JP2005105217A - 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 108
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 81
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 68
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 46
- -1 siloxane unit Chemical group 0.000 claims abstract description 43
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 38
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 22
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 32
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 31
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 16
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 23
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 14
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 13
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 9
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 9
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbut-3-yn-2-ol Chemical compound C#CC(O)(C)C1=CC=CC=C1 KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 125000005388 dimethylhydrogensiloxy group Chemical group 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 4
- VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 2
- RCNRJBWHLARWRP-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane;platinum Chemical compound [Pt].C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C RCNRJBWHLARWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- HMVBQEAJQVQOTI-SOFGYWHQSA-N (e)-3,5-dimethylhex-3-en-1-yne Chemical compound CC(C)\C=C(/C)C#C HMVBQEAJQVQOTI-SOFGYWHQSA-N 0.000 description 1
- GRGVQLWQXHFRHO-AATRIKPKSA-N (e)-3-methylpent-3-en-1-yne Chemical compound C\C=C(/C)C#C GRGVQLWQXHFRHO-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-3-yn-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C#C CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- KPWVUBSQUODFPP-UHFFFAOYSA-N ethenyl-(ethenyl-methyl-phenylsilyl)oxy-methyl-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)C1=CC=CC=C1 KPWVUBSQUODFPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOMYFVKFSFMSFF-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(diphenyl)silyl]oxy-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=C)O[Si](C=C)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 HOMYFVKFSFMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000005417 glycidoxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006136 organohydrogenpolysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003340 retarding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Abstract
【課題】 低粘度で充填性が良く、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率が高く、基材に対する密着性が高く、柔軟な硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および信頼性が優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基と少なくとも１個のアリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサン、（Ｂ）一分子中に少なくとも１個のアルケニル基と少なくとも１個のアリール基を有し、一般式：ＲＳiＯ3/2で表されるシロキサン単位を有する分岐鎖状のオルガノポリシロキサン、（Ｃ）一分子中に少なくとも１個のアリール基を有し、分子鎖両末端がケイ素原子結合水素原子で封鎖された直鎖状のオルガノポリシロキサン、および（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体素子が上記組成物の硬化物により被覆されている半導体装置。
【選択図】 図１
【解決手段】 （Ａ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基と少なくとも１個のアリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサン、（Ｂ）一分子中に少なくとも１個のアルケニル基と少なくとも１個のアリール基を有し、一般式：ＲＳiＯ3/2で表されるシロキサン単位を有する分岐鎖状のオルガノポリシロキサン、（Ｃ）一分子中に少なくとも１個のアリール基を有し、分子鎖両末端がケイ素原子結合水素原子で封鎖された直鎖状のオルガノポリシロキサン、および（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体素子が上記組成物の硬化物により被覆されている半導体装置。
【選択図】 図１
Description
本発明は、硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置に関し、詳しくは、低粘度で充填性が良く、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率が高く、基材に対する密着性が高く、柔軟な硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体素子が上記組成物の硬化物により被覆されている、信頼性が優れる半導体装置に関する。
ヒドロシリル化反応により硬化する硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、フォトカプラー、発光ダイオード、固体撮像素子等の光学用半導体装置における半導体素子の保護コーティング剤として使用されている。このような半導体素子の保護コーティング剤は、前記素子が発光したり、あるいは受光したりするため、光を吸収したり、散乱したりしないことが要求されている。
ヒドロシリル化反応により硬化して、屈折率が大きく、光透過性が高い硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物としては、例えば、ケイ素原子結合フェニル基とケイ素原子結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン、オルガノハイドロジェンシクロシロキサン、およびヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物（特許文献１参照）、ケイ素原子結合フェニル基とケイ素原子結合アルケニル基を含有する粘度が１００００ｃｐ（２５℃）以上の液状または固体のオルガノポリシロキサン、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、およびヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物（特許文献２参照）、ケイ素原子に結合したアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、かつケイ素原子に結合したアリール基を有するオルガノポリシロキサン、ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン、および白金のアリール基含有オルガノシロキサンオリゴマー錯体からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物（特許文献３参照）が挙げられる。
しかし、これらの硬化性オルガノポリシロキサン組成物は粘度が高く、充填性が乏しかったり、また硬化して得られる硬化物の密着性が乏しく、基材から剥離しやすいという問題があった。
特開平８−１７６４４７号公報
特開平１１−１６１９号公報
特開２００３−１２８９２２号公報
本発明は、低粘度で充填性が良く、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率が高く、基材に対する密着性が高く、柔軟な硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体素子が上記組成物の硬化物により被覆されている、信頼性が優れる半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、
（Ａ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中に少なくとも１個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有し、一般式：
ＲＳiＯ3/2
（式中、Ｒは置換または非置換の一価炭化水素基である。）
で表されるシロキサン単位を有する分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分に対して、重量比で１／９９〜９９／１となる量｝、
（Ｃ）一分子中に少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有し、分子鎖両末端がケイ素原子結合水素原子で封鎖された直鎖状のオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００重量部に対して１〜２００重量部となる量｝、
および
（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物の硬化を促進する量）
から少なくともなることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、半導体素子が上記の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により被覆されていることを特徴とする。
（Ａ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中に少なくとも１個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有し、一般式：
ＲＳiＯ3/2
（式中、Ｒは置換または非置換の一価炭化水素基である。）
で表されるシロキサン単位を有する分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分に対して、重量比で１／９９〜９９／１となる量｝、
（Ｃ）一分子中に少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有し、分子鎖両末端がケイ素原子結合水素原子で封鎖された直鎖状のオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００重量部に対して１〜２００重量部となる量｝、
および
（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物の硬化を促進する量）
から少なくともなることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、半導体素子が上記の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により被覆されていることを特徴とする。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、低粘度で充填性が良く、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率が高く、密着性が高く、柔軟な硬化物を形成するという特徴があり、また、本発明の半導体装置は、半導体素子が上記組成物の硬化物により被覆されているので、信頼性が優れるという特徴がある。
はじめに、本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を詳細に説明する。
（Ａ）成分は本組成物の主成分であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンである。（Ａ）成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。また、（Ａ）成分中のアリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基が例示され、特に、フェニル基であることが好ましい。また、（Ａ）成分中のアルケニル基とアリール基以外のケイ素原子結合有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。硬化して得られる硬化物において、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さいことから、（Ａ）成分のケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合アリール基の含有率は４０モル％以上であることが好ましく、特に、４５モル％以上であることが好ましい。このような（Ａ）成分の２５℃における粘度は限定されないが、１０〜１,０００,０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましく、特に、１００〜５０,０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましい。これは、(Ａ)成分の粘度が上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物の機械的強度が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる組成物の取扱作業性が低下する傾向があるからである。
（Ａ）成分は本組成物の主成分であり、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンである。（Ａ）成分中のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。また、（Ａ）成分中のアリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基が例示され、特に、フェニル基であることが好ましい。また、（Ａ）成分中のアルケニル基とアリール基以外のケイ素原子結合有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。硬化して得られる硬化物において、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さいことから、（Ａ）成分のケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合アリール基の含有率は４０モル％以上であることが好ましく、特に、４５モル％以上であることが好ましい。このような（Ａ）成分の２５℃における粘度は限定されないが、１０〜１,０００,０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましく、特に、１００〜５０,０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましい。これは、(Ａ)成分の粘度が上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物の機械的強度が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる組成物の取扱作業性が低下する傾向があるからである。
このような（Ａ）成分としては、一般式：
で表されるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。上式中、Ｒ1は置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、具体的には、前記アルキル基、前記アルケニル基、前記アリール基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基が例示される。但し、一分子中、Ｒ1の少なくとも２個は前記アルケニル基であることが必要であり、また、Ｒ1の少なくとも１個は前記アリール基であることが必要である。また、上式中、ｍは５〜１０００の整数であり、好ましくは、このオルガノポリシロキサンの２５℃における粘度が１０〜１,０００,０００ｍＰa・ｓの範囲内となるような整数であり、特には、１００〜５０,０００ｍＰa・ｓの範囲内となるような整数である。
（Ｂ）成分は本組成物を硬化して得られる硬化物に強度を付与するための成分であり、一分子中に少なくとも１個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有し、一般式：
ＲＳiＯ3/2
で表されるシロキサン単位を有する分岐鎖状のオルガノポリシロキサンである。（Ｂ）成分中のアルケニル基としては、前記と同様の基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。また、（Ｂ）成分中のアリール基としては、前記と同様の基が例示され、特に、フェニル基であることが好ましい。また、（Ｂ）成分中のアルケニル基とアリール基以外のケイ素原子結合有機基としては、前記アルキル基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。（Ｂ）成分中、一般式：
ＲＳiＯ3/2
で表されるシロキサン単位において、式中のＲは置換または非置換の一価炭化水素基であり、具体的には、前記アルキル基、前記アルケニル基、前記アリール基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基が例示され、特に、前記アルキル基、前記アリール基であることが好ましい。
ＲＳiＯ3/2
で表されるシロキサン単位を有する分岐鎖状のオルガノポリシロキサンである。（Ｂ）成分中のアルケニル基としては、前記と同様の基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。また、（Ｂ）成分中のアリール基としては、前記と同様の基が例示され、特に、フェニル基であることが好ましい。また、（Ｂ）成分中のアルケニル基とアリール基以外のケイ素原子結合有機基としては、前記アルキル基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。（Ｂ）成分中、一般式：
ＲＳiＯ3/2
で表されるシロキサン単位において、式中のＲは置換または非置換の一価炭化水素基であり、具体的には、前記アルキル基、前記アルケニル基、前記アリール基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基が例示され、特に、前記アルキル基、前記アリール基であることが好ましい。
このような（Ｂ）成分としては、平均単位式：
(Ｒ2ＳiＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳiＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳiＯ1/2)c(ＳiＯ4/2)d(ＸＯ1/2)e
で表されるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。上式中、Ｒ2は置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、具体的には、前記アルキル基、前記アルケニル基、前記アリール基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基が例示される。但し、一分子中、Ｒ2の０.１〜４０モル％は前記アルケニル基であることが好ましい。これは、アルケニル基の含有率が上記範囲の下限未満であると、（Ｃ）成分との反応性が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えても、（Ｃ）成分との反応性が低下する傾向があるからである。また、本組成物を硬化して得られる硬化物において、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さいことから、Ｒ2の１０モル％以上は前記アリール基であることが好ましく、特に、一般式：
Ｒ2ＳiＯ3/2
で表されるシロキサン単位において、Ｒ2の３０モル％以上が前記アリール基であることが好ましく、分子中のアルケニル基とアリール基以外のＲ2はメチル基であることが好ましい。また、上式中、Ｘは水素原子またはアルキル基であり、このアルキル基としては、前記と同様の基が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。また、上式中、ａは正数であり、ｂは０または正数であり、ｃは０または正数であり、ｄは０または正数であり、ｅは０または正数であり、かつｂ／ａは０〜１０の数であり、ｃ／ａは０〜５.０の数であり、ｄ／(ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ)は０〜０.３の数であり、ｅ／(ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ)は０〜０.４の数である。このような（Ｂ）成分の分子量は限定されないが、標準ポリスチレン換算による重量平均分子量（Ｍｗ）が５００〜１０,０００の範囲内であることが好ましく、特に、７００〜３,０００の範囲内であることが好ましい。
(Ｒ2ＳiＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳiＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳiＯ1/2)c(ＳiＯ4/2)d(ＸＯ1/2)e
で表されるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。上式中、Ｒ2は置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、具体的には、前記アルキル基、前記アルケニル基、前記アリール基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基が例示される。但し、一分子中、Ｒ2の０.１〜４０モル％は前記アルケニル基であることが好ましい。これは、アルケニル基の含有率が上記範囲の下限未満であると、（Ｃ）成分との反応性が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えても、（Ｃ）成分との反応性が低下する傾向があるからである。また、本組成物を硬化して得られる硬化物において、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さいことから、Ｒ2の１０モル％以上は前記アリール基であることが好ましく、特に、一般式：
Ｒ2ＳiＯ3/2
で表されるシロキサン単位において、Ｒ2の３０モル％以上が前記アリール基であることが好ましく、分子中のアルケニル基とアリール基以外のＲ2はメチル基であることが好ましい。また、上式中、Ｘは水素原子またはアルキル基であり、このアルキル基としては、前記と同様の基が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。また、上式中、ａは正数であり、ｂは０または正数であり、ｃは０または正数であり、ｄは０または正数であり、ｅは０または正数であり、かつｂ／ａは０〜１０の数であり、ｃ／ａは０〜５.０の数であり、ｄ／(ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ)は０〜０.３の数であり、ｅ／(ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ)は０〜０.４の数である。このような（Ｂ）成分の分子量は限定されないが、標準ポリスチレン換算による重量平均分子量（Ｍｗ）が５００〜１０,０００の範囲内であることが好ましく、特に、７００〜３,０００の範囲内であることが好ましい。
（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分に対する（Ｂ）成分の重量の比｛（Ｂ）成分の重量／（Ａ）成分の重量｝が１／９９〜９９／１となる範囲内の量であり、好ましくは、１０／９０〜７０／３０となる範囲内の量である。これは、（Ｂ）成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物の強度が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる組成物の取扱作業性が低下したり、得られる硬化物が極めて硬いものとなる傾向があるからである。
（Ｃ）成分は本組成物の硬化剤であり、一分子中に少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有し、分子鎖両末端がケイ素原子結合水素原子で封鎖された直鎖状のオルガノポリシロキサンである。（Ｃ）成分中のアリール基としては、前記と同様の基が例示され、特に、フェニル基であることが好ましい。また、（Ｃ）成分中のアリール基以外のケイ素原子結合有機基としては、前記アルキル基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基等のアルケニル基を除く置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。硬化して得られる硬化物において、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さいことから、（Ｃ）成分のケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合アリール基の含有率は１５モル％以上であることが好ましく、特に、３０モル％以上であることが好ましい。このような（Ｃ）成分の２５℃における粘度は限定されないが、１〜１,０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましく、特に、２〜５００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましい。これは、(Ｃ)成分の粘度が上記範囲の下限未満であると、揮発しやすく、得られる組成物の組成が安定しない恐れがあるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる組成物の取扱作業性が低下する傾向があるからである。
このような（Ｃ）成分としては、一般式：
で表されるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。上式中、Ｒ3は水素原子、またはアルケニル基を除く置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、Ｒ3の一価炭化水素基として具体的には、前記アルキル基、前記アリール基、前記ハロゲン化アルキル基が例示される。但し、一分子中、Ｒ3の少なくとも１個は前記アリール基であることが必要であり、好ましくは、フェニル基であることが必要である。また、上式中のｎは１以上の整数であり、好ましくは、１〜２０の範囲内の整数であり、特に好ましくは、１〜１０の範囲内の整数である。これは、ｎの値が上記範囲の上限を超えると、得られる組成物の充填性、あるいは硬化物の密着性が悪化する傾向があるためである。
（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００重量部に対して１〜２００重量部の範囲内となる量であり、好ましくは、１〜１００重量部の範囲内となる量であり、特に好ましくは、１〜５０重量部の範囲内となる量である。これは、（Ｃ）成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られる組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる硬化物の耐熱性が低下する傾向があるからである。また、上記の理由から、（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分に含まれている合計アルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜１０モルの範囲内となる量であることが好ましく、さらには、０.１〜５モルの範囲内となる量であることが好ましく、特には、０.５〜２モルの範囲内となる量であることが好ましい。
（Ｄ）成分のヒドロシリル化反応用触媒は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分中のアルケニル基と、（Ｃ）成分中のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を促進するための触媒である。このような（Ｄ）成分としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示され、本組成物の硬化を著しく促進できることから白金系触媒であることが好ましい。この白金系触媒としては、白金微粉末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体が例示され、特に、白金−アルケニルシロキサン錯体であることが好ましい。このアルケニルシロキサンとしては、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのメチル基の一部をエチル基、フェニル基等の基で置換したアルケニルシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのビニル基をアリル基、ヘキセニル基等の基で置換したアルケニルシロキサンが例示される。特に、この白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性が良好であることから、１,３−ジビニル−１,１,３,３−トテラメチルジシロキサンであることが好ましい。また、この白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性を向上させることができることから、この錯体に１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジアリル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジビニル−１,３−ジメチル−１,３−ジフェニルジシロキサン、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラフェニルジシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等のアルケニルシロキサンやジメチルシロキサンオリゴマー等のオルガノシロキサンオリゴマーを添加することが好ましく、特に、アルケニルシロキサンを添加することが好ましい。
（Ｄ）成分の含有量は本組成物の硬化を促進する量であれば限定されず、具体的には、本組成物に対して、本成分中の金属原子が重量単位で０.０１〜５００ppmの範囲内となる量であることが好ましく、さらには、０.０１〜１００ppmの範囲内となる量であることが好ましく、特には、０.０１〜５０ppmの範囲内となる量であることが好ましい。これは、（Ｄ）成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、本組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる硬化物に着色等の問題を生じるおそれがあるからである。
本組成物には、（Ｃ）成分の硬化剤の他にさらに任意の硬化剤として、（Ｅ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンを添加してもよい。但し、この（Ｅ）成分は上記（Ｃ）成分に該当するオルガノポリシロキサンを除くものである。（Ｅ）成分中のケイ素原子結合有機基としては、前記アルキル基、前記アリール基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基等のアルケニル基を除く置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、前記アルキル基、前記アリール基であることが好ましい。このような(Ｅ)成分の性状は限定されず、２５℃において液状あるいは固体状であり、特に、液状であることが好ましい。
（Ｅ）成分の分子構造としては、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、網状が例示され、本組成物を硬化して得られる硬化物に強度を付与することから、分岐鎖状であることが好ましい。このような分岐鎖状のオルガノポリシロキサンとしては、平均単位式：
(Ｒ4ＳiＯ3/2)f(Ｒ4 2ＳiＯ2/2)g(Ｒ4 3ＳiＯ1/2)h(ＳiＯ4/2)i(ＸＯ1/2)j
で表されるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。上式中、Ｒ4は水素原子、またはアルケニル基を除く置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、Ｒ4の一価炭化水素基としては、前記アルキル基、前記アリール基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基が例示される。但し、一分子中、Ｒ4の０.１〜４０モル％は水素原子であることが好ましい。これは、ケイ素原子結合水素原子の含有率が上記範囲の下限未満であると、本組成物を十分に硬化することが困難となるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる硬化物の耐熱性が低下する傾向があるからである。また、硬化して得られる硬化物において、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さいことから、Ｒ4の１０モル％以上は前記アリール基であることが好ましく、特に、一般式：
Ｒ4ＳiＯ3/2
で表されるシロキサン単位において、Ｒ4の３０モル％以上が前記アリール基であることが好ましく、分子中のアリール基以外のＲ4はメチル基であることが好ましい。また、上式中、Ｘは水素原子またはアルキル基であり、このアルキル基としては、前記と同様の基が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。また、上式中、ｆは正数であり、ｇは０または正数であり、ｈは０または正数であり、ｉは０または正数であり、ｊは０または正数であり、かつｇ／ｆは０〜１０の数であり、ｈ／ｆは０〜５.０の数であり、ｉ／(ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ)は０〜０.３の数であり、ｊ／(ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ)は０〜０.４の数である。このような(Ｃ)成分の分子量は限定されないが、標準ポリスチレン換算による重量平均分子量（Ｍｗ）が３００〜１０,０００の範囲内であることが好ましく、特に、５００〜３,０００の範囲内であることが好ましい。
(Ｒ4ＳiＯ3/2)f(Ｒ4 2ＳiＯ2/2)g(Ｒ4 3ＳiＯ1/2)h(ＳiＯ4/2)i(ＸＯ1/2)j
で表されるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。上式中、Ｒ4は水素原子、またはアルケニル基を除く置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、Ｒ4の一価炭化水素基としては、前記アルキル基、前記アリール基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基が例示される。但し、一分子中、Ｒ4の０.１〜４０モル％は水素原子であることが好ましい。これは、ケイ素原子結合水素原子の含有率が上記範囲の下限未満であると、本組成物を十分に硬化することが困難となるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる硬化物の耐熱性が低下する傾向があるからである。また、硬化して得られる硬化物において、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さいことから、Ｒ4の１０モル％以上は前記アリール基であることが好ましく、特に、一般式：
Ｒ4ＳiＯ3/2
で表されるシロキサン単位において、Ｒ4の３０モル％以上が前記アリール基であることが好ましく、分子中のアリール基以外のＲ4はメチル基であることが好ましい。また、上式中、Ｘは水素原子またはアルキル基であり、このアルキル基としては、前記と同様の基が例示され、特に、メチル基であることが好ましい。また、上式中、ｆは正数であり、ｇは０または正数であり、ｈは０または正数であり、ｉは０または正数であり、ｊは０または正数であり、かつｇ／ｆは０〜１０の数であり、ｈ／ｆは０〜５.０の数であり、ｉ／(ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ)は０〜０.３の数であり、ｊ／(ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ)は０〜０.４の数である。このような(Ｃ)成分の分子量は限定されないが、標準ポリスチレン換算による重量平均分子量（Ｍｗ）が３００〜１０,０００の範囲内であることが好ましく、特に、５００〜３,０００の範囲内であることが好ましい。
本組成物において、（Ｅ）成分を含有する場合には、（Ｅ）成分の含有量は、（Ｃ）成分と（Ｅ）成分の合計に対して０.１〜５０重量％の範囲内となる量であることが好ましい。これは、（Ｅ）成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、硬化して得られる硬化物の強度が低下する傾向があり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる組成物の硬化性が低下したり、また、硬化して得られる硬化物の基材に対する密着性が低下する傾向があるからである。
本組成物には、その他任意の成分として、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３,５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３,５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等の反応抑制剤を含有してもよい。この反応抑制剤の含有量は限定されないが、(Ａ)成分と(Ｂ)成分の合計１００重量部に対して０.０００１〜５重量部の範囲内であることが好ましい。
また、本組成物には、その接着性を向上させるための接着付与剤を含有していてもよい。この接着付与剤としては、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を一分子中に少なくとも１個有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基が例示され、特に、メトキシ基であることが好ましい。また、この有機ケイ素化合物のケイ素原子に結合するアルコキシ基以外の基としては、前記アルキル基、前記アルケニル基、前記アリール基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチル基、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキシ基含有一価有機基；３−メタクリロキシプロピル基等のアクリル基含有一価有機基；水素原子が例示される。この有機ケイ素化合物は(Ａ)成分と(Ｂ)成分または(Ｃ)成分と反応し得る基を有することが好ましく、具体的には、ケイ素原子結合アルケニル基またはケイ素原子結合水素原子を有することが好ましい。また、各種の基材に対して良好な接着性を付与できることから、この有機ケイ素化合物は一分子中に少なくとも１個のエポキシ基含有一価有機基を有するものであることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、オルガノシラン化合物、オルガノシロキサンオリゴマー、アルキルシリケートが例示される。このオルガノシロキサンオリゴマーあるいはアルキルシリケートの分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン化合物；一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物、ケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシラン化合物またはシロキサン化合物と一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物との混合物、式：
（式中、ｊ、ｋ、およびｐは正数である。）
で表されるシロキサン化合物、式：
（式中、ｊ、ｋ、ｐ、およびｑは正数である。）
で表されるシロキサン化合物、メチルポリシリケート、エチルポリシリケート、エポキシ基含有エチルポリシリケートが例示される。この接着付与剤は低粘度液状であることが好ましく、その粘度は限定されないが、２５℃において１〜５００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましい。また、上記組成物において、この接着付与剤の含有量は限定されないが、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００重量部に対して０.０１〜１０重量部の範囲内であることが好ましい。
で表されるシロキサン化合物、式：
で表されるシロキサン化合物、メチルポリシリケート、エチルポリシリケート、エポキシ基含有エチルポリシリケートが例示される。この接着付与剤は低粘度液状であることが好ましく、その粘度は限定されないが、２５℃において１〜５００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましい。また、上記組成物において、この接着付与剤の含有量は限定されないが、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００重量部に対して０.０１〜１０重量部の範囲内であることが好ましい。
また、本組成物には、本発明の目的を損なわない限り、その他任意の成分として、シリカ、ガラス、アルミナ、酸化亜鉛等の無機質充填剤；ポリメタクリレート樹脂等の有機樹脂微粉末；耐熱剤、染料、顔料、難燃性付与剤、溶剤等を含有してもよい。
本組成物は、硬化して得られる硬化物の可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１.５以上であることが好ましい。本組成物を硬化して得られる硬化物の光透過率（２５℃）が８０％以上であることが好ましい。これは、硬化物の屈折率が１.５未満であったり、光透過率が８０％未満であるような組成物の硬化物により被覆された半導体素子を有する半導体装置に十分な信頼性を付与することができなくなるおそれがあるからである。このような屈折率が大きく、光透過性率が高い硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物を得るためには、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の各成分の屈折率がほぼ同じであることが好ましく、具体的には、（Ａ）成分として、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合アリール基の含有率が４０モル％以上、好ましくは４５モル％以上であり、このアリール基とアルケニル基を除くケイ素原子結合有機基がアルキル基、特には、メチル基であるオルガノポリシロキサンを用いて、また、（Ｂ）成分として、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合アリール基の含有率が１０モル％以上であり、このアリール基とアルケニル基を除くケイ素原子結合有機基がアルキル基、特には、メチル基であるオルガノポリシロキサンを用いて、さらに、（Ｃ）成分や（Ｅ）成分として、ケイ素原子結合全基中のケイ素原子結合アリール基の含有率が１０モル％以上であり、このアリール基を除くケイ素原子結合有機基がアルキル基、特には、メチル基であるオルガノポリシロキサンを用いることが好ましい。なお、この屈折率は、例えば、アッベ式屈折率計により測定することができる。この際、アッベ式屈折率計における光源の波長を変えることにより任意の波長における屈折率を測定することができる。また、この光透過率は、例えば、光路長１.０ｍｍの硬化物を分光光度計により測定することにより求めることができる。
また、本組成物を硬化して得られる硬化物の２００ｎｍ〜２５０ｎｍの波長における紫外線透過率（２５℃）が１０％以下であることが好ましい。これは、本組成物の硬化物により半導体素子を被覆してなる半導体装置が、２００ｎｍ〜２５０ｎｍの短波長の紫外線を受けた場合に、その半導体装置を構成する材料の劣化を防止することができなくなるおそれがあるからである。この紫外線透過率は、例えば、光路長１.０ｍｍの硬化物を分光光度計により測定することにより求めることができる。
本組成物は室温もしくは加熱により硬化が進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが好ましい。この加熱温度としては、５０〜２００℃の範囲内であることが好ましい。このようにして本組成物を硬化して得られる硬化物はエラストマー状、特には、ゲル状、あるいは柔軟なゴム状である。このような本組成物は、電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として使用することができ、特に、光透過率が高いことから、光学用途の半導体素子の接着剤、ポッティング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として好適である。
次に、本発明の半導体装置について詳細に説明する。
本装置は、上記の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により半導体素子が被覆されていることを特徴とする。この半導体素子としては、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、固体撮像素子、モノリシックＩＣ、さらにはハイブリッドＩＣ中の半導体素子が例示される。また、このような半導体装置としては、ダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、トランジスタ、サイリスタ、フォトカプラー、ＣＣＤ、モノリシックＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示される。特に、光透過率が高いことから、好ましくは、フォトカプラーやＬＥＤなどの発光素子である。
本装置は、上記の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により半導体素子が被覆されていることを特徴とする。この半導体素子としては、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、固体撮像素子、モノリシックＩＣ、さらにはハイブリッドＩＣ中の半導体素子が例示される。また、このような半導体装置としては、ダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、トランジスタ、サイリスタ、フォトカプラー、ＣＣＤ、モノリシックＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示される。特に、光透過率が高いことから、好ましくは、フォトカプラーやＬＥＤなどの発光素子である。
本装置の一例であるフォトカプラーの断面図を図１に示した。図１で示されるフォトカプラーは、化合物半導体からなる半導体素子１がリードフレーム２上にダイボンドされ、さらにボンディングワイヤ３により別のリードフレーム２（図示せず）にワイヤボンドされている。また、この半導体素子１と対向するように受光用の半導体素子４がリードフレーム５上にダイボンディングされ、さらにボンディングワイヤ６により別のリードフレーム５（図示せず）にワイヤボンディングされている。これらの半導体素子の間は、本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物７により充填されている。さらに、この硬化物７により被覆された半導体素子は封止樹脂８により樹脂封止されている。
図１で示されるフォトカプラーを製造するには、半導体素子１をリードフレーム２にダイボンドし、次いで、この半導体素子１と別のリードフレーム２（図示せず）を金製のボンディングワイヤ３によりワイヤボンドする。同様に、この半導体素子１と対向する位置に受光用の半導体素子４をリードフレーム５上にダイボンドし、次いで、この半導体素子４と別のリードフレーム５（図示せず）を金製のボンディングワイヤ６によりワイヤボンドする。続いて、これらの半導体素子の間に本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を充填した後、５０〜２００℃に加熱することにより硬化させる。その後、前記硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物７により被覆された半導体素子を白色のエポキシ樹脂８により樹脂封止する。
また、本装置の一例である単体のＬＥＤの断面図を図２に示した。図２で示されるＬＥＤは、半導体素子９がリードフレーム１０上にダイボンドされ、この半導体素子９とリードフレーム１１とがボンディングワイヤ１２によりワイヤボンディングされている。この半導体素子９は蛍光体（ＹＡＧ、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系）を１０重量％配合した本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物１３により被覆されている。さらに、この硬化物１３により被覆された半導体素子９は１３と同一の硬化性オルガノポリシロキサン組成物（蛍光体を含有しない）１４により樹脂封止されている。
図２で示されるＬＥＤを製造するには、半導体素子９をリードフレーム１０にダイボンドし、この半導体素子９とリードフレーム１１とを金製のボンディングワイヤ１２によりワイヤボンドする。次いで、半導体素子９に本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を塗布した後、５０〜２００℃に加熱することにより硬化させる。その後、前記硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物１３により被覆された半導体素子９を１３と同一の硬化性オルガノポリシロキサン組成物１４により樹脂封止する。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置を実施例により詳細に説明する。なお、実施例中の粘度は２５℃において測定した値である。また、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、およびその硬化物の特性は次のようにして測定した。
［硬化性オルガノポリシロキサン組成物の充填性］
１ｍｍ角で深さ２ｍｍの凸部を１ｍｍ間隔で１００個並べたポリエチレン製板を使用し、この凹み部に硬化性オルガノポリシロキサン組成物をディスペンサーにより充填した。充填された硬化性オルガノポリシロキサン組成物が、隣の凸部まで糸を引かずにきれいに充填されている場合を○、未充填部が１〜５ヶ所ある場合を×、未充填部が６ヶ所以上ある場合を×とした。
［硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化性］
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１５０℃の熱風循環式オーブンで１２時間加熱することにより硬化させて得られた硬化物のＪＩＳ Ｋ ２２２０に規定の針入度を、前記組成物を１２０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬化させて得られた硬化物の針入度で割った値を硬化性の指標とした。なお、この値が１に近づくほど、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化性は良好であることを示している。
１ｍｍ角で深さ２ｍｍの凸部を１ｍｍ間隔で１００個並べたポリエチレン製板を使用し、この凹み部に硬化性オルガノポリシロキサン組成物をディスペンサーにより充填した。充填された硬化性オルガノポリシロキサン組成物が、隣の凸部まで糸を引かずにきれいに充填されている場合を○、未充填部が１〜５ヶ所ある場合を×、未充填部が６ヶ所以上ある場合を×とした。
［硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化性］
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１５０℃の熱風循環式オーブンで１２時間加熱することにより硬化させて得られた硬化物のＪＩＳ Ｋ ２２２０に規定の針入度を、前記組成物を１２０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬化させて得られた硬化物の針入度で割った値を硬化性の指標とした。なお、この値が１に近づくほど、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化性は良好であることを示している。
［硬化物の針入度］
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１２０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬化物を作製した。この硬化物の針入度をＪＩＳ Ｋ ２２２０に準じて測定した。
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１２０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬化物を作製した。この硬化物の針入度をＪＩＳ Ｋ ２２２０に準じて測定した。
［硬化物の屈折率］
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１２０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬化して作製した硬化物の２５℃における屈折率をアッベ式屈折率計を用いて測定した。なお、測定に用いた光源として、可視光（５８９ｎｍ）を用いた。
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１２０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬化して作製した硬化物の２５℃における屈折率をアッベ式屈折率計を用いて測定した。なお、測定に用いた光源として、可視光（５８９ｎｍ）を用いた。
［硬化物の光透過率］
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１２０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬化して作製した硬化物（光路長１.０ｍｍ）の２５℃における光透過率を可視光（波長４２０ｎｍ）における光透過率を測定した。
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１２０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬化して作製した硬化物（光路長１.０ｍｍ）の２５℃における光透過率を可視光（波長４２０ｎｍ）における光透過率を測定した。
［硬化物の密着性］
下記の評価試験（２）の評価後の半導体装置を拡大顕微鏡で観察し、透明エポキシ樹脂と硬化性シリコーン硬化物の密着性を、隙間がある場合を×、界面が明瞭な場合を△、界面が明瞭でない場合を○とした。
下記の評価試験（２）の評価後の半導体装置を拡大顕微鏡で観察し、透明エポキシ樹脂と硬化性シリコーン硬化物の密着性を、隙間がある場合を×、界面が明瞭な場合を△、界面が明瞭でない場合を○とした。
また、半導体装置の信頼性を次のようにして評価した。
［半導体装置の信頼性の評価方法（その１）］
図１で示したフォトカプラーを次のようにして作製した。すなわち、Ｇa−Ａl−Ａs化合物系の半導体素子１をリードフレーム２に導電性ペーストによりダイボンドし、次いで、この半導体素子１と別のリードフレーム２（図示せず）を金製のボンディングワイヤ３によりワイヤボンドした。この半導体素子１と対向する位置に受光用の半導体素子４をリードフレーム５上に導電性ペーストを用いてダイボンドし、次いで、この半導体素子４と別のリードフレーム５（図示せず）を金製のボンディングワイヤ６によりワイヤボンドした。これらの半導体素子の間を硬化性オルガノポリシロキサン組成物により充填した後、１５０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱して硬化した。次に、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物７により被覆されたこれらの半導体素子を白色のエポキシ樹脂８で樹脂封止した。このようにして１０個のフォトカプラーを作製した。これらのフォトカプラーの発光出力について、１５０℃の熱風循環式オーブン中で１００時間加熱処理する前後で測定し、加熱処理前の発光出力を１００とした時の加熱処理後の発光出力の相対値の平均値で示した。
［半導体装置の信頼性の評価方法（その１）］
図１で示したフォトカプラーを次のようにして作製した。すなわち、Ｇa−Ａl−Ａs化合物系の半導体素子１をリードフレーム２に導電性ペーストによりダイボンドし、次いで、この半導体素子１と別のリードフレーム２（図示せず）を金製のボンディングワイヤ３によりワイヤボンドした。この半導体素子１と対向する位置に受光用の半導体素子４をリードフレーム５上に導電性ペーストを用いてダイボンドし、次いで、この半導体素子４と別のリードフレーム５（図示せず）を金製のボンディングワイヤ６によりワイヤボンドした。これらの半導体素子の間を硬化性オルガノポリシロキサン組成物により充填した後、１５０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱して硬化した。次に、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物７により被覆されたこれらの半導体素子を白色のエポキシ樹脂８で樹脂封止した。このようにして１０個のフォトカプラーを作製した。これらのフォトカプラーの発光出力について、１５０℃の熱風循環式オーブン中で１００時間加熱処理する前後で測定し、加熱処理前の発光出力を１００とした時の加熱処理後の発光出力の相対値の平均値で示した。
［半導体装置の信頼性の評価方法（その２）］
図２で示したＬＥＤを次のようにして作製した。すなわち、ＧaＮ系化合物半導体素子９をリードフレーム１０に導電性ペーストによりダイボンドした後、次いで、この半導体素子９をリードフレーム１１と金製のボンディングワイヤ１２によりワイヤボンドした。次いで、半導体素子９を硬化性オルガノポリシロキサン組成物をコーティングした後、１５０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬化した。この硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物１３により被覆した半導体素子９を透明なエポキシ樹脂１４により樹脂封止した。このようにして１０個のＬＥＤを作成した。
図２で示したＬＥＤを次のようにして作製した。すなわち、ＧaＮ系化合物半導体素子９をリードフレーム１０に導電性ペーストによりダイボンドした後、次いで、この半導体素子９をリードフレーム１１と金製のボンディングワイヤ１２によりワイヤボンドした。次いで、半導体素子９を硬化性オルガノポリシロキサン組成物をコーティングした後、１５０℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬化した。この硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物１３により被覆した半導体素子９を透明なエポキシ樹脂１４により樹脂封止した。このようにして１０個のＬＥＤを作成した。
これらのＬＥＤの発光出力について、１５０℃の熱風循環式オーブン中で１００時間加熱処理する前後で測定し、加熱処理前の発光出力を１００とした時の加熱処理後の発光出力の相対値の平均値で示した。
［実施例１］
粘度３,５００ｍＰa・ｓであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％）５５重量部、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.75[(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳiＯ1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率＝１７モル％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,６００｝４５重量部、式：
Ｈ(ＣＨ3)2ＳiＯ[ＣＨ3(Ｃ6Ｈ5)ＳiＯ]4Ｓi(ＣＨ3)2Ｈ
で表される分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン２４重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ppmとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度１,７００ｍＰa・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
粘度３,５００ｍＰa・ｓであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％）５５重量部、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.75[(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳiＯ1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率＝１７モル％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,６００｝４５重量部、式：
Ｈ(ＣＨ3)2ＳiＯ[ＣＨ3(Ｃ6Ｈ5)ＳiＯ]4Ｓi(ＣＨ3)2Ｈ
で表される分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン２４重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ppmとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度１,７００ｍＰa・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥＤを作製した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果を表１に示した。
［実施例２］
粘度３,５００ｍＰa・ｓであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％）５５重量部、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.75[(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳiＯ1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率＝１７モル％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,６００｝４５重量部、式：
Ｈ(ＣＨ3)2ＳiＯ[ＣＨ3(Ｃ6Ｈ5)ＳiＯ]4Ｓi(ＣＨ3)2Ｈ
で表される分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン２２重量部、粘度９５０ｍＰa・ｓであり、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.60[(ＣＨ3)2ＨＳiＯ1/2]0.40
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン（ケイ素原子結合全基中のケイ素原子結合水素原子の含有率＝２２モル％、ケイ素原子結合全基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝３３モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,１００）１重量部、接着付与剤として、平均単位式：
で表されるシロキサン化合物０.１重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ppmとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度１,８６０ｍＰa・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
粘度３,５００ｍＰa・ｓであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％）５５重量部、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.75[(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳiＯ1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率＝１７モル％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,６００｝４５重量部、式：
Ｈ(ＣＨ3)2ＳiＯ[ＣＨ3(Ｃ6Ｈ5)ＳiＯ]4Ｓi(ＣＨ3)2Ｈ
で表される分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン２２重量部、粘度９５０ｍＰa・ｓであり、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.60[(ＣＨ3)2ＨＳiＯ1/2]0.40
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン（ケイ素原子結合全基中のケイ素原子結合水素原子の含有率＝２２モル％、ケイ素原子結合全基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝３３モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,１００）１重量部、接着付与剤として、平均単位式：
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥＤを作製した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果を表１に示した。
［比較例１］
粘度３,５００ｍＰa・ｓであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％）５５重量部、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.75[(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳiＯ1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率＝１７モル％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,６００｝４５重量部、式：
Ｈ(ＣＨ3)2ＳiＯ[(ＣＨ3)2ＳiＯ]4Ｓi(ＣＨ3)2Ｈ
で表されるジメチルポリシロキサン２４重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ppmとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度２,４６０ｍＰa・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
粘度３,５００ｍＰa・ｓであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％）５５重量部、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.75[(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳiＯ1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率＝１７モル％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,６００｝４５重量部、式：
Ｈ(ＣＨ3)2ＳiＯ[(ＣＨ3)2ＳiＯ]4Ｓi(ＣＨ3)2Ｈ
で表されるジメチルポリシロキサン２４重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ppmとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度２,４６０ｍＰa・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥＤを作製した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果を表１に示した。
［比較例２］
粘度３,５００ｍＰa・ｓであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％）５５重量部、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.75[(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳiＯ1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率＝１７モル％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,６００｝４５重量部、粘度９５０ｍＰa・ｓであり、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.60[(ＣＨ3)2ＨＳiＯ1/2]0.40
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン（ケイ素原子結合全基中のケイ素原子結合水素原子の含有率＝２２モル％、ケイ素原子結合全基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝３３モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,１００）１２重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ppmとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度３,５００ｍＰa・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
粘度３,５００ｍＰa・ｓであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％）５５重量部、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.75[(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳiＯ1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率＝１７モル％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,６００｝４５重量部、粘度９５０ｍＰa・ｓであり、平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.60[(ＣＨ3)2ＨＳiＯ1/2]0.40
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン（ケイ素原子結合全基中のケイ素原子結合水素原子の含有率＝２２モル％、ケイ素原子結合全基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝３３モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,１００）１２重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ppmとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度３,５００ｍＰa・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥＤを作製した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果を表１に示した。
［比較例３］
粘度３,５００ｍＰa・ｓであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％）１００重量部、式：
Ｈ(ＣＨ3)2ＳiＯ[ＣＨ3(Ｃ6Ｈ5)ＳiＯ]4Ｓi(ＣＨ3)2Ｈ
で表される分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン１８重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ppmとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度３,１００ｍＰa・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
粘度３,５００ｍＰa・ｓであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％）１００重量部、式：
Ｈ(ＣＨ3)2ＳiＯ[ＣＨ3(Ｃ6Ｈ5)ＳiＯ]4Ｓi(ＣＨ3)2Ｈ
で表される分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン１８重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ppmとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度３,１００ｍＰa・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥＤを作製した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果を表１に示した。
［比較例４］
平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.75[(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳiＯ1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率＝１７モル％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,６００｝１００重量部、式：
Ｈ(ＣＨ3)2ＳiＯ[ＣＨ3(Ｃ6Ｈ5)ＳiＯ]4Ｓi(ＣＨ3)2Ｈ
で表される分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン２５重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ppmとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度７,８００ｍＰa・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
平均単位式：
(Ｃ6Ｈ5ＳiＯ3/2)0.75[(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳiＯ1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率＝１７モル％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１,６００｝１００重量部、式：
Ｈ(ＣＨ3)2ＳiＯ[ＣＨ3(Ｃ6Ｈ5)ＳiＯ]4Ｓi(ＣＨ3)2Ｈ
で表される分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン２５重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ppmとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度７,８００ｍＰa・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥＤを作製した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果を表１に示した。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として使用することができ、特に、光透過率が高いことから、光学用途の半導体素子の接着剤、ポッティング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として好適である。また、本発明の半導体装置は、ダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、トランジスタ、サイリスタ、フォトカプラー、ＣＣＤ、モノリシックＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩとして好適である。
１：半導体素子
２：リードフレーム
３：ボンディングワイヤ
４：半導体素子
５：リードフレーム
６：ボンディングワイヤ
７：硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物
８：封止樹脂
９：半導体素子
１０：リードフレーム
１１：リードフレーム
１２：ボンディングワイヤ
１３：硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物
１４：透明封止樹脂
２：リードフレーム
３：ボンディングワイヤ
４：半導体素子
５：リードフレーム
６：ボンディングワイヤ
７：硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物
８：封止樹脂
９：半導体素子
１０：リードフレーム
１１：リードフレーム
１２：ボンディングワイヤ
１３：硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物
１４：透明封止樹脂
Claims (10)
- （Ａ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中に少なくとも１個のケイ素原子結合アルケニル基と少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有し、一般式：
ＲＳiＯ3/2
（式中、Ｒは置換または非置換の一価炭化水素基である。）
で表されるシロキサン単位を有する分岐鎖状のオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分に対して、重量比で１／９９〜９９／１となる量｝、
（Ｃ）一分子中に少なくとも１個のケイ素原子結合アリール基を有し、分子鎖両末端がケイ素原子結合水素原子で封鎖された直鎖状のオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００重量部に対して１〜２００重量部となる量｝、
および
（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物の硬化を促進する量）
から少なくともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - （Ａ）成分中のケイ素原子結合全有機基に対するケイ素原子結合アリール基の含有率が４０モル％以上であることを特徴とする、請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
- （Ａ）成分が、一般式：
で表されるオルガノポリシロキサンであることを特徴とする、請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - （Ｂ）成分が、平均単位式：
(Ｒ2ＳiＯ3/2)a(Ｒ2 2ＳiＯ2/2)b(Ｒ2 3ＳiＯ1/2)c(ＳiＯ4/2)d(ＸＯ1/2)e
｛式中、Ｒ2は置換もしくは非置換の一価炭化水素基（但し、Ｒ2の０.１〜４０モル％はアルケニル基であり、Ｒ2の１０モル％以上はアリール基である。）であり、Ｘは水素原子またはアルキル基であり、ａは正数であり、ｂは０または正数であり、ｃは０または正数であり、ｄは０または正数であり、ｅは０または正数であり、かつｂ／ａは０〜１０の数であり、ｃ／ａは０〜５.０の数であり、ｄ／(ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ)は０〜０.３の数であり、ｅ／(ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ)は０〜０.４の数である。｝
で表されるオルガノポリシロキサンであることを特徴とする、請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - （Ｃ）成分が、一般式：
で表されるオルガノポリシロキサンであることを特徴とする、請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 硬化して、可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１.５以上の硬化物を形成することを特徴とする、請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
- 硬化して、光透過率（２５℃）が８０％以上である硬化物を形成することを特徴とする、請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
- 硬化して、ＪＩＳ Ｋ ２２２０に規定の針入度が５以上である硬化物を形成することを特徴とする、請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
- 半導体素子が、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により被覆されていることを特徴とする半導体装置。
- 半導体素子が発光素子であることを特徴とする、請求項９記載の半導体装置。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003343622A JP4908736B2 (ja) | 2003-10-01 | 2003-10-01 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
| KR1020147036448A KR20150006490A (ko) | 2003-10-01 | 2004-09-14 | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 장치 |
| DE602004026456T DE602004026456D1 (de) | 2003-10-01 | 2004-09-14 | Härtbare organopolysiloxanzusammensetzung und halbleitervorrichtung |
| US10/573,505 US7527871B2 (en) | 2003-10-01 | 2004-09-14 | Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device |
| PCT/JP2004/013724 WO2005033207A1 (en) | 2003-10-01 | 2004-09-14 | Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device |
| CNB2004800287078A CN100378172C (zh) | 2003-10-01 | 2004-09-14 | 可固化的有机聚硅氧烷组合物和半导体器件 |
| AT04773343T ATE463537T1 (de) | 2003-10-01 | 2004-09-14 | Härtbare organopolysiloxanzusammensetzung und halbleitervorrichtung |
| KR1020067006400A KR101499709B1 (ko) | 2003-10-01 | 2004-09-14 | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 장치 |
| EP20040773343 EP1670863B1 (en) | 2003-10-01 | 2004-09-14 | Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device |
| KR1020147009113A KR101699383B1 (ko) | 2003-10-01 | 2004-09-14 | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 장치 |
| TW93128364A TWI341857B (en) | 2003-10-01 | 2004-09-20 | Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003343622A JP4908736B2 (ja) | 2003-10-01 | 2003-10-01 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005105217A true JP2005105217A (ja) | 2005-04-21 |
| JP2005105217A5 JP2005105217A5 (ja) | 2006-10-19 |
| JP4908736B2 JP4908736B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=34419307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003343622A Expired - Lifetime JP4908736B2 (ja) | 2003-10-01 | 2003-10-01 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7527871B2 (ja) |
| EP (1) | EP1670863B1 (ja) |
| JP (1) | JP4908736B2 (ja) |
| KR (3) | KR20150006490A (ja) |
| CN (1) | CN100378172C (ja) |
| AT (1) | ATE463537T1 (ja) |
| DE (1) | DE602004026456D1 (ja) |
| TW (1) | TWI341857B (ja) |
| WO (1) | WO2005033207A1 (ja) |
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| CN1863875A (zh) | 2006-11-15 |
| KR20150006490A (ko) | 2015-01-16 |
| US20070112147A1 (en) | 2007-05-17 |
| CN100378172C (zh) | 2008-04-02 |
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