JP4678415B2 - 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース - Google Patents

光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース Download PDF

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Description

本発明は、白色性、耐熱性、耐光性を保持し、均一でかつ黄変が少なく、また硬化後の反り量が著しく少ない硬化物を与える光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに該組成物の硬化物からなるLED用等の光半導体ケースに関する。
LED(Light Emitting Diode)等の光半導体素子は、小型で効率よく鮮やかな色の発光をし、また半導体素子であるため球切れがなく、駆動特性に優れ、振動やON/OFF点灯の繰り返しに強い。そのため、種々のインジケータや光源として利用されている。このような光半導体素子を用いた光半導体装置のケース材のひとつとして、ポリフタルアミド樹脂(PPA)が現在広く使用されている。
しかし、今日の光半導体技術の飛躍的な進歩により、光半導体装置の高出力化及び短波長化が著しいため、特に無着色・白色の材料として従来のPPA樹脂を用いた光半導体素子封止及びケースでは、長期間使用による劣化が著しく、色ムラの発生や剥離、機械的強度の低下等が起こり易く、このような問題を効果的に解決することが望まれている。
更に詳述すると、特許第2656336号公報(特許文献1)には、封止樹脂が、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤を構成成分とするBステージ状光半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記構成成分が分子レベルで均一に混合されている樹脂組成物の硬化体で構成される光半導体装置が記載されている。ここでは、エポキシ樹脂として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂又はビスフェノールF型エポキシ樹脂が主として用いられ、トリグリシジルイソシアネート等を使用し得ることも記載されている。しかし、実施例では、トリグリシジルイソシアネートがビスフェノールA又はF型エポキシ樹脂に少量添加されて使用されているもので、本発明者らの検討によれば、このBステージ状光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特に高温・長時間の放置で黄変するという問題がある。
更に、特開2000−196151号公報(特許文献2)、特開2003−224305号公報(特許文献3)、特開2005−306952号公報(特許文献4)には、LED発光素子封止用エポキシ樹脂組成物におけるトリアジン誘導体エポキシ樹脂の使用について記載されているが、いずれも高温・長時間の放置で黄変するという問題解決が十分ではなかった。
更に、特開2006−77234号公報(特許文献5)には、重量平均分子量が5×103以上のオルガノポリシロキサン及び縮合触媒を含有するLED素子封止用樹脂組成物が記載されている。しかし、このオルガノポリシロキサンは透明性を有する常温で液状のものでなければならないために、トランスファー成形や圧縮成形に適さないものである。
なお、本発明に関連する公知文献としては、上記の特許文献に加えて、下記特許文献6〜10が挙げられる。
特許第2656336号公報 特開2000−196151号公報 特開2003−224305号公報 特開2005−306952号公報 特開2006−77234号公報 特許第3512732号公報 特開2001−234032号公報 特開2002−302533号公報 特開平9−310007号公報 特開2001−316591号公報
更に、近年の成形方式の特徴として、MAP(Matrix Array Package)方式など成形時のパッケージサイズが大型化しているため、硬化時の反り量が増大し、パッケージの搬送工程や個別化するための切断工程での不具合が生じてきている。
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、白色性、耐熱性、耐光性を保持し、均一でかつ黄変が少なく、硬化時の反り量が少ない硬化物を与える光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに該組成物の硬化物からなる光半導体ケースを提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、下記成分
(A)熱硬化性オルガノポリシロキサン 100質量部、
(B)白色顔料 3〜200質量部、
(C)無機充填剤(但し、白色顔料を除く) 400〜1,000質量部、
(D)縮合触媒 0.01〜10質量部、
(E)下記構造式(2)で示されるカップリング剤 0.1〜8質量部
3 dSi(OR2e (2)
(式中、R3はメルカプト基、グリシジル基、又はアミノ基を含む炭素数が1〜10の有機基、R2は同一又は異種の炭素数1〜4の有機基を示し、dは1又は2、eは2又は3を表す。)
を含有する白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物であって、
(B)成分の白色顔料を上記白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物全体に対し1〜50質量%含有し、及び白色顔料(B)と無機充填剤(C)とを合計で白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物全体の70〜93質量%含有するシリコーン樹脂組成物が、白色性、耐熱性、耐光性を保持し、均一でかつ黄変が少なく、硬化時の反り量が少ない硬化物を与え、該組成物の硬化物でLED用等の光半導体ケースを形成した光半導体装置が有用であることを見出し、本発明をなすに至った。
従って、本発明は、下記に示す光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケースを提供する。
請求項1:
A)下記平均組成式(1)
(CH 3 a Si(OR 1 b (OH) c (4-a-b-c)/2 (1)
(式中、R 1 は同一又は異種の炭素数1〜4のアルキル基又はアルケニル基を示し、0.1≦a≦1.1、0≦b≦0.3、0.001≦c≦0.5、0.801≦a+b+c≦1.9を満たす数である。)
で表される熱硬化性オルガノポリシロキサン 100質量部、
(B)白色顔料 3〜200質量部、
(C)無機充填剤(但し、白色顔料を除く) 400〜1,000質量部、
(D)縮合触媒 0.01〜10質量部、
(E)下記構造式(2)で示されるカップリング剤 0.1〜8質量部
3 dSi(OR2e (2)
(式中、R3γ−メルカプトプロピル基、γ−グリシドキシプロピル基、γ−グリシドキシプロピル基とメチル基の組合せ、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピル基、γ−アミノプロピル基、N−フェニル−γ−アミノプロピル基から選ばれる有機基、R2は同一又は異種の炭素数1〜4のアルキル基又はアルケニル基を示し、dは1又は2、eは2又は3を表し、d+e=4である。)
を含有する白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物であって、
(B)成分の白色顔料を上記白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物全体に対し1〜50質量%含有し、及び白色顔料(B)と無機充填剤(C)とを合計で白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物全体の70〜93質量%含有することを特徴とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
請求項
(B)成分の白色顔料が酸化チタンであることを特徴とする請求項に記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
請求項
ガラス転移温度以上の線膨張係数が10〜40ppmの範囲内である硬化物を与えることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
請求項
請求項1〜のいずれか1項に記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化物からなり、内部に透明樹脂で封止された光半導体が保持された光半導体ケース。
本発明によれば、白色性、耐熱性、耐光性を保持し、均一でかつ黄変が少なく、硬化時の反り量が少ない硬化物を与える光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物からなるLED用等の光半導体ケースを提供することができる。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
(A)熱硬化性オルガノポリシロキサン
本発明に係る(A)成分の熱硬化性オルガノポリシロキサンは、シラノール基含有オルガノポリシロキサンで、下記平均組成式(1)で表されるシリコーンポリマーである。
(CH3aSi(OR1b(OH)c(4-a-b-c)/2 (1)
ここで、R1は同一又は異種の炭素数1〜4のアルキル基又はアルケニル基を示し、0.1≦a≦1.1、0≦b≦0.3、0.001≦c≦0.5、0.801≦a+b+c≦1.9を満たす数である。
上記平均組成式(1)中、R1 炭素数1〜4のアルキル基又はアルケニル基であり、従ってOR1は、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられるが、原料の入手が容易なメトキシ基、イソプロポキシ基が好ましい。
上記平均組成式(1)中、a、b及びcは、0.1≦a≦1.1、0≦b≦0.3、0.001≦c≦0.5、0.801≦a+b+c≦1.9を満たす数であり、より好ましくは、0.5≦a≦1.0、0.001≦b≦0.3(特に0.001≦b≦0.2)、0.01≦c≦0.5(特に0.01≦c≦0.3)、0.911≦a+b+c≦1.8である。
Si原子結合CH3基の含有量aが0.1未満では硬くなり、クラック防止性が低下し、1.1を超えるとCH3基が多くなって疎水性が高くなり、かつ柔らかくなるため、クラック防止効果がなくなるだけでなく、ハジキ等の外観不良が生じる。Si原子結合OR1の含有量bが0.3を超えると末端基量が多くなり、分子量が小さくなる傾向があるため、クラック防止性能が発現しなくなる。Si原子結合OH基の含有量cが0.5を超えると加熱硬化時の縮合反応に関与してくる比率が高まり、高硬度ではあるが、耐クラック性に乏しくなる。cが0.001未満では、融点が高くなる傾向があり、作業性に問題が生じる。cを制御する条件としては、アルコシキ基の完全縮合率を86〜96%にすることが好ましく、86%未満では、融点が低くなり、96%を超えると融点が高くなりすぎる傾向となる。
このような平均組成式(1)の(A)成分は、一般に4官能シラン由来のQ単位(SiO4/2)、3官能シラン由来のT単位(CH3SiO3/2)の組み合わせで表現することができるが、(A)成分をこの表記法で表したとき、全シロキサン単位の総モル数に対し、CH3SiO3/2で表されるT単位の含有モル数の比率が70モル%以上、望ましくは75モル%以上、特に望ましくは80モル%以上であることが好ましい。T単位が70モル%未満では、硬度、密着性、外観等の総合的なバランスが崩れる場合がある。なお、残部は、Q単位でよく、これらが30モル%未満であることが好ましい。融点に対しては、Q単位が多くなるほど融点が高くなる傾向がある。
上記(A)成分は、下記平均組成式(3)
(CH3nSiX4-n (3)
(式中、Xは塩素等のハロゲン原子又はアルコキシ基、特に炭素数1〜4のアルコキシ基で、nは1又は0である。)
で示されるオルガノシランの加水分解縮合物として得ることができる。
この場合、Xとしては、固体状のオルガノポリシロキサンを得る点からは、ハロゲン原子、特に塩素原子であることが好ましい。
上記平均組成式(3)で表されるシラン化合物としては、例えば、メチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、テトラクロロシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等が挙げられる。
上記加水分解性基を有するシラン化合物の加水分解及び縮合は、通常の方法で行えばよいが、例えば酢酸、塩酸、硫酸等の酸触媒、又は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ触媒の存在下で行うことが好ましい。例えば加水分解性基としてクロル基を含有するシランを使用する場合は、水添加によって発生する塩酸を触媒として、目的とする適切な分子量の加水分解縮合物を得ることができる。
加水分解及び縮合の際に添加される水の量は、上記加水分解性基を有するシラン化合物中の加水分解性基(例えばクロル基の場合)の合計量1モル当り、通常、0.9〜1.6モルであり、好ましくは1.0〜1.3モルである。この添加量が0.9〜1.6モルの範囲を満たすと、後述の組成物は作業性に優れ、その硬化物は強靭性に優れたものとなる。
上記加水分解性基を有するシラン化合物は、通常、アルコール類、ケトン類、エステル類、セロソルブ類、芳香族化合物類等の有機溶剤中で加水分解して使用することが好ましい。具体的には、例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、n−ブタノール、2−ブタノール等のアルコール類、芳香族化合物としてトルエン、キシレンが好ましく、組成物の硬化性及び硬化物の強靭性が優れたものとなるので、イソプロピルアルコール、トルエン併用系がより好ましい。
この場合、加水分解及び縮合の反応温度は、好ましくは10〜120℃、より好ましくは20〜100℃である。反応温度がかかる範囲を満たすと、ゲル化することなく、次の工程に使用可能な固体の加水分解縮合物が得られる。
具体的合成方法として、メチルトリクロロシランを用いる場合、トルエンに溶解したメチルトリクロロシランに、水及びイソプロピルアルコールを添加して部分加水分解(反応温度−5〜100℃)し、その後残存するクロル基の全量を加水分解する水を添加して反応させることにより、融点76℃の固体シリコーンポリマーが得られる。
このような平均組成式(1)の具体例としては、原料にメチルトリクロロシランを使用した場合に得られる下記式(5)などが挙げられる。
(CH31.0Si(OC370.07(OH)0.131.4 (5)
(B)白色顔料
本発明に係る(B)成分の白色顔料は、白色着色剤として、白色度を高めるために配合するものであり、白色顔料としては二酸化チタンを用いることが好ましく、この二酸化チタンの単位格子はルチル型、アナタース型、ブルカイト型のどれでも構わないが、ルチル型が好ましく使用される。また、平均粒径や形状も限定されないが、平均粒径は通常0.05〜5.0μmである。上記二酸化チタンは、樹脂や無機充填剤との相溶性、分散性を高めるため、AlやSiなどの含水酸化物等で予め表面処理することができる。
なお、平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値D50(又はメジアン径)として求めることができる。
また、白色顔料(白色着色剤)として、二酸化チタン以外にチタン酸カリウム、酸化ジルコン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、酸化マグネシウム等を単独で又は二酸化チタンと併用して使用することもできる。
白色顔料の配合量は、(A)成分100質量部に対し、3〜200質量部、望ましくは5〜150質量部、特に望ましくは10〜120質量部が好ましい。3質量部未満では十分な白色度が得られない場合があり、該白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物を硬化させた硬化物の反射率が初期値で70%以上、180℃,24時間劣化テスト後の反射率が70%以上の物性が得られなくなる。また、200質量部を超えると機械的強度向上の目的で添加する他の成分の割合が少なくなる問題が発生する。なお、この白色顔料は、白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物全体に対し1〜50質量%であり、望ましくは5〜30質量%、特に10〜30質量%の範囲で含有することが好ましい。
(C)無機充填剤
本発明に係る(C)成分の無機充填剤は、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、溶融球状シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、三酸化アンチモン等が挙げられるが、上記した白色顔料(白色着色剤)は除かれる。これら無機充填剤の平均粒径や形状は特に限定されないが、平均粒径は通常5〜40μmである。なお、平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値D50(又はメジアン径)として求めることができる。
特に、溶融シリカ、溶融球状シリカが好適に用いられ、その粒径は特に限定されるものではないが、成形性、流動性からみて、平均粒径は4〜40μm、特には7〜35μmが好ましい。また、高流動化を得るためには、3μm以下の微細領域、4〜8μmの中粒径領域、10〜40μmの粗領域のものを組み合わせて使用することが望ましい。
上記無機充填剤は、樹脂と無機充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合してもよい。
このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシランなどを用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
無機充填剤の配合量は、(A)成分100質量部に対し、400〜1,000質量部、特に600〜950質量部が好ましい。400質量部未満では、目的の線膨張係数を得ることができないおそれがあり、1,000質量部を超えると、増粘による未充填不良や柔軟性が失われることで、素子内の剥離等の不良が発生する場合がある。なお、この無機充填剤は、白色顔料との合計量が白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物全体の70〜93質量%、特に75〜91質量%の範囲で含有することが好ましい。
(D)縮合触媒(硬化触媒)
本発明に係る(D)成分の硬化触媒は、上記(A)成分の熱硬化性オルガノポリシロキサンを硬化させる縮合触媒である。この縮合触媒は、(A)成分の安定性、被膜の硬度、無黄変性、硬化性などを考慮して選択される。例えば、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、n−ヘキシルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロウンデセン(DBU)、ジシアンジアミド等の塩基性化合物類;テトライソプロピルチタネート、テトラブチルチタネート、チタンアセチルアセトナート、アルミニウムトリイソブトキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド、ジルコニウムテトラ(アセチルアセトナート)、ジルコニウムテトラブチレート、コバルトオクチレート、コバルトアセチルアセトナート、鉄アセチルアセトナート、スズアセチルアセトナート、ジブチルスズオクチレート、ジブチルスズラウレート、オクチル酸亜鉛、安息香酸亜鉛、p−tert−ブチル安息香酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、リン酸アルミニウム、アルミニウムトリイソプロポキシド等の含金属化合物類、アルミニウムトリスアセチルアセトネート、アルミニウムビスエチルアセトアセテート・モノアセチルアセトネート、ジイソプロポキシビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジイソプロポキシビス(エチルアセトアセテート)チタン等の有機チタンキレート化合物類が挙げられる。これらの中でも、オクチル酸亜鉛、安息香酸亜鉛、p−tert−ブチル安息香酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、リン酸アルミニウム、アルミニウムトリイソプロポキシド、有機チタンキレート化合物類が好ましく、特に安息香酸亜鉛、有機チタンキレート化合物類が好ましく使用される。
縮合触媒の配合量は、(A)成分100質量部に対し、好ましくは0.01〜10質量部、より好ましくは0.1〜6質量部である。添加量がかかる範囲を満たすと、硬化性が良好であり、安定したものとなる。
(E)カップリング剤
本発明に係る(E)成分のカップリング剤は、下記構造式(2)で示される。
3 dSi(OR2e (2)
ここで、R3はメルカプト基、グリシジル基、又はアミノ基を含む炭素数が1〜10の有機基、R2は同一又は異種の炭素数1〜4の有機基であり、上記R1と同様の基を示し、dは1及び2から選ばれる整数、eは2及び3から選ばれる整数を表す。
このようなカップリング剤としては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン等が挙げられる。特に、光半導体素子ケースのインサート材として銀メッキされた銅フレーム、Auメッキされた銅フレーム、Ni−Pd−Auメッキされた銅フレームを用いるときには、メルカプト官能性アルコキシシランを用いることが好ましい。かかるカップリング剤の添加量は、(A)成分100質量部に対し0.1〜8質量部、好ましくは0.5〜6質量部添加することができる。0.1質量部未満であると、基材への接着効果が十分ではなく、また8質量部を超えると、粘度が極端に下がり、ボイドやフラッシュの原因となることがある。
(F)その他の添加剤
本発明の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、樹脂の性質を改善する目的で種々のウィスカー、シリコーンパウダー、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、脂肪酸エステル、グリセリン酸エステル、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤等の添加剤を、本発明の効果を損なわない範囲で添加配合することができる。
本発明の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物には、必要により、フェノール系、リン系、硫黄系酸化防止剤を配合してもよいが、添加しなくても従来の熱硬化性シリコーン樹脂組成物に比べて変色性は少ない。
本発明のシリコーン樹脂組成物は、熱硬化性であり、例えば150〜185℃で30〜180秒の加熱により硬化するが、この場合、更に150〜180℃で2〜20時間の後硬化を行ってもよい。
本発明の組成物で成形した硬化物のガラス転移温度は、上記した組成物中のオルガノポリシロキサンの構造や無機充填剤の添加量等により決定されるが、概ね−20〜10℃の範囲である。本組成物を硬化して得られた硬化物のガラス転移温度以上の線膨張係数は、10〜40ppmの範囲内であることが好ましい。更に好ましくは10〜30ppmの範囲内である。ここで、ガラス転移温度以上の温度範囲としては25〜175℃、特には60〜120℃までが選択されるが、特に限定されるものではない。膨張係数の10〜40ppmの範囲は、主に上記した無機充填剤の添加量により決定される。10ppmより小さくするには無機充填剤量を増やす必要があり、この場合流動性が低下してしまい成形が困難になる。また40ppmより大きい場合は、光半導体ケースを成形した場合の反り量が大きくなってしまい、成形物の搬送性や、切断時に不都合が生じてしまう。
本発明の(A)〜(E)成分からなる光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物を硬化して得られた硬化物の波長450nmでの光反射率は、初期値で70%以上、特に80%以上、とりわけ85%以上、180℃,24時間劣化テスト後の反射率が70%以上、特に80%以上、とりわけ85%以上であることが好ましい。反射率が70%未満であるとLED用半導体素子ケース用として、使用上、使用時間が短くなる問題が発生する。また、365nmピーク波長の高圧水銀灯を用いて24時間照射(60mW/cm)した後の反射率も70%以上、特に80%以上、とりわけ85%以上であることが好ましい。
なお、このような反射率は、上記(A)成分として式(1)のシラノール基含有オルガノポリシロキサンを用いると共に、白色顔料、特に酸化チタンを上述した量で配合することにより達成することができる。
本発明の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、これを成形して光半導体ケースを形成することができる。ここで、光半導体ケースは、内部に透明樹脂、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等で封止したLED等の光半導体を保持、収容するものであり、この場合、光半導体を封止した透明樹脂との接触面が反射面(リフレクター)となるものである。
従って、本発明の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物は、半導体・電子機器装置、特にはLED用ケース、フォトカプラー用の封止材として有効に利用できる。
ここで、本発明の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物を用いた半導体素子の一例であるLEDリフレクターの断面図を図1に示す。図1で示されるLEDは、化合物半導体からなる半導体素子1がリードフレーム2にダイボンドされ、更にボンディングワイヤ3により別のリードフレーム(図示せず)にワイヤボンドされている。また、この半導体素子1と対向するように受光用の半導体素子(図示せず)がリードフレーム(図示せず)上にダイボンドされ、更にボンディングワイヤ(図示せず)により別のリードフレーム(図示せず)にワイヤーボンディングされている。これらの半導体素子の間は透明封止樹脂4により充填されている。更に、この封止樹脂4により被覆された半導体素子は本発明の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化物(白色リフレクターとしての光半導体ケース)5により保持(樹脂封止)されている。なお、6はレンズである。
この場合、本発明の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物の成形封止の最も一般的な方法としては、トランスファー成形法や圧縮成形法が挙げられる。
トランスファー成形法では、トランスファー成形機を用い、成形圧力5〜20N/mm2、成形温度は120〜190℃で30〜500秒、特に150〜185℃で30〜180秒で行うことが好ましい。また、圧縮成形法では、コンプレッション成形機を用い、成形温度は120〜190℃で30〜600秒、特に130〜160℃で120〜300秒で行うことが好ましい。更に、いずれの成形法においても、後硬化を150〜185℃で2〜20時間行うことができる。
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
実施例、比較例で使用した原料を以下に示す。
(A)熱硬化性オルガノポリシロキサン
[合成例1]
メチルトリクロロシラン100質量部、トルエン200質量部を1Lのフラスコに入れ、氷冷下で水8質量部、イソプロピルアルコール60質量部の混合液を液中滴下した。内温は−5〜0℃で5〜20時間かけて滴下し、その後加熱して還流温度で20分間撹拌した。それから室温まで冷却し、水12質量部を30℃以下、30分間で滴下し、20分間撹拌した。更に水25質量部を滴下後、40〜45℃で60分間撹拌した。その後水200質量部を入れて有機層を分離した。この有機層を中性になるまで洗浄し、その後共沸脱水、濾過、減圧ストリップをすることにより、下記式(6)で示される無色透明の固体(融点76℃)36.0質量部の熱硬化性オルガノポリシロキサン(A−1)を得た。
(CH31.0Si(OC370.07(OH)0.101.4 (6)
[合成例2](参考例)
メチルトリクロロシラン80質量部、テトラエトキシシラン20質量部、トルエン200質量部を1Lのフラスコに入れ、氷冷下で水8質量部、イソプロピルアルコール60質量部の混合液を液中滴下した。内温は−5〜0℃で5〜20時間かけて滴下し、その後加熱して還流温度で20分間撹拌した。それから室温まで冷却し、水12質量部を30℃以下、30分間で滴下し、20分間撹拌した。更に水25質量部を滴下後、40〜45℃で60分間撹拌した。その後水200質量部を入れて有機層を分離した。この有機層を中性になるまで洗浄し、その後共沸脱水、濾過、減圧ストリップをすることにより、下記式(7)で示される無色透明の固体(融点76℃)36.0質量部の熱硬化性オルガノポリシロキサン(A−2)を得た。
(CH30.5Si(OC370.06(OH)0.151.65 (7)
[比較合成例1]
メチルトリクロロシラン20質量部、ジメチルジクロロシラン86.2質量部、トルエン200質量部を1Lのフラスコに入れ、氷冷下で水8質量部、メチルアルコール60質量部の混合液を液中滴下した。内温は−5〜0℃で5〜20時間かけて滴下し、その後加熱して還流温度で20分間撹拌した。それから室温まで冷却し、水12質量部を30℃以下、30分間で滴下し、20分間撹拌した。更に水25質量部を滴下後、40〜45℃で60分間撹拌した。その後水200質量部を入れて有機層を分離した。この有機層を中性になるまで洗浄し、その後共沸脱水、濾過、減圧ストリップをすることにより、下記式(8)で示される無色透明の粘稠な固体32.0質量部の熱硬化性オルガノポリシロキサン(A−3)を得た。
(CH31.5Si(OCH30.07(OH)0.121.20 (8)
(B)白色顔料
B−1 二酸化チタン;ルチル型 平均粒径0.28μm(CR−95:石原産業(株)製)
(C)無機充填剤
C−1 球状溶融シリカ 平均粒径30μm(FB−570:電気化学工業(株)製)
(D)硬化触媒
D−1 安息香酸亜鉛(和光純薬工業(株)製)
(E)カップリング剤
E−1 γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(KBM803:信越化学工業(株)製)
E−2 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM403E:信越化学工業(株)製)
E−3 N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン(KBM503:信越化学工業(株)製)
[実施例1〜6、参考例1、比較例1〜3]
表1に示す配合において、(A)熱硬化性オルガノポリシロキサン、(B)白色顔料、(C)無機充填剤、(D)硬化触媒、(E)カップリング剤を配合し、ロール混合にて製造し、冷却、粉砕して白色シリコーン樹脂組成物を得た。
これらの組成物につき、以下の諸特性を測定した。結果を表1に示す。なお、成形は全てトランスファー成形機で行った。
《成形硬度》
175℃,6.86MPa、成形時間120秒の条件で10×4×100mmの棒を成形した時の熱時硬度をショアーD硬度計で測定した。
《室温 曲げ強度、曲げ弾性率》
JIS−K6911規格に準じた金型を使用して、175℃,6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で成形した試験片を室温(25℃)にて、曲げ強度、曲げ弾性率を測定した。
《ガラス転移温度、線膨張係数》
温度175℃,成形圧力6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で5×5×15mmの硬化物を成形し、180℃で4時間ポストキュアーした。その後、理学製TMA8140Cで昇温スピード5℃/分の条件でガラス転移温度、線膨張係数1、線膨張係数2を測定した。
線膨張係数1:−120〜60℃での線膨張係数
線膨張係数2:60〜120℃での線膨張係数
《耐熱性・黄変性》
175℃,6.9N/mm2、成形時間180秒の条件で直径50mm×厚さ3mmの円盤を成形し、180℃で24時間放置した後、またIRリフロー後、耐熱黄変性として表面の変化を目視で測定した。
《光反射率》
175℃,6.9N/mm2、成形時間180秒の条件で直径50mm×厚さ3mmの円盤(硬化物)を成形し、成形直後、180℃で24時間放置後、UV照射(365nmピーク波長の高圧水銀灯60mW/cm)24時間後の波長450nmにおける光反射率をエス・デイ・ジー(株)製X−rite8200を使用して測定した。
《接着性》
20×20mmのAgメッキを施した基板に、上記樹脂組成物を温度175℃,成形圧力70kgf/cm2、成形時間90秒の条件で成形し、接着用テストピースを作製した。これを180℃で4時間でポストキュアーした後、接着力を測定した。
Figure 0004678415
表1の実施例1〜によれば、膨張が少なく、硬化性、機械強度、白色性、耐熱性、耐光性を保持し、均一でかつ黄変の少ない硬化物を与える白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物を得ることができ、従って、該組成物の硬化物でLED用リフレクターが封止された半導体装置は有用であることが確認できた。
本発明の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物を用いた光半導体ケース(LEDリフレクター)の一例を示す概略図である。
符号の説明
1 半導体素子
2 リードフレーム
3 ボンディングワイヤ
4 透明封止樹脂
5 白色リフレクター(熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化物)
6 レンズ

Claims (4)

  1. A)下記平均組成式(1)
    (CH 3 a Si(OR 1 b (OH) c (4-a-b-c)/2 (1)
    (式中、R 1 は同一又は異種の炭素数1〜4のアルキル基又はアルケニル基を示し、0.1≦a≦1.1、0≦b≦0.3、0.001≦c≦0.5、0.801≦a+b+c≦1.9を満たす数である。)
    で表される熱硬化性オルガノポリシロキサン 100質量部、
    (B)白色顔料 3〜200質量部、
    (C)無機充填剤(但し、白色顔料を除く) 400〜1,000質量部、
    (D)縮合触媒 0.01〜10質量部、
    (E)下記構造式(2)で示されるカップリング剤 0.1〜8質量部
    3 dSi(OR2e (2)
    (式中、R3γ−メルカプトプロピル基、γ−グリシドキシプロピル基、γ−グリシドキシプロピル基とメチル基の組合せ、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピル基、γ−アミノプロピル基、N−フェニル−γ−アミノプロピル基から選ばれる有機基、R2は同一又は異種の炭素数1〜4のアルキル基又はアルケニル基、dは1又は2、eは2又は3を表し、d+e=4である。)
    を含有する白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物であって、
    (B)成分の白色顔料を上記白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物全体に対し1〜50質量%含有し、及び白色顔料(B)と無機充填剤(C)とを合計で白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物全体の70〜93質量%含有することを特徴とする光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
  2. (B)成分の白色顔料が酸化チタンであることを特徴とする請求項に記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
  3. ガラス転移温度以上の線膨張係数が10〜40ppmの範囲内である硬化物を与えることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物。
  4. 請求項1〜のいずれか1項に記載の光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化物からなり、内部に透明樹脂で封止された光半導体が保持された光半導体ケース。
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5108825B2 (ja) * 2009-04-24 2012-12-26 信越化学工業株式会社 光半導体装置用シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
JP5746620B2 (ja) 2009-06-26 2015-07-08 株式会社朝日ラバー 白色反射材及びその製造方法
JP2011074355A (ja) * 2009-09-07 2011-04-14 Nitto Denko Corp 光半導体装置用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
TWI488891B (zh) * 2009-12-22 2015-06-21 Mitsubishi Chem Corp And a material for a resin molded body for a semiconductor light emitting device
JP5545246B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-09 信越化学工業株式会社 樹脂組成物及び発光半導体素子用リフレクター、及び発光半導体装置
WO2011125346A1 (ja) * 2010-04-07 2011-10-13 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5749543B2 (ja) * 2010-06-18 2015-07-15 株式会社カネカ 熱硬化性樹脂組成物タブレットおよびそれを用いた半導体のパッケージ
JP2012041428A (ja) * 2010-08-18 2012-03-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース
JP5728961B2 (ja) * 2011-01-17 2015-06-03 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース
JP5728960B2 (ja) * 2011-01-17 2015-06-03 信越化学工業株式会社 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース
JP5682497B2 (ja) 2011-07-29 2015-03-11 信越化学工業株式会社 表面実装型発光装置の製造方法及びリフレクター基板
WO2013047407A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 発光装置及び塗布液
JP5729270B2 (ja) * 2011-11-21 2015-06-03 信越化学工業株式会社 Ledリフレクターとして有用な白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物を用いた光半導体装置
WO2013101277A1 (en) 2011-12-30 2013-07-04 Ticona Llc Reflector for light-emitting devices
JP5756054B2 (ja) 2012-04-16 2015-07-29 信越化学工業株式会社 Ledのリフレクター用熱硬化性樹脂組成物並びにこれを用いたled用リフレクター及び光半導体装置
JP5814175B2 (ja) * 2012-04-16 2015-11-17 信越化学工業株式会社 Ledのリフレクター用熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びにこれを用いたled用リフレクター及び光半導体装置
CN103579468A (zh) * 2012-07-30 2014-02-12 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
JPWO2014065070A1 (ja) * 2012-10-24 2016-09-08 コニカミノルタ株式会社 光学部材及び結合光学系
WO2014099745A1 (en) * 2012-12-18 2014-06-26 Ticona Llc Molded reflectors for light-emitting diode assemblies
JP6023897B2 (ja) * 2012-12-20 2016-11-09 ブルースター・シリコーンズ・フランス・エスアエス 室温におけるエラストマーへの加硫に適したオルガノポリシロキサン組成物及び新規のオルガノポリシロキサン重縮合触媒
JP5996085B2 (ja) 2013-02-27 2016-09-21 株式会社朝日ラバー 白色反射膜用インク、白色反射膜用粉体塗料及び白色反射膜の製造方法
JP2014177570A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性シリコーン樹脂組成物
US9463997B2 (en) 2013-08-28 2016-10-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composite particle, method of producing same, resin composition containing the particle, reflector formed from the composition, and light-emitting semiconductor device using the reflector
JPWO2015041342A1 (ja) * 2013-09-20 2017-03-02 リンテック株式会社 硬化性組成物、硬化物および硬化性組成物の使用方法
JP5797717B2 (ja) * 2013-10-16 2015-10-21 台湾太陽油▲墨▼股▲分▼有限公司 白色熱硬化性樹脂組成物、その硬化物、及びそれを用いたディスプレイ用部材
JP6194853B2 (ja) * 2014-06-06 2017-09-13 信越化学工業株式会社 光半導体装置用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物、及び光半導体素子搭載用ケース
CN105778505B (zh) * 2014-12-25 2019-04-30 广东生益科技股份有限公司 一种有机硅树脂组合物以及使用它的白色预浸料和白色层压板
US10113111B2 (en) 2015-02-06 2018-10-30 Dow Silicones Corporation Treated fillers and uses thereof
CN105990496B (zh) * 2015-03-04 2018-11-16 光宝光电(常州)有限公司 Led封装结构及其制造方法
JP6540619B2 (ja) * 2016-07-08 2019-07-10 信越化学工業株式会社 熱硬化性シリコーン樹脂組成物およびその成形体を使用した光半導体装置
WO2018235491A1 (ja) * 2017-06-19 2018-12-27 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性粒状シリコーン組成物、それからなる半導体用部材、およびその成型方法
JP6974724B2 (ja) * 2018-03-08 2021-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2019159140A (ja) * 2018-03-14 2019-09-19 信越化学工業株式会社 白色リフレクター用熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物からなる白色リフレクター

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02288274A (ja) * 1989-04-27 1990-11-28 Unitika Ltd 耐ハンダ性発光ダイオード用リフレクター
JPH03149259A (ja) * 1989-11-06 1991-06-25 Toshiba Silicone Co Ltd 高強度室温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物
JPH0491165A (ja) * 1990-08-07 1992-03-24 Toshiba Silicone Co Ltd 白色シリコーンゴム組成物
JP2006077234A (ja) * 2004-08-10 2006-03-23 Shin Etsu Chem Co Ltd Led素子封止用樹脂組成物および該組成物を硬化してなる硬化物
JP2006257314A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Kuraray Co Ltd Ledリフレクタ成形用ポリアミド樹脂組成物およびledリフレクタ
JP2007056146A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Nagase Chemtex Corp 光素子用封止樹脂組成物
JP2007254669A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Nippon Oil Corp 全芳香族サーモトロピック液晶ポリエステル樹脂組成物、その射出成形体および該成形体を使用した光学装置
JP2007270054A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Jsr Corp 金属酸化物微粒子含有ポリシロキサン組成物およびその製造方法
JP2007291273A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Asahi Kasei Corp 封止材用組成物及び光学デバイス
JP2008027966A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーン樹脂組成物で封止された半導体装置及び該半導体装置封止用シリコーン樹脂タブレット
JP2008192880A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法並びに発光装置用成形体
JP2008189833A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2008189827A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2008274272A (ja) * 2007-04-06 2008-11-13 Yokohama Rubber Co Ltd:The 光半導体素子封止用組成物、その硬化物および光半導体素子封止体
JP2009155415A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3792012A (en) * 1972-03-17 1974-02-12 Gen Electric Silicone resin useful in molding compositions
JPS5217540B2 (ja) * 1973-10-04 1977-05-16
US4102970A (en) * 1974-10-03 1978-07-25 Wacker-Chemie Gmbh Thermosetting compositions which can be cured to form molded objects or coatings
JPS6056171B2 (ja) * 1980-03-17 1985-12-09 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物
US5096990A (en) * 1988-10-19 1992-03-17 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Resin composition for inner coat of semiconductor chip
JP2656336B2 (ja) 1989-01-18 1997-09-24 日東電工株式会社 光半導体装置およびそれに用いる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
DE69016609T2 (de) * 1989-11-27 1995-06-29 Toshiba Silicone Beschichtungszusammensetzung, beschichtetes anorganisches gehärtetes Produkt und Verfahren zur Herstellung dieses Produktes.
JPH09310007A (ja) 1996-05-22 1997-12-02 Matsushita Electric Works Ltd 液状エポキシ樹脂組成物
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP3618238B2 (ja) 1998-12-25 2005-02-09 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2001234032A (ja) 2000-02-24 2001-08-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
DE60112983T2 (de) * 2000-03-31 2006-05-18 Jsr Corp. Überzugsmittel und gehärtetes Produkt
DE60118052T2 (de) * 2000-04-13 2006-10-26 Jsr Corp. Überzugsmittel, Verfahren zur Herstellung, gehärtetes Produkt und Beschichtungsfilm
JP2001316591A (ja) 2000-04-28 2001-11-16 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁材料組成物、絶縁材料付金属箔、両面金属箔付絶縁材料及び金属張積層板
JP3512732B2 (ja) 2000-11-09 2004-03-31 京セラケミカル株式会社 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置
JP3891554B2 (ja) 2001-01-30 2007-03-14 住友ベークライト株式会社 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
US6632892B2 (en) * 2001-08-21 2003-10-14 General Electric Company Composition comprising silicone epoxy resin, hydroxyl compound, anhydride and curing catalyst
US6924596B2 (en) * 2001-11-01 2005-08-02 Nichia Corporation Light emitting apparatus provided with fluorescent substance and semiconductor light emitting device, and method of manufacturing the same
JP4250949B2 (ja) 2001-11-01 2009-04-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US6750273B2 (en) * 2002-10-02 2004-06-15 Dow Corning Corporation Filled silicone composition and cured silicone product
TW200427111A (en) * 2003-03-12 2004-12-01 Shinetsu Chemical Co Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device
JP2005306952A (ja) 2004-04-20 2005-11-04 Japan Epoxy Resin Kk 発光素子封止材用エポキシ樹脂組成物
JP4300418B2 (ja) * 2004-04-30 2009-07-22 信越化学工業株式会社 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置
US20060035092A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resin composition for sealing LED elements and cured product generated by curing the composition
KR100665117B1 (ko) * 2005-02-17 2007-01-09 삼성전기주식회사 Led 하우징 및 그 제조 방법
JP4876426B2 (ja) * 2005-04-08 2012-02-15 日亜化学工業株式会社 耐熱性及び耐光性に優れる発光装置
US20070007558A1 (en) * 2005-06-27 2007-01-11 Mazzochette Joseph B Light emitting diode package and method for making same
JP5420141B2 (ja) * 2006-03-01 2014-02-19 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーンレジン組成物および硬化物
US20070284589A1 (en) * 2006-06-08 2007-12-13 Keat Chuan Ng Light emitting device having increased light output
JP4514058B2 (ja) * 2006-08-30 2010-07-28 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及びその硬化物
US20080117619A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Siew It Pang Light source utilizing a flexible circuit carrier and flexible reflectors

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02288274A (ja) * 1989-04-27 1990-11-28 Unitika Ltd 耐ハンダ性発光ダイオード用リフレクター
JPH03149259A (ja) * 1989-11-06 1991-06-25 Toshiba Silicone Co Ltd 高強度室温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物
JPH0491165A (ja) * 1990-08-07 1992-03-24 Toshiba Silicone Co Ltd 白色シリコーンゴム組成物
JP2006077234A (ja) * 2004-08-10 2006-03-23 Shin Etsu Chem Co Ltd Led素子封止用樹脂組成物および該組成物を硬化してなる硬化物
JP2006257314A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Kuraray Co Ltd Ledリフレクタ成形用ポリアミド樹脂組成物およびledリフレクタ
JP2007056146A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Nagase Chemtex Corp 光素子用封止樹脂組成物
JP2007254669A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Nippon Oil Corp 全芳香族サーモトロピック液晶ポリエステル樹脂組成物、その射出成形体および該成形体を使用した光学装置
JP2007270054A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Jsr Corp 金属酸化物微粒子含有ポリシロキサン組成物およびその製造方法
JP2007291273A (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Asahi Kasei Corp 封止材用組成物及び光学デバイス
JP2008027966A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーン樹脂組成物で封止された半導体装置及び該半導体装置封止用シリコーン樹脂タブレット
JP2008192880A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法並びに発光装置用成形体
JP2008189833A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2008189827A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2008274272A (ja) * 2007-04-06 2008-11-13 Yokohama Rubber Co Ltd:The 光半導体素子封止用組成物、その硬化物および光半導体素子封止体
JP2009155415A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法

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