JPH11181289A - 硬化性シリコーン組成物および電子部品 - Google Patents

硬化性シリコーン組成物および電子部品

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JPH11181289A
JPH11181289A JP31600197A JP31600197A JPH11181289A JP H11181289 A JPH11181289 A JP H11181289A JP 31600197 A JP31600197 A JP 31600197A JP 31600197 A JP31600197 A JP 31600197A JP H11181289 A JPH11181289 A JP H11181289A
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君男 山川
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Yoshiko Otani
淑子 大谷
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勝利 峰
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 低温における応力緩和性が優れるシリコーン
硬化物を形成することができる硬化性シリコーン組成
物、及びこれを用いてなる、優れた耐熱衝撃性を有する
電子部品を提供する。 【解決手段】 (Ａ)ケイ素原子に結合する全有機基中の
アリール基の含有量が１〜４０モル％であり、一分子中
に少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリ
シロキサン１００重量部、(Ｂ)一分子中に少なくとも２
個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロ
キサン（本組成物を硬化させるに十分な量）、(Ｃ)白金
系触媒、及び(Ｄ)ケイ素原子に結合する全有機基中のア
リール基の含有量が１モル％未満であるか、又は４０モ
ル％をこえるオルガノポリシロキサン０.００００１〜
１００重量部からなる硬化性シリコーン組成物。接着剤
又は封止・充填剤の少なくとも一方が、前記の硬化性シ
リコーン組成物の硬化物である電子部品。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、硬化性シリコーン
組成物、および電子部品に関し、詳しくは、硬化前には
脱泡性が優れ、硬化して、低温における応力緩和性が優
れるシリコーン硬化物を形成することができる硬化性シ
リコーン組成物、およびこの硬化性シリコーン組成物を
用いてなる、優れた耐熱衝撃性を有する電子部品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】白金系触媒による付加反応より硬化する
硬化性シリコーン組成物は、室温もしくは加熱により速
やかに硬化して、物理的特性や電気的特性が優れたゲル
状、あるいはゴム状のシリコーン硬化物を形成できるこ
とから、電子部品の接着剤、あるいは封止・充填剤とし
て使用されている。このような硬化性シリコーン組成物
としては、両末端ジオルガノビニルシリル基封鎖ジメチ
ルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、両
末端トリオルガノシリル基封鎖オルガノハイドロジェン
ポリシロキサン、および白金系触媒からなる半導体素子
被覆用硬化性シリコーン組成物（特公平４−２６２４号
公報参照）、一分子中に２個以上のケイ素原子結合アル
ケニル基を有するオルガノポリシロキサン、一分子中に
２個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポ
リシロキサン、ケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素原
子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子を
有する有機ケイ素化合物、および白金系触媒からなる接
着剤（特開平３−１５７４７４号公報参照）、ビニル基
を含有するポリオルガノシロキサンと活性水素を含有す
るオルガノ水素シロキサンと硬化用触媒から構成され、
硬化後のゲルのヤング率が１０3〜１０5dyne／cm2であ
る電気機器用モールド材（特開平７−１９２９２９号公
報参照）が例示される。
【０００３】近年、電子部品が小型化すると共に、生産
性向上が求められ、既存の硬化性シリコーン組成物では
満足できないという問題があった。すなわち、特公平４
−２６２４号公報で提案されているような硬化性シリコ
ーン組成物は、低温における応力緩和性が優れるシリコ
ーン硬化物を形成することができるものの、極めて脱泡
性が悪く、電子部品を効率良く生産することができず、
また、気泡の抱き込みにより、電子部品の信頼性を十分
には向上させることができないという問題があった。ま
た、特開平７−１９２９２９号公報により提案されてい
るような硬化性シリコーン組成物を硬化して得られるゲ
ル状シリコーン硬化物は、常温では応力緩和性が優れる
ものの、低温では、この応力緩和性が小さくなり、電子
部品の信頼性を向上させることができないという問題が
あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは上記の課
題について鋭意検討した結果、本発明の到達した。本発
明の目的は、硬化前には脱泡性が優れ、硬化して、低温
における応力緩和性が優れるシリコーン硬化物を形成す
ることができる硬化性シリコーン組成物、およびこの硬
化性シリコーン組成物を用いてなる、優れた耐熱衝撃性
を有する電子部品を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の硬化性シリコー
ン組成物は、 (Ａ)２５℃における粘度が１０〜１,０００,０００セン
チポイズであり、ケイ素原子に結合する全有機基中のア
リール基の含有量が１〜４０モル％であり、一分子中に
少なくとも２個のアルケニル基を有するオルガノポリシ
ロキサン１００重量部、 (Ｂ)２５℃における粘度が１〜１０,０００センチポイ
ズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合
水素原子を有するオルガノポリシロキサン（本組成物を
硬化させるに十分な量）、 (Ｃ)白金系触媒（本組成物を硬化させるに十分な量）、 および (Ｄ)２５℃における粘度が１０〜１０,０００,０００セ
ンチポイズであり、ケイ素原子に結合する全有機基中の
アリール基の含有量が１モル％未満であるか、または４
０モル％をこえるオルガノポリシロキサン０.００００
１〜１００重量部 からなり、硬化して、温度−６５℃、せん断周波数１０
Hzにおける複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下である
シリコーン硬化物、あるいは温度−６５℃におけるヤン
グ率が３,０００kgf／cm2以下であるシリコーン硬化物
を形成することを特徴とする。また、本発明の電子部品
は、半導体チップが該チップ取付部に接着剤により接着
されており、該チップと該チップ取付部の回路配線とを
電気的に接続する部材の少なくとも一部が封止・充填剤
により封止もしくは充填されている電子部品であって、
該接着剤および該封止・充填剤の少なくとも一方が、上
記の硬化性シリコーン組成物の硬化物であることを特徴
とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】はじめに、本発明の硬化性シリコ
ーン組成物を詳細に説明する。 (Ａ)成分のオルガノポリシロキサンは、本組成物の主剤
であり、２５℃における粘度が１０〜１,０００,０００
センチポイズであり、ケイ素原子に結合する全有機基中
のアリール基の含有量が１〜４０モル％であり、一分子
中に少なくとも２個のアルケニル基を有することが必要
である。(Ａ)成分の２５℃における粘度は上記の範囲内
であることが必要であるが、これは、この下限未満であ
ると、得られるシリコーン硬化物の機械的強度が乏しく
なるためであり、一方、この上限をこえると、得られる
硬化性シリコーン組成物の取扱作業性が乏しくなるから
である。また、(Ａ)成分中のケイ素原子に結合する有機
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、
ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；フェニ
ル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；３，３，
３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基
等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、
これら全有機基中のアリール基の含有量が１〜４０モル
％の範囲内であることが必要であり、特に、１〜２５モ
ル％の範囲内であることが好ましい。このような(Ａ)成
分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖
状、分枝鎖状、環状、樹脂状が例示され、ゲル状あるい
はゴム状のシリコーン硬化物を形成するためには、直鎖
状であることが好ましい。
【０００７】(Ｂ)成分のオルガノポリシロキサンは本組
成物の架橋剤であり、２５℃における粘度が１〜１０,
０００センチポイズであり、一分子中に少なくとも２個
のケイ素原子結合水素原子を有することが必要である。
(Ｂ)成分の２５℃における粘度は上記の範囲内であるこ
とが必要であるが、これは、この下限未満であると、得
られるシリコーン硬化物の機械的強度が乏しくなるため
であり、一方、この上限をこえると、得られる硬化性シ
リコーン組成物の取扱作業性が乏しくなるからである。
(Ｂ)成分中のケイ素原子に結合する有機基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル
基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール
基；３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン
化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基
が例示される。このような(Ｂ)成分の分子構造として
は、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環
状、樹脂状が例示される。
【０００８】本組成物において、(Ｂ)成分の配合量は、
本組成物を硬化させるに十分な量であればよく、例え
ば、(Ｄ)成分のオルガノポリシロキサンがアルケニル基
を有しない場合には、(Ａ)成分中のアルケニル基１モル
に対して、(Ｂ)成分中のケイ素原子結合水素原子が０.
３〜１０モルの範囲内となる量であることが好ましく、
また、(Ｄ)成分のオルガノポリシロキサンがアルケニル
基を有する場合には、(Ａ)成分と(Ｄ)成分中の合計のア
ルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素原子結
合水素原子が０.３〜１０モルの範囲内となる量である
ことが好ましい。これは、(Ａ)成分中、ないしは(Ａ)成
分と(Ｄ)成分中の合計のアルケニル基１モルに対して、
(Ｂ)成分中のケイ素原子結合水素原子が０.３モル未満
である場合には、得られる組成物が十分に硬化しなくな
る傾向があるからであり、一方、１０モルをこえる場合
には、得られるシリコーン硬化物の機械的強度が乏しく
なる傾向があるからである。
【０００９】(Ｃ)成分の白金系触媒は本組成物を付加反
応により硬化させるための触媒である。(Ｃ)成分の触媒
としては、白金黒、白金を担持したシリカ微粉末、白金
を担持した活性炭、白金を担持したアルミナ粉末、塩化
白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金とオレフィ
ンの錯体、白金のアルケニルシロキサンの錯体、これら
の白金系触媒を含有してなるポリスチレン樹脂、ナイロ
ン樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂等の粒
子径が１０μm以下の熱可塑性樹脂粉末が例示される。
【００１０】本組成物において、(Ｃ)成分の配合量は、
本組成物を硬化させるに十分な量であればよく、具体的
には、(Ａ)成分と(Ｂ)成分と(Ｄ)成分の合計量に対し
て、(Ｃ)成分中の白金金属が重量単位で１〜１,０００p
pmとなる範囲内の量であることが好ましい。
【００１１】(Ｄ)成分のオルガノポリシロキサンは、本
組成物を硬化して得られるシリコーン硬化物の低温にお
ける応力緩和性を低下させることなく、本組成物の脱泡
性を向上させるための成分である。(Ｄ)成分の２５℃に
おける粘度は１０〜１０,０００,０００センチポイズの
範囲内であるが、これは、この下限未満であると、得ら
れる硬化性シリコーン組成物の脱泡性が低下したり、得
られるシリコーン硬化物の機械的強度が乏しくなるため
であり、一方、この上限をこえると、得られる硬化性シ
リコーン組成物の取扱作業性が乏しくなったり、脱泡性
が低下するからである。また、(Ｄ)成分中のケイ素原子
に結合する有機基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアル
ケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリ
ール基；３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロ
ゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水
素基が例示され、これら全有機基中のアリール基の含有
量が１モル％未満であるか、または４０モル％をこえる
ことが必要である。これは、(Ｄ)成分として、ケイ素原
子に結合する全有機基中のアリール基の含有量が１〜４
０モル％の範囲内であるオルガノポリシロキサンを用い
ると、これが(Ａ)成分と相溶してしまい、得られる硬化
性シリコーン組成物の脱泡性を向上させることができな
くなるからである。また、(Ｄ)成分中のケイ素原子には
アルケニル基が結合していてもよく、シリコーン硬化物
からの滲みだし等を考慮すると、一分子中に少なくとも
２個のアルケニル基を有することが好ましい。このよう
な(Ｄ)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有
する直鎖状、分枝鎖状、環状、樹脂状が例示され、本組
成物の脱泡性が良好であることから、直鎖状もしくは分
枝鎖状であることが好ましい。
【００１２】本組成物において、(Ｄ)成分の配合量は、
(Ａ)成分１００重量部に対して０.００００１〜１００
重量部の範囲内であることが必要であり、好ましくは、
０.０００１〜５０重量部の範囲内であり、さらに好ま
しくは、０.００１〜５０重量部の範囲内であり、特に
好ましくは、０．００５〜５０重量部の範囲内である。
これは、(Ｄ)成分の配合量がこの下限未満であると、得
られる硬化性シリコーン組成物の脱泡性が低下する傾向
があるからであり、一方、この上限をこえると、得られ
る硬化性シリコーン組成物を硬化して得られるシリコー
ン硬化物の低温における応力緩和性が低下する傾向があ
るからである。
【００１３】本組成物には、取扱作業性を向上させるた
め、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジ
メチル−１−ヘキシン−３−オール、３−フェニル−１
−ブチン−３−オール等のアルキンアルコール；３−メ
チル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジメチル−３
−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１，３，
５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニル
シクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチ
ル−１，３，５，７−テトラヘキセニルシクロテトラシ
ロキサン、ベンゾトリアゾール等の付加反応抑制剤を配
合することができる。この付加反応抑制剤の配合量は、
(Ａ)成分と(Ｂ)成分の合計量に対して、重量単位で１０
〜５０,０００ppmとなる範囲内の量であることが好まし
い。
【００１４】また、本組成物には、その他任意の成分と
して、フュームドシリカ、沈降性シリカ、結晶性シリ
カ、フュームド酸化チタン、アルミナ、酸化チタン、ガ
ラス、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、銀、ニッ
ケル、銅等の無機質充填剤、これらの無機質充填剤の表
面を、メチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシ
シラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルト
リメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルト
リメトキシシラン等のオルガノアルコキシシラン；メチ
ルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメ
チルクロロシラン等のオルガノクロロシラン；１，１，
１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン、１，１，
３，３，５，５−ヘキサメチルシクロトリシラザン等の
シラザン；分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロ
キサンオリゴマー、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチ
ルビニルシロキサンオリゴマー、分子鎖両末端シラノー
ル基封鎖メチルフェニルシロキサンオリゴマー等のオル
ガノシロキサノリゴマー等により処理してなる無機質充
填剤、接着性付与剤、耐熱性付与剤、難燃性付与剤、着
色剤、導電性充填剤、熱伝導性充填剤、チキソトロピー
性付与剤、溶剤等を配合しても良い。
【００１５】このような成分からなる本組成物は、硬化
して、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素
弾性率が１×１０9dyne／cm2以下であるシリコーン硬化
物を形成するか、好ましくは、この複素弾性率が１×１
０9dyne／cm2〜１×１０3dyne／cm2の範囲内であるシリ
コーン硬化物を形成するか、特に好ましくは、この複素
弾性率が１×１０8dyne／cm2〜１×１０3dyne／cm2の範
囲内であるシリコーン硬化物を形成するものであるか、
あるいは、温度−６５℃におけるヤング率が３,０００k
gf／cm2以下であるシリコーン硬化物を形成するか、好
ましくは、このヤング率が３,０００kgf／cm2〜０.００
１kgf／cm2の範囲内であるシリコーン硬化物を形成する
ものであるか、特に好ましくは、このヤング率が３,０
００kgf／cm2〜０.１kgf／cm2の範囲内であるシリコー
ン硬化物を形成するものである。特に、本組成物の好ま
しい態様としては、硬化して、温度−６５℃、せん断周
波数１０Hzにおける複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以
下であり、かつ、温度−６５℃におけるヤング率が３,
０００kgf／cm2以下であるシリコーン硬化物を形成する
ものである。これは、温度−６５℃、せん断周波数１０
Hzにおける複素弾性率がこの上限をこえるシリコーン硬
化物を形成するか、あるいは、温度−６５℃におけるヤ
ング率がこの上限をこえるシリコーン硬化物を形成する
硬化性シリコーン組成物は、低温において優れた応力緩
和性を示すことができず、このような硬化性シリコーン
組成物を接着剤、あるいは封止・充填剤として用いて、
電子部品を作成した場合には、得られる電子部品の耐熱
衝撃性が十分でないという問題があるからであり、一
方、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾
性率がこのこの下限未満であるシリコーン硬化物を形成
するか、あるいは、温度−６５℃におけるヤング率がこ
の下限未満であるシリコーン硬化物を形成する硬化性シ
リコーン組成物は、低温における応力緩和性は優れるも
のの、機械的強度が小さいために、このような硬化性シ
リコーン組成物を接着剤、あるいは封止・充填剤として
用いて、電子部品を作成した場合には、得られる電子部
品の信頼性が低下する傾向があるからである。なお、こ
のシリコーン硬化物の温度−６５℃、せん断周波数１０
Hzにおける複素弾性率、あるいは温度−６５℃における
ヤング率は、短冊状、あるいは円盤状に成形したものを
動的粘弾性試験装置や引張試験機により測定して求める
ことができる。
【００１６】続いて、本発明の電子部品を詳細に説明す
る。本発明の電子部品は、半導体チップが該チップ取付
部に接着剤により接着されており、該チップと該チップ
取付部の回路配線とを電気的に接続する部材の少なくと
も一部が封止・充填剤により封止もしくは充填されてい
る電子部品であり、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示され
る。このような電子部品としては、図１で示されるよう
な電子部品が例示される。本発明の電子部品を図面によ
り詳細に説明する。
【００１７】図１で示される電子部品においては、半導
体チップ１が半導体チップ取付部(図中では、回路基板)
２と向き合った形で、接着剤３により接着されている。
また、この半導体チップ取付部２の半導体チップ１に向
き合った面には回路配線４が形成されており、この回路
配線４と半導体チップ１はバンプ５により電気的に接続
されている。そして、このバンプ５の一部もしくは全部
は封止・充填剤６により封止もしくは充填されている。
図１で示される電子部品においては、この電子部品を基
板に実装するため、回路配線４と電気的に接続している
リードが設けられている。また、図１には示していない
が、この半導体チップ１は封止樹脂により樹脂封止され
ていてもよい。
【００１８】本発明の電子部品において、半導体チップ
は限定されず、また、半導体チップ取付部も限定されな
い。この半導体チップ取付部としては、例えば、アルミ
ナ、ガラス等のセラミック系、エポキシ樹脂、ガラス繊
維強化エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド
トリアジン樹脂等の有機樹脂系、ステンレス、銅等の金
属系のものが例示され、リジッドな回路基板もしくはチ
ップキャリア、フレキシブルな回路基板もしくはチップ
キャリアが例示される。このような半導体チップ取付部
の表面もしくは内部には、印刷、蒸着、貼り付け、積
層、めっき等の手段により回路配線が形成されており、
また、ハンダボール等のボールグリッド、ピングリッド
の外部接続端子、その他の電気素子や電気部品が搭載さ
れていてもよい。また、半導体チップとこの半導体チッ
プ取付部の回路配線とを電気的に接続する部材として
は、ボンディングワイヤ、リード、バンプが例示され
る。このような部材は、電子部品が熱衝撃を受けた場合
に、この部材に働く応力を緩和するために、湾曲させた
り、曲げたボンディングワイヤやリードを用いたり、ヤ
ング率の小さい材料からなるバンプを用いることが好ま
しい。
【００１９】本発明の電子部品では、この半導体チップ
を該チップ取付部に接着している接着剤、および半導体
チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に接続す
る部材を封止もしくは充填している封止・充填剤の少な
くとも一方が、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにお
いて、その複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下のシリ
コーン硬化物を形成するか、好ましくは、この複素弾性
率が１×１０9dyne／cm2〜１×１０3dyne／cm2の範囲内
であるシリコーン硬化物を形成するか、特に好ましく
は、この複素弾性率が１×１０8dyne／cm2〜１×１０3d
yne／cm2の範囲内であるシリコーン硬化物を形成する硬
化性シリコーン組成物、あるいは温度−６５℃における
ヤング率が３,０００kgf／cm2以下であるシリコーン硬
化物を形成するか、好ましくは、このヤング率が３,０
００kgf／cm2〜０.００１kgf／cm2の範囲内であるシリ
コーン硬化物を形成するものであるか、特に好ましく
は、このヤング率が３,０００kgf／cm2〜０.１kgf／cm2
の範囲内であるシリコーン硬化物を形成する硬化性シリ
コーン組成物であることを特徴とする。これは、半導体
チップを該チップ取付部に接着している接着剤、および
半導体チップと該チップ取付部の回路配線とを電気的に
接続する部材を封止もしくは充填している封止・充填剤
のいずれもが、温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにお
ける複素弾性率がこの上限をこえるシリコーン硬化物を
形成するか、あるいは、温度−６５℃におけるヤング率
がこの上限をこえるシリコーン硬化物を形成する硬化性
シリコーン組成物により作成された電子部品が熱衝撃を
受けた場合には、半導体チップと該チップ取付部やその
他の構成部材の熱膨張率の差に起因する膨張・収縮によ
る応力から、半導体チップと該チップ取付部の回路配線
とを電気的に接続する部材の変形や剥離、半導体チップ
のそり、変形、クラックが生じてしまい、電子部品の耐
熱衝撃性が低下するためであり、一方、温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率がこのこの下限
未満であるシリコーン硬化物を形成するか、あるいは、
温度−６５℃におけるヤング率がこの下限未満であるシ
リコーン硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物は、
低温における応力緩和性は優れるものの、機械的強度が
小さいために、このような硬化性シリコーン組成物を接
着剤、あるいは封止・充填剤として用いて、電子部品を
作成した場合には、得られる電子部品の信頼性が低下す
る傾向があるからである。
【００２０】本発明の電子部品を作成する方法は限定さ
れず、例えば、図１で示される電子部品を作成する方法
としては、半導体チップ１と半導体チップ取付部２とを
接着剤組成物により向き合った形で密着させ、この接着
剤組成物を硬化させる。次いで、この半導体チップ１と
半導体チップ取付部２の回路配線４をバンプ５により電
気的に接続する。この接続は、上記の接着剤組成物の硬
化前に行ってもよい。そして、このバンプ５の一部もし
くは全部を、封止・充填剤組成物により封止もしくは充
填した後、この封止・充填剤組成物を硬化させる。上記
の硬化性シリコーン組成物により、半導体チップ１と該
チップ取付部２の回路配線４とを電気的に接続するバン
プ５を封止もしくは充填する方法としては、例えば、こ
の硬化性シリコーン組成物を、熱風や熱線により加熱す
る方法が挙げられる。また、封止・充填剤の流れ出しを
防止し、かつ半導体チップ１を外力から保護するため、
枠材７を設けても良い。本発明の電子部品において、こ
の接着剤と封止・充填剤は接着ないしは十分に密着して
いることが好ましい。また、封止・充填剤は半導体チッ
プ１と該チップ取付部３の回路配線４を電気的に接続し
ているバンプ５に接着ないしは十分に密着していること
が好ましい。
【００２１】
【実施例】本発明の硬化性シリコーン組成物および電子
部品を実施例により詳細に説明する。実施例中、粘度は
単一円筒型回転粘度計により２５℃において測定した。 ［硬化性シリコーン組成物の脱泡性］硬化性シリコーン
組成物を翼式撹拌装置により２００rpmで５分間撹拌し
た後、５mmHgの減圧下で５分間脱泡した。この際の硬化
性シリコーン組成物の脱泡性を目視により観察した。 ［電子部品の作成、および硬化性シリコーン組成物の脱
泡性］半導体チップ１をフェイスダウンで、接着剤３を
スクリーン印刷により半導体チップ取付部２上に塗布し
た部分と位置合わせして貼り付け、これを１５０℃で３
０分間加熱して接着剤３を硬化させた。次に、半導体チ
ップ取付部２上の配線回路４と電気的に接続しているバ
ンプ５と、半導体チップ１上のボンディングパッドを接
続した。次に、封止・充填剤６を、半導体チップ１、半
導体チップ取付部２、接着剤３、および枠材７に囲まれ
た隙間に一定量をディスペンサーにより塗布し、このバ
ンプ５を含む空間全体に空気泡を含まずに封止・充填剤
６で封止・充填するため、１０torrの減圧下で真空含浸
した。この際、封止・充填剤として用いた硬化性シリコ
ーン組成物の脱泡性を観察した。その後、これを１５０
℃で３０分間加熱して封止・充填剤６を硬化させた。こ
のようにして、２０個の電子部品を作製した。 ［電子部品の信頼性試験方法］電子部品を、−６５℃で
３０分間放置、＋１５０℃で３０分間放置を１サイクル
とするサーマルサイクル試験を１,０００サイクル、お
よび３,０００サイクル実施し、その後、配線回路４の
端部を用いて電気導通試験を行ない、導通不良の電子部
品の個数により不良率を求めた。
【００２２】［実施例１］(Ａ)成分として、粘度が２,
０００センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビニル
シロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシ
ロキサン共重合体(ビニル基の含有量＝０.２４重量％、
ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の比率＝４.５
モル％)４５.０重量部、(Ｂ)成分として、粘度が５セン
チポイズである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン
共重合体(ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.７重量
％)４.０重量部、（Ｃ）成分として、１重量％−塩化白
金酸のイソプロピルアルコール溶液０.１重量部、(Ｄ)
成分として、粘度が２０,０００センチポイズである分
子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリ
シロキサン(ビニル基の含有量＝０.１重量％)１０.０重
量部、および任意成分として、付加反応抑制剤(３−フ
ェニル−１−ブチン−３−オール)０.０１重量部、接着
性付与剤(粘度が４０センチポイズである分子鎖両末端
ジメチルヒドロキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリシ
ロキサン、および３―グリシドキシプロピルトリメトキ
シシランの重量比１：１の混合物)１.０重量部、無機質
充填剤(平均粒径が１.０μmであるシリカ微粉末)４０重
量部を均一に混合して、粘度が２００ポイズである硬化
性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン
組成物を１５０℃で３０分間加熱したところ、室温にお
けるＪＩＳ Ａ硬度が４０のシリコーンゴムが得られ
た。このシリコーンゴムの温度−６５℃、せん断周波数
１０Hzにおける複素弾性率は２×１０7dyne／cm2であっ
た。また、このシリコーンゴムの温度−６５℃における
ヤング率は５５kgf／cm2であった。次に、この硬化性シ
リコーン組成物を接着剤、および封止・充填剤として用
いて、図１で示される電子部品を作成した。硬化性シリ
コーン組成物の脱泡性、および電子部品の耐熱衝撃性を
評価し、これらの結果を表１に示した。
【００２３】［比較例１］(Ａ)成分の代わりに、粘度が
２,０００センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ビニル基
の含有量＝０.２４重量％)４５.０重量部、(Ｂ)成分と
して、粘度が５センチポイズである分子鎖両末端トリメ
チルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイド
ロジェンシロキサン共重合体(ケイ素原子結合水素原子
の含有量＝０.７重量％)４.０重量部、(Ｃ)成分とし
て、１重量％−塩化白金酸のイソプロピルアルコール溶
液０.１重量部、(Ｄ)成分として、粘度が２０,０００セ
ンチポイズである分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ
基封鎖ジメチルポリシロキサン(ビニル基の含有量＝０.
１重量％)１０.０重量部、および任意成分として、付加
反応抑制剤(３−フェニル−１−ブチン−３−オール)
０.０１重量部、接着性付与剤(粘度が４０センチポイズ
である分子鎖両末端ジメチルヒドロキシシロキシ基封鎖
メチルビニルポリシロキサン、および３―グリシドキシ
プロピルトリメトキシシランの重量比１：１の混合物)
１.０重量部、無機質充填剤(平均粒径が１.０μmである
シリカ微粉末)４０重量部を均一に混合して、粘度が２
００ポイズである硬化性シリコーン組成物を調製した。
この硬化性シリコーン組成物を１５０℃で３０分間加熱
したところ、室温におけるＪＩＳ Ａ硬度が４０のシリ
コーンゴムが得られた。このシリコーンゴムの温度−６
５℃、せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は１.５
×１０9dyne／cm2であった。また、このシリコーンゴム
の温度−６５℃におけるヤング率は４,０００kgf／cm2
であった。次に、この硬化性シリコーン組成物を接着
剤、および封止・充填剤として用いて、図１で示される
電子部品を作成した。硬化性シリコーン組成物の脱泡
性、および電子部品の耐熱衝撃性を評価し、これらの結
果を表１に示した。
【００２４】［実施例２］(Ａ)成分として、粘度が２,
０００センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビニル
シロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシ
ロキサン共重合体(ビニル基の含有量＝０.２４重量％、
ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の比率＝４.５
モル％)４５.０重量部、(Ｂ)成分として、粘度が５セン
チポイズである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン
共重合体(ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.７重量
％)４.０重量部、(Ｃ)成分として、１重量％−塩化白金
酸のイソプロピルアルコール溶液０.１重量部、(Ｄ)成
分として、粘度が４００センチポイズである分子鎖末端
がジメチルビニルシロキシ基およびトリメチルシロキシ
基で封鎖された、分岐鎖状ジメチルポリシロキサン(ビ
ニル基の含有量＝０.２重量％)１０.０重量部、および
任意成分として、付加反応抑制剤(３−フェニル−１−
ブチン−３−オール)０.０１重量部、接着性付与剤(粘
度が４０センチポイズである分子鎖両末端ジメチルヒド
ロキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、お
よび３―グリシドキシプロピルトリメトキシシランの重
量比１：１の混合物)１.０重量部、無機質充填剤(平均
粒径が１.０μmであるシリカ微粉末)４０重量部を均一
に混合して、粘度が１２０ポイズである硬化性シリコー
ン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物を１
５０℃で３０分間加熱したところ、室温におけるＪＩＳ
Ａ硬度が４２のシリコーンゴムが得られた。このシリ
コーンゴムの温度−６５℃、せん断周波数１０Hzにおけ
る複素弾性率は２.７×１０7dyne／cm2であった。ま
た、このシリコーンゴムの温度−６５℃におけるヤング
率は７０kgf／cm2であった。次に、この硬化性シリコー
ン組成物を接着剤、および封止・充填剤として用いて、
図１で示される電子部品を作成した。硬化性シリコーン
組成物の脱泡性、および電子部品の耐熱衝撃性を評価
し、これらの結果を表１に示した。
【００２５】［比較例２］(Ａ)成分の代わりに、粘度が
２,０００センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ビニル基
の含有量＝０.２４重量％)４５.０重量部、(Ｂ)成分と
して、粘度が５センチポイズである分子鎖両末端トリメ
チルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイド
ロジェンシロキサン共重合体(ケイ素原子結合水素原子
の含有量＝０.７重量％)４.０重量部、(Ｃ)成分とし
て、１重量％−塩化白金酸のイソプロピルアルコール溶
液０.１重量部、(Ｄ)成分として、粘度が４００センチ
ポイズである、分子鎖末端がジメチルビニルシロキシ基
およびトリメチルシロキシ基で封鎖された、分枝鎖状の
ジメチルポリシロキサン(ビニル基の含有量＝０.２重量
％)１０.０重量部、および任意成分として、付加反応抑
制剤(３−フェニル−１−ブチン−３−オール)０.０１
重量部、接着性付与剤(粘度が４０センチポイズである
分子鎖両末端ジメチルヒドロキシシロキシ基封鎖メチル
ビニルポリシロキサン、および３―グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランの重量比１：１の混合物)１.０重
量部、無機質充填剤(平均粒径が１.０μmであるシリカ
微粉末)４０重量部を均一に混合して、粘度が１２０ポ
イズである硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬
化性シリコーン組成物を１５０℃で３０分間加熱したと
ころ、室温におけるＪＩＳ Ａ硬度が４２のシリコーン
ゴムが得られた。このシリコーンゴムの温度−６５℃、
せん断周波数１０Hzにおける複素弾性率は３.８×１０9
dyne／cm2であった。また、このシリコーンゴムの温度
−６５℃におけるヤング率は８,５００kgf／cm2であっ
た。次に、この硬化性シリコーン組成物を接着剤、およ
び封止・充填剤として用いて、図１で示される電子部品
を作成した。硬化性シリコーン組成物の脱泡性、および
電子部品の耐熱衝撃性を評価し、これらの結果を表１に
示した。
【００２６】［実施例３］接着剤として、実施例１で調
製した硬化性シリコーン組成物を、封止・充填剤とし
て、比較例１で調製した硬化性シリコーン組成物をそれ
ぞれ用いて、図１で示される電子部品を作成した。得ら
れた電子部品の耐熱衝撃性を評価し、この結果を表１に
示した。
【００２７】［実施例４］接着剤として、比較例１で調
製した硬化性シリコーン組成物を、封止・充填剤とし
て、実施例１で調製した硬化性シリコーン組成物をそれ
ぞれ用いて、図１で示される電子部品を作成した。得ら
れた電子部品の耐熱衝撃性を評価し、この結果を表１に
示した。
【００２８】［比較例３］実施例１で調製した硬化性シ
リコーン組成物において、(Ｄ)成分としての、粘度が２
０,０００センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビ
ニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ビニル基
の含有量＝０.１重量％)１０.０重量部を配合しない以
外は実施例１と同様にして、粘度が１７０ポイズである
硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコ
ーン組成物を１５０℃で３０分間加熱したところ、室温
におけるＪＩＳ Ａ硬度が４５のシリコーンゴムが得ら
れた。このシリコーンゴムの温度−６５℃、せん断周波
数１０Hzにおける複素弾性率は１.５×１０7dyne／cm2
であった。また、このシリコーンゴムの温度−６５℃に
おけるヤング率は３５kgf／cm2であった。次に、この硬
化性シリコーン組成物を接着剤、および封止・充填剤と
して用いて、図１で示される電子部品を作成した。硬化
性シリコーン組成物の脱泡性、および電子部品の耐熱衝
撃性を評価し、これらの結果を表１に示した。
【００２９】［実施例５］(Ａ)成分として、粘度が２,
０００センチポイズである分子鎖両末端ジメチルビニル
シロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシ
ロキサン共重合体(ビニル基の含有量＝０.２４重量％、
ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の比率＝４.５
モル％)５７.７重量部、(Ｂ)成分として、粘度が５セン
チポイズである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン
共重合体(ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.７重量
％)１.３重量部、(Ｃ)成分として、１重量％−塩化白金
酸のイソプロピルアルコール溶液０.１重量部、(Ｄ)成
分として、粘度が１００,０００センチポイズである分
子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリ
シロキサン(ビニル基の含有量＝０.０６重量％)０.０１
重量部、および任意成分として、付加反応抑制剤(３−
フェニル−１−ブチン−３−オール)０.０１重量部、接
着性付与剤(粘度が４０センチポイズである分子鎖両末
端ジメチルヒドロキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリ
シロキサン、および３―グリシドキシプロピルトリメト
キシシランの重量比１：１の混合物)１.０重量部、無機
質充填剤(平均粒径が１.０μmであるシリカ微粉末)４０
重量部を均一に混合して、粘度が１４０ポイズである硬
化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコー
ン組成物を１５０℃で３０分間加熱したところ、室温に
おけるＪＩＳ Ａ硬度が２２のシリコーンゴムが得られ
た。このシリコーンゴムの温度−６５℃、せん断周波数
１０Hzにおける複素弾性率は３.０×１０6dyne／cm2で
あった。また、このシリコーンゴムの温度−６５℃にお
けるヤング率は８kgf／cm2であった。次に、この硬化性
シリコーン組成物を接着剤、および封止・充填剤として
用いて、図１で示される電子部品を作成した。硬化性シ
リコーン組成物の脱泡性、および電子部品の耐熱衝撃性
を評価し、これらの結果を表１に示した。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【発明の効果】本発明の硬化性シリコーン組成物は、硬
化前には脱泡性が優れ、硬化して、低温における応力緩
和性が優れるシリコーン硬化物を形成することができる
という特徴がある。また、本発明の電子部品は、このよ
うな硬化性シリコーン組成物を用いているので、優れた
耐熱衝撃性を有するという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の電子部品の一例であるＩＣの断面図
である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ 半導体チップ取付部 ３ 接着剤 ４ 回路配線 ５ バンプ ６ 封止・充填剤 ７ 枠材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｌ 83:05） (72)発明者 大谷 淑子 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 (Ａ)２５℃における粘度が１０〜１,０
    ００,０００センチポイズであり、ケイ素原子に結合す
    る全有機基中のアリール基の含有量が１〜４０モル％で
    ある、一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有す
    るオルガノポリシロキサン
    １００重量部、 (Ｂ)２５℃における粘度が１〜１０,０００センチポイ
    ズであり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合
    水素原子を有するオルガノポリシロキサン（本組成物を
    硬化させるに十分な量）、(Ｃ)白金系触媒（本組成物を
    硬化させるに十分な量）、 および (Ｄ)２５℃における粘度が１０〜１０,０００,０００セ
    ンチポイズであり、ケイ素原子に結合する全有機基中の
    アリール基の含有量が１モル％未満であるか、または４
    ０モル％をこえるオルガノポリシロキサン０.００００
    １〜１００重量部 からなり、硬化して、温度−６５℃、せん断周波数１０
    Hzにおける複素弾性率が１×１０9dyne／cm2以下である
    シリコーン硬化物、あるいは温度−６５℃におけるヤン
    グ率が３,０００kgf／cm2以下であるシリコーン硬化物
    を形成することを特徴とする硬化性シリコーン組成物。
  2. 【請求項２】 半導体チップが該チップ取付部に接着剤
    により接着されており、該チップと該チップ取付部の回
    路配線とを電気的に接続する部材の少なくとも一部が封
    止・充填剤により封止もしくは充填されている電子部品
    であって、該接着剤および該封止・充填剤の少なくとも
    一方が、請求項１記載の硬化性シリコーン組成物の硬化
    物であることを特徴とする電子部品。
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