JP5094118B2 - 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 - Google Patents

発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5094118B2
JP5094118B2 JP2006531522A JP2006531522A JP5094118B2 JP 5094118 B2 JP5094118 B2 JP 5094118B2 JP 2006531522 A JP2006531522 A JP 2006531522A JP 2006531522 A JP2006531522 A JP 2006531522A JP 5094118 B2 JP5094118 B2 JP 5094118B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting element
light emitting
light
reflector frame
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006531522A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2006013899A1 (ja
Inventor
昌克 前田
泰幸 山本
幸博 金近
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokuyama Corp
Original Assignee
Tokuyama Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokuyama Corp filed Critical Tokuyama Corp
Priority to JP2006531522A priority Critical patent/JP5094118B2/ja
Publication of JPWO2006013899A1 publication Critical patent/JPWO2006013899A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5094118B2 publication Critical patent/JP5094118B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/583Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/584Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
    • C04B35/587Fine ceramics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632Organic additives
    • C04B35/634Polymers
    • C04B35/63404Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B35/6342Polyvinylacetals, e.g. polyvinylbutyral [PVB]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632Organic additives
    • C04B35/634Polymers
    • C04B35/63404Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B35/63424Polyacrylates; Polymethacrylates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632Organic additives
    • C04B35/636Polysaccharides or derivatives thereof
    • C04B35/6365Cellulose or derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C04B2235/3212Calcium phosphates, e.g. hydroxyapatite
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C04B2235/3222Aluminates other than alumino-silicates, e.g. spinel (MgAl2O4)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/442Carbonates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/443Nitrates or nitrites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
    • C04B2235/445Fluoride containing anions, e.g. fluosilicate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/652Reduction treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6587Influencing the atmosphere by vaporising a solid material, e.g. by using a burying of sacrificial powder
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C04B2235/723Oxygen content
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/77Density
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9646Optical properties
    • C04B2235/9661Colour
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、発光ダイオード(LED)等の発光素子を収容するために使用される発光素子収納用パッケージに関する。
近年、発光ダイオード等の発光素子は、その輝度の向上により、例えば、電光表示板用の光源、携帯電話、パソコンなどのバックライト光源などとして多用されるようになってきている。このような発光素子は、これを収容するための発光素子収納用パッケージ内に収められた状態で使用される。
従来、このような発光素子を収容するための発光素子収納用パッケージとしては、特許文献1(特開2002−232017号公報)に開示される発光素子収納用パッケージが提案されている。
すなわち、この特許文献1の発光素子収納用パッケージ100においては、図6に示したように、絶縁基板111と、絶縁基板111の外周部に配置されたリフレクター枠体112とを備えており、絶縁基板111とリフレクター枠体112との間に発光素子収納用凹部119が画成されている。
そして、この絶縁基板111の発光素子収納用凹部119の位置に、すなわち、発光素子収納用凹部119の真下に、絶縁基板111の上下にわたって貫通する配線用貫通孔(いわゆるビアホール)116が設けられている。この配線用貫通孔116の中に、導電部材117が充填されており、この導電部材117を介して、絶縁基板111の上下面の配線パターン層114、115が導通し、上面の配線パターン層114に実装されている発光素子118が電気的に外部の電気回路と導通できるよう構成されている。
このように、発光素子118を、発光素子収納用凹部119の底面に実装した後、発光素子収納用凹部119内にエポキシ樹脂等の透明な樹脂を充填して、発光素子を気密に封止することによって、最終製品としての発光装置が製造されている。
なお、この発光素子収納用パッケージ100においては、絶縁基板111の発光素子収納用凹部119の内壁面、すなわち、リフレクター枠体112の内壁面に発光素子118の発する光を反射させて、発光素子118の発光輝度を実質的に増大させる作用をなすための光反射層113が被着されている。そして、この光反射層113により発光素子118の発する光は明るく輝き、電光表示板として表示される文字や画像を明るく極めて鮮明なものとしている。
この光反射層113として、金や銀、ニッケル等が使用され、例えば、絶縁基板111の凹部内壁面に予めメタライズ金属層を被着させておき、そのメタライズ金属層に金や銀、ニッケル等をメッキにより被着させることによって、リフレクター枠体112の内壁面に光反射層113を被着形成させている。
しかしながら、このような特許文献1の発光素子収納用パッケージ100では、リフレクター枠体112の内壁面全面に光反射層113を設けているので、光反射層113の下方部分と、発光素子収納用凹部119の底面の配線パターン層114とが短絡してしまい、発光素子118の機能を阻害するおそれがある。
このため、特許文献2(特開2003−273405号公報)の発光素子収納用パッケージ200では、図7に示したように、光反射層213を、発光素子収納用凹部219の内壁面、すなわち、リフレクター枠体212の内壁面の全面に設けるのではなく、発光素子収納用凹部219の底面との間に間隔をあけて被着形成されており、これにより、光反射層213と発光素子収納用凹部219の底面の配線パターン層214との電気的短絡を有効に防止している。
また、光反射層213と発光素子収納用凹部219の底面の配線パターン層214との電気的短絡を防止するために、絶縁層220を配置している。
なお、この特許文献2の発光素子収納用パッケージ200では、図7に示したように、絶縁基板211に配線用貫通孔を設けず、リフレクター枠体212と絶縁基板211との間に配設した配線パターン層201が絶縁基板211の外側面を通ることにより、この配線パターン層201を介して、この絶縁基板211の上下面に被着された配線パターン層214、215が導通するよう構成されている。
しかしながら、この特許文献2の発光素子収納用パッケージ200では、光反射層213が、発光素子収納用凹部219の底面との間に間隔をあけて形成されており、この間に絶縁層220が設けられているので、この絶縁層220の部分で、発光素子218から発光された光が反射せず、このため、発光輝度が実質的に低下する原因となっている。
また、文献1、2共に、光反射層は金、銀、ニッケルを例として挙げているが、金やニッケルは光の反射率が400nm以下では50%以下と低く、銀は300〜350nmの間に吸収があるため、350nm以下の領域では反射率が一般に50%以下と低い。しかし白色LED用の発光素子は通常、青色もしくは近紫外域の光を発光し、それを種々の蛍光体で各種の波長へと変換する為、350〜430nmの波長の光を発する発光素子の光を効率良く反射することが、輝度を向上させる上で重要となる。
このため、特許文献3(特開平8−274378号公報)では、図8に示したように、上記のように反射層を設けずに、絶縁基板312自体を、光を反射し易い白色の酸化アルミニウム質焼結体から構成して、発光素子318から発光した光を光反射面320で反射するように構成されている。
なお、特許文献3の発光素子収納用パッケージ300では、図8に示したように、絶縁基板312の発光素子収納用凹部319の下方から、絶縁基板312の中間位置に形成した中間配線部313を介して、絶縁基板312の下面にいたる配線用貫通孔316が形成されている。そして、この配線用貫通孔316の中に、導電部材317が充填されており、この導電部材317を介して、絶縁基板312の上下面の配線パターン層314、315が導通し、上面の配線パターン層314に実装されている発光素子318が電気的に外部の電気回路と導通できるよう構成されている。
しかしながら、特許文献3の絶縁基板312を構成する白色の酸化アルミニウム質焼結体は、反射率においては、350〜400nmの領域においても反射率を50%以上の物性を持つ反面、熱伝導率が約20W/m・Kと比較的小さく、発光素子318からの熱が、発光素子収納用パッケージ300内に蓄熱してしまい、外部に放熱されにくく、発光素子318が熱によって損傷するおそれがある。
さらに、特許文献4(特開平2004−152952号公報)には、リフレクター枠体を白色セラミックスで構成した発光素子収納用パッケージが記載されている。
しかしながら、この特許文献において、リフレクター枠体として実際に使用されているセラミックスは、アルミナを主成分とする特定組成のSiO2−Al23−MgO−ZrO2−CaO系セラミックスであり、アルミナを96.25wt%含むことからも分かるように、その熱伝導率はやはり低い。
なお、特許文献4には、窒化アルミニウム(AlN)質焼結体に関し、波長400〜700nmの光の反射率が、80%以上であるために、Er23の含有量が、窒化アルミニウム質焼結体の総重量に対して、1〜10重量%であることが好ましいとの記載がある。
しかし、特許文献4には、このような記載に対応する実施例の開示はなく、実際に窒化アルミニウム質焼結体の総重量に対して、Er23の含有量を、1〜10重量%にして、焼結しても、白色の焼結体を得ることはできないことが確認されている(本願の後述する比較例4を参照)。
特開2002−232017号公報 特開2003−273405号公報 特開平8−274378号公報 特開平2004−152952号公報
本発明は、このような現状に鑑み、リフレクター枠体の内壁面に光反射層を設ける必要がなく、発光素子収納用凹部の底面に形成した配線パターン層が短絡することがないとともに、発光素子から発光された光が、リフレクター枠体によって、確実に効率良く反射して、発光素子の輝度を向上することが可能な発光素子収納用パッケージ、ならびにその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、リフレクター枠体の内壁面全面に光反射層を設けた場合にも、発光素子収納用凹部の底面に形成した配線パターン層が短絡することがないとともに、発光素子から発光された光が、リフレクター枠体によって、確実に効率良く反射して、発光素子の輝度を向上することが可能な発光素子収納用パッケージ、ならびに、その製造方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、リフレクター枠体の熱伝導率が比較的大きく、発光素子からの熱が、発光素子収納用パッケージ内に蓄熱することなく、外部に放熱して、発光素子が熱によって損傷するおそれのない発光素子収納用パッケージ、ならびにその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、前述したような従来技術における課題および目的を達成するために発明されたものであって、本発明の発光素子収納用パッケージは、
板状のセラミックス製絶縁基板と、
前記絶縁基板の外周上面に接合され、その内側面側が光反射面となるセラミックス製リフレクター枠体と、
前記絶縁基板上面に形成した発光素子接続用配線パターン層と、
前記絶縁基板とリフレクター枠体とで画成される発光素子収納用凹部と、
を備え、
前記発光素子収納用凹部内において、発光素子接続用配線パターン層上に発光素子を実装するようにした発光素子収納用パッケージであって、
前記リフレクター枠体が、主として窒化物セラミックスで構成されるとともに、前記リフレクター枠体の光反射面が、白色セラミックスで構成されることを特徴とする。
このように構成される本発明の発光素子収納用パッケージにおいては、光反射面が光反射率の高い白色セラミックスで構成されるので、リフレクター枠体で発光素子から発光された光を確実に効率良く反射することができ、発光素子の輝度を向上させることができる。
また、本発明のパッケージでは、従来のようにリフレクター枠体の内壁面に金属製の光反射層を設ける必要がないので、発光素子収納用凹部の底面に形成した配線パターン層が短絡することがなく、発光素子の発光機能が妨げられることがない。
しかも、リフレクター枠体の発光素子収納用凹部内の内側面と、配線パターン部を除く板状のセラミック製絶縁基板の全面にわたって、光反射面とすることもできるので、リフレクター枠体による発光素子から発光された光の反射効率が向上する。
さらに、リフレクター枠体の本体が、熱伝導率が大きな窒化物セラミックスで構成されているため、発光素子からの熱が、発光素子収納用パッケージ内に蓄熱することなく、リフレクター枠体を介して外部に放熱するので、発光素子が熱によって損傷するおそれがない。
特に、絶縁基板が窒化物セラミックで構成される場合には、絶縁基板を通して放熱が効率的に行なわれるので、素子の熱による損傷をより確実に抑えることができる。
また、本発明の発光素子収納用パッケージは、前記光反射面を構成する白色セラミックスが、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率が50%以上であることを特徴とする。
このような範囲に、光反射面を構成する白色セラミックスの反射率があれば、発光素子から発光される光を、光取り出し面側へ効率よく反射することができ、輝度を向上することができる。
また、本発明の発光素子収納用パッケージは、前記光反射面を構成する白色セラミックスが、400nmの波長の光に対する反射率が55%以上であることを特徴とする。
このように波長400nmの光に対する反射率が高いため、例えば、発光素子として、白色LED用として使用した場合に、発光素子は通常、青色もしくは近紫外域の光を発光し、それを種々の蛍光体で各種の波長へと変換するため、350〜430nmの波長の光を発する発光素子の光を効率良く反射することができ、輝度を向上することができる。
本発明の発光素子収納用パッケージにおけるリフレクター枠体の態様としては、
(1)リフレクター枠体全体が、白色窒化物セラミックスで構成される態様、
(2)リフレクター枠体の本体は、窒化物セラミックスで構成され、少なくとも光反射面となる表面部分が、この窒化物セラミックスを酸化処理して得られた酸化物層で構成される態様、および、
(3)リフレクター枠体の本体は、窒化物セラミックスで構成され、少なくとも光反射面となる表面部分が、この窒化物セラミックスとは異質の白色セラミックス層からなる態様、
が挙げられる。
本発明の発光素子収納用パッケージのうち、リフレクター枠体が、(1)の態様であるものは、リフレクター枠体本体と光反射面が同一の材料で構成されるため、製造が容易であるという特徴を有する。
特に、リフレクター枠体が、熱伝導率140(W/m・K)以上で、密度が3.10g/cm3以上である白色窒化アルミニウムセラミックスで構成されるものは、放熱性、機械的強度および光反射率が共に高いという優れた特徴を有する。
なお、このような白色窒化アルミニウムセラミックスはこれまで知られておらず、窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤として、アルカリ土類金属を含む化合物を添加した組成物を、弱還元性雰囲気下で焼結することにより始めて得られたものである。
また、本発明の発光素子収納用パッケージのうち、リフレクター枠体が(2)または(3)の態様であるものは、リフレクター枠体本体の材質を光反射面の材質と同じにする必要がないので、材料選択の自由度が大きく、リフレクター枠本体の材料として、より熱伝導性が高いものが使用できるとともに、光反射面の材料として、より光反射率の高い材料が使用できるという特徴を有する。
また、本発明は、前記したような本発明の発光素子収納用パッケージを製造する方法も提供する。
すなわち、本発明は、(1)の態様のリフレクター枠体を有する発光素子収納用パッケージを効率的に製造する方法として、
窒化物セラミックスと、アルカリ土類金属とを含む化合物を含有する組成物を成形して、この成形体を弱還元性雰囲気下で焼結して、白色窒化物セラミックスから構成されるリフレクター枠体を得る工程を含むことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法を提供する。
また、(2)の態様のリフレクター枠体を有する発光素子収納用パッケージを効率的に製造する方法として、
窒化物セラミックスを焼結後に、酸素雰囲気下で酸化処理することによって、窒化物セラミックスから構成されるとともに、その表面に酸化処理された酸化物からなる光反射面を有するリフレクター枠体を得る工程を含むことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法を提供する。
さらに、(3)の態様のリフレクター枠体を有する発光素子収納用パッケージを効率的に製造する方法として、
窒化物セラミックスを含む化合物を含有する組成物を、前記リフレクター枠体の形状に成形する工程、
前記成形工程で得られた成形体の光反射面となる面上に、白色セラミックスを含有する組成物を塗布する工程、
白色セラミックスを含有する組成物が塗布された成形体を焼結することにより、光反射面を有するリフレクター枠体を得る工程、
を含むことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法を提供する。
また、(3)の態様のリフレクター枠体を有する発光素子収納用パッケージを効率的に製造する別の方法として、
窒化物セラミックスからなるリフレクター枠体を有する発光素子収納用パッケージ前駆体を準備する工程と、
前記準備工程で準備された前駆体の前記リフレクター枠体の光反射面となる面上に窒化物セラミックスペーストを塗布する工程と、
前記塗布工程で窒化物セラミックスペーストが塗布された前駆体を、還元性ガスを含む雰囲気中で焼成する工程とを含み、
前記焼成工程において、前記窒化物セラミックスペーストが焼結されて得られる焼結体中に口径0.1μm以上の空隙が残存するような条件で前記焼成を行うことを特徴とする方法を提供する。
本発明の発光素子収納用パッケージにおいては、光反射面が光反射率の高い白色セラミックスで構成されるので、リフレクター枠体で発光素子から発光された光を確実に効率良く反射することができ、発光素子の輝度を向上させることができる。
また、本発明のパッケージでは、従来のようにリフレクター枠体の内壁面に金属製の光反射層を設ける必要がないので、発光素子収納用凹部の底面に形成した配線パターン層が短絡することがなく、発光素子の発光機能が妨げられることがない。
しかも、リフレクター枠体の発光素子収納用凹部内の内側面と、配線パターン部を除く板状のセラミック製絶縁基板の全面にわたって、光反射面とすることもできるので、リフレクター枠体による発光素子から発光された光の反射効率が向上する。
さらに、リフレクター枠体の本体が、熱伝導率が大きな窒化物セラミックスで構成されているため、発光素子からの熱が、発光素子収納用パッケージ内に蓄熱することなく、リフレクター枠体を介して外部に放熱するので、発光素子が熱によって損傷するおそれがない。
特に、絶縁基板が窒化物セラミックで構成される場合には、絶縁基板を通して放熱が効率的に行なわれるので、素子の熱による損傷をより確実に抑えることができる。
図1は、本発明の発光素子収納用パッケージの実施例を示す断面図である。 図2は、本発明の発光素子収納用パッケージの別の実施例を示す断面図である。 図3は、本発明の発光素子収納用パッケージを製造するための本発明の製造方法を説明するための工程毎の断面図である。 図4は、本発明の発光素子収納用パッケージの別の実施例を示す断面図である。 図5は、本発明の発光素子収納用パッケージの別の実施例を示す断面図である。 図6は、従来の発光素子収納用パッケージの断面図である。 図7は、従来の発光素子収納用パッケージの断面図である。 図8は、従来の発光素子収納用パッケージの断面図である。 図9は、実施例1及び9の発光素子収納用パッケージのリフレクター枠体の光反射面、並びに比較例4及び5で得られた焼結体表面の、波長領域350〜700nmにおける光反射率を示すグラフである。 図10は、実施例9の発光素子収納用パッケージのリフレクター枠体の光反射面を構成する白色窒化アルミニウム焼結体の断面を示す走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。 図11は、比較例5で得られた従来の窒化アルミニウム焼結体の断面のSEM写真である。
符号の説明
10 発光素子収納用パッケージ
11 絶縁基板
12 リフレクター枠体
13 光反射層
13a 光反射層
14 発光素子接続用配線パターン層
15 供給用配線パターン層
16 配線用貫通孔
17 導電部材
18 発光素子
19 発光素子収納用凹部
20 バンプ電極
22 導電部
以下、本発明の実施の形態(実施例)を図面に基づいてより詳細に説明する。
図1は、本発明の発光素子収納用パッケージの実施例を示す断面図である。
図1において、10は、全体で、本発明の発光素子収納用パッケージ10を示している。発光素子収納用パッケージ10は、略四角平板状のセラミック製の絶縁基板11と、絶縁基板の外周上面に接合されたリフレクター枠体12を備えている。そして、これらの絶縁基板11とセラミック製のリフレクター枠体12によって、その中央部には、発光素子18を収納するための発光素子収納用凹部19が画成されている。
このように構成される絶縁基板11は、発光素子18を支持するための支持体として機能し、その上面に発光素子18を収納するための発光素子収納用凹部19を有している。
また、図1に示したように、絶縁基板11の下面には、図示しない回路基板などに電気的に接続するための供給用配線パターン層15が被着形成されている。また。絶縁基板11の上面には、外縁部から発光素子収納用凹部19内にいたる発光素子接続用配線パターン層14が被着形成されている。
そして、発光素子収納用凹部19の下方の位置の絶縁基板11には、その上下面にわたって貫通する配線用貫通孔16が形成されている。この配線用貫通孔16には、導電部材17が充填され、導電部22が形成されており、この導電部22を介して、発光素子接続用配線パターン層14と供給用配線パターン層15とが、電気的に導通するようになっている。
これによって、供給用配線パターン層15から、導電部22、発光素子接続用配線パターン層14にいたる導電路が形成される。そして、発光素子収納用パッケージ10の内部の発光素子収納用凹部19において、発光素子接続用配線パターン層14に、例えば、超音波溶接によって、バンプ電極20を介して、発光ダイオード等の発光素子18が、電気的に接続される(実装される)ようになっている。
この場合、導電部材17は、例えば、タングステン、モリブデン、などの金属粉末からなる金属ペーストを、例えば、印刷、圧入などによって、配線用貫通孔16に充填後、焼成後、露出端面にニッケルや金メッキを施すことによって、導電部22が形成される。
一方、発光素子接続用配線パターン層14と供給用配線パターン層15を構成する材料としては、導電部材17と同様な材料を用いることができる。
なお、発光素子接続用配線パターン層14の表面に、ニッケルや金等の耐食性に優れる金属を、1〜20μm程度の厚みに被着させておくと、導電部材17が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、発光素子接続用配線パターン層14と発光素子18との接続を強固なものとすることができる。したがって、発光素子接続用配線パターン層14の表面には、通常ニッケルメッキ層と金メッキ層とが電解メッキ法や無電解メッキ法により順次被着されている。
また、リフレクター枠体12は、中央部に発光素子18を収容するための略円形または略四角形の貫通穴19aを有しており、この貫通穴19aによって、絶縁基板11とリフレクター枠体12とから発光素子収納用凹部19が形成されるようになっている。
この場合、貫通穴19aは、形状を決定するもではないが、略円形としておくと、貫通穴19a内に収容される発光素子18が発光する光を、略円形の貫通穴19aの内壁面(光反射面)で全方向に満遍なく反射させて外部に均一に放出することができ好ましい。
なお、リフレクター枠体12は、絶縁基板11と同一組成、または、異なる材料から成り、絶縁基板11の上面に焼結一体化されている。
さらに、図2に示すように、発光素子18が発光する光を外部に均一かつ効率的に放出するためには、リフレクター枠体12の内側面(光反射面)の角度を適宜変化させ、使用状況に併せて光を反射させるのが好ましい。すなわち、リフレクター枠体12の内側面が、内側に傾斜したテーパー面状に形成されているのが望ましい。
この場合、図2に示したように、リフレクター枠体12の内側のテーパー面と、発光素子接続用配線パターン層14のなす角度θは、発光素子18が発光する光を外部に対して良好に反射させるためには、45度〜75度にするのが望ましい。
このように、発光素子18が発光する光を反射させる度合いは、搭載される場所や用途により異なるため、適宜、角度θを調整することにより、使用状況に応じた発光素子収納用パッケージを提供することができる。
このように構成される本発明の発光素子収納用パッケージ10は、使用に際して、絶縁基板11の発光素子収納用凹部19内の発光素子接続用配線パターン層14上に、例えば、バンプ電極20を介して、発光素子18を電気的に接続するように実装(搭載)して、発光素子18が収容された発光素子収納用凹部19に、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの透明な樹脂を充填するとともに、適宜、蛍光体などを封止樹脂に埋設又は添加し、レンズなどを配置するなどして、発光素子18を封止することによって発光装置となる。
なお、上記実施例では、発光素子接続用配線パターン層14と発光素子18との接続は、例えば、超音波溶接によって、発光素子にあらかじめバンプ電極を付けておき、配線面を下にして、配線パターン層との接続を行っても、絶縁基板11に予め発光素子18を接着剤を用いて接着し、発光素子18の端子と絶縁基板11の上面に被着された発光素子接続用配線パターン層14とを、例えば、金線などのボンディングワイヤーで1本づつ接続しても良い。
さらに、発光素子収納用パッケージ10を、他の回路基板へと実装する際には、供給用配線パターン層15の下面に、供給用電極を1箇所または複数箇所に適宜被着しても良く、供給用配線パターン層の供給用電極の設けられていない残りの箇所には、絶縁層を被着することによって、適宜、必要な箇所で導電可能な発光素子収納用パッケージを提供することができる。
このように構成される発光素子収納用パッケージ10では、リフレクター枠体12を、白色窒化物セラミックスから構成している。
このように構成することによって、リフレクター枠体12の、光反射面をも含めて全ての面が白色窒化物セラミックスから構成されることになる。この白色窒化物セラミックスは、光反射率が高く、フレクター枠体12自体で発光素子から発光された光を反射することができるので、リフレクター枠体12によって、確実に効率良く反射して、発光素子の輝度を向上することができる。
従って、従来のようにリフレクター枠体12の内壁面に光反射層を設ける必要がないので、発光素子収納用凹部19の底面に形成した配線パターン層14が短絡することがなく、発光素子18の発光機能が妨げられることがない。
また、リフレクター枠体12が、熱伝導率が比較的大きな白色窒化物セラミックスで構成されているので、発光素子18からの熱が、発光素子収納用パッケージ10内に蓄熱することなく、リフレクター枠体12を介して外部に放熱されるので、発光素子18が熱によって損傷するおそれがない。
このようなリフレクター枠体12を構成する白色窒化物セラミックスについて、以下に詳細に説明する。
発光素子収納用パッケージ10において、リフレクター枠体12は、発光素子からの光を有効に反射して輝度を向上させるという機能ばかりでなく、発光素子で発生した熱を外部に逃がすという機能も有する。このため、リフレクター枠体12を構成する白色窒化物セラミックスとしては、光反射率及び熱伝導性が共に高い材料を使用するのが好適である。
リフレクター枠体12を構成する白色窒化物セラミックスとしては、外観上白色を呈する窒化物セラミックスであれば特に限定されず、窒化アルミニウム系セラミックス、窒化ケイ素系セラミックス、窒化ホウ素系セラミックス等の公知の窒化物セラミックスが使用できるが、光反射率の観点から、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率が50%以上であるものを使用するのが望ましい。
このような範囲に、リフレクター枠体12を構成する白色窒化物セラミックスの反射率があれば、発光素子から発光される光を、光取り出し面側へ効率よく反射することができ、輝度を向上することができる。
また、このような白色窒化物セラミックスは、400nmの波長の光に対する反射率が55%以上であるのが望ましい。このように波長400nmの光に対する反射率が高いため、例えば、発光素子18として、白色LED用として青色発光素子を使用した場合に、発光素子から発光される光を効率良く反射することができ、輝度を向上することができる。
また、熱伝導率の観点から、このような白色窒化物セラミックスは、熱伝導率が140(W/m・K)以上であるのが望ましい。このような範囲にリフレクター枠体12を構成する白色窒化物セラミックスの熱伝導率があれば、発光素子18からの熱が、発光素子収納用パッケージ10内に蓄熱することなく、リフレクター枠体12を介して外部に放熱するので、発光素子18が熱によって損傷するおそれがない。
上記したような、光反射特性及び熱伝導性、さらには機械的特性の観点から、リフレクター枠体12を構成する白色窒化物セラミックスとしては、熱伝導率が、140(W/m・K)以上であり、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率が、50%以上であり、400nmの波長の光に対する反射率が、55%以上であり、密度が、3.10g/cm3以上である窒化アルミニウムセラミックスを使用するのが最も好ましい。
以下に、白色窒化物セラミックスとして、上記のような窒化アルミニウム系セラミックスを用いた場合について詳細に説明する。
発光素子18からの熱が、発光素子収納用パッケージ10内に蓄熱することなく、リフレクター枠体12を介して外部に放熱されるためには、熱伝導率が高く、光反射率の大きな絶縁材料からリフレクター枠体12を構成する必要があるが、このような要求を満足する絶縁材料はこれまで知られていない。例えば、熱伝導性の高い絶縁材料としては窒化アルミニウム焼結体が知られているが、従来知られている窒化アルミニウム焼結体は、その色調は透光感のある灰色であり、光の反射率の点で問題がある。
このため、本発明者らは、窒化アルミニウム焼結体を白色化することにより、上記課題を解決できると考え、鋭意研究を行なった。その結果、特定の焼結助剤を用いるとともに、焼成時の雰囲気を制御することにより、外観が白色である高熱伝導率の窒化アルミニウム焼結体、即ち、熱伝導率が140(W/m・K)以上であり、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率が50%以上であり、400nmの波長の光に対する反射率が55%以上であり、密度が3.10g/cm3以上である窒化アルミニウムセラミックスを得ることができた。
なお、窒化アルミニウムの理論密度は、3.26g/cm3であり、3.10g/cm3という密度は、窒化アルミニウムの理論密度の約95%に相当する。
この場合、本発明において用いられる窒化アルミニウム系セラミックスとは、窒化アルミニウムからなるセラミックス、または、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスを意味する。
なお、窒化アルミニウムを主成分とする場合、熱伝導率の観点から、窒化アルミニウムの含有量は、95質量%以上、特に、97%以上であるのが望ましい。また、この場合、窒化アルミニウム以外の成分としては、アルカリ士類金属酸化物、希土類金属酸化物等の焼結助剤成分、アルミナ等の他のセラミックス成分を挙げることができる。
また、本発明において好適に用いられる前記窒化アルミニウム系セラミックスは、単結晶体、多結晶体、非品質、非品質と結晶質が混在するものの何れであってもよいが、製造の容易さから多結晶体であるのが望ましい。
本発明において用いられる窒化アルミニウム系セラミックスの熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率、および、密度は、それぞれ次のような方法で測定することができる。
すなわち、熱伝導率は、熱定数測定装置を使用してレーザーフラッシュ法により測定することにより測定することができる。このとき、厚み補正は、検量線を作成して行なえばよい。また、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率は、分光光度計を使用して、積分球法により測定することができる。また、密度は、自動比重計と上皿電子天秤を使用して、アルキメデス法により測定することができる。
本発明において用いられる窒化アルミニウム系セラミックスは、窒化アルミニウム粉末を焼成する際に、特定の焼結助剤の使用と特定の焼結条件とを組み合わせることによって得ることができる。
具体的には、以下のような製造方法によって得ることができる。
先ず、窒化アルミニウム粉末100質量部と、アルカリ土類金属を含む化合物0.5〜10質量部とを含有する組成物を成形して、成形体を準備する(成形体準備工程)。
この場合、窒化アルミニウム粉末としては、従来窒化アルミニウム焼結体を得るのに使用されているものが何ら制限なく使用できる。ただし、緻密な焼結体が得られるためには、平均粒子径が0.5〜5μm、特に、0.5〜3μmの粉末を使用するのが望ましい。また、高い熱伝導率を有する焼結体を得ることができるためには、酸素濃度が1.0wt%以下の粉末を使用するのが好ましい。
また、アルカリ土類を含む化合物は、焼結助剤として機能する。焼結助剤としてこのような化合物以外のものを使用した場合には、上記したような特性を有する窒化アルミニウム系セラミックスを得るのが困難である。アルカリ土類金属を含む化合物としては、効果の高さから、カルシウムを含む化合物であるのが望ましい。
このようなアルカリ土類金属を含む化合物として、望ましい化合物を具体的に例示すれば、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、硝酸カルシウム、炭酸カルシウム、リン酸カルシウム、3CaO・Al23を挙げることができる。これらの中でも、熱伝導率および光反射率の高いものを得ることができるためには、3CaO・Al23を使用するのが最も望ましい。
また、アルカリ土類金属を含む化合物の含有量は、同様の理由から、窒化アルミニウム粉末100質量部に対して1〜7質量部であるのが望ましい。なお、アルカリ土類を含む化合物としては、より高品質な白色窒化アルミニウム系セラミックスが得られるという理由から、純度が99.9%以上の微粉末を使用するのが望ましい。
ところで、アルカリ土類金属を含む化合物として、3CaO・Al23を使用する場合には、3CaO・Al23をそのまま添加してもよいし、焼結時に所定量の3CaO・Al23となるように、CaOとAl23を、モル比3:1で添加してもよい。
なお、一般に、窒化アルミニウムに酸化イットリウムなどの焼結助剤を加えた時には、焼成時に、窒化アルミニウムやその不純物酸素および酸化イットリウムなどが反応し、焼成温度よりもさらに融点の低い複合化合物を生成し、その液相が焼結体の緻密化や、焼結体特性の向上(この場合は熱伝導率の向上)に影響を与えることが知られている。
また、焼結助剤として、3CaO・Al23等のアルカリ土類を含む化合物を用いた場合においてもこれら化合物は、焼結体中においてそのままの形で存在するのではなく、融点の低い複合酸化物に転化したり、場合によっては、焼結時に雰囲気中に含まれる炭素と反応して揮散したりするという現象が起こっていると考えられる。
また、成形体準備工程においては、窒化アルミニウム粉末100質量部と、アルカリ土類金属を含む化合物0.5〜10質量部とを含有する組成物からなる成形体は、所定量の窒化アルミニウム粉末と、アルカリ土類金属粉末、有機バインダー、エタノール等の有機溶媒、可塑剤、分散剤とともに、ボールミルを用いた湿式混合法等により混合し、この混合物をドクターブレード法などでシート成形体を得ることができる。
なお、上記スラリーをスプレードライ法により乾燥させることにより、顆粒を調製し、これを成形してもよい。
有機バインダーとしては、ポリビニルブチラール、エチルセルロース類やアクリル樹脂類などグリーン体を調製する際に一般的に使用される公知のものが制限なく使用できるが、グリーン体の成形性が良好であるという理由から、ポリn―ブチルメタクリレート、またはポリビニルブチラールを使用するのが望ましい。なお、有機バインダーの使用量は、プレス成形体を得る場合には、窒化アルミニウム100質重量部当たり2〜15質量部、シート体を得る場合には、同じく5〜15質量部とするのが望ましい。
また、グリーン体の脱脂は、水素などの還元性ガス、アルゴンや窒素などの不活性ガス、二酸化炭素およびこれらの混合ガスあるいは水蒸気を混合した加湿ガス雰囲気中でグリーン体を熱処理することにより行われる。
また、脱脂は、グリーン体に含まれる有機成分の種類や量に応じて、温度:250℃〜1200℃、保持時間:1分〜1000分、の範囲から適宜選択すればよい。
その際、雰囲気、温度、保持時間を調節することにより、脱脂体全体の酸素量から焼結助剤の酸素量を差し引いた酸素量を、1.5重量%以下にすることが好ましい。これにより、窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率を、140W/m・K以上にすることが容易になる。
また、脱脂処理後の成形体(脱脂体)には、有機バインダーの残分としての炭素成分が含まれるが、この炭素成分の量(濃度)は、5000ppm以下にすることが好ましく、3500ppm以下にすることがさらに好ましい。すなわち、炭素成分の濃度が5000ppmを超える場合には、焼成時に窒化アルミニウム焼結体の緻密化が著しく抑制され、高い熱伝導率を有する焼結体を得るのが困難になるからである。
次に、このような方法により準備した成形体を、弱還元性雰囲気に保って、この成形体を焼結する。
焼結助剤としてイットリア等の希土類金属を含まない化合物を用いた場合、焼結雰囲気が還元性(炭素を含む)であると焼結性が低下し、良好な焼結体は得られにくい。これとは逆に、酸化カルシウム等のアルカリ土類金属系の焼結助剤を用いた場合に、230W/m・Kクラスの高い熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体を得ようとする場合には、比較的強い還元性雰囲気で焼結助剤を揮散等により消失させながら焼結する必要がある(例えば、特開2004−315329号公報参照)。
従って、酸化カルシウム等のアルカリ土類金属系の焼結助剤を用いた場合において、雰囲気の還元性を、通常より低く制御した場合には、焼結助剤が揮散等により完全には消失しないため、熱伝導率は230W/m・Kまでは高くはならないものの、十分に実用的なレベルを維持し、しかも、機械的物性の点でも遜色のない焼結性を有する(この焼結性の良さは、密度が十分に高いことからも支持される)。しかも、従来の窒化アルミニウム焼結体にはない優れた光反射率を示す焼結体が得られることになる。
この場合、「弱還元性雰囲気」とは、下記(1)〜(5)の操作によって実現される雰囲気を意味するものである。
すなわち、先ず、
(1)取り外し可能な蓋を有する容器であって、少なくともその内壁が窒化ホウ素で構成され、蓋を閉めた状態で、容器の内部の圧力と容器の外部の圧力とを実質的に同等に保つための手段を有する容器を準備する。次に
(2)この容器の内部に、容器の容積1cm3当たり、0.024〜24mm2の表面積を有する炭素板を収納する。そして、
(3)この容器内の雰囲気を、不活性ガス及び/又は水素ガスに置換する。次に、
(4)蓋を閉めた状態で、この容器の外部雰囲気を、容器内の雰囲気と同じ不活性ガス及び/又は水素ガス雰囲気とする。その後、
(5)この状態で、この容器と容器内に収納した炭素板とを、1650℃〜1950℃、好ましくは、1700〜1900℃に加熱する。なお、この状態では、容器内に収容した炭素板から炭素が揮発しても、炭素板自体は残っている状態である。
このような状態における容器内の雰囲気を、「弱還元性雰囲気」と言い、僅かな特定量の炭素蒸気を含む、不活性ガス及び/又は水素ガスを意味する。
ところで、現在の分析技術では、1650℃〜1950℃といった非常に高温なガスについて、そのガス内に含まれる炭素ガスの濃度を測定することは実質的に不可能である。このため、本発明においては、「弱還元性雰囲気」を、これを実現するための具体的方法に準じて特定している。
なお、上記容器における「蓋を閉めた状態で容器の内部の圧力と容器の外部の圧力とを実質的に同等に保つだめの手段」としては、微細な連通孔あるいは系内が加圧状態になった場合に蓋が僅かに開き、系内圧力が外圧とほぼ同等になったときに閉じる手段等を挙げることができる。
また、一般に、窒化アルミニウムの焼結には、高温を必要とするため、カーボン炉が使用されている。しかしながら、カーボン炉を用いる場合には、炉材のカーボンの昇華の影響により、焼結雰囲気の制御が困難となる。従って、本発明では、この炉材の影響を排除するために、被焼結物である成形体を、上記したような特殊な容器、すなわち、その内面が窒化ホウ素等の耐熱性材料で構成される容器内に入れて加熱し、焼結を行なっている。
このような方法で焼結を行なった場合には、容器内に入れる炭素板の表面積を制御することによって、焼結時の雰囲気を適度な還元雰囲気に制御することができ、上述した特性を有する窒化アルミニウム系セラミックスを得ることができる。
なお、耐熱性材料とは、焼結温度において、融解、分解、昇華をしない材料を意味し、このような耐熱材料としては、窒化ホウ素以外に、例えば、窒化アルミニウム等も使用できる。
また、成形体を焼結する方法としては、その雰囲気を上記の弱還元性雰囲気に制御する以外は、従来の窒化アルミニウム焼結体を得る方法と同様な炉、昇温条件により焼結を行なうことができる。
このような焼成温度としては、1650℃〜1950℃の範囲とするのが望ましい。すなわち、焼成温度が、1650℃より低い場合には、緻密な焼結体が得られず、結果として、焼結体の強度が低下するからである。また、焼成温度が、1950℃より高い場合には、窒化アルミニウム中の不純物酸素と希土類化合物などから生成する液相が、焼成時に焼結体の外側に染み出してしまい、緻密な焼結体が得られにくくなるからである。
また、焼結時間は特に限定されないが、通常、1650℃以上の温度に、1〜10時間保持すればよい。なお、焼成温度と焼結時間については、上記温度範囲の中から、被焼結体の種類毎に、あらかじめ緻密化曲線(収縮曲線)を調べておき、十分な緻密度(密度で3.1g/cm3以上、好ましくは3.15g/cm3以上)が得られる条件を決定しておくのが望ましい。また、焼成方法としては、雰囲気制御の容易さを考慮すれば、常圧焼成するのが望ましい。
一方、弱還元性雰囲気下で被焼結物を焼結するためには、上記のような、「弱還元性雰囲気」で説明した密閉可能な容器を用いた還元性雰囲気下で焼結温度に加熱すればよい。なお、焼成雰囲気を弱還元性に制御できる方法であれば、これ以外の方法を採用することも勿論可能であるが、カーボン炉を用いても容易に雰囲気制御を行なうことができるという理由から、この方法を採用するのが望ましい。
また、上記方法で使用する容器は、上記の要件を満足するものであれば特に限定されず、例えば、弱還元性雰囲気の定義で使用される容器が使用できる。なお、ここで「密封可能」とは、容器内の雰囲気を、容器外の雰囲気と異なる状態で保持できる程度の気密性があるという意味であり、容器内外の気体の移動が一切遮断されるものではない。また、容器は、少なくとも内面が、窒化ホウ素や、窒化アルミニウム等の耐熱性材料で構成されていればよく、例えば、カーボン製容器の内面を、これらの耐熱性材料で内張りしたもの等も好適に使用できる。
また、不活性ガス及び/又は水素ガスとしては、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素の単独ガスあるいは混合ガスが使用できるが、コストや操作性を考慮すれば、窒素を使用するのが望ましい。
さらに、容器内に収容する炭素板としては、グラファイト板、またはシートが好適に使用できる。グラファイト板の厚さは、特に限定されないが、0.1〜5mmのものを使用するのが望ましい。なお、使用する炭素板の大きさは、効果を考慮すれば、容器の容積1cm3当たり、炭素板の表面積が、0.05〜10mm2、好ましくは、1.0〜5.0mm2であるのが望ましい。
以上のような方法で得られた窒化アルミニウム系セラミックスは、高い熱伝導率、高い光反射率、機械的強度を有するので、発光素子収納用パッケージ10のリフレクター枠体12として好適に使用できる。
以下に、このように構成される本発明の発光素子収納用パッケージ10を製造する方法について説明する。
図3(A)〜(D)は、図1に示した発光素子収納用パッケージを製造する製造方法を示す工程毎の断面図である。
まず、図3(A)に示すように、絶縁基板11の基となるセラミックグリーンシート11aとリフレクター枠体12の基となるセラミックグリーンシート12aとを用意する。
このようなセラミックグリーンシート11a、12aは、上記のような白色窒化物セラミックスで説明したような窒化アルミニウム系セラミックスを用いればよい。
次に、図3(B)に示すように、絶縁基板11の基となるセラミックグリーンシート11aに、発光素子収納用凹部19の下方の位置に相当する位置に、絶縁基板11の上面から下面にいたる配線用貫通孔16を、パンチング金型を用いて打抜くとともに、リフレクター枠体12用のセラミックグリーンシート12aに、発光素子収納用凹部19用の貫通穴19aを、パンチング金型を用いて打抜く。
このとき、図3(B)に示したように、リフレクター枠体12用のセラミックグリーンシート12aに形成される貫通穴19aの内壁が、セラミックグリーンシート12aの一方の面から他方の面へ、テーパー面となるように形成する。このように貫通穴19aの内
壁がセラミックグリーンシート12aの一方の主面から他方の主面に向けて一定の角度で広がるように形成することにより、リフレクター枠体12の貫通穴19aの内壁が、絶縁基板11の上面に対して一定の角度で外側に広がるように形成することができる。
次に、図3(C)に示すように、絶縁基板11用のセラミックグリーンシート11aの上下面および配線用貫通孔16内に、導電部材17用の導電ペーストを、例えば、圧入、スクリーン印刷法を用いて充填して導電部22を形成する。
そして、絶縁基板11の下面には、図示しない回路基板などの電気的に接続するための供給用配線パターン層15を、絶縁基板11の上面には、外縁部から発光素子収納用凹部19内にいたる発光素子接続用配線パターン層14を、それぞれ、例えば、スクリーン印刷などによって、必要な配線パターンに印刷塗布して形成する。
発光素子接続用配線パターン層14と供給用配線パターン層15を構成する材料としては、導電部材17と同様な材料を用いることができる。
この場合、発光素子接続用配線パターン層14と供給用配線パターン層15を形成する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、
(i)絶縁基板上に、タングステンなどの高融点金属をパターン印刷後、同時焼成して形成し、その上にニッケル、銀、金メッキを施す方法、
(ii)絶縁基板上に、上記と同様にして、同時焼成法により高融点金属層を形成し、その上に、スパッタ法によって、金属薄膜パターンを形成する方法、
などの公知のパターン形成法を採用することができる。
次に、図3(D)に示すように、絶縁基板11用のセラミックグリーンシート11aの上面に、リフレクター枠体12用のセラミックグリーンシート12aを、貫通穴19aの内壁がセラミックグリーンシート11aの上面に対して外側に広がる向きに接着して、グリーン体を構成する。
このような接着は、上記のようにセラミックグリーンシート11a、12aに、有機バインダーおよび溶剤を含む接着成分が含まれているので、セラミックグリーンシート12aを、セラミックグリーンシート11aの上面に重ねて、これらを約60〜140℃の温度で加熱しながら10KPa〜100KPa程度の圧力で圧着する方法が用いられる。
なお、セラミックグリーンシート12aの下面に、別途、有機バインダーおよび/または溶剤を含む接着剤を塗布してもよい。
次に、このように形成したグリーン体を、脱脂した後、積層されたセラミックグリーンシート11a、12a、および、これらに塗布された導電ペーストを高温で焼成することによって、絶縁基板11とリフレクター枠体12とが焼結一体化された焼結体が得られる。
この場合、グリーン体の脱脂は、タングステンなどの金属を酸化させないため水素などの還元性ガス、アルゴンや窒素などの不活性ガス、二酸化炭素およびこれらの混合ガスあるいは水蒸気を混合した加湿ガス雰囲気中でグリーン体を熱処理することにより行われる。また、脱脂は、グリーン体に含まれる有機成分の種類や量に応じて温度:250℃〜1200℃、保持時間:1分〜1000分の範囲から適宜選択すればよい。
そして、弱還元性雰囲気に保って、1650℃〜1950℃、好ましくは、1700〜1900℃にてこの成形体を焼結する。
焼結後、適宜、この焼結体の導電部、すなわち、発光素子接続用配線パターン層14と供給用配線パターン層15の露出面に、電解メッキ法や無電解メッキ法によりニッケルや金・白金・パラジウム、ロジウム、銀等のメッキ金属層を被着させることにより、図1(図2)に示した発光素子収納用パッケージが完成する。
図4は、本発明の発光素子収納用パッケージの別の実施例を示す断面図である。
この実施例の発光素子収納用パッケージ10は、図1および図2に示したと基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付している。
この実施例の発光素子収納用パッケージ10では、図4に示したように、リフレクター枠体12が、窒化物セラミックスから構成されるとともに、その表面に、すなわち、リフレクター枠体12の内側側面(光反射面)に、酸化処理された酸化物からなる光反射面13を有している。
この窒化物セラミックスを酸化処理した酸化物からなる光反射面13は、光反射率が高いので、このように構成することによって、即ち、リフレクター枠体12が窒化物セラミックスで構成するとともに、その表面に酸化処理された酸化物からなる光反射面13を具備させることによって、発光素子からの光を確実に効率良く反射して、発光素子の輝度を向上させることができる。
また、光反射面13を構成する“窒化物セラミックスを酸化処理した酸化物”は、電気的に絶縁性を有しているので、このような酸化物層23をリフレクター枠体12の発光素子収納用凹部19内の内側面全面にわたって形成したとしても、発光素子収納用凹部19の底面に形成した配線パターン層14が短絡することがなく、発光素子18の発光機能が妨げられることがない。
しかも、このような酸化物層23が、リフレクター枠体12の発光素子収納用凹部19内の内側面全面にわたって形成されているので、リフレクター枠体12による発光素子18から発光された光の反射効率が向上する。
さらに、リフレクター枠体12の主材を構成する窒化物セラミックスは、熱伝導率が比較的大きく、窒化物セラミックスを酸化処理して得られる酸化物層23は薄いので、発光素子18からの熱が、発光素子収納用パッケージ10内に蓄熱することなく、リフレクター枠体12を介して外部に放熱するので、発光素子18が熱によって損傷するおそれがない。
このようなリフレクター枠体12の表面に形成される酸化物層23について、以下に詳細に説明する。
この場合、酸化物層23が、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率が60%以上あるのが望ましい。このような反射率があれば、酸化物層23によって形成される光反射面13において発光素子18から発光される光を、光取り出し面側へ効率よく反射することができ、輝度を向上することができる。
また、酸化物層23が、400nmの波長の光に対する反射率が80%以上あるのが望ましい。このように波長400nmの光に対する反射率が高いため、例えば、発光素子18として、白色LED用として青色発光素子を使用した場合に、酸化物層23によって形成される光反射面13において発光素子18から発光される光を効率良く反射することができ、輝度を向上することができる。
このような酸化物層23を得るには、具体的には、窒化物セラミックスを焼結後に、酸素雰囲気下で酸化処理すればよい。
このように窒化物セラミックスを焼結後に、酸素雰囲気下で酸化処理することによって、窒化物セラミックス焼結物の表面に、酸化アルミニウム層等の酸化物層が形成されることになり、光反射率が良好で、電気絶縁性を有し、熱伝導率が比較的大きな酸化物層23からなる光反射面13をリフレクター枠体12の表面に形成することができる。
この場合、窒化物セラミックスとしては、例えば、窒化アルミニウム系セラミックスを好適に使用することができる。この場合、このようなセラミック原料粉末に、アルコール類やトルエン等の有機溶媒、適当な有機バインダー、および、グリセリン化合物等の可塑剤、分散剤等を添加混合して泥漿状と成すとともに、これをドクターブレード法等のシート成形技術によって、適宜必要な厚みのシート状とすることにより作成される。
なお、有機バインダーとしては、ポリビニルブチラール、エチルセルロース類やアクリル樹脂類などグリーンシートを調製する際に一般的に使用される公知のものが使用できる。この場合、グリーンシートの成形性が良好であるので、ポリn―ブチルメタクリレート、ポリビニルブチラールなどを使用するのが好適である。
この場合、グリーン体の脱脂は、タングステンなどの金属を酸化させないため水素などの還元性ガス、アルゴンや窒素などの不活性ガス、二酸化炭素およびこれらの混合ガスあるいは水蒸気を混合した加湿ガス雰囲気中でグリーン体を熱処理することにより行われる。
また、脱脂は、グリーン体に含まれる有機成分の種類や量に応じて、温度:250℃〜1200℃、保持時間:1分〜1000分の範囲から適宜選択すればよい。焼結条件としては、1600〜2000℃、好ましくは、1750〜1850℃の温度で、1時間〜20時間、好ましくは、2〜10時間の時間焼成を行えばよい。この焼結の際の雰囲気としては、非酸化性ガスの雰囲気下で、常圧で行えばよい。
そして、このように焼結を行った後、酸素雰囲気下で酸化処理することによって、窒化物セラミックス焼結物の表面に、酸化物層23を形成する。この場合、酸素雰囲気下での酸化処理としては、酸素ガスを、10〜100容量%を含む雰囲気中、好ましくは大気中で行えばよい。
また、酸化処理条件としては、800〜1500℃、好ましくは、1200〜1400℃の温度で、5〜100時間、好ましくは、10〜20時間、焼成を行えばよい。好適には、窒化物セラミックスを1200℃、5時間以上酸化して酸化物層を形成するのが望ましい。
このような条件で酸化処理することによって、下地の窒化物セラミックス(例えば、窒化アルミニウム)が緻密で、反射率の高く、熱伝導率の比較的高い、酸化物(例えば、酸化アルミニウム)に転化し、このような酸化物からなる酸化物層23が得られる。
このような酸化処理により形成される酸化物の膜厚としては、5〜1,000μm、好ましくは10〜500μmとするのが、反射率、機械的強度の点から望ましい。
また、窒化物セラミックスを焼結後に、窒素雰囲気下で、例えば、1200℃まで加熱した後、同温度で雰囲気を酸素雰囲気下に切替えて酸化処理するようにしてもよい。このようにすることによって、酸化膜がより緻密で、硬度を有し、機械的強度の向上した酸化物層23を形成することができる。
このように構成される本発明の発光素子収納用パッケージ10を製造する方法は、図3(A)〜(D)に示した、図2に示した発光素子収納用パッケージを製造する製造方法と同様にして製造することができる。
すなわち、グリーン体の脱脂、焼成まで、ほぼ同様な工程で行うことができる。そして、この焼成工程が終了した後に、酸化処理を行えばよい。酸化処理を行うと、例えば、タングステンからなる発光素子接続用配線パターン層14と、供給用配線パターン層15も酸化されてしまうので、その上にニッケル、銀、金メッキを施すのが困難になる。そのため、酸化処理の前に、発光素子接続用配線パターン層14と供給用配線パターン層15の表面に、メッキ法や蒸着法を用いて金、白金などの貴金属層を形成した後に、酸化処理を行うのが好適である。
このように酸化処理の前に貴金属層を形成する代わりに、酸化処理を行い、発光素子接続用配線パターン層14と供給用配線パターン層15をエッチング処理して、これらの配線パターン層14、15上の酸化膜を除去した後に、これらの配線パターン14、15の表面に、金メッキなどのメッキ処理を行うようにしてもよい。
このように酸化処理、メッキ処理を行うことによって、発光素子収納用パッケージが完成する。
なお、この実施例では、焼成後特にマスク等を用いることなく酸化処理を行なったため、窒化物セラミックスの露出面は全て酸化され、リフレクター枠体12の内側側面及び絶縁基板11の発光素子収納用凹部19の底面(これら面は光反射面となる)以外の表面部分にも酸化物層23が形成されている。光反射面以外の面に酸化物層を形成したくない場合にはその分をマスクして酸化処理を行なえばよい。
図5は、本発明の発光素子収納用パッケージの別の実施例を示す断面図である。
この実施例の発光素子収納用パッケージ10は、図1および図2に示したものと基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付している。
この実施例の発光素子収納用パッケージ10では、図5に示したように、リフレクター枠体12が、窒化物セラミックスから構成されるとともに、光反射面となる表面に、すなわち、リフレクター枠体12の内側面に、白色セラミックスからなる光反射層13aを備えている。
このように構成することによって、リフレクター枠体12が窒化物セラミックスから構成されるとともに、その表面に白色セラミックスからなる光反射層13aを備えており、この白色セラミックスからなる光反射層13aは、光反射率が高く、フレクター枠体12自体で発光素子から発光された光を反射することができるので、リフレクター枠体12によって、確実に効率良く反射して、発光素子の輝度を向上することができる。
また、リフレクター枠体12の主材を構成する窒化物セラミックスの熱伝導率が比較的大きく光反射層13aは薄いため、この光反射層を構成する白色セラミックスの熱伝導度が低い場合にもリフレクター枠体12全体としての熱伝導度は高い。このため、発光素子からの熱が、発光素子収納用パッケージ10内に蓄熱することなく、リフレクター枠体12を介して外部に放熱するので、発光素子18が熱によって損傷するおそれがない。
このようなリフレクター枠体12の表面に形成される白色セラミックスからなる光反射層13aについて、以下に詳細に説明する。
この場合、白色セラミックスからなる光反射層13aが、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率が60%以上好ましくは、80%以上であるのが望ましい。このような範囲に、リフレクター枠体12の表面の光反射層13aを構成する白色セラミックスの反射率があれば、発光素子18から発光される光を、光取り出し面側へ効率よく反射することができ、輝度を向上することができる。
また、白色セラミックスからなる光反射層が、400nmの波長の光に対する反射率が80%以上、好ましくは、90%以上であるのが望ましい。このように波長400nmの光に対する反射率が高いため、例えば、発光素子18として、白色LED用として青色発光素子を使用した場合に、発光素子18から発光される光を効率良く反射することができ、輝度を向上することができる。
また、リフレクター枠体12の主材を構成する窒化物セラミックスとしては、例えば、窒化アルミニウム系セラミックス、窒化ケイ素系セラミックス、窒化ホウ素系セラミックスなどの窒化物セラミックスを使用することができるが、熱伝導率の観点から窒化アルミニウムセラミックスを使用するのが好適である。
この場合、このようなセラミック原料粉末に、アルコール類やトルエン等の有機溶媒、適当な有機バインダー、および、グリセリン化合物等の可塑剤、分散剤等を添加混合して泥漿状と成すとともに、これをドクターブレード法等のシート成形技術によって、適宜必要な厚みのシート状とすることにより作成される。
なお、有機バインダーとしては、ポリビニルブチラール、エチルセルロース類やアクリル樹脂類などグリーンシートを調製する際に一般的に使用される公知のものが使用できる。
この場合、グリーンシートの成形性が良好であるので、ポリn―ブチルメタクリレート、ポリビニルブチラールなどを使用するのが好適である。
シート成形後、リフレクター枠体12の主材を構成する窒化物セラミックス焼結体の表面に白色セラミックスを含む組成物からなる層を塗設形成した後、脱脂・焼成を行なえばよい。
この場合、窒化物セラミックス成形体の表面に形成される白色セラミックスからなる層を形成する白色セラミックスとしては、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、(白色)窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン等公知の白色セラミックスが使用できるが、窒化ホウ素系セラミックスが焼結後も反射率が高く、好適である。
また、塗設方法は、セラミック原料粉末を含むペーストを印刷法やスプレコーティングなど、公知の手法により塗布することで作製することが可能である。このとき、下地層との密着性を向上させるためにペーストには下地層の窒化物セラミックスと同じ窒化物セラミックスの粉末を混合してもよい。さらに、白色セラミックス粉末は1種類のみを用いてもよいし、異なる種類のものを混合して用いてもよい。
また、グリーン体の脱脂は、タングステンなどの金属を酸化させないため水素などの還元性ガス、アルゴンや窒素などの不活性ガス、二酸化炭素およびこれらの混合ガスあるいは水蒸気を混合した加湿ガス雰囲気中でグリーン体を熱処理することにより行われる。
また、脱脂は、グリーン体に含まれる有機成分の種類や量に応じて、温度:250℃〜1200℃、保持時間:1分〜1000分の範囲から適宜選択すればよい。焼結条件としては、1600〜2000℃、好ましくは、1750〜1850℃の温度で、1時間〜20時間、好ましくは、2〜10時間焼成を行えばよい。この焼結の際の雰囲気としては、非酸化性ガスの雰囲気下で、常圧で行えばよい。
なお、このよう塗設形成処理により形成される白色窒化セラミックスの反射層13aの膜厚としては、1〜1,000μm、好ましくは、20〜500μmとするのが、反射率、機械的強度を考慮すれば望ましい。
なお、この実施例では、リフレクター枠体12の内側側面に、白色窒化セラミックスを塗設した光反射層13aを設けたが、絶縁基板11の発光素子収納用凹部19の底面にも、光反射層13aを設けることも可能である。
また、絶縁基板11、リフレクター枠体12を、上記の図1に示した実施例のように、白色窒化物セラミックスから構成して、その表面に上記のように別の白色セラミックスからなる反射層13aを形成することも可能である。
白色セラミックスからなる光反射層の形成は、リフレクター枠体の形状に成形された窒化物セラミックスのグリーン体を焼成した後に行うこともできる。
この場合には、先ず、通常の窒化物セラミックスのグリーンシートを用いて、図3(A)〜(D)に示す方法に準じて、窒化物セラミックス(焼結体)からなるリフレクター枠体12を有する発光素子収納用パッケージ前駆体を製造する(この場合、焼成条件としては、通常の焼成条件が採用される)。
そして、得られた前駆体のリフレクター枠体12の光反射面となる面上に、窒化物セラミックスペーストを塗布した後、必要に応じて、脱脂処理を行ってから、還元性ガスを含む雰囲気中で、この窒化物セラミックスペーストが焼結されて得られる焼結体中に、口径0.1μm以上の空隙が残存するような条件で焼成すればよい。
即ち、前記方法では、白色セラミックスペーストを、リフレクター枠体12の形状に成形したグリーン体の表面に塗布して同時焼成するのに対し、この方法では、既に焼結されたリフレクター枠体の表面に、窒化物セラミックスペーストを後焼成により焼き付け、白色窒化物セラミックス層を形成する。
このようにして形成される白色窒化セラミックスの反射層13aの膜厚としては、1〜1,000μm、好ましくは、20〜500μmとするのが、反射率、機械的強度を考慮すれば望ましい。
この方法において、リフレクター枠体12の表面に塗布する窒化物セラミックペーストとしては、リフレクター枠体12のグリーン体を製造するときに使用したペースト(窒化物セラミックス粉体に有機溶媒、有機バインダーなどを混合して調製したもの)と同様のものが使用できる。
一般に、窒化物セラミックスペーストを焼結体基体上に塗布することなくそのまま成形し、所謂グリーン体(またはグリーンシート)として焼成した場合には、焼成時にグリーン体は、三次元的に収縮できるため、窒化物セラミックス粒子は、近傍の粒子を取り込みながら粒成長し、大きな結晶粒が、互いに密接した緻密な焼結体となる。
これに対し、この方法では、窒化物セラミックスペーストは、既に焼結された焼結体の表面に塗布された状態で焼成されるため、当該表面に対して水平な方向の収縮が制限され、十分な粒成長をすることができず、粒界には空隙が残存するようになる。このため、この方法で得られる窒化物焼結体では、光の乱反射が起こりやすくなり、高い光反射率を示すようになったものと考えられる。
このような白色化の原理から、粒界に空隙を導入できればペーストに含まれる窒化物セラミックスの種類によらず白色化が可能であると考えられる。但し、リフレクター枠体12と光反射層との密着性の観点から、両者を構成する窒化物セラミックスは、同種であるのが好ましい。
既に説明した、白色セラミックスペーストとレフレクター枠体12のグリーン体とを同時焼成する方法では、一般に、リフレクター枠体12を構成する窒化物セラミックスと白色セラミックスとでは、種類が異なるため、両者の密着強度を高くすることは難しい。これに対し、この方法では両者を同種の窒化物セラミックス(但し、焼結体のミクロ構造は異なるため異質である)とすることができるため、光反射層の密着強度を高くすることができる。
この方法で、必要に応じて行われる脱脂は、酸素や空気などの酸化性ガス、あるいは水素などの還元性ガス、アルゴンや窒素などの不活性ガス、二酸化炭素及びこれらの混合ガスあるいは水蒸気を混合した加湿ガス雰囲気中で、窒化物セラミックスペーストが塗布された前駆体を熱処理することにより行われる。
また、熱処理条件は、ペーストに含まれる有機成分の種類や量に応じて、温度:250℃〜1200℃、保持時間:1分〜1000分の範囲から適宜選択すればよい。
脱脂処理に引き続き行われる焼成は、得られる焼結体中に、口径が0.1μm以上の空隙が残存するような条件下で行う必要がある。焼結体中に空隙(気孔)を残存させるためには、還元性ガスを含む雰囲気中で焼成を行うとともに、そのときの焼成温度を、緻密な焼結体を得るために行う焼成の際の焼成温度より低くすればよい。
この製造方法においては、2次元方向の収縮が制限されるため、グリーン体の焼成では空隙(気孔)が消滅するような温度で焼結しても、空隙が残存するようになる。例えば、窒化物セラミックスペーストに含まれる窒化物セラミックスが、窒化アルミニウムである場合には、焼成温度を1600〜1780℃、好ましくは、1650〜1780℃、さらに好ましくは、1700〜1750℃とすればよい。
焼成時間は、特に限定されないが、1時間〜20時間、好ましくは、2〜10時間の時間焼成すればよい。1600℃未満では、窒化アルミミウム粒子の焼結が不十分で、焼結体の強度が低いものとなる。また、1780℃を越える温度で焼成した場合には、粒界の空隙が消滅し、高い光反射率を得ることができない。
上記焼成は、還元性ガスを含む雰囲気、好ましくは、還元性ガスとして、カーボン蒸気を含む不活性ガス雰囲気で行う必要がある。還元性ガスを含まない雰囲気中で焼成した場合には、光反射率が低いものが得られることがある。
雰囲気中の還元性ガスの濃度は、窒化アルミニウムペーストに含まれる焼結助剤の種類にもよるが、焼結助剤がアルカリ土類金属を含む化合物である場合には、前記した弱還元性雰囲気であるのが好適である。また、焼結助剤が酸化イットリウム等の希土類元素酸化物である場合には、弱還元性雰囲気若しくはそれより炭素蒸気濃度の低い雰囲気であるのが好ましい。焼結助剤として酸化イットリウム等の希土類元素酸化物を用いた場合には、焼成温度にもよるが、還元性ガスを全く含まない雰囲気で焼成した場合には、粒界の空隙が減少し、光透過率が低下する場合がある。
ここで、粒界に空隙を有する焼結体の空隙の口径は、焼結体断面のSEM写真に認められる空隙についてその口径を測定すればよい。なお、ここでいう口径とは、最大口径を意味する。
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(実施例1) リフレクター枠体を、白色窒化物セラミックスから構成した実施例
平均粒子径が1.5μm、酸素濃度0.8wt%の窒化アルミニウム粉末100質全部と、3CaO・Al23粉末5質量部、ポリn―ブチルメタクリレートをバインダー、ジブチルフタレートを可塑剤、テトラグリセリンモノオレートを表面活性剤、トルエンを溶媒として加え、ボールミルを用いて混合した。
このようにして得られた泥しょうをドクターブレード法によりシート成形を行ない、それぞれ厚さ0.4mmのリフレクター枠体用グリーンシート及び絶縁基板用グリーンシートを作製した。
リフレクター枠体用グリーンシートについて打ち抜き成形を行ない、発光素子収納用凹部19用の貫通穴19aを形成すると共に、絶縁基板用グリーンシートについて貫通孔16を打ち抜きにより形成した。絶縁基板用グリーンシートに形成した貫通孔部16にタングステンを含むペーストを充填すると共に、配線パターン14、15を同じペーストを用いて印刷した。
次いで、2つのグリーンシートを積層し、得られた積層体を水分を含む水素ガスを10(l/分)で流通させながら850℃、2時間、加熱脱脂を行った。なお、脱脂の際の昇温速度は2.5℃/分とした。
次に、得られた脱脂体及び表面積320mm2のカーボン板を、両者が接触しないよう
にして、内容積が84cm3の内壁が窒化ホウ素で構成される炭素製の有蓋容器に入れ、
脱脂体は窒化アルミニウム製の板の上に置いた。なお、上記のカーボン板は、40mm角、厚さ3mm、重量18gの標準カーボン板を1/4の大きさ(10mm×10mm×3mm)に切断したものである。
また、この容器においては、加熱により容器内が加圧状態となった場合には、その圧力により、蓋が僅かに持ち上がり、容器本体と蓋との間に隙間ができて、容器内の圧力は外気圧とほぼ同等保たれるようになっている。
その後、この容器をカーボン炉内に搬入し、窒素雰囲気中、温度1860℃で、保持時間15時間の常圧焼成を行い、焼結体、すなわち、図1に示した発光素子収納用パッケージを得た。
得られた焼結体について、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率(単に、「光反射率」ともいう)と密度を測定した。その結果を表1および表2(各波長における反射率を示している)に示した。
なお、焼結体の熱伝導率は、理学電気(株)製の「熱定数測定装置PS−7」を使用して、レーザーフラッシュ法により測定した。このとき、厚み補正は、検量線により行なった。
また、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率は、日立製作所製の分光光度計を使用して、積分球法により測定した。表1には、上記波長範囲における最低の光反射率及び波長400nmにおける反射率を示した。更に、密度は、東洋精機製自動比重計と上皿電子天秤を使用してアルキメデス法にて測定した。
(実施例2) リフレクター枠体を、白色窒化物セラミックスから構成した例
標準カーボン板を、表1に示したように、1/8の大きさに切断したものを用いて、容器内に収容して、実施例1と同様にして焼結体を得た。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表1および表2に示した。
(比較例1) リフレクター枠体を、従来の窒化物セラミックスから構成した実施例
窒化アルミニウム粉末100重量部、酸化イットリウム5.0重量部、表面活性剤としてテトラグリセリンモノオレート1.0重量部、溶媒としてトルエン40重量部バインダーとして、ポリn−プチルメタクリレート13重量部、可塑剤としてジブチルフタレート4.2重量部、トルエン10重量部、酢酸ブチル5重量部をボールミルにて混合し白色の泥漿を得た。
得られた泥漿を用いてドクターブレード法によりシート成形を行い、夫々厚さ0.4mmのリフレクター枠体用グリーンシート及び絶縁基板用グリーンシートを作製した。得られた2枚のグリーンシートについて、実施例1と同様にして、打ち抜き加工及びタングステンを含むペーストを充填・印刷してから積層を行ない、実施例1と同様にして脱脂を行なった。
脱脂後、脱脂体を窒化アルミニウム製の容器に入れ、窒素雰囲気中、1800℃で、5時間加熱して焼結体を得た。この焼結体は、色調は透光感のある灰色であった。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表1および表2に示した。
この表1および表2の結果から明らかなように、本発明の白色窒化物セラミックスからなる焼結体は、従来の窒化物セラミックスに比較して、光反射率が高く、また400nmの波長においても反射率が低下することなく、発光素子収納用パッケージ10のリフレクター枠体12として用いれば、例えば、発光素子18として、白色LED用として使用した場合に、発光素子18から発光される光を効率良く反射することができ、輝度を向上することができることがわかる。
(実施例3) リフレクター枠体の表面に酸化物からなる光反射層を備えた実施例(酸化処理のみ)
比較例1で得られら焼結体を、大気中1200℃で、5時間、加熱処理することによって焼結体の表面を酸化させた。この焼結体の表面には、酸化被膜であるアルミナ(Al23)が、膜厚20μmで形成されており、色調は白色であった。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表3に示した。
(比較例2)
比較例1と同様にして得られた焼結体について、酸素雰囲気中で、酸化処理を実施例3と同様に行った。但し、酸化処理時間を1時間に短縮して行った。この焼結体の表面には、酸化被膜であるアルミナ(Al23)が、膜厚2μmで形成されており、色調は薄い灰色であった。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表3に示した。
この表3の結果から明らかなように、本発明の酸化処理を行い、表面に酸化物からなる光反射層を有する焼結体は、光反射率が高く、特に、300〜400nmの波長の光に対する反射率が高く、発光素子収納用パッケージ10のリフレクター枠体12として用いれば、例えば、発光素子18として、白色LED用として使用した場合に、発光素子18から発光される光を効率良く反射することができ、輝度を向上することができることがわかる。
(実施例4) リフレクター枠体の表面に白色窒化物セラミックスを塗設形成した光反射層を備えた実施例(窒化ホウ素を用いた)
実施例3と同様にして、シート成形体を得た。その後、リフレクター枠12となるグリーンシートの内側面および表面に、窒化ホウ素粉末を100重量部、他、エチルセルロース、溶媒を加えたペーストを印刷により、15μm塗布した。その後、実施例3と同様にして導体パターンの形成、グリーンシートの積層、脱脂及び焼成を行ない、焼結体の表面に、窒化ホウ素からなる白色窒化物セラミックスの層を形成した。なお、この焼結体の表面の色調は白色であった。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表4に示した。
(実施例5) リフレクター枠体の表面に白色窒化物セラミックスを塗設形成した光反射層を備えた実施例(窒化ホウ素及び酸化アルミニウムを用いた)
実施例4と同様にして焼結体を得た。但し、リフレクター枠12の内側面および表面には、窒化ホウ素粉末を68重量部、酸化アルミニウム粉末を23重量部、酸化イットリウム粉末を9重量部、他、エチルセルロース、溶媒を加えたペーストを印刷により、15μm塗布した。
なお、得られた光反射層の色調は白色であった。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表4に示した。
(実施例6) リフレクター枠体の表面に白色窒化物セラミックスを塗設形成した光反射層を備えた実施例(窒化ホウ素及び窒化アルミニウムを用いた)
実施例4と同様にして焼結体を得た。但し、リフレクター枠12の内側面および表面には、窒化ホウ素粉末を68重量部、窒化アルミニウム粉末を23重量部、酸化イットリウム粉末を9重量部、他、エチルセルロース、溶媒を加えたペーストを印刷により、15μm塗布した。
なお、得られた光反射層の色調は白色であった。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表4に示した。
(実施例7) リフレクター枠体の表面に白色窒化物セラミックスを塗設形成した光反射層を備えた実施例(窒化ホウ素及び酸化マグネシウムを用いた)
実施例4と同様にして焼結体を得た。但し、リフレクター枠12の内側面および表面には、窒化ホウ素粉末を45重量部、酸化マグネシウム粉末を45重量部、酸化イットリウム粉末を9重量部、他、エチルセルロース、溶媒を加えたペーストを印刷により、15μm塗布した。
なお、得られた光反射層の色調は白色であった。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表4に示した。
(実施例8) リフレクター枠体の表面に白色窒化物セラミックスを塗設形成した光反射層を備えた実施例(窒化ホウ素、酸化ホウ素及び窒化アルミを用いた)
実施例4と同様にして焼結体を得た。但し、リフレクター枠12の内側面および表面には、窒化ホウ素粉末を68重量部、酸化ホウ素粉末を9重量部、窒化アルミニウム粉末を23重量部、他、エチルセルロース、溶媒を加えたペーストを印刷により、15μm塗布した。
なお、得られた光反射層の色調は白色であった。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表4に示した。
この表4の結果から明らかなように、白色窒化物セラミックスを塗設形成した光反射層を有する焼結体は、光反射率が高く、特に、300〜400nmの波長の光に対する反射率が高く、発光素子収納用パッケージ10のリフレクター枠体12として用いれば、例えば、発光素子18として、白色LED用として使用した場合に、発光素子18から発光される光を効率良く反射することができ、輝度を向上することができることがわかる。
(実施例9) リフレクター枠体の表面に窒化物セラミックスペーストを後焼成により焼き付け、白色窒化物セラミックス層を形成した例
比較例1と同様にして窒化アルミニウム焼結体からなるリフレクター枠体を有する発光素子収納用前駆体パッケージを作成した。次いで、平均粒径1.5μmの窒化アルミニウム粉末(酸素濃度0.8質量%)100質量部、平均粒径0.5μmの酸化イットリウム(Y23)粉末5質量部とエチルセルロース9重量部、テルピネオール40重量部を混練し25℃における粘度を3500Pに調整した窒化アルミニウムペーストを調製した。
その後、上記前駆体パッケージのリフレクター枠体の光反射面上に上記窒化アルミニウムペーストを厚さ300μmとなるようにスクリーン印刷し、80℃で5分乾燥を行なった。このようにしてペーストを塗布した前駆体を、焼成温度1740℃で4時間焼成する他は実施例1と同様にして焼成を行ない、光反射面が白色窒化アルミニウムからなる発光素子収納用パッケージを得た。
得られたパッケージの光反射面について、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率を、実施例1と同様にして測定した。結果を、図9に示す。さらに、該パッケージの光反射面の破断面の顕微鏡(SEM)写真を、図10に示す。
図10に示されるように、光反射面を構成する(白色)窒化アルミニウム焼結体層中には、口径0.1μm以上の空隙が多数存在することが確認された。
(比較例3)リフレクター枠体の表面に窒化物セラミックスペーストを後焼成により焼き付ける場合において、焼結体に空隙が残存しない条件で焼成を行った例
前駆体の焼成温度を1850℃とする他は、実施例9と同様にして、パッケージを得た。得られたパッケージの光反射面について、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率を、実施例1と同様にして測定したところ、その光反射率は、従来の窒化アルミニウム焼結体(比較例5)と同様であり、350〜700nmのどの波長領域においても光反射率は45%以下であった。また、パッケージの光反射面の破断面を顕微鏡(SEM)観察したが、空隙は認められなかった。
(比較例4) 焼結助剤として酸化エルビウム(約5質量%)を用いた窒化アルミニウム焼結体の例
平均粒径1.5μmの窒化アルミニウム粉末(酸素濃度0.8質量%)100質量部に対して、焼結助剤として、酸化エルビウム(Er23)粉末を5質量部添加した原料粉末を用いて、グリーンシートを作製し、得られたグリーンシートを脱脂した後に、焼成して窒化アルミニウム焼結体を得た。
なお、焼成は、実施例1で用いた容器内に脱脂体(脱脂したグリーンシート)を導入し、カーボン板を導入することなく雰囲気を窒素に置換し、焼成温度1850℃で、4時間焼成することにより行った。得られた焼結体を目視で観察したところ、薄いピンク色をしていた。
この焼結体について実施例1と同様にして光反射率を測定した。その結果を、図9に示す。350〜700nmのどの波長領域においても光反射率は40%以下であった。
(比較例5) 焼結助剤として酸化イットリウム(約5質量%)を用いた通常の窒化アルミニウム焼結体の例
比較例4において、焼結助剤として酸化エルビウムに代えて酸化イットリウム(Y23)に代えた他は同様にして窒化アルミニウム焼結体を得た。得られた焼結体を目視で観察したところ、僅かに透明性を有する灰色をしていた。
この焼結体について、実施例1と同様にして光反射率を測定した。その結果を、図9に示す。350〜700nmのどの波長領域においても、光反射率は45%以下であった。また、得られた焼結体の破歯断面のSEM写真を、図11に示す。図11から、焼結体には空隙が残存していないことが分かる。
以上、本発明の好ましい実施の態様を説明してきたが、本発明はこれに限定されることはなく、例えば、上記実施例では、発光素子として、LEDを用いたが、半導体レーザーなどの発光素子を収容する発光素子収納用パッケージにも適用することも可能であるなど本発明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

Claims (8)

  1. 板状のセラミックス製絶縁基板と、
    前記絶縁基板の外周上面に接合され、その内側面側が光反射面となるセラミックス製リフレクター枠体と、
    前記絶縁基板上面に形成した発光素子接続用配線パターン層と、
    前記絶縁基板とリフレクター枠体とで画成される発光素子収納用凹部と、
    を備え、
    前記発光素子収納用凹部内において、発光素子接続用配線パターン層上に発光素子を実装するようにした発光素子収納用パッケージであって、
    前記リフレクター枠体は、
    窒化物セラミックス焼結体と、該窒化物セラミックス焼結体の表面を被覆する、該窒化物セラミックス焼結体とは焼結体のミクロ構造または種類が異なる白色セラミックスとで構成されたものであり、
    前記光反射面は、前記白色セラミックスで構成されることを特徴とする発光素子収納用パッケージ。
  2. 前記光反射面を構成する前記白色セラミックスが、前記リフレクター枠体を構成する窒化物セラミックスを酸化処理して得られた、厚さ5〜1000μmの酸化物で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子収納用パッケージ。
  3. 前記光反射面が、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率が50%以上である白色セラミックスで構成されることを特徴とする請求項1から2のいずれかに記載の発光素子収納用パッケージ。
  4. 前記白色セラミックスが、400nmの波長の光に対する反射率が55%以上であることを特徴とする請求項3に記載の発光素子収納用パッケージ。
  5. 前記絶縁基板が、窒化物セラミックスで構成されることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の発光素子収納用パッケージ。
  6. 請求項2に記載の発光素子収納用パッケージを製造する方法であって、
    窒化物セラミックスを焼結後に、酸素雰囲気下で酸化処理することによって、窒化物セラミックスから構成されるとともに、その表面に酸化処理された酸化物で構成される光反射面を有するリフレクター枠体を得る工程を含むことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法。
  7. 請求項1に記載の発光素子収納用パッケージを製造する方法であって、
    窒化物セラミックスを含む化合物を含有する組成物を、前記リフレクター枠体の形状に成形する工程、
    前記成形工程で得られた成形体の光反射面となる面上に、白色セラミックスを含有する組成物を塗布する工程、
    白色セラミックスを含有する組成物が塗布された成形体を焼結することにより、光反射面を有するリフレクター枠体を得る工程、
    を含むことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法。
  8. 請求項1に記載の発光素子収納用パッケージを製造する方法であって、
    窒化物セラミックスからなるリフレクター枠体を有する発光素子収納用パッケージ前駆体を準備する工程と、
    前記準備工程で準備された前駆体の前記リフレクター枠体の光反射面となる面上に窒化物セラミックスペーストを塗布する工程と、
    前記塗布工程で窒化物セラミックスペーストが塗布された前駆体を、還元性ガスを含む雰囲気中で焼成する工程とを含み、
    前記焼成工程において、前記窒化物セラミックスペーストが焼結されて得られる焼結体中に口径0.1μm以上の空隙が残存するような条件で前記焼成を行うことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法。
JP2006531522A 2004-08-03 2005-08-03 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 Expired - Fee Related JP5094118B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006531522A JP5094118B2 (ja) 2004-08-03 2005-08-03 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004226943 2004-08-03
JP2004226943 2004-08-03
JP2006531522A JP5094118B2 (ja) 2004-08-03 2005-08-03 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法
PCT/JP2005/014223 WO2006013899A1 (ja) 2004-08-03 2005-08-03 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2006013899A1 JPWO2006013899A1 (ja) 2008-05-01
JP5094118B2 true JP5094118B2 (ja) 2012-12-12

Family

ID=35787180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006531522A Expired - Fee Related JP5094118B2 (ja) 2004-08-03 2005-08-03 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7737461B2 (ja)
EP (1) EP1796179A4 (ja)
JP (1) JP5094118B2 (ja)
KR (1) KR100865701B1 (ja)
CN (1) CN100589257C (ja)
MY (1) MY140301A (ja)
WO (1) WO2006013899A1 (ja)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004014207A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
US7876053B2 (en) * 2004-06-21 2011-01-25 Tokuyama Corporation Nitride sintered body and method for manufacturing thereof
WO2006019090A1 (ja) * 2004-08-18 2006-02-23 Tokuyama Corporation 発光素子搭載用セラミックス基板およびその製造方法
KR101147029B1 (ko) 2007-02-02 2012-05-17 가부시끼가이샤 도꾸야마 질화알루미늄 소결체 및 그 제조 방법
JP5137059B2 (ja) * 2007-06-20 2013-02-06 新光電気工業株式会社 電子部品用パッケージ及びその製造方法と電子部品装置
TW200915597A (en) * 2007-09-17 2009-04-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode device
JP5086862B2 (ja) * 2008-03-31 2012-11-28 日本特殊陶業株式会社 発光素子実装用配線基板の製造方法
KR100958024B1 (ko) * 2008-08-05 2010-05-17 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
TWI528508B (zh) * 2008-10-13 2016-04-01 榮創能源科技股份有限公司 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法
US8580593B2 (en) * 2009-09-10 2013-11-12 Micron Technology, Inc. Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices
JP5479073B2 (ja) * 2009-12-21 2014-04-23 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
JP5545246B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-09 信越化学工業株式会社 樹脂組成物及び発光半導体素子用リフレクター、及び発光半導体装置
WO2011126135A1 (ja) * 2010-04-09 2011-10-13 ローム株式会社 Ledモジュール
US9159892B2 (en) * 2010-07-01 2015-10-13 Citizen Holdings Co., Ltd. LED light source device and manufacturing method for the same
EP2629342B1 (en) 2010-10-22 2014-09-17 Panasonic Corporation Unsaturated polyester resin composition for use in led reflector, and led reflector and led luminaire using said composition
KR101723541B1 (ko) * 2010-11-03 2017-04-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 표시장치
JP5888690B2 (ja) * 2010-11-08 2016-03-22 奥野製薬工業株式会社 白色セラミックカラー組成物
JP5728960B2 (ja) * 2011-01-17 2015-06-03 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース
JP5728961B2 (ja) * 2011-01-17 2015-06-03 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース
JP2012238830A (ja) * 2011-05-09 2012-12-06 Lumirich Co Ltd 発光ダイオード素子
TW201312799A (zh) * 2011-09-02 2013-03-16 Syue-Min Li 發光二極體元件
CN102313256A (zh) * 2011-09-09 2012-01-11 福建省万邦光电科技有限公司 Led光源多杯模块用镀陶瓷层底座
CN102306695A (zh) * 2011-09-09 2012-01-04 福建省万邦光电科技有限公司 Led光源单杯模块用镀陶瓷层底座
TWI484674B (zh) * 2011-12-08 2015-05-11 Genesis Photonics Inc 電子元件
KR101353299B1 (ko) * 2012-03-14 2014-01-22 주식회사티티엘 고효율 고방열구조의 led패키지 구조 및 그 제조방법
CN104471732B (zh) 2012-06-04 2018-02-09 日本优必佳株式会社 Led反射板用结晶性不饱和聚酯树脂组合物、包含前述组合物的粒状物、成型前述粒状物而成的led反射板、表面安装型发光装置以及具备该发光装置的照明装置及图像显示装置
KR101372346B1 (ko) * 2012-08-23 2014-03-12 엘티스 주식회사 배면에 패턴을 형성한 led기판
CN104064655B (zh) * 2013-03-22 2019-02-01 光宝电子(广州)有限公司 Led封装体及其制造方法
JP2014225636A (ja) * 2013-04-16 2014-12-04 株式会社ディスコ 発光デバイス
US9923132B2 (en) 2013-05-24 2018-03-20 Cree, Inc. Solid state lighting component package with conformal reflective coating
KR20150007865A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 타겟의 제조 방법, 그 방법으로 제조된 스퍼터링 타겟 및 그 스퍼터링 타겟을 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법
US20150200336A1 (en) * 2014-01-10 2015-07-16 Cree, Inc. Wafer level contact pad standoffs with integrated reflector
JP6540050B2 (ja) * 2014-04-09 2019-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN106252498B (zh) * 2016-08-05 2018-07-06 东莞市钰晟电子科技有限公司 一种led背光源散热基板材料的制备方法
WO2019045506A1 (ko) * 2017-09-01 2019-03-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 광원 장치
TW202027304A (zh) * 2018-08-24 2020-07-16 日商丸文股份有限公司 深紫外led裝置及其製造方法
GB201817483D0 (en) * 2018-10-26 2018-12-12 Barco Nv Led package
CN116410000A (zh) * 2021-12-31 2023-07-11 江苏博睿光电股份有限公司 一种基板、制备方法及应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0656535A (ja) * 1992-08-11 1994-03-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH0692739A (ja) * 1992-09-14 1994-04-05 Toshiba Corp 窒化アルミニウム焼結体
JPH0840773A (ja) * 1994-08-03 1996-02-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化アルミニウムセラミックスおよびその製造方法
JPH1112039A (ja) * 1997-06-19 1999-01-19 Sumitomo Metal Ind Ltd 高放熱リッド用の窒化アルミニウム系焼結体の製造方法
JP2004207678A (ja) * 2002-10-30 2004-07-22 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06206772A (ja) * 1992-11-18 1994-07-26 Toshiba Corp 窒化アルミニウム焼結体およびセラミック回路基板
JPH08274378A (ja) 1995-03-30 1996-10-18 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージ
JP4737842B2 (ja) 2001-01-30 2011-08-03 京セラ株式会社 発光素子収納用パッケージの製造方法
JP2003273405A (ja) 2002-03-19 2003-09-26 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージ
JP2004152952A (ja) 2002-10-30 2004-05-27 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP4268440B2 (ja) 2003-04-18 2009-05-27 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
US7876053B2 (en) * 2004-06-21 2011-01-25 Tokuyama Corporation Nitride sintered body and method for manufacturing thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0656535A (ja) * 1992-08-11 1994-03-01 Shinko Electric Ind Co Ltd 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH0692739A (ja) * 1992-09-14 1994-04-05 Toshiba Corp 窒化アルミニウム焼結体
JPH0840773A (ja) * 1994-08-03 1996-02-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化アルミニウムセラミックスおよびその製造方法
JPH1112039A (ja) * 1997-06-19 1999-01-19 Sumitomo Metal Ind Ltd 高放熱リッド用の窒化アルミニウム系焼結体の製造方法
JP2004207678A (ja) * 2002-10-30 2004-07-22 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1796179A4 (en) 2011-08-10
WO2006013899A1 (ja) 2006-02-09
MY140301A (en) 2009-12-31
CN100589257C (zh) 2010-02-10
KR100865701B1 (ko) 2008-10-29
KR20070039075A (ko) 2007-04-11
EP1796179A1 (en) 2007-06-13
CN101027781A (zh) 2007-08-29
US7737461B2 (en) 2010-06-15
US20070272938A1 (en) 2007-11-29
JPWO2006013899A1 (ja) 2008-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5094118B2 (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法
JP5140275B2 (ja) 発光素子搭載用セラミックス基板およびその製造方法
JP5404724B2 (ja) 窒化物焼結体、及びその製造方法
JP5937012B2 (ja) 電子部品素子収納用パッケージ
JP5206770B2 (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
JP5073179B2 (ja) 発光素子収納用窒化アルミニウム焼結体
JP4804109B2 (ja) 発光素子用配線基板および発光装置並びに発光素子用配線基板の製造方法
JP2006093565A (ja) 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法
JP5720454B2 (ja) 発光素子搭載用基板とその製造方法および発光装置
JP2008117932A (ja) リフレクターとそれを備えた発光素子収納用パッケージと発光装置
JP2006066409A (ja) 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法
KR20060031629A (ko) 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자
JP5451451B2 (ja) 表面実装型発光素子用配線基板およびこれを備えた発光装置
JP2006066630A (ja) 配線基板および電気装置並びに発光装置
JP2008042112A (ja) 発光素子収納用パッケージ
JP2011192981A (ja) 発光素子搭載基板およびこの基板を用いた発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110408

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110712

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110908

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20120203

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120821

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120918

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees