JP5094118B2 - 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 - Google Patents
発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5094118B2 JP5094118B2 JP2006531522A JP2006531522A JP5094118B2 JP 5094118 B2 JP5094118 B2 JP 5094118B2 JP 2006531522 A JP2006531522 A JP 2006531522A JP 2006531522 A JP2006531522 A JP 2006531522A JP 5094118 B2 JP5094118 B2 JP 5094118B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting element
- light emitting
- light
- reflector frame
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 200
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 110
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 53
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 32
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 13
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 78
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 39
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 20
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 15
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 15
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 10
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 9
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 8
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 7
- -1 rare earth compound Chemical class 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 5
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 3
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 2
- ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N calcium nitrate Chemical compound [Ca+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ZCCIPPOKBCJFDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N erbium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Er+3].[Er+3] ZXGIFJXRQHZCGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001490 poly(butyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/583—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
- C04B35/587—Fine ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/634—Polymers
- C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C04B35/6342—Polyvinylacetals, e.g. polyvinylbutyral [PVB]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/634—Polymers
- C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C04B35/63424—Polyacrylates; Polymethacrylates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/636—Polysaccharides or derivatives thereof
- C04B35/6365—Cellulose or derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
- C04B2235/3212—Calcium phosphates, e.g. hydroxyapatite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
- C04B2235/3222—Aluminates other than alumino-silicates, e.g. spinel (MgAl2O4)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
- C04B2235/442—Carbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
- C04B2235/443—Nitrates or nitrites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
- C04B2235/444—Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
- C04B2235/445—Fluoride containing anions, e.g. fluosilicate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
- C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/652—Reduction treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6587—Influencing the atmosphere by vaporising a solid material, e.g. by using a burying of sacrificial powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
- C04B2235/723—Oxygen content
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9646—Optical properties
- C04B2235/9661—Colour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
従来、このような発光素子を収容するための発光素子収納用パッケージとしては、特許文献1(特開2002−232017号公報)に開示される発光素子収納用パッケージが提案されている。
そして、この絶縁基板111の発光素子収納用凹部119の位置に、すなわち、発光素子収納用凹部119の真下に、絶縁基板111の上下にわたって貫通する配線用貫通孔(いわゆるビアホール)116が設けられている。この配線用貫通孔116の中に、導電部材117が充填されており、この導電部材117を介して、絶縁基板111の上下面の配線パターン層114、115が導通し、上面の配線パターン層114に実装されている発光素子118が電気的に外部の電気回路と導通できるよう構成されている。
なお、この発光素子収納用パッケージ100においては、絶縁基板111の発光素子収納用凹部119の内壁面、すなわち、リフレクター枠体112の内壁面に発光素子118の発する光を反射させて、発光素子118の発光輝度を実質的に増大させる作用をなすための光反射層113が被着されている。そして、この光反射層113により発光素子118の発する光は明るく輝き、電光表示板として表示される文字や画像を明るく極めて鮮明なものとしている。
しかしながら、このような特許文献1の発光素子収納用パッケージ100では、リフレクター枠体112の内壁面全面に光反射層113を設けているので、光反射層113の下方部分と、発光素子収納用凹部119の底面の配線パターン層114とが短絡してしまい、発光素子118の機能を阻害するおそれがある。
なお、この特許文献2の発光素子収納用パッケージ200では、図7に示したように、絶縁基板211に配線用貫通孔を設けず、リフレクター枠体212と絶縁基板211との間に配設した配線パターン層201が絶縁基板211の外側面を通ることにより、この配線パターン層201を介して、この絶縁基板211の上下面に被着された配線パターン層214、215が導通するよう構成されている。
また、文献1、2共に、光反射層は金、銀、ニッケルを例として挙げているが、金やニッケルは光の反射率が400nm以下では50%以下と低く、銀は300〜350nmの間に吸収があるため、350nm以下の領域では反射率が一般に50%以下と低い。しかし白色LED用の発光素子は通常、青色もしくは近紫外域の光を発光し、それを種々の蛍光体で各種の波長へと変換する為、350〜430nmの波長の光を発する発光素子の光を効率良く反射することが、輝度を向上させる上で重要となる。
なお、特許文献3の発光素子収納用パッケージ300では、図8に示したように、絶縁基板312の発光素子収納用凹部319の下方から、絶縁基板312の中間位置に形成した中間配線部313を介して、絶縁基板312の下面にいたる配線用貫通孔316が形成されている。そして、この配線用貫通孔316の中に、導電部材317が充填されており、この導電部材317を介して、絶縁基板312の上下面の配線パターン層314、315が導通し、上面の配線パターン層314に実装されている発光素子318が電気的に外部の電気回路と導通できるよう構成されている。
しかしながら、この特許文献において、リフレクター枠体として実際に使用されているセラミックスは、アルミナを主成分とする特定組成のSiO2−Al2O3−MgO−ZrO2−CaO系セラミックスであり、アルミナを96.25wt%含むことからも分かるように、その熱伝導率はやはり低い。
しかし、特許文献4には、このような記載に対応する実施例の開示はなく、実際に窒化アルミニウム質焼結体の総重量に対して、Er2O3の含有量を、1〜10重量%にして、焼結しても、白色の焼結体を得ることはできないことが確認されている(本願の後述する比較例4を参照)。
板状のセラミックス製絶縁基板と、
前記絶縁基板の外周上面に接合され、その内側面側が光反射面となるセラミックス製リフレクター枠体と、
前記絶縁基板上面に形成した発光素子接続用配線パターン層と、
前記絶縁基板とリフレクター枠体とで画成される発光素子収納用凹部と、
を備え、
前記発光素子収納用凹部内において、発光素子接続用配線パターン層上に発光素子を実装するようにした発光素子収納用パッケージであって、
前記リフレクター枠体が、主として窒化物セラミックスで構成されるとともに、前記リフレクター枠体の光反射面が、白色セラミックスで構成されることを特徴とする。
また、本発明のパッケージでは、従来のようにリフレクター枠体の内壁面に金属製の光反射層を設ける必要がないので、発光素子収納用凹部の底面に形成した配線パターン層が短絡することがなく、発光素子の発光機能が妨げられることがない。
さらに、リフレクター枠体の本体が、熱伝導率が大きな窒化物セラミックスで構成されているため、発光素子からの熱が、発光素子収納用パッケージ内に蓄熱することなく、リフレクター枠体を介して外部に放熱するので、発光素子が熱によって損傷するおそれがない。
また、本発明の発光素子収納用パッケージは、前記光反射面を構成する白色セラミックスが、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率が50%以上であることを特徴とする。
また、本発明の発光素子収納用パッケージは、前記光反射面を構成する白色セラミックスが、400nmの波長の光に対する反射率が55%以上であることを特徴とする。
本発明の発光素子収納用パッケージにおけるリフレクター枠体の態様としては、
(1)リフレクター枠体全体が、白色窒化物セラミックスで構成される態様、
(2)リフレクター枠体の本体は、窒化物セラミックスで構成され、少なくとも光反射面となる表面部分が、この窒化物セラミックスを酸化処理して得られた酸化物層で構成される態様、および、
(3)リフレクター枠体の本体は、窒化物セラミックスで構成され、少なくとも光反射面となる表面部分が、この窒化物セラミックスとは異質の白色セラミックス層からなる態様、
が挙げられる。
特に、リフレクター枠体が、熱伝導率140(W/m・K)以上で、密度が3.10g/cm3以上である白色窒化アルミニウムセラミックスで構成されるものは、放熱性、機械的強度および光反射率が共に高いという優れた特徴を有する。
また、本発明の発光素子収納用パッケージのうち、リフレクター枠体が(2)または(3)の態様であるものは、リフレクター枠体本体の材質を光反射面の材質と同じにする必要がないので、材料選択の自由度が大きく、リフレクター枠本体の材料として、より熱伝導性が高いものが使用できるとともに、光反射面の材料として、より光反射率の高い材料が使用できるという特徴を有する。
すなわち、本発明は、(1)の態様のリフレクター枠体を有する発光素子収納用パッケージを効率的に製造する方法として、
窒化物セラミックスと、アルカリ土類金属とを含む化合物を含有する組成物を成形して、この成形体を弱還元性雰囲気下で焼結して、白色窒化物セラミックスから構成されるリフレクター枠体を得る工程を含むことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法を提供する。
窒化物セラミックスを焼結後に、酸素雰囲気下で酸化処理することによって、窒化物セラミックスから構成されるとともに、その表面に酸化処理された酸化物からなる光反射面を有するリフレクター枠体を得る工程を含むことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法を提供する。
窒化物セラミックスを含む化合物を含有する組成物を、前記リフレクター枠体の形状に成形する工程、
前記成形工程で得られた成形体の光反射面となる面上に、白色セラミックスを含有する組成物を塗布する工程、
白色セラミックスを含有する組成物が塗布された成形体を焼結することにより、光反射面を有するリフレクター枠体を得る工程、
を含むことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法を提供する。
窒化物セラミックスからなるリフレクター枠体を有する発光素子収納用パッケージ前駆体を準備する工程と、
前記準備工程で準備された前駆体の前記リフレクター枠体の光反射面となる面上に窒化物セラミックスペーストを塗布する工程と、
前記塗布工程で窒化物セラミックスペーストが塗布された前駆体を、還元性ガスを含む雰囲気中で焼成する工程とを含み、
前記焼成工程において、前記窒化物セラミックスペーストが焼結されて得られる焼結体中に口径0.1μm以上の空隙が残存するような条件で前記焼成を行うことを特徴とする方法を提供する。
また、本発明のパッケージでは、従来のようにリフレクター枠体の内壁面に金属製の光反射層を設ける必要がないので、発光素子収納用凹部の底面に形成した配線パターン層が短絡することがなく、発光素子の発光機能が妨げられることがない。
さらに、リフレクター枠体の本体が、熱伝導率が大きな窒化物セラミックスで構成されているため、発光素子からの熱が、発光素子収納用パッケージ内に蓄熱することなく、リフレクター枠体を介して外部に放熱するので、発光素子が熱によって損傷するおそれがない。
11 絶縁基板
12 リフレクター枠体
13 光反射層
13a 光反射層
14 発光素子接続用配線パターン層
15 供給用配線パターン層
16 配線用貫通孔
17 導電部材
18 発光素子
19 発光素子収納用凹部
20 バンプ電極
22 導電部
図1は、本発明の発光素子収納用パッケージの実施例を示す断面図である。
図1において、10は、全体で、本発明の発光素子収納用パッケージ10を示している。発光素子収納用パッケージ10は、略四角平板状のセラミック製の絶縁基板11と、絶縁基板の外周上面に接合されたリフレクター枠体12を備えている。そして、これらの絶縁基板11とセラミック製のリフレクター枠体12によって、その中央部には、発光素子18を収納するための発光素子収納用凹部19が画成されている。
また、図1に示したように、絶縁基板11の下面には、図示しない回路基板などに電気的に接続するための供給用配線パターン層15が被着形成されている。また。絶縁基板11の上面には、外縁部から発光素子収納用凹部19内にいたる発光素子接続用配線パターン層14が被着形成されている。
一方、発光素子接続用配線パターン層14と供給用配線パターン層15を構成する材料としては、導電部材17と同様な材料を用いることができる。
この場合、貫通穴19aは、形状を決定するもではないが、略円形としておくと、貫通穴19a内に収容される発光素子18が発光する光を、略円形の貫通穴19aの内壁面(光反射面)で全方向に満遍なく反射させて外部に均一に放出することができ好ましい。
さらに、図2に示すように、発光素子18が発光する光を外部に均一かつ効率的に放出するためには、リフレクター枠体12の内側面(光反射面)の角度を適宜変化させ、使用状況に併せて光を反射させるのが好ましい。すなわち、リフレクター枠体12の内側面が、内側に傾斜したテーパー面状に形成されているのが望ましい。
このように、発光素子18が発光する光を反射させる度合いは、搭載される場所や用途により異なるため、適宜、角度θを調整することにより、使用状況に応じた発光素子収納用パッケージを提供することができる。
このように構成することによって、リフレクター枠体12の、光反射面をも含めて全ての面が白色窒化物セラミックスから構成されることになる。この白色窒化物セラミックスは、光反射率が高く、フレクター枠体12自体で発光素子から発光された光を反射することができるので、リフレクター枠体12によって、確実に効率良く反射して、発光素子の輝度を向上することができる。
また、リフレクター枠体12が、熱伝導率が比較的大きな白色窒化物セラミックスで構成されているので、発光素子18からの熱が、発光素子収納用パッケージ10内に蓄熱することなく、リフレクター枠体12を介して外部に放熱されるので、発光素子18が熱によって損傷するおそれがない。
発光素子収納用パッケージ10において、リフレクター枠体12は、発光素子からの光を有効に反射して輝度を向上させるという機能ばかりでなく、発光素子で発生した熱を外部に逃がすという機能も有する。このため、リフレクター枠体12を構成する白色窒化物セラミックスとしては、光反射率及び熱伝導性が共に高い材料を使用するのが好適である。
また、このような白色窒化物セラミックスは、400nmの波長の光に対する反射率が55%以上であるのが望ましい。このように波長400nmの光に対する反射率が高いため、例えば、発光素子18として、白色LED用として青色発光素子を使用した場合に、発光素子から発光される光を効率良く反射することができ、輝度を向上することができる。
発光素子18からの熱が、発光素子収納用パッケージ10内に蓄熱することなく、リフレクター枠体12を介して外部に放熱されるためには、熱伝導率が高く、光反射率の大きな絶縁材料からリフレクター枠体12を構成する必要があるが、このような要求を満足する絶縁材料はこれまで知られていない。例えば、熱伝導性の高い絶縁材料としては窒化アルミニウム焼結体が知られているが、従来知られている窒化アルミニウム焼結体は、その色調は透光感のある灰色であり、光の反射率の点で問題がある。
この場合、本発明において用いられる窒化アルミニウム系セラミックスとは、窒化アルミニウムからなるセラミックス、または、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスを意味する。
また、本発明において好適に用いられる前記窒化アルミニウム系セラミックスは、単結晶体、多結晶体、非品質、非品質と結晶質が混在するものの何れであってもよいが、製造の容易さから多結晶体であるのが望ましい。
すなわち、熱伝導率は、熱定数測定装置を使用してレーザーフラッシュ法により測定することにより測定することができる。このとき、厚み補正は、検量線を作成して行なえばよい。また、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率は、分光光度計を使用して、積分球法により測定することができる。また、密度は、自動比重計と上皿電子天秤を使用して、アルキメデス法により測定することができる。
具体的には、以下のような製造方法によって得ることができる。
先ず、窒化アルミニウム粉末100質量部と、アルカリ土類金属を含む化合物0.5〜10質量部とを含有する組成物を成形して、成形体を準備する(成形体準備工程)。
このようなアルカリ土類金属を含む化合物として、望ましい化合物を具体的に例示すれば、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、硝酸カルシウム、炭酸カルシウム、リン酸カルシウム、3CaO・Al2O3を挙げることができる。これらの中でも、熱伝導率および光反射率の高いものを得ることができるためには、3CaO・Al2O3を使用するのが最も望ましい。
ところで、アルカリ土類金属を含む化合物として、3CaO・Al2O3を使用する場合には、3CaO・Al2O3をそのまま添加してもよいし、焼結時に所定量の3CaO・Al2O3となるように、CaOとAl2O3を、モル比3:1で添加してもよい。
また、焼結助剤として、3CaO・Al2O3等のアルカリ土類を含む化合物を用いた場合においてもこれら化合物は、焼結体中においてそのままの形で存在するのではなく、融点の低い複合酸化物に転化したり、場合によっては、焼結時に雰囲気中に含まれる炭素と反応して揮散したりするという現象が起こっていると考えられる。
有機バインダーとしては、ポリビニルブチラール、エチルセルロース類やアクリル樹脂類などグリーン体を調製する際に一般的に使用される公知のものが制限なく使用できるが、グリーン体の成形性が良好であるという理由から、ポリn―ブチルメタクリレート、またはポリビニルブチラールを使用するのが望ましい。なお、有機バインダーの使用量は、プレス成形体を得る場合には、窒化アルミニウム100質重量部当たり2〜15質量部、シート体を得る場合には、同じく5〜15質量部とするのが望ましい。
また、脱脂は、グリーン体に含まれる有機成分の種類や量に応じて、温度:250℃〜1200℃、保持時間:1分〜1000分、の範囲から適宜選択すればよい。
また、脱脂処理後の成形体(脱脂体)には、有機バインダーの残分としての炭素成分が含まれるが、この炭素成分の量(濃度)は、5000ppm以下にすることが好ましく、3500ppm以下にすることがさらに好ましい。すなわち、炭素成分の濃度が5000ppmを超える場合には、焼成時に窒化アルミニウム焼結体の緻密化が著しく抑制され、高い熱伝導率を有する焼結体を得るのが困難になるからである。
焼結助剤としてイットリア等の希土類金属を含まない化合物を用いた場合、焼結雰囲気が還元性(炭素を含む)であると焼結性が低下し、良好な焼結体は得られにくい。これとは逆に、酸化カルシウム等のアルカリ土類金属系の焼結助剤を用いた場合に、230W/m・Kクラスの高い熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体を得ようとする場合には、比較的強い還元性雰囲気で焼結助剤を揮散等により消失させながら焼結する必要がある(例えば、特開2004−315329号公報参照)。
すなわち、先ず、
(1)取り外し可能な蓋を有する容器であって、少なくともその内壁が窒化ホウ素で構成され、蓋を閉めた状態で、容器の内部の圧力と容器の外部の圧力とを実質的に同等に保つための手段を有する容器を準備する。次に
(2)この容器の内部に、容器の容積1cm3当たり、0.024〜24mm2の表面積を有する炭素板を収納する。そして、
(3)この容器内の雰囲気を、不活性ガス及び/又は水素ガスに置換する。次に、
(4)蓋を閉めた状態で、この容器の外部雰囲気を、容器内の雰囲気と同じ不活性ガス及び/又は水素ガス雰囲気とする。その後、
(5)この状態で、この容器と容器内に収納した炭素板とを、1650℃〜1950℃、好ましくは、1700〜1900℃に加熱する。なお、この状態では、容器内に収容した炭素板から炭素が揮発しても、炭素板自体は残っている状態である。
ところで、現在の分析技術では、1650℃〜1950℃といった非常に高温なガスについて、そのガス内に含まれる炭素ガスの濃度を測定することは実質的に不可能である。このため、本発明においては、「弱還元性雰囲気」を、これを実現するための具体的方法に準じて特定している。
また、一般に、窒化アルミニウムの焼結には、高温を必要とするため、カーボン炉が使用されている。しかしながら、カーボン炉を用いる場合には、炉材のカーボンの昇華の影響により、焼結雰囲気の制御が困難となる。従って、本発明では、この炉材の影響を排除するために、被焼結物である成形体を、上記したような特殊な容器、すなわち、その内面が窒化ホウ素等の耐熱性材料で構成される容器内に入れて加熱し、焼結を行なっている。
なお、耐熱性材料とは、焼結温度において、融解、分解、昇華をしない材料を意味し、このような耐熱材料としては、窒化ホウ素以外に、例えば、窒化アルミニウム等も使用できる。
このような焼成温度としては、1650℃〜1950℃の範囲とするのが望ましい。すなわち、焼成温度が、1650℃より低い場合には、緻密な焼結体が得られず、結果として、焼結体の強度が低下するからである。また、焼成温度が、1950℃より高い場合には、窒化アルミニウム中の不純物酸素と希土類化合物などから生成する液相が、焼成時に焼結体の外側に染み出してしまい、緻密な焼結体が得られにくくなるからである。
さらに、容器内に収容する炭素板としては、グラファイト板、またはシートが好適に使用できる。グラファイト板の厚さは、特に限定されないが、0.1〜5mmのものを使用するのが望ましい。なお、使用する炭素板の大きさは、効果を考慮すれば、容器の容積1cm3当たり、炭素板の表面積が、0.05〜10mm2、好ましくは、1.0〜5.0mm2であるのが望ましい。
以下に、このように構成される本発明の発光素子収納用パッケージ10を製造する方法について説明する。
まず、図3(A)に示すように、絶縁基板11の基となるセラミックグリーンシート11aとリフレクター枠体12の基となるセラミックグリーンシート12aとを用意する。
このようなセラミックグリーンシート11a、12aは、上記のような白色窒化物セラミックスで説明したような窒化アルミニウム系セラミックスを用いればよい。
壁がセラミックグリーンシート12aの一方の主面から他方の主面に向けて一定の角度で広がるように形成することにより、リフレクター枠体12の貫通穴19aの内壁が、絶縁基板11の上面に対して一定の角度で外側に広がるように形成することができる。
そして、絶縁基板11の下面には、図示しない回路基板などの電気的に接続するための供給用配線パターン層15を、絶縁基板11の上面には、外縁部から発光素子収納用凹部19内にいたる発光素子接続用配線パターン層14を、それぞれ、例えば、スクリーン印刷などによって、必要な配線パターンに印刷塗布して形成する。
この場合、発光素子接続用配線パターン層14と供給用配線パターン層15を形成する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、
(i)絶縁基板上に、タングステンなどの高融点金属をパターン印刷後、同時焼成して形成し、その上にニッケル、銀、金メッキを施す方法、
(ii)絶縁基板上に、上記と同様にして、同時焼成法により高融点金属層を形成し、その上に、スパッタ法によって、金属薄膜パターンを形成する方法、
などの公知のパターン形成法を採用することができる。
このような接着は、上記のようにセラミックグリーンシート11a、12aに、有機バインダーおよび溶剤を含む接着成分が含まれているので、セラミックグリーンシート12aを、セラミックグリーンシート11aの上面に重ねて、これらを約60〜140℃の温度で加熱しながら10KPa〜100KPa程度の圧力で圧着する方法が用いられる。
次に、このように形成したグリーン体を、脱脂した後、積層されたセラミックグリーンシート11a、12a、および、これらに塗布された導電ペーストを高温で焼成することによって、絶縁基板11とリフレクター枠体12とが焼結一体化された焼結体が得られる。
焼結後、適宜、この焼結体の導電部、すなわち、発光素子接続用配線パターン層14と供給用配線パターン層15の露出面に、電解メッキ法や無電解メッキ法によりニッケルや金・白金・パラジウム、ロジウム、銀等のメッキ金属層を被着させることにより、図1(図2)に示した発光素子収納用パッケージが完成する。
この実施例の発光素子収納用パッケージ10は、図1および図2に示したと基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付している。
この実施例の発光素子収納用パッケージ10では、図4に示したように、リフレクター枠体12が、窒化物セラミックスから構成されるとともに、その表面に、すなわち、リフレクター枠体12の内側側面(光反射面)に、酸化処理された酸化物からなる光反射面13を有している。
さらに、リフレクター枠体12の主材を構成する窒化物セラミックスは、熱伝導率が比較的大きく、窒化物セラミックスを酸化処理して得られる酸化物層23は薄いので、発光素子18からの熱が、発光素子収納用パッケージ10内に蓄熱することなく、リフレクター枠体12を介して外部に放熱するので、発光素子18が熱によって損傷するおそれがない。
この場合、酸化物層23が、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率が60%以上あるのが望ましい。このような反射率があれば、酸化物層23によって形成される光反射面13において発光素子18から発光される光を、光取り出し面側へ効率よく反射することができ、輝度を向上することができる。
このように窒化物セラミックスを焼結後に、酸素雰囲気下で酸化処理することによって、窒化物セラミックス焼結物の表面に、酸化アルミニウム層等の酸化物層が形成されることになり、光反射率が良好で、電気絶縁性を有し、熱伝導率が比較的大きな酸化物層23からなる光反射面13をリフレクター枠体12の表面に形成することができる。
この場合、グリーン体の脱脂は、タングステンなどの金属を酸化させないため水素などの還元性ガス、アルゴンや窒素などの不活性ガス、二酸化炭素およびこれらの混合ガスあるいは水蒸気を混合した加湿ガス雰囲気中でグリーン体を熱処理することにより行われる。
また、酸化処理条件としては、800〜1500℃、好ましくは、1200〜1400℃の温度で、5〜100時間、好ましくは、10〜20時間、焼成を行えばよい。好適には、窒化物セラミックスを1200℃、5時間以上酸化して酸化物層を形成するのが望ましい。
このような酸化処理により形成される酸化物の膜厚としては、5〜1,000μm、好ましくは10〜500μmとするのが、反射率、機械的強度の点から望ましい。
このように構成される本発明の発光素子収納用パッケージ10を製造する方法は、図3(A)〜(D)に示した、図2に示した発光素子収納用パッケージを製造する製造方法と同様にして製造することができる。
このように酸化処理、メッキ処理を行うことによって、発光素子収納用パッケージが完成する。
この実施例の発光素子収納用パッケージ10は、図1および図2に示したものと基本的には同様な構成であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付している。
この実施例の発光素子収納用パッケージ10では、図5に示したように、リフレクター枠体12が、窒化物セラミックスから構成されるとともに、光反射面となる表面に、すなわち、リフレクター枠体12の内側面に、白色セラミックスからなる光反射層13aを備えている。
この場合、白色セラミックスからなる光反射層13aが、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率が60%以上好ましくは、80%以上であるのが望ましい。このような範囲に、リフレクター枠体12の表面の光反射層13aを構成する白色セラミックスの反射率があれば、発光素子18から発光される光を、光取り出し面側へ効率よく反射することができ、輝度を向上することができる。
この場合、このようなセラミック原料粉末に、アルコール類やトルエン等の有機溶媒、適当な有機バインダー、および、グリセリン化合物等の可塑剤、分散剤等を添加混合して泥漿状と成すとともに、これをドクターブレード法等のシート成形技術によって、適宜必要な厚みのシート状とすることにより作成される。
この場合、グリーンシートの成形性が良好であるので、ポリn―ブチルメタクリレート、ポリビニルブチラールなどを使用するのが好適である。
この場合、窒化物セラミックス成形体の表面に形成される白色セラミックスからなる層を形成する白色セラミックスとしては、窒化ホウ素、酸化アルミニウム、(白色)窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン等公知の白色セラミックスが使用できるが、窒化ホウ素系セラミックスが焼結後も反射率が高く、好適である。
また、脱脂は、グリーン体に含まれる有機成分の種類や量に応じて、温度:250℃〜1200℃、保持時間:1分〜1000分の範囲から適宜選択すればよい。焼結条件としては、1600〜2000℃、好ましくは、1750〜1850℃の温度で、1時間〜20時間、好ましくは、2〜10時間焼成を行えばよい。この焼結の際の雰囲気としては、非酸化性ガスの雰囲気下で、常圧で行えばよい。
なお、この実施例では、リフレクター枠体12の内側側面に、白色窒化セラミックスを塗設した光反射層13aを設けたが、絶縁基板11の発光素子収納用凹部19の底面にも、光反射層13aを設けることも可能である。
白色セラミックスからなる光反射層の形成は、リフレクター枠体の形状に成形された窒化物セラミックスのグリーン体を焼成した後に行うこともできる。
そして、得られた前駆体のリフレクター枠体12の光反射面となる面上に、窒化物セラミックスペーストを塗布した後、必要に応じて、脱脂処理を行ってから、還元性ガスを含む雰囲気中で、この窒化物セラミックスペーストが焼結されて得られる焼結体中に、口径0.1μm以上の空隙が残存するような条件で焼成すればよい。
このようにして形成される白色窒化セラミックスの反射層13aの膜厚としては、1〜1,000μm、好ましくは、20〜500μmとするのが、反射率、機械的強度を考慮すれば望ましい。
一般に、窒化物セラミックスペーストを焼結体基体上に塗布することなくそのまま成形し、所謂グリーン体(またはグリーンシート)として焼成した場合には、焼成時にグリーン体は、三次元的に収縮できるため、窒化物セラミックス粒子は、近傍の粒子を取り込みながら粒成長し、大きな結晶粒が、互いに密接した緻密な焼結体となる。
既に説明した、白色セラミックスペーストとレフレクター枠体12のグリーン体とを同時焼成する方法では、一般に、リフレクター枠体12を構成する窒化物セラミックスと白色セラミックスとでは、種類が異なるため、両者の密着強度を高くすることは難しい。これに対し、この方法では両者を同種の窒化物セラミックス(但し、焼結体のミクロ構造は異なるため異質である)とすることができるため、光反射層の密着強度を高くすることができる。
また、熱処理条件は、ペーストに含まれる有機成分の種類や量に応じて、温度:250℃〜1200℃、保持時間:1分〜1000分の範囲から適宜選択すればよい。
この製造方法においては、2次元方向の収縮が制限されるため、グリーン体の焼成では空隙(気孔)が消滅するような温度で焼結しても、空隙が残存するようになる。例えば、窒化物セラミックスペーストに含まれる窒化物セラミックスが、窒化アルミニウムである場合には、焼成温度を1600〜1780℃、好ましくは、1650〜1780℃、さらに好ましくは、1700〜1750℃とすればよい。
上記焼成は、還元性ガスを含む雰囲気、好ましくは、還元性ガスとして、カーボン蒸気を含む不活性ガス雰囲気で行う必要がある。還元性ガスを含まない雰囲気中で焼成した場合には、光反射率が低いものが得られることがある。
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
平均粒子径が1.5μm、酸素濃度0.8wt%の窒化アルミニウム粉末100質全部と、3CaO・Al2O3粉末5質量部、ポリn―ブチルメタクリレートをバインダー、ジブチルフタレートを可塑剤、テトラグリセリンモノオレートを表面活性剤、トルエンを溶媒として加え、ボールミルを用いて混合した。
リフレクター枠体用グリーンシートについて打ち抜き成形を行ない、発光素子収納用凹部19用の貫通穴19aを形成すると共に、絶縁基板用グリーンシートについて貫通孔16を打ち抜きにより形成した。絶縁基板用グリーンシートに形成した貫通孔部16にタングステンを含むペーストを充填すると共に、配線パターン14、15を同じペーストを用いて印刷した。
次に、得られた脱脂体及び表面積320mm2のカーボン板を、両者が接触しないよう
にして、内容積が84cm3の内壁が窒化ホウ素で構成される炭素製の有蓋容器に入れ、
脱脂体は窒化アルミニウム製の板の上に置いた。なお、上記のカーボン板は、40mm角、厚さ3mm、重量18gの標準カーボン板を1/4の大きさ(10mm×10mm×3mm)に切断したものである。
その後、この容器をカーボン炉内に搬入し、窒素雰囲気中、温度1860℃で、保持時間15時間の常圧焼成を行い、焼結体、すなわち、図1に示した発光素子収納用パッケージを得た。
なお、焼結体の熱伝導率は、理学電気(株)製の「熱定数測定装置PS−7」を使用して、レーザーフラッシュ法により測定した。このとき、厚み補正は、検量線により行なった。
(実施例2) リフレクター枠体を、白色窒化物セラミックスから構成した例
標準カーボン板を、表1に示したように、1/8の大きさに切断したものを用いて、容器内に収容して、実施例1と同様にして焼結体を得た。
(比較例1) リフレクター枠体を、従来の窒化物セラミックスから構成した実施例
窒化アルミニウム粉末100重量部、酸化イットリウム5.0重量部、表面活性剤としてテトラグリセリンモノオレート1.0重量部、溶媒としてトルエン40重量部バインダーとして、ポリn−プチルメタクリレート13重量部、可塑剤としてジブチルフタレート4.2重量部、トルエン10重量部、酢酸ブチル5重量部をボールミルにて混合し白色の泥漿を得た。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表1および表2に示した。
比較例1で得られら焼結体を、大気中1200℃で、5時間、加熱処理することによって焼結体の表面を酸化させた。この焼結体の表面には、酸化被膜であるアルミナ(Al2O3)が、膜厚20μmで形成されており、色調は白色であった。
(比較例2)
比較例1と同様にして得られた焼結体について、酸素雰囲気中で、酸化処理を実施例3と同様に行った。但し、酸化処理時間を1時間に短縮して行った。この焼結体の表面には、酸化被膜であるアルミナ(Al2O3)が、膜厚2μmで形成されており、色調は薄い灰色であった。
実施例3と同様にして、シート成形体を得た。その後、リフレクター枠12となるグリーンシートの内側面および表面に、窒化ホウ素粉末を100重量部、他、エチルセルロース、溶媒を加えたペーストを印刷により、15μm塗布した。その後、実施例3と同様にして導体パターンの形成、グリーンシートの積層、脱脂及び焼成を行ない、焼結体の表面に、窒化ホウ素からなる白色窒化物セラミックスの層を形成した。なお、この焼結体の表面の色調は白色であった。
(実施例5) リフレクター枠体の表面に白色窒化物セラミックスを塗設形成した光反射層を備えた実施例(窒化ホウ素及び酸化アルミニウムを用いた)
実施例4と同様にして焼結体を得た。但し、リフレクター枠12の内側面および表面には、窒化ホウ素粉末を68重量部、酸化アルミニウム粉末を23重量部、酸化イットリウム粉末を9重量部、他、エチルセルロース、溶媒を加えたペーストを印刷により、15μm塗布した。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表4に示した。
(実施例6) リフレクター枠体の表面に白色窒化物セラミックスを塗設形成した光反射層を備えた実施例(窒化ホウ素及び窒化アルミニウムを用いた)
実施例4と同様にして焼結体を得た。但し、リフレクター枠12の内側面および表面には、窒化ホウ素粉末を68重量部、窒化アルミニウム粉末を23重量部、酸化イットリウム粉末を9重量部、他、エチルセルロース、溶媒を加えたペーストを印刷により、15μm塗布した。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表4に示した。
(実施例7) リフレクター枠体の表面に白色窒化物セラミックスを塗設形成した光反射層を備えた実施例(窒化ホウ素及び酸化マグネシウムを用いた)
実施例4と同様にして焼結体を得た。但し、リフレクター枠12の内側面および表面には、窒化ホウ素粉末を45重量部、酸化マグネシウム粉末を45重量部、酸化イットリウム粉末を9重量部、他、エチルセルロース、溶媒を加えたペーストを印刷により、15μm塗布した。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表4に示した。
(実施例8) リフレクター枠体の表面に白色窒化物セラミックスを塗設形成した光反射層を備えた実施例(窒化ホウ素、酸化ホウ素及び窒化アルミを用いた)
実施例4と同様にして焼結体を得た。但し、リフレクター枠12の内側面および表面には、窒化ホウ素粉末を68重量部、酸化ホウ素粉末を9重量部、窒化アルミニウム粉末を23重量部、他、エチルセルロース、溶媒を加えたペーストを印刷により、15μm塗布した。
得られた焼結体について、実施例1と同様に、熱伝導率、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率と密度を測定した。その結果を表4に示した。
比較例1と同様にして窒化アルミニウム焼結体からなるリフレクター枠体を有する発光素子収納用前駆体パッケージを作成した。次いで、平均粒径1.5μmの窒化アルミニウム粉末(酸素濃度0.8質量%)100質量部、平均粒径0.5μmの酸化イットリウム(Y2O3)粉末5質量部とエチルセルロース9重量部、テルピネオール40重量部を混練し25℃における粘度を3500Pに調整した窒化アルミニウムペーストを調製した。
図10に示されるように、光反射面を構成する(白色)窒化アルミニウム焼結体層中には、口径0.1μm以上の空隙が多数存在することが確認された。
前駆体の焼成温度を1850℃とする他は、実施例9と同様にして、パッケージを得た。得られたパッケージの光反射面について、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率を、実施例1と同様にして測定したところ、その光反射率は、従来の窒化アルミニウム焼結体(比較例5)と同様であり、350〜700nmのどの波長領域においても光反射率は45%以下であった。また、パッケージの光反射面の破断面を顕微鏡(SEM)観察したが、空隙は認められなかった。
平均粒径1.5μmの窒化アルミニウム粉末(酸素濃度0.8質量%)100質量部に対して、焼結助剤として、酸化エルビウム(Er2O3)粉末を5質量部添加した原料粉末を用いて、グリーンシートを作製し、得られたグリーンシートを脱脂した後に、焼成して窒化アルミニウム焼結体を得た。
この焼結体について実施例1と同様にして光反射率を測定した。その結果を、図9に示す。350〜700nmのどの波長領域においても光反射率は40%以下であった。
比較例4において、焼結助剤として酸化エルビウムに代えて酸化イットリウム(Y2O3)に代えた他は同様にして窒化アルミニウム焼結体を得た。得られた焼結体を目視で観察したところ、僅かに透明性を有する灰色をしていた。
Claims (8)
- 板状のセラミックス製絶縁基板と、
前記絶縁基板の外周上面に接合され、その内側面側が光反射面となるセラミックス製リフレクター枠体と、
前記絶縁基板上面に形成した発光素子接続用配線パターン層と、
前記絶縁基板とリフレクター枠体とで画成される発光素子収納用凹部と、
を備え、
前記発光素子収納用凹部内において、発光素子接続用配線パターン層上に発光素子を実装するようにした発光素子収納用パッケージであって、
前記リフレクター枠体は、
窒化物セラミックス焼結体と、該窒化物セラミックス焼結体の表面を被覆する、該窒化物セラミックス焼結体とは焼結体のミクロ構造または種類が異なる白色セラミックスとで構成されたものであり、
前記光反射面は、前記白色セラミックスで構成されることを特徴とする発光素子収納用パッケージ。 - 前記光反射面を構成する前記白色セラミックスが、前記リフレクター枠体を構成する窒化物セラミックスを酸化処理して得られた、厚さ5〜1000μmの酸化物で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子収納用パッケージ。
- 前記光反射面が、350nm〜800nmの波長領域の光に対する反射率が50%以上である白色セラミックスで構成されることを特徴とする請求項1から2のいずれかに記載の発光素子収納用パッケージ。
- 前記白色セラミックスが、400nmの波長の光に対する反射率が55%以上であることを特徴とする請求項3に記載の発光素子収納用パッケージ。
- 前記絶縁基板が、窒化物セラミックスで構成されることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の発光素子収納用パッケージ。
- 請求項2に記載の発光素子収納用パッケージを製造する方法であって、
窒化物セラミックスを焼結後に、酸素雰囲気下で酸化処理することによって、窒化物セラミックスから構成されるとともに、その表面に酸化処理された酸化物で構成される光反射面を有するリフレクター枠体を得る工程を含むことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法。 - 請求項1に記載の発光素子収納用パッケージを製造する方法であって、
窒化物セラミックスを含む化合物を含有する組成物を、前記リフレクター枠体の形状に成形する工程、
前記成形工程で得られた成形体の光反射面となる面上に、白色セラミックスを含有する組成物を塗布する工程、
白色セラミックスを含有する組成物が塗布された成形体を焼結することにより、光反射面を有するリフレクター枠体を得る工程、
を含むことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法。 - 請求項1に記載の発光素子収納用パッケージを製造する方法であって、
窒化物セラミックスからなるリフレクター枠体を有する発光素子収納用パッケージ前駆体を準備する工程と、
前記準備工程で準備された前駆体の前記リフレクター枠体の光反射面となる面上に窒化物セラミックスペーストを塗布する工程と、
前記塗布工程で窒化物セラミックスペーストが塗布された前駆体を、還元性ガスを含む雰囲気中で焼成する工程とを含み、
前記焼成工程において、前記窒化物セラミックスペーストが焼結されて得られる焼結体中に口径0.1μm以上の空隙が残存するような条件で前記焼成を行うことを特徴とする発光素子収納用パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006531522A JP5094118B2 (ja) | 2004-08-03 | 2005-08-03 | 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004226943 | 2004-08-03 | ||
JP2004226943 | 2004-08-03 | ||
JP2006531522A JP5094118B2 (ja) | 2004-08-03 | 2005-08-03 | 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 |
PCT/JP2005/014223 WO2006013899A1 (ja) | 2004-08-03 | 2005-08-03 | 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006013899A1 JPWO2006013899A1 (ja) | 2008-05-01 |
JP5094118B2 true JP5094118B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=35787180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006531522A Expired - Fee Related JP5094118B2 (ja) | 2004-08-03 | 2005-08-03 | 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7737461B2 (ja) |
EP (1) | EP1796179A4 (ja) |
JP (1) | JP5094118B2 (ja) |
KR (1) | KR100865701B1 (ja) |
CN (1) | CN100589257C (ja) |
MY (1) | MY140301A (ja) |
WO (1) | WO2006013899A1 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004014207A1 (de) * | 2004-03-23 | 2005-10-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper |
US7876053B2 (en) * | 2004-06-21 | 2011-01-25 | Tokuyama Corporation | Nitride sintered body and method for manufacturing thereof |
WO2006019090A1 (ja) * | 2004-08-18 | 2006-02-23 | Tokuyama Corporation | 発光素子搭載用セラミックス基板およびその製造方法 |
KR101147029B1 (ko) | 2007-02-02 | 2012-05-17 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 질화알루미늄 소결체 및 그 제조 방법 |
JP5137059B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2013-02-06 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品用パッケージ及びその製造方法と電子部品装置 |
TW200915597A (en) * | 2007-09-17 | 2009-04-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode device |
JP5086862B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2012-11-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 発光素子実装用配線基板の製造方法 |
KR100958024B1 (ko) * | 2008-08-05 | 2010-05-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
TWI528508B (zh) * | 2008-10-13 | 2016-04-01 | 榮創能源科技股份有限公司 | 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法 |
US8580593B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-11-12 | Micron Technology, Inc. | Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices |
JP5479073B2 (ja) * | 2009-12-21 | 2014-04-23 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
JP5545246B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-07-09 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂組成物及び発光半導体素子用リフレクター、及び発光半導体装置 |
WO2011126135A1 (ja) * | 2010-04-09 | 2011-10-13 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
US9159892B2 (en) * | 2010-07-01 | 2015-10-13 | Citizen Holdings Co., Ltd. | LED light source device and manufacturing method for the same |
EP2629342B1 (en) | 2010-10-22 | 2014-09-17 | Panasonic Corporation | Unsaturated polyester resin composition for use in led reflector, and led reflector and led luminaire using said composition |
KR101723541B1 (ko) * | 2010-11-03 | 2017-04-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 표시장치 |
JP5888690B2 (ja) * | 2010-11-08 | 2016-03-22 | 奥野製薬工業株式会社 | 白色セラミックカラー組成物 |
JP5728960B2 (ja) * | 2011-01-17 | 2015-06-03 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース |
JP5728961B2 (ja) * | 2011-01-17 | 2015-06-03 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース |
JP2012238830A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-12-06 | Lumirich Co Ltd | 発光ダイオード素子 |
TW201312799A (zh) * | 2011-09-02 | 2013-03-16 | Syue-Min Li | 發光二極體元件 |
CN102313256A (zh) * | 2011-09-09 | 2012-01-11 | 福建省万邦光电科技有限公司 | Led光源多杯模块用镀陶瓷层底座 |
CN102306695A (zh) * | 2011-09-09 | 2012-01-04 | 福建省万邦光电科技有限公司 | Led光源单杯模块用镀陶瓷层底座 |
TWI484674B (zh) * | 2011-12-08 | 2015-05-11 | Genesis Photonics Inc | 電子元件 |
KR101353299B1 (ko) * | 2012-03-14 | 2014-01-22 | 주식회사티티엘 | 고효율 고방열구조의 led패키지 구조 및 그 제조방법 |
CN104471732B (zh) | 2012-06-04 | 2018-02-09 | 日本优必佳株式会社 | Led反射板用结晶性不饱和聚酯树脂组合物、包含前述组合物的粒状物、成型前述粒状物而成的led反射板、表面安装型发光装置以及具备该发光装置的照明装置及图像显示装置 |
KR101372346B1 (ko) * | 2012-08-23 | 2014-03-12 | 엘티스 주식회사 | 배면에 패턴을 형성한 led기판 |
CN104064655B (zh) * | 2013-03-22 | 2019-02-01 | 光宝电子(广州)有限公司 | Led封装体及其制造方法 |
JP2014225636A (ja) * | 2013-04-16 | 2014-12-04 | 株式会社ディスコ | 発光デバイス |
US9923132B2 (en) | 2013-05-24 | 2018-03-20 | Cree, Inc. | Solid state lighting component package with conformal reflective coating |
KR20150007865A (ko) * | 2013-07-12 | 2015-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 타겟의 제조 방법, 그 방법으로 제조된 스퍼터링 타겟 및 그 스퍼터링 타겟을 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법 |
US20150200336A1 (en) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Cree, Inc. | Wafer level contact pad standoffs with integrated reflector |
JP6540050B2 (ja) * | 2014-04-09 | 2019-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN106252498B (zh) * | 2016-08-05 | 2018-07-06 | 东莞市钰晟电子科技有限公司 | 一种led背光源散热基板材料的制备方法 |
WO2019045506A1 (ko) * | 2017-09-01 | 2019-03-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 광원 장치 |
TW202027304A (zh) * | 2018-08-24 | 2020-07-16 | 日商丸文股份有限公司 | 深紫外led裝置及其製造方法 |
GB201817483D0 (en) * | 2018-10-26 | 2018-12-12 | Barco Nv | Led package |
CN116410000A (zh) * | 2021-12-31 | 2023-07-11 | 江苏博睿光电股份有限公司 | 一种基板、制备方法及应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0656535A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPH0692739A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-05 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム焼結体 |
JPH0840773A (ja) * | 1994-08-03 | 1996-02-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化アルミニウムセラミックスおよびその製造方法 |
JPH1112039A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高放熱リッド用の窒化アルミニウム系焼結体の製造方法 |
JP2004207678A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-07-22 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06206772A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-07-26 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム焼結体およびセラミック回路基板 |
JPH08274378A (ja) | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージ |
JP4737842B2 (ja) | 2001-01-30 | 2011-08-03 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージの製造方法 |
JP2003273405A (ja) | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージ |
JP2004152952A (ja) | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
JP4268440B2 (ja) | 2003-04-18 | 2009-05-27 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
US7876053B2 (en) * | 2004-06-21 | 2011-01-25 | Tokuyama Corporation | Nitride sintered body and method for manufacturing thereof |
-
2005
- 2005-08-03 CN CN200580026135A patent/CN100589257C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-03 US US11/659,158 patent/US7737461B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-03 KR KR1020077001716A patent/KR100865701B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-08-03 JP JP2006531522A patent/JP5094118B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-03 MY MYPI20053615A patent/MY140301A/en unknown
- 2005-08-03 EP EP05768454A patent/EP1796179A4/en not_active Withdrawn
- 2005-08-03 WO PCT/JP2005/014223 patent/WO2006013899A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0656535A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPH0692739A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-05 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム焼結体 |
JPH0840773A (ja) * | 1994-08-03 | 1996-02-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化アルミニウムセラミックスおよびその製造方法 |
JPH1112039A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高放熱リッド用の窒化アルミニウム系焼結体の製造方法 |
JP2004207678A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-07-22 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1796179A4 (en) | 2011-08-10 |
WO2006013899A1 (ja) | 2006-02-09 |
MY140301A (en) | 2009-12-31 |
CN100589257C (zh) | 2010-02-10 |
KR100865701B1 (ko) | 2008-10-29 |
KR20070039075A (ko) | 2007-04-11 |
EP1796179A1 (en) | 2007-06-13 |
CN101027781A (zh) | 2007-08-29 |
US7737461B2 (en) | 2010-06-15 |
US20070272938A1 (en) | 2007-11-29 |
JPWO2006013899A1 (ja) | 2008-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5094118B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 | |
JP5140275B2 (ja) | 発光素子搭載用セラミックス基板およびその製造方法 | |
JP5404724B2 (ja) | 窒化物焼結体、及びその製造方法 | |
JP5937012B2 (ja) | 電子部品素子収納用パッケージ | |
JP5206770B2 (ja) | 発光素子搭載用基板および発光装置 | |
JP5073179B2 (ja) | 発光素子収納用窒化アルミニウム焼結体 | |
JP4804109B2 (ja) | 発光素子用配線基板および発光装置並びに発光素子用配線基板の製造方法 | |
JP2006093565A (ja) | 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法 | |
JP5720454B2 (ja) | 発光素子搭載用基板とその製造方法および発光装置 | |
JP2008117932A (ja) | リフレクターとそれを備えた発光素子収納用パッケージと発光装置 | |
JP2006066409A (ja) | 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法 | |
KR20060031629A (ko) | 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자 | |
JP5451451B2 (ja) | 表面実装型発光素子用配線基板およびこれを備えた発光装置 | |
JP2006066630A (ja) | 配線基板および電気装置並びに発光装置 | |
JP2008042112A (ja) | 発光素子収納用パッケージ | |
JP2011192981A (ja) | 発光素子搭載基板およびこの基板を用いた発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110908 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120821 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120918 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |