sectional view taken along the perforated line AA, and FIG. 3 (c) is a sectional view taken along the perforated line BB.
11 to 14 are diagrams for explaining another method of manufacturing a light emitting diode included in a backlight unit according to an embodiment of the present invention. In each drawing, (a) is a plan view, (b) (C) is a cross-sectional view taken along the perforation line BB.
15 to 21 are views for explaining a method of manufacturing a light emitting diode included in a backlight unit according to yet another embodiment of the present invention, wherein (a) in each of FIGS. 15 to 21 is a plan view b) is a cross-sectional view taken along the perforated line AA, and FIG. 3C is a sectional view taken along the perforated line BB.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 사시도이다. 도 1을 참조하면, 백라이트 유닛은 베이스(200) 및 발광 다이오드 패키지(110)를 포함할 수 있다. 1 is a perspective view illustrating a backlight unit according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the backlight unit may include a base 200 and a light emitting diode package 110.

베이스(200)는 발광 다이오드 패키지(110)를 지지하는 역할을 한다. 베이스(200)는 배선(미도시)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스(200)는 인쇄회로기판(미도시)을 포함할 수 있다.The base 200 serves to support the light emitting diode package 110. The base 200 may include wiring (not shown). For example, the base 200 may include a printed circuit board (not shown).

발광 다이오드 패키지(110)는 베이스(200) 상에 배치될 수 있다. 발광 다이오드 패키지(110)는 복수개일 수 있다. 복수의 발광 다이오드 패키지(110)들은 베이스(200)의 배선에 전기적으로 연결되어 전류를 인가 받을 수 있다. 예를 들어, 베이스(200)가 인쇄회로기판을 포함하는 경우, 발광 다이오드 패키지(110)들은 인쇄회로기판과 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting diode package 110 may be disposed on the base 200. The light emitting diode package 110 may be a plurality of light emitting diode packages. The plurality of light emitting diode packages 110 may be electrically connected to the wiring of the base 200 to receive a current. For example, where the base 200 includes a printed circuit board, the light emitting diode packages 110 may be electrically connected to the printed circuit board.

백라이트 유닛은 확산판(300)을 더 포함할 수도 있다. 확산판(300)은 발광 다이오드 패키지(110) 상에 위치할 수 있다. 나아가, 확산판(300)은 베이스(200)와 이격되어 위치할 수 있다. 확산판(300)은 발광 다이오드 패키지(110)에서 방출된 광을 확산시켜, 액정 디스플레이 등의 디스플레이 장치의 각 영역들의 색상 및 밝기가 균일하게 보이도록 해주는 역할을 할 수 있다. The backlight unit may further include a diffusion plate 300. The diffuser plate 300 may be positioned on the light emitting diode package 110. Furthermore, the diffuser plate 300 may be spaced apart from the base 200. The diffusion plate 300 may diffuse the light emitted from the light emitting diode package 110 to make the color and brightness of each region of the display device such as a liquid crystal display uniform.

발명의 백라이트 유닛의 형태는 발광 다이오드 패키지(110)에서 방출된 광이 확산판(300)의 하면에 수직으로 입사되는 직하형(direct type) 또는 발광 다이오드 패키지(110)에서 방출된 광이 도광판(미도시)의 측면에 수직으로 입사되는 에지형(edge type)을 포함할 수 있다. 에지형의 경우, 직하형과 달리 발광 다이오드 패키지(110)의 출사면이 도광판의 측면을 향해야 하므로, 베이스(200)는 일부 절곡된 형태를 가지며, 도광판의 측면에 대향하는 베이스(200)의 일면 상에 발광 다이오드 패키지(110)가 배치될 수 있다.The backlight unit of the present invention is a direct type in which light emitted from the light emitting diode package 110 is vertically incident on the lower surface of the diffusion plate 300 or light emitted from the light emitting diode package 110 is incident on the light guide plate And an edge type vertically incident on a side surface of the substrate (not shown). In the case of the edge type, unlike the direct type, since the emitting surface of the light emitting diode package 110 faces the side surface of the light guide plate, the base 200 has a partially bent shape, A light emitting diode package 110 may be disposed.

본 발명에 사용되는 발광 다이오드는 발광 다이오드의 구성요소들이 성장하는 방향이 베이스(200)를 향하는 방향이다. 구체적으로, 베이스(200)의 하면과 발광 다이오드의 상면은 서로 대향할 수 있다. 즉, 도 1의 상하방향과 도 2 내지 도 21의 상하방향은 반대방향이다. 따라서, 베이스(200)의 하면에 발광 다이오드 패키지(110)가 위치할 수 있으며, 나아가 발광 다이오드 패키지(110)의 하부에 확산판(300)이 위치하는 것으로도 설명이 가능하며, 이와 같은 상하방향을 따라, 이하 다른 구성들을 설명하도록 한다. The light emitting diode used in the present invention is the direction in which the components of the light emitting diode grow toward the base 200. Specifically, the lower surface of the base 200 and the upper surface of the light emitting diode can face each other. That is, the vertical direction of FIG. 1 and the vertical direction of FIGS. 2 to 21 are opposite to each other. Accordingly, the light emitting diode package 110 can be positioned on the lower surface of the base 200, and the diffusion plate 300 can be positioned below the light emitting diode package 110. In addition, To explain other configurations below.

도 2 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 2 내지 도 9의 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다.FIGS. 2 to 10 are views for explaining a method of manufacturing a light emitting diode including a backlight unit according to an embodiment of the present invention. In FIGS. 2 to 9, (a) Sectional view taken along the perforated line AA, and FIG. 3 (c) is a sectional view taken along the perforated line BB.

우선, 도 2를 참조하면, 기판(21) 상에 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)이 성장된다. 상기 기판(100)은 질화가륨계 반도체층을 성장시킬 수 있는 기판으로서, 예컨대 사파이어 기판, 탄화실리콘 기판, 질화갈륨(GaN) 기판, 스피넬 기판 등일 수 있다. 특히, 상기 기판은 패터닝된 사파이어 기판과 같이 패터닝된 기판일 수 있다.2, a first conductivity type semiconductor layer 23, an active layer 25, and a second conductivity type semiconductor layer 27 are grown on a substrate 21. The substrate 100 may be a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a gallium nitride (GaN) substrate, a spinel substrate, or the like as a substrate on which the gallium nitride semiconductor layer can be grown. In particular, the substrate may be a patterned substrate such as a patterned sapphire substrate.

제1 도전형 반도체층은 예컨대 n형 질화갈륨계층을 포함하고, 제2 도전형 반도체층(27)은 p형 질화갈륨계층을 포함할 수 있다. 또한, 활성층(25)은 단일양자우물 구조 또는 다중양자우물 구조일 수 있으며, 우물층과 장벽층을 포함할 수 있다. 또한, 우물층은 요구되는 광의 파장에 따라 그 조성원소가 선택될 수 있으며, 예컨대 AlGaN, GaN 또는 InGaN을 포함할 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer may include, for example, an n-type gallium nitride layer, and the second conductivity type semiconductor layer 27 may include a p-type gallium nitride layer. In addition, the active layer 25 may be a single quantum well structure or a multiple quantum well structure, and may include a well layer and a barrier layer. Further, the well layer may have its compositional element selected depending on the wavelength of the required light, and may include AlGaN, GaN, or InGaN, for example.

한편, 제2 도전형 반도체층(27) 상에 예비 산화층(10)이 형성될 수 있다. 예비 산화층(10)은 예컨대 화학기상증착 기술을 이용하여 SiO2로 형성될 수 있다.On the other hand, the pre-oxidized layer 10 may be formed on the second conductive type semiconductor layer 27. The pre-oxidized layer 10 may be formed of SiO 2 using, for example, a chemical vapor deposition technique.

이어서, 포토레지스트 패턴(11)이 형성된다. 포토레지스트 패턴(11)은 반사전극 구조체를 형성하기 위한 개구부(11a)를 갖도록 패터닝된다. 상기 개구부(11a)는, 도 2(a) 및 도 2(b)에 도시된 바와 같이, 입구의 폭보다 바닥부의 폭이 넓도록 형성된다. 네거티브 타입의 포토레지스트를 사용함으로써 위와 같은 형상의 개구부(11a)를 갖는 포토레지스트 패턴(11)을 용이하게 형성할 수 있다.Then, a photoresist pattern 11 is formed. The photoresist pattern 11 is patterned so as to have an opening 11a for forming a reflective electrode structure. The opening 11a is formed so that the width of the bottom portion is larger than the width of the inlet as shown in Figs. 2 (a) and 2 (b). By using the negative type photoresist, the photoresist pattern 11 having the opening 11a having the above-described shape can be easily formed.

도 3을 참조하면, 포토레지스트 패턴(11)을 식각마스크로 사용하여 예비 산화층(10)을 식각한다. 예비 산화층(10)은 습식 식각 기술을 이용하여 식각될 수 있다. 이에 따라, 포토레지스트 패턴(11)의 개구부(11a) 내의 예비 산화층(10)이 식각되어 제2 도전형 반도체층(27)을 노출시키는 예비 산화층(10)의 개구부들(10a)이 형성된다. 개구부들(10a)은 대체로 포토레지스트 패턴(11)의 개구부(11a)의 바닥부 면적과 유사하거나 그보다 넓은 면적을 갖는다.Referring to FIG. 3, the pre-oxidized layer 10 is etched using the photoresist pattern 11 as an etch mask. The pre-oxidized layer 10 may be etched using a wet etching technique. Thus, the pre-oxidized layer 10 in the opening 11a of the photoresist pattern 11 is etched to form openings 10a of the pre-oxidized layer 10, which expose the second conductive type semiconductor layer 27. The openings 10a generally have an area similar to or larger than the bottom area of the openings 11a of the photoresist pattern 11.

도 4를 참조하면, 이어서, 리프트 오프 기술을 이용하여 반사 전극 구조체(35)가 형성된다. 반사 전극 구조체(35)는 반사 금속부(31), 캐핑 금속부(32) 및 산화 방지 금속부(33)를 포함할 수 있다. 반사 금속부(31)는 반사층을 포함하며, 상기 캐핑 금속부(32)와의 사이에 응력 완화층을 포함할 수 있다. 응력 완환층은 반사 금속부(31)와 캐핑 금속부(32)의 열팽창 계수 차이에 의한 응력을 완화한다. Referring to Fig. 4, a reflective electrode structure 35 is then formed using a lift-off technique. The reflective electrode structure 35 may include a reflective metal portion 31, a capping metal portion 32, and an anti-oxidation metal portion 33. The reflective metal portion 31 includes a reflective layer and may include a stress relief layer between the reflective metal portion 31 and the capping metal portion 32. The stress relieving layer relaxes the stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the reflective metal portion 31 and the capping metal portion 32.

반사 금속부(31)는, 예컨대, Ni/Ag/Ni/Au로 형성될 수 있으며, 전체 두께가 약 1600Å일 수 있다. 또는, 반사 금속부(31)는 Ni/Ag, ITO/Ag 또는 ITO/DBR (DBR: 분포 브래그 반사기)로 이루어질 수 있다. 반사 금속부(31)는 도시한 바와 같이 측면이 경사지게, 즉, 바닥부가 상대적으로 더 넓은 형상을 갖도록 형성된다. 이러한 반사 금속부(31)는 전자-빔 증발법을 이용하여 형성될 수 있다.The reflective metal portion 31 may be formed of Ni / Ag / Ni / Au, for example, and may have a total thickness of about 1600 ANGSTROM. Alternatively, the reflective metal portion 31 may be made of Ni / Ag, ITO / Ag or ITO / DBR (DBR: distributed Bragg reflector). The reflecting metal portion 31 is formed such that the side surface is inclined, that is, the bottom portion has a relatively wider shape as shown in the figure. The reflective metal portion 31 may be formed using an electron-beam evaporation method.

한편, 캐핑 금속부(32)는 반사 금속부(31)의 상면 및 측면을 덮어 반사 금속부(31)를 보호한다. 캐핑 금속부(32)는 스퍼터링 기술을 이용하여 또는 기판(21)을 기울여서 회전시키며 진공증착하는 전자-빔 증발법(예컨대, planetary e-beam evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다. 캐핑 금속부(32)는 Ni, Pt, Ti, 또는 Cr을 포함할 수 있으며, 예컨대 약 5쌍의 Ni/Pt 또는 약 5쌍의 Ni/Ti를 증착하여 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 캐핑 금속부(32)는 TiW, W, 또는 Mo을 포함할 수 있다.On the other hand, the capping metal portion 32 covers the upper surface and the side surface of the reflective metal portion 31 to protect the reflective metal portion 31. The capping metal portion 32 may be formed using sputtering techniques or by using an electron-beam evaporation method (e. G., Planetary e-beam evaporation) in which the substrate 21 is tilted and rotated and vacuum deposited. The capping metal portion 32 may comprise Ni, Pt, Ti, or Cr and may be formed, for example, by depositing about 5 pairs of Ni / Pt or about 5 pairs of Ni / Ti. Alternatively, the capping metal portion 32 may comprise TiW, W, or Mo.

응력 완화층은 반사층과 캐핑 금속부(32)의 금속 물질에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 예컨대, 상기 반사층이 Al 또는 Al합금이고, 캐핑 금속부(32)가 W, TiW 또는 Mo을 포함하는 경우, 응력 완화층은 Ag, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Cr의 단일층이거나, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Au의 복합층일 수 있다. 또한, 반사층이 Al 또는 Al합금이고, 캐핑 금속부(32)가 Cr, Pt, Rh, Pd 또는 Ni인 경우, 응력 완화층은 Ag 또는 Cu의 단일층이거나, Ni, Au, Cu 또는 Ag의 복합층일 수 있다.The stress relieving layer may be variously selected depending on the metal material of the reflective layer and the capping metal portion 32. [ For example, when the reflective layer is Al or Al alloy and the capping metal portion 32 comprises W, TiW or Mo, the stress relieving layer may be a single layer of Ag, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Or a composite layer of Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd or Au. When the reflective layer is Al or an Al alloy and the capping metal portion 32 is Cr, Pt, Rh, Pd or Ni, the stress relieving layer may be a single layer of Ag or Cu, or a composite of Ni, Au, Layer.

또한, 반사층이 Ag 또는 Ag합금이고, 캐핑 금속부(32)가 W, TiW 또는 Mo을 포함하는 경우, 응력 완화층은 Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Cr의 단일층이거나, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd, Cr 또는 Au의 복합층일 수 있다. 또한, 반사층이 Ag 또는 Ag합금이고, 캐핑 금속부(32)가 Cr 또는 Ni인 경우, 응력 완화층은 Cu, Cr, Rh, Pd, TiW, Ti의 단일층이거나, Ni, Au 또는 Cu의 복합층일 수 있다.The stress relieving layer may be a single layer of Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd or Cr, or may be a single layer of Cu , Ni, Pt, Ti, Rh, Pd, Cr, or Au. When the reflective layer is Ag or Ag alloy and the capping metal portion 32 is Cr or Ni, the stress relieving layer may be a single layer of Cu, Cr, Rh, Pd, TiW or Ti, or a composite of Ni, Layer.

또한, 산화 방지 금속부(33)는 캐핑 금속부(32)의 산화를 방지하기 위해 Au를 포함하며, 예컨대 Au/Ni 또는 Au/Ti로 형성될 수 있다. Ti는 SiO2와 같은 산화층의 접착력이 양호하므로 선호된다. 산화 방지 금속부(33) 또한 스퍼터링 또는 기판(21)을 기울여서 회전시키며 진공증착하는 전자-빔 증발법(예컨대, planetary e-beam evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다.Further, the anti-oxidation metal portion 33 includes Au to prevent oxidation of the capping metal portion 32, and may be formed of Au / Ni or Au / Ti, for example. Ti is preferred because the adhesion of the oxide layer such as SiO 2 is good. The anti-oxidation metal part 33 may also be formed using sputtering or an electron-beam evaporation method (e. G., Planetary e-beam evaporation) in which the substrate 21 is tilted and rotated and vacuum deposited.

상기 반사 전극 구조체(35)가 증착된 후, 포토레지스트 패턴(11)이 제거됨으로써 도 4에 도시한 바와 같이 제2 도전형 반도체층(27) 상에 반사 금속 구조체(35)가 남게 된다.After the reflective electrode structure 35 is deposited, the photoresist pattern 11 is removed to leave the reflective metal structure 35 on the second conductive type semiconductor layer 27 as shown in FIG.

상기 반사 전극 구조체(35)의 형상은 도시한 바와 같이 분지부(35b)와 연결부(35a)를 포함할 수 있다. 상기 분지부들(35b)은 기다란 형상을 가질 수 있으며 서로 평행할 수 있다. 한편, 연결부(35a)는 분지부들(35b)을 서로 연결한다. 그러나, 반사 전극 구조체(35)는 특정 형상에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형상으로 변형될 수 있다.The shape of the reflective electrode structure 35 may include a branch portion 35b and a connection portion 35a. The branch portions 35b may have an elongated shape and may be parallel to each other. On the other hand, the connection portion 35a connects the branch portions 35b to each other. However, the reflective electrode structure 35 is not limited to a specific shape, and can be modified into various shapes.

도 5를 참조하면, 상기 제1 도전형 반도체층(21) 상에 메사(M)가 형성된다. 메사(M)는 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함한다. 활성층(25)이 제1 도전형 반도체층(23)과 제2 도전형 반도체층(27) 사이에 위치한다. 한편, 상기 메사(M) 상에 반사 전극 구조체(35)가 위치한다.Referring to FIG. 5, a mesa M is formed on the first conductive semiconductor layer 21. The mesa M includes an active layer 25 and a second conductivity type semiconductor layer 27. The active layer 25 is located between the first conductivity type semiconductor layer 23 and the second conductivity type semiconductor layer 27. [ On the other hand, the reflective electrode structure 35 is located on the mesa M.

상기 메사(M)는 제1 도전형 반도체층(23)이 노출되도록 제2 도전형 반도체층(27) 및 활성층(25)을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 상기 메사(M)의 측면은 포토레지스트 리플로우와 같은 기술을 사용함으로써 경사지게 형성될 수 있다. 메사(M) 측면의 경사진 프로파일은 활성층(25)에서 생성된 광의 추출 효율을 향상시킨다.The mesa M may be formed by patterning the second conductivity type semiconductor layer 27 and the active layer 25 so that the first conductivity type semiconductor layer 23 is exposed. The side surface of the mesa M may be formed obliquely using a technique such as photoresist reflow. The inclined profile of the mesa (M) side improves the extraction efficiency of the light generated in the active layer 25.

메사(M)는 도시한 바와 같이 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상의 분지부(Mb)와 이들 분지부를 연결하는 연결부(Ma)를 가질 수 있다. 이러한 형상에 의해 제1 도전형 반도체층(23)에서 전류가 고르게 분산될 수 있는 발광 다이오드를 제공할 수 있다. 다만, 메사(M)는 특정 형상으로 한정되는 것은 아니며, 그 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 한편, 상기 반사 전극 구조체(35)는 메사(M)의 상면을 대부분 덮으며, 메사(M)의 평면 형상과 대체로 동일한 형상을 갖는다.The mesa M may have an elongated branch Mb extending in parallel to one side in a direction as shown and a connecting portion Ma connecting the branch portions. With this configuration, it is possible to provide a light emitting diode in which the current can be uniformly dispersed in the first conductivity type semiconductor layer 23. However, the mesa M is not limited to a specific shape, and the shape thereof may be variously modified. The reflective electrode structure 35 covers most of the upper surface of the mesa M and has substantially the same shape as the planar shape of the mesa M. [

상기 제2 도전형 반도체층(27) 및 활성층(25)을 식각하는 동안, 그 위에 잔존하는 예비 산화층(10) 또한 부분적으로 식각되어 제거된다. 한편, 메사(M) 상에서 반사 전극 구조체(35)의 가장자리 근처에 예비 산화층(10)이 잔류할 수 있으나, 이 예비 산화층(10)은 습식 식각 공정 등을 통해 제거될 수도 있다. 또는, 메사들(M)을 형성하기 전에 예비 산화층(10)이 미리 제거될 수도 있다.During the etching of the second conductive semiconductor layer 27 and the active layer 25, the remaining pre-oxidized layer 10 is also partially etched and removed. On the other hand, the pre-oxidized layer 10 may remain on the mesa M near the edge of the reflective electrode structure 35, but the pre-oxidized layer 10 may be removed through a wet etching process or the like. Alternatively, the pre-oxidized layer 10 may be removed before the mesas M are formed.

도 6을 참조하면, 상기 메사(M)가 형성된 후, 메사(M) 및 제1 도전형 반도체층을 덮도록 하부 절연층(37)이 형성된다. 상기 하부 절연층(37)은 화학기상증착(CVD) 등의 기술을 사용하여 SiO2 등의 산화막, SiNx 등의 질화막, MgF2의 절연막으로 형성될 수 있다. 상기 하부 절연층(37)은 예컨대 4000~12000Å의 두께로 형성될 수 있다. 상기 하부 절연층(37)은 단일층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 다중층으로 형성될 수도 있다. 나아가, 하부 절연층(37)은 저굴절 물질층과 고굴절 물질층이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기(DBR)로 형성될 수 있다. 예컨대, SiO2/TiO2나 SiO2/Nb2O5 등의 층을 적층함으로써 반사율이 높은 절연 반사층을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6, after the mesa M is formed, a lower insulating layer 37 is formed to cover the mesa M and the first conductivity type semiconductor layer. The lower insulating layer 37 may be formed of an oxide film such as SiO 2 , a nitride film such as SiNx, or an insulating film of MgF 2 using a technique such as chemical vapor deposition (CVD). The lower insulating layer 37 may have a thickness of 4000 to 12000 ANGSTROM, for example. The lower insulating layer 37 may be formed as a single layer, but is not limited thereto and may be formed in multiple layers. Further, the lower insulating layer 37 may be formed of a distributed Bragg reflector (DBR) in which a low refractive material layer and a high refractive material layer are alternately laminated. For example, an insulating reflection layer having a high reflectance can be formed by laminating layers such as SiO 2 / TiO 2 and SiO 2 / Nb 2 O 5 .

이어서, 하부 절연층(37) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 칩 단위로 분리하는 분리 영역(23h)이 형성된다. 레이저 스크라이빙에 의해 기판(21) 상면에도 홈이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 도전형 반도체층(23)의 가장자리 근처에서 기판(21)이 노출된다.Subsequently, a separation region 23h for separating the lower insulating layer 37 and the first conductivity type semiconductor layer 23 in units of chips by laser scribing technology is formed. Grooves can also be formed on the upper surface of the substrate 21 by laser scribing. Thus, the substrate 21 is exposed near the edge of the first conductivity type semiconductor layer 23.

레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 제1 도전형 반도체층(23)을 칩 단위로 분리하기 때문에 별도의 포토 마스크는 사용되지 않는다.A separate photomask is not used because the first conductivity type semiconductor layer 23 is separated into chips by laser scribing technology.

상기 메사(M)는 도 6에 도시한 바와 같이 제1 도전형 반도체층(23)의 상부 영역 내부에 한정되어 위치하도록 형성될 수 있다. 즉, 메사(M)가 제1 도전형 반도체층(23)의 상부 영역 상에 아일랜드 형태로 위치할 수 있다.The mesa M may be formed to be confined within the upper region of the first conductivity type semiconductor layer 23 as shown in FIG. That is, the mesa M may be located in an island shape on the upper region of the first conductivity type semiconductor layer 23.

도 7을 참조하면, 이어서 하부 절연층(37)을 패터닝하여 특정 영역에서 제1 도전형 반도체층(23) 및 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적 접속을 허용하기 위한 개구부들(37a, 37b)을 형성한다. 예컨대, 하부 절연층(37)은 제1 도전형 반도체층(23)을 노출시키는 개구부들(37a)과 반사 전극 구조체(35)를 노출시키는 개구부들(37b)을 가질 수 있다.Referring to FIG. 7, the lower insulating layer 37 is patterned to form openings 37a and 37b for allowing electrical connection to the first conductive semiconductor layer 23 and the second conductive semiconductor layer 27 in a specific region, 37b. For example, the lower insulating layer 37 may have openings 37a for exposing the first conductivity type semiconductor layer 23 and openings 37b for exposing the reflective electrode structures 35.

개구부들(37b)은 메사(M) 상부에 한정되어 위치하며, 특히 메사(M)의 연결부 상에 위치할 수 있다. 한편, 개구부들(37a)은 메사(M)의 분지부(Mb)들 사이의 영역 및 기판(21) 가장자리 근처에 위치할 수 있으며, 메사(M)의 분지부(Mb)를 따라 연장하는 기다란 형상을 가질 수 있다.The openings 37b are located on the upper portion of the mesa M and may be located on the connection portion of the mesa M. [ On the other hand, the openings 37a can be located near the edges of the substrate 21 and between the branching points Mb of the mesa M, Shape.

도 8을 참조하면, 상기 하부 절연층(37) 상에 전류 분산층(39)이 형성된다. 상기 전류 분산층(39)은 메사(M) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 덮는다. 또한, 전류 분산층(39)은 메사(M) 상부 영역 내에 위치하고 상기 반사 전극 구조체(35)를 노출시키는 개구부(39a)를 갖는다. 전류 분산층(39)은 하부 절연층(37)의 개구부들(37a)을 통해 상기 제1 도전형 반도체층(23)에 오믹콘택할 수 있다. 한편, 전류 분산층(39)은 하부 절연층(37)에 의해 메사(M) 및 반사 전극들(35)로부터 절연된다.Referring to FIG. 8, a current spreading layer 39 is formed on the lower insulating layer 37. The current spreading layer 39 covers the mesa M and the first conductivity type semiconductor layer 23. The current spreading layer 39 also has an opening 39a located in the upper region of the mesa M and exposing the reflective electrode structure 35. The current spreading layer 39 can make an ohmic contact with the first conductive type semiconductor layer 23 through the openings 37a of the lower insulating layer 37. [ On the other hand, the current-spreading layer 39 is insulated from the mesa M and the reflective electrodes 35 by the lower insulating layer 37.

전류 분산층(39)의 개구부(39a)는 전류 분산층(39)이 반사 전극 구조체들(35)에 접속하는 것을 방지하도록 하부 절연층(37)의 개구부(37b)보다 더 넓은 면적을 갖는다. 따라서, 상기 개구부(39a)의 측벽은 하부 절연층(37) 상에 위치한다.The opening 39a of the current spreading layer 39 has a larger area than the opening 37b of the lower insulating layer 37 so as to prevent the current spreading layer 39 from connecting to the reflective electrode structures 35. [ Therefore, the sidewalls of the openings 39a are located on the lower insulating layer 37.

전류 분산층(39)은 개구부들(39a)을 제외한 기판(21)의 거의 전 영역 상부에 형성된다. 따라서, 상기 전류 분산층(39)을 통해 전류가 쉽게 분산될 수 있다. The current spreading layer 39 is formed on almost the entire region of the substrate 21 except for the openings 39a. Therefore, the current can be easily dispersed through the current dispersion layer 39.

상기 전류 분산층(39)은 오믹 콘택층, 금속 반사층, 확산 방지층 및 산화방지층을 포함할 수 있다. 상기 오믹 콘택층에 의해 상기 전류 분산층이 제1 도전형 반도체층에 오믹 콘택할 수 있다. 예를 들어, 오믹 콘택층으로 Ti, Cr, Ni 등이 사용될 수 있다. 한편, 상기 금속 반사층은 전류 분산층으로 입사된 광을 반사시켜 발광 다이오드의 반사율을 증가시킨다. 금속 반사층으로는 Al이 사용될 수 있다. 또한, 확산 방지층은 금속 원자의 확산을 방지하여 금속 반사층을 보호한다. 특히, 확산 방지층은 Sn과 같은 솔더 페이스트 내의 금속 원자의 확산을 방지할 수 있다. 확산 방지층은 Cr, Ti, Ni, Mo, TiW 또는 W 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. Mo, TiW 및 W은 단층으로 형성될 수 있다. 한편, Cr, Ti, Ni은 쌍으로 형성될 수 있다. 특히, 상기 확산 방지층은 Ti/Ni 또는 Ti/Cr을 적어도 2쌍 포함할 수 있다. 한편, 산화방지층은 확산 방지층의 산화를 방지하기 위해 형성되며, Au를 포함할 수 있다. The current dispersion layer 39 may include an ohmic contact layer, a metal reflection layer, a diffusion prevention layer, and an oxidation prevention layer. The current-spreading layer can make ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer by the ohmic contact layer. For example, Ti, Cr, Ni or the like may be used as the ohmic contact layer. On the other hand, the metal reflection layer reflects light incident on the current dispersion layer to increase the reflectance of the light emitting diode. As the metal reflective layer, Al can be used. Further, the diffusion preventing layer protects the metal reflecting layer by preventing diffusion of metal atoms. In particular, the diffusion preventing layer can prevent the diffusion of metal atoms in the solder paste such as Sn. The diffusion barrier layer may comprise Cr, Ti, Ni, Mo, TiW or W, or a combination thereof. Mo, TiW and W may be formed as a single layer. On the other hand, Cr, Ti, and Ni may be formed in pairs. In particular, the diffusion preventing layer may include at least two pairs of Ti / Ni or Ti / Cr. On the other hand, the antioxidant layer is formed to prevent oxidation of the diffusion preventing layer and may include Au.

상기 전류 분산층의 반사율은 65 내지 75%일 수 있다. 이에 따라, 반사 전극 구조체에 의한 광 반사에 더하여, 전류 분산층에 의한 광 반사를 얻을 수 있으며, 따라서, 메사 측벽 및 제1 도전형 반도체층을 통해 진행하는 광을 반사시킬 수 있다.The reflectance of the current-spreading layer may be 65 to 75%. Thus, in addition to light reflection by the reflective electrode structure, light reflection by the current-spreading layer can be obtained, and thus light traveling through the mesa sidewall and the first conductivity type semiconductor layer can be reflected.

상기 전류 분산층은 상기 산화방지층 상에 위치하는 접착층을 더 포함할 수 있다. 접착층은 Ti, Cr, Ni 또는 Ta를 포함할 수 있다. 접착층은 전류 분산층과 상부 절연층의 접착력을 향상시키기 위해 사용될 수 있으며, 생략될 수도 있다.The current spreading layer may further include an adhesive layer positioned on the oxidation preventing layer. The adhesive layer may comprise Ti, Cr, Ni or Ta. The adhesive layer may be used to improve the adhesion between the current spreading layer and the upper insulating layer, and may be omitted.

예를 들어, 상기 전류 분산층(39)은 Cr/Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다. For example, the current spreading layer 39 may have a multi-layer structure of Cr / Al / Ni / Ti / Ni / Ti / Au / Ti.

한편, 전류 분산층(39)을 형성하는 동안 반사 전극 구조체(35) 상에 확산 방지 보강층(40)이 형성된다. 상기 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)과 동일 재료로 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)으로부터 이격된다. 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)의 개구부(39a) 내에 위치하며 또한 하부 절연층(37)의 개구부(37b) 내에 위치할 수 있다.On the other hand, the diffusion preventive reinforcement layer 40 is formed on the reflective electrode structure 35 during formation of the current spreading layer 39. The diffusion preventive reinforcing layer 40 may be formed of the same material as the current spreading layer 39 by the same process. The diffusion preventive reinforcing layer 40 is separated from the current-spreading layer 39. The diffusion preventing reinforcing layer 40 may be located in the opening 39a of the current spreading layer 39 and may be located in the opening 37b of the lower insulating layer 37. [

도 9를 참조하면, 전류 분산층(39) 상에 상부 절연층(41)이 형성된다. 상부 절연층(41)은 전류 분산층(39)을 노출시켜 제1 전극 패드 영역(43a)을 정의하는 개구부(41a)와 함께, 반사 전극 구조체(35)를 노출시켜 제2 전극 패드 영역(43b)을 정의하는 개구부(41b)를 갖는다. 상기 개구부(41a)는 메사(M)의 분지부들(Mb)에 수직한 방향으로 기다란 형상을 가질 수 있다. 한편, 상부 절연층(41)의 개구부(41b)는 전류 분산층(39)의 개구부(39a)에 비해 더 좁은 면적을 갖고, 따라서, 상부 절연층(41)이 개구부(39a) 측벽을 덮을 수 있다.Referring to FIG. 9, an upper insulating layer 41 is formed on the current spreading layer 39. The upper insulating layer 41 exposes the current spreading layer 39 to expose the reflective electrode structure 35 together with the opening 41a defining the first electrode pad region 43a and form the second electrode pad region 43b The opening 41b defines an opening 41b. The opening 41a may have an elongated shape in a direction perpendicular to the branch portions Mb of the mesa M. [ On the other hand, the opening 41b of the upper insulating layer 41 has a smaller area than the opening 39a of the current-spreading layer 39, so that the upper insulating layer 41 can cover the side wall of the opening 39a have.

반사 전극 구조체(35) 상에 확산 방지 보강층(40)이 형성된 경우, 상기 개구부(41b)는 확산 방지 보강층(40)을 노출시킨다. 이 경우, 반사 전극 구조체(35)는 상부 절연층(41) 및 확산 방지 보강층(40)에 의해 밀봉될 수 있다.When the diffusion preventive reinforcement layer 40 is formed on the reflective electrode structure 35, the opening 41b exposes the diffusion preventive reinforcement layer 40. In this case, the reflective electrode structure 35 can be sealed by the upper insulating layer 41 and the diffusion preventive reinforcement layer 40.

또한, 상부 절연층(41)은 칩 분리 영역(23h)에도 형성되어 제1 도전형 반도체층(23)의 측면을 덮을 수 있다. 이에 따라, 수분 등이 제1 도전형 반도체층의 상하 계면을 통해 침투되는 것을 방지할 수 있다.The upper insulating layer 41 may also be formed in the chip isolation region 23h to cover the side surface of the first conductive semiconductor layer 23. Thus, moisture or the like can be prevented from penetrating through the upper and lower interfaces of the first conductivity type semiconductor layer.

상기 상부 절연층(41)은 솔더 페이스트의 금속 원소들이 확산되는 것을 방지하도록 실리콘 질화막으로 형성되는 것이 바람직하며, 1㎛ 이상 2㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 1㎛ 미만이면, 솔더 페이스트의 금속 원소들의 확산을 방지하기 어렵다.The upper insulating layer 41 may be formed of silicon nitride to prevent metal elements of the solder paste from diffusing. The upper insulating layer 41 may have a thickness of 1 μm or more and 2 μm or less. If it is less than 1 mu m, it is difficult to prevent diffusion of the metal elements of the solder paste.

선택적으로, 상기 제1 전극 패드 영역(43a) 및 제2 전극 패드 영역(43b) 상에 ENIG(electroless nickel immersion gold)와 같은 무전해 도금 기술을 이용하여 Sn 확산 방지 도금층(도시하지 않음)이 추가로 형성될 수 있다.Alternatively, an Sn diffusion prevention plating layer (not shown) may be additionally formed on the first electrode pad area 43a and the second electrode pad area 43b using an electroless plating technique such as ENIG (electroless nickel immersion gold) As shown in FIG.

제1 전극 패드 영역(43a)은 전류 분산층(39)을 통해 제1 도전형 반도체층(23)에 전기적으로 접속하고, 제2 전극 패드 영역(43b)은 확산 방지 보강층(40), 반사 전극 구조체(35)를 통해 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적으로 접속한다.The first electrode pad region 43a is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 23 through the current dispersion layer 39 and the second electrode pad region 43b is electrically connected to the diffusion prevention layer 40, And is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 27 through the structure 35.

상기 제1 전극 패드 영역(43a) 및 제2 전극 패드 영역(43b)은 솔더 페이스트를 통해 발광 다이오드를 인쇄회로보드 등에 실장하기 위해 사용된다. 따라서, 솔더 페이스트에 의해 제1 전극 패드 영역(43a)과 제2 전극 패드 영역(43b)가 단락되는 것을 방지하기 위해, 전극 패드들 사이의 거리는 약 300㎛ 이상인 것이 바람직하다.The first electrode pad region 43a and the second electrode pad region 43b are used to mount the light emitting diode on the printed circuit board or the like through the solder paste. Therefore, in order to prevent the first electrode pad region 43a and the second electrode pad region 43b from being short-circuited by the solder paste, the distance between the electrode pads is preferably about 300 mu m or more.

그 후, 기판(21)의 하면을 그라인딩 및/또는 래핑 공정을 통해 부분적으로 제거하여 기판(21) 두께를 감소시킬 수 있다. 이어서, 기판(21)을 개별 칩 단위로 분할함으로써 서로 분리된 발광 다이오드가 제작된다. 이때, 상기 기판(21)은 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 형성된 분리 영역(23h)에서 분리될 수 있으며, 따라서 칩 분리를 위해 레이저 스크라이빙을 추가로 수행할 필요는 없다.Thereafter, the lower surface of the substrate 21 may be partially removed by grinding and / or lapping to reduce the thickness of the substrate 21. [ Subsequently, the substrate 21 is divided into individual chip units to manufacture light emitting diodes separated from each other. At this time, the substrate 21 can be separated from the separation region 23h formed using the laser scribing technique, and therefore, there is no need to further perform laser scribing for chip separation.

상기 기판(21)은 개별 발광 다이오드 칩 단위로 분할되기 전 또는 후에 발광 다이오드 칩에서 제거될 수도 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(21)이 제거되지 않을 수도 있다.The substrate 21 may be removed from the light emitting diode chip before or after being divided into individual light emitting diode chip units. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate 21 may not be removed.

나아가, 도 10을 참조하면, 서로 분리된 발광 다이오드(100) 상에 파장변환기(45)가 형성될 수 있다. 파장변환기(45)는 발광 다이오드(100)의 상면을 균일한 두께로 덮을 수 있다. 예를 들어, 파장변환기(45)는 제1 도전형 반도체층(23) 하면을 균일한 두께로 덮을 수 있다. 이와 달리, 발광 다이오드(100)가 기판(21)을 포함하는 경우, 파장변환기(45)는 기판(21)의 하면을 덮을 수 있다. 파장변환기(45)는 형광체를 함유하는 수지를 프린팅 기법을 이용하여 발광 다이오(100)드 상에 코팅하거나, 또는 에어로졸 분사 장치를 이용하여 형광체 분말을 기판(21)에 코팅함으로써 형성될 수 있다. 특히, 에어로졸 증착 방법을 이용함으로써, 발광 다이오드에 균일한 두께의 형광체 박막을 형성할 수 있어 발광 다이오드(100)에서 출사되는 광의 색상 균일도가 향상된다. 또한, 파장변환기(45)는 제1 도전형 반도체층(23)의 하면에서부터 연장되어 발광 다이오드(100)의 측면을 덮을 수 있다. 이에 따라, 발광 다이오드(100)의 측면을 통해 방출되는 광에 대해서도, 파장 변환이 가능할 수 있다.Referring to FIG. 10, a wavelength converter 45 may be formed on the light emitting diodes 100 separated from each other. The wavelength converter 45 may cover the upper surface of the light emitting diode 100 with a uniform thickness. For example, the wavelength converter 45 may cover the bottom surface of the first conductivity type semiconductor layer 23 with a uniform thickness. Alternatively, when the light emitting diode 100 includes the substrate 21, the wavelength converter 45 may cover the lower surface of the substrate 21. The wavelength converter 45 may be formed by coating a resin containing a phosphor on a light emitting diode 100 using a printing technique or by coating a phosphor powder on a substrate 21 using an aerosol sprayer. Particularly, by using the aerosol deposition method, it is possible to form a phosphor thin film having a uniform thickness on the light emitting diode, thereby improving the color uniformity of the light emitted from the light emitting diode 100. The wavelength converter 45 may extend from the lower surface of the first conductivity type semiconductor layer 23 to cover the side surface of the light emitting diode 100. Accordingly, wavelength conversion can be performed also for the light emitted through the side surface of the light emitting diode 100.

파장변환기(45)는 수지에 형광체가 담지된 형태로 사용될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다. 형광체가 유리에 담지되거나, 형광체가 별도의 세라믹에 담지된 형태로 사용될 수 있다.The wavelength converter 45 may be used in a form that the phosphor is supported on the resin, but is not limited thereto. The phosphor may be supported on the glass, or the phosphor may be supported on a separate ceramic.

나아가, 파장변환기(45)는 상술한 수지, 유리 또는 별도의 세라믹 등을 포함하지 않고, 형광체만으로 이루어질 수도 있다. 이에 따라, 수지, 유리, 별도의 세라믹에 의한 광 흡수가 제거될 수 있으므로, 광 추출 효율이 증가할 수 있다. 또한 파장변환기(45)의 두께가 줄어들 수 있어서, 발광 다이오드 내지 백라이트 유닛의 크기가 줄어들 수 있으며, 광 추출 효율도 더욱 개선될 수 있다. 이와 더불어, 파장변환기(45)는 단결정의 형광체만으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상술한 효과와 더불어, 원하는 지향각 내에 광이 집중되도록 조절 가능하며, 형광체에 의한 파장변환 정도가 특정 방향에 따라 균일하게 나타날 수 있다.Furthermore, the wavelength converter 45 does not include the above-mentioned resin, glass, or a separate ceramic or the like, but may be made of only the phosphor. Accordingly, the light absorption by the resin, the glass, and the separate ceramic can be removed, so that the light extraction efficiency can be increased. Also, since the thickness of the wavelength converter 45 can be reduced, the sizes of the light emitting diode and the backlight unit can be reduced, and the light extraction efficiency can be further improved. In addition, the wavelength converter 45 can be made of only a single-crystal phosphor. In this case, in addition to the above-described effects, the light can be adjusted to be concentrated within a desired directional angle, and the degree of wavelength conversion by the phosphor can be uniformly displayed in a specific direction.

발광 다이오드는 파장변환기(45)와 제1 도전형 반도체층(23) 사이에 접착층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 접착층은 파장변환기(45) 및 제1 도전형 반도체층(23)과 각각 강한 접착력을 가진다. 이를 통해, 제1 도전형 반도체층(23)으로부터 파장변환기(45)가 박리되는 것이 방지될 수 있다.The light emitting diode may further include an adhesive layer (not shown) between the wavelength converter 45 and the first conductive semiconductor layer 23. The adhesive layer has strong adhesion to the wavelength converter 45 and the first conductivity type semiconductor layer 23, respectively. As a result, the wavelength converter 45 can be prevented from being peeled off from the first conductive type semiconductor layer 23.

나아가, 발광 다이오드 패키지(110)는 발광 다이오드를 덮는 광학부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 광학부재는 발광 다이오드를 외부 충격 및 오염 물질로부터 보호하며, 발광 다이오드로부터 방출된 광을 원하는 방향으로 전진시키는 역할을 할 수 있다. 광학부재는 유리 또는 플라스틱 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 광학부재의 바깥면은 거칠어진 표면을 포함하거나, 볼록한 형상을 가질 수 있다. 이에 따라 광학부재의 바깥면에서 전반사되어 발광 다이오드로 돌아오는 광이 줄어들 수 있어서 광 추출 효율이 개선될 수 있다.Further, the light emitting diode package 110 may further include an optical member (not shown) covering the light emitting diode. The optical member protects the light emitting diode from external impact and contaminants, and can advance light emitted from the light emitting diode in a desired direction. The optical member may include at least one of glass or plastic. The outer surface of the optical member may include a roughened surface or may have a convex shape. Accordingly, the light reflected from the outer surface of the optical member to return to the light emitting diode can be reduced, and the light extraction efficiency can be improved.

광학부재는 발광 다이오드로부터 방출된 광이 입사하는 입광면 및 상기 광이 출사하는 출광면을 포함할 수 있다. 발광 다이오드에서 방출된 광의 지향각은 출광면을 통해 출사되면서 증가할 수 있다. 즉, 광학부재의 출광면에서 출사되는 광의 지향각은 발광 다이오드로부터 방출된 광의 지향각보다 클 수 있다. 따라서, 확산판의 더 넓은 영역에 광이 조사될 수 있으므로, 백라이트 유닛은 더 적은 개수의 발광 다이오드를 사용하면서도 균일한 발광 특성을 가질 수 있다.The optical member may include a light incident surface on which the light emitted from the light emitting diode is incident and a light output surface on which the light is emitted. The directivity angle of the light emitted from the light emitting diode can be increased while being emitted through the light exiting surface. That is, the directivity angle of the light emitted from the light emitting surface of the optical member may be larger than the directivity angle of the light emitted from the light emitting diode. Therefore, since light can be irradiated to a wider area of the diffuser plate, the backlight unit can have uniform light emission characteristics while using a smaller number of light emitting diodes.

이에 따라, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛의 발광 다이오드가 완성될 수 있다. 상기 발광 다이오드를 적어도 하나 이상 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)가 준비될 수 있다. 이 후, 발광 다이오드 패키지(110)가 베이스(200) 상에 실장되고, 발광 다이오드 패키지(110) 상에 확산판(300)이 형성되면서, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 형성될 수 있다.Thus, the light emitting diode of the backlight unit according to the present embodiment can be completed. A light emitting diode package 110 including at least one light emitting diode may be prepared. Thereafter, the light emitting diode package 110 is mounted on the base 200, and the diffusion plate 300 is formed on the light emitting diode package 110, thereby forming the backlight unit according to the present embodiment.

본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드는 그 자체로 발광 다이오드 패키지가 될 수 있다. 따라서, 발광 다이오드(00)를 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)의 크기가 지나치게 커지는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드 패키지의 크기는 1.3mm × 1.3mm × 0.35mm 일 수 있다. 이는 종래의 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 크기가 3.5mm × 2.8mm × 0.7mm인 것과 비교하여 상대적으로 작은 크기이다. 이에 따라, 백라이트 유닛의 소형화가 가능하며, 제조 단가가 감소할 수 있다.The light emitting diode included in the backlight unit according to the present embodiment may itself be a light emitting diode package. Therefore, the size of the light emitting diode package 110 including the light emitting diode 00 can be prevented from becoming too large. For example, the size of the light emitting diode package used in this embodiment may be 1.3 mm x 1.3 mm x 0.35 mm. This is a relatively small size as compared with the size of a light emitting diode package including a conventional light emitting diode of 3.5 mm x 2.8 mm x 0.7 mm. Accordingly, the backlight unit can be downsized, and the manufacturing cost can be reduced.

또한, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 종래의 발광 다이오드에 비해 광 추출 효율이 개선된 발광 다이오드이다. 구체적으로, 400mA의 구동전류에서, 종래의 발광 다이오드는 98lm의 광속을 방출하는 반면, 본 실시예에 사용된 발광 다이오드는 107lm의 광속을 방출한다. 따라서, 본 실시예의 백라이트 유닛의 효율이 증가할 수 있다.In addition, the light emitting diode used in this embodiment is a light emitting diode having improved light extraction efficiency as compared with the conventional light emitting diode. Specifically, at a driving current of 400 mA, a conventional light emitting diode emits a luminous flux of 98 lm, while a light emitting diode used in this embodiment emits a luminous flux of 107 lm. Therefore, the efficiency of the backlight unit of the present embodiment can be increased.

나아가, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 높은 신뢰성을 지니며, 전류 분산 효율이 높아, 고전류에서도 구동이 가능하다. 예를 들어, 종래의 발광 다이오드는 250 내지 400mA, 구체적으로 400mA에서 구동되어 98lm의 광속을 방출한다. 반면, 본 실시예서 사용된 발광 다이오드는 500 내지 1000mA, 구체적으로 800mA에서 구동될 수 있으며, 이 때 175lm의 높은 광속을 방출할 수 있다. 따라서, 보다 높은 출력을 나타내는 백라이트 유닛의 제조가 가능하다.Further, the light emitting diode used in the present embodiment has high reliability, has high current dispersion efficiency, and can be driven even at a high current. For example, a conventional light emitting diode is driven at 250 to 400 mA, specifically 400 mA, to emit a beam of 98 lm. On the other hand, the light emitting diode used in this embodiment can be driven at 500 to 1000 mA, specifically 800 mA, at which time a high luminous flux of 175 lm can be emitted. Therefore, it is possible to manufacture a backlight unit exhibiting a higher output.

본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드는 지향각이 크다. 구체적으로, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 지향각이 145°일 수 있으며, 이는 120°의 지향각을 가지는 종래의 발광 다이오드에 비해 높다. 또한, 발광 다이오드의 실장면과 확산판의 하면까지의 거리를 18mm로 설정한 뒤, 발광 다이오드에서 방출된 광이 확산판의 하면에서 차지하는 면적을 계산해볼 수 있다. 지향각이 145°인 발광 다이오드를 사용한 본 실시예의 경우, 발광 다이오드를 포함하는 일 발광 다이오드 패키지(110)는 확산판의 하면 중 1017.88mm2에 광을 조사할 수 있다. 반면, 종래 발광 다이오드는 339.27mm2에 불과한 바, 본 실시예에 따른 발광 다이오드를 사용하는 경우, 백라이트 유닛에서 발광 다이오드의 개수를 종래의 백라이트 유닛에 비해 30% 정도 덜 사용할 수 있다. 이에 따라, 목표로 한 색좌효의 구현이 더욱 용이하며, 백라이트 유닛의 제조 공정이 간소화될 수 있으며, 백라이트 유닛의 제조 단가가 감소할 수 있다.The light emitting diode included in the backlight unit according to the present embodiment has a large directivity angle. Specifically, the light emitting diode used in this embodiment may have a directivity angle of 145 °, which is higher than that of a conventional light emitting diode having a directivity angle of 120 °. In addition, after setting the distance between the mounting surface of the light emitting diode and the lower surface of the diffusing plate to 18 mm, the area occupied by the light emitted from the light emitting diode on the lower surface of the diffusing plate can be calculated. In this embodiment using a light emitting diode having a divergence angle of 145 °, one light emitting diode package 110 including the light emitting diode can irradiate light to 1017.88 mm 2 of the lower surface of the diffuser plate. On the other hand, the conventional light emitting diode is only 339.27 mm 2. When the light emitting diode according to the present embodiment is used, the number of light emitting diodes in the backlight unit can be reduced by about 30% as compared with the conventional backlight unit. Accordingly, it is easier to realize the targeted color effect, the manufacturing process of the backlight unit can be simplified, and the manufacturing cost of the backlight unit can be reduced.

도 11 내지 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 백라이트 유닛에 포함된 발광 다이오드의 또 다른 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다.11 to 14 are diagrams for explaining another method of manufacturing a light emitting diode included in a backlight unit according to an embodiment of the present invention. In each drawing, (a) is a plan view, (b) (C) is a cross-sectional view taken along the perforation line BB.

앞서 설명한 실시예들에 있어서, 메사(M)는 반사 전극 구조체(35)를 형성한 후에 형성되었으나, 본 실시예에 있어서, 메사(M)가 반사 전극 구조체(35)를 형성하기 전에 형성된다.In the above-described embodiments, the mesa M is formed after the reflective electrode structure 35 is formed, but in this embodiment, the mesa M is formed before forming the reflective electrode structure 35.

우선, 도 11을 참조하면, 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 기판(21) 상에 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)이 성장된다. 그 후, 패터닝 공정을 통해 메사(M)가 형성된다. 상기 메사(M)는 도 5를 참조하여 설명한 것과 유사하므로 상세한 설명은 생략한다.11, a first conductivity type semiconductor layer 23, an active layer 25, and a second conductivity type semiconductor layer 27 are grown on a substrate 21, as described with reference to FIG. 2 . Thereafter, a mesa M is formed through a patterning process. Since the mesa M is similar to that described with reference to FIG. 5, detailed description is omitted.

도 12를 참조하면, 제1 도전형 반도체층(23) 및 메사(M)를 덮도록 예비 산화층(10)이 형성된다. 예비 산화층(10)은 도 2를 참조하여 설명한 바와 동일한 재료 및 제조 기술을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 예비 산화층(10) 상에 개구부(11a)를 갖는 포토레지스트 패턴(11)이 형성된다. 포토레지스트 패턴(11)의 개구부(11a)는 메사(M)의 상부 영역 내에 위치한다. 포토레지스트 패턴(11)은 메사(M)가 형성된 기판(21) 상에 형성되는 것을 제외하면, 도 2를 참조하여 설명한 것과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 12, the pre-oxidized layer 10 is formed to cover the first conductivity type semiconductor layer 23 and the mesa M. The pre-oxidized layer 10 can be formed using the same materials and manufacturing techniques as described with reference to Fig. A photoresist pattern 11 having an opening 11a on the pre-oxidized layer 10 is formed. The opening 11a of the photoresist pattern 11 is located in the upper region of the mesa M. [ The photoresist pattern 11 is the same as that described with reference to FIG. 2, except that it is formed on the substrate 21 on which the mesa M is formed, and thus a detailed description thereof will be omitted.

도 13을 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(11)을 식각 마스크로 사용하여 예비 산화층(10)이 식각되고, 이에 따라 제2 도전형 반도체층(27)을 노출시키는 개구부들(10a)이 형성된다.Referring to FIG. 13, the pre-oxidized layer 10 is etched using the photoresist pattern 11 as an etch mask, thereby forming openings 10a for exposing the second conductive type semiconductor layer 27 .

도 14를 참조하면, 이어서, 도 4를 참조하여 상세히 설명한 바와 같이, 반사 전극 구조체(35)가 리프트 오프 기술을 이용하여 각 메사들(M) 상에 형성된다. 그 후, 도 6 내지 도 11을 참조하여 설명한 바와 유사한 공정을 거쳐 발광 다이오드가 제작될 수 있다.Referring to FIG. 14, a reflective electrode structure 35 is then formed on each of the mesas M using a lift-off technique, as described in detail with reference to FIG. Thereafter, a light emitting diode can be manufactured through a process similar to that described with reference to Figs. 6 to 11.

본 실시예에 따르면, 메사(M)가 반사 전극 구조체(35)보다 먼저 형성되므로, 예비 산화층(10)이 메사(M)의 측면 및 메사(M) 사이의 영역에 잔류할 수 있다. 상기 예비 산화층(10)은 그 후 하부 절연층(39)으로 덮이며, 하부 절연층(39)과 함께 패터닝된다.According to this embodiment, since the mesa M is formed before the reflective electrode structure 35, the pre-oxidized layer 10 can remain in the region between the side of the mesa M and the mesa M. The pre-oxidized layer 10 is then covered with a lower insulating layer 39 and patterned with a lower insulating layer 39.

도 15 내지 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 15 내지 도 21의 각 도면들에서 (a)는 평면도를 (b)는 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도를 (c)는 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도를 나타낸다. 백라이트 유닛의 기본 구조는 도 1을 통해 설명한 것처럼, 베이스(200), 발광 다이오드 패키지(110) 및 확산판(300)을 포함하며, 이는 이하 설명할 발광 다이오드를 포함하는 백라이트 유닛에도 동일하게 적용된다.15 to 21 are views for explaining a method of manufacturing a light emitting diode including a backlight unit according to yet another embodiment of the present invention. In each of FIGS. 15 to 21, (a) Sectional view taken along the perforated line AA, and FIG. 3 (c) is a sectional view taken along the perforated line BB. The basic structure of the backlight unit includes a base 200, a light emitting diode package 110, and a diffusion plate 300 as described with reference to FIG. 1, and is equally applicable to a backlight unit including a light emitting diode .

우선, 도 15를 참조하면, 기판(21) 상에 제1 도전형 반도체층(21)이 형성되고, 상기 제1 도전형 반도체층(21) 상에 서로 이격된 복수의 메사들(M)이 형성된다. 복수의 메사들(M)은 각각 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함한다. 여기서, 3개의 메사들(M)이 서로 이격되어 형성된 것을 도시 및 설명하지만, 더 많은 수의 메사들(M)이 형성될 수도 있으며, 하나 또는 두 개의 메사들(M)이 형성될 수도 있다.15, a first conductivity type semiconductor layer 21 is formed on a substrate 21 and a plurality of mesas M spaced from each other on the first conductivity type semiconductor layer 21 are formed. . The plurality of mesas M each include an active layer 25 and a second conductivity type semiconductor layer 27. Here, although three mesas M are shown to be spaced apart from each other, a larger number of mesas M may be formed and one or two mesas M may be formed.

상기 복수의 메사(M)들은 기판(21) 상에 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함하는 에피층을 금속 유기화학 기상 성장법 등을 이용하여 성장시킨 후, 제1 도전형 반도체층(23)이 노출되도록 제2 도전형 반도체층(27) 및 활성층(25)을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 상기 복수의 메사들(M)의 측면은 포토레지스트 리플로우와 같은 기술을 사용함으로써 경사지게 형성될 수 있다. 메사(M) 측면의 경사진 프로파일은 활성층(25)에서 생성된 광의 추출 효율을 향상시킨다.The plurality of mesas M may be formed by depositing an epitaxial layer including a first conductive semiconductor layer 23, an active layer 25 and a second conductive semiconductor layer 27 on a substrate 21 by a metal organic chemical vapor deposition And then patterning the second conductivity type semiconductor layer 27 and the active layer 25 so that the first conductivity type semiconductor layer 23 is exposed. The sides of the plurality of mesas M may be formed obliquely by using a technique such as photoresist reflow. The inclined profile of the mesa (M) side improves the extraction efficiency of the light generated in the active layer 25.

상기 기판(21)은 질화가륨계 반도체층을 성장시킬 수 있는 기판으로서, 예컨대 사파이어 기판, 탄화실리콘 기판, 질화갈륨(GaN) 기판, 스피넬 기판 등일 수 있다. 특히, 상기 기판은 패터닝된 사파이어 기판과 같이 패터닝된 기판일 수 있다.The substrate 21 may be a sapphire substrate, a silicon carbide substrate, a gallium nitride (GaN) substrate, a spinel substrate, or the like as a substrate on which the gallium nitride semiconductor layer can be grown. In particular, the substrate may be a patterned substrate such as a patterned sapphire substrate.

제1 도전형 반도체층(23)은 예컨대 n형 질화갈륨계층을 포함하고, 제2 도전형 반도체층(27)은 p형 질화갈륨계층을 포함할 수 있다. 또한, 활성층(25)은 단일양자우물 구조 또는 다중양자우물 구조일 수 있으며, 우물층과 장벽층을 포함할 수 있다. 또한, 우물층은 요구되는 광의 파장에 따라 그 조성원소가 선택될 수 있으며, 예컨대 AlGaN, GaN 또는 InGaN을 포함할 수 있다. 활성층의 조성 원소에 따라, 발광 다이오드는 가시광을 방출하는 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 발광 다이오드가 된다.The first conductivity type semiconductor layer 23 may include, for example, an n-type gallium nitride layer and the second conductivity type semiconductor layer 27 may include a p-type gallium nitride layer. In addition, the active layer 25 may be a single quantum well structure or a multiple quantum well structure, and may include a well layer and a barrier layer. Further, the well layer may have its compositional element selected depending on the wavelength of the required light, and may include AlGaN, GaN, or InGaN, for example. Depending on the composition of the active layer, the light emitting diode may be a light emitting diode that emits visible light or a light emitting diode that emits ultraviolet light.

도 15에 도시한 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(21) 상에 복수의 메사들(M)이 형성될 경우, 복수의 메사들(M)은 기다란 형상을 가지고 일측 방향으로 서로 평행하게 연장할 수 있다. 이러한 형상은 기판(21) 상에서 복수의 칩 영역에 동일한 형상의 복수의 메사들(M)을 형성하는 것을 단순화시킨다.15, when a plurality of mesas M are formed on the first conductivity type semiconductor layer 21, the plurality of mesas M have elongated shapes and extend in parallel to each other in one direction can do. This shape simplifies the formation of a plurality of mesas M of the same shape in a plurality of chip areas on the substrate 21. [

도 16을 참조하면, 메사 식각에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(21) 상에 오믹 콘택 구조체(29)가 형성된다. 오믹 콘택 구조체(29)는 메사들(M)의 길이 방향을 따라 메사들(M) 사이 및 가장자리들에 형성될 수 있다. 오믹 콘택 구조체(29)는 제1 도전형 반도체층(21)에 오믹 콘택하는 재료로 형성되며, 예를 들어, Ti/Al을 포함할 수 있다. 특히, 자외선 발광 다이오드의 경우, 오믹 콘택 구조체는 Ti/Al/Ti/Au의 적층 구조를 가질 수 있다.Referring to FIG. 16, the ohmic contact structure 29 is formed on the first conductive semiconductor layer 21 exposed by the mesa etching. The ohmic contact structure 29 may be formed between the mesas M along the longitudinal direction of the mesa M and at the edges thereof. The ohmic contact structure 29 is formed of a material that makes an ohmic contact with the first conductive semiconductor layer 21 and may include, for example, Ti / Al. In particular, in the case of an ultraviolet light emitting diode, the ohmic contact structure may have a laminated structure of Ti / Al / Ti / Au.

본 실시예에서, 복수의 오믹 콘택 구조체(29)가 서로 이격되어 형성된 것으로 도시 및 설명하지만, 서로 연결된 하나의 오믹 콘택 구조체(29)가 제1 도전형 반도체층(21) 상에 형성될 수도 있다.In this embodiment, although a plurality of ohmic contact structures 29 are illustrated as being formed to be spaced apart from each other, one ohmic contact structure 29 connected to each other may be formed on the first conductivity type semiconductor layer 21 .

도 17를 참조하면, 메사들(M) 상에 반사 전극 구조체(35)가 형성된다. 반사 전극 구조체(35)는 리프트 오프 기술을 이용하여 형성될 수 있다. 반사 전극 구조체(35)는 각 메사(M) 상에 형성되며, 메사(M)와 대체로 유사한 형상을 가진다.Referring to FIG. 17, a reflective electrode structure 35 is formed on the mesa M. The reflective electrode structure 35 may be formed using a lift-off technique. The reflective electrode structure 35 is formed on each mesa M and has a shape substantially similar to that of the mesa M. [

반사 전극 구조체(35)는 발광 다이오드의 종류에 따라 그 구조가 다를 수 있다. 예컨대, UVB 영역 및 UVB에 가까운 UVA 영역대의 자외선을 방출하는 발광 다이오드에 있어서, 반사 전극 구조체(35)는 Ni/Au 또는 Ni/Au와 그 위의 접착층을 포함할 수 있다.The reflective electrode structure 35 may have a different structure depending on the type of the light emitting diode. For example, in a light emitting diode that emits ultraviolet light in the UVB region and UVA region close to UVB, the reflective electrode structure 35 may comprise Ni / Au or Ni / Au and an adhesive layer thereon.

한편, 청색 발광 다이오드 또는 청색광에 가까운 UVA 영역대의 자외선 발광 다이오드의 경우, 반사 전극 구조체(35)는 반사 금속부(31), 캐핑 금속부(32) 및 산화 방지 금속부(33)를 포함할 수 있다. 반사 금속부(31)는 오믹층 및 반사층을 포함하며, 상기 캐핑 금속부(32)와의 사이에 응력 완화층을 포함할 수 있다. 응력 완환층은 반사 금속부(31)와 캐핑 금속부(32)의 열팽창 계수 차이에 의한 응력을 완화한다. On the other hand, in the case of a blue light emitting diode or an ultraviolet light emitting diode of a UVA region close to blue light, the reflective electrode structure 35 may comprise a reflective metal portion 31, a capping metal portion 32 and an antioxidant metal portion 33 have. The reflective metal portion 31 includes an ohmic layer and a reflective layer, and may include a stress relieving layer between the reflective metal portion 31 and the capping metal portion 32. The stress relieving layer relaxes the stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the reflective metal portion 31 and the capping metal portion 32.

반사 금속부(31)는, 예컨대, Ni/Ag/Ni/Au로 형성될 수 있으며, 전체 두께가 약 1600Å일 수 있다. 또는, 반사 금속부(31)는 Ni/Ag, ITO/Ag 또는 ITO/DBR (DBR: 분포 브래그 반사기)로 이루어질 수 있다. 반사 금속부(31)는 도시한 바와 같이 측면이 경사지게, 즉, 바닥부가 상대적으로 더 넓은 형상을 갖도록 형성된다. 이러한 반사 금속부(31)는 메사들(M)을 노출시키는 개구부를 가지는 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 전자-빔 증발법을 이용하여 형성될 수 있다.The reflective metal portion 31 may be formed of Ni / Ag / Ni / Au, for example, and may have a total thickness of about 1600 ANGSTROM. Alternatively, the reflective metal portion 31 may be made of Ni / Ag, ITO / Ag or ITO / DBR (DBR: distributed Bragg reflector). The reflecting metal portion 31 is formed such that the side surface is inclined, that is, the bottom portion has a relatively wider shape as shown in the figure. The reflective metal part 31 may be formed using an electron-beam evaporation method after forming a photoresist pattern having an opening for exposing the mesas M. [

한편, 캐핑 금속부(32)는 반사 금속부(31)의 상면 및 측면을 덮어 반사 금속부(31)를 보호한다. 캐핑 금속부(32)는 스퍼터링 기술을 이용하여 또는 기판(21)을 기울여서 회전시키며 진공증착하는 전자-빔 증발법(예컨대, planetary e-beam evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다. 캐핑 금속부(32)는 Ni, Pt, Ti, 또는 Cr을 포함할 수 있으며, 예컨대 약 5쌍의 Ni/Pt 또는 약 5쌍의 Ni/Ti를 증착하여 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 캐핑 금속부(32)는 TiW, W, 또는 Mo을 포함할 수 있다.On the other hand, the capping metal portion 32 covers the upper surface and the side surface of the reflective metal portion 31 to protect the reflective metal portion 31. The capping metal portion 32 may be formed using sputtering techniques or by using an electron-beam evaporation method (e. G., Planetary e-beam evaporation) in which the substrate 21 is tilted and rotated and vacuum deposited. The capping metal portion 32 may comprise Ni, Pt, Ti, or Cr and may be formed, for example, by depositing about 5 pairs of Ni / Pt or about 5 pairs of Ni / Ti. Alternatively, the capping metal portion 32 may comprise TiW, W, or Mo.

응력 완화층은 반사층과 캐핑 금속부(32)의 금속 물질에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 예컨대, 상기 반사층이 Al 또는 Al합금이고, 캐핑 금속부(32)가 W, TiW 또는 Mo을 포함하는 경우, 응력 완화층은 Ag, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Cr의 단일층이거나, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Au의 복합층일 수 있다. 또한, 반사층이 Al 또는 Al합금이고, 캐핑 금속부(32)가 Cr, Pt, Rh, Pd 또는 Ni인 경우, 응력 완화층은 Ag 또는 Cu의 단일층이거나, Ni, Au, Cu 또는 Ag의 복합층일 수 있다.The stress relieving layer may be variously selected depending on the metal material of the reflective layer and the capping metal portion 32. [ For example, when the reflective layer is Al or Al alloy and the capping metal portion 32 comprises W, TiW or Mo, the stress relieving layer may be a single layer of Ag, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Or a composite layer of Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd or Au. When the reflective layer is Al or an Al alloy and the capping metal portion 32 is Cr, Pt, Rh, Pd or Ni, the stress relieving layer may be a single layer of Ag or Cu, or a composite of Ni, Au, Layer.

또한, 반사층이 Ag 또는 Ag합금이고, 캐핑 금속부(32)가 W, TiW 또는 Mo을 포함하는 경우, 응력 완화층은 Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd 또는 Cr의 단일층이거나, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd, Cr 또는 Au의 복합층일 수 있다. 또한, 반사층이 Ag 또는 Ag합금이고, 캐핑 금속부(32)가 Cr 또는 Ni인 경우, 응력 완화층은 Cu, Cr, Rh, Pd, TiW, Ti의 단일층이거나, Ni, Au 또는 Cu의 복합층일 수 있다.The stress relieving layer may be a single layer of Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd or Cr, or may be a single layer of Cu , Ni, Pt, Ti, Rh, Pd, Cr, or Au. When the reflective layer is Ag or Ag alloy and the capping metal portion 32 is Cr or Ni, the stress relieving layer may be a single layer of Cu, Cr, Rh, Pd, TiW or Ti, or a composite of Ni, Layer.

또한, 산화 방지 금속부(33)는 캐핑 금속부(32)의 산화를 방지하기 위해 Au를 포함하며, 예컨대 Au/Ni 또는 Au/Ti로 형성될 수 있다. Ti는 SiO2와 같은 산화층의 접착력이 양호하므로 선호된다. 산화 방지 금속부(33) 또한 스퍼터링 또는 기판(21)을 기울여서 회전시키며 진공증착하는 전자-빔 증발법(예컨대, planetary e-beam evaporation)을 이용하여 형성될 수 있다.Further, the anti-oxidation metal portion 33 includes Au to prevent oxidation of the capping metal portion 32, and may be formed of Au / Ni or Au / Ti, for example. Ti is preferred because the adhesion of the oxide layer such as SiO 2 is good. The anti-oxidation metal part 33 may also be formed using sputtering or an electron-beam evaporation method (e. G., Planetary e-beam evaporation) in which the substrate 21 is tilted and rotated and vacuum deposited.

상기 반사 전극 구조체(35)가 증착된 후, 포토레지스트 패턴이 제거됨으로써 도 4에 도시한 바와 같이 제2 도전형 반도체층(27) 상에 반사 전극 구조체(35)가 남게 된다.After the reflective electrode structure 35 is deposited, the photoresist pattern is removed to leave the reflective electrode structure 35 on the second conductive type semiconductor layer 27 as shown in FIG.

본 실시예에 있어서, 메사(M), 오믹 콘택 구조체(29) 및 반사 전극 구조체(35)를 차례로 형성하는 것으로 설명하였지만, 이들의 형성 순서는 바뀔 수 있다. 예를 들어, 반사 전극 구조체(35)는 오믹 콘택 구조체(29)보다 앞서 형성될 수 있으며, 또한, 메사(M)에 앞서 형성될 수도 있다.Although the mesa M, the ohmic contact structure 29 and the reflective electrode structure 35 are sequentially formed in this embodiment, the formation order of the mesa M, the ohmic contact structure 29 and the reflective electrode structure 35 may be changed. For example, the reflective electrode structure 35 may be formed prior to the ohmic contact structure 29 and may also be formed prior to the mesa M.

도 18을 참조하면, 메사(M) 및 제1 도전형 반도체층(21)을 덮도록 하부 절연층(37)이 형성된다. 상기 하부 절연층(37)은 화학기상증착(CVD) 등의 기술을 사용하여 SiO2 등의 산화막, SiNx 등의 질화막, MgF2의 절연막으로 형성될 수 있다. 상기 하부 절연층(37)은 예컨대 4000~12000Å의 두께로 형성될 수 있다. 상기 하부 절연층(37)은 단일층으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 다중층으로 형성될 수도 있다. 나아가, 하부 절연층(37)은 저굴절 물질층과 고굴절 물질층이 교대로 적층된 분포 브래그 반사기(DBR)로 형성될 수 있다. 예컨대, SiO2/TiO2나 SiO2/Nb2O5 등의 층을 적층함으로써 반사율이 높은 절연 반사층을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 18, a lower insulating layer 37 is formed to cover the mesa M and the first conductive semiconductor layer 21. The lower insulating layer 37 may be formed of an oxide film such as SiO 2 , a nitride film such as SiNx, or an insulating film of MgF 2 using a technique such as chemical vapor deposition (CVD). The lower insulating layer 37 may have a thickness of 4000 to 12000 ANGSTROM, for example. The lower insulating layer 37 may be formed as a single layer, but is not limited thereto and may be formed in multiple layers. Further, the lower insulating layer 37 may be formed of a distributed Bragg reflector (DBR) in which a low refractive material layer and a high refractive material layer are alternately laminated. For example, an insulating reflection layer having a high reflectance can be formed by laminating layers such as SiO 2 / TiO 2 and SiO 2 / Nb 2 O 5 .

이어서, 하부 절연층(37) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 칩 단위로 분리하는 분리 영역(23h)이 형성될 수 있다. 레이저 스크라이빙에 의해 기판(21) 상면에도 홈이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 도전형 반도체층(23)의 가장자리 근처에서 기판(21)이 노출된다.Next, a separation region 23h for separating the lower insulating layer 37 and the first conductivity type semiconductor layer 23 in units of chips using a laser scribing technique may be formed. Grooves can also be formed on the upper surface of the substrate 21 by laser scribing. Thus, the substrate 21 is exposed near the edge of the first conductivity type semiconductor layer 23.

레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 제1 도전형 반도체층(23)을 칩 단위로 분리하기 때문에 별도의 포토 마스크는 사용되지 않는다.A separate photomask is not used because the first conductivity type semiconductor layer 23 is separated into chips by laser scribing technology.

본 실시예에 있어서, 하부 절연층(37)을 형성한 후에 하부절연층(37)과 제1 도전형 반도체층(23)을 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 칩 단위로 분리하지만, 하부 절연층(37)을 형성하기 전에, 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 제1 도전형 반도체층(23)을 칩 단위로 분리할 수도 있다.In this embodiment, the lower insulating layer 37 and the first conductive type semiconductor layer 23 are separated in a chip unit by laser scribing technique after the lower insulating layer 37 is formed, The first conductivity type semiconductor layer 23 may be separated in units of chips by using a laser scribing technique before the formation of the first conductivity type semiconductor layer 37. [

도 19를 참조하면, 하부 절연층(37)을 패터닝하여 오믹 콘택 구조체들(29) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 노출시키는 개구부들(37a) 및 반사 전극 구조체들(35)을 노출시키는 개구부들(37b)을 형성한다.19, the lower insulating layer 37 is patterned to expose the openings 37a and the reflective electrode structures 35, which expose the ohmic contact structures 29 and the first conductive semiconductor layer 23, Thereby forming openings 37b.

도 19에 도시한 바와 같이, 개구부들(37b)은 기판(21)의 일측 가장자리에 치우쳐 각 메사(M) 상에 형성될 수 있다. 또한, 개구부들(37b) 사이에 위치하는 오믹 콘택 구조체(29)들은, 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 하부 절연층(37)으로 덮인다.As shown in Fig. 19, the openings 37b may be formed on the respective mesas M by being biased to one side edge of the substrate 21. As shown in Fig. The ohmic contact structures 29 located between the openings 37b are covered with the lower insulating layer 37 as shown in FIG. 19 (b).

한편, 오믹 콘택 구조체들(29) 중 기판(21)의 가장자리들에 위치하는 오믹 콘택 구조체들(29)은 개구부들(37a)에 의해 그 전체가 노출될 수 있다. 그러나, 메사들(M) 사이에 위치하는 오믹 콘택 구조체들(29)의 경우, 후속 공정에서 오믹 콘택 구조체(29)와 반사 전극 구조체(35)가 단락되는 것을 방지하기 위해, 개구부들(37a)에 노출된 영역들은 개구부들(37a) 사이의 영역들로부터 떨어져 위치한다.On the other hand, the ohmic contact structures 29 located at the edges of the substrate 21 among the ohmic contact structures 29 may be entirely exposed by the openings 37a. However, in the case of the ohmic contact structures 29 located between the mesas M, in order to prevent the ohmic contact structure 29 and the reflective electrode structure 35 from being short-circuited in the subsequent process, Are spaced apart from the regions between the openings 37a.

도 20을 참조하면, 상기 하부 절연층(37) 상에 전류 분산층(39)이 형성된다. 상기 전류 분산층(39)은 메사들(M) 및 제1 도전형 반도체층(23)을 덮는다. 또한, 전류 분산층(39)은 개구부들(37b)을 노출시키는 개구부(39a)를 갖는다. 개구부(39a)는 제2 개구부들(37b)을 통해 노출된 반사 전극 구조체들(35)을 노출시킨다. 따라서, 전류 분산층(39)은 하부 절연층(37)에 의해 메사(M) 및 반사 전극 구조체들(35)로부터 절연된다.Referring to FIG. 20, a current spreading layer 39 is formed on the lower insulating layer 37. The current spreading layer 39 covers the mesas M and the first conductivity type semiconductor layer 23. The current spreading layer 39 also has an opening 39a for exposing the openings 37b. The opening 39a exposes the reflective electrode structures 35 exposed through the second openings 37b. Therefore, the current-spreading layer 39 is insulated from the mesa M and the reflective electrode structures 35 by the lower insulating layer 37.

한편, 전류 분산층(39)은 하부 절연층(37)의 개구부들(37a)을 통해 오믹 콘택 구조체(29) 및 제1 도전형 반도체층(23)에 전기적으로 접속한다. 서로 이격된 오믹 콘택 구조체들(29)이 전류 분산층(39)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 나아가, 전류 분산층(39)은 오믹 콘택 구조체들(29)의 측면을 덮을 수 있으며, 따라서, 오믹 콘택 구조체들(29)의 측면으로 입사되는 광은 전류 분산층(39)에서 반사될 수 있다.On the other hand, the current spreading layer 39 is electrically connected to the ohmic contact structure 29 and the first conductivity type semiconductor layer 23 through the openings 37a of the lower insulating layer 37. The ohmic contact structures 29 spaced apart from each other can be electrically connected to each other through the current dispersion layer 39. Further, the current-spreading layer 39 may cover the sides of the ohmic contact structures 29 and therefore the light incident on the sides of the ohmic contact structures 29 may be reflected in the current spreading layer 39 .

도 20에 도시한 바와 같이, 전류 분산층(39)은 기판(21) 상의 대부분의 영역을 덮으며, 따라서, 저항이 낮아 오믹 콘택 구조체들(29)에 전류를 쉽게 분산시킬 수 있다.As shown in FIG. 20, the current spreading layer 39 covers most of the region on the substrate 21, and therefore, the resistance can be low to easily disperse the current in the ohmic contact structures 29.

상기 전류 분산층(39)은 금속 반사층, 확산 방지층 및 산화방지층을 포함할 수 있다. 나아가, 금속 반사층이 전류 분산층(39)의 최하층이 될 수 있다. 상기 금속 반사층은 전류 분산층으로 입사된 광을 반사시켜 발광 다이오드의 반사율을 증가시킨다. 금속 반사층으로는 Al이 사용될 수 있다. 또한, 확산 방지층은 금속 원자의 확산을 방지하여 금속 반사층을 보호한다. 특히, 확산 방지층은 Sn과 같은 솔더 페이스트 내의 금속 원자의 확산을 방지할 수 있다. 확산 방지층은 Cr, Ti, Ni, Mo, TiW 또는 W 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. Mo, TiW 및 W은 단층으로 형성될 수 있다. 한편, Cr, Ti, Ni은 쌍으로 형성될 수 있다. 특히, 상기 확산 방지층은 Ti/Ni 또는 Ti/Cr을 적어도 2쌍 포함할 수 있다. 한편, 산화방지층은 확산 방지층의 산화를 방지하기 위해 형성되며, Au를 포함할 수 있다. The current dispersion layer 39 may include a metal reflection layer, a diffusion prevention layer, and an oxidation prevention layer. Further, the metal reflection layer can be the lowest layer of the current dispersion layer 39. The metal reflective layer reflects light incident on the current-spreading layer to increase the reflectance of the light emitting diode. As the metal reflective layer, Al can be used. Further, the diffusion preventing layer protects the metal reflecting layer by preventing diffusion of metal atoms. In particular, the diffusion preventing layer can prevent the diffusion of metal atoms in the solder paste such as Sn. The diffusion barrier layer may comprise Cr, Ti, Ni, Mo, TiW or W, or a combination thereof. Mo, TiW and W may be formed as a single layer. On the other hand, Cr, Ti, and Ni may be formed in pairs. In particular, the diffusion preventing layer may include at least two pairs of Ti / Ni or Ti / Cr. On the other hand, the antioxidant layer is formed to prevent oxidation of the diffusion preventing layer and may include Au.

상기 전류 분산층(39)은 최하층에 오믹 콘택층을 포함하는 종래의 전류 분산층과 대비하여 더 향상된 반사율을 가진다. 이에 따라, 전류 분산층(39)에서 광을 흡수하는 것에 의해 발생되는 광 손실을 감소시킬 수 있다.The current spreading layer 39 has a higher reflectance as compared to the conventional current spreading layer including the ohmic contact layer in the lowermost layer. Thus, the light loss caused by the absorption of light in the current-spreading layer 39 can be reduced.

상기 전류 분산층은 상기 산화방지층 상에 위치하는 접착층을 더 포함할 수 있다. 접착층은 Ti, Cr, Ni 또는 Ta를 포함할 수 있다. 접착층은 전류 분산층과 상부 절연층의 접착력을 향상시키기 위해 사용될 수 있으며, 생략될 수도 있다.The current spreading layer may further include an adhesive layer positioned on the oxidation preventing layer. The adhesive layer may comprise Ti, Cr, Ni or Ta. The adhesive layer may be used to improve the adhesion between the current spreading layer and the upper insulating layer, and may be omitted.

예를 들어, 상기 전류 분산층(39)은 Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다. For example, the current spreading layer 39 may have a multilayer structure of Al / Ni / Ti / Ni / Ti / Au / Ti.

한편, 전류 분산층(39)을 형성하는 동안 개구부(39a) 내에 확산 방지 보강층(40)이 형성될 수 있다. 상기 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)과 동일 재료로 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. 따라서, 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)과 동일한 적층 구조를 가진다.On the other hand, the diffusion preventive reinforcing layer 40 may be formed in the opening 39a during formation of the current spreading layer 39. [ The diffusion preventive reinforcing layer 40 may be formed of the same material as the current spreading layer 39 by the same process. Therefore, the diffusion preventing reinforcing layer 40 has the same lamination structure as the current spreading layer 39.

한편, 확산 방지 보강층(40)은 전류 분산층(39)으로부터 이격되며, 개구부(37b)를 통해 노출된 반사 전극 구조체들(35)에 접속한다. 확산 방지 보강층(40)에 의해 서로 이격된 반사 전극 구조체들(35)이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 도 20(c)에 도시한 바와 같이, 확산 방지 보강층(40)은 하부 절연층(37)에 의해 오믹 콘택 구조체들(29)로부터 절연된다.On the other hand, the diffusion preventing reinforcing layer 40 is separated from the current spreading layer 39 and connected to the reflective electrode structures 35 exposed through the opening 37b. The reflective electrode structures 35 spaced from each other by the diffusion preventive reinforcement layer 40 can be electrically connected to each other. 20 (c), the diffusion preventive reinforcing layer 40 is insulated from the ohmic contact structures 29 by the lower insulating layer 37. As shown in FIG.

광 손실을 방지하기 위해, 상기 전류 분산층(39)과 확산 방지 보강층(40)은 전체 칩 면적의 80% 이상을 덮을 수 있다.In order to prevent light loss, the current spreading layer 39 and the diffusion preventive reinforcement layer 40 may cover 80% or more of the entire chip area.

도 21을 참조하면, 전류 분산층(39) 상에 상부 절연층(41)이 형성된다. 상부 절연층(41)은 전류 분산층(39)을 노출시켜 제1 패드 영역(43a)을 정의하는 개구부(41a)와 함께, 확산 방지 보강층(40)을 노출시켜 제2 패드 영역(43a)을 정의하는 개구부(41b)를 갖는다. 상기 개구부들(41a, 41b)은 메사들(M)에 수직한 방향으로 기다란 형상을 가질 수 있다. 한편, 상부 절연층(41)의 개구부(41b)는 전류 분산층(39)의 개구부(39a)에 비해 더 좁은 면적을 가지며, 나아가, 확산 방지 보강층(40)의 면적보다 좁은 면적을 가질 수 있다. 따라서, 상부 절연층(41)이 개구부(39a) 측벽을 덮는다.Referring to FIG. 21, an upper insulating layer 41 is formed on the current spreading layer 39. The upper insulating layer 41 exposes the current spreading layer 39 to expose the diffusion preventing layer 40 together with the opening 41a defining the first pad region 43a to form the second pad region 43a As shown in Fig. The openings 41a and 41b may have an elongated shape in a direction perpendicular to the mesa M, The opening 41b of the upper insulating layer 41 has a smaller area than that of the opening 39a of the current spreading layer 39 and may have an area narrower than the area of the diffusion preventing reinforcing layer 40 . Thus, the upper insulating layer 41 covers the side wall of the opening 39a.

한편, 확산 방지 보강층(40)이 생략된 경우, 상기 개구부(41b)는 개구부들(37b)을 노출시키며, 또한, 개구부들(37b)에 노출된 반사 전극 구조체(35)를 노출시킬 것이다. 이 경우, 반사 전극 구조체들(35)이 제2 패드 영역으로 사용될 수 있다. On the other hand, when the diffusion preventing reinforcing layer 40 is omitted, the opening 41b exposes the openings 37b and exposes the reflective electrode structures 35 exposed in the openings 37b. In this case, the reflective electrode structures 35 may be used as the second pad region.

덧붙여, 상부 절연층(41)은 칩 분리 영역(23h)에도 형성되어 제1 도전형 반도체층(23)의 측면을 덮을 수 있다. 이에 따라, 수분 등이 제1 도전형 반도체층의 상하 계면을 통해 침투되는 것을 방지할 수 있다.In addition, the upper insulating layer 41 may also be formed in the chip isolation region 23h to cover the side surface of the first conductive type semiconductor layer 23. Thus, moisture or the like can be prevented from penetrating through the upper and lower interfaces of the first conductivity type semiconductor layer.

상기 상부 절연층(41)은 솔더 페이스트의 금속 원소들이 확산되는 것을 방지하도록 실리콘 질화막으로 형성될 수 있으며, 1㎛ 이상 2㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 1㎛ 미만이면, 솔더 페이스트의 금속 원소들의 확산을 방지하기 어렵다.The upper insulating layer 41 may be formed of a silicon nitride film to prevent metal elements of the solder paste from diffusing, and may have a thickness of 1 μm or more and 2 μm or less. If it is less than 1 mu m, it is difficult to prevent diffusion of the metal elements of the solder paste.

선택적으로, 상기 제1 전극 패드 영역(43a) 및 제2 전극 패드 영역(43b) 상에 ENIG(electroless nickel immersion gold)와 같은 무전해 도금 기술을 이용하여 Sn 확산 방지 도금층(도시하지 않음)이 추가로 형성될 수 있다.Alternatively, an Sn diffusion prevention plating layer (not shown) may be additionally formed on the first electrode pad area 43a and the second electrode pad area 43b using an electroless plating technique such as ENIG (electroless nickel immersion gold) As shown in FIG.

제1 전극 패드 영역(43a)은 전류 분산층(39) 및 오믹 콘택 구조체(29)를 통해 제1 도전형 반도체층(23)에 전기적으로 접속하고, 제2 전극 패드 영역(43b)은 확산 방지 보강층(40), 반사 전극 구조체(35)를 통해 제2 도전형 반도체층(27)에 전기적으로 접속한다.The first electrode pad region 43a is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 23 through the current spreading layer 39 and the ohmic contact structure 29 and the second electrode pad region 43b is electrically connected to the first conductivity- Is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer (27) through the reinforcing layer (40) and the reflection electrode structure (35).

상기 제1 전극 패드 영역(43a) 및 제2 전극 패드 영역(43b)은 솔더 페이스트를 통해 발광 다이오드를 인쇄회로보드 등에 실장하기 위해 사용될 수 있다. 따라서, 솔더 페이스트에 의해 제1 전극 패드 영역(43a)과 제2 전극 패드 영역(43b)이 단락되는 것을 방지하기 위해, 전극 패드들 사이의 거리는 약 300㎛ 이상인 것이 바람직하다.The first electrode pad region 43a and the second electrode pad region 43b may be used to mount a light emitting diode on a printed circuit board or the like through a solder paste. Therefore, in order to prevent the first electrode pad region 43a and the second electrode pad region 43b from being short-circuited by the solder paste, the distance between the electrode pads is preferably about 300 mu m or more.

그 후, 기판(21)의 하면을 그라인딩 및/또는 래핑 공정을 통해 부분적으로 제거하여 기판(21) 두께를 감소시킬 수 있다. 이어서, 기판(21)을 개별 칩 단위로 분할함으로써 서로 분리된 발광 다이오드가 제작된다. 이때, 상기 기판(21)은 레이저 스크라이빙 기술을 이용하여 형성된 분리 영역(23h)에서 분리될 수 있으며, 따라서 칩 분리를 위해 레이저 스크라이빙을 추가로 수행할 필요는 없다.Thereafter, the lower surface of the substrate 21 may be partially removed by grinding and / or lapping to reduce the thickness of the substrate 21. [ Subsequently, the substrate 21 is divided into individual chip units to manufacture light emitting diodes separated from each other. At this time, the substrate 21 can be separated from the separation region 23h formed using the laser scribing technique, and therefore, there is no need to further perform laser scribing for chip separation.

상기 기판(21)은 개별 발광 다이오드 칩 단위로 분할되기 전 또는 후에 발광 다이오드 칩에서 제거될 수도 있다.The substrate 21 may be removed from the light emitting diode chip before or after being divided into individual light emitting diode chip units.

나아가, 도 10을 참조하면, 서로 분리된 발광 다이오드(100) 상에 파장변환기(45)가 형성될 수 있다. 파장변환기(45)는 발광 다이오드(100)의 상면을 균일한 두께로 덮을 수 있다. 예를 들어, 파장변환기(45)는 제1 도전형 반도체층(23) 하면을 균일한 두께로 덮을 수 있다. 이와 달리, 발광 다이오드(100)가 기판(21)을 포함하는 경우, 파장변환기(45)는 기판(21)의 하면을 덮을 수 있다. 파장변환기(45)는 형광체를 함유하는 수지를 프린팅 기법을 이용하여 발광 다이오드(100) 상에 코팅하거나, 또는 에어로졸 분사 장치를 이용하여 형광체 분말을 기판(21)에 코팅함으로써 형성될 수 있다. 특히, 에어로졸 증착 방법을 이용함으로써, 발광 다이오드(100)에 균일한 두께의 형광체 박막을 형성할 수 있어 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색상 균일도가 향상된다. 또한, 파장변환기(45)는 제1 도전형 반도체층(23)의 하면에서부터 연장되어 발광 다이오드(100)의 측면을 덮을 수 있다. 이에 따라, 발광 다이오드(100)의 측면을 통해 방출되는 광에 대해서도, 파장 변환이 가능할 수 있다.Referring to FIG. 10, a wavelength converter 45 may be formed on the light emitting diodes 100 separated from each other. The wavelength converter 45 may cover the upper surface of the light emitting diode 100 with a uniform thickness. For example, the wavelength converter 45 may cover the bottom surface of the first conductivity type semiconductor layer 23 with a uniform thickness. Alternatively, when the light emitting diode 100 includes the substrate 21, the wavelength converter 45 may cover the lower surface of the substrate 21. The wavelength converter 45 may be formed by coating a resin containing a phosphor on the light emitting diode 100 using a printing technique or by coating a phosphor powder on the substrate 21 using an aerosol sprayer. Particularly, by using the aerosol deposition method, it is possible to form a phosphor thin film having a uniform thickness in the light emitting diode 100, thereby improving the color uniformity of light emitted from the light emitting diode. The wavelength converter 45 may extend from the lower surface of the first conductivity type semiconductor layer 23 to cover the side surface of the light emitting diode 100. Accordingly, wavelength conversion can be performed also for the light emitted through the side surface of the light emitting diode 100.

파장변환기(45)는 수지에 형광체가 담지된 형태로 사용될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다. 형광체가 유리에 담지되거나, 형광체가 별도의 세라믹에 담지된 형태로 사용될 수 있다.The wavelength converter 45 may be used in a form that the phosphor is supported on the resin, but is not limited thereto. The phosphor may be supported on the glass, or the phosphor may be supported on a separate ceramic.

나아가, 파장변환기(45)는 상술한 수지, 유리 또는 별도의 세라믹 등을 포함하지 않고, 형광체만으로 이루어질 수도 있다. 이에 따라, 수지, 유리, 별도의 세라믹에 의한 광 흡수가 제거될 수 있으므로, 광 추출 효율이 증가할 수 있다. 또한 파장변환기(45)의 두께가 줄어들 수 있어서, 발광 다이오드(100) 내지 백라이트 유닛의 크기가 줄어들 수 있으며, 광 추출 효율도 더욱 개선될 수 있다. 이와 더불어, 파장변환기(45)는 단결정의 형광체만으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상술한 효과와 더불어, 원하는 지향각 내에 광이 집중되도록 조절 가능하며, 형광체에 의한 파장변환 정도가 특정 방향에 따라 균일하게 나타날 수 있다.Furthermore, the wavelength converter 45 does not include the above-mentioned resin, glass, or a separate ceramic or the like, but may be made of only the phosphor. Accordingly, the light absorption by the resin, the glass, and the separate ceramic can be removed, so that the light extraction efficiency can be increased. Also, since the thickness of the wavelength converter 45 can be reduced, the size of the light emitting diode 100 to the backlight unit can be reduced, and the light extraction efficiency can be further improved. In addition, the wavelength converter 45 can be made of only a single-crystal phosphor. In this case, in addition to the above-described effects, the light can be adjusted to be concentrated within a desired directional angle, and the degree of wavelength conversion by the phosphor can be uniformly displayed in a specific direction.

발광 다이오드(100)는 파장변환기(45)와 제1 도전형 반도체층(23) 사이에 접착층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 접착층은 파장변환기(45) 및 제1 도전형 반도체층(23)과 각각 강한 접착력을 가진다. 이를 통해, 제1 도전형 반도체층(23)으로부터 파장변환기(45)가 박리되는 것이 방지될 수 있다. The light emitting diode 100 may further include an adhesive layer (not shown) between the wavelength converter 45 and the first conductivity type semiconductor layer 23. The adhesive layer has strong adhesion to the wavelength converter 45 and the first conductivity type semiconductor layer 23, respectively. As a result, the wavelength converter 45 can be prevented from being peeled off from the first conductive type semiconductor layer 23.

나아가, 발광 다이오드 패키지(110)는 발광 다이오드를 덮는 광학부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 광학부재는 발광 다이오드를 외부 충격 및 오염 물질로부터 보호하며, 발광 다이오드로부터 방출된 광을 원하는 방향으로 전진시키는 역할을 할 수 있다. 광학부재는 유리 또는 플라스틱 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 광학부재의 바깥면은 거칠어진 표면을 포함하거나, 볼록한 형상을 가질 수 있다. 이에 따라 광학부재의 바깥면에서 전반사되어 발광 다이오드로 돌아오는 광이 줄어들 수 있어서 광 추출 효율이 개선될 수 있다.Further, the light emitting diode package 110 may further include an optical member (not shown) covering the light emitting diode. The optical member protects the light emitting diode from external impact and contaminants, and can advance light emitted from the light emitting diode in a desired direction. The optical member may include at least one of glass or plastic. The outer surface of the optical member may include a roughened surface or may have a convex shape. Accordingly, the light reflected from the outer surface of the optical member to return to the light emitting diode can be reduced, and the light extraction efficiency can be improved.

광학부재는 발광 다이오드로부터 방출된 광이 입사하는 입광면 및 상기 광이 출사하는 출광면을 포함할 수 있다. 발광 다이오드에서 방출된 광의 지향각은 출광면을 통해 출사되면서 증가할 수 있다. 즉, 광학부재의 출광면에서 출사되는 광의 지향각은 발광 다이오드로부터 방출된 광의 지향각보다 클 수 있다. 따라서, 확산판의 더 넓은 영역에 광이 조사될 수 있으므로, 백라이트 유닛은 더 적은 개수의 발광 다이오드를 사용하면서도 균일한 발광 특성을 가질 수 있다.The optical member may include a light incident surface on which the light emitted from the light emitting diode is incident and a light output surface on which the light is emitted. The directivity angle of the light emitted from the light emitting diode can be increased while being emitted through the light exiting surface. That is, the directivity angle of the light emitted from the light emitting surface of the optical member may be larger than the directivity angle of the light emitted from the light emitting diode. Therefore, since light can be irradiated to a wider area of the diffuser plate, the backlight unit can have uniform light emission characteristics while using a smaller number of light emitting diodes.

이에 따라, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛의 발광 다이오드가 완성될 수 있다. 상기 발광 다이오드를 적어도 하나 이상 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)가 준비될 수 있다. 이 후, 발광 다이오드 패키지(110)가 베이스(200) 상에 실장되고, 발광 다이오드 패키지(110) 상에 확산판(300)이 형성되면서, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 형성될 수 있다.Thus, the light emitting diode of the backlight unit according to the present embodiment can be completed. A light emitting diode package 110 including at least one light emitting diode may be prepared. Thereafter, the light emitting diode package 110 is mounted on the base 200, and the diffusion plate 300 is formed on the light emitting diode package 110, thereby forming the backlight unit according to the present embodiment.

본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드는 그 자체로 발광 다이오드 패키지가 될 수 있다. 따라서, 발광 다이오드(00)를 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)의 크기가 지나치게 커지는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드 패키지의 크기는 1.3mm × 1.3mm × 0.35mm 일 수 있다. 이는 종래의 발광 다이오드를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 크기가 3.5mm × 2.8mm × 0.7mm인 것과 비교하여 상대적으로 작은 크기이다. 이에 따라, 백라이트 유닛의 소형화가 가능하며, 제조 단가가 감소할 수 있다.The light emitting diode included in the backlight unit according to the present embodiment may itself be a light emitting diode package. Therefore, the size of the light emitting diode package 110 including the light emitting diode 00 can be prevented from becoming too large. For example, the size of the light emitting diode package used in this embodiment may be 1.3 mm x 1.3 mm x 0.35 mm. This is a relatively small size as compared with the size of a light emitting diode package including a conventional light emitting diode of 3.5 mm x 2.8 mm x 0.7 mm. Accordingly, the backlight unit can be downsized, and the manufacturing cost can be reduced.

또한, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 종래의 발광 다이오드에 비해 광 추출 효율이 개선된 발광 다이오드이다. 구체적으로, 400mA의 구동전류에서, 종래의 발광 다이오드는 98lm의 광속을 방출하는 반면, 본 실시예에 사용된 발광 다이오드는 107lm의 광속을 방출한다. 따라서, 본 실시예의 백라이트 유닛의 효율이 증가할 수 있다.In addition, the light emitting diode used in this embodiment is a light emitting diode having improved light extraction efficiency as compared with the conventional light emitting diode. Specifically, at a driving current of 400 mA, a conventional light emitting diode emits a luminous flux of 98 lm, while a light emitting diode used in this embodiment emits a luminous flux of 107 lm. Therefore, the efficiency of the backlight unit of the present embodiment can be increased.

나아가, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 높은 신뢰성을 지니며, 전류 분산 효율이 높아, 고전류에서도 구동이 가능하다. 예를 들어, 종래의 발광 다이오드는 250 내지 400mA, 구체적으로 400mA에서 구동되어 98lm의 광속을 방출한다. 반면, 본 실시예서 사용된 발광 다이오드는 500 내지 1000mA, 구체적으로 800mA에서 구동될 수 있으며, 이 때 175lm의 높은 광속을 방출할 수 있다. 따라서, 보다 높은 출력을 나타내는 백라이트 유닛의 제조가 가능하다.Further, the light emitting diode used in the present embodiment has high reliability, has high current dispersion efficiency, and can be driven even at a high current. For example, a conventional light emitting diode is driven at 250 to 400 mA, specifically 400 mA, to emit a beam of 98 lm. On the other hand, the light emitting diode used in this embodiment can be driven at 500 to 1000 mA, specifically 800 mA, at which time a high luminous flux of 175 lm can be emitted. Therefore, it is possible to manufacture a backlight unit exhibiting a higher output.

본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드는 지향각이 크다. 구체적으로, 본 실시예에서 사용된 발광 다이오드는 지향각이 145°일 수 있으며, 이는 120°의 지향각을 가지는 종래의 발광 다이오드에 비해 높다. 또한, 발광 다이오드의 실장면과 확산판의 하면까지의 거리를 18mm로 설정한 뒤, 발광 다이오드에서 방출된 광이 확산판의 하면에서 차지하는 면적을 계산해볼 수 있다. 지향각이 145°인 발광 다이오드를 사용한 본 실시예의 경우, 발광 다이오드를 포함하는 일 발광 다이오드 패키지(110)는 확산판의 하면 중 1017.88mm2에 광을 조사할 수 있다. 반면, 종래 발광 다이오드는 339.27mm2에 불과한 바, 본 실시예에 따른 발광 다이오드를 사용하는 경우, 백라이트 유닛에서 발광 다이오드의 개수를 종래의 백라이트 유닛에 비해 30% 정도 덜 사용할 수 있다. 이에 따라, 목표로 한 색좌효의 구현이 더욱 용이하며, 백라이트 유닛의 제조 공정이 간소화될 수 있으며, 백라이트 유닛의 제조 단가가 감소할 수 있다.The light emitting diode included in the backlight unit according to the present embodiment has a large directivity angle. Specifically, the light emitting diode used in this embodiment may have a directivity angle of 145 °, which is higher than that of a conventional light emitting diode having a directivity angle of 120 °. In addition, after setting the distance between the mounting surface of the light emitting diode and the lower surface of the diffusing plate to 18 mm, the area occupied by the light emitted from the light emitting diode on the lower surface of the diffusing plate can be calculated. In this embodiment using a light emitting diode having a divergence angle of 145 °, one light emitting diode package 110 including the light emitting diode can irradiate light to 1017.88 mm 2 of the lower surface of the diffuser plate. On the other hand, the conventional light emitting diode is only 339.27 mm 2. When the light emitting diode according to the present embodiment is used, the number of light emitting diodes in the backlight unit can be reduced by about 30% as compared with the conventional backlight unit. Accordingly, it is easier to realize the targeted color effect, the manufacturing process of the backlight unit can be simplified, and the manufacturing cost of the backlight unit can be reduced.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 백라이트 유닛은 도 2 내지 도 14 및 도 15 내지 도 21을 통해 설명한 백라이트 유닛과 유사하나, 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)의 형태가 다른 점에서 차이가 있다.The backlight unit according to another embodiment of the present invention is similar to the backlight unit described with reference to FIGS. 2 to 14 and 15 to 21, except that the shape of the LED package 110 included in the backlight unit is different .

구체적으로, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛이 포함하는 발광 다이오드 패키지(110)는 복수개의 발광 다이오드들을 포함한다. 예를 들어, 하나의 발광 다이오드 패키지(110)는 네 개의 발광 다이오드들로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Specifically, the light emitting diode package 110 included in the backlight unit according to the present embodiment includes a plurality of light emitting diodes. For example, one light emitting diode package 110 may include four light emitting diodes, but the present invention is not limited thereto.

복수개의 발광 다이오드들은 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라, 백라이트 유닛 구동 시, 발광 다이오드 패키지(110)에 고전류가 인가되더라도, 발광 다이오드 패키지(110)의 외부 양자 효율이 급격히 저하되는 드룹 현상이 개선될 수 있다. 복수개의 발광 다이오드는 도 2 내지 도 14 또는 도 15 내지 도 21을 통해 설명한 발광 다이오드들일 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 백라이트 유닛은 큰 지향각, 큰 광속을 가진 발광 다이오드에 의해, 소형화가 가능하며, 백라이트 유닛의 제조 단가가 절감될 수 있으며, 공정 시간이 단축될 수 있다. 직렬 연결된 복수개의 발광 다이오드는 단일의 기판(21)을 더 포함할 수 있다.The plurality of light emitting diodes may be connected in series. Accordingly, even when a high current is applied to the light emitting diode package 110 when driving the backlight unit, the droop phenomenon in which the external quantum efficiency of the light emitting diode package 110 is rapidly lowered can be improved. The plurality of light emitting diodes may be the light emitting diodes described with reference to Figs. 2 to 14 or 15 to 21. Fig. Accordingly, the backlight unit according to the present embodiment can be downsized by a light emitting diode having a large directivity angle and a large luminous flux, the manufacturing cost of the backlight unit can be reduced, and the process time can be shortened. The plurality of light emitting diodes connected in series may further include a single substrate 21.

복수개의 발광 다이오드들은 별도의 배선을 통해 인접한 발광 다이오드와 직렬로 연결될 수 있다. 예를 들어, 일 배선의 일 말단은 일 발광 다이오드의 제2 도전형 반도체층(27)과 전기적으로 연결되며, 타 말단은 인접한 다른 발광 다이오드의 제1 도전형 반도체층(23)과 연결될 수 있다. 그러나, 반드시 별도의 배선이 필요한 것은 아니다. 일 발광 다이오드의 전류 분산층(39)이 연장되어 인접한 타 발광 다이오드의 제2 도전형 반도체층(27)과 전기적으로 연결될 수도 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The plurality of light emitting diodes may be connected in series with the adjacent light emitting diodes through separate wirings. For example, one end of the one wiring may be electrically connected to the second conductive type semiconductor layer 27 of one light emitting diode, and the other end may be connected to the first conductive type semiconductor layer 23 of another adjacent light emitting diode . However, a separate wiring is not necessarily required. The current spreading layer 39 of the one light emitting diode may extend and be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 27 of another adjacent light emitting diode. However, the present invention is not limited thereto.

발광 다이오드 패키지(110)는 직렬 연결된 복수개의 발광 다이오드들을 덮는 광학부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 광학부재는 발광 다이오드를 외부 충격 및 오염 물질로부터 보호하며, 발광 다이오드로부터 방출된 광을 원하는 방향으로 전진시키는 역할을 할 수 있다. 광학부재는 유리 또는 플라스틱 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 광학부재의 바깥면은 거칠어진 표면을 포함하거나, 볼록한 형상을 가질 수 있다. 이에 따라 광학부재의 바깥면에서 전반사되어 발광 다이오드로 돌아오는 광이 줄어들 수 있어서 광 추출 효율이 개선될 수 있다.
The light emitting diode package 110 may further include an optical member (not shown) covering a plurality of light emitting diodes connected in series. The optical member protects the light emitting diode from external impact and contaminants, and can advance light emitted from the light emitting diode in a desired direction. The optical member may include at least one of glass or plastic. The outer surface of the optical member may include a roughened surface or may have a convex shape. Accordingly, the light reflected from the outer surface of the optical member to return to the light emitting diode can be reduced, and the light extraction efficiency can be improved.

앞에서 본 발명의 다양한 실시예들에 대해 설명하였으나, 본 발명은 특정 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특정 실시예에서 설명된 사항은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 한 다른 실시예에서도 유사하게 적용될 수 있다.
While the foregoing is directed to various embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the specific embodiments. In addition, the matters described in the specific embodiments may be similarly applied to other embodiments, without departing from the technical spirit of the present invention.

Claims (23)

베이스 및
상기 베이스 하면에 배치된 복수개의 발광 다이오드 패키지를 포함하며,
상기 발광 다이오드 패키지는 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하고,
상기 발광 다이오드는,
제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하고, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 메사;
상기 메사 상에 위치하는 반사 전극 구조체;
상기 메사 및 상기 제1 도전형 반도체층을 덮되, 상기 반사 전극 구조체를 노출시키는 제1 개구부를 가지며, 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속하고, 상기 반사 전극 구조체 및 메사로부터 절연된 전류 분산층; 및
상기 전류 분산층을 덮는 상부 절연층을 포함하고,
상기 상부 절연층은 상기 전류 분산층을 노출시켜 제1 전극 패드 영역을 한정하는 제2 개구부와 상기 노출된 반사 전극 구조체의 상부 영역을 노출시켜 제2 전극 패드 영역을 한정하는 제3 개구부를 가지는 백라이트 유닛.
Base and
And a plurality of light emitting diode packages disposed on the bottom surface of the base,
Wherein the light emitting diode package comprises at least one light emitting diode,
The light-
A first conductive semiconductor layer;
A mesa on the first conductivity type semiconductor layer, the mesa including an active layer and a second conductivity type semiconductor layer;
A reflective electrode structure disposed on the mesa;
And a first electrode layer covering the mesa and the first conductivity type semiconductor layer and having a first opening exposing the reflective electrode structure and electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer, layer; And
And an upper insulating layer covering the current dispersion layer,
Wherein the upper insulating layer includes a second opening exposing the current spreading layer to define a first electrode pad region and a third opening exposing an upper region of the exposed electrode structure to define a second electrode pad region, unit.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드는 상기 전류 분산층의 상기 제1 개구부 내에서 상기 반사 전극 구조체 상에 위치하는 확산 방지 보강층을 더 포함하고,
상기 확산 방지 보강층이 상기 상부 절연층의 제3 개구부를 통해 노출되는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting diode further comprises a diffusion prevention layer located on the reflective electrode structure within the first opening of the current spreading layer,
And the diffusion preventing reinforcing layer is exposed through the third opening of the upper insulating layer.
청구항 2에 있어서,
상기 확산 방지 보강층은 상기 전류 분산층과 동일 재료로 형성된 백라이트 유닛.
The method of claim 2,
And the diffusion preventive reinforcement layer is formed of the same material as the current dispersion layer.
청구항 3에 있어서,
상기 전류 분산층은 오믹 콘택층, 금속 반사층, 확산 방지층 및 산화방지층을 포함하는 백라이트 유닛.
The method of claim 3,
Wherein the current-spreading layer includes an ohmic contact layer, a metal reflection layer, a diffusion prevention layer, and an oxidation prevention layer.
청구항 4에 있어서,
상기 확산 방지층은 Cr, Ti, Ni, Mo, TiW 및 W으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속층을 포함하고,
상기 산화방지층은 Au, Ag 또는 유기물층을 포함하는 백라이트 유닛.
The method of claim 4,
Wherein the diffusion barrier layer comprises at least one metal layer selected from the group consisting of Cr, Ti, Ni, Mo, TiW and W,
Wherein the antioxidant layer comprises Au, Ag or an organic material layer.
청구항 5에 있어서,
상기 확산 방지층은 Ti/Ni 또는 Ti/Cr을 적어도 2쌍 포함하는 백라이트 유닛.
The method of claim 5,
Wherein the diffusion preventing layer comprises at least two pairs of Ti / Ni or Ti / Cr.
청구항 6에 있어서,
상기 전류 분산층은 상기 산화방지층 상에 위치하는 접착층을 더 포함하는 백라이트 유닛.
The method of claim 6,
Wherein the current spreading layer further comprises an adhesive layer located on the antioxidant layer.
청구항 1에 있어서,
상기 반사 전극 구조체는,
반사 금속부;
캐핑 금속부; 및
산화 방지 금속부를 포함하고,
상기 반사 금속부는 상면이 하면보다 좁은 면적을 갖도록 경사진 측면을 갖고, 상기 캐핑 금속부는 상기 반사 금속부의 상면 및 측면을 덮으며,
상기 반사 금속부는 상기 캐핑 금속부와의 계면에 응력 완화층을 갖는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the reflective electrode structure comprises:
Reflective metal part;
Capping metal portion; And
An antioxidant metal portion,
Wherein the reflective metal portion has a side inclined so that the upper surface has a smaller area than the lower surface, the capping metal portion covers an upper surface and a side surface of the reflective metal portion,
Wherein the reflective metal portion has a stress relieving layer at an interface with the capping metal portion.
청구항 1에 있어서,
상기 메사는 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상의 분지부와 상기 분지부들이 서로 연결된 연결부를 갖고, 상기 제1 개구부는 상기 연결부 상에 위치하는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the mesa has an elongated branched portion extending parallel to one direction and a connecting portion where the branched portions are connected to each other, the first opening being located on the connecting portion.
청구항 1에 있어서,
상기 메사는 복수개이며,
상기 복수의 메사는 일측 방향으로 서로 평행하게 연장하는 기다란 형상인 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
The mesa is a plurality of mesa,
Wherein the plurality of mesas extend in parallel to each other in one direction.
청구항 10에 있어서,
상기 발광 다이오드는 상기 메사들 사이에서 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하며, 상기 전류 분산층과 전기적으로 접속하는 오믹 콘택 구조체를 더 포함하는 백라이트 유닛.
The method of claim 10,
Wherein the light emitting diode further comprises an ohmic contact structure located on the first conductivity type semiconductor layer between the mesas and electrically connected to the current dispersion layer.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드는, 상기 메사와 상기 전류 분산층 사이에 위치하여 상기 전류 분산층을 상기 메사로부터 절연시키는 하부 절연층을 더 포함하되,
상기 하부 절연층은 상기 메사 상부 영역 내에 위치하고 상기 반사 전극 구조체를 노출시키는 제4 개구부를 갖는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
The light emitting diode further includes a lower insulating layer located between the mesa and the current dispersion layer to insulate the current dispersion layer from the mesa,
And the lower insulating layer has a fourth opening located in the mesa upper region and exposing the reflective electrode structure.
청구항 12에 있어서,
상기 제1 개구부는 상기 제4 개구부가 모두 노출되도록 상기 제4 개구부보다 더 넓은 폭을 갖는 백라이트 유닛.
The method of claim 12,
Wherein the first opening has a wider width than the fourth opening so that the fourth opening is entirely exposed.
청구항 13에 있어서,
상기 제1 개구부 및 상기 제4 개구부 내에 위치하는 확산 방지 보강층을 더 포함하되,
상기 확산 방지 보강층이 상기 제3 개구부를 통해 노출되는 백라이트 유닛.
14. The method of claim 13,
Further comprising a diffusion preventing reinforcing layer located in the first opening and the fourth opening,
And the diffusion prevention reinforcing layer is exposed through the third opening.
청구항 14에 있어서,
상기 하부 절연층은 실리콘 산화막을 포함하고, 상기 상부 절연층은 실리콘 질화막을 포함하는 백라이트 유닛.
15. The method of claim 14,
Wherein the lower insulating layer includes a silicon oxide film, and the upper insulating layer includes a silicon nitride film.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드로부터 방출된 광이 입사하는 입광면 및 상기 발광 다이오드로부터 방출된 광의 지향각보다 큰 지향각을 가지도록 광이 출사되는 출광면을 포함하는 광학부재를 더 포함하는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
And an optical member including a light incident surface on which the light emitted from the light emitting diode is incident and a light emitting surface on which light is emitted so as to have a directing angle larger than a directing angle of the light emitted from the light emitting diode.
청구항 1에 있어서,
형광체를 포함하며, 상기 제1 도전형 반도체층 하면을 균일한 두께로 덮는 파장변환기를 더 포함하는 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
And a wavelength converter including a phosphor and covering the lower surface of the first conductive semiconductor layer with a uniform thickness.
청구항 17에 있어서,
상기 파장변환기는 상기 제1 도전형 반도체층의 하면에서부터 연장되어 상기 발광 다이오드의 측면을 덮는 백라이트 유닛.
18. The method of claim 17,
Wherein the wavelength converter extends from a lower surface of the first conductive semiconductor layer to cover a side surface of the light emitting diode.
청구항 17에 있어서,
상기 파장변환기는 단결정의 형광체로 이루어진 백라이트 유닛.
18. The method of claim 17,
Wherein the wavelength converter comprises a single crystal phosphor.
청구항 18에 있어서,
상기 파장변환기와 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 접착층을 더 포함하는 백라이트 유닛.
19. The method of claim 18,
And a bonding layer between the wavelength converter and the first conductive semiconductor layer.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 다이오드 패키지는 복수개의 발광 다이오드들을 포함하고,
상기 복수개의 발광 다이오드들은 직렬로 연결된 백라이트 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting diode package includes a plurality of light emitting diodes,
And the plurality of light emitting diodes are connected in series.
청구항 21에 있어서,
상기 발광 다이오드는 상기 1 도전형 반도체층 하면에 위치하는 기판을 더 포함하며,
상기 복수개의 발광 다이오드들은 단일의 기판을 공유하는 백라이트 유닛.
23. The method of claim 21,
The light emitting diode further includes a substrate disposed on a lower surface of the one-conductivity type semiconductor layer,
Wherein the plurality of light emitting diodes share a single substrate.
청구항 1에 있어서,
상기 베이스의 하면과 상기 발광 다이오드의 상면은 서로 대향하는 백라이트 유닛.The method according to claim 1,
Wherein a bottom surface of the base and an upper surface of the light emitting diode are opposed to each other.
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