JP5728960B2 - 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース - Google Patents
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Description
(A)下記式(1)で表され、GPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量が500〜20,000のレジン状オルガノポリシロキサン: 100質量部、
(CH3)aSi(OR1)b(OH)cO(4-a-b-c)/2 (1)
(式中、R1は同一又は異種の炭素数1〜4のアルキル基を示し、a、b、cは0.8≦a≦1.5、0≦b≦0.3、0.001≦c≦0.5、0.801≦a+b+c<2を満たす数であるが、T単位(CH 3 SiO 3/2 )の含有モル数の比率が70モル%以上である。)
(B)希土類酸化物からなる白色顔料: 3〜200質量部、
(C)無機充填剤(但し、希土類酸化物を除く): 400〜1,000質量部、
(D)硬化触媒: 0.01〜10質量部、
(E)下記式(2)で表される構造を全シロキサン単位の50モル%以上含むオルガノポリシロキサン: 2〜50質量部
を必須成分とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物が、波長350〜400nmという短波長領域で反射率が70%以上である硬化物を与え、LED用光半導体等の光半導体ケースに有用であることを見出し、本発明をなすに至った。
請求項1:
(A)下記式(1)で表され、GPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量が500〜20,000のレジン状オルガノポリシロキサン: 100質量部、
(CH3)aSi(OR1)b(OH)cO(4-a-b-c)/2 (1)
(式中、R1は同一又は異種の炭素数1〜4のアルキル基を示し、a、b、cは0.8≦a≦1.5、0≦b≦0.3、0.001≦c≦0.5、0.801≦a+b+c<2を満たす数であるが、T単位(CH 3 SiO 3/2 )の含有モル数の比率が70モル%以上である。)
(B)希土類酸化物からなる白色顔料: 3〜200質量部、
(C)無機充填剤(但し、希土類酸化物を除く): 400〜1,000質量部、
(D)硬化触媒: 0.01〜10質量部、
(E)下記式(2)で表される構造を全シロキサン単位の50モル%以上含むオルガノポリシロキサン: 2〜50質量部
を必須成分とし、その硬化物の波長350〜400nm領域での反射率が70%以上であることを特徴とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
請求項2:
上記(B)成分が、平均粒径0.01〜40.0μmの希土類酸化物からなる白色顔料であることを特徴とする請求項1記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
請求項3:
上記(B)成分における希土類酸化物の表面が処理されていることを特徴とする請求項1又は2記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
請求項4:
上記(B)成分における希土類酸化物の表面にアルミナ又はシリカ又は有機ケイ素化合物が存在していることを特徴とする請求項3記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
請求項5:
上記(B)成分における希土類酸化物が酸化イットリウムであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
請求項6:
更に(F)成分として、融点120〜140℃であるステアリン酸カルシウムを含む離型剤を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
請求項7:
上記(D)成分の硬化触媒が有機金属縮合触媒であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
請求項8:
上記(D)成分の硬化触媒の有機金属縮合触媒が安息香酸亜鉛であることを特徴とする請求項7記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
請求項9:
請求項1〜8のいずれか1項記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化物からなる光半導体ケース。
(A)オルガノポリシロキサン
(A)成分であるオルガノポリシロキサンは、下記式(1)で表され、例えばトルエン等を展開溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量が500〜20,000のレジン状(即ち、分岐状又は三次元網状構造の)オルガノポリシロキサンであり、後述する(D)縮合触媒の存在下で、架橋構造を形成する。
(CH3)aSi(OR1)b(OH)cO(4-a-b-c)/2 (1)
(式中、R1は同一又は異種の炭素数1〜4の有機基を示し、a、b、cは0.8≦a≦1.5、0≦b≦0.3、0.001≦c≦0.5、0.801≦a+b+c<2を満たす数である。)
(CH3)nSiX4-n (3)
(式中、Xは塩素等のハロゲン原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基で、nは0、1、2のいずれかであるが、T単位を70モル%以上になるようにするため、n=1のオルガノシランを主成分(70モル%以上)として用いることが好ましい。)
ここで、Xとしては、固体状のオルガノポリシロキサンを得る点からは、ハロゲン原子、特に塩素原子であることが好ましい。
本発明のシリコーン樹脂組成物には、光半導体装置のリフレクター(反射板)等の用途向けに硬化物の白色度を高めるために(B)成分として希土類酸化物からなる白色顔料を配合する。一般的には、白色顔料として二酸化チタンが多く用いられているが、350〜400nmの短波長領域では光を吸収してしまい、反射率が大きく低下してしまう。そのため、350〜400nmの短波長領域での反射率を向上させる白色顔料として、酸化イットリウム、酸化ランタン、酸化イッテルビウム、酸化ガドリニウム、酸化ユウロピウム、酸化ネオジウム、酸化サマリウム等の希土類酸化物を用いることが必要であり、特に、酸化イットリウムを用いることがより好ましい。
また、表面処理の方法は、例えば、希土類酸化物粒子、水、アルカリ塩を用いて、pH8〜12、特にpH9〜11の希土類酸化物粒子のアルカリ・スラリーを調製し、これにアルミナ又はシリカのアルカリ塩を添加して、温度50〜100℃、特に70〜90℃で30分〜2時間かけて撹拌しながら硫酸等の酸で中和すればよい。
なお、平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における累積質量平均値D50(又はメジアン径)として求めることができる。
本発明のシリコーン樹脂組成物には、更に(C)成分である無機充填剤を配合する。配合される(C)成分の無機充填剤としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられるが、上記した(B)成分の希土類酸化物は除かれる。これら無機充填剤の平均粒径や形状は特に限定されないが、平均粒径は通常3〜40μm程度である。
なお、平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における累積質量平均値D50(又はメジアン径)として求めることができる。
このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシラン等を用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではないが、150℃以上に放置した場合に処理フィラーが変色しないものが好ましい。
(D)成分である硬化触媒は、上記(A)成分の硬化に用いるための縮合触媒であり、(A)成分の安定性、被膜の硬度、無黄変性、硬化性等を考慮して選択される。例えば、有機金属触媒として、有機酸亜鉛、ルイス酸触媒、有機アルミニウム化合物、有機チタニウム化合物等が好適に用いられ、具体的には安息香酸亜鉛、オクチル酸亜鉛、p−tert−ブチル安息香酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、塩化アルミニウム、過塩素酸アルミニウム、リン酸アルミニウム、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムアセチルアセトナート、エチルアセトアセテートアルミニウムジ(ノルマルブチレート)、アルミニウム−n−ブトキシジエチルアセト酢酸エステル、テトラブチルチタネート、テトライソプロピルチタネート、オクチル酸錫、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸錫等が例示される。中でも、安息香酸亜鉛が好ましく利用される。
(E)成分であるオルガノポリシロキサンは、下記式(2)で表される2官能性シロキサン単位の繰り返しからなる構造を含むオルガノポリシロキサンである。
(F)離型剤
本発明のシリコーン樹脂組成物には、(F)成分として、内部離型剤を配合することができる。(F)成分は、成形時の離型性を高めるために配合するものであり、全組成に対して0.2〜5.0質量%含有するように添加するものである。内部離型剤としては、天然ワックス、酸ワックス、ポリエチレンワックス、脂肪酸ワックスを代表とする合成ワックス等があるが、中でも融点が120〜140℃であるステアリン酸カルシウムを用いることが望ましい。
本発明のシリコーン樹脂組成物には、(G)成分として、樹脂と無機充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤を配合することができる。
このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシランなどを用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
本発明の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、樹脂の性質を改善する目的で種々のシリコーンパウダー、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム等の添加剤を本発明の効果を損なわない範囲で添加配合することができる。
本発明の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン組成物の製造方法としては、上記(A)〜(E)成分、必要に応じて(F)成分、(G)成分、及びその他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕してシリコーン樹脂組成物の成形材料とすることができる。
このようにして得られる上記組成物は、LED等の光半導体のリフレクターとしてのケースの形成に用いられる。
このようなリフレクターの最も一般的な成形方法としては、トランスファー成形法や圧縮成形法が挙げられる。トランスファー成形法では、トランスファー成形機を用い、成形圧力5〜20N/mm2、成形温度120〜190℃で成形時間30〜500秒、特に成形温度150〜185℃で成形時間30〜180秒で行うことが好ましい。また、圧縮成形法では、コンプレッション成形機を用い、成形温度は120〜190℃で成形時間30〜600秒、特に成形温度130〜160℃で成形時間120〜300秒で行うことが好ましい。更に、いずれの成形法においても、後硬化を150〜185℃で2〜20時間行ってもよい。
なお、このようにして得られる上記組成物の硬化物は、ガラス転移温度超の線膨張係数が30ppm/K以下、好ましくは25ppm/K以下であることが好ましい。
(A)オルガノポリシロキサンの合成
[合成例1]
メチルトリクロロシラン100質量部、トルエン200質量部を1Lのフラスコに入れ、氷冷下で水8質量部、イソプロピルアルコール60質量部の混合液を液中滴下した。内温は−5〜0℃で5〜20時間かけて滴下し、その後加熱して還流温度で20分間撹拌した。それから室温まで冷却し、水12質量部を30℃以下、30分間で滴下し、20分間撹拌した。更に水25質量部を滴下後、40〜45℃で60分間撹拌した。その後水200部を入れて有機層を分離した。この有機層を中性になるまで洗浄し、その後共沸脱水、濾過、減圧ストリップをすることにより、下記式で示される(CH3)SiO3/2単位を基本構造とする無色透明の固体(融点76℃,重量平均分子量3,600)36.0質量部の熱硬化性オルガノポリシロキサン(A−1)を得た。
(CH3)1.0Si(OC3H7)0.07(OH)0.10O1.4
[合成例2]
平均粒径が5μmの酸化イットリウム粒子(信越化学工業(株)製)を水と混合して、水酸化ナトリウムを用いてpH10に調整し、酸化イットリウムの質量として300g/1Lのスラリーを調整した。このスラリーを80℃で撹拌し、アルミン酸ナトリウムをアルミナとして酸化イットリウム粒子の質量に対して2質量%添加し、次いで1時間かけて1規定の硫酸を用いてpH7近辺に中和し、酸化イットリウム粒子の表面にアルミナの被覆を形成した。アルミナ被覆層を形成した酸化イットリウム粒子を濾別、水洗し、120℃、16時間乾燥し、ボールミルにて30分粉砕することで本発明の酸化イットリウム顔料(B−1)を得た。
アルミナの被覆量を1.0質量%とした以外は実施例1と同様にして、酸化イットリウム顔料(B−2)を得た。
平均粒径が5μmの酸化イットリウム粒子を水と混合して、水酸化ナトリウムを用いてpH10に調整し、酸化イットリウムの質量として300g/1Lのスラリーを調整した。このスラリーを80℃で撹拌し、ケイ酸ナトリウムをシリカとして酸化イットリウム粒子の質量に対して2質量%添加し、次いで1時間かけて1規定の硫酸を用いてpH5近辺に中和し、酸化イットリウム粒子の表面にシリカの被覆を形成した。シリカ被覆層を形成した酸化イットリウム粒子を濾別、水洗し、120℃、16時間乾燥し、ボールミルにて30分粉砕することで酸化イットリウム顔料(B−3)を得た。
B−4:酸化イットリウム、平均粒径5μm不定形(信越化学工業(株)製)
B−5:酸化チタン、ルチル型、平均粒径0.28μm(CR−95:石原産業(株)製)
市販品の下記無機充填剤(C−1)を用意した。
C−1:シリカ CS−6103 53C2((株)龍森製)
(D)硬化触媒
市販品の下記硬化触媒(D−1)を用意した。
D−1:安息香酸亜鉛(和光純薬工業(株)製)
[合成例5]
フェニルメチルジクロロシラン100g(4.4モル%)、フェニルトリクロロシラン2,100g(83.2モル%)、Si数21個の両末端クロルジメチルシリコーンオイル2,400g(12.4モル%)、トルエン3,000gを混合し、水11,000g中に混合した上記シラン、シリコーンオイルを滴下し30〜50℃で1時間共加水分解する。50℃で1時間熟成後、水を入れて洗浄し、その後共沸脱水、濾過、減圧ストリップをすることにより、(C6H5)(CH3)SiO2/2単位、(C6H5)SiO3/2単位及び
市販品の下記離型剤(F−1)を用意した。
F−1:ステアリン酸カルシウム(和光純薬工業(株)製)
表1に示す配合(質量部)で、(A)オルガノポリシロキサン、(B)白色顔料、(C)無機充填剤、(D)硬化触媒、(E)オルガノポリシロキサン、(F)離型剤を配合し、二本ロールにて製造し、冷却、粉砕して白色シリコーン樹脂組成物を得た。
Claims (9)
- (A)下記式(1)で表され、GPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量が500〜20,000のレジン状オルガノポリシロキサン: 100質量部、
(CH3)aSi(OR1)b(OH)cO(4-a-b-c)/2 (1)
(式中、R1は同一又は異種の炭素数1〜4のアルキル基を示し、a、b、cは0.8≦a≦1.5、0≦b≦0.3、0.001≦c≦0.5、0.801≦a+b+c<2を満たす数であるが、T単位(CH 3 SiO 3/2 )の含有モル数の比率が70モル%以上である。)
(B)希土類酸化物からなる白色顔料: 3〜200質量部、
(C)無機充填剤(但し、希土類酸化物を除く): 400〜1,000質量部、
(D)硬化触媒: 0.01〜10質量部、
(E)下記式(2)で表される構造を全シロキサン単位の50モル%以上含むオルガノポリシロキサン: 2〜50質量部
を必須成分とし、その硬化物の波長350〜400nm領域での反射率が70%以上であることを特徴とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。 - 上記(B)成分が、平均粒径0.01〜40.0μmの希土類酸化物からなる白色顔料であることを特徴とする請求項1記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
- 上記(B)成分における希土類酸化物の表面が処理されていることを特徴とする請求項1又は2記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
- 上記(B)成分における希土類酸化物の表面にアルミナ又はシリカ又は有機ケイ素化合物が存在していることを特徴とする請求項3記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
- 上記(B)成分における希土類酸化物が酸化イットリウムであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
- 更に(F)成分として、融点120〜140℃であるステアリン酸カルシウムを含む離型剤を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
- 上記(D)成分の硬化触媒が有機金属縮合触媒であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
- 上記(D)成分の硬化触媒の有機金属縮合触媒が安息香酸亜鉛であることを特徴とする請求項7記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
- 請求項1〜8のいずれか1項記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化物からなる光半導体ケース。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011006730A JP5728960B2 (ja) | 2011-01-17 | 2011-01-17 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011006730A JP5728960B2 (ja) | 2011-01-17 | 2011-01-17 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012149110A JP2012149110A (ja) | 2012-08-09 |
JP5728960B2 true JP5728960B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=46791690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011006730A Active JP5728960B2 (ja) | 2011-01-17 | 2011-01-17 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5728960B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5728961B2 (ja) * | 2011-01-17 | 2015-06-03 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース |
JP5797717B2 (ja) * | 2013-10-16 | 2015-10-21 | 台湾太陽油▲墨▼股▲分▼有限公司 | 白色熱硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びそれを用いたディスプレイ用部材 |
JP6194853B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2017-09-13 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体装置用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物、及び光半導体素子搭載用ケース |
JP7053980B2 (ja) * | 2016-11-16 | 2022-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7174290B2 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
EP4160704A1 (en) * | 2021-09-29 | 2023-04-05 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002117778A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Toray Ind Inc | ディスプレイ用基板、ディスプレイ用部材およびディスプレイ |
JP5094118B2 (ja) * | 2004-08-03 | 2012-12-12 | 株式会社トクヤマ | 発光素子収納用パッケージおよび発光素子収納用パッケージの製造方法 |
JP4386361B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2009-12-16 | 信越化学工業株式会社 | 電極保護用シリコーンゴム組成物 |
CN101272997A (zh) * | 2005-09-26 | 2008-09-24 | 株式会社德山 | 发光元件搭载用陶瓷烧结体 |
JP4623322B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2011-02-02 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法 |
JP2009212134A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウムパッケージ、発光装置、バックライトおよび照明装置 |
JP4678415B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2011-04-27 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース |
JP2010106243A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光半導体装置用シリコーン樹脂組成物 |
JP5545246B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-07-09 | 信越化学工業株式会社 | 樹脂組成物及び発光半導体素子用リフレクター、及び発光半導体装置 |
JP5728961B2 (ja) * | 2011-01-17 | 2015-06-03 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース |
TW201247782A (en) * | 2011-05-25 | 2012-12-01 | Daxin Materials Corp | White thermocurable siloxane resin composition |
-
2011
- 2011-01-17 JP JP2011006730A patent/JP5728960B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012149110A (ja) | 2012-08-09 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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