JP5726409B2 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図1は、本実施の形態の発光装置100の一構成例を示す上面図である。図2は、図1に示す発光装置100の、(a)は側面図であり、(b)は斜視図である。図3は、図1に示す発光装置100を上側から見たときの透過図である。
次に、上記構成を有する発光装置100の製造方法について説明する。
まず、図5(a)および図6に示すように、基板101の主表面に、配線パターン107を作製する。具体的には、基板101の主表面に、印刷配線によりAg/Pd(厚さ:合計10μm)パターンを形成することで、配線パターン107を作製する。配線パターン107では、図6に示すように、LEDチップ103の搭載領域を避けた位置に(LEDチップ103の搭載領域の周囲に)、カソード電極107a、アノード電極107b、印刷抵抗用電極107c・107d、およびカソードマーク107eが配置されている。また特に、カソード電極107aおよびアノード電極107bは、LEDチップ103の搭載位置に応じてその配置が決められる。さらに、印刷抵抗用電極107c・107dは、印刷抵抗素子104の形成位置に応じてその配置が決められる。
続いて、図5(b)および図7に示すように、印刷抵抗素子104を作製する。具体的には、印刷抵抗素子104は、(1)印刷、(2)焼成の順の工程を含む製造工程によって作製する。
続いて、図5(c)および図8に示すように、ガラス層102を作製する。具体的には、ガラス層102の平面形状を含む大きさを有する開口部を含む材料用型を準備する。そして、上記材料用型を基板101の主表面上の所定の位置に設置し、開口部の孔にガラス材料を注入する。次いで、スキージを用いて、過剰な厚さ分のガラス材料を除去する。ガラス層102の厚さは、例えば20μmとする。
続いて、図5(d)および図9(a)に示すように、LEDチップ103を基板101の主表面にダイボンディングした後、ワイヤ108によって、LEDチップ103の各電極とカソード電極107aおよびアノード電極107bとをワイヤボンディングする。
続いて、図5(e)および図9(b)に示すように、蛍光体含有樹脂層105を作製する。具体的には、まず、基板101の主表面、すなわちLEDチップ103が搭載された側の面に、ダムシート41を張り付ける。ダムシート41は、後述する蛍光粒子入り樹脂を注入する際、蛍光粒子入り樹脂が所定の箇所以外に流出して拡がらないように堰き止めるものである。ダムシート41には、LEDチップ103を収容可能な貫通孔(図示せず)が形成されている。換言すると、ダムシート41に形成された貫通孔の形状によって、図9(b)に示すように、蛍光体含有樹脂層105の平面視外形形状が決まる。
続いて、図5(f)および図9(c)に示すように、透光性樹脂層106を作製する。具体的には、図10に示すような圧縮成形を用いて、図5(f)および図9(c)に示すようなドーム状の透光性樹脂層106を形成する。
最後に、個別の発光装置100に分割する。分割方法としては、基板101の裏面に設けられた分割溝の上方を、透光性樹脂層106が形成された側(主表面側)から、カッタにより剪断する方法がある。これによれば、透光性樹脂層106はカッタにより剪断されるとともに、基板101は分割溝に沿って割れるので、容易に分割することができる。
(1)ZD901のワイヤボンディングのためには、LEDチップ103の近傍にZD901を搭載する必要があるため、蛍光体含有樹脂層105内に搭載することが必要であるが、ZD901による光吸収により輝度(光出力)の低下を招く。このため、ZD901を、蛍光体含有樹脂層105内に搭載することができない。
(2)通常、蛍光体含有樹脂層105の作製は、ダムシート41(または樹脂ダム)を使用する。しかし、ある程度の高さを有する(例えば、高さ:85μm)ZD901を蛍光体含有樹脂層105の形成領域外に搭載した場合、ダムシート41の密着性を低下させ、樹脂漏れが発生する。さらには、ZD901が壊れることがある。このため、ダムシート41を用いて蛍光体含有樹脂層105を作製することができない。
(3)蛍光体含有樹脂層105と透光性樹脂層106との間隔(隙間)が狭いため(本実施例では0.15mm)、ZD901を、蛍光体含有樹脂層105と透光性樹脂層106との間に搭載することができない。
(4)さらに、蛍光体含有樹脂層105と透光性樹脂層106との間にZD901を無理に搭載すると、透光性樹脂層106を、形状が固定したドーム状で作製することができないという問題を生じる。
(5)さらにまた、ZD901を隅に搭載するほど、透光性樹脂層106を、形状が固定したドーム状で作製できないという問題を生じる。すなわち、透光性樹脂層106の圧縮成形工程において、ZD901の高さが邪魔をするため、ZD901を隅に搭載することができない。
前記実施の形態1の発光装置100では、蛍光体含有樹脂層105および透光性樹脂層106により2重の樹脂封止がなされていたが、これに限らず、少なくとも、蛍光体含有樹脂層105および透光性樹脂層106のいずれか一方によって樹脂封止されていればよい。すなわち、LEDチップ103の種類や発光させる色の設計に応じて、封止樹脂を選択することができる。
前記実施の形態1の発光装置100では、蛍光体含有樹脂層105および透光性樹脂層106はドーム状の形状を有していたが、これに限らず、LEDチップ103からの光を、LEDチップ103の搭載面側全体に均一に、外部へ出射するような形状であればよい。
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態1〜3と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態1〜3の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態1〜4と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態1〜4の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態1〜5と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態1〜5の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
50 固定上型
51 可動下型
100,200,300,400,500,600 発光装置
101 基板
102 ガラス層
103 LEDチップ(半導体発光素子)
104 印刷抵抗素子(保護素子)
105 蛍光体含有樹脂層
106 透光性樹脂層
107 配線パターン
107a カソード電極(半導体発光素子用電極)
107b アノード電極(半導体発光素子用電極)
107c,107d 印刷抵抗用電極(保護素子用電極)
108 ワイヤ
401 樹脂リング(樹脂性リング部材)
601 ポリフタルアミド基板(基板)
602 ソルダーレジスト
Claims (13)
- 基板と、上記基板の表面側に搭載された半導体発光素子と、上記半導体発光素子と並列に接続された保護素子とを備えてなる発光装置において、
上記保護素子は、抵抗値が一定である薄膜の印刷抵抗からなり、上記基板の表面側、裏面側、および内部の少なくとも1つに形成されており、
上記半導体発光素子は、上記基板の表面側に形成された、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層、または、透光性樹脂からなる透光性樹脂層により覆われており、
上記蛍光体含有樹脂層または上記透光性樹脂層は、上記半導体発光素子の周囲に設置された、白色の樹脂性リング部材によって塞き止められており、
上記保護素子は、上記基板の表面側、かつ、上記樹脂性リング部材の下方に形成されており、
上記保護素子は、細線状であり、
上記樹脂性リング部材は、細線リング状であり、
上記細線状の保護素子が、上記細線リング状の樹脂性リング部材の下方において、該樹脂性リング部材に沿って形成されていることを特徴とする発光装置。 - 上記蛍光体含有樹脂層および上記透光性樹脂層は、ドーム状の形状を有していることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記基板は、セラミックからなり、該基板上に配線パターンが形成されており、
上記配線パターンは、上記半導体発光素子と電気的に接続するためのカソード用およびアノード用の半導体発光素子用電極と、上記保護素子と電気的に接続するためのカソード用およびアノード用の保護素子用電極とを含んでいることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 上記基板の表面側に形成された、少なくとも上記各半導体発光素子用電極を除く配線パターン上には、ガラス層が形成されており、
上記保護素子は、上記基板の表面側に形成されている場合、上記ガラス層によって覆われていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。 - 上記半導体発光素子は、上記基板の表面上の上記各半導体発光素子用電極間に搭載されており、
上記保護素子は、上記各保護素子用電極上に、当該各保護素子用電極間を架橋するように形成されていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。 - 前記保護素子は、ガラス層またはソルダーレジストによって覆われていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記ガラス層およびソルダーレジストは乳白色であることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 上記保護素子の抵抗値は、1MΩ〜10GΩであることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記保護素子は、上記基板の表面側に部分的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 上記ガラス層は、ほう珪酸ガラス、シリカガラス、ソーダ石灰ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、ほう珪酸亜鉛ガラス、アルミノ珪酸ガラス、および燐酸ガラスの少なくとも1つからなることを特徴とする請求項4または6に記載の発光装置。
- 上記ガラス層の反射率は、70〜80%であることを特徴とする請求項4または6に記載の発光装置。
- 上記ガラス層は、アルジル、酸化チタン、酸化バリウム、タルク、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、シリカ、マイカ、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、およびクレーの無機系顔料、並びに、ポリマービーズの有機系顔料の少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
- 基板と、上記基板の表面側に搭載された半導体発光素子と、上記半導体発光素子と並列に接続された保護素子とを備えてなる発光装置の製造方法において、
上記保護素子を、抵抗値が一定である薄膜の印刷抵抗として、上記基板の表面側、裏面側、および内部の少なくとも1つに形成する工程を含み、
上記半導体発光素子は、上記基板の表面側に形成された、蛍光体を含有する樹脂からなる蛍光体含有樹脂層、または、透光性樹脂からなる透光性樹脂層により覆われており、
上記蛍光体含有樹脂層または上記透光性樹脂層は、上記半導体発光素子の周囲に設置された、白色の樹脂性リング部材によって塞き止められており、
上記保護素子は、上記基板の表面側、かつ、上記樹脂性リング部材の下方に形成されており、
上記保護素子は、細線状であり、
上記樹脂性リング部材は、細線リング状であり、
上記細線状の保護素子が、上記細線リング状の樹脂性リング部材の下方において、該樹脂性リング部材に沿って形成されていることを特徴とする発光装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009157133A JP5726409B2 (ja) | 2009-07-01 | 2009-07-01 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
CN201010218429.XA CN101944565B (zh) | 2009-07-01 | 2010-06-28 | 发光装置以及发光装置的制造方法 |
US12/827,319 US8399899B2 (en) | 2009-07-01 | 2010-06-30 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009157133A JP5726409B2 (ja) | 2009-07-01 | 2009-07-01 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014035878A Division JP5865929B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 発光装置 |
JP2014035877A Division JP6092136B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011014695A JP2011014695A (ja) | 2011-01-20 |
JP5726409B2 true JP5726409B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=43412153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009157133A Active JP5726409B2 (ja) | 2009-07-01 | 2009-07-01 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8399899B2 (ja) |
JP (1) | JP5726409B2 (ja) |
CN (1) | CN101944565B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP5623062B2 (ja) | 2009-11-13 | 2014-11-12 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2011151268A (ja) | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Sharp Corp | 発光装置 |
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Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS63180957A (ja) | 1987-01-22 | 1988-07-26 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
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JP2577407Y2 (ja) * | 1992-08-06 | 1998-07-30 | 積水ハウス株式会社 | 型枠外し工具 |
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JP2007116095A (ja) | 2005-07-25 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
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CN1909238B (zh) * | 2005-08-03 | 2010-11-03 | 三星电机株式会社 | 具有保护元件的发光装置及该发光装置的制造方法 |
JP2007204547A (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Kyodo Yushi Co Ltd | 電気接点用グリース組成物 |
TWI284433B (en) * | 2006-02-23 | 2007-07-21 | Novalite Optronics Corp | Light emitting diode package and fabricating method thereof |
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JP4882634B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2012-02-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2008085109A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード実装用基板 |
JP5283539B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2013-09-04 | シャープ株式会社 | 発光装置、発光装置ユニット、および発光装置製造方法 |
JP5726409B2 (ja) | 2009-07-01 | 2015-06-03 | シャープ株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-07-01 JP JP2009157133A patent/JP5726409B2/ja active Active
-
2010
- 2010-06-28 CN CN201010218429.XA patent/CN101944565B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-30 US US12/827,319 patent/US8399899B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8399899B2 (en) | 2013-03-19 |
CN101944565A (zh) | 2011-01-12 |
CN101944565B (zh) | 2014-04-30 |
JP2011014695A (ja) | 2011-01-20 |
US20110001156A1 (en) | 2011-01-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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|
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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