JP2002060716A - 低弾性接着剤、低弾性接着部材、低弾性接着部材を備えた半導体搭載用基板及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
低弾性接着剤、低弾性接着部材、低弾性接着部材を備えた半導体搭載用基板及びこれを用いた半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線基板に熱膨張係数の差が大きい半導体チ
ップを実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性を有し、か
つ温度サイクル試験に対して良好な特性を示す低弾性接
着剤、これを用いた低弾性接着部材等を提供する。 【解決手段】 （１）エポキシ樹脂及びその硬化剤の合
計が１００重量部（２）グリシジル（メタ）アクリレー
ト２〜６重量％を含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０
℃以上でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエポキ
シ基含有アクリル系共重合体５０〜３００重量部（３）
硬化促進剤０．１〜１０重量部（４）シリコーンゴムフ
ィラー２０〜６０重量部及び（５）カップリング剤０．
１〜１０重量部を含有する低弾性接着剤、これを用いた
低弾性接着部材等。
ップを実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性を有し、か
つ温度サイクル試験に対して良好な特性を示す低弾性接
着剤、これを用いた低弾性接着部材等を提供する。 【解決手段】 （１）エポキシ樹脂及びその硬化剤の合
計が１００重量部（２）グリシジル（メタ）アクリレー
ト２〜６重量％を含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０
℃以上でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエポキ
シ基含有アクリル系共重合体５０〜３００重量部（３）
硬化促進剤０．１〜１０重量部（４）シリコーンゴムフ
ィラー２０〜６０重量部及び（５）カップリング剤０．
１〜１０重量部を含有する低弾性接着剤、これを用いた
低弾性接着部材等。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低弾性接着剤、低
弾性接着部材、半導体搭載用基板及び半導体装置に関す
る。
弾性接着部材、半導体搭載用基板及び半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、これに
搭載する半導体パッケージは基板への高密度実装が要求
されるようになり、小型化・軽量化が進むと共に、ＣＳ
Ｐ（チップサイズパッケージ）やμＢＧＡ（ボールグリ
ッドアレイ）と呼ばれる小型パッケージの開発が進めら
れている。各種電子部品を搭載した実装基板の重要特性
の一つとして信頼性があるが、特に接続信頼性は実装基
板を用いた機器の品質に直接関係するため、非常に重要
な項目となっている。
搭載する半導体パッケージは基板への高密度実装が要求
されるようになり、小型化・軽量化が進むと共に、ＣＳ
Ｐ（チップサイズパッケージ）やμＢＧＡ（ボールグリ
ッドアレイ）と呼ばれる小型パッケージの開発が進めら
れている。各種電子部品を搭載した実装基板の重要特性
の一つとして信頼性があるが、特に接続信頼性は実装基
板を用いた機器の品質に直接関係するため、非常に重要
な項目となっている。
【０００３】この接続信頼性を低下させる原因として
は、半導体チップと電子部品を実装する基板の熱膨張係
数の差から生じる熱応力が挙げられる。これは半導体チ
ップの熱膨張係数が約４ｐｐｍ／℃と小さいのに対し、
電子部品を実装する配線板の熱膨張係数が１５ｐｐｍ／
℃以上と大きいことから、熱衝撃により生じる歪みが発
生した際、その歪みによって熱応力が発生するものであ
る。例えばベアチップ実装においては、半導体チップの
電極と配線板の配線パッドを接続するはんだボール部分
に熱応力が集中し、接続信頼性を低下させていた。この
熱応力の分散にはアンダーフィルと呼ばれる樹脂をチッ
プと配線板の間に注入することが有効であることが分か
っているが、実装工程の増加、コストアップの原因とな
っていた。
は、半導体チップと電子部品を実装する基板の熱膨張係
数の差から生じる熱応力が挙げられる。これは半導体チ
ップの熱膨張係数が約４ｐｐｍ／℃と小さいのに対し、
電子部品を実装する配線板の熱膨張係数が１５ｐｐｍ／
℃以上と大きいことから、熱衝撃により生じる歪みが発
生した際、その歪みによって熱応力が発生するものであ
る。例えばベアチップ実装においては、半導体チップの
電極と配線板の配線パッドを接続するはんだボール部分
に熱応力が集中し、接続信頼性を低下させていた。この
熱応力の分散にはアンダーフィルと呼ばれる樹脂をチッ
プと配線板の間に注入することが有効であることが分か
っているが、実装工程の増加、コストアップの原因とな
っていた。
【０００４】これらの対応策として、ＣＳＰには多くの
構造が提案されており、例えばμＢＧＡにおいては半導
体チップとインターポーザと呼ばれる配線基板との間に
は、それぞれの熱膨張率差から生じる熱応力を低減でき
るよう、絶縁性の接着剤を用いる。近年、絶縁性の接着
剤としては低弾性の接着フィルムが作業性も良く接続信
頼性も高いといった成果が報告（特願平８−２６６６４
０号、公開ＷＯ９８／１５９７５号）されており、低弾
性接着フィルムの物性としては、チップと配線基板の熱
応力低減の他、接着性、温度サイクル性、耐湿性及び難
燃性が要求されている。
構造が提案されており、例えばμＢＧＡにおいては半導
体チップとインターポーザと呼ばれる配線基板との間に
は、それぞれの熱膨張率差から生じる熱応力を低減でき
るよう、絶縁性の接着剤を用いる。近年、絶縁性の接着
剤としては低弾性の接着フィルムが作業性も良く接続信
頼性も高いといった成果が報告（特願平８−２６６６４
０号、公開ＷＯ９８／１５９７５号）されており、低弾
性接着フィルムの物性としては、チップと配線基板の熱
応力低減の他、接着性、温度サイクル性、耐湿性及び難
燃性が要求されている。
【０００５】接着フィルムはフレキシブルプリント配線
板等で用いられており、アクリロニトリルブタジエンゴ
ムを主成分とする系が多く用いられている。またプリン
ト配線板関連材料として吸湿後のはんだ耐熱性を向上さ
せたものとしては、特開昭６０−２４３１８０号公報に
アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリイソシアネート及
び無機フィラーを含む接着剤が、また特開昭６１−１３
８６８０号公報にアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、分子
中にウレタン結合を有する両末端が第１級アミン化合物
及び無機フィラーを含む接着剤が提案されている。
板等で用いられており、アクリロニトリルブタジエンゴ
ムを主成分とする系が多く用いられている。またプリン
ト配線板関連材料として吸湿後のはんだ耐熱性を向上さ
せたものとしては、特開昭６０−２４３１８０号公報に
アクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリイソシアネート及
び無機フィラーを含む接着剤が、また特開昭６１−１３
８６８０号公報にアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、分子
中にウレタン結合を有する両末端が第１級アミン化合物
及び無機フィラーを含む接着剤が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】アクリロニトリルブタ
ジエンゴムを主成分とする接着フィルムは、高温で長時
間処理した場合の接着力の低下が大きく、耐電食性に劣
り、特に、半導体関連部品の信頼性評価で用いられるＰ
ＣＴ（プレッシャークッカーテスト）処理等の厳しい条
件下で耐湿性試験を行った場合の劣化が大きい。これら
の耐熱性、耐湿性を有し、かつ低弾性の接着フィルムと
して、エポキシ樹脂、硬化剤とエポキシ基含有アクリル
系共重合体が特願平８−２６６６４０号に提案されてい
るが、温度サイクルテストにおいて、接着された半導体
チップにクラックが生じるという問題点がある。
ジエンゴムを主成分とする接着フィルムは、高温で長時
間処理した場合の接着力の低下が大きく、耐電食性に劣
り、特に、半導体関連部品の信頼性評価で用いられるＰ
ＣＴ（プレッシャークッカーテスト）処理等の厳しい条
件下で耐湿性試験を行った場合の劣化が大きい。これら
の耐熱性、耐湿性を有し、かつ低弾性の接着フィルムと
して、エポキシ樹脂、硬化剤とエポキシ基含有アクリル
系共重合体が特願平８−２６６６４０号に提案されてい
るが、温度サイクルテストにおいて、接着された半導体
チップにクラックが生じるという問題点がある。
【０００７】温度サイクルテストは、半導体関連部品を
低温（−６５℃〜−２５℃）と高温（１００〜２００
℃）に交互に１００〜１０００回程度さらし、信頼性を
評価するテスト方法である。従来の接着剤では、特に低
温領域で弾性率が高くなってしまい、チップにクラック
を発生させる原因となっていた。また、単純に低温での
弾性率を下げてしまうと、ＰＣＴ処理等の高温での信頼
性が低下してしまう問題があり、この特性の両立は大き
な課題であった。
低温（−６５℃〜−２５℃）と高温（１００〜２００
℃）に交互に１００〜１０００回程度さらし、信頼性を
評価するテスト方法である。従来の接着剤では、特に低
温領域で弾性率が高くなってしまい、チップにクラック
を発生させる原因となっていた。また、単純に低温での
弾性率を下げてしまうと、ＰＣＴ処理等の高温での信頼
性が低下してしまう問題があり、この特性の両立は大き
な課題であった。
【０００８】本発明は、ガラスエポキシ基板、フレキシ
ブル基板等のインターポーザと呼ばれる配線基板に熱膨
張係数の差が大きい半導体チップを実装する場合に必要
な耐熱性、耐湿性を有し、かつ温度サイクルテストでチ
ップにクラックを生じさせることがない、低温での低弾
性率を有する低弾性接着剤、低弾性接着部材、これを備
えた半導体搭載用基板及び半導体装置を提供するもので
ある。
ブル基板等のインターポーザと呼ばれる配線基板に熱膨
張係数の差が大きい半導体チップを実装する場合に必要
な耐熱性、耐湿性を有し、かつ温度サイクルテストでチ
ップにクラックを生じさせることがない、低温での低弾
性率を有する低弾性接着剤、低弾性接着部材、これを備
えた半導体搭載用基板及び半導体装置を提供するもので
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は下記の発明に関
する。 （１）エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計が１００重量
部、（２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量
％を含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ
重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アク
リル系共重合体５０〜３００重量部（３）硬化促進剤
０．１〜１０重量部（４）シリコーンゴムフィラー２０
〜６０重量部及び（５）カップリング剤０．１〜１０重
量部を含有する低弾性接着剤。 （２）動的粘弾性測定装置を用いて測定した硬化物の貯
蔵弾性率が−６５℃で１０００〜３０００ＭＰａであ
り、２５℃で２０〜２０００ＭＰａであり、２６０℃で
３〜５０ＭＰａである（１）の低弾性接着剤。
する。 （１）エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計が１００重量
部、（２）グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量
％を含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ
重量平均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アク
リル系共重合体５０〜３００重量部（３）硬化促進剤
０．１〜１０重量部（４）シリコーンゴムフィラー２０
〜６０重量部及び（５）カップリング剤０．１〜１０重
量部を含有する低弾性接着剤。 （２）動的粘弾性測定装置を用いて測定した硬化物の貯
蔵弾性率が−６５℃で１０００〜３０００ＭＰａであ
り、２５℃で２０〜２０００ＭＰａであり、２６０℃で
３〜５０ＭＰａである（１）の低弾性接着剤。
【００１０】（３）シリコーンゴムフィラーの粒径が１
０μｍ以下である（１）又は（２）の低弾性接着剤。 （４）ＤＳＣ（示差走査熱量測定）を用いて測定した場
合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた状態に
した（１）又は（２）の低弾性接着剤。 （５）イオン捕捉剤を配合した、（１）又は（２）の低
弾性接着剤。 （６）エポキシ樹脂中の２官能エポキシ樹脂の割合が７
０重量％以上である（１）又は（２）の低弾性接着剤。 （７）（１）〜（６）のいずれかの低弾性接着剤の層
を、基材の片面又は両面に形成した低弾性接着部材。 （８）配線基板の半導体チップ搭載面に（７）の低弾性
接着部材を備えた半導体搭載用基板。 （９）（８）の半導体搭載用基板を用いた半導体装置。
０μｍ以下である（１）又は（２）の低弾性接着剤。 （４）ＤＳＣ（示差走査熱量測定）を用いて測定した場
合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終えた状態に
した（１）又は（２）の低弾性接着剤。 （５）イオン捕捉剤を配合した、（１）又は（２）の低
弾性接着剤。 （６）エポキシ樹脂中の２官能エポキシ樹脂の割合が７
０重量％以上である（１）又は（２）の低弾性接着剤。 （７）（１）〜（６）のいずれかの低弾性接着剤の層
を、基材の片面又は両面に形成した低弾性接着部材。 （８）配線基板の半導体チップ搭載面に（７）の低弾性
接着部材を備えた半導体搭載用基板。 （９）（８）の半導体搭載用基板を用いた半導体装置。
【００１１】本発明は、０℃以下での弾性率が低い特定
のシリコーンゴムフィラーを分散させたエポキシ基含有
アクリル系共重合体とエポキシ樹脂系の接着剤に関す
る。エポキシ基含有アクリル系共重合体は、室温付近で
の弾性率が低いため、エポキシ基含有アクリル系共重合
体の混合比を大きくすることで、半導体チップと配線基
板の熱膨張係数の差に起因して、リフロー時の加熱冷却
過程で発生する応力を緩和する効果によりクラックを抑
制することができる。
のシリコーンゴムフィラーを分散させたエポキシ基含有
アクリル系共重合体とエポキシ樹脂系の接着剤に関す
る。エポキシ基含有アクリル系共重合体は、室温付近で
の弾性率が低いため、エポキシ基含有アクリル系共重合
体の混合比を大きくすることで、半導体チップと配線基
板の熱膨張係数の差に起因して、リフロー時の加熱冷却
過程で発生する応力を緩和する効果によりクラックを抑
制することができる。
【００１２】またエポキシ基含有アクリル系共重合体は
エポキシ樹脂と同様に硬化剤との反応性に優れるため、
低弾性接着剤の硬化物が化学的・物理的に安定するため
ＰＣＴ処理に代表される耐湿性試験に優れた性能を示
す。またシリコーンゴムフィラーはエポキシ樹脂との分
散安定性に優れており、接着剤としての優れた特性を損
なうことなく低温で低弾性化できる。また、本発明では
エポキシ樹脂及びその硬化剤とシリコーンゴムフィラー
をワニス作製用の有機溶媒にあらかじめ溶解、混合した
状態でディスパー等により分散処理を行った後、カップ
リング剤、エポキシ基含有アクリル系共重合体及び硬化
促進剤を配合することで、ワニス内でのシリコーンゴム
フィラーの分散安定性、接着フィルムの諸物性を確保す
るものである。また、本発明ではエポキシ基含有アクリ
ル系共重合体とシリコーンゴムフィラーをワニス作製用
の有機溶媒にあらかじめ溶解、混合した状態でディスパ
ー等により分散処理を行った後、エポキシ樹脂及びその
硬化剤、カップリング剤、硬化促進剤と配合すること
で、ワニス内でのシリコーンゴムフィラーの分散安定
性、接着フィルムの諸物性を確保するものである。
エポキシ樹脂と同様に硬化剤との反応性に優れるため、
低弾性接着剤の硬化物が化学的・物理的に安定するため
ＰＣＴ処理に代表される耐湿性試験に優れた性能を示
す。またシリコーンゴムフィラーはエポキシ樹脂との分
散安定性に優れており、接着剤としての優れた特性を損
なうことなく低温で低弾性化できる。また、本発明では
エポキシ樹脂及びその硬化剤とシリコーンゴムフィラー
をワニス作製用の有機溶媒にあらかじめ溶解、混合した
状態でディスパー等により分散処理を行った後、カップ
リング剤、エポキシ基含有アクリル系共重合体及び硬化
促進剤を配合することで、ワニス内でのシリコーンゴム
フィラーの分散安定性、接着フィルムの諸物性を確保す
るものである。また、本発明ではエポキシ基含有アクリ
ル系共重合体とシリコーンゴムフィラーをワニス作製用
の有機溶媒にあらかじめ溶解、混合した状態でディスパ
ー等により分散処理を行った後、エポキシ樹脂及びその
硬化剤、カップリング剤、硬化促進剤と配合すること
で、ワニス内でのシリコーンゴムフィラーの分散安定
性、接着フィルムの諸物性を確保するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明で使用するエポキシ樹脂
は、硬化して接着作用を呈するものであれば良く、２官
能以上で、好ましくは重量平均分子量が５０００未満、
より好ましくは重量平均分子量３０００未満のエポキシ
樹脂とされる。二官能エポキシ樹脂としてはビスフェノ
ールＡ型またはビスフェノールＦ型液状樹脂等が例示さ
れる。ビスフェノールＡ型またはビスフェノールＦ型液
状樹脂は、東都化成株式会社から、ＹＤ８１２５、ＹＤ
Ｆ１７０の商品名で市販されている。エポキシ樹脂とし
ては、高Ｔｇ化を目的に多官能エポキシ樹脂を加えても
よく、多官能エポキシ樹脂としては、フェノールノボラ
ック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂等が例示される。フェノールノボラック型エポキシ
樹脂は、日本化薬株式会社から、ＥＰＰＮ−２０１の商
品名で市販されている。クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂は、住友化学工業株式会社から、ＥＳＣＮ−００
１、ＥＳＣＮ−１９５の商品名で、また、前記日本化薬
株式会社から、ＥＯＣＮ１０１２、ＥＯＣＮ１０２５、
ＥＯＣＮ１０２７の商品名で市販されている。東都化成
株式会社からＹＤＣＮ−７０３の商品名で市販されてい
る。
は、硬化して接着作用を呈するものであれば良く、２官
能以上で、好ましくは重量平均分子量が５０００未満、
より好ましくは重量平均分子量３０００未満のエポキシ
樹脂とされる。二官能エポキシ樹脂としてはビスフェノ
ールＡ型またはビスフェノールＦ型液状樹脂等が例示さ
れる。ビスフェノールＡ型またはビスフェノールＦ型液
状樹脂は、東都化成株式会社から、ＹＤ８１２５、ＹＤ
Ｆ１７０の商品名で市販されている。エポキシ樹脂とし
ては、高Ｔｇ化を目的に多官能エポキシ樹脂を加えても
よく、多官能エポキシ樹脂としては、フェノールノボラ
ック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂等が例示される。フェノールノボラック型エポキシ
樹脂は、日本化薬株式会社から、ＥＰＰＮ−２０１の商
品名で市販されている。クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂は、住友化学工業株式会社から、ＥＳＣＮ−００
１、ＥＳＣＮ−１９５の商品名で、また、前記日本化薬
株式会社から、ＥＯＣＮ１０１２、ＥＯＣＮ１０２５、
ＥＯＣＮ１０２７の商品名で市販されている。東都化成
株式会社からＹＤＣＮ−７０３の商品名で市販されてい
る。
【００１４】二官能エポキシ樹脂と多官能エポキシ樹脂
の配合比は、多官能エポキシ樹脂が多すぎると接着剤層
がもろくなるため、好ましくは二官能エポキシ樹脂の配
合量を７０重量％以上、より好ましくは９０重量％以上
とされる。硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として通常
用いられているものを使用でき、アミン、ポリアミド、
酸無水物、ポリスルフィド、三弗化硼素、フェノール性
水酸基を１分子中に２個以上有する化合物であるビスフ
ェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等が
挙げられる。吸湿時の耐電食性に優れるためフェノール
ノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂または
クレゾールノボラック樹脂を用いるのが好ましい。
の配合比は、多官能エポキシ樹脂が多すぎると接着剤層
がもろくなるため、好ましくは二官能エポキシ樹脂の配
合量を７０重量％以上、より好ましくは９０重量％以上
とされる。硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として通常
用いられているものを使用でき、アミン、ポリアミド、
酸無水物、ポリスルフィド、三弗化硼素、フェノール性
水酸基を１分子中に２個以上有する化合物であるビスフ
ェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等が
挙げられる。吸湿時の耐電食性に優れるためフェノール
ノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂または
クレゾールノボラック樹脂を用いるのが好ましい。
【００１５】このように特に好ましい硬化剤は、大日本
インキ化学工業株式会社から、フェノライトＬＦ２８８
２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２
０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶ
Ｈ４１５０、フェノライトＶＨ４１７０の商品名で市販
されている。エポキシ樹脂と硬化剤の合計は接着性の発
現から合計１００重量部に対してエポキシ樹脂が２５〜
７５重量部、硬化剤が７５〜２５重量部の割合で接着剤
の濡れ性と高い接着性を確保できる。硬化剤とともに硬
化促進剤が用いられ、硬化促進剤としては、各種イミダ
ゾール類を用いるのが好ましい。イミダゾールとして
は、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダ
ゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウ
ムトリメリテート等が挙げられる。
インキ化学工業株式会社から、フェノライトＬＦ２８８
２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２
０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶ
Ｈ４１５０、フェノライトＶＨ４１７０の商品名で市販
されている。エポキシ樹脂と硬化剤の合計は接着性の発
現から合計１００重量部に対してエポキシ樹脂が２５〜
７５重量部、硬化剤が７５〜２５重量部の割合で接着剤
の濡れ性と高い接着性を確保できる。硬化剤とともに硬
化促進剤が用いられ、硬化促進剤としては、各種イミダ
ゾール類を用いるのが好ましい。イミダゾールとして
は、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチル
イミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダ
ゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウ
ムトリメリテート等が挙げられる。
【００１６】イミダゾール類は、四国化成工業株式会社
から、２Ｅ４ＭＺ、２ＰＺ−ＣＮ及び２ＰＺ−ＣＮＳの
商品名で市販されている。硬化促進剤は、接着剤の硬化
を必要以上に進ませず、長期安定性を確保する観点から
エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計１００重量部に対し
て０．１〜１０重量部の範囲で添加することが好まし
い。グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を含
むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ重量平
均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系
共重合体としては、例えば帝国化学産業株式会社から市
販されている商品名ＨＴＲ−８６０Ｐ−３を使用するこ
とができる。官能基モノマーとして用いるグリシジル
（メタ）アクリレートの量は、２〜６重量％とする。接
着力を得るため、２重量％以上とし、ゴムのゲル化を防
止するために６重量％以下とされる。残部はエチル（メ
タ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレートまたは
両者の混合物を用いることができるが、混合比率は、共
重合体のＴｇを考慮して決定する。Ｔｇが−１０℃未満
であるとＢステージ状態での接着フィルムのタック性が
大きくなり取扱性が悪化するので、−１０℃以上とされ
る。パール重合、溶液重合等により得ることができる。
から、２Ｅ４ＭＺ、２ＰＺ−ＣＮ及び２ＰＺ−ＣＮＳの
商品名で市販されている。硬化促進剤は、接着剤の硬化
を必要以上に進ませず、長期安定性を確保する観点から
エポキシ樹脂及びその硬化剤の合計１００重量部に対し
て０．１〜１０重量部の範囲で添加することが好まし
い。グリシジル（メタ）アクリレート２〜６重量％を含
むＴｇ（ガラス転移温度）が−１０℃以上でかつ重量平
均分子量が８０万以上であるエポキシ基含有アクリル系
共重合体としては、例えば帝国化学産業株式会社から市
販されている商品名ＨＴＲ−８６０Ｐ−３を使用するこ
とができる。官能基モノマーとして用いるグリシジル
（メタ）アクリレートの量は、２〜６重量％とする。接
着力を得るため、２重量％以上とし、ゴムのゲル化を防
止するために６重量％以下とされる。残部はエチル（メ
タ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレートまたは
両者の混合物を用いることができるが、混合比率は、共
重合体のＴｇを考慮して決定する。Ｔｇが−１０℃未満
であるとＢステージ状態での接着フィルムのタック性が
大きくなり取扱性が悪化するので、−１０℃以上とされ
る。パール重合、溶液重合等により得ることができる。
【００１７】エポキシ基含有アクリル系共重合体の重量
平均分子量は、８０万以上とされるがこの範囲では、シ
ート状、フィルム状での強度や可撓性の低下やタック性
の増大が少ないからである。エポキシ基含有アクリル系
共重合体の添加量は、フィルムの強度の低下やタック性
が大きくなるのを防止するため５０重量部以上とされ、
ゴム成分の相が多くエポキシ樹脂相が少なくなると、高
温での取扱い性の低下が起こるため、３００重量部以下
とされる。シリコーンゴムフィラーは、例えば信越化学
工業株式会社から市販されている商品名Ｘ−５２−８３
０，Ｘ−５２−８５４、東レダウコーニングシリコーン
株式会社から市販されている商品名トレフィルＥシリー
ズ等が用いられる。シリコーンゴムフィラーの使用量
は、フィルム強度の確保、弾性率の面からエポキシ樹脂
及びその硬化剤１００重量部に対して２０〜６０重量部
とされる。
平均分子量は、８０万以上とされるがこの範囲では、シ
ート状、フィルム状での強度や可撓性の低下やタック性
の増大が少ないからである。エポキシ基含有アクリル系
共重合体の添加量は、フィルムの強度の低下やタック性
が大きくなるのを防止するため５０重量部以上とされ、
ゴム成分の相が多くエポキシ樹脂相が少なくなると、高
温での取扱い性の低下が起こるため、３００重量部以下
とされる。シリコーンゴムフィラーは、例えば信越化学
工業株式会社から市販されている商品名Ｘ−５２−８３
０，Ｘ−５２−８５４、東レダウコーニングシリコーン
株式会社から市販されている商品名トレフィルＥシリー
ズ等が用いられる。シリコーンゴムフィラーの使用量
は、フィルム強度の確保、弾性率の面からエポキシ樹脂
及びその硬化剤１００重量部に対して２０〜６０重量部
とされる。
【００１８】カップリング剤としては、シランカップリ
ング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエト
キシシラン、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン等が挙げられる。前記したシラン
カップリング剤は、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシランがＮＣＵ Ａ−１８７、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシランがＮＣＵ Ａ−１８９、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランがＮＣＵ Ａ−１１０
０、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランがＮＣＵ
Ａ−１１６０、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランがＮＣＵ Ａ−１１２０の商
品名で、いずれも日本ユニカー株式会社から市販されて
おり、好適に使用することができる。カップリング剤の
配合量は、添加による効果や耐熱性およびコストから、
エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部に対して０．
１〜１０重量部とされる。
ング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエト
キシシラン、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン等が挙げられる。前記したシラン
カップリング剤は、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシランがＮＣＵ Ａ−１８７、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシランがＮＣＵ Ａ−１８９、γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランがＮＣＵ Ａ−１１０
０、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランがＮＣＵ
Ａ−１１６０、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシランがＮＣＵ Ａ−１１２０の商
品名で、いずれも日本ユニカー株式会社から市販されて
おり、好適に使用することができる。カップリング剤の
配合量は、添加による効果や耐熱性およびコストから、
エポキシ樹脂及びその硬化剤１００重量部に対して０．
１〜１０重量部とされる。
【００１９】さらに、イオン性不純物を吸着して、吸湿
時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を配合
することができる。イオン捕捉剤の配合量は、添加によ
る効果や耐熱性及びコストより、エポキシ樹脂及びその
硬化剤１００重量部に対して５〜１０重量部が好まし
い。イオン捕捉剤としては、銅がイオン化して溶け出す
のを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、例
えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還
元剤等を配合することもできる。ビスフェノール系還元
剤としては、２，２′−メチレン−ビス−（４−メチル
−６−第３−ブチルフェノール）、４，４′−チオ−ビ
ス−（３−メチル−６−第３−ブチルフェノール）等が
挙げられる。
時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を配合
することができる。イオン捕捉剤の配合量は、添加によ
る効果や耐熱性及びコストより、エポキシ樹脂及びその
硬化剤１００重量部に対して５〜１０重量部が好まし
い。イオン捕捉剤としては、銅がイオン化して溶け出す
のを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、例
えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還
元剤等を配合することもできる。ビスフェノール系還元
剤としては、２，２′−メチレン−ビス−（４−メチル
−６−第３−ブチルフェノール）、４，４′−チオ−ビ
ス−（３−メチル−６−第３−ブチルフェノール）等が
挙げられる。
【００２０】トリアジンチオール化合物を成分とする銅
害防止剤は、三協製薬株式会社から、ジスネットＤＢの
商品名で市販されている。またビスフェノール系還元剤
を成分とする銅害防止剤は、吉富製薬株式会社から、ヨ
シノックスＢＢの商品名で市販されている。ワニス化の
溶剤は、比較的低沸点の、メチルエチルケトン、アセト
ン、メチルイソブチルケトン、２−エトキシエタノー
ル、トルエン、ブチルセロソルブ、メタノール、エタノ
ール、２−メトキシエタノールなどを用いるのが好まし
い。また、塗膜性を向上するなどの目的で、高沸点溶剤
を加えても良い。高沸点溶剤としては、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、メチルピロリドン、シ
クロヘキサノンなどが挙げられる。
害防止剤は、三協製薬株式会社から、ジスネットＤＢの
商品名で市販されている。またビスフェノール系還元剤
を成分とする銅害防止剤は、吉富製薬株式会社から、ヨ
シノックスＢＢの商品名で市販されている。ワニス化の
溶剤は、比較的低沸点の、メチルエチルケトン、アセト
ン、メチルイソブチルケトン、２−エトキシエタノー
ル、トルエン、ブチルセロソルブ、メタノール、エタノ
ール、２−メトキシエタノールなどを用いるのが好まし
い。また、塗膜性を向上するなどの目的で、高沸点溶剤
を加えても良い。高沸点溶剤としては、ジメチルアセト
アミド、ジメチルホルムアミド、メチルピロリドン、シ
クロヘキサノンなどが挙げられる。
【００２１】また本発明では、シリコーンゴムフィラー
の粒径が１０μｍ以下であれば、ワニス内での分散が安
定した状態を長く保つことができるので、好ましい。さ
らにシリコーンゴムフィラーの粒径としては、ワニスの
長期安定性の観点から５μｍ以下であることがさらに好
ましい。シリコーンゴムフィラーの分散調整は、らいか
い機、３本ロール、ディスパー等により、またこれらを
組み合わせて行なうことができる。また、ワニスとした
後、真空脱気によりワニス中の気泡を除去することが好
ましい。こうして作製したワニスは、基材上に薄膜に塗
布し、接着剤層を作製する際に、ワニス中に配合される
各成分の分散安定性が高く、塗工時にはじきといわれる
フィルム膜厚の極端に薄い部分を生じることもなく、高
い接着強度を確保することができる。
の粒径が１０μｍ以下であれば、ワニス内での分散が安
定した状態を長く保つことができるので、好ましい。さ
らにシリコーンゴムフィラーの粒径としては、ワニスの
長期安定性の観点から５μｍ以下であることがさらに好
ましい。シリコーンゴムフィラーの分散調整は、らいか
い機、３本ロール、ディスパー等により、またこれらを
組み合わせて行なうことができる。また、ワニスとした
後、真空脱気によりワニス中の気泡を除去することが好
ましい。こうして作製したワニスは、基材上に薄膜に塗
布し、接着剤層を作製する際に、ワニス中に配合される
各成分の分散安定性が高く、塗工時にはじきといわれる
フィルム膜厚の極端に薄い部分を生じることもなく、高
い接着強度を確保することができる。
【００２２】上記接着剤ワニスを耐熱性フィルム等の基
材上に塗布し、加熱乾燥し、溶剤を除去して接着フィル
ムを得ることができる。材質としては、ポリエチレンテ
レフタレート（以下ＰＥＴ）、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスチレン等が挙
げられる。また、基材は剥がして接着剤層の単層品とし
て使用する用途もあり、その場合は基材の表面に例えば
シリコーン等で離型処理することが好ましい。塗工方法
は特に限定するものではないが、例えば、ロールコー
ト、リバースロールコート、グラビアコート、リップコ
ート、バーコート等が挙げられる。
材上に塗布し、加熱乾燥し、溶剤を除去して接着フィル
ムを得ることができる。材質としては、ポリエチレンテ
レフタレート（以下ＰＥＴ）、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスチレン等が挙
げられる。また、基材は剥がして接着剤層の単層品とし
て使用する用途もあり、その場合は基材の表面に例えば
シリコーン等で離型処理することが好ましい。塗工方法
は特に限定するものではないが、例えば、ロールコー
ト、リバースロールコート、グラビアコート、リップコ
ート、バーコート等が挙げられる。
【００２３】また、基材の片面又は両面に低弾性接着剤
層を有する低弾性接着部材は、基材の片面又は両面に低
弾性接着剤を塗布、加熱して溶剤を除去することで得ら
れる。また基材上に塗布した低弾性接着剤層を基材の両
面にラミネーションで貼り合わせてもよい。この時、ラ
ミネートの圧力は接着フィルムの変形が起こらない圧力
で行うことが好ましい。両面に低弾性接着剤層を形成す
る場合は、片面と他面の接着剤層の厚みが異なっていて
もよい。
層を有する低弾性接着部材は、基材の片面又は両面に低
弾性接着剤を塗布、加熱して溶剤を除去することで得ら
れる。また基材上に塗布した低弾性接着剤層を基材の両
面にラミネーションで貼り合わせてもよい。この時、ラ
ミネートの圧力は接着フィルムの変形が起こらない圧力
で行うことが好ましい。両面に低弾性接着剤層を形成す
る場合は、片面と他面の接着剤層の厚みが異なっていて
もよい。
【００２４】本発明におけるエポキシ基含有アクリル系
共重合体のＴｇ（ガラス転移温度）の測定は、Ｍａｃ
Ｓｃｉｅｎｃｅ製４０００型ＴＭＡを用い、チャック間
距離１５ｍｍに幅４ｍｍに切断した硬化フィルムを取付
け、引張荷重５ｇ、昇温速度１０℃／分、測定温度範囲
３０〜２５０℃の条件で熱変位量が測定される。本発明
になる低弾性接着剤は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）を
用いて測定した全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終
えた状態とすることが好ましい。溶剤を除去する際に加
熱するが、この時、低弾性接着剤の組成物の硬化反応が
進んでゲル化してくる。その際の硬化状態が接着剤の流
動性に影響し、接着性や取り扱い性を適性化する。ＤＳ
Ｃは、測定温度範囲内で、発熱、吸熱のない標準試料と
の温度差をたえず打ち消すように熱量を供給、または除
去するゼロ位法を測定原理とするものであり、測定装置
が市販されており、それを用いて測定できる。
共重合体のＴｇ（ガラス転移温度）の測定は、Ｍａｃ
Ｓｃｉｅｎｃｅ製４０００型ＴＭＡを用い、チャック間
距離１５ｍｍに幅４ｍｍに切断した硬化フィルムを取付
け、引張荷重５ｇ、昇温速度１０℃／分、測定温度範囲
３０〜２５０℃の条件で熱変位量が測定される。本発明
になる低弾性接着剤は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）を
用いて測定した全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終
えた状態とすることが好ましい。溶剤を除去する際に加
熱するが、この時、低弾性接着剤の組成物の硬化反応が
進んでゲル化してくる。その際の硬化状態が接着剤の流
動性に影響し、接着性や取り扱い性を適性化する。ＤＳ
Ｃは、測定温度範囲内で、発熱、吸熱のない標準試料と
の温度差をたえず打ち消すように熱量を供給、または除
去するゼロ位法を測定原理とするものであり、測定装置
が市販されており、それを用いて測定できる。
【００２５】低弾性接着剤の樹脂組成物の反応は、発熱
反応であり、一定の昇温速度で試料を加熱していくと、
試料が反応し熱量が発生する。その発熱量をチャートに
出力し、ベースラインを基準として発熱曲線とベースラ
インで囲まれた面積を求め、これを発熱量とする。室温
から２５０℃まで１０℃／分の昇温速度で測定し、上記
の発熱量を求める。次に、上記基材に塗布し、乾燥して
得た低弾性接着剤の発熱量は次のようにして求める。ま
ず、２５℃で真空乾燥器を用いて溶剤を乾燥させた未硬
化試料の全発熱量を測定し、これをＡ（Ｊ／ｇ）とす
る。次に塗工、乾燥した試料の発熱量Ｂを測定し、試料
の硬化度Ｃ（％）（加熱、乾燥により発熱を終えた状
態）は、次の式で与えられる。 Ｃ（％）＝（Ａ−Ｂ）×１００／Ａ
反応であり、一定の昇温速度で試料を加熱していくと、
試料が反応し熱量が発生する。その発熱量をチャートに
出力し、ベースラインを基準として発熱曲線とベースラ
インで囲まれた面積を求め、これを発熱量とする。室温
から２５０℃まで１０℃／分の昇温速度で測定し、上記
の発熱量を求める。次に、上記基材に塗布し、乾燥して
得た低弾性接着剤の発熱量は次のようにして求める。ま
ず、２５℃で真空乾燥器を用いて溶剤を乾燥させた未硬
化試料の全発熱量を測定し、これをＡ（Ｊ／ｇ）とす
る。次に塗工、乾燥した試料の発熱量Ｂを測定し、試料
の硬化度Ｃ（％）（加熱、乾燥により発熱を終えた状
態）は、次の式で与えられる。 Ｃ（％）＝（Ａ−Ｂ）×１００／Ａ
【００２６】本発明の低弾性接着剤の硬化物を動的粘弾
性測定装置で測定した貯蔵弾性率は−６５℃で１０００
〜３０００ＭＰａ、２５℃で２０〜２０００ＭＰａ、２
６０℃で３〜５０ＭＰａの低弾性率とすることが好まし
い。貯蔵弾性率の測定は、難燃性接着剤の硬化物に引っ
張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０
℃／分で−１００℃から２００℃まで測定する温度依存
性測定モードで行なわれる。−６５℃での貯蔵弾性率が
３０００ＭＰａを越えるものでは、半導体チップと配線
基板との熱膨張の差によって温度サイクル試験時に発生
する応力を緩和させる効果が小さくなるためクラックが
発生しやすい。一方、貯蔵弾性率が１０００ＭＰａ未満
では、２５℃における貯蔵弾性率が２０未満となるため
好ましくない。２５℃での貯蔵弾性率が２０００ＭＰａ
を越えるものでは、半導体チップと配線基板との熱膨張
の差によってリフロー時に発生する応力を緩和させる効
果が小さくなるためクラックが発生しやすい。一方貯蔵
弾性率が２０ＭＰａ未満では接着剤の取り扱い性に劣
る。また２６０℃で３ＭＰａ未満でははんだ温度におけ
る耐熱性に劣り、５０ＭＰａを超える場合は２５℃にお
ける貯蔵弾性率が２０００ＭＰａを超えるため好ましく
ない。
性測定装置で測定した貯蔵弾性率は−６５℃で１０００
〜３０００ＭＰａ、２５℃で２０〜２０００ＭＰａ、２
６０℃で３〜５０ＭＰａの低弾性率とすることが好まし
い。貯蔵弾性率の測定は、難燃性接着剤の硬化物に引っ
張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０
℃／分で−１００℃から２００℃まで測定する温度依存
性測定モードで行なわれる。−６５℃での貯蔵弾性率が
３０００ＭＰａを越えるものでは、半導体チップと配線
基板との熱膨張の差によって温度サイクル試験時に発生
する応力を緩和させる効果が小さくなるためクラックが
発生しやすい。一方、貯蔵弾性率が１０００ＭＰａ未満
では、２５℃における貯蔵弾性率が２０未満となるため
好ましくない。２５℃での貯蔵弾性率が２０００ＭＰａ
を越えるものでは、半導体チップと配線基板との熱膨張
の差によってリフロー時に発生する応力を緩和させる効
果が小さくなるためクラックが発生しやすい。一方貯蔵
弾性率が２０ＭＰａ未満では接着剤の取り扱い性に劣
る。また２６０℃で３ＭＰａ未満でははんだ温度におけ
る耐熱性に劣り、５０ＭＰａを超える場合は２５℃にお
ける貯蔵弾性率が２０００ＭＰａを超えるため好ましく
ない。
【００２７】本発明の半導体搭載用基板に用いる基板は
セラミックや有機基板といった基板材質にとらわれるこ
となく用いることができる。配線の形状としては、片
面、両面、多層配線のいずれの構造でもよく、必要に応
じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けてもよ
い。さらに配線が半導体装置の外部表面に現れる場合に
は、保護樹脂層を設けることが好ましい。また接着部材
の基板への貼付方法についてはパッケージ形状に応じた
所定形状に切断した接着部材を配線基板上の所望位置へ
熱圧着する方法、または接着部材を配線基盤上に長尺の
ままラミネートする方法が一般的ではあるが、これに限
定されるものではない。
セラミックや有機基板といった基板材質にとらわれるこ
となく用いることができる。配線の形状としては、片
面、両面、多層配線のいずれの構造でもよく、必要に応
じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けてもよ
い。さらに配線が半導体装置の外部表面に現れる場合に
は、保護樹脂層を設けることが好ましい。また接着部材
の基板への貼付方法についてはパッケージ形状に応じた
所定形状に切断した接着部材を配線基板上の所望位置へ
熱圧着する方法、または接着部材を配線基盤上に長尺の
ままラミネートする方法が一般的ではあるが、これに限
定されるものではない。
【００２８】図１は本発明の低弾性接着剤層１と基材２
の組み合わせで形成される低弾性接着部材の断面図であ
り、図１（ａ）に示すような低弾性接着剤１の単層品や
図１（ｂ）に示すような基材２の両面に低弾性接着剤層
１，１を形成して得られる低弾性接着部材を示す。図２
は本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図を示す
（μＢＧＡ構造図）。図２（ａ）は本発明の低弾性接着
剤１の単層からなる低弾性接着部材を配線基板の半導体
チップ搭載面に備えた半導体搭載用基板４に半導体チッ
プ５を接着させ、半導体チップのボンディングパッドに
配線３の一部を半導体チップ接続部材６として接続し封
止材７により半導体チップの周囲を封止し外部接続端子
８を設けた半導体装置の断面図である。図２（ｂ）は
（ａ）の低弾性接着部材の基材２の両面に低弾性接着剤
層１を形成して得られる低弾性接着部材を用いた半導体
装置の断面図である。本発明の低弾性接着部材を用いて
半導体チップと半導体搭載用基板を接着させた半導体装
置は、耐リフロー性、温度サイクルテスト、耐湿性（耐
ＰＣＴ性）等に優れる。以下、実施例により本発明をさ
らに具体的に説明する。
の組み合わせで形成される低弾性接着部材の断面図であ
り、図１（ａ）に示すような低弾性接着剤１の単層品や
図１（ｂ）に示すような基材２の両面に低弾性接着剤層
１，１を形成して得られる低弾性接着部材を示す。図２
は本発明の一実施例を示す半導体装置の断面図を示す
（μＢＧＡ構造図）。図２（ａ）は本発明の低弾性接着
剤１の単層からなる低弾性接着部材を配線基板の半導体
チップ搭載面に備えた半導体搭載用基板４に半導体チッ
プ５を接着させ、半導体チップのボンディングパッドに
配線３の一部を半導体チップ接続部材６として接続し封
止材７により半導体チップの周囲を封止し外部接続端子
８を設けた半導体装置の断面図である。図２（ｂ）は
（ａ）の低弾性接着部材の基材２の両面に低弾性接着剤
層１を形成して得られる低弾性接着部材を用いた半導体
装置の断面図である。本発明の低弾性接着部材を用いて
半導体チップと半導体搭載用基板を接着させた半導体装
置は、耐リフロー性、温度サイクルテスト、耐湿性（耐
ＰＣＴ性）等に優れる。以下、実施例により本発明をさ
らに具体的に説明する。
【００２９】
【実施例】（接着剤の組成物ワニス１）エポキシ樹脂と
してビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１
７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１２５を使用）７
０重量部、硬化剤としてビスフェノールＡノボラック樹
脂（大日本インキ製のＬＦ−２８８２を使用）３０重量
部、溶剤としてシクロヘキサノン３０重量部を撹拌混合
したワニスに、シリコーンゴムフィラー（東レダウコー
ニング製のトレフィルＥ−６０１を使用）４０重量部を
混合撹拌しディスパーによる分散を実施した後、エポキ
シ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アク
リルゴム（分子量１００万、帝国化学産業株式会社製の
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３を使用）２３０重量部、硬化促進
剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール
（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量部、カ
ップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣ Ａ−１
８９を使用）２．５重量部とγ−ウレイドプロピルトリ
エトキシシラン（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣＡ−
１１６０を使用）２．５重量部からなる低弾性接着剤成
分に溶剤としてシクロヘキサノンを１７００重量部を加
えて撹拌混合し、この接着剤の組成物ワニス１を得た。
ディスパー処理後のシリコーンゴムフィラーの粒径は５
〜１０μｍであった。この低弾性接着剤の硬化物の貯蔵
弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、−
６５℃で２６００ＭＰａ、２５℃で４５０ＭＰａ、２６
０℃で４ＭＰａであった。
してビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１
７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１２５を使用）７
０重量部、硬化剤としてビスフェノールＡノボラック樹
脂（大日本インキ製のＬＦ−２８８２を使用）３０重量
部、溶剤としてシクロヘキサノン３０重量部を撹拌混合
したワニスに、シリコーンゴムフィラー（東レダウコー
ニング製のトレフィルＥ−６０１を使用）４０重量部を
混合撹拌しディスパーによる分散を実施した後、エポキ
シ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アク
リルゴム（分子量１００万、帝国化学産業株式会社製の
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３を使用）２３０重量部、硬化促進
剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール
（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量部、カ
ップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣ Ａ−１
８９を使用）２．５重量部とγ−ウレイドプロピルトリ
エトキシシラン（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣＡ−
１１６０を使用）２．５重量部からなる低弾性接着剤成
分に溶剤としてシクロヘキサノンを１７００重量部を加
えて撹拌混合し、この接着剤の組成物ワニス１を得た。
ディスパー処理後のシリコーンゴムフィラーの粒径は５
〜１０μｍであった。この低弾性接着剤の硬化物の貯蔵
弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、−
６５℃で２６００ＭＰａ、２５℃で４５０ＭＰａ、２６
０℃で４ＭＰａであった。
【００３０】（接着剤の組成物ワニス２）接着剤の組成
物１と同じ配合で、アクリルゴム成分にシリコーンゴム
フィラーを混合した後ディスパー処理を行い、その後エ
ポキシ成分以下を混合撹拌し、この接着剤の組成物ワニ
ス２を得た。ディスパー処理後のシリコーンゴムフィラ
ーの粒径は１０〜２０μｍであった。この低弾性接着剤
の硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測
定した結果、−６５℃で２７００ＭＰａ、２５℃で５０
０ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。
物１と同じ配合で、アクリルゴム成分にシリコーンゴム
フィラーを混合した後ディスパー処理を行い、その後エ
ポキシ成分以下を混合撹拌し、この接着剤の組成物ワニ
ス２を得た。ディスパー処理後のシリコーンゴムフィラ
ーの粒径は１０〜２０μｍであった。この低弾性接着剤
の硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測
定した結果、−６５℃で２７００ＭＰａ、２５℃で５０
０ＭＰａ、２６０℃で４ＭＰａであった。
【００３１】（接着剤の組成物ワニス３）エポキシ樹脂
としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量
１７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１２５を使用）
６０重量部、フェノールノボラック型のエポキシ樹脂
（東都化成株式会社製のＹＤＣＮ−７０３を使用）５重
量部、硬化剤としてビスフェノールＡノボラック樹脂
（大日本インキ製のＬＦ−２８８２を使用）３５重量
部、溶剤としてシクロヘキサノン３０重量部を撹拌混合
したワニスに、シリコーンゴムフィラー（東レダウコー
ニング製のトレフィルＥ−６０１を使用）４０重量部混
合撹拌しディスパーによる分散を実施した後、エポキシ
基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリ
ルゴム（分子量１００万、帝国化学産業株式会社製のＨ
ＴＲ−８６０Ｐ−３）２３０重量部、硬化促進剤として
１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（キュア
ゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量部、カップリン
グ剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣ Ａ−１８９を使
用）２．５重量部とγ−ウレイドプロピルトリエトキシ
シラン（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣ Ａ−１１６
０を使用）２．５重量部からなる低弾性接着剤成分に溶
剤としてシクロヘキサノンを１７００重量部加えて撹拌
混合し、この接着剤の組成物ワニス１を得た。ディスパ
ー処理後のシリコーンゴムフィラーの粒径は５〜１０μ
ｍであった。この低弾性接着剤の硬化物の貯蔵弾性率を
動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、−６５℃で
２８００ＭＰａ、２５℃で５００ＭＰａ、２６０℃で７
ＭＰａであった。
としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量
１７５、東都化成株式会社製のＹＤ−８１２５を使用）
６０重量部、フェノールノボラック型のエポキシ樹脂
（東都化成株式会社製のＹＤＣＮ−７０３を使用）５重
量部、硬化剤としてビスフェノールＡノボラック樹脂
（大日本インキ製のＬＦ−２８８２を使用）３５重量
部、溶剤としてシクロヘキサノン３０重量部を撹拌混合
したワニスに、シリコーンゴムフィラー（東レダウコー
ニング製のトレフィルＥ−６０１を使用）４０重量部混
合撹拌しディスパーによる分散を実施した後、エポキシ
基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリ
ルゴム（分子量１００万、帝国化学産業株式会社製のＨ
ＴＲ−８６０Ｐ−３）２３０重量部、硬化促進剤として
１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（キュア
ゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量部、カップリン
グ剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣ Ａ−１８９を使
用）２．５重量部とγ−ウレイドプロピルトリエトキシ
シラン（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣ Ａ−１１６
０を使用）２．５重量部からなる低弾性接着剤成分に溶
剤としてシクロヘキサノンを１７００重量部加えて撹拌
混合し、この接着剤の組成物ワニス１を得た。ディスパ
ー処理後のシリコーンゴムフィラーの粒径は５〜１０μ
ｍであった。この低弾性接着剤の硬化物の貯蔵弾性率を
動的粘弾性測定装置を用いて測定した結果、−６５℃で
２８００ＭＰａ、２５℃で５００ＭＰａ、２６０℃で７
ＭＰａであった。
【００３２】（比較例１） （接着剤の組成物ワニス４）エポキシ樹脂としてビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都
化成株式会社製のＹＤ−８１２５を使用）７０重量部、
硬化剤としてビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本
インキ製のＬＦ−２８８２）３０重量部、溶剤としてシ
クロヘキサノン３０重量部を撹拌混合したワニスに、エ
ポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有
アクリルゴム（分子量１００万、帝国化学産業株式会社
製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３を使用）２３０重量部、硬化
促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾ
ール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量
部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣ
Ａ−１８９を使用）２．５重量部とγ−ウレイドプロピ
ルトリエトキシシラン（日本ユニカー株式会社製のＮＵ
Ｃ Ａ−１１６０を使用）２．５重量部からなる低弾性
接着剤成分に溶剤としてシクロヘキサノン１７００重量
部を加えて撹拌混合し、この接着剤の組成物ワニス４を
得た。この接着剤の硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測
定装置を用いて測定した結果、−６５℃で３４７０ＭＰ
ａ、２５℃で８２０ＭＰａ、２６０℃で６ＭＰａであっ
た。
ェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都
化成株式会社製のＹＤ−８１２５を使用）７０重量部、
硬化剤としてビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本
インキ製のＬＦ−２８８２）３０重量部、溶剤としてシ
クロヘキサノン３０重量部を撹拌混合したワニスに、エ
ポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有
アクリルゴム（分子量１００万、帝国化学産業株式会社
製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３を使用）２３０重量部、硬化
促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾ
ール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．５重量
部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣ
Ａ−１８９を使用）２．５重量部とγ−ウレイドプロピ
ルトリエトキシシラン（日本ユニカー株式会社製のＮＵ
Ｃ Ａ−１１６０を使用）２．５重量部からなる低弾性
接着剤成分に溶剤としてシクロヘキサノン１７００重量
部を加えて撹拌混合し、この接着剤の組成物ワニス４を
得た。この接着剤の硬化物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測
定装置を用いて測定した結果、−６５℃で３４７０ＭＰ
ａ、２５℃で８２０ＭＰａ、２６０℃で６ＭＰａであっ
た。
【００３３】（比較例２） （接着剤の組成物ワニス５）エポキシ樹脂としてビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都
化成株式会社製のＹＤ−８１２５を使用）７０重量部、
硬化剤としてビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本
インキ製のＬＦ−２８８２を使用）３０重量部、溶剤と
してシクロヘキサノン３０重量部を撹拌混合したワニス
に、フィラーとして三酸化アンチモン（日本精鉱製のＰ
ＡＴＯＸ−Ｕを使用）４０重量部、カップリング剤とし
てγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（日本
ユニカー株式会社製のＮＵＣ Ａ−１８９を使用）２．
５重量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン
（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣ Ａ−１１６０を使
用）２．５重量部を混合撹拌した後、ビーズミル処理を
行い、エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキ
シ基含有アクリルゴム（分子量１００万、帝国化学産業
株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３を使用）２３０重量
部、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニル
イミダゾール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．
５重量部からなる接着剤成分に溶剤としてシクロヘキサ
ノン１７００重量部を加えて撹拌混合し、この接着剤の
組成物ワニス５を得た。ビーズミル処理後のアンチモン
酸化物の粒径は１〜５μｍであった。この接着剤の硬化
物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した
結果、−６５℃で３４００ＭＰａ、２５℃で１１００Ｍ
Ｐａ、２６０℃で４．５ＭＰａであった。
ェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、東都
化成株式会社製のＹＤ−８１２５を使用）７０重量部、
硬化剤としてビスフェノールＡノボラック樹脂（大日本
インキ製のＬＦ−２８８２を使用）３０重量部、溶剤と
してシクロヘキサノン３０重量部を撹拌混合したワニス
に、フィラーとして三酸化アンチモン（日本精鉱製のＰ
ＡＴＯＸ−Ｕを使用）４０重量部、カップリング剤とし
てγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（日本
ユニカー株式会社製のＮＵＣ Ａ−１８９を使用）２．
５重量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン
（日本ユニカー株式会社製のＮＵＣ Ａ−１１６０を使
用）２．５重量部を混合撹拌した後、ビーズミル処理を
行い、エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキ
シ基含有アクリルゴム（分子量１００万、帝国化学産業
株式会社製のＨＴＲ−８６０Ｐ−３を使用）２３０重量
部、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニル
イミダゾール（キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．
５重量部からなる接着剤成分に溶剤としてシクロヘキサ
ノン１７００重量部を加えて撹拌混合し、この接着剤の
組成物ワニス５を得た。ビーズミル処理後のアンチモン
酸化物の粒径は１〜５μｍであった。この接着剤の硬化
物の貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置を用いて測定した
結果、−６５℃で３４００ＭＰａ、２５℃で１１００Ｍ
Ｐａ、２６０℃で４．５ＭＰａであった。
【００３４】（実施例１）接着剤の組成物ワニス１を、
キャリアフィルムとして厚さ５０μｍの離形処理したポ
リエチレンテレフタレートフィルム（テイジン（株）製
ピューレックスＡ−６３）上に塗布し、１５５℃で５分
間乾燥して膜厚が５０μｍのＢステージ状態の塗膜を形
成し、基材を備えた低弾性接着部材を作製した。なおこ
の状態での低弾性接着剤の硬化度は、ＤＳＣ（デュポン
社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇温速度：１０℃
／分）した結果、全硬化発熱量の１４〜２０％の範囲内
の発熱を終えた状態であった。また、残存溶媒量は、
０．１〜０．５重量％の範囲内であった。
キャリアフィルムとして厚さ５０μｍの離形処理したポ
リエチレンテレフタレートフィルム（テイジン（株）製
ピューレックスＡ−６３）上に塗布し、１５５℃で５分
間乾燥して膜厚が５０μｍのＢステージ状態の塗膜を形
成し、基材を備えた低弾性接着部材を作製した。なおこ
の状態での低弾性接着剤の硬化度は、ＤＳＣ（デュポン
社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇温速度：１０℃
／分）した結果、全硬化発熱量の１４〜２０％の範囲内
の発熱を終えた状態であった。また、残存溶媒量は、
０．１〜０．５重量％の範囲内であった。
【００３５】（実施例２）接着剤の組成物ワニス１を接
着剤の組成物ワニス２とした以外は実施例１と同様にし
て、基材を備えた低弾性接着部材を作製した。なおこの
状態での低弾性接着剤の硬化度は、いずれの接着剤もＤ
ＳＣ（デュポン社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇
温速度：１０℃／分）した結果、全硬化発熱量の１６〜
２０％の範囲内の発熱を終えた状態であった。また、残
存溶媒量は、０．１〜０．５重量％の範囲内であった。
着剤の組成物ワニス２とした以外は実施例１と同様にし
て、基材を備えた低弾性接着部材を作製した。なおこの
状態での低弾性接着剤の硬化度は、いずれの接着剤もＤ
ＳＣ（デュポン社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇
温速度：１０℃／分）した結果、全硬化発熱量の１６〜
２０％の範囲内の発熱を終えた状態であった。また、残
存溶媒量は、０．１〜０．５重量％の範囲内であった。
【００３６】（実施例３）接着剤の組成物ワニス１を接
着剤の組成物ワニス３とした以外は実施例１と同様にし
て、基材を備えた低弾性接着部材を作製した。なおこの
状態での低弾性接着剤の硬化度は、いずれの接着剤もＤ
ＳＣ（デュポン社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇
温速度：１０℃／分）した結果、全硬化発熱量の１５〜
２０％の範囲内の発熱を終えた状態であった。また、残
存溶媒量は、０．１〜０．５重量％の範囲内であった。
着剤の組成物ワニス３とした以外は実施例１と同様にし
て、基材を備えた低弾性接着部材を作製した。なおこの
状態での低弾性接着剤の硬化度は、いずれの接着剤もＤ
ＳＣ（デュポン社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇
温速度：１０℃／分）した結果、全硬化発熱量の１５〜
２０％の範囲内の発熱を終えた状態であった。また、残
存溶媒量は、０．１〜０．５重量％の範囲内であった。
【００３７】（比較例１）接着剤の組成物ワニス１を接
着剤の組成物ワニス４とした以外は実施例１と同様にし
て、基材を備えた低弾性接着部材を作製した。なおこの
状態での低弾性接着剤の硬化度は、いずれの接着剤もＤ
ＳＣ（デュポン社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇
温速度：１０℃／分）した結果、全硬化発熱量の１５〜
２０％の範囲内の発熱を終えた状態であった。また、残
存溶媒量は、０．７〜１．５重量％の範囲内であった。
着剤の組成物ワニス４とした以外は実施例１と同様にし
て、基材を備えた低弾性接着部材を作製した。なおこの
状態での低弾性接着剤の硬化度は、いずれの接着剤もＤ
ＳＣ（デュポン社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇
温速度：１０℃／分）した結果、全硬化発熱量の１５〜
２０％の範囲内の発熱を終えた状態であった。また、残
存溶媒量は、０．７〜１．５重量％の範囲内であった。
【００３８】（比較例２）接着剤の組成物ワニス１を接
着剤の組成物ワニス５とした以外は実施例１と同様にし
て、基材を備えた接着部材を作製した。なおこの状態で
の接着剤の硬化度は、いずれの接着剤もＤＳＣ（デュポ
ン社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇温速度：１０
℃／分）した結果、全硬化発熱量の１５〜２０％の範囲
内の発熱を終えた状態であった。また、残存溶媒量は、
１．０〜１．５重量％の範囲内であった。得られた接着
部材を用いて、塗工時の流れ性、接着強度、ＴＣＴクラ
ックを評価した。流れ性は、一定サイズで切り出した接
着剤をスライドグラス上に接着剤層を貼り付けた評価用
サンプルをテスター産業株式会社作製の熱圧着機で、金
型温度１６０℃（両面）、圧力２ＭＰａ、圧着時間１８
秒の条件で熱圧着させた際、従来のサイズからどの程度
接着剤が流れ出たかを測定し、ワニス作製直後に塗工し
た接着剤の流れ性を１００とし、３日目、７日目の流れ
性が８０〜１２０の範囲内にあるものを○、それ以上に
変動しているものを×とした。
着剤の組成物ワニス５とした以外は実施例１と同様にし
て、基材を備えた接着部材を作製した。なおこの状態で
の接着剤の硬化度は、いずれの接着剤もＤＳＣ（デュポ
ン社製９１２型ＤＳＣ）を用いて測定（昇温速度：１０
℃／分）した結果、全硬化発熱量の１５〜２０％の範囲
内の発熱を終えた状態であった。また、残存溶媒量は、
１．０〜１．５重量％の範囲内であった。得られた接着
部材を用いて、塗工時の流れ性、接着強度、ＴＣＴクラ
ックを評価した。流れ性は、一定サイズで切り出した接
着剤をスライドグラス上に接着剤層を貼り付けた評価用
サンプルをテスター産業株式会社作製の熱圧着機で、金
型温度１６０℃（両面）、圧力２ＭＰａ、圧着時間１８
秒の条件で熱圧着させた際、従来のサイズからどの程度
接着剤が流れ出たかを測定し、ワニス作製直後に塗工し
た接着剤の流れ性を１００とし、３日目、７日目の流れ
性が８０〜１２０の範囲内にあるものを○、それ以上に
変動しているものを×とした。
【００３９】接着強度は同じ圧着機を用い、ガラス板と
ポリイミド（宇部興産株式会社製ユーピレックス５０
Ｓ）の間に接着剤を挟み、金型温度１６０℃（両面）、
圧力２ＭＰａ、圧着時間１８秒の条件で熱圧着させた
後、１７０℃の条件下に１時間放置し硬化反応を終了さ
せ、テスター産業株式会社製９０度ピール強度測定機を
用いて、ポリイミドフィルムの引き剥がし強度を測定
し、接着剤作製時の異なる３サンプルの平均値が２００
ｇ／ｃｍ未満のものを×、２００〜５００ｇ／ｃｍの範
囲内のものを△、５００ｇ／ｃｍを超えるものを○とし
た。温度サイクル試験は、図２（ａ）または（ｂ）に示
すような半導体チップと７５μｍのポリイミドフィルム
を配線基板基材に用いた配線基板を接着剤で貼り合わせ
た半導体装置サンプルを作製して評価を行った。サンプ
ルを−６５℃雰囲気に３０分間放置し、その後１５０℃
の雰囲気に３０分放置する工程を１サイクルとして測定
し、５００サイクルまでに破壊が生じなかったものを○
で、それ以外を×とした。その結果を表１に示した。
ポリイミド（宇部興産株式会社製ユーピレックス５０
Ｓ）の間に接着剤を挟み、金型温度１６０℃（両面）、
圧力２ＭＰａ、圧着時間１８秒の条件で熱圧着させた
後、１７０℃の条件下に１時間放置し硬化反応を終了さ
せ、テスター産業株式会社製９０度ピール強度測定機を
用いて、ポリイミドフィルムの引き剥がし強度を測定
し、接着剤作製時の異なる３サンプルの平均値が２００
ｇ／ｃｍ未満のものを×、２００〜５００ｇ／ｃｍの範
囲内のものを△、５００ｇ／ｃｍを超えるものを○とし
た。温度サイクル試験は、図２（ａ）または（ｂ）に示
すような半導体チップと７５μｍのポリイミドフィルム
を配線基板基材に用いた配線基板を接着剤で貼り合わせ
た半導体装置サンプルを作製して評価を行った。サンプ
ルを−６５℃雰囲気に３０分間放置し、その後１５０℃
の雰囲気に３０分放置する工程を１サイクルとして測定
し、５００サイクルまでに破壊が生じなかったものを○
で、それ以外を×とした。その結果を表１に示した。
【００４０】
【表１】
【００４１】比較例１、２においては、温度サイクル試
験でチップにクラックが起きる問題を生じている。実施
例１はシリコーンゴムフィラーを配合することにより、
−６５℃での低弾性率を得ることができた。また実施例
２では、シリコーンゴムフィラーをアクリルゴムにあら
かじめ分散する方法でも、十分な分散状態が得られた。
実施例３においては、２官能エポキシ樹脂と多官能エポ
キシ樹脂を混合して使用しており、ワニス安定性と共に
高い接着強度が得られている。
験でチップにクラックが起きる問題を生じている。実施
例１はシリコーンゴムフィラーを配合することにより、
−６５℃での低弾性率を得ることができた。また実施例
２では、シリコーンゴムフィラーをアクリルゴムにあら
かじめ分散する方法でも、十分な分散状態が得られた。
実施例３においては、２官能エポキシ樹脂と多官能エポ
キシ樹脂を混合して使用しており、ワニス安定性と共に
高い接着強度が得られている。
【００４２】
【発明の効果】本発明の低弾性接着剤および低弾性接着
部材は、−６５℃付近での弾性率が低いために、半導体
装置において、半導体チップと配線基板との熱膨張率差
から加熱冷却時に発生する熱応力を緩和させることがで
きる。そのため、温度サイクル試験でのクラック発生が
認められず、応力緩和性に優れている。
部材は、−６５℃付近での弾性率が低いために、半導体
装置において、半導体チップと配線基板との熱膨張率差
から加熱冷却時に発生する熱応力を緩和させることがで
きる。そのため、温度サイクル試験でのクラック発生が
認められず、応力緩和性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明になる低弾性接着剤の単層から
なる低弾性接着部材の断面図、（ｂ）は本発明になる基
材の両面に低弾性接着剤層を備えた低弾性接着部材の断
面図。
なる低弾性接着部材の断面図、（ｂ）は本発明になる基
材の両面に低弾性接着剤層を備えた低弾性接着部材の断
面図。
【図２】（ａ）は本発明になる低弾性接着剤の単層から
なる接着部材を用いた半導体装置の断面図、（ｂ）は本
発明になる基材の両面に低弾性接着剤層を備えた低弾性
接着部材を用いた半導体装置の断面図。
なる接着部材を用いた半導体装置の断面図、（ｂ）は本
発明になる基材の両面に低弾性接着剤層を備えた低弾性
接着部材を用いた半導体装置の断面図。
１ 低弾性接着剤層 ２ 基材 ３ 配線 ４ 半導体配線基板 ５ 半導体チップ ６ 半導体チップ接続部材 ７ 封止材 ８ はんだボール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J036 AA05 AF06 AF08 AK11 DA01 DA02 DC41 FB07 FB16 JA08 4J040 DF051 DF052 EC061 EC062 EC071 EC072 EK032 GA11 HB38 HC23 HD33 JA03 JB02 JB09 KA03 KA16 KA21 KA31 KA42 LA06 LA08 LA09 MA02 MA10 MB03 NA20 PA30 4M109 AA04 BA03 CA22 EA02 EA03 EA06 EB02 EB06 EB19 EC04 GA10 5F047 AA17 BA21 BA34 BA51 BB03 BB16
Claims (9)
- 【請求項１】 （１）エポキシ樹脂及びその硬化剤の合
計が１００重量部、（２）グリシジル（メタ）アクリレ
ート２〜６重量％を含むＴｇ（ガラス転移温度）が−１
０℃以上でかつ重量平均分子量が８０万以上であるエポ
キシ基含有アクリル系共重合体５０〜３００重量部
（３）硬化促進剤０．１〜１０重量部（４）シリコーン
ゴムフィラー２０〜６０重量部及び（５）カップリング
剤０．１〜１０重量部を含有する低弾性接着剤。 - 【請求項２】 動的粘弾性測定装置を用いて測定した硬
化物の貯蔵弾性率が−６５℃で１０００〜３０００ＭＰ
ａであり、２５℃で２０〜２０００ＭＰａであり、２６
０℃で３〜５０ＭＰａである請求項１に記載の低弾性接
着剤。 - 【請求項３】 シリコーンゴムフィラーの粒径が１０μ
ｍ以下である請求項１又は２記載の低弾性接着剤。 - 【請求項４】 ＤＳＣ（示差走査熱量測定）を用いて測
定した場合の全硬化発熱量の１０〜４０％の発熱を終え
た状態にした請求項１又は２に記載の低弾性接着剤。 - 【請求項５】 イオン捕捉剤を配合した、請求項１又は
２に記載の低弾性接着剤。 - 【請求項６】 エポキシ樹脂中の２官能エポキシ樹脂の
割合が７０重量％以上である請求項１又は２に記載の低
弾性接着剤。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の低弾性
接着剤の層を、基材の片面又は両面に形成した低弾性接
着部材。 - 【請求項８】 配線基板の半導体チップ搭載面に請求項
７に記載の低弾性接着部材を備えた半導体搭載用基板。 - 【請求項９】 請求項８に記載の半導体搭載用基板を用
いた半導体装置。
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|---|---|
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004109786A1 (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2005154687A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、接着部材、半導体搭載用支持部材及び半導体装置 |
| JP2006342334A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-12-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物、プリプレグ、基板、金属箔張積層板、樹脂付金属箔及びプリント配線板 |
| JP2007246875A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-09-27 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および該製造方法により得られる半導体装置 |
| JP2007277525A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-10-25 | Toray Ind Inc | 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品ならびに電子機器 |
| CN100454493C (zh) * | 2003-06-06 | 2009-01-21 | 日立化成工业株式会社 | 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法 |
| WO2009038020A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Toray Industries, Inc. | 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート |
| JP2009073872A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Toray Ind Inc | 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート |
| JP2009091566A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-30 | Toray Ind Inc | 接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート |
| JP2009155403A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | チップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 |
| JP2009177067A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Kyocera Chemical Corp | 接着剤組成物 |
| KR101106068B1 (ko) | 2004-12-21 | 2012-01-18 | 에스케이케미칼주식회사 | 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물 |
| JP2012046738A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-03-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 接着組成物および熱硬化性接着シートの製造方法 |
| WO2012053589A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2012142438A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 半導体装置実装用ペ−スト |
| JP2013064152A (ja) * | 2005-12-08 | 2013-04-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置 |
| JP2019160869A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 日東電工株式会社 | 封止用シート |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1030050A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Hitachi Ltd | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物、それを用いた半導体装置およびその製法 |
| JPH10168409A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 耐熱性接着剤層付き銅箔、放熱板付きリードフレーム及び半導体装置 |
| JPH11181289A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-07-06 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 硬化性シリコーン組成物および電子部品 |
| JPH11213756A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 導電性ペースト組成物及びこれを用いた電子部品 |
| JPH11246742A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JPH11246829A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 両面接着フィルム及び半導体装置 |
| JPH11265960A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属製補強材付き半導体装置 |
-
2000
- 2000-08-24 JP JP2000253234A patent/JP2002060716A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1030050A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Hitachi Ltd | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物、それを用いた半導体装置およびその製法 |
| JPH10168409A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 耐熱性接着剤層付き銅箔、放熱板付きリードフレーム及び半導体装置 |
| JPH11181289A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-07-06 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 硬化性シリコーン組成物および電子部品 |
| JPH11213756A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 導電性ペースト組成物及びこれを用いた電子部品 |
| JPH11246742A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JPH11246829A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 両面接着フィルム及び半導体装置 |
| JPH11265960A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属製補強材付き半導体装置 |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7968195B2 (en) | 2003-06-06 | 2011-06-28 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Dicing tape laminated with adhesive sheet of polymer, epoxy resin and filler |
| CN100454493C (zh) * | 2003-06-06 | 2009-01-21 | 日立化成工业株式会社 | 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法 |
| WO2004109786A1 (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法 |
| US8617930B2 (en) | 2003-06-06 | 2013-12-31 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive sheet, dicing tape integrated type adhesive sheet, and method of producing semiconductor device |
| US7968194B2 (en) | 2003-06-06 | 2011-06-28 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Dicing tape laminated with adhesive sheet of polymer, thermosetting resin and filler |
| US7875500B2 (en) | 2003-06-06 | 2011-01-25 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Bonding semiconductor wafer stuck on dicing tape laminated adhesive sheet onto mounting support |
| JP2005154687A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、接着部材、半導体搭載用支持部材及び半導体装置 |
| KR101106068B1 (ko) | 2004-12-21 | 2012-01-18 | 에스케이케미칼주식회사 | 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물 |
| JP2006342334A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-12-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物、プリプレグ、基板、金属箔張積層板、樹脂付金属箔及びプリント配線板 |
| JP2013064152A (ja) * | 2005-12-08 | 2013-04-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | 電子部品用液状樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置 |
| JP2007246875A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-09-27 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および該製造方法により得られる半導体装置 |
| JP2007277525A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-10-25 | Toray Ind Inc | 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート、電子部品ならびに電子機器 |
| WO2009038020A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Toray Industries, Inc. | 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート |
| JP2009091566A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-30 | Toray Ind Inc | 接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート |
| US8138580B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-03-20 | Toray Industries, Inc. | Adhesive composition for electronic components, and adhesive sheet for electronic components using the same |
| KR101471232B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2014-12-09 | 도레이 카부시키가이샤 | 전자 부품용 접착제 조성물 및 이를 이용한 전자 부품용 접착제 시트 |
| JP2009073872A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Toray Ind Inc | 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート |
| CN101939396B (zh) * | 2007-09-19 | 2012-11-21 | 东丽株式会社 | 电子部件用粘合剂组合物及使用其的电子部件用粘合剂片材 |
| JP2009155403A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | チップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 |
| JP2009177067A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Kyocera Chemical Corp | 接着剤組成物 |
| JP2012046738A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-03-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 接着組成物および熱硬化性接着シートの製造方法 |
| JP5003855B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-08-15 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| CN103189464A (zh) * | 2010-10-22 | 2013-07-03 | 日立化成株式会社 | 粘接剂组合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置 |
| WO2012053589A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2012142438A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 半導体装置実装用ペ−スト |
| JP2019160869A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 日東電工株式会社 | 封止用シート |
| JP7038575B2 (ja) | 2018-03-08 | 2022-03-18 | 日東電工株式会社 | 封止用シート |
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