JP4911805B2 - 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、光半導体装置において光半導体素子を封止するために用いられる光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。

光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。

下記の特許文献１には、光半導体装置用封止剤として、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルと、脂環式エポキシモノマーと、潜在性触媒とを含むエポキシ樹脂材料が開示されている。このエポキシ樹脂材料は、熱カチオン重合により硬化する。

特開２００３−７３４５２号公報

特許文献１に記載のような従来の光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置が、高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されると、徐々に光度（明るさ）が低下するという問題がある。

さらに、従来の光半導体装置用封止剤が、高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されると、封止剤自体が変色するという問題もある。

本発明は、光半導体装置に用いられる封止剤であって、高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても光度が低下し難く、高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても封止剤の変色が生じ難い光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の広い局面によれば、光半導体装置に用いられる封止剤であって、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつ珪素原子に結合したアルケニル基及び珪素原子に結合したアリール基を有する第１のオルガノポリシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したアリール基を有する第２のオルガノポリシロキサンと、白金のアルケニル錯体とを含み、上記白金のアルケニル錯体が、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体であり、封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の数の封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の数に対する比（珪素原子に結合したアルケニル基の数／珪素原子に結合した水素原子の数）が、１．０以上、２．５以下であり、上記第１のオルガノポリシロキサンが、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、上記第１のオルガノポリシロキサンの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上である、光半導体装置用封止剤が提供される。

本発明に係る光半導体装置用封止剤のある特定の局面では、上記第１のオルガノポリシロキサンが、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、上記第２のオルガノポリシロキサンが、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであり、上記第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、かつ上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ５１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である。

上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．４０〜０．９９、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．５０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ _２ Ｒ１１Ｏ _２／２ ）の構造単位は、後述する式（１ｂ−１）で表される構造単位である。後述する式（１ｂ−１）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．２０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ _２ Ｒ６１Ｏ _２／２ ）の構造単位は、後述する式（５１ｂ−１）で表される構造単位である。後述する式（５１ｂ−１）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

アリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ１）
アリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ５１）

本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサン及び上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの内の少なくとも一方が含まれる。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、封止剤中で、上記白金のアルケニル錯体による白金元素の含有量が１ｐｐｍ以上、３００ｐｐｍ以下である。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第２のオルガノポリシロキサンは、下記式（５１−ａ）で表される構造単位を含む。

上記式（５１−ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、水素原子、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を示す。

本発明に係る光半導体装置用封止剤のさらに他の特定の局面では、上記第２のオルガノポリシロキサンの全シロキサン構造単位１００モル％中、上記式（５１−ａ）で表される構造単位の割合が５モル％以上である。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第２のオルガノポリシロキサンは、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含む。

本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられており、かつ本発明に従って構成された光半導体装置用封止剤とを備える。

本発明に係る光半導体装置用封止剤は、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつ珪素原子に結合したアルケニル基及び珪素原子に結合したアリール基を有する第１のオルガノポリシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したアリール基を有する第２のオルガノポリシロキサンと、塩化白金酸６水和物及び６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物の反応物である白金のアルケニル錯体とを含むので、更に上記比（珪素原子に結合したアルケニル基の数／珪素原子に結合した水素原子の数）が、１．０以上、２．５以下であるので、封止剤を用いた光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難い。さらに、高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光半導体装置用封止剤の変色が生じ難い。

図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第１のオルガノポリシロキサンと、第２のオルガノポリシロキサンと、白金のアルケニル錯体とを含む。該白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物との反応物である。

上記第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつ珪素原子に結合したアルケニル基と、珪素原子に結合したアリール基とを有する。上記第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子と、珪素原子に結合したアリール基とを有する。封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の数の封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の数に対する比（珪素原子に結合したアルケニル基の数／珪素原子に結合した水素原子の数）は、１．０以上、２．５以下である。上記第２のオルガノポリシロキサンがアルケニル基を有する場合には、上記比において、珪素原子に結合したアルケニル基の数には、上記第２のオルガノポリシロキサンのアルケニル基も含まれる。

上記組成の採用により、封止剤を用いた光半導体装置が加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されても、光半導体装置から発せられる光の明るさが低下し難くなる。さらに、封止剤自体も、過酷な環境で使用されても変色し難くなる。

過酷な環境で使用されたときに、光半導体装置から発せられる光の明るさの低下をより一層抑制し、さらに封止剤の変色をより一層抑制する観点からは、上記比（珪素原子に結合したアルケニル基の数／珪素原子に結合した水素原子の数）は、好ましくは１．１以上、好ましくは１．８以下である。

また、従来の光半導体装置用封止剤では、加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。さらに、発光素子の背面側に達した光を反射させるために、発光素子の背面に、銀めっきされた電極が形成されていることがある。封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材から剥離したりすると、銀めっきされた電極が大気に晒される。この場合には、大気中に存在する硫化水素ガス又は亜硫酸ガス等の腐食性ガスによって、銀めっきが変色することがある。電極が変色すると反射率が低下するため、発光素子が発する光の明るさが低下するという問題がある。

このような問題に対して、ガスバリア性に優れており、クラック及び剥離が生じ難い封止剤を得る観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンは、式（１Ａ）又は式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。ガスバリア性に優れており、クラック及び剥離が生じ難い封止剤を得る観点からは、上記第２のオルガノポリシロキサンは、式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。

ガスバリア性により一層優れており、クラック及び剥離がより一層生じ難い封止剤を得る観点からは、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサン及び上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの内の少なくとも一方を含むことが好ましい。

上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ）より求められるアリール基の含有比率はそれぞれ、好ましくは３０モル％以上、より好ましくは３５モル％以上、好ましくは７０モル％以下、より好ましくは６５モル％以下である。アリール基の含有比率が上記下限以上及び上記上限以下であると、ガスバリア性がより一層高くなり、かつ封止剤の剥離が生じ難くなる。

アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ）

（第１のオルガノポリシロキサン）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつ珪素原子に結合したアルケニル基と、珪素原子に結合したアリール基とを有する。上記第１のオルガノポリシロキサンとして、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンは除かれる。上記第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有さないので、上記第２のオルガノポリシロキサンとは異なる。上記アルケニル基とアリール基とはそれぞれ、珪素原子に直接結合している。上記アリール基としては、無置換のフェニル基、置換フェニル基、無置換のフェニレン基、及び置換フェニレン基が挙げられる。なお、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。

ガスバリア性により一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンは、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。ただし、上記第１のオルガノポリシロキサンとして、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサン以外の第１のオルガノポリシロキサンを用いてもよい。下記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンは、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第１のオルガノポリシロキサンは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．４０〜０．９９、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．５０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ１１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。なお、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）は平均組成式を示す。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中のＲ１〜Ｒ６は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（１Ｂ）中のＲ７〜Ｒ１０は同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。

なお、一般に、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第１のオルガノポリシロキサンを得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことがいえる。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンにおけるアルケニル基及び上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。上記式（１Ｂ）における炭素数１〜８の２価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基及びフェニレン基等が挙げられる。

上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ１）より求められるアリール基の含有比率は、好ましくは３０モル％以上、好ましくは７０モル％以下である。このアリール基の含有比率が３０モル％以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が７０モル％以下であると、封止剤の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は３５モル％以上であることがより好ましい。剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、６５モル％以下であることがより好ましい。

アリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ１）

上記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンを用いる場合には、上記式（Ｘ１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。

上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンを用いる場合には、上記式（Ｘ１）におけるアリール基はフェニル基とフェニレン基とを示し、アリール基の含有比率はフェニル基とフェニレン基との合計の含有比率を示す。

上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンがフェニレン基を有さない場合には、上記フェニル基とフェニレン基との合計の含有比率は、フェニル基の含有比率を示す。

上記第１のオルガノポリシロキサンは、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含むことが好ましい。上記第１のオルガノポリシロキサンの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合は、好ましくは５モル％以上、より好ましくは１０モル％以上、更に好ましくは２５モル％以上、特に好ましくは３０モル％以上である。ジフェニルシロキサン構造単位の割合が多いほど、またジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上であると、封止剤のディスペンス性が良好になり、更に複数の光半導体装置から取り出される光の明るさが高くなる。上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は、最も好ましくは４０モル％以上、好ましくは６０モル％以下である。上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合が上記上限以下であると、封止剤のディスペンス性が良好になり、半導体装置から取り出される光の明るさがより高くなる。

上記ジフェニルシロキサン構造単位は、下記式（１−ｂ１）で表される構造単位であることが好ましい。また、下記式（１−ｂ１）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ_１／２」とする。

上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位はそれぞれ、上記式（１−ｂ１）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、上記式（１−ｂ１）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、上記式（１−ｂ１）で表される構造単位と上記式（１−ｂ１）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。

ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−１）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（１ｂ−１）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。本明細書において、「フェニレン基」の用語には、炭素数１〜８の炭化水素基がベンゼン環に置換した置換フェニレン基も含まれる。なお、下記式（１ｂ−１）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ_１／２」とする。

上記式（１ｂ−１）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式（１ｂ−１）中のベンゼン環に結合している３つの基の結合部位は特に限定されない。

上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−２）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（１ｂ−２）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式（１ｂ−２）中のベンゼン環に結合しているＲａの結合部位は特に限定されない。

上記式（１ｂ−２）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（１ｂ−３）で表される構造単位であることがより好ましい。下記式（１ｂ−３）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。

上記式（１ｂ−３）中、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ４Ｒ５ＳｉＸＯ_１／２） ・・・式（１−２）

（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ４及びＲ５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有する（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。

上記式（１−２）及び（１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｂ）、（１−２）及び（１−２−ｂ）中のＲ４及びＲ５は、上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）中のＲ４及びＲ５と同様の基である。

上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（１−３）又は下記式（１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ６ＳｉＸ_２Ｏ_１／２） ・・・式（１−３）

（Ｒ６ＳｉＸＯ_２／２） ・・・式（１−４）

（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−３−ｃ）又は下記式（１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｃ）、（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中のＲ６は、上記式（１Ａ）又は上記式（１Ｂ）中のＲ６と同様の基である。

上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−５）で表される構造、すなわち、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１ＸＯ_１／２） ・・・式（１−５）

（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−５−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（１−５）及び（１−５−ｄ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｄ）、（１−５）及び（１−５−ｄ）中のＲ７〜Ｒ１１は、上記式（１Ｂ）中のＲ７〜Ｒ１１と同様の基である。

上記式（１−ｂ）〜（１−ｄ）、上記式（１−２）〜（１−５）、並びに上記式（１−２−ｂ）、（１−３−ｃ）、（１−４−ｃ）、及び（１−５−ｄ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。

上記式（１Ａ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０、上限は０．５０である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（１Ａ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０である。なお、ａが０であり、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１Ａ）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）の構造単位は存在しない。

上記式（１Ａ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０．４０、上限は１．０である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式（１Ａ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい下限は０．５０である。

上記式（１Ａ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０、上限は０．５０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限を満たすと、封止剤の耐熱性が高くなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少し難くなる。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。上記式（１Ａ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の好ましい上限は０．４５、より好ましい上限は０．４０、更に好ましい上限は０．３５である。なお、ｃが０であり、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１Ａ）中、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）の構造単位は存在しない。

上記式（１Ｂ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０、上限は０．４０である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。なお、ａが０であり、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が０である場合、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）の構造単位は存在しない。

上記式（１Ｂ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．４０、上限は０．９９である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。

上記式（１Ｂ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０、上限は０．５０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。なお、ｃが０であり、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が０である場合、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）の構造単位は存在しない。

上記式（１Ｂ）中、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の下限は０．０１、上限は０．４０である。ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）が上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用封止剤を得る観点からは、上記式（１Ｂ）中、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）の好ましい下限は０．０３、より好ましい下限は０．０５、好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。

上記第１のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に^２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）_ａで表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）_ｂ及び上記式（１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）_ｃ、並びに上記式（１−３）及び上記式（１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ｂ）中の（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）_ｄ及び上記式（１−５）の構造単位に相当するピークは０〜−５ｐｐｍ付近に現れる。

従って、^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。
但し、上記ＴＭＳを基準にした^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、^１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。

（第２のオルガノポリシロキサン）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子と、珪素原子に結合したアリール基とを有する。該水素原子とアリール基とはそれぞれ、珪素原子に直接結合している。該アリール基としては、無置換のフェニル基、置換フェニル基、無置換のフェニレン基、及び置換フェニレン基が挙げられる。

ガスバリア性により一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第２のオルガノポリシロキサンは、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。ただし、上記第２のオルガノポリシロキサンとして、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサン以外の第２のオルガノポリシロキサンを用いてもよい。下記式（５１Ｂ）で表されるオルガノポリシロキサンは、フェニレン基を有していてもよく、フェニレン基を有していなくてもよい。上記第２のオルガノポリシロキサンは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。なお、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位及び（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．２０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ６１は、炭素数１〜８の２価の炭化水素基を表す。なお、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。

上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）は平均組成式を示す。上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中のＲ５１〜Ｒ５６は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式（５１Ｂ）中のＲ５７〜Ｒ６０は同一であってもよく、異なっていてもよい。

上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位における酸素原子部分、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。

上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基及びアリル基が挙げられる。

上記式（５１Ｂ）における炭素数１〜８の２価の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基及びフェニレン基等が挙げられる。

上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ５１）より求められるアリール基の含有比率は、好ましくは３０モル％以上、好ましくは７０モル％以下である。このアリール基の含有比率が３０モル％以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が７０モル％以下であると、封止剤の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は３５モル％以上であることがより好ましい。剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、６５モル％以下であることがより好ましい。

アリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ５１）

上記式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンを用いる場合には、上記式（Ｘ５１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。

上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンを用いる場合には、上記式（Ｘ５１）におけるアリール基はフェニル基とフェニレン基とを示し、アリール基の含有比率はフェニル基とフェニレン基との合計の含有比率を示す。

上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンがフェニレン基を有さない場合には、上記フェニル基とフェニレン基との合計の含有比率は、フェニル基の含有比率を示す。

封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第２のオルガノポリシロキサンは、下記式（５１−ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。なお、下記式（５１−ａ）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ_１／２」とする。

上記式（５１−ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ水素原子、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す。Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれフェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。

封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位はそれぞれ、Ｒ５１が珪素原子に結合した水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３がフェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。

すなわち、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、上記式（５１−ａ）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ_１／２）で表される構造単位は、上記式（５１−ａ）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、上記式（５１−ａ）で表される構造単位と上記式（５１−ａ）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。

封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第２のオルガノポリシロキサンの全シロキサン構造単位１００モル％中、上記式（５１−ａ）で表される構造単位の割合は、好ましくは５モル％以上、より好ましくは１０モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下である。

上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の全構造単位１００モル％中、Ｒ５１が珪素原子に結合した水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３が水素原子、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を表す構造単位（上記式（５１−ａ）で表される構造単位）の割合は、好ましくは５モル％以上、より好ましくは１０モル％以上、好ましくは５０モル％以下、より好ましくは４５モル％以下である。

上記第２のオルガノポリシロキサンは、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含むことが好ましい。上記第２のオルガノポリシロキサンの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合は、好ましくは５モル％以上、より好ましくは１０モル％以上、更に好ましくは２０モル％以上である。ジフェニルシロキサン構造単位の割合が多いほど、またジフェニルシロキサン構造単位の割合が２０モル％以上であると、封止剤のディスペンス性が良好になり、更に複数の光半導体装置から取り出される光の明るさが高くなる。上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合は、好ましくは６０モル％以下である。上記ジフェニルシロキサン構造単位の割合が上記上限以下であると、封止剤のディスペンス性が良好になり、半導体装置から取り出される光の明るさがより高くなる。

上記ジフェニルシロキサン構造単位は、下記式（５１−ｂ１）で表される構造単位であることが好ましい。また、下記式（５１−ｂ１）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ_１／２」とする。

上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位はそれぞれ、上記式（５１−ｂ１）で表される構造単位を含むことが好ましい。（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、上記式（５１−ｂ１）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、上記式（５１−ｂ１）で表される構造単位と上記式（５１−ｂ１）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。

ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−１）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（５１ｂ−１）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。

上記式（５１ｂ−１）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。上記炭化水素基は直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。なお、上記式（５１ｂ−１）中のベンゼン環に結合している３つの基の結合部位は特に限定されない。

上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−２）で表される構造単位であることが好ましい。下記式（５１ｂ−２）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は置換又は無置換のフェニレン基である。下記式（５１ｂ−２）中のベンゼン環に結合しているＲｂの結合部位は特に限定されない。

上記式（５１ｂ−２）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位は、下記式（５１ｂ−３）で表される構造単位であることがより好ましい。下記式（５１ｂ−３）で表される構造単位はフェニレン基を有し、該フェニレン基は無置換のフェニレン基である。

上記式（５１ｂ−３）中、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。

上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＸＯ_１／２） ・・・式（５１−２）

（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５４及びＲ５５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（５１−２）及び上記式（５１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｂ）、（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中のＲ５４及びＲ５５は、上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）中のＲ５４及びＲ５５と同様の基である。

上記式（５１Ａ）又は上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−３）又は下記式（５１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ５６ＳｉＸ_２Ｏ_１／２） ・・・式（５１−３）

（Ｒ５６ＳｉＸＯ_２／２） ・・・式（５１−４）

（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−３−ｃ）又は下記式（５１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｃ）、（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中のＲ５６は、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中のＲ５６と同様の基である。

上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−５）で表される構造、すなわち、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）の構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。

（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２ＸＲ６１Ｏ_１／２） ・・・式（５１−５）

（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−５−ｄ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ５９、Ｒ６０及びＲ６１で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）で表される構造単位に含まれる。

上記式（５１−５）及び上記式（５１−５−ｄ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｄ）、（５１−５）及び（５１−５−ｄ）中のＲ５７〜Ｒ６１は、上記式（５１Ｂ）中のＲ５７〜Ｒ６１と同様の基である。

上記式（５１−ｂ）〜（５１−ｄ）、式（５１−２）〜（５１−５）、並びに上記式（５１−２−ｂ）、（５１−３−ｃ）、（５１−４−ｃ）、及び（５１−５−ｄ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。

上記式（５１Ａ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（５１Ａ）中、中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい上限は０．４５である。

上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の好ましい下限は０．１０、より好ましい上限は０．４５である。

上記式（５１Ａ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．２０、上限は０．８０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬度が上がり、傷及びゴミの付着を防止でき、封止剤の耐熱性が高くなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少し難くなる。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。

上記式（５１Ｂ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。

上記式（５１Ｂ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０５、上限は０．５０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。

上記式（５１Ｂ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．２０、上限は０．８０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。

上記式（５１Ｂ）中、ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の下限は０．０１、上限は０．４０である。ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）が上記下限及び上限を満たすと、腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤を得ることができる。腐食性ガスに対してより一層高いガスバリア性を有し、過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離がより一層生じ難い光半導体装置用封止剤を得る観点からは、上記式（５１Ｂ）中、ｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）の好ましい下限は０．０３、より好ましい下限は０．０５、好ましい上限は０．３５、より好ましい上限は０．３０である。

上記第２のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に^２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ_１／２）_ｐで表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ_２／２）_ｑ及び上記式（５１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５６ＳｉＯ_３／２）_ｒ、並びに上記式（５１−３）及び上記式（５１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）及び上記式（５１−５）の構造単位に相当するピークは０〜−５ｐｐｍ付近に現れる。

従って、^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。

但し、上記ＴＭＳを基準にした^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、^２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、^１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。

上記第１のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して、上記第２のオルガノポリシロキサンの含有量は１０重量部以上、４００重量部以下であることが好ましい。第１，第２のオルガノポリシロキサンの含有量がこの範囲内であると、ガスバリア性により一層優れた封止剤を得ることができる。ガスバリア性にさらに一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して、上記第２のオルガノポリシロキサンの含有量のより好ましい下限は３０重量部、更に好ましい下限は５０重量部、より好ましい上限は３００重量部、更に好ましい上限は２００重量部である。

（第１，第２のオルガノポリシロキサンの他の性質及びその合成方法）
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンのアルコキシ基の含有量の好ましい下限は０．５モル％、より好ましい下限は１モル％、好ましい上限は１０モル％、より好ましい上限は５モル％である。アルコキシ基の含有量が上記好ましい範囲内であると、封止剤の密着性を高めることができる。

アルコキシ基の含有量が上記好ましい下限を満たすと、封止剤の密着性を高めることができる。アルコキシ基の含有量が上記好ましい上限を満たすと、上記第１，第２のオルガノポリシロキサン及び封止剤の貯蔵安定性が高くなり、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。

上記アルコキシ基の含有量は、上記第１，第２のオルガノポリシロキサンの平均組成式中に含まれる上記アルコキシ基の量を意味する。

上記第１，第２のオルガノポリシロキサンはシラノール基を含有しないほうが好ましい。上記第１，第２のオルガノポリシロキサンがシラノール基を含有しないと、上記第１，第２のオルガノポリシロキサン及び封止剤の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。

上記第１，第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量（Ｍｎ）の好ましい下限は５００、より好ましい下限は８００、更に好ましい下限は１０００、好ましい上限は５００００、より好ましい上限は１５０００である。数平均分子量が上記好ましい下限を満たすと、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下で封止剤の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記好ましい上限を満たすと、粘度調節が容易である。

上記数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量（Ｍｎ）は、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）を２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／分、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いて測定された値を意味する。

上記第１，第２のオルガノポリシロキサンを合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、クロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法が好ましい。

上記アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。

上記第１，第２のオルガノポリシロキサンにフェニル基などのアリール基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル（フェニル）ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。

上記第１，第２のオルガノポリシロキサンに（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ_２Ｒ６１Ｏ_２／２）、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ_２Ｒ１１Ｏ_２／２）の構造単位を導入するための有機珪素化合物としては、例えば、１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（ジエチルメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（エトキシエチルメチルシリル）ベンゼン、１，６−ビス（ジメチルメトキシシリル）ヘキサン、１，６−ビス（ジエチルメトキシシリル）ヘキサン及び１，６−ビス（エトキシエチルメチルシリル）ヘキサン等が挙げられる。

上記第１のオルガノポリシロキサンにアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。

上記第２のオルガノポリシロキサンに珪素原子に直接結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。

上記第１，第２のオルガノポリシロキサンを得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル（メチル）ジメトキシシラン、シクロヘキシル（メチル）ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。

上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。

上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。

上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。

上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド及びセシウム−ｔ−ブトキシドが挙げられる。

上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好適である。

（白金のアルケニル錯体）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている白金のアルケニル錯体は、オルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合したアルケニル基と、オルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合した水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。上記白金のアルケニル錯体は、白金触媒であり、ヒドロシリル化反応用触媒である。

上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物との反応物である。上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる。上記白金のアルケニル錯体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

特定の上記第１，第２のオルガノポリシロキサンと特定の上記白金のアルケニル錯体との併用とにより、過酷な環境下で使用されても、光半導体装置から発せられる光の明るさが低下し難くなり、かつ封止剤における変色が生じ難くなる。また、上記白金のアルケニル錯体の使用により、封止剤の透明性を高くすることもできる。

上記白金のアルケニル錯体を得るための白金原料として、上記塩化白金酸６水和物（Ｈ_２ＰｔＣｌ_６・６Ｈ_２Ｏ）を用いる。

上記白金のアルケニルを得るための上記６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物としては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１，３−ジビニルジシロキサン及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。

上記６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物における「当量」に関しては、上記塩化白金酸６水和物１モルに対して２官能以上であるアルケニル化合物が１モルである重量を１当量とする。上記６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物は、５０当量以下であることが好ましい。

上記白金のアルケニル錯体を得るために用いられる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノール及び１−ブタノール等のアルコール系溶媒が挙げられる。トルエン及びキシレン等の芳香族系溶媒を用いてもよい。上記溶媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記白金のアルケニル錯体を得るために、上記成分に加えて単官能のビニル化合物を用いてもよい。上記単官能のビニル化合物としては、例えば、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン及びビニルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。

塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物との反応物に関して、白金元素と６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物とは、共有結合していたり、配位していたり、又は共有結合しかつ配位していたりする。

封止剤中で、白金のアルケニル錯体による白金元素の含有量は、０．０１ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。封止剤中で、白金のアルケニル錯体による白金元素の含有量は、より好ましくは１ｐｐｍ以上、より好ましくは３００ｐｐｍ以下である。上記白金元素の含有量が上記下限以上であると、特に１ｐｐｍ以上であると、封止剤を十分に硬化性させることが容易であり、封止剤を用いた光半導体装置から発せられる光の明るさの低下をより一層抑制でき、更に封止剤のガスバリア性をより一層高めることができる。上記白金元素の含有量が上記上限以下であると、特に３００ｐｐｍ以下であると、封止剤がより一層変色し難くなる。

（酸化ケイ素粒子）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、酸化ケイ素粒子をさらに含むことが好ましい。

上記酸化ケイ素粒子の使用により、封止剤の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前の封止剤の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、封止剤の取り扱い性を高めることができる。

上記酸化ケイ素粒子の一次粒子径の好ましい下限は５ｎｍ、より好ましい下限は８ｎｍ、好ましい上限は２００ｎｍ、より好ましい上限は１５０ｎｍである。上記酸化ケイ素粒子の一次粒子径が上記好ましい下限を満たすと、酸化ケイ素粒子の分散性がより一層高くなり、封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化ケイ素粒子の一次粒子径が上記好ましい上限を満たすと、２５℃における粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。

上記酸化ケイ素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用封止剤の硬化物を透過型電子顕微鏡（商品名「ＪＥＭ−２１００」、日本電子社製）を用いて観察する。視野中の１００個の酸化ケイ素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化ケイ素粒子が球形である場合には酸化ケイ素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化ケイ素粒子の長径の平均値を意味する。

上記酸化ケイ素粒子のＢＥＴ比表面積の好ましい下限は３０ｍ^２／ｇ、好ましい上限が４００ｍ^２／ｇである。上記酸化ケイ素粒子のＢＥＴ比表面積が３０ｍ^２／ｇ以上であると、封止剤の２５℃における粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化ケイ素粒子のＢＥＴ比表面積が４００ｍ^２／ｇ以下であると、酸化ケイ素粒子の凝集が生じ難くなり、分散性を高くすることができ、更に封止剤の硬化物の透明性をより一層高くすることができる。

上記酸化ケイ素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高い封止剤を得る観点からは、上記酸化ケイ素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。

上記フュームドシリカとしては、例えば、Ａｅｒｏｓｉｌ ５０（比表面積：５０ｍ^２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ９０（比表面積：９０ｍ^２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ １３０（比表面積：１３０ｍ^２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ２００（比表面積：２００ｍ^２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ ３００（比表面積：３００ｍ^２／ｇ）、及びＡｅｒｏｓｉｌ ３８０（比表面積：３８０ｍ^２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。

上記酸化ケイ素粒子は、有機ケイ素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化ケイ素粒子の分散性が非常に高くなり、硬化前の封止剤の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。

上記有機ケイ素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有するケイ素系化合物、アミノ基を有するケイ素系化合物、（メタ）アクリロイル基を有するケイ素系化合物、及びエポキシ基を有するケイ素系化合物等が挙げられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。

酸化ケイ素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、表面処理に用いられる上記有機ケイ素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物、トリメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。また、酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、表面処理に用いられる上記有機ケイ素化合物は、トリメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物の内の少なくとも１種であることが好ましい。

有機ケイ素化合物による表面処理する方法の一例として、ジメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物又はトリメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物を用いる場合には、例えば、ジクロロジメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化ケイ素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化ケイ素粒子を表面処理する方法が挙げられる。

上記ジメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子の市販品としては、Ｒ９７４（比表面積：１７０ｍ^２／ｇ）、及びＲ９６４（比表面積：２５０ｍ^２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。

上記トリメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子の市販品としては、ＲＸ２００（比表面積：１４０ｍ^２／ｇ）、及びＲ８２００（比表面積：１４０ｍ^２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。

上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子の市販品としては、ＲＹ２００（比表面積：１２０ｍ^２／ｇ）（日本アエロジル社製）等が挙げられる。

上記有機ケイ素化合物により酸化ケイ素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化ケイ素粒子を添加し、攪拌しながら有機ケイ素化合物を添加する乾式法、酸化ケイ素粒子のスラリー中に有機ケイ素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化ケイ素粒子の乾燥後に有機ケイ素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びＶ型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機ケイ素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加される。

上記有機ケイ素化合物により表面処理されている酸化ケイ素粒子を得るために、光半導体装置用封止剤を調製する際に、酸化ケイ素粒子と上記第１，第２のオルガノポリシロキサン等のマトリクス樹脂との混合時に、有機ケイ素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。

上記第１のオルガノポリシロキサンと上記第２のオルガノポリシロキサンとの合計１００重量部に対して、上記酸化ケイ素粒子の含有量は、０．５重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。上記第１のオルガノポリシロキサンと上記第２のオルガノポリシロキサンとの合計１００重量部に対して、上記酸化ケイ素粒子の含有量のより好ましい下限は１重量部、より好ましい上限は３５重量部である。上記酸化ケイ素粒子の含有量が上記下限を満たすと、硬化時の粘度低下を抑制することが可能になる。上記酸化ケイ素粒子の含有量が上記上限を満たすと、封止剤の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつ封止剤の透明性をより一層高めることができる。

（蛍光体）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体をさらに含有してもよい。上記蛍光体は、光半導体装置用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。

例えば、発光素子として紫外線ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ、（Ｂａ、Ｓｒ）ＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｂａ）_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ等が挙げられる。

上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｃａ、Ｓｒ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ_２：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ、ＬｉＷ_２Ｏ_８：（Ｅｕ、Ｓｍ）、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂｓ、Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_８Ｃｌ_２：（Ｅｕ、Ｍｎ）、Ｂａ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：（Ｅｕ、Ｍｎ）等が挙げられる。

上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ_３（Ａｌ、Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ、ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕ、Ｃａ_３Ｓｃ_２Ｓｉ_３Ｏ_１２：Ｃｅ、ＳｒＳｉＯＮ：Ｅｕ、ＺｎＳ：（Ｃｕ、Ａｌ）、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７（Ｅｕ、Ｍｎ）、ＳｒＡｌ_２Ｏ_４：Ｅｕ等が挙げられる。

上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、（Ｙ、Ｇｄ）_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、Ｔｂ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、ＣａＧａ_２Ｓ_４：Ｅｕ、Ｓｒ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ等が挙げられる。

さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。

（カップリング剤）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含有してもよい。

上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

（他の成分）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー又は難燃剤等の添加剤をさらに含有してもよい。

なお、上記第１のオルガノポリシロキサンと、上記第２のオルガノポリシロキサンと、上記白金のアルケニル錯体とは、これらを１種又は２種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。例えば、上記第１のオルガノポリシロキサン及び白金のアルケニル錯体を含むＡ液と、第２のオルガノポリシロキサンを含むＢ液とを別々に調製しておき、使用直前にＡ液とＢ液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。このように上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記白金のアルケニル錯体と上記第２のオルガノポリシロキサンとを別々に、第１の液と第２の液との２液にすることによって保存安定性を向上させることができる。上記第１のオルガノポリシロキサン、上記第２のオルガノポリシロキサン及び上記白金のアルケニル錯体以外の成分は、上記第１の液に添加してもよく、上記第２の液に添加してもよい。

（光半導体装置用封止剤の詳細及び用途）
本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用封止剤の硬化温度の好ましい下限は８０℃、より好ましい下限は１００℃、好ましい上限は１８０℃、より好ましい上限は１５０℃である。硬化温度が上記好ましい下限を満たすと、封止剤の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記好ましい上限を満たすと、パッケージの熱劣化が起こり難い。

硬化方式は特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、封止剤の硬化収縮を抑えることができる。

本発明に係る光半導体装置用封止剤の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第１のオルガノポリシロキサン、上記第２のオルガノポリシロキサン、上記白金のアルケニル錯体、及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。

上記発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にＬＥＤ形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、及びＳｉＣ等が挙げられる。

上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、及びＧａＮ単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、ＧａＮ及びＡｌＮ等が挙げられる。

本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。

本発明に係る光半導体装置では、本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化物により、光半導体により形成された発光素子が封止されている。本発明に係る光半導体装置では、ＬＥＤなどの光半導体により形成された発光素子を封止するように、光半導体装置用封止剤の硬化物が配置されている。このため、発光素子を封止している光半導体装置用封止剤の硬化物にクラックが生じ難く、パッケージからの剥離が生じ難く、かつ光透過性、耐熱性、耐候性及びガスバリア性を高めることができる。

（光半導体装置の実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。

本実施形態の光半導体装置１は、ハウジング２を有する。ハウジング２内にＬＥＤからなる光半導体素子３が実装されている。この光半導体素子３の周囲を、ハウジング２の光反射性を有する内面２ａが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子３が用いられている。

内面２ａは、内面２ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面２ａに到達した光が内面２ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。光半導体素子３を封止するように、内面２ａで囲まれた領域内には、光半導体装置用封止剤４が充填されている。

なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体装置の実装構造等には適宜変形され得る。

以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。

（合成例１）第１のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン６３ｇ、ジメチルジメトキシシラン９０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１８３ｇ、及びビニルトリメトキシシラン１３３ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ａ）を得た。

得られたポリマー（Ａ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１７００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ａ）は、下記の平均組成式（Ａ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．１９（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２４（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２６（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．３１ …式（Ａ１）

上記式（Ａ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ａ）のフェニル基の含有比率は３７モル％であった。

なお、合成例１及び合成例２〜１１で得られた各ポリマーの分子量は、１０ｍｇにテトラヒドロフラン１ｍＬを加え、溶解するまで攪拌し、ＧＰＣ測定により測定した。ＧＰＣ測定では、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）×２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いた。

（合成例２）第１のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン９６ｇ、ジフェニルジメトキシシラン３１８ｇ、及びビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｂ）を得た。

得られたポリマー（Ｂ）の数平均分子量（Ｍｎ）は５３００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｂ）は、下記の平均組成式（Ｂ１）を有していた。

（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２５（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．４５（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．３０…式（Ｂ１）

上記式（Ｂ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｂ）のフェニル基の含有比率は５２モル％であった。

（合成例３）第１のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン６０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン３１７ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇ、及び１，６−ビス（ジメチルメトキシシリル）ヘキサン７９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｃ）を得た。

得られたポリマー（Ｃ）の数平均分子量（Ｍｎ）は３６００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｃ）は、下記の平均組成式（Ｃ１）を有していた。

（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．１６（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．４４（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．３０（Ｍｅ_４Ｓｉ _２ ＨｅｘＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｃ１）

上記式（Ｃ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｈｅｘはヘキシレン基を示す。

得られたポリマー（Ｃ）のフェニル基の含有比率は４６モル％であった。

（合成例４）第１のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン６０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン３１７ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇ、及び１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン７６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｄ）を得た。

得られたポリマー（Ｄ）の数平均分子量（Ｍｎ）は３４００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｄ）は、下記の平均組成式（Ｄ１）を有していた。

（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．１６（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．４４（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．３０（Ｍｅ_４Ｓｉ _２ ＰｈｅＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｄ１）

上記式（Ｄ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。

得られたポリマー（Ｄ）のフェニル基とフェニレン基との含有比率（アリール基の含有比率）は５２モル％であった。

（合成例５）第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン５０ｇ、ジメチルジメトキシシラン１０８ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン２０８ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１０１ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｅ）を得た。

得られたポリマー（Ｅ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１０００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｅ）は、下記の平均組成式（Ｅ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．０９（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２３（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２７（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．４１ …式（Ｅ１）

上記式（Ｅ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基を示す。

得られたポリマー（Ｅ）のフェニル基の含有比率は３３モル％であった。

（合成例６）第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン１６ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン５０ｇ、ジメチルジメトキシシラン３６ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１８３ｇ、フェニルトリメトキシシラン１４９ｇ、及びビニルトリメトキシシラン４５ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１０４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｆ）を得た。

得られたポリマー（Ｆ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１０００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｆ）は、下記の平均組成式（Ｆ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．０５（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２３（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．０９（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２６（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．２７（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．１０ …式（Ｆ１）

上記式（Ｆ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｆ）のフェニル基の含有比率は５１モル％であった。

（合成例７）第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１１０ｇ、フェニルトリメトキシシラン２６８ｇ、及びビニルトリメトキシシラン４５ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１１６ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｇ）を得た。

得られたポリマー（Ｇ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１１００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｇ）は、下記の平均組成式（Ｇ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．０９（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．１９（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．１６（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．４６（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．１０ …式（Ｇ１）

上記式（Ｇ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｇ）のフェニル基の含有比率は５１モル％であった。

（合成例８）第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン１８３ｇ、フェニルトリメトキシシラン１４９ｇ、ビニルトリメトキシシラン４５ｇ、及び１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン７６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水１０５ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｈ）を得た。

得られたポリマー（Ｈ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１１００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｈ）は、下記の平均組成式（Ｈ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．０９（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．１９（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２６（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．２６（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．１０（Ｍｅ_４ＳｉＰｈｅＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｈ１）

上記式（Ｈ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示し、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。

得られたポリマー（Ｈ）のフェニル基とフェニレン基との含有比率（アリール基の含有比率）は５１モル％であった。

（合成例９）第１のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン９４ｇ、ジメチルジメトキシシラン９９ｇ、ジフェニルジメトキシシラン９２ｇ、及びビニルトリメトキシシラン１３３ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｉ）を得た。

得られたポリマー（Ｉ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１８００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｉ）は、下記の平均組成式（Ｉ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．２９（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．２７（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．１３（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．３１ …式（Ｉ１）

上記式（Ｉ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｉ）のフェニル基の含有比率は２１モル％であった。

（合成例１０）第１のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン１８０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン７３ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１１９ｇ、及び１，４−ビス（ジメチルメトキシシリル）ベンゼン７６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１０８ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｊ）を得た。

得られたポリマー（Ｊ）の数平均分子量（Ｍｎ）は３４００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｊ）は、下記の平均組成式（Ｊ１）を有していた。

（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．４９（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．１０（ＶｉＭｅＳｉＯ_２／２）_０．３１（Ｍｅ_４ＳｉＰｈｅＯ_２／２）_０．１０ …式（Ｊ１）

上記式（Ｊ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈｅはフェニレン基を示す。

得られたポリマー（Ｊ）のフェニル基とフェニレン基との含有比率（アリール基の含有比率）は２２モル％であった。

（合成例１１）第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−ヘキサメチルジシロキサン５０ｇ、ジメチルジメトキシシラン１４０ｇ、ジフェニルジメトキシシラン５９ｇ、フェニルトリメトキシシラン４８ｇ、及びビニルトリメトキシシラン４５ｇを入れ５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．４ｇと水９２ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｋ）を得た。
得られたポリマー（Ｋ）の数平均分子量（Ｍｎ）は６００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｋ）は、下記の平均組成式（Ｋ１）を有していた。

（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．０９（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２４（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．３８（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．０８（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．１０（ＶｉＳｉＯ_３／２）_０．１０ …式（Ｋ１）

上記式（Ｋ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基、Ｖｉはビニル基を示す。

得られたポリマー（Ｋ）のフェニル基の含有比率は２３モル％であった。

（白金アルケニル錯体Ａの合成）
環流管を備えた反応フラスコに、塩化白金酸６水和物（Ｈ_２ＰｔＣｌ_６・６Ｈ_２Ｏ、３００ｍｇ）、及び２−プロパノール（４．６ｍｌ）を入れて、窒素雰囲気下にて室温で２０分間攪拌した。２０分後、炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ_３、４００ｍｇ）を加えて、ガスの発生がなくなるまで攪拌し、次に１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（８当量、８６４ｍｇ）を加え、反応溶液を６０℃で２４時間攪拌した。反応溶液を室温に戻し、無水硫酸マグネシウム（３００ｍｇ）を加えて５分間攪拌した。その後、ジエチルエーテルを溶媒に用いてセライトろ過を行い、溶液量が５ｇになるまで濃縮し、白金アルケニル錯体Ａの溶液を得た。

（白金アルケニル錯体Ｂの合成）
環流管を備えた反応フラスコに、塩化白金酸６水和物（Ｈ_２ＰｔＣｌ_６・６Ｈ_２Ｏ、３００ｍｇ）、及び２−プロパノール（４．６ｍｌ）を入れて、窒素雰囲気下にて室温で２０分間攪拌した。２０分後、炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ_３、４００ｍｇ）を加えて、ガスの発生がなくなるまで攪拌し、次に１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（２０当量、２．１６ｇ）を加え、反応溶液を６０℃で２４時間攪拌した。反応溶液を室温に戻し、無水硫酸マグネシウム（３００ｍｇ）を加えて５分間攪拌した。その後、ジエチルエーテルを溶媒に用いてセライトろ過を行い、溶液量が５ｇになるまで濃縮し、白金アルケニル錯体Ｂの溶液を得た。

（白金アルケニル錯体Ｃの合成）
環流管を備えた反応フラスコに、塩化白金酸６水和物（Ｈ_２ＰｔＣｌ_６・６Ｈ_２Ｏ、３００ｍｇ）、及び２−プロパノール（４．６ｍｌ）を入れて、窒素雰囲気下にて室温で２０分間攪拌した。２０分後、炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ_３、４００ｍｇ）を加えて、ガスの発生がなくなるまで攪拌し、次に２，４，６，８−テトラメチル−２，４，６，８−テトラビニルシクロテトラシロキサン（２０当量、３．９９ｇ）を加え、反応溶液を６０℃で２４時間攪拌した。反応溶液を室温に戻し、無水硫酸マグネシウム（３００ｍｇ）を加えて５分間攪拌した。その後、ジエチルエーテルを溶媒に用いてセライトろ過を行い、溶液量が５ｇになるまで濃縮し、白金アルケニル錯体Ｃの溶液を得た。

（白金アルケニル錯体Ｄの合成）
環流管を備えた反応フラスコに、塩化白金酸６水和物（Ｈ_２ＰｔＣｌ_６・６Ｈ_２Ｏ、３００ｍｇ）、２−プロパノール（４．６ｍｌ）を入れて、窒素雰囲気下にて室温で２０分間攪拌した。２０分後、炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ_３、４００ｍｇ）を加えて、ガスの発生がなくなるまで攪拌し、次に１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（５当量、５４０ｍｇ）を加え、反応溶液を６０℃で２４時間攪拌した。反応溶液を室温に戻し、無水硫酸マグネシウム（３００ｍｇ）を加えて５分間攪拌した。その後、ジエチルエーテルを溶媒に用いてセライトろ過を行い、溶液量が５ｇになるまで濃縮し、白金アルケニル錯体Ｄの溶液を得た。

（参考例１）実施例１は欠番とする
ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ａの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（参考例２）実施例２は欠番とする
ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（参考例３）実施例３は欠番とする
ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ｃの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例４）
ポリマーＢ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例５）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例６）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化ケイ素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例７）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化ケイ素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ８２００、トリメチルシリル基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子、比表面積１４０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）２ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例８）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化ケイ素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例９）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＧ（１０ｇ）、白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化ケイ素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１０）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＨ（１０ｇ）、白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化ケイ素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１１）
ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化ケイ素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１２）
ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化ケイ素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１３）
ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＧ（１０ｇ）、白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化ケイ素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（実施例１４）
ポリマーＤ（１０ｇ）、ポリマーＨ（１０ｇ）、白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）、及び酸化ケイ素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子、比表面積１２０ｍ^２／ｇ、日本アエロジル社製）０．４ｇを混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（参考例１５）実施例１５及び参考例４〜１４は欠番とする
ポリマーＩ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（参考例１６）実施例１６は欠番とする
ポリマーＪ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（参考例１７）実施例１７は欠番とする
ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＫ（１０ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（比較例１）
ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ｄの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（比較例２）
ポリマーＡ（８ｇ）、ポリマーＥ（１２ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ａの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（比較例３）
ポリマーＡ（８ｇ）、ポリマーＥ（１２ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ｂの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（比較例４）
ポリマーＡ（８ｇ）、ポリマーＥ（１２ｇ）、及び白金アルケニル錯体Ｃの溶液（封止剤中での白金元素の含有量が１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。

（評価）
（光半導体装置の作製）
銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の通電試験、ガス腐食試験及び熱衝撃試験を実施した。

（通電試験）
得られた光半導体装置について、２３℃の温度下、光度測定装置（「ＯＬ７７０」、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて発光素子に２０ｍＡの電流を流した時の光度を測定した（以下、「初期光度」と称する）。

次いで、発光素子に２０ｍＡの電流を流した状態で光半導体装置を８５℃及び相対湿度８５ＲＨ％雰囲気下のチャンバー内に入れて、５００時間放置した。５００時間後、２３℃の温度下、光度測定装置（「ＯＬ７７０」、オプトロニックラボラトリーズ社製）を用いて発光素子に２０ｍＡの電流を流した時の光度を測定し、初期光度対する光度の低下率を算出した。光度の低下率が５％未満の場合を「○○」、光度の低下率が５％を超え、１０％未満の場合を「○」、１０％を超え、２０％未満の場合を「△」、２０％以上の場合を「×」と判定した。

（変色）
通電試験後のサンプルにおいて、通電試験前のサンプルから変色しているか否かを目視で観察した。

通電試験前後のサンプル間で、変色が見られない場合を「○」、わずかに変色が見られる場合を「△」、著しい変色が見られる場合を「×」と判定した。

（ガス腐食試験）
得られた光半導体装置を、４０℃及び相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下のチャンバー内に入れ、硫化水素ガスの濃度が５ｐｐｍ、二酸化硫黄ガスの濃度が１５ｐｐｍとなるようにチャンバー内にガスを充填した。ガスの充填から、２４時間後、４８時間後、９６時間後、１６８時間後及び５００時間後にそれぞれ、銀めっきされたリード電極を目視で観察した。

銀めっきに変色が見られない場合を「○○」、銀めっきに茶褐色に変色した箇所が少しみられる場合を「○」、銀めっきのほとんどすべてが茶色に変色した場合を「△」、銀めっきのほとんどすべてが黒色に変色した場合を「×」と判定した。

（熱衝撃試験）
得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機（「ＴＳＢ−５１」、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、−５０℃で５分間保持した後、１３５℃まで昇温し、１３５℃で５分間保持した後−５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。５００サイクル後、１０００サイクル後及び１５００サイクル後にそれぞれ２０個のサンプルを取り出した。

実体顕微鏡（「ＳＭＺ−１０」、ニコン社製）にてサンプルを観察した。２０個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数（ＮＧ数）を数えた。

結果を下記の表１，２に示す。また、下記の表１，２において、「比」は、封止剤中におけるオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の数の封止剤中におけるオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の数に対する比（珪素原子に結合したアルケニル基の数／珪素原子に結合した水素原子の数）を示す。

１…光半導体装置
２…ハウジング
２ａ…内面
３…光半導体素子
４…光半導体装置用封止剤

Claims (8)

1. 光半導体装置に用いられる封止剤であって、
   珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつ珪素原子に結合したアルケニル基及び珪素原子に結合したアリール基を有する第１のオルガノポリシロキサンと、
   珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したアリール基を有する第２のオルガノポリシロキサンと、
   白金のアルケニル錯体とを含み、
   前記白金のアルケニル錯体が、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体であり、
   封止剤中における前記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の数の封止剤中における前記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の数に対する比が、１．０以上、２．５以下であり、
   前記第１のオルガノポリシロキサンが、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含み、
   前記第１のオルガノポリシロキサンの全シロキサン構造単位１００モル％中、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位の割合が３０モル％以上である、光半導体装置用封止剤。
2. 前記第１のオルガノポリシロキサンが、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、
   前記第２のオルガノポリシロキサンが、下記式（５１Ａ）又は下記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであり、
   前記第１のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下であり、かつ
   前記第２のオルガノポリシロキサンにおける下記式（Ｘ５１）より求められるアリール基の含有比率が３０モル％以上、７０モル％以下である、請求項１に記載の光半導体装置用封止剤。
   

   

   前記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．５０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
   

   

   前記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．４０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．４０〜０．９９、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．５０及びｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、フェニル基及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。前記式（１Ｂ）中、（Ｒ７Ｒ８Ｒ９Ｒ１０Ｓｉ _２ Ｒ１１Ｏ _２／２ ）の構造単位は、下記式（１ｂ−１）で表される構造単位である。
   

   

   前記式（１ｂ−１）中、Ｒａは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ７〜Ｒ１０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
   

   

   前記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．２０〜０．８０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
   

   

   前記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０５〜０．５０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．２０〜０．８０及びｓ／（ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ）＝０．０１〜０．４０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がフェニル基を表し、少なくとも１個が珪素原子に直接結合している水素原子を表し、フェニル基及び珪素原子に直接結合している水素原子以外のＲ５１〜Ｒ５６は炭素数１〜８の炭化水素基を表す。前記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５７Ｒ５８Ｒ５９Ｒ６０Ｓｉ _２ Ｒ６１Ｏ _２／２ ）の構造単位は、下記式（５１ｂ−１）で表される構造単位である。
   

   

   前記式（５１ｂ−１）中、Ｒｂは、水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基を表し、Ｒ５７〜Ｒ６０はそれぞれ、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。
   アリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が前記式（１Ａ）又は前記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が前記式（１Ａ）又は前記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ１）
   アリール基の含有比率（モル％）＝（平均組成式が前記式（５１Ａ）又は前記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／平均組成式が前記式（５１Ａ）又は前記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量）×１００ ・・・式（Ｘ５１）
3. 前記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサン及び前記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの内の少なくとも一方を含む、請求項２に記載の光半導体装置用封止剤。
4. 封止剤中で、前記白金のアルケニル錯体による白金元素の含有量が１ｐｐｍ以上、３００ｐｐｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
5. 前記第２のオルガノポリシロキサンが、下記式（５１−ａ）で表される構造単位を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
   

   

   前記式（５１−ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、水素原子、フェニル基又は炭素数１〜８の炭化水素基を示す。
6. 前記第２のオルガノポリシロキサンの全シロキサン構造単位１００モル％中、前記式（５１−ａ）で表される構造単位の割合が５モル％以上である、請求項５に記載の光半導体装置用封止剤。
7. 前記第２のオルガノポリシロキサンが、１つの珪素原子に２つのフェニル基が結合したジフェニルシロキサン構造単位を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
8. 光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられた請求項１〜７のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤とを備える、光半導体装置。

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