JP2008001828A - 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 - Google Patents

硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 充填性、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率、基材に対する密着性が良好な硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および該組成物を用いてなる、信頼性が優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】 (A)一般式:R1 3SiO(R1 2SiO2)mSiR1 3(R1は一価炭化水素基、mは0〜100の整数)で表されるアルケニル基とアリール基を有するオルガノポリシロキサン、(B)平均単位式:(R2SiO3/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2 3SiO1/2)c(R2は一価炭化水素基、a、b、cは特定の数)で表されるアルケニル基とアリール基を有するオルガノポリシロキサン、(C)一分子中、少なくとも平均2個のケイ素原子結合アリール基と少なくとも平均2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、および(D)ヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
【選択図】 図1

Description

本発明は、硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置に関し、詳しくは、充填性、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率、基材に対する密着性が良好な硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および該組成物を用いてなる、信頼性が優れる半導体装置に関する。
ヒドロシリル化反応により硬化する硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、フォトカプラー、発光ダイオード、固体撮像素子等の光学用半導体装置における半導体素子の保護コーティング剤として使用されている。このような半導体素子の保護コーティング剤は、前記素子が発光したり、あるいは受光したりするため、光を吸収したり、散乱したりしないことが要求されている。
ヒドロシリル化反応により硬化して、屈折率が大きく、光透過性が高い硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物としては、例えば、フェニル基とアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、オルガノハイドロジェンシクロシロキサン、およびヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物(特許文献1参照)、フェニル基とアルケニル基を有する粘度(25℃)が10,000mPa・s以上の液状または固体のオルガノポリシロキサン、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、およびヒドロシリル化反応用触媒からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物(特許文献2参照)、アリール基とアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、および白金のアリール基含有オルガノシロキサンオリゴマー錯体からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物(特許文献3参照)が挙げられる。
しかし、これらの硬化性オルガノポリシロキサン組成物は粘度が高く充填性が乏しかったり、また硬化反応温度が高く硬化性が低いという問題があった。
特開平8−176447号公報 特開平11−1619号公報 特開2003−128922号公報
本発明の目的は、充填性、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率、基材に対する密着性が良好な硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および該組成物を用いてなる、信頼性が優れる半導体装置を提供することにある。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、(A)一般式:
1 3SiO(R1 2SiO2)mSiR1 3
(式中、R1は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、一分子中、全R1の少なくとも2個はアルケニル基であり、全R1の少なくとも1個はアリール基であり、また、mは0〜100の整数である。)
で表されるオルガノポリシロキサン 100質量部、
(B)平均単位式:
(R2SiO3/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2 3SiO1/2)c
{式中、R2は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、一分子中、全R2の0.5モル%以上はアルケニル基であり、全R2の25モル%以上はアリール基であり、また、a、b、cはそれぞれ、0.30≦a≦0.60、0.30≦b≦0.55、a+b+c=1.00、および、0.10≦c/(a+b)≦0.30を満たす数である。}
で表されるオルガノポリシロキサン 10〜150質量部、
(C)一分子中、少なくとも平均2個のケイ素原子結合アリール基と少なくとも平均2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン{(A)成分中および(B)成分中のアルケニル基の合計1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が0.1〜10モルとなる量}、
および
(D)ヒドロシリル化反応用触媒(本組成物の硬化を促進する量)
から少なくともなることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、半導体素子が上記の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により被覆されていることを特徴とする。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、充填性、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率、密着性が良好な硬化物を形成するという特徴があり、また、本発明の半導体装置は、上記組成物を用いてなるので、信頼性が優れるという特徴がある。
はじめに、本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を詳細に説明する。
(A)成分のオルガノポリシロキサンは、本組成物の硬化性を向上させ、また、本組成物を低粘度とするための主剤であり、一般式:
1 3SiO(R1 2SiO2)mSiR1 3
で表される。上式中、R1は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基が例示され、好ましくは、メチル基、ビニル基、フェニル基である。但し、本組成物を十分に硬化させるためには、一分子中、全R1(ケイ素原子結合全有機基)の少なくとも2個はアルケニル基であることが必要であり、特に、このアルケニル基はビニル基であることが好ましい。また、本組成物を硬化して得られる硬化物の光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さくなることから、一分子中、全R1(ケイ素原子結合全有機基)の少なくとも1個はアリール基であることが必要であり、特に、このアリール基はフェニル基であることが好ましい。また、上式中、mは0〜100の範囲内の整数であり、好ましくは、1〜100の範囲内の整数であり、さらに好ましくは、2〜100の範囲内の整数であり、特に好ましくは、2〜50の範囲内の整数である。これは、mが上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物の可撓性が低下したり、基材に対する密着性が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、充填性が低下したり、得られる硬化物の機械的特性が低下する傾向があるからである。
このような(A)成分としては、下式で表されるオルガノポリシロキサンが例示される。式中、mは2〜100の範囲内の整数であり、m'およびm"はそれぞれ1〜99の範囲内の整数であり、但し、m'+m"は2〜100の範囲内の整数である。
65(CH3)2SiO[(CH2=CH)(CH3)SiO]mSi(CH3)265
(CH2=CH)(CH3)2SiO[C65(CH3)SiO]mSi(CH3)2(CH=CH2)
(CH2=CH)(CH3)2SiO[C65(CH3)SiO]m'[(CH3)2SiO]m"Si(CH3)2(CH=CH2)
(CH2=CH)(CH3)2SiO[(C65)2SiO]mSi(CH3)2(CH=CH2)
(CH2=CH)(CH3)2SiO[(C65)2SiO]m'[(CH3)2SiO]m"Si(CH3)2(CH=CH2)
なお、本組成物の硬化性を特に向上できることから、(A)成分としては、分子鎖末端のケイ素原子にアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
(B)成分のオルガノポリシロキサンは、本組成物の硬化性を向上させ、また、柔軟な硬化物を形成するための主剤であり、平均単位式:
(R2SiO3/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2 3SiO1/2)c
で表される。上式中、R2は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、前記R1と同様の一価炭化水素基が例示され、好ましくは、メチル基、ビニル基、フェニル基である。但し、本組成物を十分に硬化させるためには、一分子中、全R2(ケイ素原子結合全有機基)の0.5モル%以上はアルケニル基であることが必要であり、特に、このアルケニル基はビニル基であることが好ましい。また、本組成物を硬化して得られる硬化物の光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さくなることから、一分子中、全R2(ケイ素原子結合全有機基)の25モル%以上はアリール基であることが必要であり、好ましくは、40モル%以上がアリール基であり、特に好ましくは、45モル%以上がアリール基である。このアリール基としては、フェニル基であることが好ましい。なお、式:R2SiO3/2で表されるシロキサン単位中のR2はアリール基であることが好ましく、特に、フェニル基であることが好ましい。また、式:R2 2SiO2/2で表されるシロキサン単位中のR2はアルキル基および/またはアリール基であることが好ましく、特に、メチル基および/またはフェニル基であることが好ましい。このようなシロキサン単位としては、例えば、式:C65(CH3)SiO2/2で表されるシロキサン単位、式:(C65)2SiO2/2で表されるシロキサン単位、式:(CH3)2SiO2/2で表されるシロキサン単位が挙げられる。さらに、式:R2 3SiO1/2で表されるシロキサン単位は、R2の少なくとも1つがアルケニル基であり、他のR2がアルキル基および/またはアリール基であるシロキサン単位であることが好ましく、特に、R2の少なくとも1つがビニル基であり、他のR2がメチル基および/またはフェニル基であるシロキサン単位であることが好ましい。このようなシロキサン単位としては、例えば、式:(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2で表されるシロキサン単位が挙げられる。また、式:R2 3SiO1/2で表されるシロキサン単位としては、R2がアルキル基および/またはアリール基であるシロキサン単位、特には、R2がメチル基および/またはフェニル基であるシロキサン単位を含んでいてもよい。このようなシロキサン単位としては、式:(CH3)3SiO1/2で表されるシロキサン単位、式:C65(CH3)2SiO1/2で表されるシロキサン単位が挙げられる。また、上式中、a、b、cはそれぞれ、0.30≦a≦0.60、0.30≦b≦0.55、a+b+c=1.00、および、0.10≦c/(a+b)≦0.30を満たす数である。
このような(B)成分の粘度(25℃)は特に限定されないが、好ましくは、10〜1,000,000mPa・sの範囲内であり、特に好ましくは、100〜50,000mPa・sの範囲内である。これは、(B)成分の粘度が上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物の機械的特性が低下する傾向があり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる組成物の充填性が低下する傾向があるからである。このような(B)成分の分子量は限定されないが、標準ポリスチレン換算による質量平均分子量が500〜10,000の範囲内であることが好ましく、特に、700〜6,000の範囲内であることが好ましい。これは、(B)成分の分子量が上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物の機械的特性が低下する傾向があり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる組成物の充填性が低下する傾向があるからである。
本組成物において、(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して10質量部以上であり、好ましくは、50質量部以上であり、また、150質量部未満であり、好ましくは、120質量部未満である。具体的に、(B)成分の含有量の範囲は、(A)成分100質量部に対して、10〜150質量部の範囲内、好ましくは、10〜120質量部の範囲内、50〜120質量部の範囲内、あるいは50〜150質量部の範囲内が挙げられる。これは、(B)成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られる組成物の低温での硬化性が低下する傾向があり、また得られる硬化物の機械的特性が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる硬化物の基材に対する密着性が低下する傾向があるからである。
(C)成分は、本組成物の硬化剤であり、一分子中に少なくとも平均2個のケイ素原子結合アリール基と少なくとも平均2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサンである。(C)成分中のケイ素原子結合水素原子の結合位置としては、分子鎖末端および/または分子鎖側鎖が例示される。(C)成分中のケイ素原子結合アリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基が例示され、好ましくは、フェニル基である。特に、本組成物を硬化して得られる硬化物の光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さくなることから、(C)成分の一分子中、ケイ素原子結合の全基の10モル%以上はアリール基であることが好ましい。また、(C)成分中のケイ素原子に結合するその他の基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基が例示され、好ましくは、メチル基である。このような(C)成分の分子構造としては、直鎖状、分岐状、環状、網状、一部分岐を有する直鎖状が例示され、好ましくは直鎖状である。(C)成分の粘度(25℃)は特に限定されず、例えば、1〜500,000mPa・sの範囲内であることが好ましく、さらには、1〜100,000mPa・sの範囲内であることが好ましく、特に、5〜100,000mPa・sの範囲内であることが好ましい。これは、(C)成分の粘度が上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物の機械的特性が低下する傾向があり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる組成物の充填性が低下する傾向があるからである。
このような(C)成分のオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端ジメチルフェニルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルフェニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン、式:R3 3SiO1/2で表されるシロキサン単位と式:R3 2HSiO1/2で表されるシロキサン単位と式:SiO4/2で表されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、式:R3 2HSiO1/2で表されるシロキサン単位と式:SiO4/2で表されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、式:R3HSiO2/2で表されるシロキサン単位と式:R3SiO3/2で表されるシロキサン単位または式:HSiO3/2で表されるシロキサン単位からなるオルガノポリシロキサン共重合体、およびこれらのオルガノポリシロキサンの二種以上の混合物が例示される。式中、R3はアルキル基、アリール基、アラルキル基、またはハロゲン置換アルキル基であり、前記と同様の基が例示され、但し、一分子中、全R3の少なくとも平均1個はアリール基である。このアリール基としては、フェニル基であることが好ましい。特に、本組成物の硬化性が良好であることから、(C)成分としては、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アリール基を有し、分子鎖両末端がケイ素原子結合水素原子で封鎖された直鎖状のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
本組成物において、(C)成分の含有量は、(A)成分および(B)成分に含まれるアルケニル基の合計1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が0.1〜10モルの範囲内となる量であり、好ましくは、0.1〜5モルの範囲内となる量であり、特に好ましくは、0.5〜1.5モルの範囲内となる量である。これは、(C)成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、得られる組成物が十分に硬化しなくなる傾向があり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる硬化物の機械的特性や耐熱性が低下する傾向があるからである。
(D)成分のヒドロシリル化反応用触媒は、本組成物の硬化を促進するための触媒である。このような(D)成分としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示され、本組成物の硬化を著しく促進できることから白金系触媒であることが好ましい。この白金系触媒としては、白金微粉末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体が例示され、特に、白金−アルケニルシロキサン錯体であることが好ましい。このアルケニルシロキサンとしては、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのメチル基の一部をエチル基、フェニル基等の基で置換したアルケニルシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのビニル基をアリル基、ヘキセニル基等の基で置換したアルケニルシロキサンが例示される。特に、この白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性が良好であることから、1,3−ジビニル−1,1,3,3−トテラメチルジシロキサンであることが好ましい。また、この白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性を向上させることができることから、この錯体に1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジアリル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジビニル−1,3−ジメチル−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン等のアルケニルシロキサンやジメチルシロキサンオリゴマー等のオルガノシロキサンオリゴマーを添加することが好ましく、特に、アルケニルシロキサンを添加することが好ましい。
本組成物において、(D)成分の含有量は、本組成物の硬化を促進する量であれば特に限定されないが、具体的には、本組成物に対して、本成分中の金属原子が質量単位で0.01〜500ppmの範囲内となる量であることが好ましく、特に、0.01〜50ppmの範囲内となる量であることが好ましい。これは、(C)成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、本組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる硬化物に着色等の問題を生じる傾向があるからである。
本組成物には、その他任意の成分として、2−メチル−3−ブチン−2−オール、3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール、2−フェニル−3−ブチン−2−オール等のアルキンアルコール;3−メチル−3−ペンテン−1−イン、3,5−ジメチル−3−ヘキセン−1−イン等のエンイン化合物;1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等の反応抑制剤を含有してもよい。この反応抑制剤の含有量は限定されないが、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して0.0001〜5質量部の範囲内であることが好ましい。
また、本組成物には、その接着性を向上させるための接着付与剤を含有していてもよい。この接着付与剤としては、ケイ素原子結合アルコキシ基を一分子中に少なくとも1個有する有機ケイ素化合物であることが好ましい。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基が例示され、特に、メトキシ基であることが好ましい。また、この有機ケイ素化合物のケイ素原子に結合するアルコキシ基以外の基としては、前記R1と同様のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン置換アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基;3−グリシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基;2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基;4−オキシラニルブチル基、8−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキシ基含有一価有機基;3−メタクリロキシプロピル基等のアクリル基含有一価有機基;水素原子が例示される。この有機ケイ素化合物は(A)成分と(B)成分、あるいは(C)成分と反応し得る基を有することが好ましく、具体的には、ケイ素原子結合アルケニル基またはケイ素原子結合水素原子を有することが好ましい。また、各種の基材に対して良好な接着性を付与できることから、この有機ケイ素化合物は一分子中に少なくとも1個のエポキシ基含有一価有機基を有するものであることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、オルガノシラン化合物、オルガノシロキサンオリゴマー、アルキルシリケートが例示される。このオルガノシロキサンオリゴマーあるいはアルキルシリケートの分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。このような有機ケイ素化合物としては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン化合物;一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有するシロキサン化合物、ケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも1個有するシラン化合物またはシロキサン化合物と一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも1個ずつ有するシロキサン化合物との混合物、式:
Figure 2008001828
(式中、d、e、およびfは正数である。)
で示されるシロキサン化合物、式:
Figure 2008001828
(式中、d、e、f、およびgは正数である。)
で示されるシロキサン化合物、メチルポリシリケート、エチルポリシリケート、エポキシ基含有エチルポリシリケートが例示される。この接着付与剤は低粘度液状であることが好ましく、その粘度(25℃)は特に限定されないが、1〜500mPa・sの範囲内であることが好ましい。また、上記組成物において、この接着付与剤の含有量は限定されないが、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して0.01〜10質量部の範囲内であることが好ましい。
また、本組成物には、本発明の目的を損なわない限り、その他任意の成分として、シリカ、ガラス、アルミナ、酸化亜鉛等の無機質充填剤;ポリメタクリレート樹脂等の有機樹脂微粉末;耐熱剤、染料、顔料、難燃性付与剤、溶剤等を含有してもよい。
本組成物の粘度(25℃)は特に限定されないが、充填性が優れることから、10,000mPa・s以下であることが好ましく、さらには、5,000mPa・s以下であることが好ましく、特には、3,000mPa・s以下であることが好ましい。
また、本組成物は、硬化して得られる硬化物の可視光(589nm)における屈折率(25℃)が1.5以上であることが好ましい。また、本組成物を硬化して得られる硬化物の光透過率(25℃)が80%以上であることが好ましい。これは、硬化物の屈折率が1.5未満であったり、光透過率が80%未満であるような組成物の硬化物により被覆された半導体素子を有する半導体装置に十分な信頼性を付与できなくなる傾向があるからである。このような屈折率が大きく、光透過性率が高い硬化物を形成する硬化性オルガノポリシロキサン組成物を得るためには、(A)成分〜(D)成分の各成分の屈折率がほぼ同じであることが好ましく、具体的には、(B)成分として、ケイ素原子結合全有機基の40モル%以上がアリール基であり、さらには45モル%以上がアリール基であり、このアリール基とアルケニル基以外のケイ素原子結合有機基がアルキル基、特には、メチル基であるオルガノポリシロキサンを用い、さらに、(C)成分として、ケイ素原子結合の全基の10モル%以上がアリール基であり、このアリール基以外のケイ素原子結合の有機基がアルキル基、特には、メチル基であるオルガノポリシロキサンを用いることが好ましい。なお、この屈折率は、例えば、アッベ式屈折率計により測定することができる。この際、アッベ式屈折率計における光源の波長を変えることにより任意の波長における屈折率を測定することができる。また、この光透過率は、例えば、光路長1.0mmの硬化物を分光光度計により測定することにより求めることができる。
本組成物の硬化方法は特に限定されず、硬化反応は室温もしくは加熱により進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが好ましい。この加熱温度としては、50〜200℃の範囲内であることが好ましい。このようにして本組成物を硬化して得られる硬化物はエラストマー状、特には、ゲル状、あるいは柔軟なゴム状であり、特に好ましくはゲル状である。このゲル状硬化物は、JIS K 2220に規定の1/4ちょう度が5以上であることが好ましく、特に、5〜200の範囲内であることが好ましい。
このような本組成物は、電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として使用することができ、特に、光透過率が高いことから、光学用途の半導体素子の接着剤、ポッティング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として好適である。
次に、本発明の半導体装置について詳細に説明する。
本発明の半導体装置は、半導体素子が上記硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により被覆されてなることを特徴とする。この半導体素子は発光用半導体素子、受光用半導体素子などのいずれでもよい。光半導体素子の代表例は、LEDチップであり、液相成長法やMOCVD法により基板上にInN、AlN、GaN、ZnSe、SiC、GaP、GaAs、GaAlAs、GaAlN、AlInGaP、InGaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成したものが好適である。本発明の半導体装置は、例えば、表面実装型の発光ダイオード(LED)であり、光半導体素子(例、LEDチップ)が断面凹型の耐熱性有機樹脂(例えば、ポリフタルアミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂)製ケースの内部に載置されており、該ケース内に上記硬化性オルガノポリシロキサン組成物を充填して硬化させており、該光半導体素子(例、LEDチップ)が上記硬化性オルガノポリシロキサン組成物を硬化して得られる透光性の硬化物により封止されている。ここで使用する硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、硬化して、エラストマー状の硬化物、好ましくは、ゲル状、あるいは柔軟なゴム状の硬化物を形成するものが好適であり、特にJIS K 2220に規定の1/4ちょう度が5以上であるゲル状の硬化物を形成するものが好ましく、特に、この1/4ちょう度が5〜200の範囲内であるゲル状の硬化物を形成するものが好ましい。上記硬化性オルガノポリシロキサン組成物は硬化途上で接触している耐熱性有機樹脂、光半導体素子(例、LEDチップ)、内部電極(インナーリード)、ボンデイングワイヤなどに耐久性良く接着している。このような発光ダイオード(LED)は砲弾型であってもよく、発光ダイオード(LED)の他に、フォトカプラー、CCDが例示される。
発光ダイオード(LED)には、レンズ装着型と非装着型があるが、レンズ非装着型の発光ダイオード(LED)を図1に例示した。ポリフタルアミド(PPA)樹脂ケース1の内底部の中心部に向かってインナーリード3が側壁から延出しており、インナーリード3の中央部上にLEDチップ2が載置されており、LEDチップ2とインナーリード3はボンディングワイヤ4により電気的に接続しており、ポリフタルアミド(PPA)樹脂ケース1の内部に実施例の硬化性オルガノポリシロキサン組成物が充填され、必要に応じて透光性材料からなるレンズが装着され、次いで、加熱硬化されて透光性の硬化物5が形成されている。
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置を実施例と比較例により詳細に説明する。なお、実施例と比較例中の粘度は25℃において測定した値である。硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物の特性を次のようにして測定し、それらの結果を表1に示した。
[硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化性]
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を70℃、120℃、および150℃の熱風循環式オーブンで1時間加熱することにより硬化させて得られた硬化物のJIS K 2220に規定の1/4ちょう度を、前記組成物を150℃の熱風循環式オーブンで1時間加熱することにより硬化させて得られた硬化物の1/4ちょう度で割った値を70℃、120℃における硬化性の指標とした。なお、この値が1に近づくほど、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化性は良好であることを示している。
[硬化物の1/4ちょう度]
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を70℃、120℃、および150℃の熱風循環式オーブンで1時間加熱することにより硬化物を作製した。それぞれの硬化物の1/4ちょう度をJIS K 2220に規定の方法に準じて測定した。
[硬化物の屈折率]
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を120℃の熱風循環式オーブンで1時間加熱することにより硬化して作製した硬化物の25℃における屈折率をアッベ式屈折率計を用いて測定した。なお、測定には可視光(589nm)の光源を用いた。
[硬化物の光透過率]
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を120℃の熱風循環式オーブンで1時間加熱することにより硬化して作製した硬化物(光路長1.0mm)について、可視光(波長420nm)における光透過率(25℃)を測定した。
また、硬化性オルガノポリシロキサン組成物を使用して表面実装型の発光ダイオード(LED)を次のようにして作製した。この発光ダイオード(LED)の信頼性を次のようにして評価し、それらの評価結果を表1に示した。
[表面実装型の発光ダイオード(LED)の作製]
底部が塞がった円筒状のポリフタルアミド(PPA)樹脂ケース1(内径2.0mm、深さ1.0mm)の内底部の中心部に向かってインナーリード3が側壁から延出しており、インナーリード3の中央部上にLEDチップ2が載置されており、LEDチップ2とインナーリード3はボンディングワイヤ4により電気的に接続している前駆体の、ポリフタルアミド(PPA)樹脂ケース1内に、各実施例または各比較例の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を脱泡してディスペンサーを用いて注入し、120℃で1時間保持して硬化させることにより、図1に示す表面実装型の発光ダイオード(LED)を各々16個作製した。
[半導体装置の信頼性−剥離率]
上記の方法で作製した表面実装型の発光ダイオード(LED)16個を280℃、30秒間保持後、−40℃、30分間保持した後、100℃、30分間保持することを1サイクルとするヒートサイクル試験を5回繰り返した。その後、室温(25℃)で静置し、硬化物とポリフタルアミド(PPA)樹脂ケース1内壁の密着状態を光学顕微鏡で観察した。硬化物と内壁との間に剥離が観察された発光ダイオードの全数(16個)に対する割合を剥離率として示した。
[実施例1〜3、比較例1〜4]
下記に示す成分を表1中に示す質量部で混合して硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。なお、表1中、[SiH/Vi]はビニル基を有するオルガノポリシロキサン成分中のビニル基1モルに対する、ケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン中のケイ素原子結合水素原子のモル数を示している。
(A−1):式:
(CH2=CH)(CH3)2SiO[C65(CH3)SiO]20Si(CH3)2(CH=CH2)
で表されるメチルフェニルポリシロキサン
(A−2):式:
(CH2=CH)(CH3)2SiO[C65(CH3)SiO]4Si(CH3)2(CH=CH2)
で表されるメチルフェニルポリシロキサン
(B−1):質量平均分子量3,200、屈折率1.55であり、平均単位式:
(C65SiO3/2)0.45[C65(CH3)SiO2/2]0.40[CH2=CH(CH3)2SiO1/2]0.15
で表される粘ちょうなオルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合全有機基に対するビニル基の割合=8.8モル%;ケイ素原子結合全有機基に対するフェニル基の割合=50.0モル%)
(B−2):質量平均分子量4,500、屈折率1.55であり、平均単位式:
(C65SiO3/2)0.50[C65(CH3)SiO2/2]0.35[CH2=CH(CH3)2SiO1/2]0.10[(CH3)3SiO1/2]0.05
で表される粘ちょうなオルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合全有機基に対するビニル基の割合=5.9モル%;ケイ素原子結合全有機基に対するフェニル基の割合=50.0モル%)
(B−3):質量平均分子量7,300、屈折率1.50であり、平均単位式:
(C65SiO3/2)0.45[(CH3)2SiO2/2]0.40[CH2=CH(CH3)2SiO1/2]0.15
で表される粘ちょうなオルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合全有機基に対するビニル基の割合=8.8モル%;ケイ素原子結合全有機基に対するフェニル基の割合=26.5モル%)
(B−4):質量平均分子量2,400、屈折率1.55であり、平均単位式:
(C65SiO3/2)0.75[CH2=CH(CH3)2SiO1/2]0.25
で表される固体状のオルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合全有機基に対するビニル基の割合=16.7モル%;ケイ素原子結合全有機基に対するフェニル基の割合=50.0モル%)
(B−5):質量平均分子量7,700、屈折率1.58であり、平均単位式:
(C65SiO3/2)0.75[(CH3)2SiO2/2]0.15[CH2=CH(CH3)SiO2/2]0.10
で表される固体状のオルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合全有機基に対するビニル基の割合=8.0モル%;ケイ素原子結合全有機基に対するフェニル基の割合=60.0モル%)
(B−6):質量平均分子量86,000、屈折率1.55であり、平均単位式:
(C65SiO3/2)0.25[C65(CH3)SiO2/2]0.70[CH2=CH(CH3)2SiO1/2]0.05
で表される粘ちょうなオルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合全有機基に対するビニル基の割合=2.8モル%;ケイ素原子結合全有機基に対するフェニル基の割合=52.3モル%)
(B−7):質量平均分子量6,500、屈折率1.47であり、平均単位式:
(C65SiO3/2)0.27[(CH3)2SiO2/2]0.58[CH2=CH(CH3)2SiO1/2]0.15
で表される粘ちょうなオルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合全有機基に対するビニル基の割合=8.0モル%;ケイ素原子結合全有機基に対するフェニル基の割合=14.4モル%)
(C−1):120mPa・sであり、式:
H(CH3)2SiO[(C65)2SiO]2Si(CH3)2
で表されるジフェニルシロキサンオリゴマー(ケイ素原子結合の全基に対するフェニル基の割合=40.0モル%)
(D−1):白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体
反応抑制剤:1−エチニルシクロヘキサノール
Figure 2008001828
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として使用することができ、特に、光透過率が高いことから、光学用途の半導体素子の接着剤、ポッティング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として好適である。また、本発明の半導体装置は、ダイオード、発光ダイオード(LED)、トランジスタ、サイリスタ、フォトカプラー、CCD、モノリシックIC、ハイブリッドIC、LSI、VLSIとして好適である。
本発明の光半導体装置の一例である表面実装型の発光ダイオード(LED)の断面図である。
符号の説明
1 ポリフタルアミド(PPA)樹脂製ケース
2 LEDチップ
3 インナーリード
4 ボンディングワイヤ
5 硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物

Claims (10)

  1. (A)一般式:
    1 3SiO(R1 2SiO2)mSiR1 3
    (式中、R1は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、一分子中、全R1の少なくとも2個はアルケニル基であり、全R1の少なくとも1個はアリール基であり、また、mは0〜100の整数である。)
    で表されるオルガノポリシロキサン 100質量部、
    (B)平均単位式:
    (R2SiO3/2)a(R2 2SiO2/2)b(R2 3SiO1/2)c
    {式中、R2は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、一分子中、全R2の0.5モル%以上はアルケニル基であり、全R2の25モル%以上はアリール基であり、また、a、b、cはそれぞれ、0.30≦a≦0.60、0.30≦b≦0.55、a+b+c=1.00、および、0.10≦c/(a+b)≦0.30を満たす数である。}
    で表されるオルガノポリシロキサン 10〜150質量部、
    (C)一分子中、少なくとも平均2個のケイ素原子結合アリール基と少なくとも平均2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン{(A)成分中および(B)成分中のアルケニル基の合計1モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が0.1〜10モルとなる量}、
    および
    (D)ヒドロシリル化反応用触媒(本組成物の硬化を促進する量)
    から少なくともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  2. (B)成分が、一分子中、全R2の40モル%以上がアリール基であるオルガノポリシロキサンであることを特徴とする、請求項1記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  3. (C)成分が、分子鎖両末端にケイ素原子結合水素原子を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンであることを特徴とする、請求項1記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  4. 硬化性オルガノポリシロキサン組成物の粘度(25℃)が10,000mPa・s以下であることを特徴とする、請求項1記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  5. 硬化して、可視光(589nm)における屈折率(25℃)が1.5以上である硬化物を形成することを特徴とする、請求項1記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  6. 硬化して、光透過率(25℃)が80%以上である硬化物を形成することを特徴とする、請求項1記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  7. 硬化して、ゲル状硬化物を形成することを特徴とする、請求項1記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  8. 硬化して、JIS K 2220に規定の1/4ちょう度が5〜200であるゲル状硬化物を形成することを特徴とする、請求項1記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
  9. 半導体素子が、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により被覆されていることを特徴とする半導体装置。
  10. 半導体素子が発光素子であることを特徴とする、請求項9記載の半導体装置。

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US (1) US8080614B2 (ja)
EP (1) EP2032653B1 (ja)
JP (1) JP5202822B2 (ja)
KR (1) KR101436800B1 (ja)
CN (1) CN101466795B (ja)
AT (1) ATE451426T1 (ja)
DE (1) DE602007003724D1 (ja)
MY (1) MY147862A (ja)
TW (1) TWI425053B (ja)
WO (1) WO2007148812A1 (ja)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008050494A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2009215420A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 高硬度シリコーンゴムを与える組成物およびそれを封止材として用いた半導体装置
JP2009235265A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
JP2009256603A (ja) * 2008-03-24 2009-11-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置
JP2010001358A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 付加硬化型シリコーン組成物、その硬化物及び該組成物からなる光学素子封止材
KR101074506B1 (ko) 2010-01-25 2011-10-17 주식회사 엘지화학 광전지 모듈
KR101074505B1 (ko) 2010-01-25 2011-10-17 주식회사 엘지화학 광전지 모듈
JP2011225715A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物
WO2011090365A3 (ko) * 2010-01-25 2011-12-22 (주)Lg화학 광전지용 시트
WO2011090367A3 (ko) * 2010-01-25 2011-12-22 (주)Lg화학 광전지용 시트
JP2012021157A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Cheil Industries Inc シロキサンハイブリッド重合体、前記シロキサンハイブリッド重合体から形成される封止材、および前記封止材を含む電子素子
WO2012173167A1 (en) 2011-06-16 2012-12-20 Dow Corning Toray Co., Ltd. Cross-linkable silicone composition and cross-linked product thereof
US8373286B2 (en) 2008-09-05 2013-02-12 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device
JP2013076050A (ja) * 2011-09-16 2013-04-25 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2013518142A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP2013518144A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP2013518143A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド シリコーン樹脂
US8481656B2 (en) 2011-04-08 2013-07-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone resin composition and optical semiconductor device using the composition
JP2014051606A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置
JP2014533765A (ja) * 2011-11-25 2014-12-15 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
US8946353B2 (en) 2008-10-31 2015-02-03 Dow Corning Toray Co. Ltd. Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device
WO2015030224A1 (en) * 2013-08-29 2015-03-05 Dow Corning Corporation Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
WO2015119226A1 (ja) 2014-02-04 2015-08-13 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
WO2015119227A1 (ja) * 2014-02-04 2015-08-13 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
WO2016035285A1 (ja) * 2014-09-01 2016-03-10 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、硬化性ホットメルトシリコーン、および光デバイス
US9379296B2 (en) 2010-01-25 2016-06-28 Lg Chem, Ltd. Silicone resin
US9410018B2 (en) 2010-01-25 2016-08-09 Lg Chem, Ltd. Curable composition

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5628474B2 (ja) 2008-03-31 2014-11-19 東レ・ダウコーニング株式会社 オルガノポリシロキサン、その製造方法、硬化性シリコーン組成物、およびその硬化物
JP5972511B2 (ja) 2008-03-31 2016-08-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物
JP5972512B2 (ja) * 2008-06-18 2016-08-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
JP5667740B2 (ja) * 2008-06-18 2015-02-12 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
CA2759638A1 (en) * 2009-04-22 2010-10-28 Shat-R-Shield, Inc. Silicone coated light-emitting diode
US8697458B2 (en) * 2009-04-22 2014-04-15 Shat-R-Shield, Inc. Silicone coated light-emitting diode
TWI435895B (zh) 2009-10-28 2014-05-01 Indial Technology Co Ltd Package material composition
KR20120078606A (ko) * 2010-12-31 2012-07-10 제일모직주식회사 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자
CN105670294B (zh) * 2011-05-04 2018-02-02 Lg化学株式会社 可固化组合物
CN103534296A (zh) 2011-05-11 2014-01-22 汉高股份有限公司 具有改善的阻隔性的聚硅氧烷树脂
WO2012158841A1 (en) * 2011-05-16 2012-11-22 Shat-R-Shield, Inc. A method for attaching an optical lens to a printed circuit board with electronic light source
JP5893874B2 (ja) 2011-09-02 2016-03-23 信越化学工業株式会社 光半導体装置
KR101493131B1 (ko) * 2011-11-25 2015-02-13 주식회사 엘지화학 오가노폴리실록산
JP5831959B2 (ja) * 2011-11-25 2015-12-16 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
EP2784126B1 (en) * 2011-11-25 2019-03-13 LG Chem, Ltd. Curable composition
WO2013077701A1 (ko) * 2011-11-25 2013-05-30 주식회사 엘지화학 오가노폴리실록산의 제조 방법
JP5805883B2 (ja) * 2011-11-25 2015-11-10 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP5652387B2 (ja) * 2011-12-22 2015-01-14 信越化学工業株式会社 高信頼性硬化性シリコーン樹脂組成物及びそれを使用した光半導体装置
KR102071013B1 (ko) 2012-05-14 2020-01-29 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 인크. 고굴절률 물질
GB201212782D0 (en) * 2012-07-18 2012-08-29 Dow Corning Organosiloxane compositions
JP5819787B2 (ja) * 2012-07-19 2015-11-24 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物
WO2014017888A1 (ko) * 2012-07-27 2014-01-30 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP2014031394A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置
CN104662068A (zh) 2012-08-02 2015-05-27 汉高股份有限公司 聚碳硅烷和包含其的用于led封装剂的可固化组合物
KR20150037952A (ko) 2012-08-02 2015-04-08 헨켈 차이나 컴퍼니 리미티드 폴리카르보실란 및 히드로실리콘을 포함하는 led 봉지재용 경화성 조성물
WO2014062843A1 (en) * 2012-10-16 2014-04-24 Brewer Science Inc. Silicone polymers with high refractive indices and extended pot life
JP5819866B2 (ja) * 2013-01-10 2015-11-24 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子
WO2014163438A1 (ko) * 2013-04-04 2014-10-09 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
KR101714715B1 (ko) 2014-03-11 2017-03-09 제일모직 주식회사 봉지재 조성물, 봉지재, 및 전자 소자
JP6678388B2 (ja) * 2014-12-25 2020-04-08 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物
EP3194502A4 (en) 2015-04-13 2018-05-16 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
KR102136686B1 (ko) * 2018-09-21 2020-08-13 주식회사 케이씨씨 실리콘 조성물
CN110272627B (zh) * 2019-07-24 2021-11-23 杭州之江新材料有限公司 一种高折光指数的有机硅凝胶及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10212413A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 電気・電子部品封止・充填用シリコーンゲル組成物およびシリコーンゲル
JP2003128922A (ja) * 2001-10-19 2003-05-08 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2004143361A (ja) * 2002-10-28 2004-05-20 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2005105217A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3574226B2 (ja) 1994-10-28 2004-10-06 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
CN1086713C (zh) * 1996-06-28 2002-06-26 罗纳·布朗克化学公司 可交联成粘性凝胶的硅氧烷组合物
JP3344286B2 (ja) 1997-06-12 2002-11-11 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物
US6432137B1 (en) * 1999-09-08 2002-08-13 Medennium, Inc. High refractive index silicone for use in intraocular lenses
JP2001261963A (ja) * 2000-03-17 2001-09-26 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーンゴム組成物
JP2003128992A (ja) 2001-10-18 2003-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 親水性塗料
DE10204893A1 (de) * 2002-02-06 2003-08-14 Ge Bayer Silicones Gmbh & Co Selbsthaftende additionsvernetzende Silikonkautschukmischungen, ein Verfahren zu deren Herstellung, Verfahren zur Herstellung von Verbund-Formteilen und deren Verwendung
JP2004359756A (ja) * 2003-06-03 2004-12-24 Wacker Asahikasei Silicone Co Ltd Led用封止剤組成物
JP2006063092A (ja) * 2004-07-29 2006-03-09 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、その硬化方法、光半導体装置および接着促進剤

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10212413A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 電気・電子部品封止・充填用シリコーンゲル組成物およびシリコーンゲル
JP2003128922A (ja) * 2001-10-19 2003-05-08 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2004143361A (ja) * 2002-10-28 2004-05-20 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2005105217A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008050494A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2009215420A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 高硬度シリコーンゴムを与える組成物およびそれを封止材として用いた半導体装置
JP4680274B2 (ja) * 2008-03-10 2011-05-11 信越化学工業株式会社 高硬度シリコーンゴムを与える組成物およびそれを封止材として用いた半導体装置
JP2009256603A (ja) * 2008-03-24 2009-11-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物及び半導体装置
JP2009235265A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
JP2010001358A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 付加硬化型シリコーン組成物、その硬化物及び該組成物からなる光学素子封止材
US8373286B2 (en) 2008-09-05 2013-02-12 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device
US8946353B2 (en) 2008-10-31 2015-02-03 Dow Corning Toray Co. Ltd. Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device
KR101133061B1 (ko) * 2010-01-25 2012-04-04 주식회사 엘지화학 광전지용 시트
US9410018B2 (en) 2010-01-25 2016-08-09 Lg Chem, Ltd. Curable composition
WO2011090367A3 (ko) * 2010-01-25 2011-12-22 (주)Lg화학 광전지용 시트
US9276150B2 (en) 2010-01-25 2016-03-01 Lg Chem, Ltd. Sheet for a photovoltaic cell
KR101074505B1 (ko) 2010-01-25 2011-10-17 주식회사 엘지화학 광전지 모듈
US9496438B2 (en) 2010-01-25 2016-11-15 Lg Chem, Ltd. Sheet for a photovoltaic cell
KR101074506B1 (ko) 2010-01-25 2011-10-17 주식회사 엘지화학 광전지 모듈
WO2011090365A3 (ko) * 2010-01-25 2011-12-22 (주)Lg화학 광전지용 시트
JP2013518142A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP2013518405A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド 光電池モジュール
JP2013518144A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP2013518406A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド 光電池モジュール
JP2013518143A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド シリコーン樹脂
US9379296B2 (en) 2010-01-25 2016-06-28 Lg Chem, Ltd. Silicone resin
JP2016047927A (ja) * 2010-01-25 2016-04-07 エルジー・ケム・リミテッド シリコーン樹脂
JP2011225715A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物
JP2012021157A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Cheil Industries Inc シロキサンハイブリッド重合体、前記シロキサンハイブリッド重合体から形成される封止材、および前記封止材を含む電子素子
US8481656B2 (en) 2011-04-08 2013-07-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone resin composition and optical semiconductor device using the composition
US8895678B2 (en) 2011-06-16 2014-11-25 Dow Corning Toray Co., Ltd. Cross-linkable silicone composition and cross-linked product thereof
WO2012173167A1 (en) 2011-06-16 2012-12-20 Dow Corning Toray Co., Ltd. Cross-linkable silicone composition and cross-linked product thereof
JP2013076050A (ja) * 2011-09-16 2013-04-25 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2014533765A (ja) * 2011-11-25 2014-12-15 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
US9464211B2 (en) 2012-09-07 2016-10-11 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition and optical semiconductor device
JP2014051606A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置
WO2015030224A1 (en) * 2013-08-29 2015-03-05 Dow Corning Corporation Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
KR101911694B1 (ko) 2013-08-29 2018-10-25 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 경화성 실리콘 조성물, 그의 경화물, 및 광반도체 장치
US9909007B2 (en) 2013-08-29 2018-03-06 Dow Corning Corporation Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
JPWO2015119226A1 (ja) * 2014-02-04 2017-03-30 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
KR20160110522A (ko) 2014-02-04 2016-09-21 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물 및 광 반도체 장치
KR20160108571A (ko) 2014-02-04 2016-09-19 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물 및 광 반도체 장치
KR101682369B1 (ko) 2014-02-04 2016-12-05 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물 및 광 반도체 장치
US9593277B2 (en) 2014-02-04 2017-03-14 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product therefrom, and optical semiconductor device
WO2015119227A1 (ja) * 2014-02-04 2015-08-13 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
US9944759B2 (en) 2014-02-04 2018-04-17 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product therefrom, and optical semiconductor device
WO2015119226A1 (ja) 2014-02-04 2015-08-13 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
WO2016035285A1 (ja) * 2014-09-01 2016-03-10 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、硬化性ホットメルトシリコーン、および光デバイス
US10208164B2 (en) 2014-09-01 2019-02-19 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, curable hot-melt silicone, and optical device
TWI661007B (zh) * 2014-09-01 2019-06-01 日商道康寧東麗股份有限公司 硬化性聚矽氧組合物、硬化性熱熔聚矽氧,及光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101466795A (zh) 2009-06-24
MY147862A (en) 2013-01-31
KR20090028720A (ko) 2009-03-19
EP2032653A1 (en) 2009-03-11
TWI425053B (zh) 2014-02-01
DE602007003724D1 (de) 2010-01-21
EP2032653B1 (en) 2009-12-09
CN101466795B (zh) 2011-08-17
US20090179180A1 (en) 2009-07-16
ATE451426T1 (de) 2009-12-15
US8080614B2 (en) 2011-12-20
TW200808908A (en) 2008-02-16
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