JP2656336B2 - 光半導体装置およびそれに用いる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
光半導体装置およびそれに用いる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JP2656336B2 JP2656336B2 JP1075989A JP1075989A JP2656336B2 JP 2656336 B2 JP2656336 B2 JP 2656336B2 JP 1075989 A JP1075989 A JP 1075989A JP 1075989 A JP1075989 A JP 1075989A JP 2656336 B2 JP2656336 B2 JP 2656336B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学ムラのない光半導体装置およびそれに
用いられる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する
ものである。
用いられる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する
ものである。
従来から、固体撮像素子等の受光素子は、一般にセラ
ミツクパツケージによつて中空状に封止され装置化され
ている。しかしながら、上記セラミツクパツケージは、
構成材料が比較的高価なものであることと、量産性に劣
る欠点があるため、プラスチツクパツケージを用いた樹
脂封止が検討されている。上記プラスチツクパツケージ
を用いた樹脂封止のなかでも、特に、エポキシ樹脂組成
物を用いた樹脂封止が検討されている。上記エポキシ樹
脂組成物は、エポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤および
その他の添加剤を加熱しながら溶融混合して得られる。
ミツクパツケージによつて中空状に封止され装置化され
ている。しかしながら、上記セラミツクパツケージは、
構成材料が比較的高価なものであることと、量産性に劣
る欠点があるため、プラスチツクパツケージを用いた樹
脂封止が検討されている。上記プラスチツクパツケージ
を用いた樹脂封止のなかでも、特に、エポキシ樹脂組成
物を用いた樹脂封止が検討されている。上記エポキシ樹
脂組成物は、エポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤および
その他の添加剤を加熱しながら溶融混合して得られる。
しかしながら、上記方法により得られる光半導体封止
用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂，硬化剤および
硬化促進剤の各成分の分散性が不充分であり、分子レベ
ルまで均一に混合分散されていない。そのため、例え
ば、上記のような光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
用いてトランスフアー成形を行うと、つぎのような問題
が生じる。すなわち、第１図に示すように、カル１内に
タブレツト状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を投
入しプランジヤー２で押圧すると、上記光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物は矢印に示すように流動してランナ
ー３を通過してキヤビテイー４内に流入する。そして、
第２図に示すように、光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は矢印に示すように、ゲート５を通過しキヤビテイー
４内のフレーム６上に搭載された固体撮像素子７を樹脂
封止する。この樹脂封止に際して、キヤビテイー４内で
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を硬化させると、光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の各成分の分散状態
が、分子レベルで均一分散していず不均一なため、硬化
反応の速い部分と遅い部分が存在し、その硬化反応の速
度差により、硬化密度の差が生じ、封止樹脂に、樹脂の
流れ方向に沿つて延びる縞模様の光学むらが形成される
という問題が生じる。このような光学むらは、例えば固
体撮像素子７のエリアセンターを上記のように従来の光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物で樹脂封止したものに
強い平行光を当て絞りをＦ−32まで絞つた場合、その撮
像に縞模様となつて現れる。
用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂，硬化剤および
硬化促進剤の各成分の分散性が不充分であり、分子レベ
ルまで均一に混合分散されていない。そのため、例え
ば、上記のような光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
用いてトランスフアー成形を行うと、つぎのような問題
が生じる。すなわち、第１図に示すように、カル１内に
タブレツト状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を投
入しプランジヤー２で押圧すると、上記光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物は矢印に示すように流動してランナ
ー３を通過してキヤビテイー４内に流入する。そして、
第２図に示すように、光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は矢印に示すように、ゲート５を通過しキヤビテイー
４内のフレーム６上に搭載された固体撮像素子７を樹脂
封止する。この樹脂封止に際して、キヤビテイー４内で
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を硬化させると、光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の各成分の分散状態
が、分子レベルで均一分散していず不均一なため、硬化
反応の速い部分と遅い部分が存在し、その硬化反応の速
度差により、硬化密度の差が生じ、封止樹脂に、樹脂の
流れ方向に沿つて延びる縞模様の光学むらが形成される
という問題が生じる。このような光学むらは、例えば固
体撮像素子７のエリアセンターを上記のように従来の光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物で樹脂封止したものに
強い平行光を当て絞りをＦ−32まで絞つた場合、その撮
像に縞模様となつて現れる。
また、上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物中に、
例えば５μｍ程度の塵等の異物が混入していると、上記
樹脂組成物を用いて固体撮像素子７を樹脂封止したもの
を用いて得られる画像には上記異物が黒点となつて現れ
ることになる。しかしながら、上記樹脂組成物はトラン
スフアー成形に用いる際にはタブレツト上に形成されて
いるため、上記のような極微細な塵等の異物を除去する
ことは不可能である。
例えば５μｍ程度の塵等の異物が混入していると、上記
樹脂組成物を用いて固体撮像素子７を樹脂封止したもの
を用いて得られる画像には上記異物が黒点となつて現れ
ることになる。しかしながら、上記樹脂組成物はトラン
スフアー成形に用いる際にはタブレツト上に形成されて
いるため、上記のような極微細な塵等の異物を除去する
ことは不可能である。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光
学むらがなく、かつ塵等の異物が混入されていない光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半
導体装置の提供をその目的とする。
学むらがなく、かつ塵等の異物が混入されていない光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半
導体装置の提供をその目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明は、封止樹脂が、
エポキシ樹脂，硬化剤および硬化促進剤を構成成分とす
るＢステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
あつて、上記構成成分が分子レベルで均一に混合されて
いる樹脂組成物の硬化体で構成されている光半導体装置
を第１の要旨とし、エポキシ樹脂，硬化剤および硬化促
進剤を構成成分とするＢステージ状の光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を有機溶媒に溶解混合した後、上記有
機溶媒の残存量が上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物全体の３重量％以下になるよう除去されている光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を第２の要旨とし、エポキ
シ樹脂，硬化剤および硬化促進剤を有機溶媒に溶解混合
した後、上記有機溶媒の残存量が上記光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物全体の３重量％以下になるよう除去さ
れている光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第３の要
旨とする。
エポキシ樹脂，硬化剤および硬化促進剤を構成成分とす
るＢステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
あつて、上記構成成分が分子レベルで均一に混合されて
いる樹脂組成物の硬化体で構成されている光半導体装置
を第１の要旨とし、エポキシ樹脂，硬化剤および硬化促
進剤を構成成分とするＢステージ状の光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を有機溶媒に溶解混合した後、上記有
機溶媒の残存量が上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物全体の３重量％以下になるよう除去されている光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を第２の要旨とし、エポキ
シ樹脂，硬化剤および硬化促進剤を有機溶媒に溶解混合
した後、上記有機溶媒の残存量が上記光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物全体の３重量％以下になるよう除去さ
れている光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第３の要
旨とする。
すなわち、本発明者らは、光学むらを生じず、かつ塵
等の微細な異物が混入していない光半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を得るため一連の研究を重ねた。その結
果、エポキシ樹脂組成物をＢステージ状（半硬化状）に
した従来の封止用エポキシ樹脂組成物粉末を有機溶媒に
充分混合して各成分を溶解させ、ついで有機溶媒を蒸発
させるか、あるいはエポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤
等の各成分原料を有機溶媒に混合して均一に溶解させ、
この溶液を溶解段階で加熱しＢステージ状化し、つい
で、溶媒を蒸発させるか、溶媒の蒸発後に緩やかに加熱
しＢステージ状化して光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を作製すると、得られる組成物では各成分が分子レベ
ルで均一分散しており、その硬化体には光学的な硬化む
らが生じないことを突き止めた。そして、この光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物で樹脂封止してなる光半導体
装置の画像には、光学むらが生じないことを見出してこ
の発明に到達した。また、上記方法では、エポキシ樹脂
組成物ないしはその原料を一旦有機溶媒に溶解するた
め、この溶液を濾過することにより、従来では除去不可
能な微細な異物をも簡単に除去することが可能になる。
等の微細な異物が混入していない光半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を得るため一連の研究を重ねた。その結
果、エポキシ樹脂組成物をＢステージ状（半硬化状）に
した従来の封止用エポキシ樹脂組成物粉末を有機溶媒に
充分混合して各成分を溶解させ、ついで有機溶媒を蒸発
させるか、あるいはエポキシ樹脂，硬化剤，硬化促進剤
等の各成分原料を有機溶媒に混合して均一に溶解させ、
この溶液を溶解段階で加熱しＢステージ状化し、つい
で、溶媒を蒸発させるか、溶媒の蒸発後に緩やかに加熱
しＢステージ状化して光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を作製すると、得られる組成物では各成分が分子レベ
ルで均一分散しており、その硬化体には光学的な硬化む
らが生じないことを突き止めた。そして、この光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物で樹脂封止してなる光半導体
装置の画像には、光学むらが生じないことを見出してこ
の発明に到達した。また、上記方法では、エポキシ樹脂
組成物ないしはその原料を一旦有機溶媒に溶解するた
め、この溶液を濾過することにより、従来では除去不可
能な微細な異物をも簡単に除去することが可能になる。
なお、ここで、上記分子レベルで均一に混合されてい
るとは、表面が研磨され研磨表面の表面粗さが1.5μｍ
以下の凹凸状差を有し直角の枝分かれ部をもつランナー
形状の平板（厚み3.0mm,幅5mm）に仕上げられた樹脂硬
化物（150℃×６分のトランスフアー成形の後、さらに1
50℃×３時間硬化させたのち成形金型のランナー部から
取り出したもの）を1/2インチで38万画素タイプの固体
撮像素子上に搭載し、光度10カンデラの強い平行光を直
角に当て、絞り度をＦ−32まで絞つたときの撮像に縞模
様が生じない状態のことをいう。
るとは、表面が研磨され研磨表面の表面粗さが1.5μｍ
以下の凹凸状差を有し直角の枝分かれ部をもつランナー
形状の平板（厚み3.0mm,幅5mm）に仕上げられた樹脂硬
化物（150℃×６分のトランスフアー成形の後、さらに1
50℃×３時間硬化させたのち成形金型のランナー部から
取り出したもの）を1/2インチで38万画素タイプの固体
撮像素子上に搭載し、光度10カンデラの強い平行光を直
角に当て、絞り度をＦ−32まで絞つたときの撮像に縞模
様が生じない状態のことをいう。
本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポ
キシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤とを用いて得られるもの
であり、シリカ粉末等の充填剤は使用しない。
キシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤とを用いて得られるもの
であり、シリカ粉末等の充填剤は使用しない。
上記エポキシ樹脂としては、従来公知のもので着色の
少ないものであれば特に制限するものではない。例え
ば、ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフエノール
Ｆ型エポキシ樹脂、フエノールノボラツク型エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアネー
ト，ヒダントインエポキシ等の含複素環エポキシ樹脂、
水添加ビスフエノールノＡ型エポキシ樹脂、脂肪族系エ
ポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂等があ
げられ、単独でもしくは併せて用いられる。
少ないものであれば特に制限するものではない。例え
ば、ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフエノール
Ｆ型エポキシ樹脂、フエノールノボラツク型エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアネー
ト，ヒダントインエポキシ等の含複素環エポキシ樹脂、
水添加ビスフエノールノＡ型エポキシ樹脂、脂肪族系エ
ポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂等があ
げられ、単独でもしくは併せて用いられる。
上記硬化剤としては、硬化時または硬化後に樹脂組成
物の硬化体に着色の少ない酸無水物が好適であるが特に
制限するものではない。例えば、上記酸無水物として
は、無水フタル酸，無水マレイン酸，無水トリメリツト
酸，無水パイロメリツト酸，無水ヘキサヒドロ無水フタ
ル酸，テトラヒドロ無水フタル酸，無水メチルナジツク
酸，無水ナジツク酸，無水グルタル酸等があげられ、ア
ミン系硬化剤としては、メタフエニレンジアミン，ジメ
チルジフエニルメタン，ジアミノジフエニルスルホン,m
−キシレンジアミン，テトラエチレンペンタミン，ジエ
チルアミン，プロピルアミン等があげられる。さらに、
フエノール樹脂系硬化剤等があげられ、いずれを用いて
も差し支えない。
物の硬化体に着色の少ない酸無水物が好適であるが特に
制限するものではない。例えば、上記酸無水物として
は、無水フタル酸，無水マレイン酸，無水トリメリツト
酸，無水パイロメリツト酸，無水ヘキサヒドロ無水フタ
ル酸，テトラヒドロ無水フタル酸，無水メチルナジツク
酸，無水ナジツク酸，無水グルタル酸等があげられ、ア
ミン系硬化剤としては、メタフエニレンジアミン，ジメ
チルジフエニルメタン，ジアミノジフエニルスルホン,m
−キシレンジアミン，テトラエチレンペンタミン，ジエ
チルアミン，プロピルアミン等があげられる。さらに、
フエノール樹脂系硬化剤等があげられ、いずれを用いて
も差し支えない。
上記硬化促進剤としては、三級アミン，イミダゾール
類，カルボン酸金属塩，リン化合物等があげられる。
類，カルボン酸金属塩，リン化合物等があげられる。
なお、本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物に
は、上記各成分以外に必要に応じて着色防止剤，変性
剤，劣化防止剤，離型剤等の従来公知の添加剤が用いら
れる。
は、上記各成分以外に必要に応じて着色防止剤，変性
剤，劣化防止剤，離型剤等の従来公知の添加剤が用いら
れる。
上記着色防止剤としては、フエノール系化合物，アミ
ン系化合物，有機硫黄系化合物，ホスフイン系化合物等
従来公知のものがあげられる。
ン系化合物，有機硫黄系化合物，ホスフイン系化合物等
従来公知のものがあげられる。
本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例え
ば大きく分けて下記の３つの方法により製造することが
できる。
ば大きく分けて下記の３つの方法により製造することが
できる。
第１の方法は、まず、上記各成分原料を混合してＢス
テージ状（半硬化状）の光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を作製する。上記各成分原料の混合法としては、一
般に、部分反応法（半硬化法），溶融混合法が用いられ
る。なお、ここでのＢステージ状の光半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の反応進行度合は、上記樹脂組成物の温
度150℃におけるゲル化時間が10〜70秒、好ましくは10
〜40秒になるように設定することが望ましい。つぎに、
上記Ｂステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を有機溶媒に均一溶解（これにより各成分が分子レベル
で均一に混合された状態になる）したのち、上記有機溶
媒を揮散除去し、これを室温に冷却した後公知の手段に
より粉砕し、必要に応じて打錠し光半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を製造するという方法である（Ｘ法）。こ
のようにして得られた最終製品の光半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物の反応の進行度合は、トランスフアー成形
が可能な状態であればよく、通常、温度150℃における
ゲル化時間が10〜50秒、好ましくは10〜40棒程度に設定
することが望ましい。なお、上記方法において、有機溶
媒を揮散除去したのち、必要に応じた製品の粘度等の調
節を目的として加熱することが行われるが、この段階で
急激に加熱すると、反応速度に部分的なむらを生じ硬化
度合の不均一化を招くため、150℃におけるゲル化時間
が20秒以上低くならないよう低温でおだやかに加熱する
のが好ましい。
テージ状（半硬化状）の光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を作製する。上記各成分原料の混合法としては、一
般に、部分反応法（半硬化法），溶融混合法が用いられ
る。なお、ここでのＢステージ状の光半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の反応進行度合は、上記樹脂組成物の温
度150℃におけるゲル化時間が10〜70秒、好ましくは10
〜40秒になるように設定することが望ましい。つぎに、
上記Ｂステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を有機溶媒に均一溶解（これにより各成分が分子レベル
で均一に混合された状態になる）したのち、上記有機溶
媒を揮散除去し、これを室温に冷却した後公知の手段に
より粉砕し、必要に応じて打錠し光半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物を製造するという方法である（Ｘ法）。こ
のようにして得られた最終製品の光半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物の反応の進行度合は、トランスフアー成形
が可能な状態であればよく、通常、温度150℃における
ゲル化時間が10〜50秒、好ましくは10〜40棒程度に設定
することが望ましい。なお、上記方法において、有機溶
媒を揮散除去したのち、必要に応じた製品の粘度等の調
節を目的として加熱することが行われるが、この段階で
急激に加熱すると、反応速度に部分的なむらを生じ硬化
度合の不均一化を招くため、150℃におけるゲル化時間
が20秒以上低くならないよう低温でおだやかに加熱する
のが好ましい。
上記有機溶媒としては、Ｂステージ状の光半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を完全に溶解することができるも
のであれば特に制限するものではない。例えば、トルエ
ン，キシレン等の炭化水素系有機溶媒、ジクロルメタ
ン,1,1,1−トリクロルエタン、1,1,2−トリクロルエタ
ン等のハロゲン化炭化水素系有機溶媒、ジエチルエーテ
ル，ジオキサン，テトラヒドロフラン等のエーテル系有
機溶媒、アセトン，メチルエチルケトン，ジエチルケト
ン等のケトン系有機溶媒およびこれらの混合溶液等があ
げられる。また、Ｂステージ状の光半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物に対する有機溶媒の混合比率および混合温
度も、上記Ｂステージ状光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を完全に溶解することができる範囲であれば特に限
定するものではないが、有機溶媒の混合比率は、通常、
Ｂステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の１
〜50倍量（重量比）が好ましく、より好ましくは１〜10
倍量である。また、混合温度は、あまり高温であると光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物がゲル化するため、10
0℃以下に保つことが好ましい。
用エポキシ樹脂組成物を完全に溶解することができるも
のであれば特に制限するものではない。例えば、トルエ
ン，キシレン等の炭化水素系有機溶媒、ジクロルメタ
ン,1,1,1−トリクロルエタン、1,1,2−トリクロルエタ
ン等のハロゲン化炭化水素系有機溶媒、ジエチルエーテ
ル，ジオキサン，テトラヒドロフラン等のエーテル系有
機溶媒、アセトン，メチルエチルケトン，ジエチルケト
ン等のケトン系有機溶媒およびこれらの混合溶液等があ
げられる。また、Ｂステージ状の光半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物に対する有機溶媒の混合比率および混合温
度も、上記Ｂステージ状光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物を完全に溶解することができる範囲であれば特に限
定するものではないが、有機溶媒の混合比率は、通常、
Ｂステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の１
〜50倍量（重量比）が好ましく、より好ましくは１〜10
倍量である。また、混合温度は、あまり高温であると光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物がゲル化するため、10
0℃以下に保つことが好ましい。
さらに、上記製法において有機溶媒を除去する方法と
しては、常温あるいは必要に応じて加熱し減圧すること
により除去する方法、真空凍結乾燥法により除去する方
法等があげられるが、特に限定するものではない。な
お、有機溶媒の残存量は、光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物全体の３重量％以下に設定する必要がある。好ま
しくは1.5重量％以下、より好ましくは0.05重量％以下
である。すなわち、有機溶媒の残存量が３重量％を超え
ると、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物のポツトライ
フが著しく短くなつたり、その硬化物のガラス転移温度
が低下し、線膨張係数が増大し、その結果、封止樹脂の
耐湿性およびヒートサイクル性が低下するからである。
しては、常温あるいは必要に応じて加熱し減圧すること
により除去する方法、真空凍結乾燥法により除去する方
法等があげられるが、特に限定するものではない。な
お、有機溶媒の残存量は、光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物全体の３重量％以下に設定する必要がある。好ま
しくは1.5重量％以下、より好ましくは0.05重量％以下
である。すなわち、有機溶媒の残存量が３重量％を超え
ると、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物のポツトライ
フが著しく短くなつたり、その硬化物のガラス転移温度
が低下し、線膨張係数が増大し、その結果、封止樹脂の
耐湿性およびヒートサイクル性が低下するからである。
第２の方法は、上記第１の方法のように予め上記各成
分原料を混合してＢステージ状にせずに、各成分原料を
そのまま有機溶媒に溶解（これにより各成分原料が分子
レベルで均一に混合した状態となる）したのち加温し、
溶液中でエポキシ樹脂の硬化反応を進行させＢステージ
状にする。つぎに、有機溶媒を除去し、これを室温に冷
却した後公知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠し
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造するという方
法である（Ｙ法）。この方法において、上記のように各
成分原料を有機溶媒に溶解混合した後加温しＢステージ
状化するのではなく溶解混合しながら加温してもよい。
また、Ｂステージ状化したのち加熱を続け硬化度を高め
るようにしてもよい。さらに、上記の方法においても、
必要に応じて有機溶媒を揮散除去したのち製品の粘度の
調節を目的として加熱することが行われるが、前記同
様、ゲル化時間が20秒以上低くならないよう低温で緩や
かに加熱することが好ましい。このようにして得られた
最終製品の反応の進行度合は、通常、150℃におけるゲ
ル化時間が10〜70秒、好ましくは10〜40秒に設定するこ
とが望ましい。このとき、有機溶媒を揮散し始めからゲ
ル化の進行度合は、温度150℃におけるゲルタイムで20
秒以下にならないようにコントロールするのが好まし
い。また、使用する有機溶媒およびその混合比率，混合
温度、さらに有機溶媒の除去方法と除去した後の残存量
は、前述の第１の方法と同様である。
分原料を混合してＢステージ状にせずに、各成分原料を
そのまま有機溶媒に溶解（これにより各成分原料が分子
レベルで均一に混合した状態となる）したのち加温し、
溶液中でエポキシ樹脂の硬化反応を進行させＢステージ
状にする。つぎに、有機溶媒を除去し、これを室温に冷
却した後公知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠し
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造するという方
法である（Ｙ法）。この方法において、上記のように各
成分原料を有機溶媒に溶解混合した後加温しＢステージ
状化するのではなく溶解混合しながら加温してもよい。
また、Ｂステージ状化したのち加熱を続け硬化度を高め
るようにしてもよい。さらに、上記の方法においても、
必要に応じて有機溶媒を揮散除去したのち製品の粘度の
調節を目的として加熱することが行われるが、前記同
様、ゲル化時間が20秒以上低くならないよう低温で緩や
かに加熱することが好ましい。このようにして得られた
最終製品の反応の進行度合は、通常、150℃におけるゲ
ル化時間が10〜70秒、好ましくは10〜40秒に設定するこ
とが望ましい。このとき、有機溶媒を揮散し始めからゲ
ル化の進行度合は、温度150℃におけるゲルタイムで20
秒以下にならないようにコントロールするのが好まし
い。また、使用する有機溶媒およびその混合比率，混合
温度、さらに有機溶媒の除去方法と除去した後の残存量
は、前述の第１の方法と同様である。
上記２種類の方法においては、各成分原料は１種類で
も、また２種類を併用しても差し支えはない。ここで、
１種類とは、例えば、エポキシ樹脂においてはビスフエ
ノールＡ型およびビスフエノールＦ型のように基本骨格
が同じでビスフエノールタイプとして一括できるものの
ことであり、硬化剤においては、無水フタル酸およびテ
トラヒドロ無水フタル酸のように基本骨格が同じで無水
フタル酸系として一括できるもののことである。
も、また２種類を併用しても差し支えはない。ここで、
１種類とは、例えば、エポキシ樹脂においてはビスフエ
ノールＡ型およびビスフエノールＦ型のように基本骨格
が同じでビスフエノールタイプとして一括できるものの
ことであり、硬化剤においては、無水フタル酸およびテ
トラヒドロ無水フタル酸のように基本骨格が同じで無水
フタル酸系として一括できるもののことである。
第３の方法は、エポキシ樹脂，硬化剤等をそれぞれ１
種類づつ用い、これらを有機溶媒に溶解したのち、加熱
せずに有機溶媒を揮散除去し、残存物に対して低温加熱
（低温エージング）を施しＢステージ状化するという方
法（Ｚ法）である。この方法は、上記エポキシ樹脂，硬
化剤が１種類ずつであるため、有機溶媒揮散除去後に加
熱しても生成硬化物が１種類となることから硬化度のむ
らが殆ど生じず、したがつて光学むらが生じない。ただ
し、上記第３の方法の低温エージングにおいて、150℃
でのゲル化時間が20秒以上低くならないように低温で穏
やかに加熱を行うようにすれば、各成分を２種類以上併
用しても光学むらが殆ど生じない。このようにして得ら
れた最終製品の反応の進行度合は、通常、150℃におけ
るゲル化時間が10〜70秒、好ましくは10〜40秒に設定す
ることが望ましい。このとき、有機溶媒を揮散し始めて
からゲル化の進行度合は、温度150℃におけるゲルタイ
ムで20秒以下にならないようにコントロールするのが好
ましい。また、使用する有機溶媒およびその混合比率，
混合温度、さらに有機溶媒の除去方法とした後の残存量
は、前述の第１および第２の方法と同様である。
種類づつ用い、これらを有機溶媒に溶解したのち、加熱
せずに有機溶媒を揮散除去し、残存物に対して低温加熱
（低温エージング）を施しＢステージ状化するという方
法（Ｚ法）である。この方法は、上記エポキシ樹脂，硬
化剤が１種類ずつであるため、有機溶媒揮散除去後に加
熱しても生成硬化物が１種類となることから硬化度のむ
らが殆ど生じず、したがつて光学むらが生じない。ただ
し、上記第３の方法の低温エージングにおいて、150℃
でのゲル化時間が20秒以上低くならないように低温で穏
やかに加熱を行うようにすれば、各成分を２種類以上併
用しても光学むらが殆ど生じない。このようにして得ら
れた最終製品の反応の進行度合は、通常、150℃におけ
るゲル化時間が10〜70秒、好ましくは10〜40秒に設定す
ることが望ましい。このとき、有機溶媒を揮散し始めて
からゲル化の進行度合は、温度150℃におけるゲルタイ
ムで20秒以下にならないようにコントロールするのが好
ましい。また、使用する有機溶媒およびその混合比率，
混合温度、さらに有機溶媒の除去方法とした後の残存量
は、前述の第１および第２の方法と同様である。
上記３種類の方法によつて得られる光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物は、各成分が分子レベルで均一に混合
された状態になつているため、その硬化体に硬化むらが
生じていない。また、製造過程において各成分原料を有
機溶媒に溶解させるため、既存の濾紙フイルター等を用
い、容易に減圧吸引濾過あるいは加圧濾過を行うことが
でき、従来では除去が困難であつた樹脂組成物中のゲル
状物，微細な塵等の異物を容易に除去することが可能で
ある。なお、このような光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物は、受光素子等の光半導体素子の樹脂封止に用いら
れるため、光学的観点から透明のものが好ましい。この
場合の「透明」とは、光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物の硬化物厚み（mm）が400nmにおける透過率が89％以
上のものをいう。
ポキシ樹脂組成物は、各成分が分子レベルで均一に混合
された状態になつているため、その硬化体に硬化むらが
生じていない。また、製造過程において各成分原料を有
機溶媒に溶解させるため、既存の濾紙フイルター等を用
い、容易に減圧吸引濾過あるいは加圧濾過を行うことが
でき、従来では除去が困難であつた樹脂組成物中のゲル
状物，微細な塵等の異物を容易に除去することが可能で
ある。なお、このような光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物は、受光素子等の光半導体素子の樹脂封止に用いら
れるため、光学的観点から透明のものが好ましい。この
場合の「透明」とは、光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物の硬化物厚み（mm）が400nmにおける透過率が89％以
上のものをいう。
このような光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い
ての受光素子の封止は、特に制限するものではなく、通
常のトランスフアー成形等の公知のモールド方法により
行うことができる。
ての受光素子の封止は、特に制限するものではなく、通
常のトランスフアー成形等の公知のモールド方法により
行うことができる。
このようにして得られる光半導体封止用装置は、例え
ば、第３図に示すように、ボンデイングパツト11上に接
着剤12を介して受光素子である固体撮像素子13を搭載
し、その上部に透明接着剤を用いてカラーフイルター15
を接着し、これらを、光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物16で樹脂封止して構成されている。なお、上記カラー
フイルター15はカラー画像を得るために設けられるもの
であり、モノクロームでは不用である。図において、17
はガラス板、18はボンデイングワイヤー、19はリードフ
レームである。
ば、第３図に示すように、ボンデイングパツト11上に接
着剤12を介して受光素子である固体撮像素子13を搭載
し、その上部に透明接着剤を用いてカラーフイルター15
を接着し、これらを、光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物16で樹脂封止して構成されている。なお、上記カラー
フイルター15はカラー画像を得るために設けられるもの
であり、モノクロームでは不用である。図において、17
はガラス板、18はボンデイングワイヤー、19はリードフ
レームである。
この光半導体封装置は、各成分が分子レベルまで均一
に混合されている光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
樹脂封止されているため、封止樹脂16に光学むらが生じ
ていない。したがつて、これを作動させ得られた画像に
は、光学むらにより縞模様や、混入異物による黒点がみ
られない。ちなみに、カラーフイルター15上の封止樹脂
の厚みｌを通常の0.5〜2mmに設定して得られた光半導体
装置を用いた場合、光学むらは生じなかつた。
に混合されている光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
樹脂封止されているため、封止樹脂16に光学むらが生じ
ていない。したがつて、これを作動させ得られた画像に
は、光学むらにより縞模様や、混入異物による黒点がみ
られない。ちなみに、カラーフイルター15上の封止樹脂
の厚みｌを通常の0.5〜2mmに設定して得られた光半導体
装置を用いた場合、光学むらは生じなかつた。
以上のように、本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物は、有機溶媒に対する溶解を応用することにより
各成分が分子レベルで均一に混合された状態になつてい
るため、それを例えばトランスフアー成形で硬化させる
場合に、従来のような硬化むらを全く生じない。また、
製造工程において、有機溶媒に溶解させる工程があるた
め、濾過による異物除去が可能であり、従来では除去が
困難であつた、樹脂組成物中のゲル上物，微細な塵等の
異物が除去されており高品質になっている。したがつ
て、上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特にコ
ンパクトデイスクの受光素子封止材料あるいは固体撮像
素子であるラインセンサー，エリアセンサーの封止材料
に好適に用いることができる。そして、このような光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、例えば固体撮像
素子等の受光素子を樹脂封止してなる光半導体装置は、
形成画像に、樹脂の光学むらに起因する縞模様や封止樹
脂中の異物に起因する黒点が現れることのない高性能品
であり、樹脂封止品でありながら、セラミツクパツケー
ジ品と同等かそれ以上の性能を発揮する。
組成物は、有機溶媒に対する溶解を応用することにより
各成分が分子レベルで均一に混合された状態になつてい
るため、それを例えばトランスフアー成形で硬化させる
場合に、従来のような硬化むらを全く生じない。また、
製造工程において、有機溶媒に溶解させる工程があるた
め、濾過による異物除去が可能であり、従来では除去が
困難であつた、樹脂組成物中のゲル上物，微細な塵等の
異物が除去されており高品質になっている。したがつ
て、上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特にコ
ンパクトデイスクの受光素子封止材料あるいは固体撮像
素子であるラインセンサー，エリアセンサーの封止材料
に好適に用いることができる。そして、このような光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、例えば固体撮像
素子等の受光素子を樹脂封止してなる光半導体装置は、
形成画像に、樹脂の光学むらに起因する縞模様や封止樹
脂中の異物に起因する黒点が現れることのない高性能品
であり、樹脂封止品でありながら、セラミツクパツケー
ジ品と同等かそれ以上の性能を発揮する。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
〔実施例１〜６、比較例２〕 下記の第１表に示す有機溶媒以外の原料を準備し、同
表に示す各原料を加熱溶解し混合した後、エポキシ樹脂
の硬化反応を進行させ、温度150℃におけるゲル化時間3
0秒のＢステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を作製した。このＢステージ状の光半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を第１表に示す配合量の有機溶媒に完全
に溶解し、混合した後、45℃に加温しながら減圧した
後、粉砕して第１表に示す残存有機溶媒量で、温度150
℃におけるゲル化時間が25秒の粉末状の光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を得た。
表に示す各原料を加熱溶解し混合した後、エポキシ樹脂
の硬化反応を進行させ、温度150℃におけるゲル化時間3
0秒のＢステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を作製した。このＢステージ状の光半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を第１表に示す配合量の有機溶媒に完全
に溶解し、混合した後、45℃に加温しながら減圧した
後、粉砕して第１表に示す残存有機溶媒量で、温度150
℃におけるゲル化時間が25秒の粉末状の光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を得た。
〔比較例1,3〕 実施例１と同様にして温度150℃におけるゲル化時間2
5秒のＢステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を作製した。つぎに、有機溶媒を用いなかつた。その
後実施例１と同様にして第１表に示す残存有機溶媒量
で、温度150℃におけるゲル化時間が25秒の粉末状の光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
5秒のＢステージ状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を作製した。つぎに、有機溶媒を用いなかつた。その
後実施例１と同様にして第１表に示す残存有機溶媒量
で、温度150℃におけるゲル化時間が25秒の粉末状の光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
〔実施例７〜10,13〕 Ｙタイプで、有機溶媒揮発後のエポキシ樹脂の硬化反
応を進行させＢステージ状にする処理を５秒にした。
応を進行させＢステージ状にする処理を５秒にした。
まず、下記の第１表に示す原料を準備し、同表に示す
割合で各原料を配合し、ジクロルメタンに加温しながら
完全に溶解混合した後、還流させながら温度39〜41℃の
状態で50時間溶解混合を継続しエポキシ樹脂の硬化反応
を進行させ、温度150℃におけるゲル化時間30秒の溶液
を作製した。この溶液を45℃に加温しながら減圧した
後、５秒間加温しエポキシ樹脂の硬化反応を進行させて
（粘度調整）、冷却後粉砕して第１表に示す残存有機溶
媒量で、温度150℃におけるゲル化時間が25秒の粉末の
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
割合で各原料を配合し、ジクロルメタンに加温しながら
完全に溶解混合した後、還流させながら温度39〜41℃の
状態で50時間溶解混合を継続しエポキシ樹脂の硬化反応
を進行させ、温度150℃におけるゲル化時間30秒の溶液
を作製した。この溶液を45℃に加温しながら減圧した
後、５秒間加温しエポキシ樹脂の硬化反応を進行させて
（粘度調整）、冷却後粉砕して第１表に示す残存有機溶
媒量で、温度150℃におけるゲル化時間が25秒の粉末の
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
〔実施例11〕 ジクロルメタンをアセトンに代え、作製した溶液を55
℃に加温しながら減圧した。それ以外いは実施例１と同
様にして第１表に示す残存有機溶媒量で、温度150℃に
おけるゲル化時間が25秒の粉末状の光半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を得た。
℃に加温しながら減圧した。それ以外いは実施例１と同
様にして第１表に示す残存有機溶媒量で、温度150℃に
おけるゲル化時間が25秒の粉末状の光半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を得た。
〔実施例12〕 Ｙタイプで、有機溶媒揮発後のエポキシ樹脂の硬化反
応を進行させる（粘度調整）のための処理を５秒から15
秒間に変えた。そして、下記の第１表に示す原料を準備
し、同表に示す割合で各原料を配合し、ジクロルメタン
に加温しながら完全に溶解混合した後、還流させながら
温度39〜41℃の状態で40時間溶解混合を継続しエポキシ
樹脂の硬化反応を進行させ、温度150℃におけるゲル化
時間40秒の溶液を作製した。この溶液を45℃に加温しな
がら減圧した後、粉砕して第１表に示す残存有機溶媒量
で、温度150℃におけるゲル化時間が25秒の粉末状の光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
応を進行させる（粘度調整）のための処理を５秒から15
秒間に変えた。そして、下記の第１表に示す原料を準備
し、同表に示す割合で各原料を配合し、ジクロルメタン
に加温しながら完全に溶解混合した後、還流させながら
温度39〜41℃の状態で40時間溶解混合を継続しエポキシ
樹脂の硬化反応を進行させ、温度150℃におけるゲル化
時間40秒の溶液を作製した。この溶液を45℃に加温しな
がら減圧した後、粉砕して第１表に示す残存有機溶媒量
で、温度150℃におけるゲル化時間が25秒の粉末状の光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
〔実施例14〕 下記の第１表に示す原料を準備し（Ｚタイプ）、同表
に示す割合で各原料を配合し、ジクロルメタンに加温し
ながら完全に溶解混合した後、ただちに45℃に減圧して
第１表に示す残存有機溶媒量で、温度150℃におけるゲ
ル化時間が130秒の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を得た。この樹脂組成物を温度40℃で50時間エポキシ樹
脂の硬化反応を進行させた後、粉砕し温度150℃におけ
るゲル化時間が25秒の粉末状の光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を得た。
に示す割合で各原料を配合し、ジクロルメタンに加温し
ながら完全に溶解混合した後、ただちに45℃に減圧して
第１表に示す残存有機溶媒量で、温度150℃におけるゲ
ル化時間が130秒の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を得た。この樹脂組成物を温度40℃で50時間エポキシ樹
脂の硬化反応を進行させた後、粉砕し温度150℃におけ
るゲル化時間が25秒の粉末状の光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を得た。
〔比較例4,6〕 下記の表に第１表に示す原料を準備し、同表に示す割
合で各原料を配合して有機溶媒に溶解せず加熱溶融混合
した後、エポキシ樹脂の硬化反応を進行させた。これを
粉砕して温度150℃におけるゲル化時間が25秒の粉末状
の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
合で各原料を配合して有機溶媒に溶解せず加熱溶融混合
した後、エポキシ樹脂の硬化反応を進行させた。これを
粉砕して温度150℃におけるゲル化時間が25秒の粉末状
の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
〔比較例５〕 残存有機溶媒量が５％であつた。それ以外は実施例１
と同様にして温度150℃におおけるゲル化時間が25秒の
粉末状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
と同様にして温度150℃におおけるゲル化時間が25秒の
粉末状の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
以上の実施例および比較例によつて得られた粉末状光
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて線膨張係数，
ガラス転移温度を測定し、その結果を下記の第２表に示
した。なお、上記線膨張係数およびガラス転移温度は、
Thermal mechanical analysis（TMA,理学電気社製）を
用いて測定した。
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて線膨張係数，
ガラス転移温度を測定し、その結果を下記の第２表に示
した。なお、上記線膨張係数およびガラス転移温度は、
Thermal mechanical analysis（TMA,理学電気社製）を
用いて測定した。
つぎに、得られた粉末状の光半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を用い、1/2インチで38万画素の固体撮像素子
をトランスフアー成形で樹脂封止した20ピンデユアルイ
ンラインパツケージ（20ピンDIP）を得た。
脂組成物を用い、1/2インチで38万画素の固体撮像素子
をトランスフアー成形で樹脂封止した20ピンデユアルイ
ンラインパツケージ（20ピンDIP）を得た。
このようにして得られた20ピンDIPについて、−35℃
＆15分〜85℃/15分の温度サイクルテスト（TCTテス
ト）、85℃×85RH％での不良発生時間を測定した。その
結果を下記の第２表に併せて示した。
＆15分〜85℃/15分の温度サイクルテスト（TCTテス
ト）、85℃×85RH％での不良発生時間を測定した。その
結果を下記の第２表に併せて示した。
さらに、実施例１で得られた粉末状の光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を用いて、実際に固体撮像素子であ
るエリアセンサーをダイレクトモールドして得られたも
のを用いてカメラを組み立てそれに強い平行光を当てカ
メラの絞りをＦ−32までに絞つたときの画像をデイスプ
レイ画面に写した。その結果、画像には光学むらは認め
られなかつた。また、実施例２〜14で得られた粉末状の
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物についても同様にし
て画像を得た。その結果、上記と同様画像には光学むら
は認められなかつた。このときの固体撮像素子上の封止
樹脂の厚みは1mmであり、この厚みを2mmにしても同様の
結果が得られた。つぎに、比較例１で得られた粉末状の
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて上記と同様
の操作を行い得られた画像をデイスプレイ画面に写し
た。その結果、光学むらが認められ、また比較例3,4,6
についても同様の結果が得られた。上記光学むらの有無
を第２表に光学むらＡとして併せて示した。また、実施
例および比較例で得られた光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を用いて、150℃×６分のトランスフアーの成形
の後、さらに150℃×３時間硬化させたのち表面が研磨
された研磨表面の表面粗さが1.5μｍ以下の凹凸状差を
有し直角の枝分かれ部をもつランナー形状の平板（厚み
3.0mm,幅5mm）を作製した。このランナーをカメラに組
み込まれた1/2インチで38万画素タイプの固体撮像素子
であるエリアセンサー封止体上に載置し、光度10カンデ
ラの強い平行光を直角に当て、絞り度をＦ−32まで絞つ
たときの撮像の縞模様の有無を判定した。上記光学むら
の有無を第２表に光学むらＢとして併せて示した。
エポキシ樹脂組成物を用いて、実際に固体撮像素子であ
るエリアセンサーをダイレクトモールドして得られたも
のを用いてカメラを組み立てそれに強い平行光を当てカ
メラの絞りをＦ−32までに絞つたときの画像をデイスプ
レイ画面に写した。その結果、画像には光学むらは認め
られなかつた。また、実施例２〜14で得られた粉末状の
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物についても同様にし
て画像を得た。その結果、上記と同様画像には光学むら
は認められなかつた。このときの固体撮像素子上の封止
樹脂の厚みは1mmであり、この厚みを2mmにしても同様の
結果が得られた。つぎに、比較例１で得られた粉末状の
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて上記と同様
の操作を行い得られた画像をデイスプレイ画面に写し
た。その結果、光学むらが認められ、また比較例3,4,6
についても同様の結果が得られた。上記光学むらの有無
を第２表に光学むらＡとして併せて示した。また、実施
例および比較例で得られた光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を用いて、150℃×６分のトランスフアーの成形
の後、さらに150℃×３時間硬化させたのち表面が研磨
された研磨表面の表面粗さが1.5μｍ以下の凹凸状差を
有し直角の枝分かれ部をもつランナー形状の平板（厚み
3.0mm,幅5mm）を作製した。このランナーをカメラに組
み込まれた1/2インチで38万画素タイプの固体撮像素子
であるエリアセンサー封止体上に載置し、光度10カンデ
ラの強い平行光を直角に当て、絞り度をＦ−32まで絞つ
たときの撮像の縞模様の有無を判定した。上記光学むら
の有無を第２表に光学むらＢとして併せて示した。
第２表の結果から、比較例1,3,4,6品は光学むらが生
じた。また、比較例2,5品は光学むらは生じなかつた
が、85℃×85RH％での不良発生時間が100時間と耐湿性
に劣つている。しかし、実施例品は光学むらもなく、TC
Tテストおよび耐湿性に優れていることがわかる。その
結果、実施例品は光半導体装置として優れた性能を有し
ているのがわかる。
じた。また、比較例2,5品は光学むらは生じなかつた
が、85℃×85RH％での不良発生時間が100時間と耐湿性
に劣つている。しかし、実施例品は光学むらもなく、TC
Tテストおよび耐湿性に優れていることがわかる。その
結果、実施例品は光半導体装置として優れた性能を有し
ているのがわかる。
第１図は従来の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用
いてトランスフアー成形する際の樹脂組成物を流動状態
図、第２図はその要部の樹脂組成物の流動状態図、第３
図は本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で樹脂
封止された光半導体装置の縦断面図である。 10……光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
いてトランスフアー成形する際の樹脂組成物を流動状態
図、第２図はその要部の樹脂組成物の流動状態図、第３
図は本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で樹脂
封止された光半導体装置の縦断面図である。 10……光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉村 保守 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (72)発明者 山本 康彦 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (72)発明者 村松 克哉 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−254752（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−39460（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】封止樹脂が、エポキシ樹脂，硬化剤および
硬化促進剤を構成成分とするＢステージ状の光半導体封
止用エポキシ樹脂組成物であつて、上記構成成分が分子
レベルで均一に混合されている樹脂組成物の硬化体で構
成されていることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】エポキシ樹脂，硬化剤および硬化促進剤を
構成成分とするＢステージ状の光半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を有機溶媒に溶解混合した後、上記有機溶媒
の残存量が上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体
の３重量％以下になるよう除去されていることを特徴と
する光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】エポキシ樹脂，硬化剤および硬化促進剤を
有機溶媒に溶解混合した後、上記有機溶媒の残存量が上
記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の３重量％以
下になるよう除去されていることを特徴とする光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】エポキシ樹脂，硬化剤および硬化促進剤を
有機溶媒に溶解混合し加温してエポキシ樹脂の硬化反応
を進行させＢステージ状化したものである請求項（３）
記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】エポキシ樹脂および硬化剤を各１種類用
い、かつ上記エポキシ樹脂および硬化剤を有機溶媒に混
合した後、反応させずに有機溶媒を除去し、ついでエポ
キシ樹脂の硬化反応を進行させＢステージ状化したもの
である請求項（３）または（４）記載の光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項６】エポキシ樹脂がビスフエノールＡ型エポキ
シ樹脂およびビスフエノールＦ型エポキシ樹脂の少なく
とも一方であり、硬化剤が無水フタル酸およびテトラヒ
ドロ無水フタル酸の少なくとも一方である請求項（３）
ないし（５）のいずれか一項記載の光半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物。 - 【請求項７】有機溶媒の残存量が、上記光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物全体の1.5重量％以下に設定されて
いる請求項（２）ないし（７）のいずれか一項に記載の
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項８】有機溶媒の残存量が、上記光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物全体の0.05重量％以下に設定されて
いる請求項（２）ないし（７）のいずれか一項に記載の
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075989A JP2656336B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 光半導体装置およびそれに用いる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075989A JP2656336B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 光半導体装置およびそれに用いる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02189958A JPH02189958A (ja) | 1990-07-25 |
| JP2656336B2 true JP2656336B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=11759257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075989A Expired - Lifetime JP2656336B2 (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | 光半導体装置およびそれに用いる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2656336B2 (ja) |
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| EP2141201A1 (en) | 2008-07-02 | 2010-01-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable silicone resin-epoxy resin composition, and premolded package molded from same |
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| KR20130051415A (ko) | 2011-11-09 | 2013-05-20 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 열경화성 에폭시 수지 조성물 및 광반도체 장치 |
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| KR20160102345A (ko) | 2015-02-20 | 2016-08-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 백색 열경화성 에폭시 수지 조성물, 해당 조성물로 형성된 광 반도체 소자용 케이스 및 해당 케이스를 구비한 광 반도체 장치 |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| KR20190105509A (ko) | 2018-03-05 | 2019-09-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물, 실리콘 수지 경화물, 리플렉터 및 led 장치 |
| KR20200020533A (ko) | 2018-08-17 | 2020-02-26 | 주식회사 케이씨씨 | 경화성 오르가노 폴리실록산 조성물 및 이를 포함하는 광학 반도체용 반사 재료 |
| KR20220022577A (ko) | 2020-08-19 | 2022-02-28 | 주식회사 케이씨씨실리콘 | 광학용 폴리실록산 조성물 및 이를 포함하는 광학 반도체용 반사 재료 |
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| US8173053B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-05-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case |
| US8237189B2 (en) | 2008-07-02 | 2012-08-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable silicone resin-epoxy resin composition, and premolded package molded from same |
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| KR20160102345A (ko) | 2015-02-20 | 2016-08-30 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 백색 열경화성 에폭시 수지 조성물, 해당 조성물로 형성된 광 반도체 소자용 케이스 및 해당 케이스를 구비한 광 반도체 장치 |
| KR20190105509A (ko) | 2018-03-05 | 2019-09-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 광 반사 재료용 경화성 실리콘 조성물, 실리콘 수지 경화물, 리플렉터 및 led 장치 |
| KR20200020533A (ko) | 2018-08-17 | 2020-02-26 | 주식회사 케이씨씨 | 경화성 오르가노 폴리실록산 조성물 및 이를 포함하는 광학 반도체용 반사 재료 |
| KR20220022577A (ko) | 2020-08-19 | 2022-02-28 | 주식회사 케이씨씨실리콘 | 광학용 폴리실록산 조성물 및 이를 포함하는 광학 반도체용 반사 재료 |
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|---|---|
| JPH02189958A (ja) | 1990-07-25 |
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|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 12 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090530 |