CN203260631U - Led光源装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型的目的在于，提供一种即使在光和热相互影响的状况下，也能够在长时期内提高反射率的LED光源装置。一种LED光源装置，其特征在于，具有：基材、形成于所述基材上的电极、在形成有所述电极的基材表面上遮盖除所述电极之外的部分地被配置的白色无机抗蚀层、与所述电极连接的LED元件，白色无机抗蚀层包含分散或混合到无机粘结剂中的白色的无机微粒。

Description

LED光源装置
技术领域
本发明涉及一种LED光源装置及其制造方法，特别地涉及一种具有LED发光元件的LED光源装置及其制造方法。 
背景技术
已知在一种具有基材、形成于基材上的电极、安装在电极上的发光元件、将发光元件密封在基材上的密封体的发光二极管中，用遮光膜覆盖除基材的电极部分之外的部分，在遮光膜的上形成由白色系的树脂材料构成的光反射膜（参照专利文献1）。 
已知一种在具有基材、形成于基材上的电极、安装在电极上的发光元件、将发光元件密封在基材上的密封体的发光二极管中，在除基材的电极部分之外的部分形成白色无机抗蚀层，使提高对白色光的反射率（参照专利文献2）。专利文献2中记载：专利文献2所述的白色无机抗蚀层能够采用微小的氧化钛（TiO2）微粒及硫酸钡（BaSO4）微粒的无机材料，或微小的多孔质丙烯酸树脂微粒及聚碳酸酯树脂微粒的有机材料。另外，还记载：作为具体的白色无机抗蚀层的实例，能够采用田村化研株式会社制的阻焊剂FINEDELDSR-330S42-13W（商品名）、太阳油墨制造株式会社制的S-100W CM29（商品名），及太阳油墨制造株式会社制的フォトファイナーPMR-6000W30/CA-40 G30（商品名）。 
然而，专利文献1和2记载的光反射膜或白色无机抗蚀层是以有机材料为主要成分的物质，或是使无机材料分散或混入到有机粘合剂后得到的物质。因此，即使能够使光反射率提高，也有容易发生由于光和热导致的劣化的问题。特别地，光的波长即使是不在紫外区域而在400nm以上的可见光区域的波长，通过光和热相互影响也会产生有机材料分解、光反射膜或白色无机抗蚀层不能有效地发挥功能的情况。又，为了在电极的周围形成光反射膜或白色无机抗蚀层，虽然通常采用印刷法等，但在用这样的方法来形成光反射膜或白色无机抗蚀层的情况下，必须留出规定的边界空白。因此，这就成了在电极的周围等产生无法形成光反射膜或白色无机抗蚀层的地方且基材整体的反射率降低的主要原因。 
已知一种将半导体元件安装到电路基板，使电路基板端子与半导体元件的导电性接线柱相连接的技术，该半导体元件具有：输入输出电极端子部；形成于输入输出电极端子部上且具有与输入输出电极端子部基本相同的大小的导电性接线柱；在形成有导电性接线柱的一侧形成的树脂层（参照专利文献3）。 
然而，在专利文献3中，导电性接线柱是为了容易地配置作为埋在半导体元件与电路基板之间的间隙的密封材的树脂层，而不是为了通过树脂层来遮盖半导体元件的电极。 
已知一种发光装置，其具有：包含n型氮化物半导体、p型氮化物半导体以及配置在它们之间的活性层等的发光元件；分别设在发光元件的各电极的接合面的凸块；使凸块的上表面暴露出来地覆盖整个发光元件的透明成形体（参照专利文献4）。在专利文献4所述的发光装置中，在凸块的形成后覆盖凸块地形成透明成形体，其后通过研磨透明成形体的表面，使凸块的表面暴露出来。 
然而，专利文献4所述的发光装置是在晶片上形成凸块或透明成形体，并不是要使安装发光元件的基板的反射率提高。 
专利文献1：特开2009-176847号公报（图7） 
专利文献2：特开2008-258296号公报（第12页） 
专利文献3：特开2001-135662号公报（图5） 
专利文献4：特开2002-118293号公报（图3） 
发明内容
本说明书以提供一种能够解决上述的不足之处的LED光源装置及其制造方法为目的。 
本说明书以提供一种即使在光和热相互影响的状况下，也能够在长时期内维持高的反射率的LED光源装置及其制造方法为目的。 
本说明书以提供一种能够使基板整个的反射率提高的LED光源装置及LED光源装置的制造方法为目的。 
本说明书以提供一种能够抑制来自发光元件的光和热的影响，并高效率地反射来自发光元件的光，使光的利用效率提高的LED光源装置及LED光源装置的制造方法为目的。 
LED光源装置的特征在于，包括：基材；形成于基材上的电极；在形成有电极的基材表面上以遮盖除电极之外的部分的方式被配置的白色无机抗蚀层；和与电极连接的LED元件，白色无机抗蚀层包含分散或混合到无机粘结剂中的白色的无机微粒。 
LED光源装置的制造方法的特征在于，包括如下步骤：在基材上形成电极；在形成有电极的基材表面上以遮盖除电极之外的部分的方式配置白色抗蚀材料；通过研磨所述白色抗蚀材料以仅使所述电极的表面暴露，来形成白色无机抗蚀层；和连接被暴露出来的所述电极与LED元件，白色无机抗蚀层包含分散或混合到无机粘结剂中的白色的无机微粒。 
在LED光源装置及LED光源装置的制造方法中，基材优选树脂基材。 
在LED光源装置及其制造方法中，由于采用包含分散或混合到无机粘结剂中的白色的无机微粒的白色无机抗蚀层，能够使基材的光和热导致的劣化大幅地减小，因而不需要采用反射率高且耐久性高的基材。因此，由于能够采用树脂基材等，因而能够廉价且容易地进行制造。 
在LED光源装置及其制造方法中，由于采用包含分散或混合到无机粘结剂中的白色的无机微粒的白色无机抗蚀层，因而能够相对从LED元件发出的光和热稳定，在长时期内防止LED光源装置的亮度的降低。 
在LED光源装置及其制造方法中，由于采用包含分散或混合到无机粘结剂中的白色的无机微粒的白色无机抗蚀层，因而没有白色无机抗蚀层或光反射层、电极及/或基材劣化分解且向密封体转移的情况，能够在长时期内防止由密封体的劣化或密封体的透明度降低而引起的光量的降低。 
在LED光源装置及其制造方法中，由于采用包含分散或混合到无机粘结剂中的白色的无机微粒的白色无机抗蚀层，白色无机抗蚀层的热传导率高，能够将从LED元件发出的热高效率地分散到整个基材，因而散热效果好。因此，没有热集中或停滞在基材的一部分的情况，能够在长时期内防止由基材的热导致的劣化。 
LED光源装置的特征在于，包括：基板；形成于基板上的电极；形成于电极上的导电性接线柱；遮盖除导电性接线柱部分之外的电极及基板地被配置的反射层；与导电性接线柱接合的发光元件。 
在LED光源装置中，优选相对导电性接线柱来倒装片式安装发光元件。 
在LED光源装置中，优选对导电性接线柱与发光元件进行金-锡共晶接合。 
LED光源装置的制造方法的特征在于，包括如下步骤：在基材上形成电极；在电极上形成导电性接线柱；以遮盖除基板、电极和导电性接线柱的方式配置反射材料；通过研磨反射材料以仅使所述导电性接线柱的表面暴露，来形成反射层；和接合被暴露出来的导电性接线柱与发光元件。 
在LED光源装置及LED光源装置的制造方法中，在LED光源装置的发光面侧上，由于除用于与装置所需的元件接合的导电性接线柱之外的所有部分被反射层覆盖，因而能够显著提高装置的反射效率。 
在LED光源装置及LED光源装置的制造方法中，由于暂时在整个基板的发光面侧形成反射层后，通过研磨其上部使导电性接线柱部分暴露出来，因而与通过印刷法来形成光反射层的情况相比，不需要在电极的周围留出边界空白等，能够显著提高基板的发光面侧的反射率。进一步地，由于用反射层覆盖整个基板的发光面侧，因而能够采用反射率低或由于光或热而劣化的基板材料，例如树脂基板等。 
附图说明
图1是LED光源装置1的概略截面图。 
图2（a）～图2（g）是用于对LED光源装置1的制造工序进行说明的图（1）。 
图3（a）～图3（d）是用于对LED光源装置1的制造工序进行说明的图（2）。 
图4是基材的耐热耐光试验装置的概略构成图。 
图5（a）～图5（c）是示出采用如图4所示的试验装置来进行实验后的结果的图。 
图6（a）～图6（b）是示出采用如图4所示的试验装置来进行实验后的结果的图。 
图7是另一个LED光源装置2的概略截面图。 
图8是另外一个LED光源装置3的概略截面图。 
图9是另外一个LED光源装置4的概略截面图。 
图10（a）是另外一个LED光源装置5的上表面图，图10（b）是图10（a）的AA’截面图。 
图11（a）～图11（d）是用于对LED光源装置5的制造工序进行说明的图（1）。 
图12（a）～图12（d）是用于对LED光源装置5的制造工序进行说明的图（2）。 
图13（a）～图13（d）是用于对LED光源装置5的制造工序进行说明的图（3）。 
图14（a）及图14（b）是示出LED光源装置5的电极及导电性接线柱的配置例的图。 
图15是另外一个LED光源装置6的概略截面图。 
图16是另外一个LED光源装置7的概略截面图。 
图17是另外一个LED光源装置8的概略截面图。 
具体实施方式
以下参照附图对LED光源装置及其制造方法进行说明。但值得注意的是，本发明的技术的范围并不限定于这些实施方式，而是涉及权利要求书所述的发明及其等同发明。 
图1是LED光源装置1的概略截面图。 
LED光源装置1由以下部分构成：形成于基材10的上表面上（发光面侧）的电极14a及14b；形成于基材10的下表面上（例如安装到主基材的一侧）的电极14c及14d；形成于电极14a上的镀Ni层15a及镀Ag层16a；形成于电极14b上的镀Ni层15b及镀Ag层16b；白色无机抗蚀层30；与电极14b接合的LED元件40；连接LED元件40与电极14a的导线41；连接LED元件40与电极14b的导线43；被配置为覆盖LED元件40、导线41、43以及基材10的上表面侧的密封体50等。另外，导线41在位置42处被接合到电极14a上，导线43在位置44处被接合到电极14b上。 
基材10由通过玻璃纤维和无机填料强化了热稳定性、尺寸稳定性的环氧树脂（玻璃环氧树脂）构成。然而，基材10也可以由具有绝缘性、耐热性的其它原材料构成，例如作为一般的印刷线路基板用基材的胶木，采用了耐热性比通常的环氧树脂更优良的BT树脂的BT树脂基材或硅基材，作为陶瓷基材的氮化铝等。特别地，由于白色无机抗蚀层30形成于整个基材10的发光面侧，也可以采用反射率低、象牙色等的一般的有色系环氧树脂、有机硅、氮化铝（反射率40%左右）或透明玻璃等。 
电极14a和电极14c通过形成于基材10的通孔11而被导通。电极14b和电极14d也通过形成于基材10的通孔11而被导通。电极14a、电极14b、电极14c及电极14d均由Cu形成。又，导线41和43由Au构成。 
白色无机抗蚀层30是使作为白色无机微粒的氧化钛的填料分散或混合到作为无机粘结剂发挥功能的硅溶胶中而形成的。白色无机抗蚀层30虽然混入了用于在低温（150℃左右）下使其硬化的催化剂（例如，醋酸等有机酸或盐酸等无机酸），但没有该催化剂也能进行硬化反应。 
另外，白色无机抗蚀层30不限定于上述的材料，只要是将白色的填料分散到无机粘结剂中后得到的材料，也可采用其它的材料。例如，作为无机粘结剂，可以采用碱金属 硅酸盐、胶体二氧化硅、水性硅溶胶、有机硅溶胶等的硅化合物，胶体氧化铝、胶体氧化锆等的无机胶体，硅酸烷基酯等的多价金属醇盐。又，作为白色填料可以采用氧化钛、硫酸钡、矾土白、滑石。 
作为LED元件40，采用发出蓝色光的氮化物系化合物半导体（例如，蓝色LED）。LED元件40的发光部朝着图中的上侧，底部被接合到电极14b上，通过导线41及43连接电极14a及14b。然而，LED元件40也可以采用金凸块等，被发光面朝下地进行倒装片式安装。金凸块优选具有金锡共晶层、金凸块层及UBM（凸块下金属）层的层叠构造。又，由于通过金凸块来进行的金锡共晶接合不仅能够在较低的温度（约300℃）下将LED元件40接合到电极上，且后面在将LED光源装置1以回流方式焊接到主基材时（约260℃）也能维持接合，能够增加连接可靠性。 
密封体50由具有透光性的有机硅系的树脂材料构成，覆盖LED元件40、导线41及43地形成于白色无机抗蚀层30上。又，密封体50按如下方式构成：将被铈活化的钇铝石榴石（YAG）系荧光体混入，使将来自LED元件40的蓝色光和来自荧光体的黄色光混合后的模拟白光射出。然而，LED元件40及密封体50的种类及构成不限定于上述的，既可以采用其它种类的LED或荧光体，也可以在密封体50中不含荧光体地构成。 
在LED光源装置1中，从包含在LED元件40及密封体50的荧光体向下方发出的光经白色无机抗蚀层30反射，通过密封体50向外部射出。由于白色无机抗蚀层30覆盖基材10上除电极14a及14b之外的所有区域，因而能够非常高地维持LED光源装置1的反射率。又，同时，白色无机抗蚀层30将从LED元件40发出的热传递到整个基材10的散热效果高。因此，还具有防止热在白色无机抗蚀层30及基材10的一部分集中而引起材质变性、变色或分解的效果。 
以下采用图2及图3对LED光源装置1的制造方法进行说明。 
首先，在由如图2（a）所示的两个面都粘贴有铜箔13的象牙色的双面贴铜BT树脂构成的基材10上，如图2（b）如示，在两处形成通孔11。 
然后，如图2（c）如示，为了使上表面和下表面的电极导通，通过镀铜法在通孔内填充Cu12。 
然后，如图2（d）如示，在基材10上形成光刻用抗蚀剂20。另外，为了形成后述的电极，在形成抗蚀剂20前，也可以先对基材10进行表面处理。 
然后，如图2（e）如示，采用光刻法，根据配线图案来曝光抗蚀剂后，部分地除去抗蚀剂20，如图2（f）所示对暴露出来的Cu面进行蚀刻后，如图2（g）所示通过除去 剩余的抗蚀剂20来形成由Cu构成的电极14。电极14通过通孔11在基材10的上下被导通。电极14的厚度为30～45μm。 
然后，如图3（a）如示，通过丝网印刷，在基材10的图中的上部侧，以全部覆盖基材10的上部侧表面及电极14的方式配置白色无机抗蚀剂。其后，在150℃的环境下使其硬化，形成白色无机抗蚀层31。如上所述，由于电极14的厚度为30～45μm，因而优选白色无机抗蚀层31的厚度为35～50μm左右。另外，白色无机抗蚀剂为，使作为白色颜料的氧化钛的填料和用于防止硬化收缩的硅的填料分散到起到无机粘结剂作用的硅溶胶中而形成的。 
然后，如图3（b）如示，对白色无机抗蚀层31进行直到电极14的上部表面能暴露出来，形成白色无机抗蚀层30。因此，白色无机抗蚀层30的厚度与电极14的厚度相等。 
然后，如图3（c）如示，在电极14的图中上部侧形成镀Ni层15和镀Ag层16。 
然后，如图3（d）如示，将LED元件40接合到形成有镀Ni-Ag层的电极上，通过导线41、43连接LED元件40和电极14。其后，以覆盖LED元件40、导线41、43的方式形成密封体50，完成LED光源装置1。 
图4是基材的耐热耐光试验装置的概略构成图。 
如图4所示的试验装置由Al厚板台60、被配置到厚板台60上的试验用基材62、使发光面侧接触到试验用基材62上地被配置的LED元件封装体63、被配置在LED元件封装体63上的Al块61等构成。LED元件封装体63采用上述的LED光源装置1的LED元件40，但其驱动装置（包含电源）没有图示。LED元件封装体63为排列多个LED元件40的5W级的LED封装。Al块61只要是使从LED元件封装体63和试验用基材62的接触面不出现漏光的重量即可。 
图5和图6是示出采用如图4所示的试验装置进行实验的结果的图。 
实验是将如图4所示的试验装置放置在100℃环境下，使LED元件封装体63点亮后放置一周，检查实验前和实验后的基材的状况。 
图5（a）是示出了在与基材10相同的象牙色的BT树脂基材不设白色无机抗蚀层30地进行上述实验的结果。在此，图5（a）的70示出实验前的基材表面的一部分，图5（a）的71示出实验后的基材表面。 
在实验后的基材表面上接触到LED元件封装体63的部分80由于发生仅生成玻璃纤维和填料的白化现象而呈现出斑驳的状态。又，在其周围部分81，基材的表面变色成茶 色。可以推测在部分80由于来自LED元件封装体63的光和热的相互作用，基材的有机物已解聚并分解。又，可以推测在周围部分81由于来自LED元件封装体63的热，基材的表面已变色。 
图5（b）示出了在与基板10相同的象牙色的BT树脂基材上，以厚度30μm来形成了等同于专利文献2所述的白色材料的山荣化学株式会社制抗蚀油墨；LE-6000S（商品名）（在环氧丙烯酸酯树脂内包含有作为白色无机颜料的氧化钛），在此基础上进行上述实验的结果。在此，图5（b）的72示出实验前的基材表面的一部分，图5（b）的73示出实验后的基材表面。 
在实验后的基材表面上接触到LED元件封装体63的部分82，不用说抗蚀油墨，作为基材的BT树脂也发生白化现象，最初为光泽面的抗蚀油墨涂布表面变为无光泽状，成为与图5（a）同样的状态。又，在其周围部分83抗蚀油墨涂布表面也变为无光泽状，下面的BT树脂基材变色为茶色，成为与图5（a）同样的结果。可以推测在部分82由于来自LED元件封装体63的光和热的相互作用，抗蚀油墨的有机粘合剂解聚并分解，变成仅有无机的微粒残留的状态，下面的BT树脂也分解，变成仅有玻璃纤维和填料残留的状态。又，可以推测在周围部分83由于来自LED元件封装体63的热，抗蚀油墨的有机粘合剂分解并且BT树脂也变色了。另外，这里虽然采用了将白色的无机填料混合或分散到有机粘合剂中的抗蚀油墨，但可以推测在采用将白色的有机填料混合或分散到有机粘合剂中的抗蚀油墨的情况下，有机填料也会与有机粘合剂一起分解掉。 
图5（c）示出了在与基板10相同的象牙色的玻璃环氧树脂基材上，以厚度30μm来形成与如图1所示的白色无机抗蚀层30相同材质的白色无机抗蚀剂（将无机的氧化钛（TiO2）微粒分散到无机粘结剂而得到的物质），在此基础上进行上述实验的结果。在此，图5（c）的74示出实验前的基材表面的一部分，图5（c）的75示出实验后的基材表面。 
在实验后的基材表面上LED元件封装体63所接触的部分84，通过目视发现与实验前的状况一样，没有看到特别的白化现象或变色。同样地，虽然在这里没有图示，基材背面在实验前后通过目视也没有发现大的差别。另一方面，在图5（a）的71的背面或图5（b）的73的背面的放置了LED封装的部分变色到了深茶色。这些结果被推测是由于与在基材上形成的与白色无机抗蚀层30相同材质的白色无机抗蚀剂是将无机的微小粒子分散到无机粘结剂中而形成的物质，因而即使因光和热的相互作用也没有受到大的影响。 
表1示出了通过测色计对耐热耐光试验前后的基材样品测定作为蓝色LED的峰值波长的450nm的反射率的结果。 
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由该表1的结果，可以判断：以本申请发明的构成进行实验后得到的图5（c）与其它构成（图5（a）及（b））相比，能够维持格外高的反射率。 
图6示出了在作为基材10的充填了白色无机填料后的白色玻璃环氧树脂基材上不设白色无机抗蚀层30地进行耐热耐光实验，并进行试验前后的基材10表面的红外吸收光谱测定的结果。在此，图6（a）示出实验前的基材的结果，图6（b）示出实验后的基材的结果。 
在试验前的图6（a）中，在从1000cm-1到3000cm-1的区域内，可以确认源于玻璃环氧树脂基材的环氧树脂的多个波峰，但在试验后的图6（b）中，这些峰值消失，只能确认作为无机物的玻璃或填料等的较宽的吸收波峰。 
图7是另一个LED光源装置2的概略截面图。 
在图7中，对与上述的图1所示的LED光源装置1相同的构成附上相同的号码，省略说明。在图7中，与图1所示的LED光源装置1的差异在于，在散热用的Al金属基板13上配置有树脂基材12。树脂基材12的厚度由于与图1所示的LED光源装置1的基材10相比薄100μm左右，因而其构成更容易使来自LED元件40的热向着Al金属基板13散热。 
另外，在树脂基材12上形成有电极14a及14b，在除电极14a及14b之外的树脂基材12上形成有白色无机抗蚀层30。白色无机抗蚀层30的制造方法与上述的LED光源装置1中的白色无机抗蚀层30的制造方法相同。 
LED元件40通过导线41、43，在位置42、44处被接合到电极14a及14b。另外，也可以在电极14a及14b的表面形成镀Ni-Au层。又，电极14a和14b是与用于与主基板等连接的未图示的电极导通的。 
在图7所示的LED光源装置2中，由于在树脂基板12上的除电极14a及14b之外的所有的区域形成有白色无机抗蚀层30，因而与图1所示的LED光源装置1同样，能够长期防止由于来自LED元件40的光和热导致的劣化。 
图8是另外一个LED光源装置3的概略截面图。 
在图8中，对与上述的图7所示的LED光源装置2相同的构成附上相同的号码，省略说明。在图8中，与图7所示的LED光源装置2的差异在于，LED元件40没有接合到电极14b上，而是直接接合到Al金属基板13上。因此，在图8所示的LED光源装置3中，树脂基板12’没有被配置在LED元件40与Al金属基板13接合的地方。 
又，在图8所示的LED光源装置3中，白色无机抗蚀层30虽然形成于在树脂基板12’上除配置有电极14a及14b的地方之外的所有的地方，但没有形成于Al金属基板13上。这是由于Al金属基板13具有对热和光的耐受性。然而，为了使反射率进一步提高，也可以也在Al金属基板13上没有配置树脂基板12’的地方形成白色无机抗蚀层30。 
在图8所示的LED光源装置3中，白色无机抗蚀层30也形成于树脂基板12’上除电极14a及14b之外的所有的区域。因此，LED光源装置3与图1所示的LED光源装置1同样，能够在长期内防止由于来自LED元件40的光和热导致的劣化。 
图9是另外一个LED光源装置4的概略截面图。 
在图9中，对与上述的图8所示的LED光源装置3相同的构成附上相同的号码，省略说明。在图9中，与图8所示的LED光源装置3的差异在于，LED元件40在形成于Al金属基板13’上的凹部90处与Al金属基板13’接合。因此，在图9所示的LED光源装置4中，树脂基板12’没有被配置在Al金属基板13’的凹部90。 
又，在图9所示的LED光源装置4中，虽然白色无机抗蚀层30形成于树脂基板12’上除配置有电极14a及14b的地方之外的所有的地方，但没有形成于Al金属基板13’的凹部90。这是由于Al金属基板13’有对热和光的耐受性。然而，为了使反射率进一步提高，也可以在Al金属基板13’的凹部90内形成白色无机抗蚀层30。 
在图9所示的LED光源装置4中，白色无机抗蚀层30形成于树脂基板12’上除电极14a及14b之外的所有的区域。因此，LED光源装置4与图1所示的LED光源装置1同样，能够长期防止由于来自LED元件40的光和热导致的劣化。 
图10（a）是另外一个LED光源装置5的上表面图，图10（b）是图10（a）的AA’截面图。 
LED光源装置5具有：形成于基板110的上表面（发光面侧）的电极114a及114b、形成于基板110的下表面（安装到主基板的一侧）的电极114c及114d、形成于电极114a上的导电性接线柱115a及115b、形成于电极114b上的导电性接线柱115c及115d。电极114a、114b、114c及114d、导电性接线柱115a、115b、115c及115d由Cu构成。 
基板110由陶瓷构成。然而，基板110也可以由具有绝缘性、耐热性的其它原材料，例如环氧玻璃纤维、BT树脂、有机硅、氮化铝等构成。特别地，由于后述的反射层130（白色无机抗蚀层）形成于基板110的发光面侧整面，因而也可以采用反射率低的有机硅、氮化铝（反射率40%左右）、玻璃、树脂等。 
电极114a及电极114c通过形成于基板110的通孔111被导通，电极114b及电极114d也通过形成于基板110的通孔111被导通。另外，如后面所述，由于反射层130设在电极上，因而不需要考虑由于电极部分导致的反射率的降低。因此，在设计电极时，例如，没有必要专门进行使电极的宽度变狭等的设计，增加了设计的自由度。 
镀Ni-Au层118a、118b、118c及118d被施加于导电性接线柱115a、115b、115c及115d的表面上。同样地，镀Ni-Au层118e及118f也被施加于电极114c及电极114d的表面上。镀Ni-Au层118a～118f为在电极或导电性接线柱侧有Ni层、在Ni层上有Au层这样的两层构造。 
在基板110的上表面，以遮盖除导电性接线柱115a、115b、115c及115d之外的电极114a及114b和基板表面的方式形成反射层130。又，在电极114a、114b、114c及114d和基板110之间形成由TiW-Cu构成的金属薄片层113。 
反射层130是通过对将为反射性微粒的氧化钛与由有机聚硅氧烷构成的粘结剂进行混炼得到的膏状的白色油墨（白色无机抗蚀材料）进行烧结并固定得到的。作为白色油墨也可以采用其它无机反射性微粒。 
对于反射层130，由于来自反射层130的反射光没有指向性，发生散射，因而对需要由蓝色LED和混入密封体150的荧光体射出白色光的情况特别地有利。即，与配备Ag电极等的使反射光产生指向性的金属反射层的情况相比，优选形成上述白色油墨的反射层130。 
将由发光二极管等构成的LED元件140发光面朝下地倒装片式安装到在导电性接线柱115a及导电性接线柱115c上，在导电性接线柱115b及115d上倒装片式安装齐纳二极管141。 
LED元件140和齐纳二极管141通过金凸块119与导电性接线柱相连接。又，金凸块119具有厚度为2～3μm的金锡共晶层、10～30μm的金凸块层及厚度为0.3μm的UBM（凸块下金属层）层的层叠构造。UBM层被配置在LED元件140及齐纳二极管141一侧，金锡共晶层被配置在导电性接线柱115一侧，金凸块层被配置在金锡共晶层和UBM层的中间。又，UBM层是在用电镀法形成金凸块119的时候，共通电极的一部分电气隔离金凸块部时留下的，是TiW和Au的两层构造。 
由金凸块119进行的金锡共晶接合，能够在相对低温（约300℃）下将LED元件140和齐纳二极管141接合到导电性接线柱。进一步地，由于后面在将LED光源装置5以回流方式焊接到主基板时（约260℃）也能维持接合，能够增加连接可靠性。另外，也可以采用焊料凸块、柱形金凸块等来代替金凸块119。进一步地，LED元件140也可以构成为接合导线与导电性接线柱相连接。又，LED光源装置5并不是必须要包含齐纳二极管141。 
密封体150由具有透光性的有机硅系的树脂材料构成，以覆盖LED元件140及齐纳二极管141的方式形成于反射层130上。另外，密封体150也可以根据需要混入荧光材料。例如，作为LED元件140，也可以采用发出蓝色光的氮化物系化合物半导体（例如，蓝色LED），将被铈活化的钇铝石榴石（YAG）系荧光体混入密封体150，来自LED元件140的蓝色光和来自荧光体的黄色光混合后射出模拟白光。 
在LED光源装置5中，来自LED元件140的光经反射层130反射，通过密封体150向着外部射出。反射层130由于在基板110上覆盖除导电性接线柱115a～115d之外的所有的区域，因而能够非常高地维持LED光源装置1的反射率。同时，由于反射层130将从LED元件140发出的热均匀（非局部地）地传导到基板110，或相对基板110遮断光，因而也有防止由热或光导致的基板110劣化的效果。 
以下采用图11～图13，对LED光源装置5的制造方法进行说明。 
首先，如图11（a）所示，在由陶瓷材料构成的基板110上形成两处通孔111。图11（a）中，通孔的图中上侧的内径大，图中下侧的内径小，但也可以是上下内径相同，或内径的大小关系相反。 
然后，如图11（b）所示，通过蒸镀法将具有TiW和Cu的两层构造的金属薄片层113（厚度0.3μm）在基板110的整个表面进行沉积。金属薄片层113与后述的电镀用的基底处理与相当。 
然后，如图11（c）所示，通过光刻法在基板110上形成电极形成用的抗蚀图案120。 
然后，如图11（d）所示，利用抗蚀图案120，通过电镀法，形成由Cu构成的电极114。电极114通过通孔111在基板110的上下导通。电极114的厚度为10～15μm。另外，在图11（d）中，既可以结合通孔111的形状在电极114形成浅的孔，也可以按不形成这样的孔地形成电极114。 
然后，如图12（a）所示，通过光刻法在电极114及抗蚀图案120上形成导电性接线柱形成用的抗蚀图案121。又，此时，在基板110的整个下表面上粘贴遮蔽胶带122。 
然后，如图12（b）所示，利用抗蚀图案121，通过电镀法，在电极114上形成由Cu构成的导电性接线柱115。导电性接线柱115的厚度为30μm左右。 
然后，如图12（c）所示，采用规定的除去材料来除去形成有导电性接线柱115的一侧的抗蚀图案120及121。 
然后，如图12（d）所示，除去基板110的上表面侧的抗蚀图案120和121后残留的金属薄片层113（参照B所示的地方）通过蚀刻法来除去。 
然后，如图13（a）所示，在基板110的形成有导电性接线柱115的一侧，通过丝网印刷以全部覆盖电极114及导电性接线柱115的方式形成白色油墨层131。如上所述，由于电极114的厚度为10～15μm，导电性接线柱115的厚度为30μm，因而白色油墨层131的厚度优选50μm左右。 
然后，如图13（b）所示，研磨白色油墨层131的上部直到导电性接线柱115的上部表面暴露出来，形成反射层130。因此，反射层130的厚度等于电极114及导电性接线柱115的厚度相加后的厚度。另外，在由白色油墨形成反射层的情况下，反射层130的厚度只要在30μm以上，反射率就能够维持在90%以上。 
然后，如图13（c）所示，为了进行倒装片接合及焊料回流而除去遮蔽胶带122，通过电镀法在导电性接线柱115及基板110的图中下侧的电极114的表面上形成镀Ni-Au层118。镀Ni-Au层118如上所述，为在电极114或导电性接线柱115一侧有Ni层、在Ni层上有Au层的两层构造。 
然后，如图13（d）所示，将LED元件140和齐纳二极管141接合到导电性接线柱115上，以覆盖LED元件140和齐纳二极管141的方式形成密封体150，完成LED光源装置5。另外，在图13（c）的工序后，采用规定的除去材料来除去基板110的图中下侧的 抗蚀图案120，除去抗蚀图案120后残留的金属薄片层113（参照C所示的地方）通过蚀刻法来除去。 
另外，通常的方法是：准备多个基板110排列得到的集合基板，经过从通孔形成到密封体150的形成这样的各种工序，最后切断集合基板得到LED光源装置的集合加工方法。本实施方式的制造工序是铭记集合加工方法地对个别的基板110说明各工序。与本实施方式相当的集合加工方法是在集合基板的两个面的全部范围内形成作为镀金用共通电极的金属薄片层113。然而，镀金用的共通电极不限于金属薄片。作为一种众所周知的手法，也可以使用如下这样的镀覆电极：在集合基板状态下各基板的电极114a、114b、114c、114d连接，在集合基板的单片化时通过切断来分离电极114a、114c的组和电极114b、114d的组。在这种情况下，不需要进行金属薄片层113的形成和除去。 
又，也可以代替具有金凸块119的金锡共晶层，而是在导电性接线柱115a、115b、115c及115d上设金锡共晶层或锡层，将金凸块119与导电性接线柱115a、115b、115c及115d进行共晶接合。同样地也可以在导电性接线柱115a、115b、115c及115d上设银锡共晶层，金凸块119同金凸块119的金锡共晶层一起与导电性接线柱115a、115b、115c及115d进行共晶接合。在本实施方式中虽然在导电性接线柱115a、115b、115c及115d上用电镀法来形成镀Ni-Au层118a、118b、118c及118d，但也可以不用电镀法而用无电解电镀来形成。 
图14是示出LED光源装置5的电极及导电性接线柱的配置例的图。 
图14（a）示出了形成有导电性接线柱115的一侧的电极114a和电极114b的配置例。如图所示，导电性接线柱115a及115b形成于电极114a上，导电性接线柱115c和115d形成于电极114b上。又，电极114a和114b除导电性接线柱之外的部分完全由反射层130覆盖。 
图14（b）示出了没形成导电性接线柱115的一侧的电极114c和电极114d的配置例。如上所述，电极114c通过通孔111与电极114a导通，电极114d通过通孔111与电极114b导通。另外，为方便起见，在图14（a）及图14（b）中，省略电极114及导电性接线柱115上的镀Ni-Au层118地进行示意。又，图14（a）及图14（b）所示的电极和导电性接线柱的形状为一个实例，并不限定于这些。 
图15是示出了再另外一个LED光源装置6的概略截面图。 
图15所示的LED光源装置6与图10所示的LED光源装置5的差异仅在于，在LED光源装置6中，齐纳二极管141被反射层130覆盖。在其它方面由于与图10所示的LED光源装置5相同，故省略其说明。 
如图15所示，在LED光源装置6中，在基板110内形成凹部160，在凹部160内配置齐纳二极管141使其在上部承接着金凸块119’。齐纳二极管141通过金凸块119’与电极161的背面侧相连接。电极161通过镀法形成于反射层130上，并连接齐纳二极管141的金凸块119’和LED元件140的金凸块119。对反射层130进行配置以覆盖除导电性接线柱115及电极161之外的全部，即覆盖电极114及齐纳二极管141。又，通过金凸块119，LED元件140与导电性接线柱115接合。 
在如图15所示的LED光源装置6中，由于是仅有LED元件140被配置在反射层130上的构成，因而能够防止从LED元件140射出的光被齐纳二极管141自身吸收。因此，与如图10所示的LED光源装置5相比，如图15所示的LED光源装置6有能够更加高效率地利用来自LED元件140的光的优点。 
图16是示出了另外一个LED光源装置7的概略截面图。 
如图16所示的LED光源装置7与如图10所示的LED光源装置5的差异之一在于，在基板110与反射层130之间和在电极114a及114b与反射层130之间，具有白色有机抗蚀层200这一点。又，另一个差异是由于如图16所示的LED光源装置7在通孔111中充填有金属膏体201，因而电极114a及114b的下部平坦化这一点。其它方面由于与图10所示的LED光源装置5相同，故省略其说明。 
白色有机抗蚀层200的厚度为10～15μm，在有机硅树脂等的有机粘合剂中包含了氧化钛等的反射性微粒。白色有机抗蚀层200是在即将进行图13（a）的工序前涂布整个电路基板的上表面而形成的。其后，继续图13（a）的工序。即，以白色有机抗蚀层200为基底，沉积反射层130。 
金属膏体201向通孔111的充填优选紧接在通过图11（c）的工序沉积金属薄片层113后进行。 
考虑在作为白色无机抗蚀层的反射层130为厚的情况下，有由于基板110和反射层130的热膨胀率的不同，反射层130产生裂缝或反射层130剥落的情况。LED光源装置7中，比作为白色无机抗蚀层的反射层130更加软的白色有机抗蚀层200成为了反射层130的缓冲，防止反射层130的裂缝及/或剥落。又，由于白色有机抗蚀层200中也含有反射 性微粒，因而能够不破坏反射效果地使反射层130变薄。进一步地，白色有机抗蚀层200由于被反射层130遮光，因而能避免光劣化。 
图17是示出了另外一个LED光源装置8的概略截面图。 
图17所示的LED光源装置8与图10所示的LED光源装置5的差异之一在于形成的反射层131很薄，足以分辨导电性接线柱115a～115d的形状。又，另一个差异是，在图17所示的LED光源装置8中，由于通孔111内充填有金属膏体201，电极114a及114b的下部平坦化。其它方面由于与图10所示的LED光源装置5相同，故省略其说明。 
虽然反射层131形成足以分辨导电性接线柱115a～115d的形状的较薄厚度，但其最上部按与导电性接线柱115a～115d的高度一致来形成。反射膜131在图13（a）的工序中，形成图17所示的那样的形状。反射膜131的除了最上部之外的厚度约为导电性接线柱115a～115d的高度的1/2。 
给通孔111的金属膏体201的充填优选紧接在通过图11（c）的工序进行的沉积金属薄片层113后进行。 
在LED光源装置8中，最初仅在导电性接线柱115a～115d的上表面及周围，以高于导电性接线柱115a～115d的高度形成反射层131。其后，进行研磨使其与导电性接线柱115a～115d和高度一致。在图10所示的LED光源装置5中，研磨整个基板表面使整个反射层130的高度与导电性接线柱115a～115d的高度一致。与此相对，在LED光源装置8中，由于仅研磨导电性接线柱115a～115d的上表面及周围即可，因而能以较小的研磨量来完成。 
进一步地，由于反射层131薄，因而还有能够防止由于基板110与反射层131的热膨胀率之差引起的集合基板（电路基板连结得到的）发生弯曲或翘曲的这一优点。 

Claims (12)

1.一种LED光源装置，其特征在于，包括： 
基材； 
形成于所述基材上的电极； 
在形成有所述电极的基材表面上以遮盖除所述电极之外的部分的方式被配置的白色无机抗蚀层；和 
与所述电极连接的LED元件， 
所述白色无机抗蚀层包含分散或混合到无机粘结剂中的白色的无机微粒。 
2.如权利要求1所述的LED光源装置，其特征在于， 
所述电极还具有导电性接线柱， 
所述白色无机抗蚀层以遮盖所述导电性接线柱之外的基板的方式被配置， 
所述LED元件与所述导电性接线柱相连接。 
3.如权利要求2所述的LED光源装置，其特征在于， 
所述导电性接线柱为柱状。 
4.如权利要求3所述的LED光源装置，其特征在于， 
所述导电性接线柱通过电镀法来形成。 
5.如权利要求2至4中的任一项所述的LED光源装置，其特征在于， 
所述LED元件相对于所述导电性接线柱被倒装片式安装。 
6.如权利要求5所述的LED光源装置，其特征在于， 
所述导电性接线柱和所述LED元件为金锡共晶结合。 
7.如权利要求1所述的LED光源装置，其特征在于，还具有： 
齐纳二极管，其被所述白色无机抗蚀层覆盖，与所述LED元件相连接。 
8.如权利要求1所述的LED光源装置，其特征在于， 
所述基材为树脂基材。 
9.如权利要求1所述的LED光源装置，其特征在于， 
所述基材为无机基材。 
10.如权利要求1至4中的任一项所述的LED光源装置，其特征在于，还具有： 
白色有机抗蚀层，其被配置在所述白色无机抗蚀层与所述基材之间。 
11.如权利要求1至4中的任一项所述的LED光源装置，其特征在于， 
所述白色无机抗蚀剂的表面被研磨。 
12.如权利要求1至4中的任一项所述的LED光源装置，其特征在于， 
所述导电性接线柱的周边的所述白色无机抗蚀剂的表面被研磨。 
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