CN102834465A - 光半导体装置用密封剂及使用其的光半导体装置 - Google Patents

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CN102834465A CN2011800156847A CN201180015684A CN102834465A CN 102834465 A CN102834465 A CN 102834465A CN 2011800156847 A CN2011800156847 A CN 2011800156847A CN 201180015684 A CN201180015684 A CN 201180015684A CN 102834465 A CN102834465 A CN 102834465A
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Abstract

本发明的目的在于提供一种光半导体装置用密封剂，该密封剂于高温高湿下的苛刻环境中、在通电状态下使用时光度也不易降低，并且不易产生密封剂的变色。本发明涉及的光半导体装置用密封剂包含：不具有与硅原子键合的氢原子，并且具有与硅原子键合的烯基及与硅原子键合的芳基的第1有机聚硅氧烷；具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的芳基的第2有机聚硅氧烷；以及铂的烯基络合物。上述铂的烯基络合物是氯铂酸六水合物和6当量以上的双官能以上的烯基化合物的反应物。在密封剂中，有机聚硅氧烷中全部的与硅原子键合的烯基的数量与所述有机聚硅氧烷中全部的与硅原子键合的氢原子的数量之比为1.0以上且2.5以下。

Description

光半导体装置用密封剂及使用其的光半导体装置
技术领域
本发明涉及在光半导体装置中用来密封光半导体元件的光半导体装置用密封剂、以及使用了该光半导体装置用密封剂的光半导体装置。
背景技术
发光二极管(LED)装置等光半导体装置的消耗电力低，并且寿命长。此外，光半导体装置在苛刻环境中也可以使用。因此，光半导体装置已被广泛用于移动电话用背光灯、液晶电视用背光灯、汽车用灯、照明器具及看板等。
当作为用于光半导体装置中的发光元件的光半导体元件(例如LED)与大气直接接触时，大气中的水分或悬浮的灰尘等会导致光半导体元件的发光特性急剧下降。因此，通常利用光半导体装置用密封剂对上述光半导体元件进行密封。
在下述专利文献1中，作为光半导体装置用密封剂，公开了含有氢化双酚A缩水甘油醚、脂环式环氧单体、以及潜在催化剂的环氧树脂材料。该环氧树脂材料通过热阳离子聚合而固化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-73452号公报
发明内容
发明要解决的问题
使用了如专利文献1中公开的传统光半导体装置用密封剂的光半导体装置存在下述问题：如果于高温高湿下的苛刻环境中、在通电状态下使用，则会导致光度(亮度)缓慢下降。
另外，传统的光半导体装置用密封剂如果于高温高湿下的苛刻环境中、在通电状态下使用，还存在密封剂本身变色的问题。
本发明的目的在于提供一种光半导体装置用密封剂、以及使用了该光半导体装置用密封剂的光半导体装置，该光半导体装置用密封剂是在光半导体装置中使用的密封剂，于高温高湿下的苛刻环境中、在通电状态下使用时上述光半导体装置的光度也不易降低，于高温高湿下的苛刻环境中、在通电状态下使用时也不易产生密封剂的变色。
解决问题的方法
从大的方面上把握本发明，本发明提供一种光半导体装置用密封剂，其用于光半导体装置，该密封剂包含：第1有机聚硅氧烷，其不具有与硅原子键合的氢原子，并且具有与硅原子键合的烯基及与硅原子键合的芳基；第2有机聚硅氧烷，其具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的芳基；以及铂的烯基络合物，上述铂的烯基络合物是通过使氯铂酸六水合物和6当量以上的烯基化合物反应而得到的，所述烯基化合物为双官能以上，在密封剂中，上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的数量与密封剂中的上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的数量之比(与硅原子键合的烯基的数量/与硅原子键合的氢原子的数量)为1.0以上且2.5以下。
在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的某一特定方面中，上述第1有机聚硅氧烷为下述式(1A)或下述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷，上述第2有机聚硅氧烷为下述式(51A)或下述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷，通过下述式(X1)求出的、上述第1有机聚硅氧烷中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下，并且通过下述式(X51)求出的、上述第2有机聚硅氧烷中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下。
[化学式1]
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c…式(1A)
上述式(1A)中，a、b及c满足a/(a+b+c)=0~0.50、b/(a+b+c)=0.40~1.0、以及c/(a+b+c)=0~0.50，R1~R6中的至少一个表示苯基，R1~R6中的至少一个表示烯基，除苯基及烯基之外的R1~R6表示碳原子数1~8的烃基。
[化学式2]
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c(R7R8R9R10Si2R11O2/2)d…式(1B)
上述式(1B)中，a、b、c及d满足：a/(a+b+c+d)=0~0.40、b/(a+b+c+d)=0.40~0.99、c/(a+b+c+d)=0~0.50、以及d/(a+b+c+d)=0.01~0.40，R1~R6中的至少一个表示苯基，R1~R6中的至少一个表示烯基，除苯基及烯基之外的R1~R6表示碳原子数1~8的烃基，R7~R10分别表示碳原子数1~8的烃基，R11表示碳原子数1~8的2价烃基。
[化学式3]
(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r…式(51A)
上述式(51A)中，p、q及r满足：p/(p+q+r)=0.05~0.50、q/(p+q+r)=0.05~0.50、以及r/(p+q+r)=0.20~0.80，R51~R56中的至少一个表示苯基，R51~R56中的至少一个表示与硅原子直接键合的氢原子，除苯基及与硅原子直接键合的氢原子之外的R51~R56表示碳原子数1~8的烃基。
[化学式4]
(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r(R57R58R59R60Si2R61O2/2)s…式(51B)
上述式(51B)中，p、q、r及s满足：p/(p+q+r+s)=0.05~0.50、q/(p+q+r+s)=0.05~0.50、r/(p+q+r+s)=0.20~0.80、以及s/(p+q+r+s)=0.01~0.40，R51~R56中的至少一个表示苯基，R51~R56中的至少一个表示与硅原子直接键合的氢原子，除苯基及与硅原子直接键合的氢原子之外的R51~R56表示碳原子数1~8的烃基，R57~60分别表示碳原子数1~8的烃基，R61表示碳原子数1~8的2价烃基。
芳基的含有比例(摩尔%)
=(平均组成式以上述式(1A)或上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷的每一个分子中含有的芳基的平均个数×芳基的分子量/平均组成式以上述式(1A)或上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷的数均分子量)×100
                                                       …式(X1)
芳基的含有比例(摩尔%)
=(平均组成式以上述式(51A)或上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的每一个分子中含有的芳基的平均个数×芳基的分子量/平均组成式以上述式(51A)或上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的数均分子量)×100
                                                    …式(X51)
在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的其它特定的方面中，该密封剂含有上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷及上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷中的至少一种。
在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的其它特定的方面中，在密封剂中，来自上述铂的烯基络合物的铂元素的含量为1ppm以上且300ppm以下。
在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的其它特定的方面中，上述第2有机聚硅氧烷包含下述式(51-a)表示的结构单元。
[化学式5]
Figure BDA00002186613600041
…式(51-a)
上述式(51-a)中，R52及R53分别表示氢原子、苯基或碳原子数1~8的烃基。
在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的另外的其它特定的方面中，在上述第2有机硅树脂的全部硅氧烷结构单元100摩尔%中，上述式(51-a)表示的结构单元的比例为5摩尔%以上。
在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的其它特定的方面中，上述第1有机聚硅氧烷包含二苯基硅氧烷结构单元，所述二苯基硅氧烷结构单元中，在1个硅原子上键合有2个苯基。
在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的另外的其它特定的方面中，在上述第1有机聚硅氧烷的全部硅氧烷结构单元100摩尔%中，二苯基硅氧烷结构单元的比例为30摩尔%以上，所述二苯基硅氧烷结构单元中，在1个硅原子上键合有2个苯基。
在本发明涉及的光半导体装置用密封剂的其它特定的方面中，上述第2有机聚硅氧烷包含二苯基硅氧烷结构单元，所述二苯基硅氧烷结构单元中，在1个硅原子上键合有2个苯基。
本发明涉及的光半导体装置具有：光半导体元件以及按照本发明构成的光半导体装置用密封剂，设置该光半导体装置用密封剂用来密封该光半导体元件。
发明的效果
由于本发明涉及的光半导体装置用密封剂包含：不具有与硅原子键合的氢原子、并且具有与硅原子键合的烯基及与硅原子键合的芳基的第1有机聚硅氧烷；具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的芳基的第2有机聚硅氧烷；以及铂的烯基络合物，上述铂的烯基络合物是氯铂酸六水合物和6当量以上的双官能以上烯基化合物的反应物，另外，上述比值(与硅原子键合的烯基的数量/与硅原子键合的氢原子的数量)为1.0以上且2.5以下，因此，使用了密封剂的光半导体装置，即使于高温高湿下的苛刻环境中、在通电状态下使用时光度也不易降低。另外，即使于高温高湿下的苛刻环境中、在通电状态下使用时，也不易产生光半导体装置用密封剂的变色。
附图说明
[图1]图1是示出本发明一实施方式涉及的光半导体装置的正面剖视图。符号说明
1…光半导体装置
2…外罩
2a…内面
3…光半导体元件
4…光半导体装置用密封剂
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
本发明涉及的光半导体装置用密封剂包含第1有机聚硅氧烷、第2有机聚硅氧烷、以及铂的烯基络合物。该铂的烯基络合物是氯铂酸六水合物和6当量以上的双官能以上烯基化合物的反应物。
上述第1有机聚硅氧烷不具有与硅原子键合的氢原子，并且具有与硅原子键合的烯基及与硅原子键合的芳基。上述第2有机聚硅氧烷具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的芳基。在密封剂中，上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的数量与密封剂中的上述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的数量之比(与硅原子键合的烯基的数量数/与硅原子键合的氢原子的数量)为1.0以上且2.5以下。在上述第2有机聚硅氧烷具有烯基的情况下，在上述比例中，与硅原子键合的烯基的数量还包括上述第2有机聚硅氧烷的烯基。
通过采用上述组成，使用了密封剂的光半导体装置即使在经受重复加热和冷却的苛刻环境中使用，从光半导体装置所发出的光的亮度也不易降低。另外，密封剂本身在苛刻环境中使用时也不易变色。
从在苛刻环境中使用时，进一步抑制从光半导体装置所发出的光的亮度的降低，并且更进一步抑制密封剂的变色的观点来看，上述比(与硅原子键合的烯基的数量/与硅原子键合的氢原子的数量)优选为1.1以上且优选为1.8以下。
此外，就传统光半导体装置用密封剂而言，如果在经受重复加热和冷却的苛刻环境中使用，则可能会发生：在密封剂上产生裂纹，或密封剂从外罩材料等上剥离。另外，为了使到达发光元件的背面侧的光反射，有时在发光元件的背面形成镀银的电极。如果在密封剂上产生裂纹、或密封剂从外罩材料上剥离，则镀银的电极将暴露于大气中。此时，在大气中存在的硫化氢气体或二氧化硫气体等腐蚀性气体的作用下，可能会导致银镀层变色。电极变色则反射率降低，因此存在发光元件所发出的光的亮度降低这样的问题。
针对这样的问题，从得到阻气性优异、不易产生裂纹及剥离的密封剂的观点来看，上述第1有机聚硅氧烷优选为式(1A)或式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷。从得到阻气性优异、不易产生裂纹及剥离的密封剂的观点来看，上述第2有机聚硅氧烷优选为式(51A)或式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷。
从得到阻气性更为优异、更加不易产生裂纹及剥离的密封剂的观点来看，本发明涉及的光半导体装置用密封剂优选含有上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷及上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷中的至少一种。
在上述第1有机聚硅氧烷及上述第2有机聚硅氧烷中，由下述式(X)求出的芳基的含有比例分别优选为30摩尔%以上、更优选为35摩尔%以上，且优选为70摩尔%以下、更优选为65摩尔%以下。芳基的含有比例如果在上述下限以上及上述上限以下，则可以进一步提高阻气性，并且不易产生密封剂的剥离。
芳基的含有比例(摩尔%)=(上述第1有机聚硅氧烷或上述第2有机聚硅氧烷的每一个分子中含有的芳基的平均个数×芳基的分子量/上述第1有机聚硅氧烷或上述第2有机聚硅氧烷的数均分子量)×100…式(X)
(第1有机聚硅氧烷)
本发明涉及的光半导体装置用密封剂所含有的第1有机聚硅氧烷不具有与硅原子键合的氢原子，并且具有与硅原子键合的烯基及与硅原子键合的芳基。作为上述第1有机聚硅氧烷，排除了具有与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷。由于上述第1有机聚硅氧烷不具有与硅原子键合的氢原子，因此与上述第2有机聚硅氧烷不同。上述烯基和芳基分别与硅原子直接键合。作为上述芳基，可以列举无取代苯基、取代苯基、无取代亚苯基、及取代亚苯基。需要说明的是，可以是上述烯基的碳-碳双键中的碳原子与硅原子键合，也可以是与上述烯基的碳-碳双键中的碳原子不同的碳原子与硅原子键合。
从得到阻气性更为优异的密封剂的观点来看，上述第1有机聚硅氧烷优选为下述式(1A)或下述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷。但作为上述第1有机聚硅氧烷，可以使用除下述式(1A)或下述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷之外的第1有机聚硅氧烷。下述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷可以具有亚苯基，也可以不具有亚苯基。上述第1有机聚硅氧烷可以仅使用1种也可以组合两种以上使用。
[化学式6]
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c…式(1A)
上述式(1A)中，a、b及c满足：a/(a+b+c)=0~0.50、b/(a+b+c)=0.40~1.0、以及c/(a+b+c)=0~0.50，R1~R6中的至少一个表示苯基，R1~R6中的至少一个表示烯基，除苯基及烯基之外的R1~R6表示碳原子数1~8的烃基。需要说明的是，上述式(1A)中，(R4R5SiO2/2)所示的结构单元以及(R6SiO3/2)所示的结构单元分别可以具有烷氧基，也可以具有羟基。
[化学式7]
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c(R7R8R9R10Si2R11O2/2)d…式(1B)
上述式(1B)中，a、b、c及d满足：a/(a+b+c+d)=0~0.40、b/(a+b+c+d)=0.40~0.99、c/(a+b+c+d)=0~0.50、以及d/(a+b+c+d)=0.01~0.40，R1~R6中的至少一个表示苯基，R1~R6中的至少一个表示烯基，苯基及烯基之外的R1~R6表示碳原子数1~8的烃基，R7~R10分别表示碳原子数1~8的烃基，R11表示碳原子数1~8的2价烃基。需要说明的是，上述式(1B)中，(R4R5SiO2/2)所示的结构单元、(R6SiO3/2)所示的结构单元、(R7R8R9R10Si2R11O2/2)所示的结构单元分别可以具有烷氧基，也可以具有羟基。
上述式(1A)及上述式(1B)表示平均组成式。上述式(1A)及上述式(1B)中的烃基可以是直链状的，也可以是支链状的。上述式(1A)及上述式(1B)中的R1~R6可以是相同的，也可以是不同的。上述式(1B)中的R7~R10可以是相同的，也可以是不同的。
上述式(1A)及上述式(1B)中，(R4R5SiO2/2)所示的结构单元中的氧原子部分、(R6SiO3/2)所示的结构单元中的氧原子部分、(R7R8R9R10Si2R11O2/2)所示的结构单元中的氧原子部分分别表示形成了硅氧烷键的氧原子部分、烷氧基的氧原子部分、或羟基的氧原子部分。
需要说明的是，通常，在上述式(1A)及上述式(1B)的各结构单元中，烷氧基的含量少，另外羟基的含量也少。这是因为，通常，为了获得第1有机聚硅氧烷而使烷氧基硅烷化合物等有机硅化合物进行水解、缩聚时，大部分烷氧基及羟基会转化为硅氧烷键的部分骨架。即，大部分烷氧基的氧原子及羟基的氧原子会转化为形成硅氧烷键的氧原子。在上述式(1A)及上述式(1B)的各结构单元具有烷氧基或羟基的情况下，表示残留有少量的未转化为硅氧烷键的部分骨架的未反应的烷氧基或羟基。下述的式(51A)及(51B)的各结构单元在具有烷氧基或羟基的情况下，也是同样的。
上述式(1A)及上述式(1B)中，作为烯基，可以列举乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基及己烯基等。从进一步提高阻气性的观点来看，上述第1有机聚硅氧烷中的烯基及上述式(1A)及上述式(1B)中的烯基优选为乙烯基或烯丙基，更优选为乙烯基。
对于上述式(1A)及上述式(1B)中的碳原子数1~8的烃基没有特别地限定，可以列举例如：甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基及环己基。对于上述式(1B)中的碳原子数1~8的2价烃基没有特别地限定，可以列举例如：亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、环亚己基及亚苯基等。
上述式(1A)或上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷中通过下述式(X1)求出的芳基的含有比例优选为30摩尔%以上且优选为70摩尔%以下。如果该芳基的含有比例为30摩尔%以上，则可以进一步提高阻气性。芳基的含有比例如果为70摩尔%以下，则不易产生密封剂的剥离。从得到更为优异的阻气性的观点来看，芳基的含有比例更优选为35摩尔%以上。从更不易产生剥离的观点来看，芳基的含有比例更优选为65摩尔%以下。
芳基的含有比例(摩尔%)=(平均组成式为上述式(1A)或上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷的每一个分子中含有的芳基的平均个数×芳基的分子量/平均组成式为上述式(1A)或上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷的数均分子量)×100…式(X1)
在使用上述式(1A)表示的第1有机聚硅氧烷的情况下，上述式(X1)中的芳基表示苯基，芳基的含有比例表示苯基的含有比例。
在使用上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷的情况下，上述式(X1)中的芳基表示苯基和亚苯基，芳基的含有比例表示苯基和亚苯基的总含有比例。
在上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷不具有亚苯基的情况下，上述苯基和亚苯基的总含有比例表示苯基的含有比例。
上述第1有机聚硅氧烷优选包含在1个硅原子上键合有2个苯基的二苯基硅氧烷结构单元。在上述第1有机聚硅氧烷的全部硅氧烷结构单元100摩尔%中，在1个硅原子上键合有2个苯基的二苯基硅氧烷结构单元的比例优选为5摩尔%以上，更优选为10摩尔%以上，进一步优选为25摩尔%以上，尤其优选为30摩尔%以上。二苯基硅氧烷结构单元的比例越高、且二苯基硅氧烷结构单元的比例为30摩尔%以上时，密封剂的分散性变得良好，另外，从多个光半导体装导出的光的亮度提高。上述二苯基硅氧烷结构单元的比例最优选为40摩尔%以上，且优选为60摩尔%以下。上述二苯基硅氧烷结构单元的比例如果在上述上限以下，则密封剂的分散性变得良好，可以进一步提高从半导体装置导出的光的亮度。
上述二苯基硅氧烷结构单元优选为由下述式(1-b1)表示的结构单元。此外，在由下述式(1-b1)表示的结构单元中，末端的氧原子通常与邻接的硅原子形成硅氧烷键，与邻接的结构单元共用氧原子。因此，将末端的1个氧原子视为“O1/2”。
[化学式8]
Figure BDA00002186613600091
…式(1-b1)
上述式(1A)及式(1B)中，(R4R5SiO2/2)所示的结构单元分别优选含有上述式(1-b1)所示的结构单元。(R4R5SiO2/2)所示的结构单元可以仅含有上述式(1-b1)所示的结构单元，也可以含有上述式(1-b1)所示的结构单元和上述式(1-b1)所示的结构单元之外的结构单元。
从进一步提高阻气性的观点来看，上述式(1B)中，(R7R8R9R10Si2R11O2/2)结构单元优选为下述式(1b-1)所示的结构单元。下述式(1b-1)所示的结构单元具有亚苯基，该亚苯基可以为取代或无取代的亚苯基。在本说明书中，“亚苯基”用语还包括在苯环上取代有碳原子数1~8的烃基的取代亚苯基。需要说明的是，在下述式(1b-1)所示的结构单元中，末端的氧原子通常与邻接的硅原子形成硅氧烷键，与邻接的结构单元共用氧原子。因此，将末端的1个氧原子视为“O1/2”。
[化学式9]
Figure BDA00002186613600101
…式(1b-1)
上述式(1b-1)中，Ra表示氢原子或碳原子数1~8的烃基，R7~R10分别表示碳原子数1~8的烃基。上述烃基可以为直链状的，也可以为支链状的。需要说明的是，对于与上述式(1b-1)中的苯环键合的3个基团的键合部位没有特别地限定。
上述式(1B)中，(R7R8R9R10Si2R11O2/2)结构单元优选为下述式(1b-2)所示的结构单元。下述式(1b-2)所示的结构单元具有亚苯基，该亚苯基为取代或无取代的亚苯基。对于与下述式(1b-2)中的苯环键合的Ra的键合部位没有特别地限定。
[化学式10]
Figure BDA00002186613600102
…式(1b-2)
上述式(1b-2)中，Ra表示氢原子或碳原子数1~8的烃基，R7~R10分别表示碳原子数1~8的烃基。
上述式(1B)中，(R7R8R9R10Si2R11O2/2)结构单元优选为下述式(1b-3)所示的结构单元。下述式(1b-3)所示的结构单元具有亚苯基，该亚苯基为无取代的亚苯基。
[化学式11]
Figure BDA00002186613600111
…式(1b-3)
上述式(1b-3)中，R7~R10分别表示碳原子数1~8的烃基。
在由上述式(1A)及式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷中，(R4R5SiO2/2)所示的结构单元(以下，也称为双官能结构单元)可以包含下述式(1-2)所示的结构，即与双官能结构单元中的硅原子键合的氧原子的一个构成羟基或烷氧基的结构。
(R4R5SiXO1/2)…式(1-2)
(R4R5SiO2/2)所示的结构单元包含下述式(1-b)所示的结构单元的由虚线所包围的部分，此外，还可以包含下述式(1-2-b)所示的结构单元的由虚线所包围的部分。即，具有R4及R5所示的基团、且在末端残留有烷氧基或羟基的结构单元也包括在(R4R5SiO2/2)所示的结构单元中。具体来说，在烷氧基转化为硅氧烷键的部分骨架的情况下，(R4R5SiO2/2)所示的结构单元表示下述式(1-b)所示的结构单元的由虚线所包围的部分。当残留有未反应的烷氧基时、或烷氧基转化为羟基时，具有残留的烷氧基或羟基的(R4R5SiO2/2)所示的结构单元表示下述式(1-2-b)所示的结构单元的由虚线所包围的部分。
[化学式12]
…式(1-b)    …式(1-2-b)
上述式(1-2)及(1-2-b)中，X表示OH或OR，OR表示直链状或支链状的碳原子数1~4的烷氧基。上述式(1-b)、(1-2)及(1-2-b)中的R4及R5是与上述式(1A)或上述式(1B)中的R4及R5相同的基团。
在由上述式(1A)式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷中，(R6SiO3/2)所示的结构单元(以下，也称为三官能结构单元)可以包含下述式(1-3)或(1-4)所示的结构，即与三官能结构单元中的硅原子键合的氧原子的2个分别构成羟基或烷氧基的结构、或者与三官能结构单元中的硅原子键合的氧原子的1个构成羟基或烷氧基的结构。
(R6SiX2O1/2)…式(1-3)
(R6SiXO2/2)…式(1-4)
(R6SiO3/2)所示的结构单元包含下述式(1-c)所示的结构单元的由虚线所包围的部分，此外，还可以包含下述式(1-3-c)或下述式(1-4-c)所示的结构单元的由虚线所包围的部分。即，具有R6所示的基团、且在末端残留有烷氧基或羟基的结构单元也包括在(R6SiO3/2)所示的结构单元中。
[化学式13]
…式(1-c)    …式(1-3-c)    …式(1-4-c)
上述式(1-3)、(1-3-c)、(1-4)及(1-4-c)中，X表示OH或OR，OR表示直链状或支链状的碳原子数1~4的烷氧基。上述式(1-c)、(1-3)、(1-3-c)、(1-4)及(1-4-c)中的R6是与上述式(1A)、上述式(1A-2)或上述式(1B)中的R6相同的基团。
在上述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷中，(R7R8R9R10Si2R11O2/2)所示的结构单元可以包括下述式(1-5)表示的结构，即与(R7R8R9R10Si2R11O2/2)结构单元中的硅原子键合的氧原子的1个构成羟基或烷氧基的结构。
(R7R8R9R10Si2R11XO1/2)…式(1-5)
(R7R8R9R10Si2R11O2/2)所示的结构单元包含下述式(1-d)所示的结构单元的由虚线所包围的部分，此外，还可以包含下述式(1-5-d)所示的结构单元的由虚线所包围的部分。即，具有R7、R8、R9、R10及R11所示的基团、且在末端残留有烷氧基或羟基的结构单元也包括在(R7R8R9R10Si2R11O2/2)所示的结构单元中。
[化学式14]
Figure BDA00002186613600122
…式(1-d)    …式(1-5-d)
上述式(1-5)及(1-5-d)中，X表示OH或OR，OR表示直链状或支链状的碳原子数1~4的烷氧基。上述式(1-d)、(1-5)及(1-5-d)中的R7~R11是与上述式(1B)中的R7~R11相同的基团。
在上述式(1-b)~(1-d)、上述式(1-2)~(1-5)、以及上述式(1-2-b)、(1-3-c)、(1-4-c)及(1-5-d)中，对于直链状或支链状的碳原子数1~4的烷氧基没有特别地限定，可以列举例如：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基及叔丁氧基。
上述式(1A)中，a/(a+b+c)的下限为0，上限为0.50。a/(a+b+c)如果满足上述上限，则可以进一步提高密封剂的耐热性，并且可以进一步抑制密封剂的剥离。上述式(1A)中，a/(a+b+c)的优选上限为0.45，更优选上限为0.40。需要说明的是，在a为0、a/(a+b+c)为0的情况下，上述式(1A)中不存在(R1R2R3SiO1/2)的结构单元。
上述式(1A)中，b/(a+b+c)的下限为0.40，上限为1.0。b/(a+b+c)如果满足上述下限，则密封剂的固化物不会变的过硬，密封剂上不易产生裂纹。b/(a+b+c)如果满足上述上限，则可以进一步提高密封剂的阻气性。上述式(1A)中，b/(a+b+c)的优选下限为0.50。
上述式(1A)中，c/(a+b+c)的下限为0，上限为0.50。c/(a+b+c)如果满足上述下限，则密封剂的耐热性提高，在高温环境下密封剂固化物的厚度不易减少。c/(a+b+c)如果满足上述上限，则可以容易地保持作为密封剂的适当的粘度，进一步提高密合性。上述式(1A)中，c/(a+b+c)的优选上限为0.45，更优选上限为0.40，进一步优选上限为0.35。需要说明的是，在c为0、c/(a+b+c)为0的情况下，上述式(1A)及中不存在(R6SiO3/2)的结构单元。
上述式(1B)中，a/(a+b+c+d)的下限为0，上限为0.40。a/(a+b+c+d)如果满足上述上限，则可以进一步提高密封剂的耐热性，并且可以进一步抑制密封剂的剥离。需要说明的是，在a为0、a/(a+b+c+d)为0的情况下，上述式(1B)中不存在(R1R2R3SiO1/2)的结构单元。
上述式(1B)中，b/(a+b+c+d)的下限为0.40，上限为0.99。b/(a+b+c+d)如果满足上述下限，则密封剂的固化物不会变的过硬，密封剂上不易产生裂纹。b/(a+b+c+d)如果满足上述上限，则可以进一步提高密封剂的阻气性。
上述式(1B)中，c/(a+b+c+d)的下限为0，上限为0.50。c/(a+b+c+d)如果满足上述上限，则可以容易地保持作为密封剂的适当的粘度，进一步提高密合性。需要说明的是，在c为0、c/(a+b+c+d)为0的情况下，上述式(1B)中不存在(R6SiO3/2)的结构单元。
上述式(1B)中，d/(a+b+c+d)的下限为0.01，上限为0.40。d/(a+b+c+d)如果满足上述下限及上限，则可以得到对腐蚀性气体具有高阻气性，即使在苛刻环境下使用也不易产生裂纹或剥离的光半导体装置用密封剂。为了获得对腐蚀性气体具有更高的阻气性，即使在苛刻环境下使用也不易产生裂纹或剥离的光半导体装置用密封剂，上述式(1B)中，d/(a+b+c+d)的优选下限为0.03、更优选下限为0.05，优选上限为0.35、更优选上限为0.30。
就上述第1有机聚硅氧烷而言，以四甲基硅烷(以下称为TMS)为基准进行29Si-核磁共振分析(以下称为NMR)时，虽然根据取代基的种类不同会观察到一些变动，但相当于上述式(1A)及式(1B)中的(R1R2R3SiO1/2)a所示的结构单元的峰在+10~-5ppm附近出现，相当于上述式(1A)及上述式(1B)中的(R4R5SiO2/2)b及上述式(1-2)的双官能结构单元的各峰在-10~-50ppm附近出现，相当于上述式(1A)及式(1B)中的(R6SiO3/2)c、以及上述式(1-3)及上述式(1-4)的三官能结构单元的各峰在-50～-80ppm附近出现，相当于上述式(1B)中的(R7R8R9R10Si2R11O2/2)d及上述式(1-5)的结构单元的峰在0～-5ppm附近出现。
因此，通过测定29Si-NMR，比较各个信号峰的面积，可以测定上述式(1A)及上述式(1B)中各结构单元的比例。
然而，在通过以上述TMS为基准的29Si-NMR测定无法辨别出上述式(1A)及式(1B)中的结构单元的情况下，通过不只使用29Si-NMR的测定结果、而且根据需要使用1H-NMR的测定结果，可以辨别出上述式(1A)及式(1B)中各结构单元的比例。
(第2有机聚硅氧烷)
本发明涉及的光半导体装置用密封剂所含有的第2有机聚硅氧烷具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的芳基。该氢原子和芳基分别与硅原子直接键合。作为该芳基，可以列举无取代苯基、取代苯基、无取代亚苯基、及取代亚苯基。
从得到阻气性更为优异的密封剂的观点来看，上述第2有机聚硅氧烷优选为由下述式(51A)或下述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷。但作为上述第2有机聚硅氧烷，也可以使用除下述式(51A)或下述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷之外的第2有机聚硅氧烷。下述式(51B)表示的有机聚硅氧烷可以具有亚苯基，也可以不具有亚苯基。上述第2有机聚硅氧烷可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
[化学式15]
(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r…式(51A)
上述式(51A)中，p、q及r满足：p/(p+q+r)=0.05~0.50、q/(p+q+r)=0.05~0.50、以及r/(p+q+r)=0.20~0.80，R51~R56中的至少一个表示苯基，R51~R56中的至少一个表示与硅原子直接键合的氢原子，除苯基及与硅原子直接键合的氢原子之外的R51~R56表示碳原子数1~8的烃基。需要说明的是，上述式(51A)中，(R54R55SiO2/2)所示的结构单元及(R56SiO3/2)所示的结构单元分别可以具有烷氧基，也可以具有羟基。
[化学式16]
(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r(R57R58R59R60Si2R61O2/2)s…式(51B)
上述式(51B)中，p、q、r及s满足：p/(p+q+r+s)=0.05~0.50、q/(p+q+r+s)=0.05~0.50、r/(p+q+r+s)=0.20~0.80、以及s/(p+q+r+s)=0.01~0.40，R51~R56中的至少一个表示苯基，R51~R56中的至少一个表示与硅原子直接键合的氢原子，除苯基及与硅原子直接键合的氢原子之外的R51~R56表示碳原子数1~8的烃基，R57~R60分别表示碳原子数1~8的烃基，R61表示碳原子数1~8的2价烃基。需要说明的是，上述式(51B)中，(R54R55SiO2/2)所示的结构单元、(R56SiO3/2)所示的结构单元、(R57R58R59R60Si2R61O2/2)所示的结构单元分别可以具有烷氧基，也可以具有羟基。
上述式(51A)及式(51B)表示平均组成式。上述式(51A)及式(51B)中的烃基可以是直链状的，也可以是支链状的。上述式(51A)及式(51B)中的R51~R56可以是相同的，也可以是不同的。上述式(51B)中的R57~R60可以是相同的，也可以是不同的。
上述式(51A)及(51B)中(R54R55SiO2/2)所示的结构单元中的氧原子部分、(R56SiO3/2)所示的结构单元中的氧原子部分、(R57R58R59R60Si2R61O2/2)所示的结构单元中的氧原子部分分别表示形成了硅氧烷键的氧原子部分、烷氧基的氧原子部分、或羟基的氧原子部分。
对于上述式(51A)及式(51B)中的碳原子数1~8的烃基没有特别地限定，可以列举例如：甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、环己基、乙烯基及烯丙基。
对于上述式(51B)中的碳原子数1~8的2价烃基没有特别限定，可以列举例如：亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、环亚己基及亚苯基等。
在上述式(51A)或上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷中，通过下述式(X51)求出的芳基的含有比例优选为30摩尔%以上，且优选为70摩尔%以下。该芳基的含有比例如果为30摩尔%以上，则可以进一步提高阻气性。芳基的含有比例如果为70摩尔%以下，则不易产生密封剂的剥离。从进一步提高阻气性的观点来看，芳基的含有比例更优选为35摩尔%以上。从更不易产生剥离的观点来看，芳基的含有比例更优选为65摩尔%以下。
芳基的含有比例(摩尔%)=(平均组成式为上述式(51A)或上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的每一个分子中含有的芳基的平均个数×芳基的分子量/平均组成式为上述式(51A)或上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的数均分子量)×100…式(X51)
在使用上述式(51A)表示的第2有机聚硅氧烷的情况下，上述式(X51)中的芳基表示苯基，芳基的含有比例表示苯基的含有比例。
在使用上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的情况下，上述式(X51)中的芳基表示苯基和亚苯基，芳基的含有比例表示苯基和亚苯基的总含有比例。
在上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷不具有亚苯基的情况下，上述苯基和亚苯基的总含有比例表示苯基的含有比例。
从提高密封剂的固化性，进一步抑制热循环中的裂纹及剥离的观点来看，上述第2有机聚硅氧烷优选包括下述式(51-a)表示的结构单元。需要说明的是，在由下述式(51-a)表示的结构单元中，末端的氧原子通常与邻接的硅原子形成硅氧烷键，与邻接的结构单元共用氧原子。因此，将末端的1个氧原子视为“O1/2”。
[化学式17]
…式(51-a)
上述式(51-a)中，R52及R53分别表示氢原子、苯基或碳原子数1~8的烃基。优选R52及R53分别表示苯基或碳原子数1~8的烃基。
从提高密封剂的固化性、进一步抑制热循环中的裂纹及剥离的观点来看，上述式(51A)及上述式(51B)中(R51R52R53SiO1/2)所示的结构单元优选分别包含R51表示与硅原子键合的氢原子、R52及R53表示苯基或碳原子数1~8的烃基时的结构单元。
即，上述式(51A)及式(51B)中，(R51R52R53SiO1/2)所示的结构单元优选包含上述式(51-a)表示的结构单元。(R51R52R53SiO1/2)所示的结构单元可以仅包含上述式(51-a)表示的结构单元，还可以包含上述式(51-a)表示的结构单元和上述式(51-a)表示的结构单元之外的结构单元。
从提高密封剂的固化性、进一步抑制热循环中的裂纹及剥离的观点来看，上述第2有机聚硅氧烷的全部硅氧烷结构单元100摩尔%中，上述式(51-a)表示的结构单元的比例优选为5摩尔%以上、更优选为10摩尔%以上，且优选为50摩尔%以下、更优选为45摩尔%以下。
在上述式(51A)及上述式(51B)中的全部结构单元100摩尔%中，R51表示与硅原子键合的氢原子、R52及R53表示氢原子、苯基或碳原子数1~8的烃基时的结构单元(上述式(51-a)表示的结构单元)的比例优选为5摩尔%以上、更优选为10摩尔%以上，且优选为50摩尔%以下、更优选为45摩尔%以下。
上述第2有机聚硅氧烷优选包含在1个硅原子上键合有2个苯基的二苯基硅氧烷结构单元。在上述第2有机聚硅氧烷的全部硅氧烷结构单元100摩尔%中，在1个硅原子上键合有2个苯基的二苯基硅氧烷结构单元的比例优选为5摩尔%以上，更优选为10摩尔%以上，进一步优选为20摩尔%以上。二苯基硅氧烷结构单元的比例越高、且二苯基硅氧烷结构单元的比例为20摩尔%以上时，密封剂的分散性变得良好，另外，从多个光半导体装导出的光的亮度提高。上述二苯基硅氧烷结构单元的比例优选为60摩尔%以下。上述二苯基硅氧烷结构单元的比例如果在上述上限以下，则密封剂的分散性变得良好，可以进一步提高从半导体装置导出的光的亮度。
上述二苯基硅氧烷结构单元优选为由下述式(51-b1)表示的结构单元。此外，在由下述式(51-b1)表示的结构单元中，末端的氧原子通常与邻接的硅原子形成硅氧烷键，与邻接的结构单元共用氧原子。因此，将末端的1个氧原子视为“O1/2”。
[化学式18]
Figure BDA00002186613600181
…式(51-b1)
上述式(51A)及上述式(51B)中，(R4R5SiO2/2)所示的结构单元分别优选含有上述式(51-b1)所示的结构单元。(R4R5SiO2/2)所示的结构单元可以仅含有上述式(51-b1)所示的结构单元，也可以含有上述式(51-b1)所示的结构单元和上述式(51-b1)所示的结构单元之外的结构单元。
从进一步提高阻气性的观点来看，上述式(51B)中，(R57R58R59R60Si2R61O2/2)的结构单元优选为下述式(51b-1)表示的结构单元。下述式(51b-1)表示的结构单元具有亚苯基，该亚苯基为取代或无取代亚苯基。
[化学式19]
Figure BDA00002186613600182
…式(51b-1)
上述式(51b-1)中，Rb表示氢原子或碳原子数1~8的烃基，R57~R60分别表示碳原子数1~8的烃基。上述烃基可以是直链状的，也可以是支链状的。需要说明的是，对于与上述式(51b-1)中的苯环键合的3个基团的键合部位没有特别限定。
上述式(51B)中，(R57R58R59R60Si2R61O2/2)结构单元优选为下述式(51b-2)表示的结构单元。下述式(51b-2)表示的结构单元具有亚苯基，该亚苯基可以是取代的或无取代的亚苯基。对于与下述式(51b-2)中的苯环键合的Rb的键合部位没有特别限定。
[化学式20]
…式(51b-2)
上述式(51b-2)中，Rb表示氢原子或碳原子数1~8的烃基，R57~R60分别表示碳原子数1~8的烃基。
上述式(51B)中，(R57R58R59R60Si2R61O2/2)结构单元更优选为下述式(51b-3)表示的结构单元。下述式(51b-3)表示的结构单元具有亚苯基，该亚苯基为无取代的亚苯基。
[化学式21]
Figure BDA00002186613600192
…式(51b-3)
上述式(51b-3)中，R57~R60分别表示碳原子数1~8的烃基。
在上述式(51A)或上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷中，(R54R55SiO2/2)所示的结构单元(以下，也称为双官能结构单元)可以包含由下述式(51-2)表示的结构，即与双官能结构单元中的硅原子键合的氧原子的一个构成羟基或烷氧基的结构。
(R54R55SiXO1/2)…式(51-2)
(R54R55SiO2/2)所示的结构单元包含下述式(51-b)所示的结构单元的由虚线所包围的部分，此外，还可以包含下述式(51-2-b)所示的结构单元的由虚线所包围的部分。即，具有R54及R55所示的基团、且在末端残留有烷氧基或羟基的结构单元也包括在(R54R55SiO2/2)所示的结构单元中。
[化学式22]
Figure BDA00002186613600193
…式(51-b)    …式(51-2-b)
上述式(51-2)及上述式(51-2-b)中，X表示OH或OR，OR表示直链状或支链状的碳原子数1~4的烷氧基。上述式(51-b)、(51-2)及(51-2-b)中的R54及R55是与上述式(51A)或上述式(51B)中的R54及R55相同的基团。
在由上述式(51A)或式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷中，(R56SiO3/2)所示的结构单元(以下，也称为三官能结构单元)可以包含下述式(51-3)或(51-4)所示的结构，即与三官能结构单元中的硅原子键合的氧原子的2个分别构成羟基或烷氧基的结构、或者与三官能结构单元中的硅原子键合的氧原子的1个构成羟基或烷氧基的结构。
(R56SiX2O1/2)…式(51-3)
(R56SiXO2/2)…式(51-4)
(R56SiO3/2)所示的结构单元包含下述式(51-c)所示的结构单元的由虚线所包围的部分，此外，还可以包含下述式(51-3-c)或(51-4-c)所示的结构单元的由虚线所包围的部分。即，具有R56所示的基团、且在末端残留有烷氧基或羟基的结构单元也包括在(R56SiO3/2)所示的结构单元中。
[化学式23]
Figure BDA00002186613600201
…式(51-c)    …式(51-3-c)    …式(51-4-c)
上述式(51-3)、(51-3-c)、(51-4)及(51-4-c)中，X表示OH或OR，OR表示直链状或支链状的碳原子数1~4的烷氧基。上述式(51-c)、(51-3)、(51-3-c)、(51-4)及(51-4-c)中的R56是与上述式(51A)及上述式(51B)中的R56相同的基团。
在上述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷中，(R57R58R59R60Si2R61O2/2)所示的结构单元可以包含下述式(51-5)表示的结构，即与(R57R58R59R60Si2R61O2/2)结构单元中的硅原子键合的氧原子的1个构成羟基或烷氧基的结构。
(R57R58R59R60Si2XR61O1/2)…式(51-5)
(R57R58R59R60Si2R61O2/2)所示的结构单元包含下述式(51-d)所示的结构单元的由虚线所包围的部分，此外，还可以包含下述式(51-5-d)所示的结构单元的由虚线所包围的部分。即，具有R57、R58、R59、R60及R61所示的基团、且在末端残留有烷氧基或羟基的结构单元也包括在(R57R58R59R60Si2R61O2/2)所示的结构单元中。
[化学式24]
Figure BDA00002186613600211
…式(51-d)    …式(51-5-d)
上述式(51-5)及(51-5-d)中，X表示OH或OR，OR表示直链状或支链状的碳原子数1~4的烷氧基。上述式(51-d)、(51-5)及(51-5-d)中的R57~R61是与上述式(51B)中的R57~R61相同的基团。
在上述式(51-b)~(51-d)、式(51-2)~(51-5)、以及式(51-2-b)、(51-3-c)、(51-4-c)及(51-5-d)中，对于直链状或支链状的碳原子数1~4的烷氧基没有特别地限定，可以列举例如：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基及叔丁氧基。
上述式(51A)中，p/(p+q+r)的下限为0.05，上限为0.50。p/(p+q+r)如果满足上述上限，则可以进一步提高密封剂的耐热性，并且可以进一步抑制密封剂的剥离。上述式(51A)中，p/(p+q+r)优选的下限为0.10，更优选的上限为0.45。
上述式(51A)中，q/(p+q+r)的下限为0.05，上限为0.50。q/(p+q+r)如果满足上述下限，则密封剂的固化物不会变得过硬，密封剂上不易产生裂纹。q/(p+q+r)如果满足上述上限，则可以进一步提高密封剂的阻气性。上述式(51A)中，q/(p+q+r)的优选下限为0.10，更优选上限为0.45。
上述式(51A)中，r/(p+q+r)的下限为0.20，上限为0.80。r/(p+q+r)如果满足上述下限，则密封剂的硬度提高，可以防止伤痕及灰尘的附着，提高密封剂的耐热性，在高温环境下不易导致密封剂固化物的厚度减小。r/(p+q+r)如果满足上述上限，则可以容易地保持作为密封剂的适当的粘度，可以进一步提高密合性。
上述式(51B)中，p/(p+q+r+s)的下限为0.05，上限为0.50。如果p/(p+q+r+s)满足上述上限，则可以进一步提高密封剂的耐热性，并且可以进一步抑制密封剂的剥离。
上述式(51B)中，q/(p+q+r+s)的下限为0.05，上限为0.50。如果q/(p+q+r+s)满足上述下限，则密封剂的固化物不会变得过硬，密封剂上不易产生裂纹。如果q/(p+q+r+s)满足上述上限，则可以进一步提高密封剂的阻气性。
上述式(51B)中，r/(p+q+r+s)的下限为0.20，上限为0.80。如果r/(p+q+r+s)满足上述上限，则可以容易地保持作为密封剂的适当的粘度，可以进一步提高密合性。
上述式(51B)，s/(p+q+r+s)的下限为0.01，上限为0.40。如果s/(p+q+r+s)满足上述下限及上限，则可以得到对腐蚀性气体具有高阻气性，即使在苛刻环境下使用也不易产生裂纹或剥离的光半导体装置用密封剂。为了获得对腐蚀性气体具有更高的阻气性，即使在苛刻环境下使用也更加不易产生裂纹或剥离的光半导体装置用密封剂，上述式(51B)中，s/(p+q+r+s)的优选下限为0.03、更优选下限为0.05，优选上限为0.35、更优选上限为0.30。
针对上述第2有机聚硅氧烷，以四甲基硅烷(以下称为TMS)为基准进行29Si-核磁共振分析(以下称为NMR)时，虽然根据取代基的种类不同会观察到一些变动，但相当于上述式(51A)及上述式(51B)中的(R51R52R53SiO1/2)p表示的结构单元的峰在+10~-5ppm附近出现，相当于上述式(51A)及式(51B)中的(R54R55SiO2/2)q及上述式(51-2)的双官能结构单元的各峰在-10~-50ppm附近出现，相当于上述式(51A)及式(51B)中的(R56SiO3/2)r、以及上述式(51-3)及上述式(51-4)的三官能结构单元的各峰在-50~-80ppm附近出现，相当于上述式(51B)中的(R57R58R59R60Si2R61O2/2)s及上述式(51-5)的结构单元的峰在0～-5ppm附近出现。
因此，通过测定29Si-NMR，比较各个信号峰的面积，可以测定上述式(51A)及式(51B)中各结构单元的比例。
然而，在通过以上述TMS为基准的29Si-NMR测定无法辨别出上述式(51A)及上述式(51B)中的结构单元的情况下，通过不只使用29Si-NMR的测定结果、而且根据需要使用1H-NMR的测定结果，可以测定上述式(51A)及上述式(51B)中各结构单元的比例。
相对于100重量份的上述第1有机聚硅氧烷，上述第2有机聚硅氧烷的含量优选为10重量份以上且400重量份以下。第1、第2有机聚硅氧烷的含量处于上述范围内时，可以得到阻气性更为优异的密封剂。从得到阻气性更为优异的密封剂的观点来看，相对于100重量份的上述第1有机聚硅氧烷，上述第2有机聚硅氧烷的含量的更优选下限为30重量份、进一步优选下限为50重量份，更优选上限为300重量份、进一步优选上限为200重量份。
(第1，第2有机聚硅氧烷的其它性质及其合成方法)
上述第1、第2有机聚硅氧烷的烷氧基的含量的优选下限为0.5摩尔%，更优选下限为1摩尔%，优选上限为10摩尔%，更优选上限为5摩尔%。如果烷氧基的含量处于上述优选的范围内，则可以提高密封剂的密合性。
如果烷氧基的含量满足上述优选的下限，则可以提高密封剂的密合性。如果烷氧基的含量满足上述优选的上限，则可以提高上述第1、第2有机聚硅氧烷及密封剂的储存稳定性，并进一步提高密封剂的耐热性。
上述烷氧基的含量表示第1、第2有机聚硅氧烷的平均组成式中包含的上述烷氧基的量。
优选上述第1、第2有机聚硅氧烷不含硅烷醇基。如果第1、第2有机聚硅氧烷不含硅烷醇基，则可以提高第1、第2有机聚硅氧烷及密封剂的储存稳定性。可以通过在真空下进行加热来减少上述硅烷醇基。硅烷醇基的含量可以使用红外分光法测定。
上述第1、第2有机聚硅氧烷的数均分子量(Mn)的优选下限为500、更优选下限为800、进一步优选下限为1000，优选上限为50000，更优选上限为15000。如果数均分子量满足上述优选下限，则可以减少热固化时的挥发成分，使得高温环境下密封剂固化物的厚度不易减少。如果数均分子量满足上述优选上限，则粘度调节容易。
上述数均分子量(Mn)是利用凝胶渗透色谱法(GPC)、以聚苯乙烯作为标准物质求出的值。上述数均分子量(Mn)表示使用Waters公司制造的测定装置(柱：昭和电工公司制造的Shodex GPC LF-804(长度300mm)，2根，测定温度：40℃，流速：1mL/分钟，溶剂：四氢呋喃，标准物质：聚苯乙烯)测定的值。
对于合成上述第1、第2有机聚硅氧烷的方法没有特别地限定，可以列举：使烷氧基硅烷化合物水解并进行缩合反应的方法，使氯硅烷化合物水解并缩合的方法。其中，从控制反应的观点来看，优选使烷氧基硅烷化合物水解并进行缩合反应的方法。
作为使烷氧基硅烷化合物水解并进行缩合反应的方法，可以列举例如：使烷氧基硅烷化合物在水和酸性催化剂或碱性催化剂的存在下反应的方法。此外，也可以将二硅氧烷化合物水解后使用。
作为用来向上述第1、第2有机聚硅氧烷中导入苯基等芳基的有机硅化合物，可以列举：三苯基甲氧基硅烷、三苯基乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、甲基(苯基)二甲氧基硅烷、及苯基三甲氧基硅烷等。
作为用来向上述第1、第2有机聚硅氧烷中导入(R57R58R59R60Si2R61O2/2)、(R7R8R9R10Si2R11O2/2)的有机硅化合物，可以列举例如：1,4-双(二甲基甲氧基甲硅烷基)苯、1,4-双(二乙基甲氧基甲硅烷基)苯、1,4-双(乙氧基乙基甲基甲硅烷基)苯、1,6-双(二甲基甲氧基甲硅烷基)己烷、1,6-双(二乙基甲氧基甲硅烷基)己烷及1,6-双(乙氧基乙基甲基甲硅烷基)己烷等。
作为用来向上述第1有机聚硅氧烷中导入烯基的有机硅化合物，可以列举：乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、甲氧基二甲基乙烯基硅烷及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷等。
作为用来向上述第2有机聚硅氧烷中导入与硅原子直接键合的氢原子的有机硅化合物，可以列举：三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、及1,1,3,3-四甲基二硅氧烷等。
作为可以用来获得上述第1、第2有机聚硅氧烷的其它有机硅化合物，可以列举例如：三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、异丙基(甲基)二甲氧基硅烷、环己基(甲基)二甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷及辛基三甲氧基硅烷等。
作为上述酸性催化剂，可以列举例如：无机酸、有机酸、无机酸的酸酐及其衍生物、以及有机酸的酸酐及其衍生物。
作为上述无机酸，可以列举例如：盐酸、磷酸、硼酸及碳酸。作为上述有机酸，可以列举例如：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、乳酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、富马酸、马来酸及油酸。
作为上述碱性催化剂，可以列举例如：碱金属的氢氧化物、碱金属的醇盐及碱金属的硅烷醇化合物。
作为上述碱金属的氢氧化物，可以列举例如：氢氧化钠、氢氧化钾及氢氧化铯。作为上述碱金属的醇盐，可以列举例如：叔丁醇钠、叔丁醇钾及叔丁醇铯。
作为上述碱金属的硅烷醇化合物，可以列举例如：硅烷醇钠化合物、硅烷醇钾化合物及硅烷醇铯化合物。其中，优选钾系催化剂或铯系催化剂。
(铂的烯基络合物)
本发明涉及的光半导体装置用密封剂所含有的铂的烯基络合物是使有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基和有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子进行硅氢化反应的催化剂。上述铂的烯基络合物为铂催化剂，是硅氢化反应用催化剂。
上述铂的烯基络合物是氯铂酸六水合物和6当量以上的双官能以上烯基化合物的反应物。上述铂的烯基络合物是通过使氯铂酸六水合物和6当量以上烯基化合物反应而得到的，且所述烯基化合物为双官能以上。上述铂的烯基络合物可以仅使用1种，也可以组合使用2种以上。
通过特定的上述第1、第2有机聚硅氧烷和特定的上述铂的烯基络合物的组合使用，即使在苛刻环境下使用，光半导体装置所发出的光的亮度也不易降低，并且密封剂不易产生变色。此外，通过上述铂的烯基络合物的使用，可以提高密封剂的透明性。
使用上述氯铂酸六水合物(H2PtCl6·6H2O)作为用于得到上述铂的烯基络合物的铂原料。
作为用于得到上述铂的烯基化合物的上述6当量以上的双官能以上的烯基化合物，可以列举例如：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二甲基-1,3-二苯基-1,3-二乙烯基二硅氧烷及1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷等。
关于上述6当量以上的双官能以上烯基化合物中的“当量”，是指相对于上述氯铂酸六水合物1摩尔，将双官能以上的烯基化合物为1摩尔的重量视为1当量。上述6当量以上的双官能以上烯基化合物优选在50当量以下。
作为用于得到上述铂的烯基络合物的溶剂，可以列举例如：甲醇、乙醇、2-丙醇及1-丁醇等醇类溶剂。也可以使用甲苯及二甲苯等芳香族类溶剂。上述溶剂可以仅使用1种，也可以组合使用2种以上。
为了得到上述铂的烯基络合物，除了上述成分之外也可以使用单官能的乙烯基化合物。作为上述单官能的乙烯基化合物，可以列举例如：三甲氧基乙烯基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷及乙烯基甲基二甲氧基硅烷等。
关于氯铂酸六水合物和6当量以上的双官能以上的烯基化合物的反应物，可以是铂元素和6当量以上的双官能以上的烯基化合物共价键合，或配位键合，或者共价键合并且配位键合。
密封剂中，来自铂的烯基络合物的铂元素的含量优选为0.01ppm以上且1000ppm以下。密封剂中，来自铂的烯基络合物的铂元素的含量更优选为1ppm以上、更优选为300ppm以下。上述铂元素的含量如果在上述下限以上，尤其是在1ppm以上，则易于赋予密封剂以充分的固化性，可以进一步抑制使用了密封剂的光半导体装置所发出的光的亮度的降低，可以更进一步提高密封剂的阻气性。上述铂元素的含量如果在上述上限以下，尤其是在300ppm以下，密封剂更加不易变色。
(氧化硅粒子)
本发明涉及的光半导体装置用密封剂优选还含有氧化硅粒子。
通过使用上述氧化硅粒子，可以将固化前的密封剂的粘度调整至适当的范围而不会损害密封剂的固化物的耐热性及耐光性。因此，可以提高密封剂的操作性。
上述氧化硅粒子的初级粒径的优选下限为5nm、更优选下限为8nm，优选上限为200nm、更优选上限为150nm。如果上述氧化硅粒子的初级粒径满足上述的优选下限，则可以进一步提高氧化硅粒子的分散性，并进一步提高密封剂的固化物的透明性。如果上述氧化硅粒子的初级粒径满足上述的优选上限，则可以充分获得25℃下粘度的上升效果，并且可以抑制温度上升过程中粘度的降低。
上述氧化硅粒子的初级粒径可以如下测定。使用透射型电子显微镜(商品名“JEM-2100”，日本电子公司制造)对光半导体装置用密封剂的固化物进行观察。分别测定视野中的100个氧化硅粒子的初级粒子的大小，将测定值的平均值作为初级粒径。上述氧化硅粒子为球形的情况下，上述初级粒径表示氧化硅粒子的直径的平均值，上述氧化硅粒子为非球形的情况下，上述初级粒径表示氧化硅粒子的长径的平均值。
上述氧化硅粒子的BET比表面积的优选下限为30m2/g，优选上限为400m2/g。如果上述氧化硅粒子的BET比表面积为30m2/g以上，则可以将密封剂25℃下的粘度控制在适当的范围，可以控制温度上升过程中粘度的降低。如果上述氧化硅粒子的BET比表面积为400m2/g以下，则不易发生氧化硅粒子的凝聚，从而可以提高分散性，进而，可以进一步提高密封剂的固化物的透明性。
对于上述氧化硅粒子没有特别地限定，可以列举例如：气相二氧化硅、熔融二氧化硅等利用干式法制造的二氧化硅，以及胶体二氧化硅、溶胶凝胶二氧化硅、沉淀二氧化硅等利用湿式法制造的二氧化硅等。其中，从可以得到挥发成分少、并且透明性更高的密封剂的观点来看，优选使用气相二氧化硅作为上述氧化硅粒子。
作为上述气相二氧化硅，可以列举例如：Aerosil 50(比表面积：50m2/g)、Aerosil 90(比表面积：90m2/g)、Aerosil 130(比表面积：130m2/g)、Aerosil 200(比表面积：200m2/g)、Aerosil 300(比表面积：300m2/g)、以及Aerosil 380(比表面积：380m2/g)(均为日本AEROSIL公司制造)等。
上述氧化硅粒子优选通过有机硅化合物进行了表面处理。通过该表面处理，可以使氧化硅粒子的分散性变得非常高，从而可以进一步抑制由固化前的密封剂的温度升高而导致的粘度的降低。
对于上述有机硅化合物没有特别地限定，可以列举例如：具有烷基的硅烷类化合物、具有二甲基硅氧烷等硅氧烷骨架的硅类化合物、具有氨基的硅类化合物、具有(甲基)丙烯酰基的硅类化合物、以及具有环氧基的硅类化合物等。上述“(甲基)丙烯酰基”表示丙烯酰基和甲基丙烯酰基。
从进一步提高氧化硅粒子的分散性的观点来看，用于表面处理的上述有机硅化合物优选为选自下组中的至少一种：具有二甲基甲硅烷基的有机硅化合物、具有三甲基甲硅烷基的有机硅化合物、以及具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物。此外，从进一步提高氧化硅粒子的分散性的观点来看，用于表面处理的上述有机硅化合物优选为具有三甲基甲硅烷基的有机硅化合物及具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物中的至少一种。
作为通过有机硅化合物进行表面处理的方法的一个实例，在使用具有二甲基甲硅烷基的有机硅化合物或具有三甲基甲硅烷基的有机硅化合物的情况下，可以列举例如：使用二氯二甲基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、六甲基二硅氮烷、氯化三甲基硅烷及三甲基甲氧基硅烷等对氧化硅粒子进行表面处理的方法。在使用具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物的情况下，可以列举使用在聚二甲基硅氧烷基的末端具有硅烷醇基的化合物及环状硅氧烷等对氧化硅粒子进行表面处理的方法。
作为利用上述具有二甲基甲硅烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子的市售品，可以列举R974(比表面积：170m2/g)、及R964(比表面积：250m2/g)(均为日本AEROSIL公司制造)等。
作为利用上述具有三甲基甲硅烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子的市售品，可以列举RX200(比表面积：140m2/g)、及R8200(比表面积：140m2/g)(均为日本AEROSIL公司制造)等。
作为利用上述具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子的市售品，可以列举RY200(比表面积：120m2/g)(日本AEROSIL公司制造)等。
对于利用上述有机硅化合物对氧化硅粒子进行表面处理的方法没有特别地限定。作为该方法，可以列举例如：向混合器中添加氧化硅粒子，边搅拌边添加有机硅化合物的干式法；向氧化硅粒子的浆料中添加有机硅化合物的浆料法；以及在氧化硅粒子干燥后，以喷雾形式赋予有机硅化合物的喷雾法等直接处理法等。作为在上述干式法中使用的混合器，可以列举亨舍尔混合器(Henschel mixer)及V型混合器等。在上述干式法中，可以直接添加有机硅化合物，或者，可以添加有机硅化物的醇水溶液、有机溶剂溶液或水溶液。
为了获得通过上述有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子，也可以采用如下的整体掺混法等：在配制光半导体装置用密封剂时，在将氧化硅粒子和上述第1、第2有机聚硅氧烷等基体树脂混合的过程中，直接添加有机硅化合物。
相对于共计100重量份的上述第1有机聚硅氧烷和上述第2有机聚硅氧烷，上述氧化硅粒子的含量优选为0.5重量份以上且40重量份以下。相对于共计100重量份的上述第1有机聚硅氧烷和上述第2有机聚硅氧烷，上述氧化硅粒子的含量的更优选下限为1重量份，更优选上限为35重量份。如果上述氧化硅粒子的含量满足上述下限，则能够抑制固化时粘度的降低。如果上述氧化硅粒子的含量满足上述上限，则可以将密封剂的粘度进一步控制在适当范围，并且可以进一步提高密封剂的透明性。
(荧光体)
本发明涉及的光半导体装置用密封剂还可以含有荧光体。上述荧光体发挥如下作用：通过吸收使用光半导体装置用密封剂进行密封的发光元件发出的光并产生荧光，从而得到最终所期望颜色的光。上述荧光体被由发光元件发出的光激发而发出荧光，通过发光元件发出的光和荧光体发出的荧光的组合，可以得到所期望颜色的光。
例如，在以使用紫外线LED芯片作为发光元件来最终获得白色光为目的的情况下，优选组合使用蓝色荧光体、红色荧光体及绿色荧光体。在以使用蓝色LED芯片作为发光元件来最终获得白色光为目的的情况下，优选组合使用绿色荧光体及红色荧光体，或使用黄色荧光体。上述荧光体可以仅使用一种，也可以组合两种以上使用。
对于上述蓝色荧光体没有特别地限定，可以列举例如：(Sr、Ca、Ba、Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、(Ba、Sr)MgAl10O17:Eu、(Sr、Ba)3MgSi2O8:Eu等。
对于上述红色荧光体没有特别地限定，可以列举例如：(Sr、Ca)S:Eu、(Ca、Sr)2Si5N8:Eu、CaSiN2:Eu、CaAlSiN3:Eu、Y2O2S:Eu、La2O2S:Eu、LiＷ2O8:(Eu、Sm)、(Sr、Ca、Bs、Mg)10(PO4)8Cl2:(Eu、Mn)、Ba3MgSi2O8:(Eu、Mn)等。
对于上述绿色荧光体没有特别地限定，可以列举例如：Y3(Al、Ga)5O12:Ce、SrGa2S4:Eu、Ca3Sc2Si3O12:Ce、SrSiON:Eu、ZNS:(Cu、Al)、BaMgAl10O17(Eu、Mn)、SrAl2O4:Eu等。
对于上述黄色荧光体没有特别地限定，可以列举例如：Y3Al5O12:Ce、(Y、Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、CaGa2S4:Eu、Sr2SiO4:Eu等。
另外，作为上述荧光体，可以列举作为有机荧光体的苝类化合物等。
(偶联剂)
为了赋予粘接性，本发明涉及的光半导体装置用密封剂还可以含有偶联剂。
对于上述偶联剂没有特别地限定，可以列举例如硅烷偶联剂等。作为该硅烷偶联剂，可以列举：乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、及N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷等。偶联剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
(其它成分)
根据需要，本发明涉及的光半导体装置用密封剂还可以进一步含有分散剂、抗氧化剂、消泡剂、着色剂、改性剂、流平剂、光扩散剂、导热性填料或阻燃剂等添加剂。
需要说明的是，就上述第1有机聚硅氧烷、上述第2有机聚硅氧烷、及上述铂的烯基络合物而言，可以预先分别配制含有上述物质中的1种或2种以上的液体，在即将使用前将多种液体混合，从而制备本发明涉及的光半导体装置用密封剂。例如，可以预先分别配制含上述第1有机聚硅氧烷及铂的烯基络合物的A液体、以及含第2有机聚硅氧烷的B液体，并在即将使用前将A液体和B液体混合，从而制备本发明涉及的光半导体装置用密封剂。这样，通过将上述第1有机聚硅氧烷及上述铂的烯基络合物、和上述第2有机聚硅氧烷分别制成第1液体和第2液体的双组分，可以提高保存稳定性。上述第1有机聚硅氧烷、上述第2有机聚硅氧烷及上述铂的烯基络合物之外的成分可以添加到第1液体中，也可以添加到第2液体中。
(光半导体装置用密封剂的详细及用途)
对于本发明涉及的光半导体装置用密封剂的固化温度没有特别地限定。光半导体装置用密封剂的固化温度的优选下限为80℃、更优选下限为100℃，优选上限为180℃、更优选上限为150℃。如果固化温度满足上述的优选下限，则可以充分地进行密封剂的固化。如果固化温度满足上述的优选上限，则不易引起组件的热劣化。
对于固化方式没有特别地限定，但优选使用分步固化方式。分步固化方式是首先在低温下进行预固化，然后在高温下进行固化的方法。通过使用分步固化方式，可以抑制密封剂的固化收缩。
对于本发明涉及的光半导体装置用密封剂的制造方法没有特别地限定，可以列举例如：使用高速分散器(homodisper)、乳化均质机(homomixer)、万能混合器、行星混合器、捏合机、三辊磨或珠磨机等混合机，在常温或加温条件下，将上述第1有机聚硅氧烷、上述第2有机聚硅氧烷、上述铂的烯基络合物、以及根据需要配合的其它成分进行混合的方法等。
作为上述发光元件，只要是使用半导体的发光元件即可，没有特别地限定，例如，上述发光元件为发光二极管的情况下，可以列举例如在基板上叠层LED形式用半导体材料的结构。此时，作为半导体材料，可以列举例如：GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、及SiC等。
作为上述基板的材料，可以列举例如：蓝宝石、尖晶石、SiC、Si、ZnO、及GaN单晶等。此外，根据需要，可以在基板和半导体材料之间形成缓冲层。作为上述缓冲层的材料，可以列举例如：GaN及AlN等。
作为本发明涉及的光半导体装置，具体可以列举例如：发光二极管装置、半导体激光装置及光耦合器等。这样的光半导体装置可适用于例如：液晶显示器等的背光灯、照明、各种传感器、打印机及复印机等的光源、车辆用计测器光源、信号灯、显示灯、显示装置、面状发光体的光源、显示器、装饰、各种灯、以及开关元件等。
就本发明涉及的光半导体装置而言，利用本发明涉及的光半导体装置用密封剂的固化物对由光半导体形成的发光元件进行了密封。在本发明涉及的光半导体装置中，配置有光半导体装置用密封剂的固化物，以对由LED等光半导体形成的发光元件进行密封。由此，在对发光元件进行密封的光半导体装置用密封剂的固化物上不易产生裂纹，不易发生从组件上的剥离，并且可以提高光透过性、耐热性、耐候性及阻气性。
(光半导体装置的实施方式)
图1是示出本发明一实施方式涉及的光半导体装置的正面剖视图。
本实施方式的光半导体装置1具有外罩2。在外罩2内安装有包含LED的光半导体元件3。外罩2的具有光反射性的内面2a包围该光半导体元件3的周围。就本实施方式而言，使用光半导体元件3作为由光半导体形成的发光元件。
内面2a形成为内面2a的直径越朝向开口端越大的形式。由此，从光半导体元件3发出的光中到达内面2a的光被内面2a反射，进入到光半导体元件3的前方侧。在由内面2a包围的区域内，填充有光半导体装置用密封剂4，以对光半导体元件3进行密封。
需要说明的是，图1所示的结构仅是本发明涉及的光半导体装置的一例，可以对光半导体装置的安装结构等进行适当地变形。
以下，列举实施例对本发明进行更为详细地说明。本发明并不限定于以下的实施例。
(合成例1)第1有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中，添加三甲基甲氧基硅烷63g、二甲基二甲氧基硅烷90g、二苯基二甲氧基硅烷183g、及乙烯基三甲氧基硅烷133g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢地滴加氢氧化钾0.8g溶解在水114g中而得到的溶液，在滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，从而得到反应液。然后，向反应液中添加乙酸0.9g，减压除去挥发成分，并通过过滤除去乙酸钾，从而得到聚合物(A)。
得到的聚合物(A)的数均分子量(Mn)为1700。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果显示，聚合物(A)具有下述的平均组成式(A1)。
(Me3SiO1/2)0.19(Me2SiO2/2)0.24(Ph2SiO2/2)0.26(ViSiO3/2)0.31…式(A1)
上述式(A1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基。
得到的聚合物(A)的苯基的含有比例为37摩尔%。
需要说明的是，合成例1及合成例2~11中得到的各聚合物的分子量如下测定：向10mg各聚合物中添加四氢呋喃1mL，进行搅拌直到溶解，通过GPC测定进行了测定。GPC测定使用了Waters公司制造的测定装置(柱：昭和电工公司制造Shodex GPC LF-804(长度300mm)×2根，测定温度：40℃，流速：1mL/min，溶剂：四氢呋喃，标准物质：聚苯乙烯)。
(合成例2)第1有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中，添加二甲基二甲氧基硅烷96g、二苯基二甲氧基硅烷318g、及乙烯基甲基二甲氧基硅烷119g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢地滴加氢氧化钾0.8g溶解在水108g中而得到的溶液，在滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，从而得到反应液。然后，向反应液中添加乙酸0.9g，减压除去挥发成分，并通过过滤除去乙酸钾，从而得到聚合物(B)。
得到的聚合物(B)的数均分子量(Mn)为5300。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果显示，聚合物(B)具有下述的平均组成式(B1)。
(Me2SiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.45(ViMeSiO2/2)0.30…式(B1)
上述式(B1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基。
得到的聚合物(B)的苯基的含有比例为52摩尔%。
(合成例3)第1有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中，添加二甲基二甲氧基硅烷60g、二苯基二甲氧基硅烷317g、乙烯基甲基二甲氧基硅烷119g、及1,6-双(二甲基甲氧基甲硅烷基)己烷79g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢滴加氢氧化钾0.8g溶解在水108g中而得到的溶液，在滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，从而得到反应液。然后，向反应液中添加乙酸0.9g，减压除去挥发成分，并通过过滤除去乙酸钾，从而得到聚合物(C)。
得到的聚合物(C)的数均分子量(Mn)为3600。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果显示，聚合物(C)具有下述的平均组成式(C1)。
(Me2SiO2/2)0.16(Ph2SiO2/2)0.44(ViMeSiO2/2)0.30(Me4SiHexO2/2)0.10…式(C1)
上述式(C1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基、Hex表示亚己基。
得到的聚合物(C)的苯基的含有比例为46摩尔%。
(合成例4)第1有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中，添加二甲基二甲氧基硅烷60g、二苯基二甲氧基硅烷317g、乙烯基甲基二甲氧基硅烷119g、及1,4-双(二甲基甲氧基甲硅烷基)苯76g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢地滴加氢氧化钾0.8g溶解在水108g中而得到的溶液，在滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，从而得到反应液。然后，向反应液中添加乙酸0.9g，减压除去挥发成分，并通过过滤除去乙酸钾，从而得到聚合物(D)。
得到的聚合物(D)的数均分子量(Mn)为3400。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果显示，聚合物(D)具有下述的平均组成式(D1)。
(Me2SiO2/2)0.16(Ph2SiO2/2)0.44(ViMeSiO2/2)0.30(Me4SiPheO2/2)0.10…式(D1)
上述式(D1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基、Phe表示亚苯基。
得到的聚合物(D)的苯基和亚苯基的含有比例(芳基的含有比例)为52摩尔%。
(合成例5)第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中，添加三甲基甲氧基硅烷31g、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷50g、二甲基二甲氧基硅烷108g、及苯基三甲氧基硅烷208g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸1.4g和水101g的溶液，在滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，从而得到反应液。然后，减压除去挥发成分，从而得到聚合物。向得到的聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次清洗，减压除去挥发成分，从而得到聚合物(E)。
得到的聚合物(E)的数均分子量(Mn)为1000。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果显示，聚合物(E)具有下述的平均组成式(E1)。
(Me3SiO1/2)0.09(HMe2SiO1/2)0.23(Me2SiO2/2)0.27(PhSiO3/2)0.41…式(E1)
上述式(E1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基。
得到的聚合物(E)的苯基的含有比例为33摩尔%。
(合成例6)第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中，添加三甲基甲氧基硅烷16g、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷50g、二甲基二甲氧基硅烷36g、二苯基二甲氧基硅烷183g、苯基三甲氧基硅烷149g、及乙烯基三甲氧基硅烷45g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢滴加盐酸1.4g和水104g的溶液，在滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，从而得到反应液。然后，减压除去挥发成分，从而得到聚合物。向得到的聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次清洗，减压除去挥发成分，从而得到聚合物(F)。
得到的聚合物(F)的数均分子量(Mn)为1000。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果显示，聚合物(F)具有下述的平均组成式(F1)。
(Me3SiO1/2)0.05(HMe2SiO1/2)0.23(Me2SiO2/2)0.09(Ph2SiO2/2)0.26(PhSiO3/2)0.27(ViSiO3/2)0.10…式(F1)
上述式(F1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基。
得到的聚合物(F)的苯基的含有比例为51摩尔%。
(合成例7)第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中，添加三甲基甲氧基硅烷31g、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷40g、二苯基二甲氧基硅烷110g、苯基三甲氧基硅烷268g、及乙烯基三甲氧基硅烷45g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸1.4g和水116g的溶液，在滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，从而得到反应液。然后，减压除去挥发成分，从而得到聚合物。向得到的聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次清洗，减压除去挥发成分，从而得到聚合物(G)。
得到的聚合物(G)的数均分子量(Mn)为1100。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果显示，聚合物(G)具有下述的平均组成式(G1)。
(Me3SiO1/2)0.09(HMe2SiO1/2)0.19(Ph2SiO2/2)0.16(PhSiO3/2)0.46(ViSiO3/2)0.10…式(G1)
上述式(G1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基。
得到的聚合物(G)的苯基的含有比例为51摩尔%。
(合成例8)第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中，添加三甲基甲氧基硅烷31g、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷40g、二苯基二甲氧基硅烷183g、苯基三甲氧基硅烷149g、乙烯基三甲氧基硅烷45g、及1,4-双(二甲基甲氧基甲硅烷基)苯76g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸1.4g和水105g的溶液，在滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，从而得到反应液。然后，减压除去挥发成分，从而得到聚合物。向得到的聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次清洗，减压除去挥发成分，从而得到聚合物(H)。
得到的聚合物(H)的数均分子量(Mn)为1100。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果显示，聚合物(H)具有下述的平均组成式(H1)。
(Me3SiO1/2)0.09(HMe2SiO1/2)0.19(Ph2SiO2/2)0.26(PhSiO3/2)0.26(ViSiO3/2)0.10(Me4SiPheO2/2)0.10…式(H1)
上述式(H1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基，Phe表示亚苯基。
得到的聚合物(H)的苯基和亚苯基的含有比例(芳基的含有比例)为51摩尔%。
(合成例9)第1有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中，添加三甲基甲氧基硅烷94g、二甲基二甲氧基硅烷99g、二苯基二甲氧基硅烷92g、及乙烯基三甲氧基硅烷133g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢地滴加氢氧化钾0.8g溶解在水108g中而得到的溶液，在滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，从而得到反应液。然后，向反应液中添加乙酸0.9g，减压除去挥发成分，并通过过滤除去乙酸钾，从而得到聚合物(I)。
得到的聚合物(I)的数均分子量(Mn)为1800。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果显示，聚合物(I)具有下述的平均组成式(I1)。
(Me3SiO1/2)0.29(Me2SiO2/2)0.27(Ph2SiO2/2)0.13(ViSiO3/2)0.31…式(I1)
上述式(I1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基。
得到的聚合物(I)的苯基的含有比例为21摩尔%。
(合成例10)第1有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中，添加二甲基二甲氧基硅烷180g、二苯基二甲氧基硅烷73g、乙烯基甲基二甲氧基硅烷119g、及1,4-双(二甲基甲氧基甲硅烷基)苯76g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢地滴加氢氧化钾0.8g溶解在水108g中而得到的溶液，在滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，从而得到反应液。然后，向反应液中添加乙酸0.9g，减压除去挥发成分，并通过过滤除去乙酸钾，从而得到聚合物(J)。
得到的聚合物(J)的数均分子量(Mn)为3400。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果显示，聚合物(J)具有下述的平均组成式(J1)。
(Me2SiO2/2)0.49(Ph2SiO2/2)0.10(ViMeSiO2/2)0.31(Me4SiPheO2/2)0.10…式(J1)
上述式(J1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基，Phe表示亚苯基。
得到的聚合物(J)的苯基和亚苯基的含有比例(芳基的含有比例)为22摩尔%。
(合成例11)第2有机聚硅氧烷的合成
向具备温度计、滴加装置及搅拌机的1000mL的可拆式烧瓶中，添加三甲基甲氧基硅烷31g、1,1,3,3-六甲基二硅氧烷50g、二甲基二甲氧基硅烷140g、二苯基二甲氧基硅烷59g、苯基三甲氧基硅烷48g、及乙烯基三甲氧基硅烷45g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢地滴加盐酸1.4g和水92g的溶液，在滴加后，于50℃搅拌6小时，使其反应，从而得到反应液。然后，减压除去挥发成分，从而得到聚合物。向得到的聚合物中添加己烷150g和乙酸乙酯150g，利用离子交换水300g进行10次清洗，减压除去挥发成分，从而得到聚合物(K)。
得到的聚合物(K)的数均分子量(Mn)为600。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果显示，聚合物(K)具有下述的平均组成式(K1)。
(Me3SiO1/2)0.09(HMe2SiO1/2)0.24(Me2SiO2/2)0.38(Ph2SiO2/2)0.08(PhSiO3/2)0.10(ViSiO3/2)0.10…式(K1)
上述式(K1)中，Me表示甲基，Ph表示苯基，Vi表示乙烯基。
得到的聚合物(K)的苯基的含有比例为23摩尔%。
(铂烯基络合物A的合成)
向具备回流管的反应烧瓶中，添加氯铂酸六水合物(H2PtCl6·6H2O、300mg)及2-丙醇(4.6ml)，在氮气氛围中于室温搅拌20分钟。20分钟后，添加碳酸氢钠(NaHCO3、400mg)，进行搅拌直到不再产生气体，然后，添加1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(8当量、864mg)，在60℃搅拌反应溶液24小时。使反应溶液恢复至室温，添加无水硫酸镁(300mg)并搅拌5分钟。然后，使用乙醚作为溶剂，进行硅藻土过滤，进行浓缩直到溶液量为5g，从而得到铂烯基络合物A的溶液。
(铂烯基络合物B的合成)
向具备回流管的反应烧瓶中，添加氯铂酸六水合物(H2PtCl6·6H2O、300mg)及2-丙醇(4.6ml)，在氮气氛围中于室温搅拌20分钟。20分钟后，添加碳酸氢钠(NaHCO3、400mg)，进行搅拌直到不再产生气体，然后，添加1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(20当量、2.16g),在60℃搅拌反应溶液24小时。使反应溶液恢复至室温，添加无水硫酸镁(300mg)并搅拌5分钟。然后，使用乙醚作为溶剂，进行硅藻土过滤，进行浓缩直到溶液量为5g，从而得到铂烯基络合物B的溶液。
(铂烯基络合物C的合成)
向具备回流管的反应烧瓶中，添加氯铂酸六水合物(H2PtCl6·6H2O、300mg)及2-丙醇(4.6ml)，在氮气氛围中于室温搅拌20分钟。20分钟后，添加碳酸氢钠(NaHCO3、400mg)，进行搅拌直到不再产生气体，然后，添加2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基环四硅氧烷(20当量、3.99g),在60℃搅拌反应溶液24小时。使反应溶液恢复至室温，添加无水硫酸镁(300mg)并搅拌5分钟。然后，使用乙醚作为溶剂，进行硅藻土过滤，进行浓缩直到溶液量为5g，从而得到铂烯基络合物C的溶液。
(铂烯基络合物D的合成)
向具备回流管的反应烧瓶中，添加氯铂酸六水合物(H2PtCl6·6H2O、300mg)及2-丙醇(4.6ml)，在氮气氛围中于室温搅拌20分钟。20分钟后，添加碳酸氢钠(NaHCO3、400mg)，进行搅拌直到不再产生气体，然后，添加1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷(5当量、540mg)，在60℃搅拌反应溶液24小时。使反应溶液恢复至室温，添加无水硫酸镁(300mg)并搅拌5分钟。然后，使用乙醚作为溶剂，进行硅藻土过滤，进行浓缩直到溶液量为5g，从而得到铂烯基络合物D的溶液。
(实施例1)
混合聚合物A(10g)、聚合物E(10g)、及铂烯基络合物A的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例2)
混合聚合物A(10g)、聚合物E(10g)、及铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例3)
混合聚合物A(10g)、聚合物E(10g)、及铂烯基络合物C的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例4)
混合聚合物B(10g)、聚合物E(10g)、及铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例5)
混合聚合物C(10g)、聚合物E(10g)、及铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例6)
混合聚合物C(10g)、聚合物E(10g)、铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)、及氧化硅微粒(AEROSIL RY200，利用具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子，比表面积120m2/g，日本AEROSIL公司制造)0.4g，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例7)
混合聚合物C(10g)、聚合物E(10g)、铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)、及氧化硅微粒(AEROSIL R8200，利用具有三甲基甲硅烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子，比表面积140m2/g，日本AEROSIL公司制造)2g，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例8)
混合聚合物C(10g)、聚合物F(10g)、铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)、及氧化硅微粒(AEROSIL RY200，利用具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子，比表面积120m2/g，日本AEROSIL公司制造)0.4g，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例9)
混合聚合物C(10g)、聚合物G(10g)、铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)、及氧化硅微粒(AEROSIL RY200，利用具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子，比表面积120m2/g，日本AEROSIL公司制造)0.4g，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例10)
混合聚合物C(10g)、聚合物H(10g)、铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)、及氧化硅微粒(AEROSIL RY200，利用具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子，比表面积120m2/g，日本AEROSIL公司制造)0.4g，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例11)
混合聚合物D(10g)、聚合物E(10g)、铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)、及氧化硅微粒(AEROSIL RY200，利用具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子，比表面积120m2/g，日本AEROSIL公司制造)0.4g，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例12)
混合聚合物D(10g)、聚合物F(10g)、铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)、及氧化硅微粒(AEROSIL RY200，利用具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子，比表面积120m2/g，日本AEROSIL公司制造)0.4g，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例13)
混合聚合物D(10g)、聚合物G(10g)、铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)、及氧化硅微粒(AEROSIL RY200，利用具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子，比表面积120m2/g，日本AEROSIL公司制造)0.4g，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例14)
混合聚合物D(10g)、聚合物H(10g)、铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)、及氧化硅微粒(AEROSIL RY200，利用具有聚二甲基硅氧烷基的有机硅化合物进行了表面处理的氧化硅粒子，比表面积120m2/g，日本AEROSIL公司制造)0.4g，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例15)
混合聚合物I(10g)、聚合物E(10g)、及铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例16)
混合聚合物J(10g)、聚合物E(10g)、及铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(实施例17)
混合聚合物A(10g)、聚合物K(10g)、及铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(比较例1)
混合聚合物A(10g)、聚合物E(10g)、及铂烯基络合物D的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(比较例2)
混合聚合物A(8g)、聚合物E(12g)、及铂烯基络合物A的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(比较例3)
混合聚合物A(8g)、聚合物E(12g)、及铂烯基络合物B的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(比较例4)
混合聚合物A(8g)、聚合物E(12g)、及铂烯基络合物C的溶液(使密封剂中铂元素的含量为10ppm的量)，进行脱泡，从而得到光半导体装置用密封剂。
(评价)
(光半导体装置的制作)
在带有镀银的铅电极的聚苯二甲酰胺制外罩材料上，利用晶片接合材料安装主发光峰为460nm的发光元件，向由发光元件和铅电极通过金线连接而成的结构中，注入得到的光半导体装置用密封剂，并于150℃加热2小时使其固化，制作了光半导体装置。使用该光半导体装置实施了下述的通电试验、气体腐蚀试验及热冲击试验。
(通电试验)
针对得到的光半导体装置，在23℃的温度下，使用光度测定装置(“OL770”，Optronic Laboratories公司制造)测定了向发光元件流通20mA的电流时的光度(以下，称为“初期光度”)。
然后，在向发光元件流通了20mA的电流的状态下将光半导体装置放置在85℃及相对湿度85RH%气氛的容器(chamber)内，放置500小时。500小时后，在23℃的温度下，使用光度测定装置(“OL770”，Optronic Laboratories公司制造)测定了向发光元件流通20mA的电流时的光度，计算出相对于初期光度的光度的降低率。将光度的降低率低于5%的情况判定为“○○”、将光度的降低率高于5%且低于10%的情况判定为“○”，将高于10%且低于20%的情况判定为“△”、将20%以上的情况判定为“×”。
(变色)
利用肉眼观察通电试验后的样品与通电试验前的样品相比是否出现了变色。
在通电试验前后的样品间，将未发现变色的情况判定为“○”、将仅发现少量变色的情况判定为“△”、将观察到显著变色的情况判定为“×”。
(气体腐蚀试验)
将得到的光半导体装置置于40℃及相对湿度90%RH气氛下的容器(chamber)内，向该容器内填充气体，使得硫化氢气体的浓度为5ppm、二氧化硫气体的浓度为15ppm。分别在填充气体后的24小时后、48小时后、96小时后、168小时后及500小时后，用肉眼观察镀银的铅电极。
将银镀层上未发现变色的情况判定为“○○”，将在银镀层上发现了少量变色为茶褐色的部位的情况判定为“○”，将银镀层基本上完全变色为茶色的情况判定为“△”、将银镀层基本上完全变色为黑色的情况判定为“×”。
(热冲击试验)
使用液槽式热冲击试验机(“TSB-51”，ESPEC公司制造)实施了下述冷热循环试验：将得到的光半导体装置在-50℃下保持5分钟，然后升温至135℃，再在135℃保持5分钟后，降温至-50℃，将上述过程视为1个循环。在500个循环后、1000个循环及1500个循环后分别取出20个样品。
利用立体显微镜(“SMZ-10”，Nikon公司制造)观察样品。针对20个样品的光半导体装置用密封剂，分别就是否产生裂纹、或光半导体装置用密封剂是否从组件或电极上剥离进行了观察，对产生裂纹或剥离的样品的个数(NG数)进行了计数。
结果如下述表1、2所示。此外，在下述表1、2中，“比”表示密封剂中的有机聚硅氧烷的与硅原子键合的烯基的数量相对于密封剂中的有机聚硅氧烷的与硅原子键合的氢原子的数量的比(与硅原子键合的烯基的数量/与硅原子键合的氢原子的数量)。
Figure BDA00002186613600431
Figure BDA00002186613600441

Claims (10)

1.一种光半导体装置用密封剂，其用于光半导体装置，
其中，该密封剂包含：
第1有机聚硅氧烷，其不具有与硅原子键合的氢原子，并且具有与硅原子键合的烯基及与硅原子键合的芳基；
第2有机聚硅氧烷，其具有与硅原子键合的氢原子及与硅原子键合的芳基；以及，
铂的烯基络合物，
所述铂的烯基络合物是通过使氯铂酸六水合物和6当量以上的烯基化合物反应而得到的，且所述烯基化合物为双官能以上，
在密封剂中，所述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的烯基的数量与所述有机聚硅氧烷中与硅原子键合的氢原子的数量之比为1.0以上且2.5以下。
2.根据权利要求1所述的光半导体装置用密封剂，其中，
所述第1有机聚硅氧烷为下述式(1A)或下述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷，
所述第2有机聚硅氧烷为下述式(51A)或下述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷，
通过下述式(X1)求出的、所述第1有机聚硅氧烷中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下，并且
通过下述式(X51)求出的、所述第2有机聚硅氧烷中芳基的含有比例为30摩尔%以上且70摩尔%以下，
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c…式(1A)
上述式(1A)中，a、b及c满足：a/(a+b+c)=0~0.50、b/(a+b+c)=0.40~1.0、以及c/(a+b+c)=0~0.50，R1~R6中的至少一个表示苯基，R1~R6中的至少一个表示烯基，除苯基及烯基之外的R1~R6表示碳原子数1~8的烃基；(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c(R7R8R9R10Si2R11O2/2)d…式(1B)
上述式(1B)中，a、b、c及d满足：a/(a+b+c+d)=0~0.40、b/(a+b+c+d)=0.40~0.99、c/(a+b+c+d)=0~0.50、以及d/(a+b+c+d)=0.01~0.40，R1~R6中的至少一个表示苯基，R1~R6中的至少一个表示烯基，除苯基及烯基之外的R1~R6表示碳原子数1~8的烃基，R7~R10分别表示碳原子数1~8的烃基，R11表示碳原子数1~8的2价烃基；
(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r…式(51A)
上述式(51A)中，p、q及r满足：p/(p+q+r)=0.05~0.50、q/(p+q+r)=0.05~0.50、以及r/(p+q+r)=0.20~0.80，R51~R56中的至少一个表示苯基，R51~R56中的至少一个表示与硅原子直接键合的氢原子，除苯基及与硅原子直接键合的氢原子之外的R51~R56表示碳原子数1~8的烃基；
(R51R52R53SiO1/2)p(R54R55SiO2/2)q(R56SiO3/2)r(R57R58R59R60Si2R61O2/2)s…式(51B)
上述式(51B)中，p、q、r及s满足：p/(p+q+r+s)=0.05~0.50、q/(p+q+r+s)=0.05~0.50、r/(p+q+r+s)=0.20~0.80、以及s/(p+q+r+s)=0.01~0.40，R51~R56中的至少一个表示苯基，R51~R56中的至少一个表示与硅原子直接键合的氢原子，除苯基及与硅原子直接键合的氢原子之外的R51~R56表示碳原子数1~8的烃基，R57~R60分别表示碳原子数1~8的烃基，R61表示碳原子数1~8的2价烃基；
芳基的含有比例(摩尔%)=
(平均组成式以所述式(1A)或所述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷的每一个分子中含有的芳基的平均个数×芳基的分子量/平均组成式以所述式(1A)或所述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷的数均分子量)×100
                                                 …式(X1)；
芳基的含有比例(摩尔%)=
(平均组成式以所述式(51A)或所述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的每一个分子中含有的芳基的平均个数×芳基的分子量/平均组成式以所述式(51A)或所述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷的数均分子量)×100
                                                …式(X51)。
3.根据权利要求2所述的光半导体装置用密封剂，其含有所述式(1B)表示的第1有机聚硅氧烷及所述式(51B)表示的第2有机聚硅氧烷中的至少一种。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，在密封剂中，来自所述铂的烯基络合物的铂元素的含量为1ppm以上且300ppm以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，所述第2有机聚硅氧烷包含下述式(51-a)表示的结构单元，
Figure FDA00002186613500031
…式(51-a)
上述式(51-a)中，R52及R53分别表示氢原子、苯基或碳原子数1~8的烃基。
6.根据权利要求5所述的光半导体装置用密封剂，其中，在所述第2有机硅树脂的全部硅氧烷结构单元100摩尔%中，上述式(51-a)表示的结构单元的比例为5摩尔%以上。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，所述第1有机聚硅氧烷包含二苯基硅氧烷结构单元，所述二苯基硅氧烷结构单元中，在1个硅原子上键合有2个苯基。
8.根据权利要求7所述的光半导体装置用密封剂，其中，在所述第1有机聚硅氧烷的全部硅氧烷结构单元100摩尔%中，二苯基硅氧烷结构单元的比例为30摩尔%以上，所述二苯基硅氧烷结构单元中，在1个硅原子上键合有2个苯基。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的光半导体装置用密封剂，其中，所述第2有机聚硅氧烷包含二苯基硅氧烷结构单元，所述二苯基硅氧烷结构单元中，在1个硅原子上键合有2个苯基。
10.一种光半导体装置，其具有：
光半导体元件，以及
权利要求1~9中任一项所述的光半导体装置用密封剂，设置该光半导体装置用密封剂用来密封所述光半导体元件。
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