JP5002444B2 - チップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 - Google Patents
チップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 Download PDFInfo
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下記表1に示した配合(質量部)組成により、エポキシ樹脂、酸無水物硬化剤、硬化促進剤、及び有機溶媒の各成分を、ホモディスパ(プライミクス(株)製)を用いて混合して液状エポキシ樹脂組成物を作製した。
(A) :ビスフェノールA型エポキシ樹脂(東都化成(株)製、品番「YD−8125」、エポキシ当量172)
(B―1):式(1)で表される構造を有する脂環式酸無水物、ジャパンエポキシレジン(株)製、「YH−306」酸無水物当量234)
(B―2):メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(MHHPA、大日本インキ化学工業(株)製、品番「B−650」、酸無水物当量168
(C) :マイクロカプセル化イミダゾール(旭化成ケミカルズ(株)製、品番「ノバキュアLSA−H0401」)
(D―1):N−メチル−2−ピロリドン(NMP)
(D―2):ジメチルスルホキシド(DMSO)
(D―3):N,N−ジメチルアセトアミド(DMAC)
(D−4):シクロヘキサン
実施例1〜8、及び比較例1,2で得られたエポキシ樹脂組成物の特性を次の方法で測定し、測定結果を表1に示した。
(1)フィルム密着強度
上記実施例および比較例の液状エポキシ樹脂組成物をガラス板上に厚み約0.1mmとなるように塗布し、厚み50μmのポリイミドフィルム(宇部興産(株)製ユーピレック)を貼り付け、150℃で2時間加熱硬化させた。得られた試験片をJIS K 6854に基づくT字ピール試験を行い、フィルム密着強度を評価した。
(2)耐マイグレーション性
ポリイミドフィルム(日立電線(株)製カプトンEN)上に、線幅12μm、線間13μmで0.3μm厚の錫めっきを施した櫛形銅パターンを形成したテスト基板上に、厚みが約0.1mmとなるように、上記実施例および比較例の液状エポキシ樹脂組成物を塗布し、150℃で2時間加熱硬化させた。この硬化物を樹脂封止材とみて、85℃85%RHの恒温恒湿槽中で40Vのバイアスをかけ、抵抗値が1オーダー低下するまでの時間を最終1000時間まで調べた。
2 半導体チップ
3 FPC
3a 基材フィルム
3b FPCに形成された回路
4 突起電極
5 封止材
Claims (4)
- 基材フィルム上に半導体チップ搭載領域を有する回路が形成されているフレキシブルプリント配線板の該半導体チップ搭載領域に半導体チップを搭載した後、前記フレキシブルプリント配線板と前記半導体チップとの間に、注入し、硬化させることにより、前記フレキシブルプリント配線板と前記半導体チップとの間に形成される隙間を封止するための封止材として用いられるチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物であって、
(A)エポキシ樹脂、(B)酸無水物系硬化剤、(C)硬化促進剤、及び(D)前記基材フィルムを膨潤可能な有機溶媒を含有し、
前記基材フィルムが、ポリイミドを含み、
前記(D)有機溶媒が、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、及びN,N−ジメチルアセトアミドからなる群から選ばれる少なくとも1種であり、
前記(D)有機溶媒の含有量が、0.01〜10質量%であることを特徴とするチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物。 - 前記回路を形成している金属部材表面が錫めっきされているものである請求項1又は請求項2に記載のチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物。
- フレキシブルプリント配線板に半導体チップを搭載して形成された構造のチップオンフィルム構造の半導体装置であって、前記フレキシブルプリント配線板と前記半導体チップとの間に形成される隙間を請求項1〜3のいずれか1項に記載のチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物により封止されてなる半導体装置。
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