JP2008007578A - チップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フレキシブルプリント配線板(FPC)3に形成された回路における半導体チップ搭載領域3cに半導体チップ2を搭載した後、前記半導体チップと前記FPCとの間に形成される隙間を封止するための封止材5として用いられるチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物であって、(A)エポキシ樹脂、(B)酸無水物硬化剤、及び(C)ボレート塩を含有することを特徴とするチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物を用いる。
【選択図】図1
Description
を含むものである場合には、柔軟性と靭性とのバランスに優れているのでFPCとの密着性に優れ剥離を生じ難い封止材が得られるために、マイグレーションの発生の抑制効果がさらに高い点から好ましい。
下記表1に示した配合(質量部)組成により、エポキシ樹脂、酸無水物硬化剤、ボレート塩、及び硬化促進剤の各成分を、ホモディスパ(プライミクス(株)製)を用いて混合して液状エポキシ樹脂組成物を作製した。
(エポキシ樹脂)
(A−1):ビスフェノールA型エポキシ樹脂(東都化成(株)製、品番「YD−8125」、エポキシ当量172)
(A−2):一般式(1)で表される構造を有するエポキシ樹脂(大日本インキ化学工業(株)製、品番「EPICLON EXA−4850―150」、エポキシ当量450)
(A−3):水添タイプのビスフェノール型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、「エピコートYX−8000」、エポキシ当量205)
(酸無水物硬化剤)
(B―1):メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(MHHPA、大日本インキ化学工業(株)製、品番「B−650」、酸無水物当量168)
(B―2):式(2)で表される構造を有する脂環式酸無水物、ジャパンエポキシレジン(株)製、「YH−306」酸無水物当量234)
(その他の硬化剤)
(B―3):アリル化ビスフェノールF(明和化成工業(株)製、品番「MEH8000」、OH基当量141)
(C―1):テトラブチルホスフォニウムテトラフェニルボレート(TBPTBP)(日本化学工業(株)製、品番「PX−4PB」)
(C―2):DBUテトラフェニルボレート(サンアプロ(株)製、品番「U―cat5002」)
(硬化促進剤)
(D―1):DBUオクチル酸塩(サンアプロ(株)製、品番「SA102」)
(D―2):マイクロカプセル化イミダゾール(旭化成ケミカルズ(株)製、品番「ノバキュアLSA−H0401」)
(D―3):1,8ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7(DBU)
(1)曲げ強度
上記実施例および比較例の液状エポキシ樹脂組成物を所定の型内に流し込み、150℃で2時間加熱硬化させて成形品を得た。得られた成形品から、10mm×80mm×3mmの試験片を切り出して、JISK6911に基づく3点曲げ試験を行い、曲げ強度を評価した。
(2)フィルム密着強度
上記実施例および比較例の液状エポキシ樹脂組成物をガラス板上に厚み約0.1mmとなるように塗布し、厚み50μmのポリイミドフィルム(宇部興産(株)製ユーピレック)を貼り付け、上記曲げ強度の測定と同じ条件で加熱硬化させた。得られた試験片をJIS K 6854に基づくT字ピール試験を行い、フィルム密着強度を評価した。
(3)吸湿密着性
(2)で得られた試験片を85℃85%RHの恒温恒湿槽に100時間投入した後、T字ピール試験を行い、吸湿後のフィルム密着強度を評価した。
(4)耐マイグレーション性
ポリイミドフィルム(日立電線(株)製カプトンEN)上に、線幅12μm、線間13μmで0.3μm厚の錫めっきを施した櫛形銅パターンを形成したテスト基板上に、厚みが約0.1mmとなるように、上記実施例および比較例の液状エポキシ樹脂組成物を塗布し、(1)と同じ条件で加熱硬化させた。この硬化物を樹脂封止材とみて、85℃85%RHの恒温恒湿槽中で40Vのバイアスをかけ、抵抗値が1オーダー低下するまでの時間を最終1000時間まで調べた。
2 半導体チップ
3 FPC
3a 基材フィルム
3b FPCに形成された回路パターン
3c 半導体チップ搭載領域
4 突起電極
5 封止材
Claims (7)
- フレキシブルプリント配線板(FPC)に形成された回路における半導体チップ搭載領域に半導体チップを搭載した後、前記半導体チップと前記FPCとの間に形成される隙間を封止するための封止材として用いられるチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物であって、
(A)エポキシ樹脂、(B)酸無水物硬化剤、及び(C)ボレート塩を含有することを特徴とするチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物。 - 前記(C)ボレート塩が1,8ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7のテトラフェニルボレート塩である請求項1記載のチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物。
- 前記(A)エポキシ樹脂が水素添加タイプのビスフェノール型エポキシ樹脂である請求項1又は2に記載のチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物。
- 前記回路を形成している金属部材表面が錫めっきされているものである請求項1〜5の何れか1項に記載のチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物。
- FPCに半導体チップを搭載して形成された構造のチップオンフィルム構造の半導体装置であって、前記FPCと前記半導体チップとの間に形成される隙間を請求項1〜6の何れか1項に記載のチップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物で封止してなる半導体装置。
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