JP5469874B2 - 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 - Google Patents
硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5469874B2 JP5469874B2 JP2009025254A JP2009025254A JP5469874B2 JP 5469874 B2 JP5469874 B2 JP 5469874B2 JP 2009025254 A JP2009025254 A JP 2009025254A JP 2009025254 A JP2009025254 A JP 2009025254A JP 5469874 B2 JP5469874 B2 JP 5469874B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- optical semiconductor
- semiconductor element
- component
- average
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 122
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 115
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 101
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims description 87
- 239000000565 sealant Substances 0.000 title claims description 30
- -1 siloxane units Chemical group 0.000 claims description 121
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 82
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 46
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 43
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 42
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 40
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 29
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 24
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims description 19
- HAURRGANAANPSQ-UHFFFAOYSA-N cis-2,4,6-Trimethyl-2,4,6-triphenylcyclotrisiloxane Chemical compound O1[Si](C)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C)(C=2C=CC=CC=2)O[Si]1(C)C1=CC=CC=C1 HAURRGANAANPSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical group C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920006136 organohydrogenpolysiloxane Polymers 0.000 claims description 12
- 229920005645 diorganopolysiloxane polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 239000002685 polymerization catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 5
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 238000011067 equilibration Methods 0.000 claims description 3
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 62
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 57
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 48
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 17
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 15
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 15
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 14
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 7
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 7
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical class C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GKPOMITUDGXOSB-UHFFFAOYSA-N but-3-yn-2-ol Chemical compound CC(O)C#C GKPOMITUDGXOSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000005388 dimethylhydrogensiloxy group Chemical group 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 5
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbut-3-yn-2-ol Chemical compound C#CC(O)(C)C1=CC=CC=C1 KSLSOBUAIFEGLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- DDJSWKLBKSLAAZ-UHFFFAOYSA-N cyclotetrasiloxane Chemical compound O1[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]1 DDJSWKLBKSLAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- KPWVUBSQUODFPP-UHFFFAOYSA-N ethenyl-(ethenyl-methyl-phenylsilyl)oxy-methyl-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)C1=CC=CC=C1 KPWVUBSQUODFPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003988 headspace gas chromatography Methods 0.000 description 2
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- LTFTWJYRQNTCHI-UHFFFAOYSA-N hex-1-yn-3-ol Chemical compound CCCC(O)C#C LTFTWJYRQNTCHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 229920001843 polymethylhydrosiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 2
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGAOHCCAWZICFP-UHFFFAOYSA-N (1,3,5-trimethyl-3,5-diphenylcyclohexyl)benzene Chemical compound CC1(CC(C)(CC(C)(C1)c1ccccc1)c1ccccc1)c1ccccc1 MGAOHCCAWZICFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-3-yn-2-ol Chemical compound CC(C)(O)C#C CEBKHWWANWSNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- HJLARPLSJYOZTN-UHFFFAOYSA-N O1[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH]1C1=CC=CC=C1 Chemical compound O1[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH](C=2C=CC=CC=2)O[SiH]1C1=CC=CC=C1 HJLARPLSJYOZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- JSAYQGVHWNBMNG-UHFFFAOYSA-N bis(2-methylbut-3-yn-2-yloxy)-prop-1-enylsilane Chemical compound CC=C[SiH](OC(C#C)(C)C)OC(C#C)(C)C JSAYQGVHWNBMNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-methyl-trimethylsilyloxysilane Chemical class C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)C=C FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- JJRDHFIVAPVZJN-UHFFFAOYSA-N cyclotrisiloxane Chemical compound O1[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]1 JJRDHFIVAPVZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- RQCQBDUYEHRNPP-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis(2-methylbut-3-yn-2-yloxy)silane Chemical compound C#CC(C)(C)O[Si](C)(C)OC(C)(C)C#C RQCQBDUYEHRNPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- QNIWLEGIGLLHEP-UHFFFAOYSA-N methyl-phenyl-silyloxysilane Chemical compound C[SiH](O[SiH3])c1ccccc1 QNIWLEGIGLLHEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSNQKPMXXVDJFG-UHFFFAOYSA-N tetrasiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH3] RSNQKPMXXVDJFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N triethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC=C)(OCC)OCC UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC=C LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N trisiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]O[SiH3] ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/70—Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
本発明は、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤、および、光半導体装置に関し、詳しくは、屈折率、光透過率および基材に対する接着耐久性が高い硬化物を形成するヒドロシリル化反応硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体素子封止剤、ならびに、光半導体素子が上記光半導体素子封止剤の硬化物により封止されている光半導体装置に関する。
ヒドロシリル化反応により硬化する硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、フォトカプラー、発光ダイオード、固体撮像素子等の光半導体装置における光半導体素子の保護コーティング、封止剤などとして使用されている。このような光半導体素子の保護コーティング、封止剤は、光半導体素子が発光あるいは受光するため、光を吸収したり、散乱したりしないことが要求されている。
そのためフェニル基含有量が大きいオルガノポリシロキサンを使用することにより屈折率と光透過率が高い硬化物を形成するヒドロシリル化反応硬化性オルガノポリシロキサン組成物が特許文献１〜特許文献５に提案されている。
しかし、これらの硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、硬化物の光透過率が必ずしも高くなく、あるいは硬化途上で接触している半導体素子あるいは光半導体素子、リードフレーム、パッケージに対する接着耐久性が乏しく、剥離しやすいという問題点があることに本発明者らは気付いた。また、これらの硬化性オルガノポリシロキサン組成物で被覆ないし封止された半導体素子を具備する半導体装置あるいは光半導体素子を具備する光半導体装置は、接着耐久性が乏しく、信頼性が十分でないという問題点があることに本発明者らは気付いた。
これらの問題を解決する硬化性オルガノポリシロキサン組成物が、特許文献６に開示されているが、ラジカル共重合体系の接着促進剤を必須成分としているので、その硬化物で被覆ないし封止された光半導体素子が高温下で長時間使用されると、その硬化物が黄変し光透過性が低下するという問題点があることに本発明者らは気付いた。
本発明は、屈折率、光透過率が高く、硬化途上で接触していた半導体素子、リードフレーム、パッケージなど各種基材に対する接着耐久性が高い硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物を提供すること；屈折率、光透過率が高く、硬化途上で接触していた光半導体素子、リードフレーム、パッケージなどに対する接着耐久性が高い硬化物を形成する光半導体素子封止剤を提供すること；および光半導体素子、リードフレーム、パッケージなどに対する接着耐久性が高い光半導体素子封止剤で封止され、信頼性が優れる光半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的は、
「[1] (A)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位であるジオルガノポリシロキサン（ただし、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量の合計が５重量％以下である）、
(B)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合有機基のうち１５モル％以上がフェニル基であるオルガノポリシロキサン｛(A)成分中の総アルケニル基のモル数に対して、(B)成分のケイ素原子結合水素原子のモル数が１０〜５００％となる量｝、
および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物を硬化させるのに十分な量）
から少なくともなることを特徴とする、硬化性オルガノポリシロキサン組成物
[2] (A)成分が、平均構造式(1)：
（式中、Meはメチル基、Phはフェニル基であり、Ｒ1はアルケニル基、メチル基またはフェニル基であり、一分子中のＲ1の少なくとも２個はアルケニル基であり、ｎとｍの合計は平均５〜１,０００の数であり、ｍ/ｎが０.２以下である）で表されるジオルガノポリシロキサンであり、(B)成分が、平均構造式(2)：
(式中、Ｒ2は水素原子、メチル基またはフェニル基であり、一分子中のＲ2の少なくとも２個は水素原子であり、水素原子以外のＲ2の１５モル％以上がフェニル基である。ｐは平均０〜１,０００の数である)で示される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン、および、平均シロキサン単位式(3)：Ｒ3 aＨbＳｉＯ(4-a-b)/2
(式中、Ｒ3はメチル基またはフェニル基であり、その１５モル％以上がフェニル基であり、aは平均0.5≦a<2.0の数であり、bは平均0.5≦b<2.0の数であり、a+bは平均1.0≦a+b<2.0の数である)で示される分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンから選択されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンであることを特徴とする、[1]に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
[3] さらに、(A)成分と(B)成分の合計量に対して５０重量％以下の、平均シロキサン単位式(4)：Ｒ4 cＳｉＯ(4-c)/2 （式中、Ｒ4はアルケニル基、メチル基またはフェニル基であり、その２０モル％以上がフェニル基であり、cは 平均0.5〜1.7の正数である。）で示されるメチルフェニルアルケニルポリシロキサンを含有することを特徴とする、[1]または[2]に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
[4] 可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１.５以上であり、光透過率（２５℃）が８０％以上である硬化物を形成することを特徴とする、[1]、[2]または[3]に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。」により達成される。
「[1] (A)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位であるジオルガノポリシロキサン（ただし、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量の合計が５重量％以下である）、
(B)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合有機基のうち１５モル％以上がフェニル基であるオルガノポリシロキサン｛(A)成分中の総アルケニル基のモル数に対して、(B)成分のケイ素原子結合水素原子のモル数が１０〜５００％となる量｝、
および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物を硬化させるのに十分な量）
から少なくともなることを特徴とする、硬化性オルガノポリシロキサン組成物
[2] (A)成分が、平均構造式(1)：
(式中、Ｒ3はメチル基またはフェニル基であり、その１５モル％以上がフェニル基であり、aは平均0.5≦a<2.0の数であり、bは平均0.5≦b<2.0の数であり、a+bは平均1.0≦a+b<2.0の数である)で示される分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンから選択されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンであることを特徴とする、[1]に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
[3] さらに、(A)成分と(B)成分の合計量に対して５０重量％以下の、平均シロキサン単位式(4)：Ｒ4 cＳｉＯ(4-c)/2 （式中、Ｒ4はアルケニル基、メチル基またはフェニル基であり、その２０モル％以上がフェニル基であり、cは 平均0.5〜1.7の正数である。）で示されるメチルフェニルアルケニルポリシロキサンを含有することを特徴とする、[1]または[2]に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
[4] 可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１.５以上であり、光透過率（２５℃）が８０％以上である硬化物を形成することを特徴とする、[1]、[2]または[3]に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。」により達成される。
さらには、
「[5] (A)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位であるジオルガノポリシロキサン（ただし、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量の合計が５重量％以下である）、
(B)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合有機基のうち１５モル％以上がフェニル基であるオルガノポリシロキサン｛(A)成分中の総アルケニル基のモル数に対して、(B)成分のケイ素原子結合水素原子のモル数が１０〜５００％となる量｝、
および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物を硬化させるのに十分な量）
から少なくともなり、可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１.５以上であり、光透過率（２５℃）が８０％以上である硬化物を形成することを特徴とする、光半導体素子封止剤。
[6] (A)成分が、平均構造式(1)：
（式中、Meはメチル基、Phはフェニル基であり、Ｒ1はアルケニル基、メチル基またはフェニル基であり、一分子中のＲ1の少なくとも２個はアルケニル基であり、ｎとｍの合計は平均５〜１,０００の数であり、ｍ/ｎが０.２以下である）で表されるジオルガノポリシロキサンであり、(B)成分が、平均構造式(2)：
(式中、Ｒ2は水素原子、メチル基またはフェニル基であり、一分子中のＲ2の少なくとも２個は水素原子であり、水素原子以外のＲ2の１５モル％以上がフェニル基である。ｐは平均０〜１,０００の数である)で示される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン、および、平均シロキサン単位式(3)：Ｒ3 aＨbＳｉＯ(4-a-b)/2
(式中、Ｒ3はメチル基またはフェニル基であり、その１５モル％以上がフェニル基であり、aは平均0.5≦a<2.0の数であり、bは平均0.5≦b<2.0の数であり、a+bは平均1.0≦a+b<2.0の数である)で示される分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンから選択されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンであることを特徴とする、[5]に記載の光半導体素子封止剤。
[7] さらに、(A)成分と(B)成分の合計量に対して５０重量％以下の、平均シロキサン単位式(4)： Ｒ4 cＳｉＯ(4-c)/2 （式中、Ｒ4はアルケニル基、メチル基またはフェニル基であり、その２０モル％以上がフェニル基であり、cは 平均0.5〜1.7の正数である。）で示されるメチルフェニルアルケニルポリシロキサンを含有することを特徴とする、[5]または[6]に記載の光半導体素子封止剤
「[5] (A)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位であるジオルガノポリシロキサン（ただし、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量の合計が５重量％以下である）、
(B)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合有機基のうち１５モル％以上がフェニル基であるオルガノポリシロキサン｛(A)成分中の総アルケニル基のモル数に対して、(B)成分のケイ素原子結合水素原子のモル数が１０〜５００％となる量｝、
および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物を硬化させるのに十分な量）
から少なくともなり、可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１.５以上であり、光透過率（２５℃）が８０％以上である硬化物を形成することを特徴とする、光半導体素子封止剤。
[6] (A)成分が、平均構造式(1)：
(式中、Ｒ3はメチル基またはフェニル基であり、その１５モル％以上がフェニル基であり、aは平均0.5≦a<2.0の数であり、bは平均0.5≦b<2.0の数であり、a+bは平均1.0≦a+b<2.0の数である)で示される分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンから選択されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンであることを特徴とする、[5]に記載の光半導体素子封止剤。
[7] さらに、(A)成分と(B)成分の合計量に対して５０重量％以下の、平均シロキサン単位式(4)： Ｒ4 cＳｉＯ(4-c)/2 （式中、Ｒ4はアルケニル基、メチル基またはフェニル基であり、その２０モル％以上がフェニル基であり、cは 平均0.5〜1.7の正数である。）で示されるメチルフェニルアルケニルポリシロキサンを含有することを特徴とする、[5]または[6]に記載の光半導体素子封止剤
さらには、
[8] 光半導体素子が、発光半導体素子であることを特徴とする、[5]、[6]または[7]に記載の光半導体素子封止剤。
[9] 発光半導体素子が発光ダイオード素子であることを特徴とする、[8]に記載の光半導体素子封止剤。
[10] 光半導体素子が[5]、[6]または[7]に記載の光半導体素子封止剤の硬化物で封止されていることを特徴とする、光半導体素子を具備する光半導体装置。
[11] 光半導体装置は、筐体内に光半導体素子を具備しており、該光半導体素子は筐体内壁とともに[5]、[6]または[7]に記載の光半導体素子封止剤の硬化物で封止されていることを特徴とする、[10]に記載の光半導体装置。」により達成される。
[8] 光半導体素子が、発光半導体素子であることを特徴とする、[5]、[6]または[7]に記載の光半導体素子封止剤。
[9] 発光半導体素子が発光ダイオード素子であることを特徴とする、[8]に記載の光半導体素子封止剤。
[10] 光半導体素子が[5]、[6]または[7]に記載の光半導体素子封止剤の硬化物で封止されていることを特徴とする、光半導体素子を具備する光半導体装置。
[11] 光半導体装置は、筐体内に光半導体素子を具備しており、該光半導体素子は筐体内壁とともに[5]、[6]または[7]に記載の光半導体素子封止剤の硬化物で封止されていることを特徴とする、[10]に記載の光半導体装置。」により達成される。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、屈折率、光透過率が高く、硬化途上で接触していた各種基材に対する接着耐久性が高い硬化物を形成するという特徴がある。
本発明の光半導体素子封止剤は、屈折率、光透過率が高く、硬化途上で接触していた光半導体素子、リードフレーム、パッケージなどに対する接着耐久性が高い硬化物を形成するという特徴がある。特には、封止した半導体素子、リードフレーム、パッケージなどに冷熱サイクルをかけたときに、接着耐久性が高い硬化物を形成するという特徴がある。
本発明の光半導体装置は、光半導体素子、リードフレーム、パッケージなどが上記光半導体素子封止剤の硬化物により封止されているので、接着耐久性が高く、信頼性が優れるという特徴がある。特には、封止した光半導体装置に冷熱サイクルをかけたときに、接着耐久性が高いという特徴がある。
本発明の光半導体素子封止剤は、屈折率、光透過率が高く、硬化途上で接触していた光半導体素子、リードフレーム、パッケージなどに対する接着耐久性が高い硬化物を形成するという特徴がある。特には、封止した半導体素子、リードフレーム、パッケージなどに冷熱サイクルをかけたときに、接着耐久性が高い硬化物を形成するという特徴がある。
本発明の光半導体装置は、光半導体素子、リードフレーム、パッケージなどが上記光半導体素子封止剤の硬化物により封止されているので、接着耐久性が高く、信頼性が優れるという特徴がある。特には、封止した光半導体装置に冷熱サイクルをかけたときに、接着耐久性が高いという特徴がある。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体素子封止剤は、
少なくとも、(A)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位であるジオルガノポリシロキサン（ただし、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量の合計が５重量％以下である）、
(B)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合有機基のうち１５モル％以上がフェニル基であるオルガノポリシロキサン｛(A)成分中の総アルケニル基のモル数に対して、(B)成分のケイ素原子結合水素原子のモル数が１０〜５００％となる量｝、
および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物を硬化させるのに十分な量）
から少なくともなることを特徴とする。
少なくとも、(A)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位であるジオルガノポリシロキサン（ただし、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量の合計が５重量％以下である）、
(B)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合有機基のうち１５モル％以上がフェニル基であるオルガノポリシロキサン｛(A)成分中の総アルケニル基のモル数に対して、(B)成分のケイ素原子結合水素原子のモル数が１０〜５００％となる量｝、
および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物を硬化させるのに十分な量）
から少なくともなることを特徴とする。
上記組成物および光半導体素子封止剤は、(A)成分中のアルケニル基と(B)成分中のケイ素原子結合水素原子とが、(C)成分の触媒作用によりヒドロシリル化反応することにより架橋して硬化する。そのため、(A)成分1分子中に２個以上のアルケニル基が必要である。アルケニル基は分子鎖末端、分子鎖途中、分子鎖末端と分子鎖途中のいずれに位置してもよい。
(A)成分中のアルケニル基として、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示されるが、(A)成分の合成容易性とヒドロシリル化反応性の点で、ビニル基が好ましい。また、(A)成分は、全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位であるので、ケイ素原子結合有機基はアルケニル基、メチル基およびフェニル基が必須であるが、これら以外にアルキル基（メチル基を除く）などを含有してもよい。このようなアルキル基として、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基が例示される。(A)成分のジオルガノポリシロキサンは直鎖状または環状体を表しているが、その性質を損なわない範囲で部分的に分岐構造を有しても構わない。
(A)成分と(B)成分の架橋硬化物において、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さいことから、(A)成分は全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位である。メチルフェニルシロキサン単位以外のシロキサン単位としてジメチルシロキサン単位、メチルビニルシロキサン単位、ジフェニルシロキサン単位、フェニルビニルシロキサン単位、メチルアルキル（メチル基を除く）シロキサン単位、ジメチルビニルシロキサン単位、トリメチルシロキサン単位、メチルフェニルビニルシロキサン単位が例示される。同様の理由から(A)成分中のケイ素原子結合全有機基は、３５モル％以上がケイ素原子結合フェニル基であることが好ましい。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体素子封止剤の取扱作業性、成形作業性の点で、(A)成分は、常温で液状であることが好ましい。その２５℃における粘度は１０〜１,０００,０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましく、特に、１００〜５０,０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましい。これは、(A)成分の粘度が上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物の機械的強度が低下する傾向があり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる組成物の取扱作業性が低下する傾向があるからである。
このような(A)成分の代表例として、平均構造式(1)：
で表される直鎖状ジオルガノポリシロキサンがある。上式中、Meはメチル基、Phはフェニル基であり、Ｒ1はアルケニル基、メチル基およびフェニル基であり、一分子中のＲ1の少なくとも２個はアルケニル基であり、nとmの合計は平均５〜１,０００の数であり、好ましくは、このジオルガノポリシロキサンの２５℃における粘度が１０〜１,０００,０００ｍＰa・ｓの範囲内となるような数であり、特には、１００〜５０,０００ｍＰa・ｓの範囲内となるような数であり、m/nは０.２以下である。
で表される直鎖状ジオルガノポリシロキサンがある。上式中、Meはメチル基、Phはフェニル基であり、Ｒ1はアルケニル基、メチル基およびフェニル基であり、一分子中のＲ1の少なくとも２個はアルケニル基であり、nとmの合計は平均５〜１,０００の数であり、好ましくは、このジオルガノポリシロキサンの２５℃における粘度が１０〜１,０００,０００ｍＰa・ｓの範囲内となるような数であり、特には、１００〜５０,０００ｍＰa・ｓの範囲内となるような数であり、m/nは０.２以下である。
上記平均構造式において、Ｒ1のアルケニル基として、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示されるが、(A)成分の合成容易性とヒドロシリル化反応性の点で、ビニル基が好ましい。２個のＲ1を有するシロキサン単位は、メチルフェニルシロキサン単位以外の単位であり、ジメチルシロキサン単位、メチルビニルシロキサン単位、ジフェニルシロキサン単位、およびフェニルビニルシロキサン単位から選ばれ、３個のＲ1を有するシロキサン単位は、トリメチルシロキサン単位、ジメチルビニルシロキサン単位、ジメチルフェニルシロキサン単位、およびメチルフェニルビニルシロキサン単位から選ばれる。
(A)成分は、これを含有する組成物および光半導体素子封止剤が硬化途上で接触していた基材への接着耐久性、特には冷熱サイクルを受けたとき接着耐久性の点で、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量の合計が５重量％以下であり、好ましくは３重量％以下であり、さらに好ましくは皆無である。
これら環状物の含有量は、ヘッドスペースガスクロマトグラフィーにより、内部標準としてｎ−ウンデカンを用いて定量分析して求めることができる。すなわち、ｎ−ウンデカンに対する１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの相対強度を、標準サンプルを用いて予め測定しておき、ガスクロマトグラフのピーク強度と試料へのｎ−ウンデカンの添加量から、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンを定量する(以下、同様である)。
このような(A)成分は、環状メチルフェニルシロキサンオリゴマーを分子鎖末端封鎖剤（例えば、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジビニル-1,3-ジフェニルジメチルジシロキサン）と重合触媒（例えば、水酸化カリウム、カリウムジメチルシロキサノレート、水酸化テトラメチルアンモニウムまたはテトラメチルアンモニウムジメチルシロキサレート）存在下で加熱して平衡化重合し、重合触媒を中和または熱分解し、次いで、加熱減圧下で１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンを除去することにより製造することができる。
(B)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合有機基のうち１５モル％以上がフェニル基であるオルガノポリシロキサンは、(A)成分の架橋剤である。そのケイ素原子結合水素原子が、(C)成分の触媒作用により(A)成分中のアルケニル基に付加反応（ヒドロシリル化反応）することにより(A)成分は架橋して硬化する。
(B)成分が(A)成分とヒドロシリル化反応して硬化するためには、ケイ素原子結合水素原子は、1分子中に２個以上存在することが必要であり、好ましくは３個以上存在する。(B)成分の分子構造が直鎖状である場合は、両末端のみ、両末端と側鎖の両方、または、側鎖のみに存在する。(B)成分の分子構造が環状である場合は、ケイ素原子結合水素原子は側鎖のみに存在する。(B)成分の分子構造が分岐状である場合は、ケイ素原子結合水素原子は、末端のみ、側鎖のみ、分岐点、末端と側鎖の両方などに存在する。水素原子は通常同一珪素原子に１個結合しているが、２個結合していてもよい。
(A)成分と(B)成分の架橋硬化物において、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さいことから、(B)成分はケイ素原子結合全有機基の１５モル％以上がケイ素原子結合フェニル基であるが、２５モル％以上、特には４０モル％以上がケイ素原子結合フェニル基であることが好ましい。
もっとも、フェニル基含有量が多すぎると組成物の濁りにより透明性が低下するので８０モル％以下好ましい。
もっとも、フェニル基含有量が多すぎると組成物の濁りにより透明性が低下するので８０モル％以下好ましい。
ケイ素原子結合フェニル基以外のケイ素原子結合有機基は、アルキル基、アラルキル基、フルオロアルキル基が例示されるが、(A)成分との相溶性の点で、アルキル基が好ましい。アルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基が例示されるが、(B)成分の合成容易性と、(A)成分との相溶性の点で、メチル基が特に好ましい。
(B)成分は、少量のケイ素原子結合水酸基またはアルコキシ基を含んでもよい。
(B)成分は、少量のケイ素原子結合水酸基またはアルコキシ基を含んでもよい。
このような(B)成分の分子構造として、直鎖状、分岐した直鎖状、分岐状、環状、籠状、これらの併存構造が例示される。
このような(B)成分は、(A)成分との相溶性の点で、常温で液状であることが好ましい。その粘度は限定されないが、２５℃において１〜１０,０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましく、特に、２〜５，０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましい。これは、(B)成分の粘度が上記範囲の下限未満であると、揮発しやすく、得られる組成物の組成が安定しない恐れがあるからであり、一方、上記範囲の上限を超えるオルガノポリシロキサンは合成が容易でないからである。
このような(B)成分の代表例として、平均構造式(2)：
(式中、Ｒ2は水素原子、メチル基またはフェニル基であり、一分子中のＲ2の少なくとも２個は水素原子であり、水素原子以外のＲ2の１５モル％以上がフェニル基である。ｐは平均０〜１,０００の数である)で示される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン、および、平均シロキサン単位式(3)：Ｒ3 aＨbＳｉＯ(4-a-b)/2
(式中、Ｒ3はメチル基およびフェニル基であり、その１５モル％以上がフェニル基であり、aは平均0.5≦a<2.0の数であり、bは平均0.5≦b<2.0の数であり、a+bは平均1.0≦a+b<2.0の数である)で示される分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンがある。ここで、a+bが2.0から1.0に近づくに従って分岐度合いが増加し、1.7位になると分岐がかなり顕著になる。
(式中、Ｒ2は水素原子、メチル基またはフェニル基であり、一分子中のＲ2の少なくとも２個は水素原子であり、水素原子以外のＲ2の１５モル％以上がフェニル基である。ｐは平均０〜１,０００の数である)で示される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン、および、平均シロキサン単位式(3)：Ｒ3 aＨbＳｉＯ(4-a-b)/2
(式中、Ｒ3はメチル基およびフェニル基であり、その１５モル％以上がフェニル基であり、aは平均0.5≦a<2.0の数であり、bは平均0.5≦b<2.0の数であり、a+bは平均1.0≦a+b<2.0の数である)で示される分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンがある。ここで、a+bが2.0から1.0に近づくに従って分岐度合いが増加し、1.7位になると分岐がかなり顕著になる。
平均構造式(2)で示される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサンは、分子中のＲ2の５０モル％以上がメチル基およびフェニル基であることが好ましく、該メチル基およびフェニル基の１５モル％以上がフェニル基である。もっとも、分子中のＲ2のうち少なくとも２個、好ましくは３個はケイ素原子結合水素原子であるので、分子中のＲ2の１００モル％がメチル基およびフェニル基ということはあり得ない。該メチル基およびフェニル基の１５モル％以上がフェニル基であるが、(A)成分との相溶性の点で、フェニル基は８０モル％以下であることが好ましい。なお、ｐは０〜１０００の数であるので、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサンは、オリゴマー状のものを含む。
平均構造式(2)で示される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサンの好ましい例は、２個または３個以上のケイ素原子結合水素原子を有するメチルフェニルジシロキサン、および、主鎖が直鎖状メチルフェニルポリシロキサン、直鎖状ジフェニルポリシロキサン、直鎖状メチルハイドロジェンシロキサン・メチルフェニルシロキサンコポリマー、または、直鎖状メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサンコポリマーであり；両末端がジメチルハイドロジェンシロキシ基、メチルフェニルハイドロジェンシロキシ基、トリメチルシロキシ基、または、ジメチルフェニルシロキシ基である、直鎖状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサンである。
平均単位式(3)で示される分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンの最も好ましい例は、平均シロキサン単位式： (C6H5SiO3/2)x(MeSiO3/2)y(HMe2SiO1/2)z
(式中、C6H5はフェニル基であり、Meはメチル基であり、ｘは０.３〜０.７であり、ｙは０〜０.３であり、ｚは０.２５〜０.７であり、ｘ＋ｙ+ｚ＝１.０である）で示される分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサンである。
(式中、C6H5はフェニル基であり、Meはメチル基であり、ｘは０.３〜０.７であり、ｙは０〜０.３であり、ｚは０.２５〜０.７であり、ｘ＋ｙ+ｚ＝１.０である）で示される分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサンである。
(B)成分として下記の具体例がある。
式(HMePhSi)2O、(HMe2SiO)2SiPh2、(HMePhSiO)2SiPh2、(HMe2SiO)2SiMePh、HMe2SiO(Ph2SiO)2SiMe2H、HMe2SiO(MePhSiO)2SiMe2H、HMe2SiO(Ph2SiO)4SiMe2H、HMe2SiO(MePhSiO)4SiMe2H、HMe2SiO(MePhSiO)20SiMe2H、HMePhSiO(MePhSiO)20SiMePhH、HMePhSiO(MePhSiO)17(MeHSiO)3SiMePhH、Me2PhSiO(MePhSiO)17(MeHSiO)3SiMe2Ph、(HMe2SiO)3SiPh、(HMePhSiO)3SiPhまたは(HMePhSiO)3SiMeで示されるメチルフェニルハイドロジェンシロキサンオリゴマーもしくは直鎖状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン；(PhSiO3/2)および(Me2HSiO1/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン、(PhSiO3/2),(Me2SiO2/2)および(Me2HSiO1/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン、(PhSiO3/2),(MePhSiO2/2)および(Me2HSiO1/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン、(PhSiO3/2),(MeSiO3/2)および(Me2HSiO1/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン、(PhSiO3/2)および(MeHSiO2/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン、(Me2HSiO1/2),(MePh2SiO1/2)および(SiO4/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン。ここでの分岐状は、網状、籠状、３次元状を含むものであり、いずれも常温で液状であるものが好ましい。
式(HMePhSi)2O、(HMe2SiO)2SiPh2、(HMePhSiO)2SiPh2、(HMe2SiO)2SiMePh、HMe2SiO(Ph2SiO)2SiMe2H、HMe2SiO(MePhSiO)2SiMe2H、HMe2SiO(Ph2SiO)4SiMe2H、HMe2SiO(MePhSiO)4SiMe2H、HMe2SiO(MePhSiO)20SiMe2H、HMePhSiO(MePhSiO)20SiMePhH、HMePhSiO(MePhSiO)17(MeHSiO)3SiMePhH、Me2PhSiO(MePhSiO)17(MeHSiO)3SiMe2Ph、(HMe2SiO)3SiPh、(HMePhSiO)3SiPhまたは(HMePhSiO)3SiMeで示されるメチルフェニルハイドロジェンシロキサンオリゴマーもしくは直鎖状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン；(PhSiO3/2)および(Me2HSiO1/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン、(PhSiO3/2),(Me2SiO2/2)および(Me2HSiO1/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン、(PhSiO3/2),(MePhSiO2/2)および(Me2HSiO1/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン、(PhSiO3/2),(MeSiO3/2)および(Me2HSiO1/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン、(PhSiO3/2)および(MeHSiO2/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン、(Me2HSiO1/2),(MePh2SiO1/2)および(SiO4/2)の各単位からなる分岐状メチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン。ここでの分岐状は、網状、籠状、３次元状を含むものであり、いずれも常温で液状であるものが好ましい。
(B)成分は、置換基、構成シロキサン単位、重合度、粘度などの異なる２種以上を併用してもよい。
(B)成分は、定法である共加水分解縮合反応や、平衡化重合反応により製造される。
(B)成分は、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量は５重量％以下であることが好ましく、３重量％以下であることがより好ましく、皆無であることが最も好ましい。
(B)成分は、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量は５重量％以下であることが好ましく、３重量％以下であることがより好ましく、皆無であることが最も好ましい。
(B)成分の配合量は、本発明組成物および光半導体素子封止剤中の(A)成分の総アルケニル基のモル数に対して、(B)成分のケイ素原子結合水素原子のモル数が１０〜５００％となる量であり、好ましくは、５０〜２００％となる量である。本発明組成物が後述する(D)成分を含有する場合は、(A)成分のアルケニル基と(D)成分のアルケニル基の合計モル数に対して、(B)成分のケイ素原子結合水素原子のモル数が１０〜５００％となる量であり、好ましくは５０〜３００％となる量であり、さらに好ましくは８０〜２００％となる量である。
これは、(B)成分の配合量が上記範囲の下限未満であると、得られる組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる硬化物の耐熱性が低下する傾向があるからである。
これは、(B)成分の配合量が上記範囲の下限未満であると、得られる組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる硬化物の耐熱性が低下する傾向があるからである。
(C)成分のヒドロシリル化反応用触媒は、(A)成分中のアルケニル基と(B)成分中のケイ素原子結合水素原子のヒドロシリル化反応を促進するための触媒である。このような(C)成分は、白金族元素触媒、白金族元素化合物触媒が好ましく、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示される。(A)成分と(B)成分のヒドロシリル化反応、ひいては本発明組成物の硬化を著しく促進できることから白金系触媒が好ましい。
この白金系触媒としては、白金微粉末、白金黒、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール変性物、塩化白金酸とジオレフィンの錯体、白金−オレフィン錯体、白金ビス（アセトアセテート）,白金ビス（アセチルアセトネート）などの白金−カルボニル錯体、塩化白金酸・ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体、塩化白金酸・テトラビニルテトラメチルシクロテトラシロキサン錯体などの塩化白金酸・アルケニルシロキサン錯体、白金・ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体, 白金・テトラビニルテトラメチルシクロテトラシロキサン錯体などの白金・アルケニルシロキサン錯体、塩化白金酸とアセチレンアルコール類との錯体が例示されるが、ヒドロシリル化反応性能の点で、白金−アルケニルシロキサン錯体が特に好ましい。
そのためのアルケニルシロキサンとして、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのメチル基の一部をエチル基、フェニル基等で置換したアルケニルシロキサンオリゴマー、これらのアルケニルシロキサンのビニル基をアリル基、ヘキセニル基等で置換したアルケニルシロキサンオリゴマーが例示される。特に、生成する白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性が良好であることから、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサンが好ましい。
また、これらの白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性を向上させるため、これらの白金−アルケニルシロキサン錯体は、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジアリル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジビニル−１,３−ジメチル−１,３−ジフェニルジシロキサン、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラフェニルジシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等のアルケニルシロキサンオリゴマーやジメチルシロキサンオリゴマー等のオルガノシロキサンオリゴマーに溶解していることが好ましく、特にアルケニルシロキサンオリゴマーに溶解していることが好ましい。
(C)成分の配合量は、本発明組成物および光半導体素子封止剤の硬化を促進する量であれば限定されず、具体的には、本発明組成物に対して、本成分中の白金族金属原子、特には白金原子が重量単位で０.０１〜５００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、さらには、０.０１〜１００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特には、０.１〜５０ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。これは、(C)成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、本発明組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる硬化物に着色等の問題を生じるおそれがあるからである。
本発明組成物および光半導体素子封止剤には、その硬化物の強度向上や、弾性率向上のために、(D)分岐状アルケニル基含有メチルフェニルポリシロキサンを配合してもよい。
そのような分岐状アルケニル基含有メチルフェニルポリシロキサン(D)は、平均単位式(4)：Ｒ4 cＳｉＯ(4-c)/2 （式中、Ｒ4はアルケニル基、メチル基またはフェニル基であり、その２０モル％以上がフェニル基であり、cは 平均0.5〜1.7の正数である。）で示すことができる。
上記平均単位式(4)中のcが平均0.5〜1.7であるので、その分子構造は分岐状、網状、籠状および３次元状のいずれか、または、これらの共存する分子構造である。
平均単位式(4)で示される分岐状アルケニル基含有メチルフェニルポリシロキサンを構成するシロキサン単位として、トリオルガノシロキサン単位（略称M単位）、ジオルガノシロキサン単位（略称D単位）、モノオルガノシロキサン単位（略称T単位）およびSiO4/2単位（略称Q単位）がある。
そのような分岐状アルケニル基含有メチルフェニルポリシロキサン(D)は、平均単位式(4)：Ｒ4 cＳｉＯ(4-c)/2 （式中、Ｒ4はアルケニル基、メチル基またはフェニル基であり、その２０モル％以上がフェニル基であり、cは 平均0.5〜1.7の正数である。）で示すことができる。
上記平均単位式(4)中のcが平均0.5〜1.7であるので、その分子構造は分岐状、網状、籠状および３次元状のいずれか、または、これらの共存する分子構造である。
平均単位式(4)で示される分岐状アルケニル基含有メチルフェニルポリシロキサンを構成するシロキサン単位として、トリオルガノシロキサン単位（略称M単位）、ジオルガノシロキサン単位（略称D単位）、モノオルガノシロキサン単位（略称T単位）およびSiO4/2単位（略称Q単位）がある。
モノオルガノシロキサン単位としてR 4 SiO 3/2単位があり、MeSiO3/2単位、PhSiO3/2単位、Vi SiO3/2単位が例示される。
ジオルガノシロキサン単位としてR 4 2 SiO 2/2単位があり、MePhSiO2/2単位、Me2SiO2/2単位、MeViSiO2/2単位、Ph2SiO2/2単位が例示される。
トリオルガノシロキサン単位としてR 4 3 SiO 1/2 単位があり、Me3SiO1/2単位、Me2PhSiO1/2単位、MeViPhSiO1/2単位、MeVi2SiO1/2単位が例示される。ここでMeはメチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を意味する。
さらには、上記シロキサン単位中のR基の一つがOH基に置換されたシロキサン単位、例えば、R 4 (HO)SiO 2/2 単位、R 4 2 (HO)SiO 1/2 単位、(HO)SiO3/2単位がありえる。
ジオルガノシロキサン単位としてR 4 2 SiO 2/2単位があり、MePhSiO2/2単位、Me2SiO2/2単位、MeViSiO2/2単位、Ph2SiO2/2単位が例示される。
トリオルガノシロキサン単位としてR 4 3 SiO 1/2 単位があり、Me3SiO1/2単位、Me2PhSiO1/2単位、MeViPhSiO1/2単位、MeVi2SiO1/2単位が例示される。ここでMeはメチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を意味する。
さらには、上記シロキサン単位中のR基の一つがOH基に置換されたシロキサン単位、例えば、R 4 (HO)SiO 2/2 単位、R 4 2 (HO)SiO 1/2 単位、(HO)SiO3/2単位がありえる。
(D)成分の好ましい例として、平均シロキサン単位式：
(C6H5SiO3/2)x(MeSiO3/2)y(ViMe2SiO1/2)z
(式中、C6H5はフェニル基であり、Viはビニル基であり、Meはメチル基であり、ｘは０.３〜０.７であり、ｙは０〜０.３であり、ｚは０.２５〜０.７であり、ｘ＋ｙ+ｚ＝１.０である）で示される分岐状メチルフェニルビニルポリシロキサン、平均シロキサン単位式：(ViMeC6H5SiO1/2)x(SiO4/2)y (式中、C6H5はフェニル基であり、Viはビニル基であり、Meはメチル基であり、x/ｙ=０.７５〜４である）で示される分岐状メチルフェニルビニルポリシロキサンがある。
(C6H5SiO3/2)x(MeSiO3/2)y(ViMe2SiO1/2)z
(式中、C6H5はフェニル基であり、Viはビニル基であり、Meはメチル基であり、ｘは０.３〜０.７であり、ｙは０〜０.３であり、ｚは０.２５〜０.７であり、ｘ＋ｙ+ｚ＝１.０である）で示される分岐状メチルフェニルビニルポリシロキサン、平均シロキサン単位式：(ViMeC6H5SiO1/2)x(SiO4/2)y (式中、C6H5はフェニル基であり、Viはビニル基であり、Meはメチル基であり、x/ｙ=０.７５〜４である）で示される分岐状メチルフェニルビニルポリシロキサンがある。
本発明組成物および光半導体素子封止剤において、(D)成分を配合する場合には、(D)成分の配合量は、(A)成分と(B)成分の合計量に対して５０重量％以下となる量であることが好ましく、４０重量％以下となる量であることがより好ましい。これは、(D)成分の配合量が上記範囲の上限を超えると、得られる組成物の硬化性が低下したり、また、硬化して得られる硬化物の基材に対する接着性が低下する傾向があるからである。
本発明組成物および光半導体素子封止剤には、常温での可使時間を延長し、保存安定性を向上させるため、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３,５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３,５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン等のメチルアルケニルシロキサンオリゴマー；ジメチルビス（３−メチル−１−ブチン−３−オキシ）シラン、メチルビニルビス（３−メチル−１−ブチン−３−オキシ）シラン等のアルキンオキシシラン；ベンゾトリアゾール等のヒドロシリル化反応抑制剤を配合することが好ましい。
このヒドロシリル化反応抑制剤の配合量は、(A)成分と(B)成分と(C)成分の混合時にゲル化ないし硬化を抑制するのに十分な量であり、さらには長期間保存可能とするのに十分な量である。(A)成分と(B)成分の合計１００重量部に対して０.０００１〜５重量部の範囲内であることが好ましく、０.０１〜３重量部の範囲内であることがより好ましい。
また、本発明組成物および光半導体素子封止剤には、硬化途上で接触していた基材への接着性を更に向上させるため接着性付与剤ないし接着促進剤（以下、「接着促進剤」という）を配合することができる。この接着促進剤は、ヒドロシリル化反応硬化性オルガノポリシロキサン組成物用に公知な有機珪素化合物系の接着促進剤が好ましい。
代表例として、トリアルコキシシロキシ基（例えば、トリメトキシシロキシ基、トリエトキシシロキシ基）もしくはトリアルコキシシリルアルキル基（例えば、トリメトキシシリルエチル基、トリエトキシシリルエチル基）と「ヒドロシリル基、ケイ素原子に結合したアルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基）、ケイ素原子に結合したメタクリロキシアルキル基（例えば、３−メタクリロキシプロピル基）、ケイ素原子に結合したエポキシ基結合アルキル基（例えば、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチル基、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)プロピル基）」からなる群から選択される官能基を有する、オルガノシランまたはケイ素原子数４〜２０程度の直鎖状構造、分岐状構造又は環状構造のオルガノシロキサンオリゴマー；アミノアルキルトリアルコキシシランとエポキシ基結合アルキルトリアルコキシシランの反応物、エポキシ基含有エチルポリシリケートがある。
具体例として、ビニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ハイドロジェントリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランと３−アミノプロピルトリエトキシシランの反応物、シラノール基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの縮合反応物、シラノール基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマーと３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランの縮合反応物、トリス（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレートがある。
これら接着促進剤は、硬化物が加熱下で長時間使用されたときの耐黄変性と光透過性低下防止の観点より、アミノ基などの活性窒素原子を含有しないものが好ましい。これら接着促進剤は、低粘度の液状であることが好ましく、２５℃において１〜５００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましい。
上記組成物および光半導体素子封止剤における、これら接着促進剤の配合量は、硬化特性と硬化物の特性を阻害しなければ限定されないが、(A)成分と(B)成分の合計１００重量部に対して０.０１〜１０重量部の範囲内であることが好ましく、０.１〜５重量部の範囲内であることがより好ましい。
上記組成物および光半導体素子封止剤における、これら接着促進剤の配合量は、硬化特性と硬化物の特性を阻害しなければ限定されないが、(A)成分と(B)成分の合計１００重量部に対して０.０１〜１０重量部の範囲内であることが好ましく、０.１〜５重量部の範囲内であることがより好ましい。
本発明組成物および光半導体素子封止剤には、本発明の目的を損なわない限り、その他任意の成分として、シリカ、ガラス、アルミナ、酸化亜鉛等の無機質充填剤；シリコーンゴム粉末；シリコーン樹脂、ポリメタクリレート樹脂等の樹脂粉末；耐熱剤、染料、顔料、難燃性付与剤、溶剤等を配合してもよい。
本発明組成物および光半導体素子封止剤は、成形性の点で、常温で液状であることが好ましく、２５℃における粘度が１０〜１,０００,０００ｍＰa・ｓの範囲内であり、特には、１００〜５０,０００ｍＰa・ｓの範囲内であることが好ましい。
本発明組成物は、前記(A)成分と(B)成分を主剤とするので、その硬化物は必然的に可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が大きく、光透過率が高い。その硬化物の可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１.５以上であることが好ましい。本発明組成物の硬化物の光透過率（２５℃）は８０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。
本発明の光半導体素子封止剤は、その硬化物の可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１.５以上であり、硬化物の光透過率（２５℃）は８０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。
これは、硬化物の屈折率が１.５未満であったり、光透過率が８０％未満であるような硬化物により封止された光半導体素子を有する光半導体装置、特には発光ダイオード素子を有する発光ダイオード装置に十分な信頼性を付与することができなくなるおそれがあるからである。
本発明の光半導体素子封止剤は、その硬化物の可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１.５以上であり、硬化物の光透過率（２５℃）は８０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。
これは、硬化物の屈折率が１.５未満であったり、光透過率が８０％未満であるような硬化物により封止された光半導体素子を有する光半導体装置、特には発光ダイオード素子を有する発光ダイオード装置に十分な信頼性を付与することができなくなるおそれがあるからである。
なお、この屈折率は、例えば、アッベ式屈折率計により測定することができる。この際、アッベ式屈折率計における光源の波長を変えることにより任意の波長における屈折率を測定することができる。また、この光透過率は、例えば、硬化物について光路長０.２ｃｍで波長４５０ｎｍにおける光透過率（２５℃）分光光度計により測定することにより求めることができる。
本発明組成物および光半導体素子封止剤は、室温放置や、加熱により硬化が進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが好ましい。この加熱温度は、５０〜２００℃の範囲内であることが好ましい。
このような本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体素子封止剤は、接着促進剤を含有しなくてもスチール、ステンレススチール、アルミニウム、銅、銀、チタン、チタン合金等の金属；シリコン半導体、ガリウムリン系半導体、ガリウム砒素系半導体、ガリウムナイトライド系半導体などの半導体素子；セラミック、ガラス、熱硬化性樹脂、極性基を有する熱可塑性樹脂などに対する初期接着性、接着耐久性、特には冷熱サイクルを受けたとき接着耐久性が優れている。本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤などとして有用である。特に、屈折率と光透過率が高いことから、光半導体素子、光半導体装置の封止剤（ポッティング剤、エンキャプシュラント、保護コーティング剤、アンダーフィル剤を含む）、接着剤(ダイボンディング剤を含む)などとして好適である。
次に、本発明の光半導体装置について詳細に説明する。
本発明の光半導体装置は、光半導体素子、特には筺体内の光半導体素子が上記の光半導体素子封止剤の硬化物により封止されていることを特徴とする。この光半導体素子としては、具体的には、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子、半導体レーザ素子、有機ＥＬ、フォトダイオード素子、フォトトランジスタ素子、固体撮像素子、フォトカプラー用発光素子と受光素子が例示される。
上記の光半導体素子封止剤の硬化物の屈折率と光透過率が高いことから、光半導体素子は好ましくは発光ダイオード（ＬＥＤ）素子である。
本発明の光半導体装置は、光半導体素子、特には筺体内の光半導体素子が上記の光半導体素子封止剤の硬化物により封止されていることを特徴とする。この光半導体素子としては、具体的には、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子、半導体レーザ素子、有機ＥＬ、フォトダイオード素子、フォトトランジスタ素子、固体撮像素子、フォトカプラー用発光素子と受光素子が例示される。
上記の光半導体素子封止剤の硬化物の屈折率と光透過率が高いことから、光半導体素子は好ましくは発光ダイオード（ＬＥＤ）素子である。
そのための筐体は、本発明の光半導体素子封止剤が接着容易である金属、セラミック、熱硬化性樹脂、極性基を有する熱可塑性樹脂などの材料製であることが好ましく、形状や構造は限定されない。
金属としてステンレススチール、アルミニウム、デュラルミンが例示され、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂が例示され、極性基を有する熱可塑性樹脂としてポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ＡＢＳ樹脂、液晶性ポリマーが例示される。
金属としてステンレススチール、アルミニウム、デュラルミンが例示され、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂が例示され、極性基を有する熱可塑性樹脂としてポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ＡＢＳ樹脂、液晶性ポリマーが例示される。
本発明の光半導体素子封止剤は、筺体内の光半導体素子と該筐体内壁の両方に接する状態で硬化していることが好ましい。
該光半導体素子封止剤の硬化物の可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）、光透過率（２５℃）は、前記したとおりである。
該光半導体素子封止剤の硬化物の可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）、光透過率（２５℃）は、前記したとおりである。
本発明の光半導体装置としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）装置、フォトカプラー、ＣＣＤ、半導体レーザ装置、光検波器、光導波管、光導波形変調器、光集積回路が例示される。
特に、屈折率と光透過率が高いことから、好ましくは、発光ダイオード（ＬＥＤ）装置である。
特に、屈折率と光透過率が高いことから、好ましくは、発光ダイオード（ＬＥＤ）装置である。
本発明の光半導体装置の代表例である単体の表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａの断面図を図１に示した。図１で示される発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａは、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂製筐体１内のダイパッド６上に発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２がダイボンディングされ、この発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２とインナーリード３とがボンディングワイヤ４によりワイヤボンディングされている。この発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２は本発明の光半導体素子封止剤の硬化物５により該筐体内壁とともに封止されている。
図１で示される表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａを製造するには、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂製筐体１内の発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２をダイパッド６上にダイボンディングし、この発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２とインナーリード３とを金製のボンディングワイヤ４によりワイヤボンドする。次いで、該筐体１内に本発明の光半導体素子封止剤を注入した後、望ましくは脱泡後に５０〜２００℃に加熱することにより硬化させる。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置を、実施例と比較例により詳細に説明する。なお、実施例と比較例中の粘度は２５℃において測定した値である。また、実施例と比較例中のＭｅ、ＰｈおよびＶｉはそれぞれ、メチル基、フェニル基およびビニル基を表している。硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤およびその硬化物の諸特性を次のようにして測定し、結果を表１に示した。また、光半導体素子封止剤を使用して表面実装型の発光ダイオード（ＬＥＤ）装置を作製し、硬化物の剥離率を次のようにして評価し、表２に示した。なお、硬化性オルガノポリシロキサン組成物は光半導体素子封止剤を意味することがあるが、単に「硬化性オルガノポリシロキサン組成物」と表示した。
[１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量]
硬化性オルガノポリシロキサン組成物中の１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量は、ヘッドスペースガスクロマトグラフィーにより、内部標準としてｎ−ウンデカンを用いて定量分析して求めた。すなわち、予め、ｎ−ウンデカンに対する１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの相対強度を、標準サンプルを用いて測定しておき、ガスクロマトグラフのピーク強度と試料へのｎ−ウンデカンの添加量から、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンを定量した。
硬化性オルガノポリシロキサン組成物中の１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量は、ヘッドスペースガスクロマトグラフィーにより、内部標準としてｎ−ウンデカンを用いて定量分析して求めた。すなわち、予め、ｎ−ウンデカンに対する１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの相対強度を、標準サンプルを用いて測定しておき、ガスクロマトグラフのピーク強度と試料へのｎ−ウンデカンの添加量から、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンを定量した。
定量は、サンプルを専用の２０ｍｌバイアル瓶に約２ｇ秤量し、密封後、アジレントテクノロジー社製のヘッドスペースサンプラーＧ１８８８にて１５０℃×３時間加熱後、アジレントテクノロジー社製のキャピラリーガスクロマトグラフ（使用カラム：Ｊ＆Ｗ サイエンティフィック社製ＤＢ−５、カラム長３０ｍ、カラム内径０.２５ｍｍ、液相厚０.２５μｍ）により行った。カラム温度は４０℃で５分間保持後に毎分１０℃にて２５０℃まで昇温後、５分間保持した。検出器には水素炎イオン化式検出器（ＦＩＤ）を採用した。
［硬化性オルガノポリシロキサン組成物の屈折率］
硬化性オルガノポリシロキサン組成物の屈折率を、アッベ式屈折率計を用いて２５℃で測定した。なお、光源として、可視光(５８９ｎｍ)を用いた。
［硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物の光透過率］
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を２枚のガラス板間に入れ１５０℃で１時間保持して硬化させた。硬化物（光路長０.２ｃｍ）の光透過率を、可視光（波長４００ｎｍ〜７００ｎｍ）の範囲において任意の波長で測定できる自記分光光度計を用いて２５℃で測定した。ガラス板込みの光透過率とガラス板のみの光透過率を測定して、その差を硬化物の光透過率とした。なお、表１には波長４５０ｎｍにおける光透過率を記載した。
硬化性オルガノポリシロキサン組成物の屈折率を、アッベ式屈折率計を用いて２５℃で測定した。なお、光源として、可視光(５８９ｎｍ)を用いた。
［硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物の光透過率］
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を２枚のガラス板間に入れ１５０℃で１時間保持して硬化させた。硬化物（光路長０.２ｃｍ）の光透過率を、可視光（波長４００ｎｍ〜７００ｎｍ）の範囲において任意の波長で測定できる自記分光光度計を用いて２５℃で測定した。ガラス板込みの光透過率とガラス板のみの光透過率を測定して、その差を硬化物の光透過率とした。なお、表１には波長４５０ｎｍにおける光透過率を記載した。
［硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物の硬さ］
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１５０℃で１時間プレス成形することによりシート状硬化物を作製した。このシート状硬化物の硬さをＪＩＳ Ｋ６２５３に規定されるタイプＡデュロメータにより測定した。
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１５０℃で１時間プレス成形することによりシート状硬化物を作製した。このシート状硬化物の硬さをＪＩＳ Ｋ６２５３に規定されるタイプＡデュロメータにより測定した。
［硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物のポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂板への接着力］
２枚のポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂板（幅２５ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）間にポリテトラフルオロエチレン樹脂製スペーサ（幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）を挟み込み、その隙間に硬化性オルガノポリシロキサン組成物を充填し、クリップで留め、１５０℃の熱風循環式オーブン中に１時間保持して硬化させた。室温に冷却後、クリップとスペーサを外して引張試験機により該ポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂板を水平反対方向に引張って、硬化物の破壊時の応力を測定した。
２枚のポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂板（幅２５ｍｍ、長さ５０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）間にポリテトラフルオロエチレン樹脂製スペーサ（幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）を挟み込み、その隙間に硬化性オルガノポリシロキサン組成物を充填し、クリップで留め、１５０℃の熱風循環式オーブン中に１時間保持して硬化させた。室温に冷却後、クリップとスペーサを外して引張試験機により該ポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂板を水平反対方向に引張って、硬化物の破壊時の応力を測定した。
［硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物のアルミニウム板への接着力］
２枚のアルミニウム板（幅２５ｍｍ、長さ７５ｍｍ、厚さ１ｍｍ）間にポリテトラフルオロエチレン樹脂製スペーサ（幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）を挟み込み、その隙間に硬化性オルガノポリシロキサン組成物を充填し、クリップで留め、１５０℃の熱風循環式オーブン中に１時間保持して硬化させた。室温に冷却後、クリップとスペーサを外して引張試験機により該アルミニウム板を水平反対方向に引張って、硬化物の破壊時の応力を測定した。
２枚のアルミニウム板（幅２５ｍｍ、長さ７５ｍｍ、厚さ１ｍｍ）間にポリテトラフルオロエチレン樹脂製スペーサ（幅１０ｍｍ、長さ２０ｍｍ、厚さ１ｍｍ）を挟み込み、その隙間に硬化性オルガノポリシロキサン組成物を充填し、クリップで留め、１５０℃の熱風循環式オーブン中に１時間保持して硬化させた。室温に冷却後、クリップとスペーサを外して引張試験機により該アルミニウム板を水平反対方向に引張って、硬化物の破壊時の応力を測定した。
［表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置の作製］
底部が塞がった円筒状のポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂製筐体１（内径２.０ｍｍ、深さ１.０ｍｍ）の内底部の中心部に向かってインナーリード３が側壁から延出しており、ダイパッド６上に発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２がダイボディングされており、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２とインナーリード３はボンディングワイヤ４により電気的に接続している発光ダイオード（ＬＥＤ）装置前駆体の、該筐体１内に、各実施例または各比較例の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を脱泡しディスペンサーを用いて注入し、加熱オーブン中、１００℃で３０分間、続いて１５０℃で１時間加熱して、該組成物を硬化させることにより、各々１６個の図１に示す表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａを作製した。
底部が塞がった円筒状のポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂製筐体１（内径２.０ｍｍ、深さ１.０ｍｍ）の内底部の中心部に向かってインナーリード３が側壁から延出しており、ダイパッド６上に発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２がダイボディングされており、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２とインナーリード３はボンディングワイヤ４により電気的に接続している発光ダイオード（ＬＥＤ）装置前駆体の、該筐体１内に、各実施例または各比較例の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を脱泡しディスペンサーを用いて注入し、加熱オーブン中、１００℃で３０分間、続いて１５０℃で１時間加熱して、該組成物を硬化させることにより、各々１６個の図１に示す表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａを作製した。
［硬化物の初期剥離率］
上記表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａ１６個について、該筐体１の内壁と該組成物の硬化物間の剥離状態を光学顕微鏡で観察し、剥離した個数/１６個を剥離率とした。
上記表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａ１６個について、該筐体１の内壁と該組成物の硬化物間の剥離状態を光学顕微鏡で観察し、剥離した個数/１６個を剥離率とした。
［恒温恒湿保持後の剥離率］
上記表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａ１６個を３０℃／７０ＲＨ％の空気中に７２時間保持した後、室温（２５℃）下に戻して、該筐体１の内壁、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２の表面、インナーリード３の表面、ボンディングワイヤ４の表面と該組成物の硬化物間の剥離状態を光学顕微鏡で観察し、剥離した個数/１６個を剥離率とした。
上記表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａ１６個を３０℃／７０ＲＨ％の空気中に７２時間保持した後、室温（２５℃）下に戻して、該筐体１の内壁、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２の表面、インナーリード３の表面、ボンディングワイヤ４の表面と該組成物の硬化物間の剥離状態を光学顕微鏡で観察し、剥離した個数/１６個を剥離率とした。
［２８０℃/３０秒間保持後の剥離率］
上記恒温恒湿保持後の表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａ１６個を２８０℃のオーブン内に３０秒間置いた後、室温（２５℃）に戻して、該筐体１の内壁、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２の表面、インナーリード３の表面、ボンディングワイヤ４の表面と該組成物の加熱硬化物間の剥離状態を光学顕微鏡で観察し、剥離した個数/１６個を剥離率とした。
上記恒温恒湿保持後の表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａ１６個を２８０℃のオーブン内に３０秒間置いた後、室温（２５℃）に戻して、該筐体１の内壁、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２の表面、インナーリード３の表面、ボンディングワイヤ４の表面と該組成物の加熱硬化物間の剥離状態を光学顕微鏡で観察し、剥離した個数/１６個を剥離率とした。
［熱衝撃サイクル後の剥離率］
上記２８０℃/３０秒間保持後の表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａ１６個を、−４０℃に３０分間保持した後、＋１００℃に３０分間保持し、この温度サイクル（−４０℃〜＋１００℃）を合計５回繰り返した後、室温（２５℃）に戻して、該筐体１の内壁、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２の表面、インナーリード３の表面、ボンディングワイヤ４の表面と該組成物の硬化物間の剥離状態を光学顕微鏡で観察し、剥離した個数/１６個を剥離率とした。
上記２８０℃/３０秒間保持後の表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａ１６個を、−４０℃に３０分間保持した後、＋１００℃に３０分間保持し、この温度サイクル（−４０℃〜＋１００℃）を合計５回繰り返した後、室温（２５℃）に戻して、該筐体１の内壁、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ２の表面、インナーリード３の表面、ボンディングワイヤ４の表面と該組成物の硬化物間の剥離状態を光学顕微鏡で観察し、剥離した個数/１６個を剥離率とした。
［実施例１］
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,５００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝１.４８重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４４.７モル％、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝２.７重量％）８６.７重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.4（ＨＭｅ2ＳiＯ1/2）0.6
で表される分岐状のメチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン（粘度＝７００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.６５重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝２５モル％）３.０重量部、
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン（粘度＝１１５ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５５.６モル％）１０.３重量部、
白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度１,５００ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,５００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝１.４８重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４４.７モル％、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝２.７重量％）８６.７重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.4（ＨＭｅ2ＳiＯ1/2）0.6
で表される分岐状のメチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン（粘度＝７００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.６５重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝２５モル％）３.０重量部、
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン（粘度＝１１５ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５５.６モル％）１０.３重量部、
白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度１,５００ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いて表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａを作製し、信頼性評価を行った。これらの結果を表２に示した。
［実施例２］
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,５００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝１.４８重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４４.７モル％、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝２.７重量％）８５.９重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.6（ＨＭｅ2ＳiＯ1/2）0.4
で表される分岐状のメチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン（粘度＝２,４００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３８重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４２.９モル％）１４.１重量部、
白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度２,１３０ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,５００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝１.４８重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４４.７モル％、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝２.７重量％）８５.９重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.6（ＨＭｅ2ＳiＯ1/2）0.4
で表される分岐状のメチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン（粘度＝２,４００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３８重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４２.９モル％）１４.１重量部、
白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度２,１３０ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いて表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａを作製し、信頼性評価を行った。これらの結果を表２に示した。
［実施例３］
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,５００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝１.４８重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４４.７モル％、１,３,５−トリメチル−１，３，５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１，３，５，７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝２.７重量％）５５.８重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.75(ＶｉＭｅ2ＳiＯ1/2)0.25
で表される分岐状のメチルビニルフェニルポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝５.６２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％｝２０.０重量部、
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン（粘度＝１１５ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５５.６モル％）２４.２重量部、
白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度２,１６０ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,５００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝１.４８重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４４.７モル％、１,３,５−トリメチル−１，３，５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１，３，５，７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝２.７重量％）５５.８重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.75(ＶｉＭｅ2ＳiＯ1/2)0.25
で表される分岐状のメチルビニルフェニルポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝５.６２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％｝２０.０重量部、
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン（粘度＝１１５ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５５.６モル％）２４.２重量部、
白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度２,１６０ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いて表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａを作製し、信頼性評価を行った。これらの結果を表２に示した。
［比較例１］
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,２００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝１.３７重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４４.９モル％、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝１０.０重量％）８８.１重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.4（ＨＭｅ2ＳiＯ1/2）0.6
で表される分岐状のメチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン（粘度＝７００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.６５重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝２５モル％）３.６重量部、
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン（粘度＝１１５ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５５.６モル％）８.３重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度１,２８０ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,２００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝１.３７重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４４.９モル％、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝１０.０重量％）８８.１重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.4（ＨＭｅ2ＳiＯ1/2）0.6
で表される分岐状のメチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン（粘度＝７００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.６５重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝２５モル％）３.６重量部、
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン（粘度＝１１５ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５５.６モル％）８.３重量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度１,２８０ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いて表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａを作製し、信頼性評価を行った。これらの結果を表２に示した。
［比較例２］
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,０５０ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝１.２３重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４５.３モル％、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝１９.４重量％）８６.０重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.6（ＨＭｅ2ＳiＯ1/2）0.4
で表される分岐状のメチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン（粘度＝２,４００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３８重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４２.９モル％）１４.０重量部、
白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度１,６５０ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,０５０ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝１.２３重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４５.３モル％、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝１９.４重量％）８６.０重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.6（ＨＭｅ2ＳiＯ1/2）0.4
で表される分岐状のメチルフェニルハイドロジェンポリシロキサン（粘度＝２,４００ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３８重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４２.９モル％）１４.０重量部、
白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度１,６５０ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いて表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａを作製し、信頼性評価を行った。これらの結果を表２に示した。
［比較例３］
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,１７０ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝６重量％）５６.８重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.75（ＶｉＭｅ2ＳiＯ1/2）0.25
で表される分岐状のメチルフェニルビニルポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝５.６２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％｝２０.０重量部、
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン（粘度＝１１５ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５５.６モル％）２３.２重量部、
白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度１,７７０ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（粘度＝３,１７０ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝０.２０重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝４９モル％、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの合計含有量＝６重量％）５６.８重量部、
平均単位式：
(ＰｈＳiＯ3/2)0.75（ＶｉＭｅ2ＳiＯ1/2）0.25
で表される分岐状のメチルフェニルビニルポリシロキサン｛性状＝固体状（２５℃）、ケイ素原子結合ビニル基の含有量＝５.６２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％｝２０.０重量部、
分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジフェニルポリシロキサン（粘度＝１１５ｍＰa・ｓ、ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３２重量％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５５.６モル％）２３.２重量部、
白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が重量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５重量部を均一に混合して、粘度１,７７０ｍＰa・ｓである無色透明な硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を測定した。これらの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いて表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置Ａを作製し、信頼性評価を行った。これらの結果を表２に示した。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤などとして有用であり、光透過率が高いことから、特に、光半導体素子、光半導体装置の封止剤（ポッティング剤、エンキャプシュラント、保護コーティング剤、アンダーフィル剤を含む）、接着剤(ダイボンディングを含む)などとして有用である。本発明の光半導体素子封止剤は、光半導体素子の封止剤（ポッティング剤、エンキャプシュラント、保護コーティング剤、アンダーフィル剤を含む）として有用である。また、本発明の光半導体装置は、光学装置、光学機器、照明機器、照明装置などの光半導体装置として有用である。
Ａ 表面実装型発光ダイオード（ＬＥＤ）装置
１ ポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂製筐体
２ 発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ
３ インナーリード
４ ボンディングワイヤ
５ 光半導体素子封止剤の硬化物
６ ダイパッド
１ ポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂製筐体
２ 発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ
３ インナーリード
４ ボンディングワイヤ
５ 光半導体素子封止剤の硬化物
６ ダイパッド
Claims (15)
- (A)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し,全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位であるジオルガノポリシロキサン（ただし、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量の合計が５重量％以下である）、
(B)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合有機基のうち１５モル％以上がフェニル基であるオルガノポリシロキサン｛(A)成分中の総アルケニル基のモル数に対して、(B)成分のケイ素原子結合水素原子のモル数が１０〜５００％となる量｝、
および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物を硬化させるのに十分な量）
から少なくともなることを特徴とする、硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - (A)成分が、平均構造式(1)：
(式中、Ｒ3はメチル基またはフェニル基であり、その１５モル％以上がフェニル基であり、aは平均0.5≦a<2.0の数であり、bは平均0.5≦b<2.0の数であり、a+bは平均1.0≦a+b<2.0の数である)で示される分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサンから選択されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンであることを特徴とする、請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し,全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位であるジオルガノポリシロキサンが、両末端ジメチルビニルシロキシ基もしくはメチルフェニルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサンであることを特徴とする、請求項１に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
- 両末端ジメチルビニルシロキシ基もしくはメチルフェニルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサンは、環状メチルフェニルシロキサンオリゴマーを分子鎖末端封鎖剤である1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサンもしくは1,3-ジビニル-1,3-ジフェニルジメチルジシロキサンと重合触媒存在下で加熱して平衡化重合し、重合触媒を中和または熱分解することにより製造されるものであることを特徴とする、請求項３に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
- さらに、(A)成分と(B)成分の合計量に対して５０重量％以下の、平均シロキサン単位式(4)：
Ｒ4 cＳｉＯ(4-c)/2 （式中、Ｒ4はアルケニル基、メチル基またはフェニル基であり、その２０モル％以上がフェニル基であり、cは平均0.5〜1.7の正数である。）で示されるメチルフェニルアルケニルポリシロキサンを含有することを特徴とする、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１.５以上であり、光透過率（２５℃）が８０％以上である硬化物を形成することを特徴とする、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
- (A)一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し,全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位であるジオルガノポリシロキサン（ただし、１,３,５−トリメチル−１,３,５−トリフェニルシクロトリシロキサンおよび１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラフェニルシクロテトラシロキサンの含有量の合計が５重量％以下である）、
(B)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合有機基のうち１５モル％以上がフェニル基であるオルガノポリシロキサン｛(A)成分中の総アルケニル基のモル数に対して、(B)成分のケイ素原子結合水素原子のモル数が１０〜５００％となる量｝、
および
(C)ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物を硬化させるのに十分な量）
から少なくともなり、可視光（５８９ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１.５以上であり、光透過率（２５℃）が８０％以上である硬化物を形成することを特徴とする、光半導体素子封止剤。 - (A)成分が、平均構造式(1)：
(式中、Ｒ3はメチル基またはフェニル基であり、その１５モル％以上がフェニル基であり、aは平均0.5≦a<2.0の数であり、bは平均0.5≦b<2.0の数であり、a+bは平均1.0≦a+b<2.0の数である)で示される分岐状オルガノハイドロジェンポリシロaキサンから選択されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンであることを特徴とする、請求項７に記載の光半導体素子封止剤。 - 一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し,全シロキサン単位の７０モル％以上がメチルフェニルシロキサン単位であるジオルガノポリシロキサンが、両末端ジメチルビニルシロキシ基もしくはメチルフェニルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサンであることを特徴とする、請求項７に記載の光半導体素子封止剤。
- 両末端ジメチルビニルシロキシ基もしくはメチルフェニルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサンは、環状メチルフェニルシロキサンオリゴマーを分子鎖末端封鎖剤である1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサンもしくは1,3-ジビニル-1,3-ジフェニルジメチルジシロキサンと重合触媒存在下で加熱して平衡化重合し、重合触媒を中和または熱分解することにより製造されるものであることを特徴とする、請求項９に記載の光半導体素子封止剤。
- さらに、(A)成分と(B)成分の合計量に対して５０重量％以下の、平均シロキサン単位式(4)：
Ｒ4 cＳｉＯ(4-c)/2 （式中、Ｒ4はアルケニル基、メチル基またはフェニル基であり、その２０モル％以上がフェニル基であり、cは 平均0.5〜1.7の正数である。）で示されるメチルフェニルアルケニルポリシロキサンを含有することを特徴とする、請求項７〜請求項１０のいずれか１項に記載の光半導体素子封止剤。 - 光半導体素子が、発光半導体素子であることを特徴とする、請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記載の光半導体素子封止剤。
- 発光半導体素子が発光ダイオード素子であることを特徴とする、請求項１２に記載の光半導体素子封止剤。
- 光半導体素子が請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記載の光半導体素子封止剤の硬化物で封止されていることを特徴とする、光半導体素子を具備する光半導体装置。
- 光半導体装置は、筐体内に光半導体素子を具備しており、該光半導体素子は筐体内壁とともに請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記載の光半導体素子封止剤の硬化物で封止されていることを特徴とする、請求項１４に記載の光半導体装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009025254A JP5469874B2 (ja) | 2008-09-05 | 2009-02-05 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 |
| PCT/JP2009/065885 WO2010027105A1 (en) | 2008-09-05 | 2009-09-04 | Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device |
| KR1020117007834A KR101723387B1 (ko) | 2008-09-05 | 2009-09-04 | 경화성 오가노폴리실록산 조성물, 광반도체 소자 봉지제 및 광반도체 장치 |
| EP09740543.5A EP2324079B9 (en) | 2008-09-05 | 2009-09-04 | Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device |
| TW098129913A TWI495688B (zh) | 2008-09-05 | 2009-09-04 | 可固化有機聚矽氧烷組合物、光學半導體元件密封劑及光學半導體裝置 |
| MYPI20110999 MY151260A (en) | 2008-09-05 | 2009-09-04 | Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device |
| US13/062,374 US8373286B2 (en) | 2008-09-05 | 2009-09-04 | Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device |
| CN2009801326886A CN102131874B (zh) | 2008-09-05 | 2009-09-04 | 可固化的有机基聚硅氧烷组合物，光学半导体元件密封剂，和光学半导体器件 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008228980 | 2008-09-05 | ||
| JP2008228980 | 2008-09-05 | ||
| JP2009025254A JP5469874B2 (ja) | 2008-09-05 | 2009-02-05 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010084118A JP2010084118A (ja) | 2010-04-15 |
| JP2010084118A5 JP2010084118A5 (ja) | 2013-09-19 |
| JP5469874B2 true JP5469874B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=41328764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009025254A Active JP5469874B2 (ja) | 2008-09-05 | 2009-02-05 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8373286B2 (ja) |
| EP (1) | EP2324079B9 (ja) |
| JP (1) | JP5469874B2 (ja) |
| KR (1) | KR101723387B1 (ja) |
| CN (1) | CN102131874B (ja) |
| MY (1) | MY151260A (ja) |
| TW (1) | TWI495688B (ja) |
| WO (1) | WO2010027105A1 (ja) |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8946353B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-02-03 | Dow Corning Toray Co. Ltd. | Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device |
| US8519429B2 (en) * | 2010-06-24 | 2013-08-27 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Encapsulant for optical semiconductor device and optical semiconductor device using same |
| KR101277722B1 (ko) * | 2010-07-14 | 2013-06-24 | 제일모직주식회사 | 하이브리드 실록산 중합체, 상기 하이브리드 실록산 중합체로부터 형성된 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자 |
| JP5323038B2 (ja) * | 2010-12-14 | 2013-10-23 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 |
| JP5323037B2 (ja) * | 2010-12-14 | 2013-10-23 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 |
| JP2012222202A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置 |
| JP5992666B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2016-09-14 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 架橋性シリコーン組成物及びその架橋物 |
| KR101518104B1 (ko) | 2011-06-17 | 2015-05-06 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
| KR101562091B1 (ko) | 2011-11-25 | 2015-10-21 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
| KR101317776B1 (ko) * | 2011-12-14 | 2013-10-11 | 한국과학기술연구원 | 코어-쉘 구조를 갖는 페닐폴리실록산 수지 |
| RU2495895C1 (ru) * | 2012-05-10 | 2013-10-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Элкон" | Эмаль термостойкая |
| JP6046395B2 (ja) * | 2012-06-29 | 2016-12-14 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 反応性シリコーン組成物、反応性熱可塑体、硬化物、および光半導体装置 |
| WO2014017885A1 (ko) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
| WO2014017883A1 (ko) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | 주식회사 엘지화학 | 경화성 조성물 |
| JP2014031394A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置 |
| WO2014062843A1 (en) * | 2012-10-16 | 2014-04-24 | Brewer Science Inc. | Silicone polymers with high refractive indices and extended pot life |
| EP2918638B1 (en) * | 2012-11-09 | 2017-09-06 | Sumitomo Seika Chemicals Co. Ltd. | Silicone resin composition, cured silicone resin, and sealed optical semiconductor element |
| WO2014104719A1 (ko) | 2012-12-26 | 2014-07-03 | 제일모직 주식회사 | 광학기기용 경화형 폴리실록산 조성물, 봉지재 및 광학기기 |
| US9879126B2 (en) | 2012-12-28 | 2018-01-30 | Dow Corning Corporation | Curable organopolysiloxane composition for transducers and applications of such curable silicone composition for transducers |
| JP6212122B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-10-11 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 |
| KR101983010B1 (ko) | 2012-12-28 | 2019-09-10 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 변환기용 경화성 유기폴리실록산 조성물 및 그러한 변환기용 경화성 실리콘 조성물의 응용 |
| JP5985981B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2016-09-06 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 |
| US9470395B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-10-18 | Abl Ip Holding Llc | Optic for a light source |
| WO2014148852A1 (ko) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 주식회사 동진쎄미켐 | 광학소자의 다층구조 봉지방법 |
| CN103232707B (zh) * | 2013-04-19 | 2015-12-09 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 可固化硅橡胶组合物及其固化产品与涂覆固化方法 |
| EP3081365B1 (en) | 2013-05-10 | 2021-02-17 | ABL IP Holding LLC | Method and apparatus for manufacturing silicone optics |
| JP5716139B1 (ja) * | 2013-08-19 | 2015-05-13 | 住友精化株式会社 | 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、付加硬化型シリコーン樹脂硬化物、及び、光半導体素子封止体 |
| US9963552B2 (en) | 2013-08-20 | 2018-05-08 | Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. | Condensation-curable silicone resin composition, condensation-curable silicone resin cured product, and sealed optical semiconductor element |
| JP6509814B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2019-05-08 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置 |
| CN105814702B (zh) * | 2013-10-17 | 2018-06-26 | 道康宁东丽株式会社 | 可固化有机硅组合物和光半导体装置 |
| US9688869B2 (en) | 2013-10-17 | 2017-06-27 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Curable silicone composition, and optical semiconductor device |
| JP6254833B2 (ja) | 2013-11-25 | 2017-12-27 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置 |
| WO2015083446A1 (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 住友精化株式会社 | 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、付加硬化型シリコーン樹脂硬化物、及び、光半導体素子封止体 |
| WO2015098072A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Curable organopolysiloxane composition, member for transducers |
| TWI544010B (zh) | 2014-01-28 | 2016-08-01 | Ｌｇ化學股份有限公司 | 固化產物 |
| WO2015115812A1 (ko) * | 2014-01-28 | 2015-08-06 | 주식회사 엘지화학 | 경화체 |
| WO2015115808A1 (ko) * | 2014-01-28 | 2015-08-06 | 주식회사 엘지화학 | 경화체 |
| WO2015115810A1 (ko) * | 2014-01-28 | 2015-08-06 | 주식회사 엘지화학 | 경화체 |
| WO2015115811A1 (ko) * | 2014-01-28 | 2015-08-06 | 주식회사 엘지화학 | 경화체 |
| WO2015129140A1 (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | 住友精化株式会社 | 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、付加硬化型シリコーン樹脂硬化物、及び、光半導体素子封止体 |
| JP6100717B2 (ja) * | 2014-03-05 | 2017-03-22 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン組成物及び光学素子 |
| CN106062080A (zh) * | 2014-03-12 | 2016-10-26 | 横滨橡胶株式会社 | 固化性树脂组合物 |
| WO2015186323A1 (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-10 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 接着促進剤、硬化性シリコーン組成物、および半導体装置 |
| CN105199397B (zh) * | 2014-06-17 | 2018-05-08 | 广州慧谷化学有限公司 | 一种可固化的有机聚硅氧烷组合物及半导体器件 |
| KR20160002243A (ko) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 제일모직주식회사 | 경화형 폴리오르가노실록산 조성물, 봉지재, 및 광학기기 |
| DE102015225906A1 (de) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Wacker Chemie Ag | Siloxanharzzusammensetzungen |
| JP6515940B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2019-05-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| EP3655483B1 (en) * | 2017-07-21 | 2022-06-08 | Dow Silicones Corporation | Curable organopolysiloxane composition and cured product thereof |
| JP6915527B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2021-08-04 | 信越化学工業株式会社 | 有機ｅｌ用透明乾燥剤及びその使用方法 |
| JP6969675B2 (ja) * | 2018-04-16 | 2021-11-24 | 信越化学工業株式会社 | 有機ｅｌ用透明乾燥剤及びその使用方法 |
| CN110272627B (zh) * | 2019-07-24 | 2021-11-23 | 杭州之江新材料有限公司 | 一种高折光指数的有机硅凝胶及其制备方法 |
| CN110684357A (zh) * | 2019-09-16 | 2020-01-14 | 安徽若水化工有限公司 | 一种低密度导热阻燃有机硅材料 |
| JP2023505263A (ja) * | 2019-12-06 | 2023-02-08 | ヌシル テクノロジー エルエルシー | 一液オルガノポリシロキサン系用のカプセル化触媒およびそれに関連する方法 |
| KR20210147211A (ko) | 2020-05-28 | 2021-12-07 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 광경화성 실록산 수지 조성물 및 이의 경화물 |
| JP2022020215A (ja) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 | 硬化性シリコーン組成物、封止材、及び光半導体装置 |
| KR20220012648A (ko) | 2020-07-23 | 2022-02-04 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 광경화성 실록산 수지 조성물 및 이의 경화물 |
| CN116940637A (zh) | 2021-03-08 | 2023-10-24 | 杜邦东丽特殊材料株式会社 | 可固化硅酮组合物、封装剂以及光学半导体装置 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661210A (en) | 1996-09-25 | 1997-08-26 | Dow Corning Corporation | Optically clear liquid silicone rubber |
| JP4040858B2 (ja) | 2001-10-19 | 2008-01-30 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
| TW200427111A (en) | 2003-03-12 | 2004-12-01 | Shinetsu Chemical Co | Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device |
| JP4766222B2 (ja) | 2003-03-12 | 2011-09-07 | 信越化学工業株式会社 | 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置 |
| JP4908736B2 (ja) | 2003-10-01 | 2012-04-04 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
| JP2005272697A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性シリコーン樹脂組成物、光半導体用封止材および光半導体装置 |
| JP2006063092A (ja) | 2004-07-29 | 2006-03-09 | Dow Corning Toray Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、その硬化方法、光半導体装置および接着促進剤 |
| JP4590253B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2010-12-01 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | オルガノポリシロキサンおよびシリコーン組成物 |
| JP4828146B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-11-30 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性シリコーンゴム組成物 |
| JP4828145B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-11-30 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性シリコーンゴム組成物 |
| JP5025917B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2012-09-12 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
| JP4586981B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2010-11-24 | 信越化学工業株式会社 | 自己接着性オルガノポリシロキサン組成物 |
| EP1749861B1 (en) * | 2005-08-03 | 2014-08-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Addition curable silicone resin composition for light emitting diode |
| JP4872296B2 (ja) | 2005-09-30 | 2012-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | シリコーンゴム封止型発光装置、及び該発光装置の製造方法 |
| US8258502B2 (en) * | 2006-02-24 | 2012-09-04 | Dow Corning Corporation | Light emitting device encapsulated with silicones and curable silicone compositions for preparing the silicones |
| JP5202822B2 (ja) | 2006-06-23 | 2013-06-05 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
| JP4933179B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | 硬化性シリコーンゴム組成物及びその硬化物 |
| JP5148088B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2013-02-20 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
| US8946353B2 (en) | 2008-10-31 | 2015-02-03 | Dow Corning Toray Co. Ltd. | Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device |
| JP4862032B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2012-01-25 | 信越化学工業株式会社 | 高屈折率を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物からなる光学素子封止材 |
-
2009
- 2009-02-05 JP JP2009025254A patent/JP5469874B2/ja active Active
- 2009-09-04 CN CN2009801326886A patent/CN102131874B/zh active Active
- 2009-09-04 EP EP09740543.5A patent/EP2324079B9/en active Active
- 2009-09-04 MY MYPI20110999 patent/MY151260A/en unknown
- 2009-09-04 WO PCT/JP2009/065885 patent/WO2010027105A1/en active Application Filing
- 2009-09-04 KR KR1020117007834A patent/KR101723387B1/ko active IP Right Grant
- 2009-09-04 TW TW098129913A patent/TWI495688B/zh active
- 2009-09-04 US US13/062,374 patent/US8373286B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MY151260A (en) | 2014-04-30 |
| US8373286B2 (en) | 2013-02-12 |
| KR101723387B1 (ko) | 2017-04-06 |
| KR20110053470A (ko) | 2011-05-23 |
| EP2324079B1 (en) | 2012-10-24 |
| WO2010027105A1 (en) | 2010-03-11 |
| EP2324079B9 (en) | 2013-10-16 |
| TWI495688B (zh) | 2015-08-11 |
| CN102131874B (zh) | 2013-02-27 |
| CN102131874A (zh) | 2011-07-20 |
| TW201014885A (en) | 2010-04-16 |
| US20110227235A1 (en) | 2011-09-22 |
| JP2010084118A (ja) | 2010-04-15 |
| EP2324079A1 (en) | 2011-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5469874B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 | |
| JP5769622B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 | |
| JP5972512B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置 | |
| JP5534977B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置 | |
| JP5060074B2 (ja) | 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置 | |
| JP5680889B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置 | |
| JP5667740B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置 | |
| JP2005105217A (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 | |
| KR102044675B1 (ko) | 경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물, 및 광반도체 디바이스 | |
| EP3587498B1 (en) | Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device | |
| TW201934665A (zh) | 可固化聚矽氧組成物、其固化產物、及光學半導體裝置 | |
| JP5913538B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置 | |
| CN110862802A (zh) | 加成固化型有机硅组合物及半导体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130812 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130905 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131128 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140203 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5469874 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |