JP5726409B2 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に搭載された半導体発光素子と、半導体発光素子と並列に接続された保護素子とを備えてなる発光装置、および発光装置の製造方法に関する。
LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)は、近年の効率向上に伴い、電球あるいは蛍光灯よりも省エネルギーの光源として、表示装置のバックライトや照明器具に広く用いられるようになってきている。このような用途においては、エネルギー効率が非常に重要である。
ここで、LED、特に窒化ガリウム系LEDは、静電気放電(Electrostatic discharge)によって故障を起こしやすい。すなわち、逆耐圧が小さいという性質がある。このため、その対策として、LEDに対し、ツェナーダイオード(ZD)を逆並列に配した技術が開示されている(例えば、特許文献1参照。)。
上記ZDを用いた構成では、順方向の過電圧に対してはツェナーブレイクダウンにより過電流がバイパスされ、逆方向の過電圧に対しては通常の順方向ダイオードとして過電流がバイパスされるので、LEDは過電圧から保護される。また、LEDの順方向電圧は、ZDのツェナーブレイクダウン電圧よりも小さいので、LEDに順方向電圧を印加してもZDに電流が流れることは無く、エネルギー損失は生じない。
しかし、ZDは、その製造が抵抗に比較して容易ではなく、LEDに対する実装などでの負担が大きいという問題がある。また、ZDは、長期間にわたる信頼性において、抵抗に比較して劣るという問題もある。さらには、部品コストが高いという問題もある。
一方、LEDに対し、抵抗を並列に接続した技術が開示されている(例えば、特許文献2,3参照。)。特許文献2に開示された技術は、直列に接続された複数のLEDのそれぞれに対して並列に抵抗が接続されたものであって、あるLEDが断線した場合にも、他のLEDが消灯しないように各抵抗がバイパス抵抗として働くものである。また、特許文献3に開示された技術は、1つのパッケージに複数のLEDを配した集合型LED素子において、各LEDの輝度を調整するために、各LEDのそれぞれに対して並列に可変抵抗を設けたものである。さらに、LEDに接続する抵抗の形成例として、LEDパッケージ内に厚膜抵抗を設けた技術が開示されている(例えば、特許文献4参照。)。
特開平11−298041号公報(1999年10月29日公開) 特開平11−307815号公報(1999年11月5日公開) 特開2007−294547号公報(2007年11月8日公開) 実開昭63−180957号公報(1988年11月22日公開)
しかしながら、上記特許文献1〜4に開示された技術では、LEDから外部に出射される光を遮蔽・吸収してしまい、光出力の低減を招くため、出射光の輝度を損なうという問題を有している。
例えば、特許文献1に開示された技術では、LEDチップの近傍にZDを配置すると、ZDの高さの影響で、LEDチップからの発光が遮蔽されたり、吸収されたりするため、発光装置としての輝度低下や配光特性への悪影響を及ばす。
また、ZDは、LEDチップよりもやや小さいが、200μm角の直方体であり、ある程度の搭載面積を必要とする。そのため、ZDをLEDチップと同じ搭載面に配置する場合、レイアウトの制約を受け、LEDチップを中心に配置しにくい。大型LEDチップやLEDチップを複数個搭載する場合、特にその影響は大きくなる。
さらに、封止樹脂やパッケージ形状も、その内部にLEDチップおよびZDが納まるように設計するため、パッケージ全体を大型化させる必要がでてくる。そして、ZDは、上述した製造困難、実装負担大、長期信頼性小という問題も有している。
一方、特許文献2〜4に開示された技術では、抵抗がLEDチップからの発光を吸収するため、発光装置としての輝度低下や配光特性への悪影響を及ばす。抵抗はある程度のサイズを有しているため、複数設けられているほど全体の光吸収量は多くなる。
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、LEDから外部に出射される光の遮蔽・吸収を抑制し、光出力の低減を招くことなく、良好な輝度の出射光を得ることができる発光装置、および発光装置の製造方法を提供することにある。
本発明の発光装置は、上記課題を解決するために、基板と、上記基板の表面側に搭載された半導体発光素子と、上記半導体発光素子と並列に接続された保護素子とを備えてなる発光装置において、上記保護素子は、抵抗値が一定である薄膜の印刷抵抗からなり、上記基板の表面側、裏面側、および内部の少なくとも1つに形成されており、上記半導体発光素子は、上記基板の表面側に形成された、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層、または、透光性樹脂からなる透光性樹脂層により覆われており、上記蛍光体含有樹脂層または上記透光性樹脂層は、上記半導体発光素子の周囲に設置された、白色の樹脂性リング部材によって塞き止められており、上記保護素子は、上記基板の表面側、かつ、上記樹脂性リング部材の下方に形成されており、上記保護素子は、細線状であり、上記樹脂性リング部材は、細線リング状であり、上記細線状の保護素子が、上記細線リング状の樹脂性リング部材の下方において、該樹脂性リング部材に沿って形成されていることを特徴としている。
また、本発明の発光装置の製造方法は、上記課題を解決するために、基板と、上記基板の表面側に搭載された半導体発光素子と、上記半導体発光素子と並列に接続された保護素子とを備えてなる発光装置の製造方法において、上記保護素子を、抵抗値が一定である薄膜の印刷抵抗として、上記基板の表面側、裏面側、および内部の少なくとも1つに形成する工程を含み、上記半導体発光素子は、上記基板の表面側に形成された、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層、または、透光性樹脂からなる透光性樹脂層により覆われており、上記蛍光体含有樹脂層または上記透光性樹脂層は、上記半導体発光素子の周囲に設置された、白色の樹脂性リング部材によって塞き止められており、上記保護素子は、上記基板の表面側、かつ、上記樹脂性リング部材の下方に形成されており、上記保護素子は、細線状であり、上記樹脂性リング部材は、細線リング状であり、上記細線状の保護素子が、上記細線リング状の樹脂性リング部材の下方において、該樹脂性リング部材に沿って形成されていることを特徴としている。
上記の各構成によれば、保護素子を薄膜の印刷抵抗とすることにより、配置の制約を受けない。また、薄膜の印刷抵抗であり、配置の制約を受けないことから、例えば乳白色のガラス層などで容易に覆うことが可能となるので、保護素子による、半導体発光素子からの出射光の遮蔽・吸収が低減される。よって、半導体発光素子から外部に出射される光の遮蔽・吸収を抑制し、光出力の低減を招くことなく、良好な輝度の出射光を得ることが可能となる。また、低コストで形成できる。
また、本発明の発光装置は、上記半導体発光素子は、上記基板の表面側に形成された、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層、または、透光性樹脂からなる透光性樹脂層により覆われており、上記保護素子は、上記基板の表面側、かつ、上記蛍光体含有樹脂層または上記透光性樹脂層の外側に形成されていることが好ましい。
上記の構成によれば、保護素子は薄膜の印刷抵抗であるので、基板の表面側に形成されていた場合であっても、蛍光体含有樹脂層または透光性樹脂層を、ダムシート(樹脂ダム)などを使用して安定して容易に形成することが可能となる。またこれにより、蛍光体含有樹脂層または透光性樹脂層の形成時の漏れを低減することも可能となる。
なお、半導体発光素子からの光を、半導体発光素子の搭載面側全体に均一に、外部へ出射するようにするために、上記蛍光体含有樹脂層および上記透光性樹脂層は、ドーム状の形状を有していることが望ましい。
また、本発明の発光装置は、上記半導体発光素子は、上記基板の表面側に形成された、透光性樹脂からなる透光性樹脂層により、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層を介して覆われており、上記保護素子は、上記基板の表面側、かつ、上記透光性樹脂層の外側に形成されていることが好ましい。さらに、上記透光性樹脂層は、ドーム状の形状を有していることが望ましい。
これにより、蛍光体含有樹脂層および透光性樹脂層を、ダムシートなどを使用して安定して容易に形成することが可能となるとともに、優れた信頼性の2重封止発光装置を実現することが可能となる。
また、本発明の発光装置は、上記基板は、セラミックからなり、該基板上に配線パターンが形成されており、上記配線パターンは、上記半導体発光素子と電気的に接続するためのカソード用およびアノード用の半導体発光素子用電極と、上記保護素子と電気的に接続するためのカソード用およびアノード用の保護素子用電極とを含んでいることが好ましい。
また、本発明の発光装置は、上記基板の表面側に形成された、少なくとも上記各半導体発光素子用電極を除く配線パターン上には、ガラス層が形成されており、上記保護素子は、上記基板の表面側に形成されている場合、上記ガラス層によって覆われていることが好ましい。これにより、配線パターンによる、半導体発光素子から外部に出射される光の吸収を抑制することが可能となる。
また、本発明の発光装置は、上記半導体発光素子は、上記基板の表面上の上記各半導体発光素子用電極間に搭載されており、上記保護素子は、上記各保護素子用電極上に、当該各保護素子用電極間を架橋するように形成されていることが好ましい。
また、本発明の発光装置は、前記保護素子は、ガラス層またはソルダーレジストによって覆われていることが好ましい。これにより、保護素子による、半導体発光素子から外部に出射される光の吸収を抑制することが可能となる。
なお、上記光吸収抑制効果をより奏するために、上記ガラス層およびソルダーレジストは乳白色であることが望ましい。
ここで、発光装置を複数含む発光モジュールを構成した場合、発光モジュールの消灯時に、複数の発光装置が閉ループ回路を構成するようなときに一部の発光装置に外光が定常的に差し込む状況で使用すると、半導体発光素子に光起電力が生じ、この光起電力により半導体発光素子が劣化することがある。これに対し、発光装置内の半導体発光素子に対して並列に保護素子(印刷抵抗)を接続することによって、上記光起電力による半導体発光素子の劣化を防ぐことが可能となる。また、サージ対策にもなる。
それゆえ、半導体発光素子に対するサージ破壊の防止、および上記光起電力による半導体発光素子の劣化対策の効果を奏するために、また、保護素子に流れる順方向リーク成分が半導体発光素子の駆動電流に対して影響を与えないようにするために、本発明の発光装置は、上記保護素子の抵抗値は、1MΩ〜10GΩであることが望ましい。
また、本発明の発光装置は、上記保護素子は、上記基板の表面側に部分的に形成されていることが好ましい。
さらに、上記保護素子は、さらに、上記基板の表面の隅部に配置されていることが望ましい。
また、本発明の発光装置は、上記ガラス層は、ほう珪酸ガラス、シリカガラス、ソーダ石灰ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、ほう珪酸亜鉛ガラス、アルミノ珪酸ガラス、および燐酸ガラスの少なくとも1つからなることが好ましい。
また、本発明の発光装置は、上記ガラス層の反射率は、70〜80%であることが好ましい。
また、本発明の発光装置は、上記ガラス層は、アルジル、酸化チタン、酸化バリウム、タルク、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、シリカ、マイカ、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、およびクレーの無機系顔料、並びに、ポリマービーズの有機系顔料の少なくとも1つを含んでいることが好ましい。
また、本発明の発光装置は、上記保護素子は、上記基板の裏面側に形成されていることが好ましい。
また、本発明の発光装置は、上記半導体発光素子は、上記基板の表面側に形成された、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層、または、透光性樹脂からなる透光性樹脂層により覆われており、上記蛍光体含有樹脂層または上記透光性樹脂層は、上記半導体発光素子の周囲に設置された、白色の樹脂性リング部材によって塞き止められており、上記保護素子は、上記基板の表面側、かつ、上記樹脂性リング部材の下方に形成されていることが好ましい。
以上のように、本発明の発光装置は、基板の表面側に搭載された半導体発光素子と並列に接続された保護素子は、抵抗値が一定である薄膜の印刷抵抗からなり、上記基板の表面側、裏面側、および内部の少なくとも1つに形成されており、上記半導体発光素子は、上記基板の表面側に形成された、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層、または、透光性樹脂からなる透光性樹脂層により覆われており、上記蛍光体含有樹脂層または上記透光性樹脂層は、上記半導体発光素子の周囲に設置された、白色の樹脂性リング部材によって塞き止められており、上記保護素子は、上記基板の表面側、かつ、上記樹脂性リング部材の下方に形成されており、上記保護素子は、細線状であり、上記樹脂性リング部材は、細線リング状であり、上記細線状の保護素子が、上記細線リング状の樹脂性リング部材の下方において、該樹脂性リング部材に沿って形成されている構成を有することにより、半導体発光素子から外部に出射される光の遮蔽・吸収を抑制し、光出力の低減を招くことなく、良好な輝度の出射光を得ることができるという効果を奏する。
本発明における発光装置の実施の一形態を示す上面図である。 上記発光装置の、(a)は側面図であり、(b)は斜視図である。 上記発光装置を上側から見たときの透視図である。 上記発光装置の製造工程を示すフローチャートである。 (a)〜(f)は、上記発光装置の各製造工程を示す断面図である。 上記発光装置における配線パターンの構成を示す上面図である。 上記発光装置における印刷抵抗素子の構成を示す上面図である。 上記発光装置におけるガラス層の構成を示す上面図である。 上記発光装置における、(a)はLEDチップの構成を示す上面図であり、(b)は蛍光体含有樹脂層の構成を示す上面図であり、(c)は透光性樹脂層の構成を示す上面図である。 上記発光装置における透光性樹脂層を作製する圧縮成形工程を示す断面図である。 比較例として、上記発光装置において印刷抵抗素子に替えてツェナーダイオードを備えたとした場合の構成を示す、(a)は蛍光体含有樹脂層内に搭載されるように配置したツェナーダイオードにワイヤボンディングしたときの上面図であり、(b)はツェナーダイオードを蛍光体含有樹脂層外に搭載するときの上面図であり、(c)は(b)の斜視図である。 本発明における印刷抵抗素子を備える発光装置と、比較例としてのツェナーダイオードを備える発光装置とに対し、駆動電流(IF)と全光束との関係を比較した結果を示す図である。 本発明における発光装置の他の実施の形態を示す、(a)は断面図であり、(b)は上側から見たときの透視図である。 本発明における発光装置のさらに他の実施の形態を示す、(a)は断面図であり、(b)は上側から見たときの透視図である。 本発明における発光装置のまたさらに他の実施の形態を示す、(a)はLEDチップを搭載する前の上面図であり、(b)はLEDチップを搭載したときの上面図であり、(c)は蛍光体含有樹脂層を形成したときの上面図である。 本発明における発光装置のさらに他の実施の形態を示す、(a)は上側から見たときの透視図であり、(b)は裏面図である。 本発明における発光装置のさらに他の実施の形態を示す、(a)は上面図であり、(b)は(a)のA−A線断面図である。
〔実施の形態1〕
本発明の一実施形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。
(発光装置の構成)
図1は、本実施の形態の発光装置100の一構成例を示す上面図である。図2は、図1に示す発光装置100の、(a)は側面図であり、(b)は斜視図である。図3は、図1に示す発光装置100を上側から見たときの透過図である。
図1〜3に示すように、発光装置100は、基板101、ガラス層102、LEDチップ103(半導体発光素子)、印刷抵抗素子104、蛍光体含有樹脂層105、および透光性樹脂層106を備えている。
基板101は、セラミックからなるセラミック基板である。基板101の一方の面(以下、主表面と称する)に、ガラス層102、LEDチップ103、印刷抵抗素子104、蛍光体含有樹脂層105、および透光性樹脂層106が設けられている。
基板101の主表面には、配線パターン107が直接形成されている。配線パターン107は、図6を用いて後述するように、LEDチップ103の搭載領域を避けるとともに(LEDチップ103の搭載領域の周囲であって)、少なくとも、発光装置100内の部品と電気的接続を行うための表面電極、および、該表面電極と外部との導電経路を含むようなパターンである。表面電極としては、後述の図6に示すように、LEDチップ103の各電極と接続するためのカソード電極107a・アノード電極107b(半導体発光素子用電極)、並びに、印刷抵抗素子104と接続するための印刷抵抗用電極107c・107d(アノード電極およびカソード電極,保護素子用電極)がある。また、配線パターン107は、カソード側を認識するためのカソードマーク107eを含む。
LEDチップ103は、発光ピーク波長が450nmの青色LEDであるが、これに限るものではない。LEDチップ103としては、例えば、発光ピーク波長が390nm〜420nmの紫外(近紫外)LEDチップを用いてもよく、これにより、さらなる発光効率の向上を図ることができる。LEDチップ103は、例えば、長辺が550μm、短辺が280μm、高さが120μmのチップ形状を有している。
LEDチップ103は、発光面が上側を向くように基板101の主表面に直接搭載され、ダイボンドペースト(図示せず)で固定されている(ダイボンディング)。LEDチップ103は、複数(本実施例では3つ)が、所定の発光量を満たすような所定の位置に配置されている。例えば、LEDチップ103は、等間隔で、長辺方向が並列になるように配列されている。LEDチップ103の発光面には、電極(アノード電極およびカソード電極)が備えられている。
LEDチップ103の各電極は、ワイヤ108を用いたワイヤボンディングによって、基板101のカソード電極107aおよびアノード電極107bに、それぞれ電気的に接続されている。これにより、各LEDチップ103は、カソード電極107aとアノード電極107bとの間で並列接続されている。ワイヤ108は、例えば金からなる。このワイヤ108による導電接続により、基板101の表面電極(カソード電極107aおよびアノード電極107b)から、各LEDチップ103に電力を供給することが可能となっている。
印刷抵抗素子104は、印刷されたペースト状の抵抗成分が、焼成によって定着されてなる薄膜の抵抗素子であり、LEDチップ103を保護する保護素子としての機能を有する。印刷抵抗素子104は、印刷抵抗用電極107cの端と印刷抵抗用電極107dの端との上に積層されて、当該2つの端を架設して電気的に接続するように、基板101の主表面上に直接形成されている。印刷抵抗素子104の材料や形成方法については後述する。
ガラス層102は、乳白色のガラスが形成されてなる層である。ガラス層102は、基板101の主表面において、印刷抵抗素子104と、カソード電極107a、アノード電極107b、およびカソードマーク107e以外の配線パターン107と、LEDチップ103の周囲の主表面の一部と、を覆うように形成されている。換言すると、ガラス層102は、LEDチップ103の搭載領域およびその周辺領域、カソード電極107a、アノード電極107b、並びにカソードマーク107eを露出する開口部を有しながら、基板101の主表面側を被覆するように形成されている。この開口部は、ワイヤーボンドエリアとなる。
なお、LEDチップ103の発熱をダイボンドペーストを通じて基板101に直接放熱させるようにするために、LEDチップ103の搭載領域およびその周辺領域には、ガラス層102を形成していない。
蛍光体含有樹脂層105は、粒子状蛍光体を含有する樹脂からなる。蛍光体含有樹脂層105は、LEDチップ103、ワイヤ108、および、LEDチップ103の周辺領域(基板101の表面およびガラス層102の表面を含む)を覆うように、ドーム状(半球状)に形成されている。粒子状蛍光体としては、具体例は後述するが、LEDチップ103の発光色との組合せにより、発光装置100から所定の色(色度)の発光を得るような蛍光体を用いる。
透光性樹脂層106は、透光性シリコーン樹脂からなり、蛍光体を含有していない蛍光体非含有層である。透光性樹脂層106は、蛍光体含有樹脂層105を覆うようにドーム状に形成されているとともに、基板101の主表面を覆うように形成されている。発光装置100では、透光性樹脂層106のドーム状をなす表面(球面)が、発光装置100の光出射面となっている。
上記構成を有する発光装置100は、例えば、幅X1:2.8mm、幅Y1:2.8mm、高さZ1:1.9mmのような寸法を有する。
(発光装置の製造方法)
次に、上記構成を有する発光装置100の製造方法について説明する。
図4は、本実施の形態の発光装置100の製造工程を示すフローチャートである。図5(a)〜(f)は、発光装置100の各製造工程を簡略的に示す側面図である。図6は、発光装置100の製造工程において、配線パターン107を作製したときの上面図である。図7は、発光装置100の製造工程において、印刷抵抗素子104を作製したときの上面図である。図8は、発光装置100の製造工程において、ガラス層102を作製したときの上面図である。図9は、発光装置100の製造工程において、(a)はLEDチップ103を搭載しワイヤボンディングしたときの上面図であり、(b)は蛍光体含有樹脂層105を作製したときの上面図であり、(c)は透光性樹脂層106を作製したときの上面図である。
本実施の形態の発光装置100は、図4に示すように、配線パターン作製工程(ステップS1)、印刷抵抗素子作製工程(ステップS2)、ガラス層作製工程(ステップS3)、LEDチップダイボンド工程およびワイヤボンド工程(ステップS4)、蛍光体含有樹脂層作製工程(ステップS5)、透光性樹脂層作製工程(ステップS6)、および分割工程(ステップS7)を含む。以下に、各工程ごとに詳細に説明していく。
なお、発光装置100は、複数の発光装置群からなる一体ものとして形成され、製造工程の最後(図4に示す製造工程ではステップS7)に個々の発光装置の周囲(四方)をダイシングにて分割することで、個々の発光装置として形成される。図6〜9中の各構成要素は、不明瞭とならない程度に必要に応じて簡略化されて示されている。
(ステップS1:配線パターン作製工程)
まず、図5(a)および図6に示すように、基板101の主表面に、配線パターン107を作製する。具体的には、基板101の主表面に、印刷配線によりAg/Pd(厚さ:合計10μm)パターンを形成することで、配線パターン107を作製する。配線パターン107では、図6に示すように、LEDチップ103の搭載領域を避けた位置に(LEDチップ103の搭載領域の周囲に)、カソード電極107a、アノード電極107b、印刷抵抗用電極107c・107d、およびカソードマーク107eが配置されている。また特に、カソード電極107aおよびアノード電極107bは、LEDチップ103の搭載位置に応じてその配置が決められる。さらに、印刷抵抗用電極107c・107dは、印刷抵抗素子104の形成位置に応じてその配置が決められる。
また、カソード電極107aおよびアノード電極107bは、LEDチップ103との導電接続のためにワイヤボンディングされる。例えば、図6に示す方向視で、カソード電極107aおよびアノード電極107bは、横1mm、縦0.45mmの大きさを有し、カソード電極107aとアノード電極107bとの間隔は1.1mmである。
(ステップS2:印刷抵抗素子作製工程)
続いて、図5(b)および図7に示すように、印刷抵抗素子104を作製する。具体的には、印刷抵抗素子104は、(1)印刷、(2)焼成の順の工程を含む製造工程によって作製する。
印刷では、基板101上のAg/Pd電極上(印刷抵抗用電極107c・107dの各端の上)に、抵抗成分を含むペーストをスクリーン印刷する。上記ペーストは、酸化ルテニウム(RuO、導電粉末としてルテニウム)、固結剤、樹脂、および溶剤により構成される。このペーストは、クリーム状であって粘度が高く、焼成前のスクリーン印刷直後の状態でも形状が崩れることはない。
そして、焼成では、その基板101を850℃の電気炉で、3時間焼いて抵抗を定着させる。これにより、印刷抵抗素子104が作製され得る。印刷抵抗素子104は、例えば、抵抗値が100MΩ、膜厚が10〜20μm、幅が0.2μm×0.65μmである。
また、上記ペーストに構成する導電粉末としては、焼成温度以下では軟化しない金属、あるいは酸化物であることが好ましく、例えば、ルテニウム、錫、アンチモン、亜鉛、銀、パラジウム、白金、金、ニッケル、鉄、クロム、銅、モリブデン、タングステンの単体、化合物、あるいは合金の中から選んだ1種以上からなることが好ましい。特に酸化ルテニウムは、酸化物でありながら、およそ3×10−7Ωmという金属に近い抵抗率を示し、熱的にも非常に安定であり、微細な粉末を作製できるなどの利点を持っていることから、好適である。
本実施例では、パターン形成方法からある程度決められる寸法値範囲で所定の抵抗値を得るために、上記材質の選定、および、添加物や焼成条件の調整によって、所望の抵抗率に調整している。上述の例では、10−3〜10−2Ωcmオーダーの抵抗率に調整している。
(ステップS3:ガラス層作製工程)
続いて、図5(c)および図8に示すように、ガラス層102を作製する。具体的には、ガラス層102の平面形状を含む大きさを有する開口部を含む材料用型を準備する。そして、上記材料用型を基板101の主表面上の所定の位置に設置し、開口部の孔にガラス材料を注入する。次いで、スキージを用いて、過剰な厚さ分のガラス材料を除去する。ガラス層102の厚さは、例えば20μmとする。
よって、ガラス材料は、上記開口部以外の部分(印刷抵抗素子104および上記以外の配線パターン107など)に排出される。上記開口部は、図8に示すように、LEDチップ103の搭載領域およびその周辺領域、カソード電極107a、アノード電極107b、並びにカソードマーク107eを露出するような形状を有する。
これにより、所望の形状のガラス層102に覆われた発光装置100を製造することができる。
ガラス層102は、アルジル系(Al−Si)白色剤を添加したほう珪酸ガラスとした。これにより、ガラス層102は乳白色となっている。なお、乳白色のガラス層102とするためにガラス材料に添加する白色顔料としては、アルジル系、酸化チタン、酸化バリウム、タルク、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、シリカ、マイカ、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、クレーなどの無機系顔料、並びにポリマービーズなどの有機系顔料が挙げられる。また、上記ガラス材料としては、例えば、ほう珪酸ガラス(ボロシリケイト)、シリカガラス、ソーダ石灰ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、ほう珪酸亜鉛ガラス、アルミノ珪酸ガラス、または燐酸ガラスを含むものを使用することができる。
ガラス層102の反射率は、Ag/Pd層(配線パターン107)上にて波長450nmで75%とした。なお、ガラス層102の反射率を上げようとすると、基板101との熱膨張係数差が大きくなる。また、配線パターン107のAg/Pdとガラス層102の添加物とが反応して変色(黒色化)する。それゆえ、ガラス層102の反射率は、70%〜80%が好ましい。
特に、アルジル系は、軽く(金属と比較して)、熱膨張率が小さく、高剛性さらに化学的安定であるので、ガラス材料に添加する白色顔料として好適である。また、ほう珪酸ガラスは、熱膨張率が小さく、耐熱衝撃性、化学的耐久性により、ガラス材料として好適である。なお、固結剤には、導電成分および基板101との濡れ性や、基板101の熱膨張係数に近いことなどが要求される。
(ステップS4:LEDチップダイボンド工程およびワイヤボンド工程)
続いて、図5(d)および図9(a)に示すように、LEDチップ103を基板101の主表面にダイボンディングした後、ワイヤ108によって、LEDチップ103の各電極とカソード電極107aおよびアノード電極107bとをワイヤボンディングする。
具体的には、3個のLEDチップ103を、図9(a)に示すように、基板101の主表面の所定の位置に、例えばシリコーン樹脂にてダイボンディングする。このとき、LEDチップ103は、各々の間隔が200μmとなるように、電気的に並列になるように搭載した。
次いで、ワイヤ108を用いて、ワイヤボンディングを行う。このとき、LEDチップ103の各電極と基板101のカソード電極107aおよびアノード電極107bとの間に対し、順番にワイヤボンディングを行う。これにより、図9(a)に示すように構成された状態となりうる。
(ステップS5:蛍光体含有樹脂層作製工程)
続いて、図5(e)および図9(b)に示すように、蛍光体含有樹脂層105を作製する。具体的には、まず、基板101の主表面、すなわちLEDチップ103が搭載された側の面に、ダムシート41を張り付ける。ダムシート41は、後述する蛍光粒子入り樹脂を注入する際、蛍光粒子入り樹脂が所定の箇所以外に流出して拡がらないように堰き止めるものである。ダムシート41には、LEDチップ103を収容可能な貫通孔(図示せず)が形成されている。換言すると、ダムシート41に形成された貫通孔の形状によって、図9(b)に示すように、蛍光体含有樹脂層105の平面視外形形状が決まる。
ダムシート41としては、例えば、テフロン(登録商標)、フッ素ゴム、およびシリコーンシートなどの樹脂製シートの一方の面に粘着材が塗布されたものを用いることができる。特にフッ素ゴムは、弾力性が高く、ダムシート41の除去が容易であるので好ましい。また、粘着材としては、主表面への張り付けが容易であるとともに、ダムシート41を除去した際に、基板101の主表面に粘着材の残渣が残らないものが好ましい。
次いで、LEDチップ103が貫通孔に没入するように、ダムシート41を基板101に張り付けた後、蛍光粒子入り樹脂を、貫通孔を満たすように注入する。蛍光粒子入り樹脂は、液状のシリコーン樹脂に粒子状蛍光体を分散させたものである。本実施例では、粒子状蛍光体として、赤色蛍光体(Sr、Ca)AlSiN:Eu、および、緑色蛍光体Ca(Sc、Mg)SiO1:Ceを用いる。
なお、粒子状蛍光体は、これに限らず、例えば、BOSE(Ba、O、Sr、Si、Eu)などを好適に用いることができる。また、BOSEの他、SOSE(Sr、Ba、Si、O、Eu)や、YAG(Ce賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット)、αサイアロン((Ca)、Si、Al、O、N、Eu)、βサイアロン(Si、Al、O、N、Eu)などを好適に用いることもできる。
次いで、蛍光粒子入り樹脂を注入した後は、80℃、90分の保持状態とする。その後、120℃、60分の条件で蛍光粒子入り樹脂を硬化させ、ダムシート41を除去する。これにより、LEDチップ103およびワイヤ108を被覆した蛍光体含有樹脂層105を形成することができる。蛍光体含有樹脂層105は、例えば、直径X2:2.1mm、基板101からの高さ1.15mmとして作製されうる。
なお、ダムシート41の除去方法には、ダムシート41の一端を治具により把持し、引き剥す方法がある。このとき、貫通孔からはみ出した蛍光粒子入り樹脂は、ダムシート41とともに同時に除去することができる。
(ステップS6:透光性樹脂層作製工程)
続いて、図5(f)および図9(c)に示すように、透光性樹脂層106を作製する。具体的には、図10に示すような圧縮成形を用いて、図5(f)および図9(c)に示すようなドーム状の透光性樹脂層106を形成する。
圧縮成形では、図10に示すように、固定上型50および可動下型51を備える成形型を用いる。まず、蛍光体含有樹脂層105が下側になるような状態で、固定上型50のセット部に、基板101をセットしておく。そして、可動下型51に設けられたドーム状の小キャビティ(個別キャビティ)53に、後に透光性樹脂層106となる、所要量の透光性を有する液状樹脂材料(透光性シリコーン樹脂)を均等に注入して満たしておく。そして、ドーム状の蛍光体含有樹脂層105を小キャビティ53に没入するように、基板101を可動下型51にセットし、固定上型50により型締めする。
次いで、固定上型50および可動下型51を所要の型締圧力にて型締めすることにより、大キャビティ52を含む小キャビティ53の樹脂内に、蛍光体含有樹脂層105を浸漬して圧縮成形する。このとき、大キャビティ52は、透光性シリコーン樹脂の連通路として作用することになるので、各小キャビティ53間における透光性シリコーン樹脂の過少を効率良く防止して、均等に分配することができる。
そして、この状態で、150℃の温度で1分程度保持し、透光性シリコーン樹脂を硬化させる。その後、150℃、5時間の条件でアフターキュアを行い、固定上型50および可動下型51を取り除く。これにより、蛍光体含有樹脂層105をドーム状に被覆するとともに、基板101の主表面を平坦に被覆した透光性樹脂層106を形成することができる。透光性樹脂層106は、例えば、直径X3:2.4mm、基板101からのドーム状部分の高さZ2:1.3mm、基板101からの平坦部分の高さZ3:0.05mmとして作製されうる。
(ステップS7:分割工程)
最後に、個別の発光装置100に分割する。分割方法としては、基板101の裏面に設けられた分割溝の上方を、透光性樹脂層106が形成された側(主表面側)から、カッタにより剪断する方法がある。これによれば、透光性樹脂層106はカッタにより剪断されるとともに、基板101は分割溝に沿って割れるので、容易に分割することができる。
以上により、個片化された発光装置100を作製し得る。この発光装置100は、基板101と、基板101の主表面に搭載されたLEDチップ103と、LEDチップ103と並列に接続された印刷抵抗素子104とを備え、印刷抵抗素子104は、基板101の主表面側に形成されている構成である。つまりは、上記発光装置100の製造方法は、印刷抵抗素子104を、基板101の主表面側に形成する工程を含む方法である。
この構成によれば、印刷抵抗素子104を用いることにより、ツェナーダイオード(ZD)を用いた場合の構成と比較して有利な効果を奏する。この点について、図11を参照しながら説明する。
図11は、比較例として、発光装置100において印刷抵抗素子104に替えてZD901を備えたとした場合(発光装置100’とする)の構成を示す、(a)は蛍光体含有樹脂層内に搭載されるように配置したZD901にワイヤボンディングしたときの上面図であり、(b)はZD901を蛍光体含有樹脂層105外に搭載するときの上面図であり、(c)は(b)の斜視図である。
図11(a)に示すように、ZD901にワイヤを打てるようにZD901を搭載すると、LEDチップ103を中心付近に搭載することができない。また、ZD901は、ZD用電極パッド902上に搭載されるため、ZD用電極パッド902のサイズも考慮する必要がある。よって、発光装置100’から外部に出射される出射光が不均一になってしまう。
また、図11(b)に示すように、LEDチップ103を中心付近に搭載し、ZD901を蛍光体含有樹脂層105外に、すなわち蛍光体含有樹脂層105内に入らないように搭載すると、次の(1)〜(5)の問題が生じる。
(1)ZD901のワイヤボンディングのためには、LEDチップ103の近傍にZD901を搭載する必要があるため、蛍光体含有樹脂層105内に搭載することが必要であるが、ZD901による光吸収により輝度(光出力)の低下を招く。このため、ZD901を、蛍光体含有樹脂層105内に搭載することができない。
(2)通常、蛍光体含有樹脂層105の作製は、ダムシート41(または樹脂ダム)を使用する。しかし、ある程度の高さを有する(例えば、高さ:85μm)ZD901を蛍光体含有樹脂層105の形成領域外に搭載した場合、ダムシート41の密着性を低下させ、樹脂漏れが発生する。さらには、ZD901が壊れることがある。このため、ダムシート41を用いて蛍光体含有樹脂層105を作製することができない。
(3)蛍光体含有樹脂層105と透光性樹脂層106との間隔(隙間)が狭いため(本実施例では0.15mm)、ZD901を、蛍光体含有樹脂層105と透光性樹脂層106との間に搭載することができない。
(4)さらに、蛍光体含有樹脂層105と透光性樹脂層106との間にZD901を無理に搭載すると、透光性樹脂層106を、形状が固定したドーム状で作製することができないという問題を生じる。
(5)さらにまた、ZD901を隅に搭載するほど、透光性樹脂層106を、形状が固定したドーム状で作製できないという問題を生じる。すなわち、透光性樹脂層106の圧縮成形工程において、ZD901の高さが邪魔をするため、ZD901を隅に搭載することができない。
これに対し、本実施の形態の発光装置100の構成によれば、印刷抵抗素子104を用いることにより、配置の制約を受けない。よって、図1に示したように、蛍光体含有樹脂層105外であって、透光性樹脂層106の下方に一部が位置するような位置にも配置させることが可能となる。
また、薄膜の印刷抵抗素子104であることから、蛍光体含有樹脂層105を、ダムシート41を使用して安定して容易に形成することが可能となる。またこれにより、蛍光体含有樹脂層105の作製時の漏れを低減することも可能となる。
さらに、薄膜の印刷抵抗素子104であり、配置の制約を受けないことから、乳白色のガラス層102で容易に覆うことが可能となるので、印刷抵抗素子104による、LEDチップ103からの出射光の遮蔽・吸収が低減される。
例えば、図12に、本実施の形態の印刷抵抗素子104を備える発光装置100と、比較例としてのZD901を備える発光装置100’とに対し、駆動電流(IF)と全光束との関係を比較した結果を示す。図12では、横軸は駆動電流(mA)を示し、縦軸は全光束(相対強度)を示す。
図12からわかるように、印刷抵抗素子104を備える発光装置100が、ZD901を備える発光装置100’よりも、全光束すなわち光強度が大きい。特に駆動電流が大きくなるにつれて、その差は増していく。
よって、印刷抵抗素子104を備える発光装置100では、LEDチップ103から外部に出射される光の遮蔽・吸収を抑制し、光出力の低減を招くことなく、良好な輝度の出射光を得ることが可能となる。また、低コストで形成できる。
さらに、このように作製された発光装置100は、歩留まりを向上させることが可能となり、優れた信頼性の2重封止LEDを実現することが可能となる。
ここで、発光装置100を複数含む発光モジュールを構成した場合、発光モジュールの消灯時に、複数の発光装置100が閉ループ回路を構成するようなときに一部の発光装置100に外光が定常的に差し込む状況で使用すると、LEDチップ103に光起電力が生じ、この光起電力によりLEDチップ103が劣化することがある。
つまりは、本発明の発明者等は、実験検討から、ツェナーダイオードの代わりに抵抗を用いた場合、LEDチップを含む発光装置を複数接続してなる発光モジュールにおいて、電源供給されない(例えば、電源供給路に設けられたスイッチが遮断される)消灯時に、複数の発光装置が閉ループ回路を構成するようなときに発光装置の一部に外光が照射されると、その発光装置内のLEDチップに光起電力が発生し、他の発光装置内のLEDチップに対して逆バイアスが静的に印加され、それらLEDチップが劣化するという現象を見出した。
これに対し、本実施の形態の発光装置100のように、発光装置100内のLEDチップ103に対して並列に印刷抵抗素子104を接続することによって、上記光起電力によるLEDチップ103の劣化を防ぐことが可能となる。また、サージ対策にもなる。よって、発光装置100は、長寿命化を図って信頼性を確保できるという効果を奏する。
それゆえ、LEDチップ103に対するサージ破壊の防止、および上記光起電力によるLEDチップ103の劣化対策の効果を奏するために、印刷抵抗素子104の抵抗値は、LEDチップ103の逆バイアス方向のインピーダンスの抵抗成分よりも小さいことが好ましく、10GΩ以下であることが望ましい。また、印刷抵抗素子104に流れる順方向リーク成分がLEDチップ103の駆動電流に対して影響を与えないようにするために、印刷抵抗素子104の抵抗値は、150kΩ以上あればよいが、発光装置として完成した後に微小領域の順方向電圧の測定を行う不良選別の検査工程で真の不良品との見分けをつく程度まで、リーク電流を抑える場合は、1MΩ以上にすることが望ましい。
なお、上述した発光装置100では、基板101の主表面上に印刷抵抗素子104を配置したが、これに限らず、印刷抵抗素子104は、基板101の主表面、裏面(主表面とは反対側の面)、および内部に配置(形成)することができる。これは、印刷抵抗素子104は配置の制約を受けないためである。例えば、セラミックからなる基板101を多層化し、基板101内部に、カソード電極107aおよびアノード電極107bに電気的に接続するスルホール電極を形成して、基板積層界面に印刷抵抗素子104を配置するようにしてもよい。また、印刷抵抗素子104は、基板101の主表面、裏面、および内部から選択した複数の位置に配置することもできる。
また、LEDチップ103および印刷抵抗素子104の数は、上述したものに限るわけではない。LEDチップ103は、1個搭載してもよいし、複数個搭載してもよい。印刷抵抗素子104も、1個または複数個搭載してよく、1個のLEDチップ103に対し1個並列に接続するように設けてもよいし、複数個のLEDチップ103に対し1個並列に接続するように設けてもよい。
また、上述した発光装置100では、印刷抵抗素子104をガラス層102で被覆したが、印刷抵抗素子104を被覆する材料は白色ソルダーレジストでもよい。つまりは、ガラス層102を除いた構成とすることも可能であり、この場合、印刷抵抗素子104を白色ソルダーレジストで被覆するとともに、配線パターン107を(白色)ソルダーレジストで被覆する。
〔実施の形態2〕
前記実施の形態1の発光装置100では、蛍光体含有樹脂層105および透光性樹脂層106により2重の樹脂封止がなされていたが、これに限らず、少なくとも、蛍光体含有樹脂層105および透光性樹脂層106のいずれか一方によって樹脂封止されていればよい。すなわち、LEDチップ103の種類や発光させる色の設計に応じて、封止樹脂を選択することができる。
図13は、本実施の形態の発光装置200の一構成例を示す、(a)は断面図であり、(b)は上側から見たときの透視図である。図13に示すように、発光装置200は、前記実施の形態1の発光装置100の構成のうち透光性樹脂層106を除いた構成を備えている。
発光装置200では、印刷抵抗素子104は、蛍光体含有樹脂層105の外周付近に載置されているが、上述したようにダムシート41を用いることができるので、光出力の低減を招くことなく、良好なドーム形状の蛍光体含有樹脂層105を形成することができる。なお、透光性樹脂層106のみを設ける場合は、蛍光体含有樹脂層105と同様の作製方法によって、すなわちダムシート41を用いて形成することができる。
ここで例えば、LEDチップ103は、赤・緑・青色発光素子の複数個でもよく、青色発光素子が複数個でもよい。
〔実施の形態3〕
前記実施の形態1の発光装置100では、蛍光体含有樹脂層105および透光性樹脂層106はドーム状の形状を有していたが、これに限らず、LEDチップ103からの光を、LEDチップ103の搭載面側全体に均一に、外部へ出射するような形状であればよい。
図14は、本実施の形態の発光装置300の一構成例を示す、(a)は断面図であり、(b)は上側から見たときの透視図である。図14に示すように、発光装置300は、前記実施の形態1の発光装置100の構成と同様の構成を備えるものであるが、蛍光体含有樹脂層105の形状が異なっている。
発光装置300では、蛍光体含有樹脂層105は、図14(a)に示すように側面視が矩形(上面は平坦)、図14(b)に示すように上面視がかまぼこ型(対向する2辺が平行な直線で、対向する2辺が外側に膨らむ曲線の四辺形)の形状を有している。蛍光体含有樹脂層105の高さは、例えば0.385mmである。印刷抵抗素子104は、蛍光体含有樹脂層105を被覆する透光性樹脂層106の外周付近に載置されている。
このように発光装置300では、印刷抵抗素子104は、透光性樹脂層106の外周付近、つまりは基板101の主表面の隅に載置されているが、薄膜の印刷抵抗素子104であり、さらにはガラス層102によって被覆されているので、透光性樹脂層106の圧縮成形工程において悪影響を与えることはない。よって、印刷抵抗素子104を、透光性樹脂層106の外周付近や、基板101の主表面の隅に載置することができる。
〔実施の形態4〕
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態1〜3と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態1〜3の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図15は、本実施の形態の発光装置400の一構成例を示す、(a)はLEDチップ103を搭載する前の上面図であり、(b)はLEDチップ103を搭載したときの上面図であり、(c)は蛍光体含有樹脂層105を形成したときの上面図である。
図15に示すように、発光装置400は、基板101、ガラス層102、LEDチップ103(青色LED24個)、印刷抵抗素子104、蛍光体含有樹脂層105、および樹脂リング401(樹脂性リング部材)を備えている。
LEDチップ103は、基板101の主表面に、8個ずつ3列に搭載されている。基板101には、上記LEDチップ103の配置に応じて、配線パターン107である電極パターン107fが形成されている。電極パターン107fは、LEDチップ103の各電極を、基板101の主表面の対向する2隅に配置されたカソード電極107aおよびアノード電極107bに電気的に接続するようなパターンとなっている。
例えば、基板101は、X4×Y2:15mm×12mmのサイズで、厚さは1mmである。電極パターン107fは、材質を金(Au)とし、パターン幅は0.3mm、間隔X5は1.2mmである。印刷抵抗素子104は、抵抗値は1MΩ、幅は0.2mmである。また、カソード電極107aおよびアノード電極107bは、直径1.4mm、直線部2.12mmである。
樹脂リング401は、白色の樹脂からなるリング状の部材である。樹脂リング401は、前記実施の形態1のダムシート41と同じ材質、および用途のものであり、いわゆる樹脂ダムである。樹脂リング401は、例えば、リング幅は0.4mmであり、リング間隔は6mmである。つまり、蛍光体含有樹脂層105は、上面視でX6×Y3:6mm×6mmのサイズを有している。
発光装置400では、印刷抵抗素子104が樹脂リング401の下に形成されているので、印刷抵抗素子104による光の吸収という問題をより低減することが可能となる。また、印刷抵抗素子104の上面(表面など)の保護となる。さらに、印刷抵抗素子104を搭載しても小型化が可能となる。
〔実施の形態5〕
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態1〜4と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態1〜4の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図16は、本実施の形態の発光装置500の一構成例を示す、(a)は上側から見たときの透視図であり、(b)は裏面図である。
図16に示すように、発光装置500は、基板101、ガラス層102、LEDチップ103(青色LED5個)、印刷抵抗素子104、蛍光体含有樹脂層105、および透光性樹脂層106を備えている。ここで、発光装置500では、基板101の裏面に、カソード電極107aおよびアノード電極107bが延設されているとともに、印刷抵抗素子104が設けられている。
印刷抵抗素子104は、カソード電極107aおよびアノード電極107bを形成する前に、基板101の裏面に形成される。そして、印刷抵抗素子104を形成した後に、カソード電極107aおよびアノード電極107bを、印刷抵抗素子104の各端部を覆うように形成している。これにより、印刷抵抗素子104は、カソード電極107aとアノード電極107bとの間に形成される。なお、カソード電極107aおよびアノード電極107bは、基板101の主表面から側面を通って裏面に至るように延設されて形成される。
基板101の裏面において、カソード電極107aおよびアノード電極107bは、図16(b)に示すように、例えば、X7:0.2mm、X8:0.7mm、Y4:1.65mm、Y5:0.8mmの寸法の領域に形成される。
発光装置500では、印刷抵抗素子104が基板101の裏面に配置されていることから、基板101の主表面におけるLEDチップ103の搭載可能領域が拡がり、例えばLEDチップ103を5個搭載することができる。これにより、より明るい2重封止LEDが作製可能となる。
なお、印刷抵抗素子104が前記実施の形態1で上述したような材質の場合、ろう材が濡れる材質ではないので、発光装置500を実装基板に実装しても、印刷抵抗素子104上にろう材が濡れてカソード電極107aとアノード電極107bとを接続し、印刷抵抗素子104と並列となるろう材部分が形成されることはない。しかし、印刷抵抗素子104が、ろう材に濡れる材質を使用する場合は、印刷抵抗素子104上にドライフィルムやガラス層などの絶縁層で覆うような工夫が必要となる。
〔実施の形態6〕
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態1〜5と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態1〜5の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図17は、本実施の形態の発光装置600の一構成例を示す、(a)は上面図であり、(b)は(a)のA−A線断面図である。
本実施の形態の発光装置600は、光を外部に放射する発光透光面の形状が円形に近い小型パッケージ型のLED発光装置である。図17に示すように、発光装置600は、ポリフタルアミド(PPA)基板601(基板)、LEDチップ103、および印刷抵抗素子104を備えている。なお、発光装置600では、PPA基板601の凹状開口部601aの内部に、蛍光体および封止樹脂(蛍光体含有樹脂層105に相当)が充填されるが、図17では、凹状開口部の内部を詳細に示すために、蛍光体および封止樹脂を図示していない。
PPA基板601は、発光面となる上面側が窪んだ凹状開口部601aを有する光反射壁601bを備えている。光反射壁601bは、上側から底側へ向かって狭くなるように傾斜しており、LEDチップ103を囲うように全周に形成されている。凹状開口部601aの底面には、カソード電極107aおよびアノード電極107bが形成されている。カソード電極107aおよびアノード電極107bは、発光装置600の外部の電源に接続できるように、それぞれがPPA基板601の外部へ伸びている。
印刷抵抗素子104は、光を反射するソルダーレジスト(光反射性部材)602によって覆われている。これにより、LEDチップ103は光反射壁601bで全周を囲われているので、LEDチップ103から出射された光を、印刷抵抗素子104に吸収されることなく、光反射壁601bで反射させ、より多く発光装置600の外部へ放出することができる。
上記構成を有する発光装置600は次のように作製する。つまりは、リードフレーム(配線パターン107)を打ち抜きなどで形成した後に、そのリードフレームを印刷抵抗ペースト塗布用の台の上に設置する。そして、空間的に離間している所定のカソード電極107aとアノード電極107bとの間を接続するように、印刷抵抗ペーストパターン(印刷抵抗素子104)をスクリーン印刷などで台上に形成する。このとき、印刷抵抗のペーストは、クリーム状であって粘度が高いので、焼成前のスクリーン印刷直後の状態でも形状が崩れることはない。
その後、台上にリードフレームのせたまま、印刷抵抗ペーストパターンを焼成し、印刷抵抗の形態を安定化させる。そして、台から印刷抵抗素子104が形成されたリードフレームを外し、トランスファー成型などで、リードフレーム周囲にPPA基板601を形成する。その後は、図4のステップS4〜S7に示すような、LEDチップダイボンド工程、ワイヤボンド工程、封止樹脂作製工程、および分割工程を経て、発光装置600は完成し得る。
このように、LEDチップ103すなわちLEDチップ103の搭載面が、PPA基板601の光反射壁601bで囲まれた構成であっても、印刷抵抗素子104は、LEDチップ103近傍に載置することが可能である。
また、印刷抵抗素子104はソルダーレジスト602によって覆われているので、印刷抵抗素子104による、LEDチップ103からの光の吸収を抑制することが可能となる。つまりは、印刷抵抗素子104にガラス層102を被覆したときと同一の効果を奏することができる。なお、上記光吸収抑制効果をより奏するために、ソルダーレジスト602は乳白色であることが望ましい。
また、上述した発光装置600では、LEDチップ103および印刷抵抗素子104を1個ずつ備える構成としたが、勿論、LEDチップ103は複数個搭載してもよく、印刷抵抗素子104も複数個形成してもよい。
さらに、リードフレームの形状を工夫して、カソード側のリードフレームの一部(カソード電極107a)とアノード側のリードフレームの一部(アノード電極107b)とがPPA基板601内部に配置されるようにし、両者を接続するように印刷抵抗素子104を形成することにより、印刷抵抗素子104がPPA基板601内部に位置するようにしても構わない。
また、PPA基板601裏面で、カソード側のリードフレームとアノード側のリードフレームとを露出させ、前記実施の形態5の発光装置500のように、PPA基板601の裏面に印刷抵抗素子104を形成してもよい。
その場合、実装基板と接続されるリードフレームのアウター部分を、PPA基板601の裏面ではなく、側面まで引き伸ばし、側面に沿うように折り曲げて、側面を実装面した構成としてもよい。これによれば、印刷抵抗素子104の濡れ性を考慮する必要がないので、印刷抵抗素子104の材質選択の自由度が向上する。
最後に、上述した実施の形態1〜6では、LEDチップ103の放熱性改善を図る場合や、フリップチップタイプのLEDチップ103の場合、印刷抵抗素子104は、LEDチップ103と基板101との間に挿入するサブマウントに形成してもよい。すなわち、印刷抵抗素子104の配置箇所は、LEDチップ103と基板101との間とすることもできる。
また、実施の形態1〜6において示した発光装置100,200,300,400,500,600を適宜選定して実装基板に搭載し、それらを直列、並列あるいは直並列に電気的に接続してモジュール化した面光源が実現され得る。よって、消費電力を上げることなく、また、輝度も下げずに、サージに強い面光源を実現することができる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、基板に搭載された半導体発光素子と、半導体発光素子と並列に接続された保護素子とを備えてなる発光装置に関する分野に好適に用いることができるだけでなく、発光装置の製造方法、特に保護素子の形成方法に関する分野に好適に用いることができ、さらには、発光装置を複数備えてなる発光モジュール、およびそれを備える表示装置などの分野にも広く用いることができる。
41 ダムシート
50 固定上型
51 可動下型
100,200,300,400,500,600 発光装置
101 基板
102 ガラス層
103 LEDチップ(半導体発光素子)
104 印刷抵抗素子(保護素子)
105 蛍光体含有樹脂層
106 透光性樹脂層
107 配線パターン
107a カソード電極(半導体発光素子用電極)
107b アノード電極(半導体発光素子用電極)
107c,107d 印刷抵抗用電極(保護素子用電極)
108 ワイヤ
401 樹脂リング(樹脂性リング部材)
601 ポリフタルアミド基板(基板)
602 ソルダーレジスト

Claims (13)

  1. 基板と、上記基板の表面側に搭載された半導体発光素子と、上記半導体発光素子と並列に接続された保護素子とを備えてなる発光装置において、
    上記保護素子は、抵抗値が一定である薄膜の印刷抵抗からなり、上記基板の表面側、裏面側、および内部の少なくとも1つに形成されており、
    上記半導体発光素子は、上記基板の表面側に形成された、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層、または、透光性樹脂からなる透光性樹脂層により覆われており、
    上記蛍光体含有樹脂層または上記透光性樹脂層は、上記半導体発光素子の周囲に設置された、白色の樹脂性リング部材によって塞き止められており、
    上記保護素子は、上記基板の表面側、かつ、上記樹脂性リング部材の下方に形成されており、
    上記保護素子は、細線状であり、
    上記樹脂性リング部材は、細線リング状であり、
    上記細線状の保護素子が、上記細線リング状の樹脂性リング部材の下方において、該樹脂性リング部材に沿って形成されていることを特徴とする発光装置。
  2. 上記蛍光体含有樹脂層および上記透光性樹脂層は、ドーム状の形状を有していることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 上記基板は、セラミックからなり、該基板上に配線パターンが形成されており、
    上記配線パターンは、上記半導体発光素子と電気的に接続するためのカソード用およびアノード用の半導体発光素子用電極と、上記保護素子と電気的に接続するためのカソード用およびアノード用の保護素子用電極とを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  4. 上記基板の表面側に形成された、少なくとも上記各半導体発光素子用電極を除く配線パターン上には、ガラス層が形成されており、
    上記保護素子は、上記基板の表面側に形成されている場合、上記ガラス層によって覆われていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  5. 上記半導体発光素子は、上記基板の表面上の上記各半導体発光素子用電極間に搭載されており、
    上記保護素子は、上記各保護素子用電極上に、当該各保護素子用電極間を架橋するように形成されていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  6. 前記保護素子は、ガラス層またはソルダーレジストによって覆われていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  7. 上記ガラス層およびソルダーレジストは乳白色であることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
  8. 上記保護素子の抵抗値は、1MΩ〜10GΩであることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  9. 上記保護素子は、上記基板の表面側に部分的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  10. 上記ガラス層は、ほう珪酸ガラス、シリカガラス、ソーダ石灰ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、ほう珪酸亜鉛ガラス、アルミノ珪酸ガラス、および燐酸ガラスの少なくとも1つからなることを特徴とする請求項4または6に記載の発光装置。
  11. 上記ガラス層の反射率は、70〜80%であることを特徴とする請求項4または6に記載の発光装置。
  12. 上記ガラス層は、アルジル、酸化チタン、酸化バリウム、タルク、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、シリカ、マイカ、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、およびクレーの無機系顔料、並びに、ポリマービーズの有機系顔料の少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
  13. 基板と、上記基板の表面側に搭載された半導体発光素子と、上記半導体発光素子と並列に接続された保護素子とを備えてなる発光装置の製造方法において、
    上記保護素子を、抵抗値が一定である薄膜の印刷抵抗として、上記基板の表面側、裏面側、および内部の少なくとも1つに形成する工程を含み、
    上記半導体発光素子は、上記基板の表面側に形成された、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層、または、透光性樹脂からなる透光性樹脂層により覆われており、
    上記蛍光体含有樹脂層または上記透光性樹脂層は、上記半導体発光素子の周囲に設置された、白色の樹脂性リング部材によって塞き止められており、
    上記保護素子は、上記基板の表面側、かつ、上記樹脂性リング部材の下方に形成されており、
    上記保護素子は、細線状であり、
    上記樹脂性リング部材は、細線リング状であり、
    上記細線状の保護素子が、上記細線リング状の樹脂性リング部材の下方において、該樹脂性リング部材に沿って形成されていることを特徴とする発光装置の製造方法。
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