JP2003128922A - 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 - Google Patents
硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱による経時的な黄変が少なく、光透過率
が高い硬化物を形成できる硬化性オルガノポリシロキサ
ン組成物、および信頼性が優れる半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 （Ａ）ケイ素原子結合アルケニル基を一
分子中に少なくとも２個有し、かつケイ素原子結合全有
機基に対して４０モル％以上のケイ素原子結合アリール
基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）ケイ素原子
結合水素原子を一分子中に少なくとも２個有するオルガ
ノポリシロキサン、および（Ｃ）白金のオルガノシロキ
サンオリゴマー（このオリゴマーは一分子中のケイ素原
子数が８個以下であり、ケイ素原子結合アルケニル基と
ケイ素原子結合アリール基を有する。）錯体から少なく
ともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および
該組成物の硬化物により半導体素子が被覆されている半
導体装置。
が高い硬化物を形成できる硬化性オルガノポリシロキサ
ン組成物、および信頼性が優れる半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 （Ａ）ケイ素原子結合アルケニル基を一
分子中に少なくとも２個有し、かつケイ素原子結合全有
機基に対して４０モル％以上のケイ素原子結合アリール
基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）ケイ素原子
結合水素原子を一分子中に少なくとも２個有するオルガ
ノポリシロキサン、および（Ｃ）白金のオルガノシロキ
サンオリゴマー（このオリゴマーは一分子中のケイ素原
子数が８個以下であり、ケイ素原子結合アルケニル基と
ケイ素原子結合アリール基を有する。）錯体から少なく
ともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および
該組成物の硬化物により半導体素子が被覆されている半
導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物および半導体装置に関し、詳しく
は、加熱による経時的な黄変が少なく、光透過率が高い
硬化物を形成することができる硬化性オルガノポリシロ
キサン組成物、および該組成物の硬化物により半導体素
子が被覆されている、信頼性が優れる半導体装置に関す
る。
リシロキサン組成物および半導体装置に関し、詳しく
は、加熱による経時的な黄変が少なく、光透過率が高い
硬化物を形成することができる硬化性オルガノポリシロ
キサン組成物、および該組成物の硬化物により半導体素
子が被覆されている、信頼性が優れる半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】硬化性オルガノポリシロキサン組成物
は、フォトカプラー、発光ダイオード、固体撮像素子等
の光学用半導体装置における半導体素子の保護コーティ
ング剤として使用されている。このような半導体素子の
保護コーティング剤は、前記素子が発光したり、あるい
は受光したりするため、光を吸収したり、散乱したりし
ないことが要求されている。
は、フォトカプラー、発光ダイオード、固体撮像素子等
の光学用半導体装置における半導体素子の保護コーティ
ング剤として使用されている。このような半導体素子の
保護コーティング剤は、前記素子が発光したり、あるい
は受光したりするため、光を吸収したり、散乱したりし
ないことが要求されている。
【０００３】しかし、ケイ素原子に結合したアルケニル
基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロ
キサン、ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少
なくとも２個有するオルガノポリシロキサン、および白
金錯体から少なくともなる硬化性オルガノポリシロキサ
ン組成物の硬化物が長時間加熱された場合には、経時的
に黄変したりして、硬化物の光透過率が低下するという
問題があった。特に、このような硬化物により半導体素
子が被覆された半導体装置は、信頼性が低下するという
問題があった。
基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロ
キサン、ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少
なくとも２個有するオルガノポリシロキサン、および白
金錯体から少なくともなる硬化性オルガノポリシロキサ
ン組成物の硬化物が長時間加熱された場合には、経時的
に黄変したりして、硬化物の光透過率が低下するという
問題があった。特に、このような硬化物により半導体素
子が被覆された半導体装置は、信頼性が低下するという
問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明の目的は、加熱による経時的な黄変が少
なく、光透過率が高い硬化物を形成することができる硬
化性オルガノポリシロキサン組成物、および該組成物の
硬化物により半導体素子が被覆されている、信頼性が優
れる半導体装置を提供することにある。
課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明の目的は、加熱による経時的な黄変が少
なく、光透過率が高い硬化物を形成することができる硬
化性オルガノポリシロキサン組成物、および該組成物の
硬化物により半導体素子が被覆されている、信頼性が優
れる半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物は、（Ａ）ケイ素原子に結合した
アルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、かつケ
イ素原子に結合したアリール基を有するオルガノポリシ
ロキサン、（Ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を一分
子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン、
および（Ｃ）白金のオルガノシロキサンオリゴマー錯体
から少なくともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成
物であって、前記（Ａ）成分中のケイ素原子に結合した
全有機基に対するケイ素原子に結合したアリール基の含
有率が４０モル％以上であり、かつ、前記（Ｃ）成分中
のオルガノシロキサンオリゴマーが、一分子中のケイ素
原子数が８個以下であり、ケイ素原子に結合したアルケ
ニル基とケイ素原子に結合したアリール基を有すること
を特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記の硬
化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により半導
体素子が被覆されていることを特徴とする。
ポリシロキサン組成物は、（Ａ）ケイ素原子に結合した
アルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、かつケ
イ素原子に結合したアリール基を有するオルガノポリシ
ロキサン、（Ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を一分
子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン、
および（Ｃ）白金のオルガノシロキサンオリゴマー錯体
から少なくともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成
物であって、前記（Ａ）成分中のケイ素原子に結合した
全有機基に対するケイ素原子に結合したアリール基の含
有率が４０モル％以上であり、かつ、前記（Ｃ）成分中
のオルガノシロキサンオリゴマーが、一分子中のケイ素
原子数が８個以下であり、ケイ素原子に結合したアルケ
ニル基とケイ素原子に結合したアリール基を有すること
を特徴とする。また、本発明の半導体装置は、上記の硬
化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により半導
体素子が被覆されていることを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】はじめに、本発明の硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物を詳細に説明する。（Ａ）成分
は本組成物の主成分であり、ケイ素原子に結合したアル
ケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、かつケイ素
原子に結合したアリール基を有するオルガノポリシロキ
サンである。このアルケニル基としては、ビニル基、ア
リル基、ブテニル基、ペテニル基、ヘキセニル基が例示
される。また、アリール基としては、フェニル基、トリ
ル基、キシリル基、ナフチル基が例示される。また、ア
ルケニル基とアリール基以外のケイ素原子に結合した有
機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキ
ル基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；ク
ロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−ト
リフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置
換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示される。本組
成物では、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さい
ことから、（Ａ）成分中のケイ素原子に結合した全有機
基に対するケイ素原子に結合したアリール基の含有率が
４０モル％以上であり、好ましくは４５モル％以上であ
ることを特徴とする。また、（Ａ）成分の分子構造とし
ては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環
状、網状が例示される。このような（Ａ）成分の粘度は
限定されないが、２５℃において１０〜１００００００
ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましく、特に、１０
０〜５００００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好まし
い。これは、上記範囲の下限未満であると、本組成物を
硬化して得られる硬化物の機械的強度が低下する傾向が
あるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、本
組成物の取扱作業性が低下する傾向があるからである。
ノポリシロキサン組成物を詳細に説明する。（Ａ）成分
は本組成物の主成分であり、ケイ素原子に結合したアル
ケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、かつケイ素
原子に結合したアリール基を有するオルガノポリシロキ
サンである。このアルケニル基としては、ビニル基、ア
リル基、ブテニル基、ペテニル基、ヘキセニル基が例示
される。また、アリール基としては、フェニル基、トリ
ル基、キシリル基、ナフチル基が例示される。また、ア
ルケニル基とアリール基以外のケイ素原子に結合した有
機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキ
ル基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；ク
ロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−ト
リフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置
換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示される。本組
成物では、光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さい
ことから、（Ａ）成分中のケイ素原子に結合した全有機
基に対するケイ素原子に結合したアリール基の含有率が
４０モル％以上であり、好ましくは４５モル％以上であ
ることを特徴とする。また、（Ａ）成分の分子構造とし
ては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環
状、網状が例示される。このような（Ａ）成分の粘度は
限定されないが、２５℃において１０〜１００００００
ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましく、特に、１０
０〜５００００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好まし
い。これは、上記範囲の下限未満であると、本組成物を
硬化して得られる硬化物の機械的強度が低下する傾向が
あるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、本
組成物の取扱作業性が低下する傾向があるからである。
【０００７】（Ｂ）成分は本組成物の硬化剤であり、一
分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２
個有するオルガノポリシロキサンである。（Ｂ）成分中
のケイ素原子に結合した有機基としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル
基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、
３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロ
ピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置
換の一価炭化水素基が例示される。また、（Ｂ）成分の
分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、
分枝鎖状、網状が例示される。このような（Ｂ）成分の
粘度は限定されないが、２５℃において０．１〜１００
０００００００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好まし
い。
分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２
個有するオルガノポリシロキサンである。（Ｂ）成分中
のケイ素原子に結合した有機基としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル
基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、
３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロ
ピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置
換の一価炭化水素基が例示される。また、（Ｂ）成分の
分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、
分枝鎖状、網状が例示される。このような（Ｂ）成分の
粘度は限定されないが、２５℃において０．１〜１００
０００００００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好まし
い。
【０００８】本組成物において、（Ｂ）成分の含有量は
限定されず、本組成物を硬化するに十分な量であればよ
く、例えば、本組成物の構成成分である上記（Ａ）成分
のオルガノポリシロキサンやその他任意の成分として含
有する有機ケイ素化合物中のケイ素原子に結合したアル
ケニル基の合計１個に対して、本成分中のケイ素原子に
結合した水素原子が０．１〜１０個となる範囲内の量で
あることが好ましく、さらには、０．１〜５個となる範
囲内の量であることが好ましく、特には、０．５〜５個
となる範囲内の量であることが好ましい。これは、
（Ｂ）成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、本
組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、
一方、上記範囲の上限を超えると、本組成物を硬化して
得られる硬化物の物理的強度が低下する傾向があるから
である。
限定されず、本組成物を硬化するに十分な量であればよ
く、例えば、本組成物の構成成分である上記（Ａ）成分
のオルガノポリシロキサンやその他任意の成分として含
有する有機ケイ素化合物中のケイ素原子に結合したアル
ケニル基の合計１個に対して、本成分中のケイ素原子に
結合した水素原子が０．１〜１０個となる範囲内の量で
あることが好ましく、さらには、０．１〜５個となる範
囲内の量であることが好ましく、特には、０．５〜５個
となる範囲内の量であることが好ましい。これは、
（Ｂ）成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、本
組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、
一方、上記範囲の上限を超えると、本組成物を硬化して
得られる硬化物の物理的強度が低下する傾向があるから
である。
【０００９】（Ｃ）成分は本組成物の硬化を促進するた
めの触媒であり、白金に対して一分子中のケイ素原子数
が８個以下であり、ケイ素原子に結合したアルケニル基
とケイ素原子に結合したアリール基を有するオルガノシ
ロキサンオリゴマーが配位した白金錯体である。このよ
うな（Ｃ）成分中のオルガノシロキサンオリゴマーとし
ては、一般式：
めの触媒であり、白金に対して一分子中のケイ素原子数
が８個以下であり、ケイ素原子に結合したアルケニル基
とケイ素原子に結合したアリール基を有するオルガノシ
ロキサンオリゴマーが配位した白金錯体である。このよ
うな（Ｃ）成分中のオルガノシロキサンオリゴマーとし
ては、一般式：
【化３】
で示されるオルガノシロキサンオリゴマーが好ましい。
上式中、Ｒは同じか、または異なる一価炭化水素基であ
り、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；ビニ
ル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘプテニ
ル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネ
チル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロ
プロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等の
ハロゲン化アルキル基が例示され、但し、少なくとも１
個のＲは上記のアルケニル基であり、かつ少なくとも１
個のＲは上記のアリール基である。また、上式中のｍは
０〜６の整数である。特に、このオルガノシロキサンオ
リゴマーは分子鎖末端にアルケニル基を有するものが好
ましい。このようなオルガノシロキサンオリゴマーは、
一般式：
上式中、Ｒは同じか、または異なる一価炭化水素基であ
り、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；ビニ
ル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘプテニ
ル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネ
チル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロ
プロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等の
ハロゲン化アルキル基が例示され、但し、少なくとも１
個のＲは上記のアルケニル基であり、かつ少なくとも１
個のＲは上記のアリール基である。また、上式中のｍは
０〜６の整数である。特に、このオルガノシロキサンオ
リゴマーは分子鎖末端にアルケニル基を有するものが好
ましい。このようなオルガノシロキサンオリゴマーは、
一般式：
【化４】
で示される。上式中、Ｒ1はアルケニル基であり、前記
と同様の基が例示される。また、上式中のＲ2は同じ
か、または異なる一価炭化水素基であり、前記と同様の
基が例示され、但し、少なくとも１個のＲ2は前記と同
様のアリール基である。また、上式中のｍは０〜６の整
数である。このようなオルガノシロキサンオリゴマーと
しては、１，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１，
３−ジビニルジシロキサンであることが好ましい。
と同様の基が例示される。また、上式中のＲ2は同じ
か、または異なる一価炭化水素基であり、前記と同様の
基が例示され、但し、少なくとも１個のＲ2は前記と同
様のアリール基である。また、上式中のｍは０〜６の整
数である。このようなオルガノシロキサンオリゴマーと
しては、１，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１，
３−ジビニルジシロキサンであることが好ましい。
【００１０】この（Ｃ）成分は白金とそれに配位したオ
ルガノシロキサンオリゴマーを主成分とするが、その
他、白金に配位していない上記のオルガノシロキサンオ
リゴマーおよび／またはオルガノポリシロキサンを含有
してもよい。このオルガノシロキサンオリゴマーとして
は、上記と同様のオルガノシロキサンオリゴマーであっ
てもよく、また、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキ
シ基で封鎖されたジメチルシロキサンオリゴマー、分子
鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチル
シロキサンオリゴマー等であってもよい。また、このオ
ルガノポリシロキサンとしては、上記（Ａ）成分と同様
のオルガノポリシロキサンであってもよく、また、分子
鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメ
チルポリシロキサン、分子鎖両末端がトリメチルシロキ
シ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン、分子鎖両末
端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキ
サン・メチルフェニルシロキサンコポリマー等であって
もよい。さらに、このような（Ｃ）成分は、塩素含有量
の少ないものが好ましく、具体的には、白金１モルに対
して塩素が１モル以下であるものが好ましく、特に、
０．０１モル以下であるものが好ましい。
ルガノシロキサンオリゴマーを主成分とするが、その
他、白金に配位していない上記のオルガノシロキサンオ
リゴマーおよび／またはオルガノポリシロキサンを含有
してもよい。このオルガノシロキサンオリゴマーとして
は、上記と同様のオルガノシロキサンオリゴマーであっ
てもよく、また、分子鎖両末端がジメチルビニルシロキ
シ基で封鎖されたジメチルシロキサンオリゴマー、分子
鎖両末端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチル
シロキサンオリゴマー等であってもよい。また、このオ
ルガノポリシロキサンとしては、上記（Ａ）成分と同様
のオルガノポリシロキサンであってもよく、また、分子
鎖両末端がジメチルビニルシロキシ基で封鎖されたジメ
チルポリシロキサン、分子鎖両末端がトリメチルシロキ
シ基で封鎖されたジメチルポリシロキサン、分子鎖両末
端がトリメチルシロキシ基で封鎖されたジメチルシロキ
サン・メチルフェニルシロキサンコポリマー等であって
もよい。さらに、このような（Ｃ）成分は、塩素含有量
の少ないものが好ましく、具体的には、白金１モルに対
して塩素が１モル以下であるものが好ましく、特に、
０．０１モル以下であるものが好ましい。
【００１１】本組成物において、（Ｃ）成分の含有量は
限定されず、本組成物の硬化反応を促進するに十分な量
であればよく、例えば、本組成物に対して、本成分中の
白金が重量単位で０．０１〜１０００ｐｐｍとなる範囲
内の量であることが好ましい。これは、（Ｃ）成分の含
有量が上記範囲の下限未満であると、本組成物が十分に
硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲
の上限を超えても硬化反応は著しく促進されるものでは
なく、不経済となるからである。
限定されず、本組成物の硬化反応を促進するに十分な量
であればよく、例えば、本組成物に対して、本成分中の
白金が重量単位で０．０１〜１０００ｐｐｍとなる範囲
内の量であることが好ましい。これは、（Ｃ）成分の含
有量が上記範囲の下限未満であると、本組成物が十分に
硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲
の上限を超えても硬化反応は著しく促進されるものでは
なく、不経済となるからである。
【００１２】本組成物には、その他任意の成分として、
３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジメチ
ル−１−ヘキシン−３−オール、フェニルブチノール等
のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１
−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等
のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル−
１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサ
ン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−
テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリ
アゾール等の反応抑制剤を含有してもよい。この反応抑
制剤の含有量は限定されないが、（Ａ）成分１００重量
部に対して０．０００１〜５重量部の範囲内であること
が好ましい。
３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジメチ
ル−１−ヘキシン−３−オール、フェニルブチノール等
のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１
−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等
のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル−
１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサ
ン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−
テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリ
アゾール等の反応抑制剤を含有してもよい。この反応抑
制剤の含有量は限定されないが、（Ａ）成分１００重量
部に対して０．０００１〜５重量部の範囲内であること
が好ましい。
【００１３】また、本組成物には、その接着性を向上さ
せるための接着付与剤を含有していてもよい。この接着
付与剤としては、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を
一分子中に少なくとも１個有する有機ケイ素化合物であ
ることが好ましい。このアルコキシ基としては、メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキ
シエトキシ基が例示され、特に、メトキシ基であること
が好ましい。また、この有機ケイ素化合物のケイ素原子
に結合するアルコキシ基以外の基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアル
ケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチ
ル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のア
ラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、
３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化ア
ルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３
−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基
等のグリシドキシアルキル基；２−（３，４−エポキシ
シクロヘキシル）エチル基、３−（３，４−エポキシシ
クロヘキシル）プロピル基等のエポキシシクロヘキシル
アルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−オキシラ
ニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキ
シ基含有一価有機基；３−メタクリロキシプロピル基等
のアクリル基含有一価有機基；水素原子が例示される。
この有機ケイ素化合物は（Ａ）成分または（Ｂ）成分と
反応し得る基を有することが好ましく、具体的には、ケ
イ素原子に結合したアルケニル基またはケイ素原子に結
合した水素原子を有することが好ましい。また、各種の
基材に対して良好な接着性を付与できることから、この
有機ケイ素化合物は一分子中に少なくとも１個のエポキ
シ基含有一価有機基を有するものであることが好まし
い。このような有機ケイ素化合物としては、シラン化合
物、シロキサン化合物が例示される。このシロキサン化
合物の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直
鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖
状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。このような
有機ケイ素化合物としては、３−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン等のシラン化合物；一分
子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子
結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそ
れぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物、ケ
イ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシラ
ン化合物またはシロキサン化合物と一分子中にケイ素原
子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそ
れぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物との
混合物、式：
せるための接着付与剤を含有していてもよい。この接着
付与剤としては、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を
一分子中に少なくとも１個有する有機ケイ素化合物であ
ることが好ましい。このアルコキシ基としては、メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキ
シエトキシ基が例示され、特に、メトキシ基であること
が好ましい。また、この有機ケイ素化合物のケイ素原子
に結合するアルコキシ基以外の基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル
基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアル
ケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチ
ル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のア
ラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、
３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化ア
ルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３
−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基
等のグリシドキシアルキル基；２−（３，４−エポキシ
シクロヘキシル）エチル基、３−（３，４−エポキシシ
クロヘキシル）プロピル基等のエポキシシクロヘキシル
アルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−オキシラ
ニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等のエポキ
シ基含有一価有機基；３−メタクリロキシプロピル基等
のアクリル基含有一価有機基；水素原子が例示される。
この有機ケイ素化合物は（Ａ）成分または（Ｂ）成分と
反応し得る基を有することが好ましく、具体的には、ケ
イ素原子に結合したアルケニル基またはケイ素原子に結
合した水素原子を有することが好ましい。また、各種の
基材に対して良好な接着性を付与できることから、この
有機ケイ素化合物は一分子中に少なくとも１個のエポキ
シ基含有一価有機基を有するものであることが好まし
い。このような有機ケイ素化合物としては、シラン化合
物、シロキサン化合物が例示される。このシロキサン化
合物の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直
鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、特に、直鎖
状、分枝鎖状、網状であることが好ましい。このような
有機ケイ素化合物としては、３−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン等のシラン化合物；一分
子中にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子
結合水素原子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそ
れぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物、ケ
イ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシラ
ン化合物またはシロキサン化合物と一分子中にケイ素原
子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基をそ
れぞれ少なくとも１個ずつ有するシロキサン化合物との
混合物、式：
【化５】
（式中、ａ、ｂ、およびｃは正数である。）で示される
シロキサン化合物、式：
シロキサン化合物、式：
【化６】
（式中、ａ、ｂ、ｃ、およびｄは正数である。）で示さ
れるシロキサン化合物が例示される。この接着付与剤は
低粘度液状であることが好ましく、その粘度は限定され
ないが、２５℃において１〜５００ｍＰａ・ｓの範囲内
であることが好ましい。また、上記組成物において、こ
の接着付与剤の含有量は限定されないが、（Ａ）成分１
００重量部に対して０．０１〜１０重量部の範囲内であ
ることが好ましい。
れるシロキサン化合物が例示される。この接着付与剤は
低粘度液状であることが好ましく、その粘度は限定され
ないが、２５℃において１〜５００ｍＰａ・ｓの範囲内
であることが好ましい。また、上記組成物において、こ
の接着付与剤の含有量は限定されないが、（Ａ）成分１
００重量部に対して０．０１〜１０重量部の範囲内であ
ることが好ましい。
【００１４】また、本組成物には、本発明の目的を損な
わない限り、その他任意の成分として、シリカ、アルミ
ナ等の無機質充填剤；ポリメタクリレート樹脂等の有機
樹脂微粉末；その他、染料、顔料、難燃性付与剤、溶剤
等を含有してもよい。
わない限り、その他任意の成分として、シリカ、アルミ
ナ等の無機質充填剤；ポリメタクリレート樹脂等の有機
樹脂微粉末；その他、染料、顔料、難燃性付与剤、溶剤
等を含有してもよい。
【００１５】本組成物は、可視光（４００ｎｍ〜７００
ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１．５以上であり、
かつ、光透過率（２５℃）が８０％以上であることが好
ましい。これは、屈折率が１．５未満であったり、光透
過率が８０％未満である組成物によると、この組成物の
硬化物により被覆された半導体素子を有する半導体装置
に十分な信頼性を付与することができなくなるおそれが
あるからである。この屈折率は、例えば、アッベ式屈折
率計により測定することができる。この際、アッベ式屈
折率計における光源の波長を変えることにより任意の波
長における屈折率を測定することができる。また、この
光透過率は、例えば、光路長１．０ｍｍの硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物を分光光度計により測定するこ
とにより求めることができる。
ｎｍ）における屈折率（２５℃）が１．５以上であり、
かつ、光透過率（２５℃）が８０％以上であることが好
ましい。これは、屈折率が１．５未満であったり、光透
過率が８０％未満である組成物によると、この組成物の
硬化物により被覆された半導体素子を有する半導体装置
に十分な信頼性を付与することができなくなるおそれが
あるからである。この屈折率は、例えば、アッベ式屈折
率計により測定することができる。この際、アッベ式屈
折率計における光源の波長を変えることにより任意の波
長における屈折率を測定することができる。また、この
光透過率は、例えば、光路長１．０ｍｍの硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物を分光光度計により測定するこ
とにより求めることができる。
【００１６】また、本組成物は、２００〜２５０ｎｍの
波長における紫外線透過率（２５℃）が１０％以下であ
ることが好ましい。これは、本組成物により半導体素子
を被覆してなる半導体装置が、２００〜２５０ｎｍの短
波長の紫外線を受けた場合に、その半導体装置を構成す
る材料の劣化を防止することができなくなるおそれがあ
るからである。この紫外線透過率は、例えば、光路長
１．０ｍｍの硬化性オルガノポリシロキサン組成物を分
光光度計により測定することにより求めることができ
る。
波長における紫外線透過率（２５℃）が１０％以下であ
ることが好ましい。これは、本組成物により半導体素子
を被覆してなる半導体装置が、２００〜２５０ｎｍの短
波長の紫外線を受けた場合に、その半導体装置を構成す
る材料の劣化を防止することができなくなるおそれがあ
るからである。この紫外線透過率は、例えば、光路長
１．０ｍｍの硬化性オルガノポリシロキサン組成物を分
光光度計により測定することにより求めることができ
る。
【００１７】本組成物は室温もしくは加熱により硬化が
進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが
好ましい。この加熱温度としては、５０〜２００℃の範
囲内であることが好ましい。このようにして本組成物を
硬化して得られる硬化物はレジン状、ゲル状、ゴム状で
あり、特に、ゲル状、ゴム状であることが好ましい。こ
のような本組成物は、電気・電子用の接着剤、ポッテイ
ング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として
使用することができ、特に、硬化後の経時的な黄変が少
ないので、光学用途の半導体素子の接着剤、ポッテイン
グ剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として好
適である。
進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが
好ましい。この加熱温度としては、５０〜２００℃の範
囲内であることが好ましい。このようにして本組成物を
硬化して得られる硬化物はレジン状、ゲル状、ゴム状で
あり、特に、ゲル状、ゴム状であることが好ましい。こ
のような本組成物は、電気・電子用の接着剤、ポッテイ
ング剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として
使用することができ、特に、硬化後の経時的な黄変が少
ないので、光学用途の半導体素子の接着剤、ポッテイン
グ剤、保護コーティング剤、アンダーフィル剤として好
適である。
【００１８】続いて、本発明の半導体装置について詳細
に説明する。本装置は、上記の硬化性オルガノポリシロ
キサン組成物の硬化物により半導体素子が被覆されてい
ることを特徴とする。この半導体素子としては、ダイオ
ード、トランジスタ、サイリスタ、固体撮像素子、モノ
リシックＩＣ、さらにはハイブリッドＩＣ中の半導体素
子が例示される。また、このような半導体装置として
は、ダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、トランジ
スタ、サイリスタ、フォトカプラー、ＣＣＤ、モノリシ
ックＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示
される。
に説明する。本装置は、上記の硬化性オルガノポリシロ
キサン組成物の硬化物により半導体素子が被覆されてい
ることを特徴とする。この半導体素子としては、ダイオ
ード、トランジスタ、サイリスタ、固体撮像素子、モノ
リシックＩＣ、さらにはハイブリッドＩＣ中の半導体素
子が例示される。また、このような半導体装置として
は、ダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、トランジ
スタ、サイリスタ、フォトカプラー、ＣＣＤ、モノリシ
ックＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示
される。
【００１９】本装置の一例であるフォトカプラーの断面
図を図１に示した、。また、本装置の一例である単体の
ＬＥＤの断面図を図２に示した。図１で示されるフォト
カプラーは、化合物半導体からなる半導体素子１がリー
ドフレーム２上にダイボンドされ、さらにボンディング
ワイヤ３によりワイヤボンドされている。また、この半
導体素子１と対向するように受光用の半導体素子４がリ
ードフレーム５上にダイボンディングされ、さらにボン
ディングワイヤ６によりワイヤボンディングされてい
る。これらの半導体素子の間は、硬化性オルガノポリシ
ロキサン組成物の硬化物７により充填されている。さら
に、この硬化物７により被覆された半導体素子は封止樹
脂８により樹脂封止されている。
図を図１に示した、。また、本装置の一例である単体の
ＬＥＤの断面図を図２に示した。図１で示されるフォト
カプラーは、化合物半導体からなる半導体素子１がリー
ドフレーム２上にダイボンドされ、さらにボンディング
ワイヤ３によりワイヤボンドされている。また、この半
導体素子１と対向するように受光用の半導体素子４がリ
ードフレーム５上にダイボンディングされ、さらにボン
ディングワイヤ６によりワイヤボンディングされてい
る。これらの半導体素子の間は、硬化性オルガノポリシ
ロキサン組成物の硬化物７により充填されている。さら
に、この硬化物７により被覆された半導体素子は封止樹
脂８により樹脂封止されている。
【００２０】図１で示されるフォトカプラーを製造する
方法としては、半導体素子１をリードフレーム２にダイ
ボンドし、次いで、この半導体素子１と別のリードフレ
ーム２を金製のボンディングワイヤ３によりワイヤボン
ドする。同様に、この半導体素子１と対向する位置に受
光用の半導体素子４をリードフレーム５上にダイボンド
し、次いで、この半導体素子４と別のリードフレーム５
を金製のボンディングワイヤ６によりワイヤボンドす
る。続いて、これらの半導体素子の間に上記の硬化性オ
ルガノポリシロキサン組成物を充填した後、５０〜２０
０℃に加熱することにより硬化させる。その後、硬化性
オルガノポリシロキサン組成物の硬化物７により被覆さ
れた半導体素子を白色のエポキシ樹脂８により樹脂封止
する。
方法としては、半導体素子１をリードフレーム２にダイ
ボンドし、次いで、この半導体素子１と別のリードフレ
ーム２を金製のボンディングワイヤ３によりワイヤボン
ドする。同様に、この半導体素子１と対向する位置に受
光用の半導体素子４をリードフレーム５上にダイボンド
し、次いで、この半導体素子４と別のリードフレーム５
を金製のボンディングワイヤ６によりワイヤボンドす
る。続いて、これらの半導体素子の間に上記の硬化性オ
ルガノポリシロキサン組成物を充填した後、５０〜２０
０℃に加熱することにより硬化させる。その後、硬化性
オルガノポリシロキサン組成物の硬化物７により被覆さ
れた半導体素子を白色のエポキシ樹脂８により樹脂封止
する。
【００２１】一方、図２で示されるＬＥＤは、半導体素
子９がリードフレーム１０上にダイボンドされ、この半
導体素子９とリードフレーム１１とがボンディングワイ
ヤ１２によりワイヤボンディングされている。この半導
体素子９は硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化
物１３により被覆されている。さらに、この硬化物１３
により被覆された半導体素子９は透明な封止樹脂１４に
より樹脂封止されている。
子９がリードフレーム１０上にダイボンドされ、この半
導体素子９とリードフレーム１１とがボンディングワイ
ヤ１２によりワイヤボンディングされている。この半導
体素子９は硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化
物１３により被覆されている。さらに、この硬化物１３
により被覆された半導体素子９は透明な封止樹脂１４に
より樹脂封止されている。
【００２２】図２で示されるＬＥＤを製造する方法とし
ては、半導体素子９をリードフレーム１０にダイボンド
し、この半導体素子９とリードフレーム１１とを金製の
ボンディングワイヤ１２によりワイヤボンドする。次い
で、半導体素子９に硬化性オルガノポリシロキサン組成
物を塗布した後、５０〜２００℃に加熱することにより
硬化させる。その後、硬化性オルガノポリシロキサン組
成物の硬化物１３により被覆された半導体素子９を透明
なエポキシ樹脂１４により樹脂封止する。
ては、半導体素子９をリードフレーム１０にダイボンド
し、この半導体素子９とリードフレーム１１とを金製の
ボンディングワイヤ１２によりワイヤボンドする。次い
で、半導体素子９に硬化性オルガノポリシロキサン組成
物を塗布した後、５０〜２００℃に加熱することにより
硬化させる。その後、硬化性オルガノポリシロキサン組
成物の硬化物１３により被覆された半導体素子９を透明
なエポキシ樹脂１４により樹脂封止する。
【００２３】
【実施例】本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成
物および半導体装置を実施例により詳細に説明する。な
お、実施例中の粘度は２５℃において測定した値であ
る。硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬
化物の屈折率と光透過率を次のようにして測定した。ま
た、半導体装置の信頼性を次のようにして評価した。
物および半導体装置を実施例により詳細に説明する。な
お、実施例中の粘度は２５℃において測定した値であ
る。硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬
化物の屈折率と光透過率を次のようにして測定した。ま
た、半導体装置の信頼性を次のようにして評価した。
【００２４】［硬化性オルガノポリシロキサン組成物お
よびその硬化物の屈折率の測定方法］硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物の２５℃における屈折率をアッベ式
屈折率計を用いて測定した。なお、測定に用いた光源と
して、可視光（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）の範囲で任意
に光源の波長を設定できる分光光源装置を用いて、波長
５８９ｎｍにおける屈折率を測定した。同様にして、こ
の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物の２５
℃における屈折率を測定した。この硬化物として、硬化
性オルガノポリシロキサン組成物を１５０℃の熱風循環
式オーブンで１時間加熱することにより硬化したもの
を、さらに１５０℃の熱風循環式オーブンで１００時間
処理したものを用いた。
よびその硬化物の屈折率の測定方法］硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物の２５℃における屈折率をアッベ式
屈折率計を用いて測定した。なお、測定に用いた光源と
して、可視光（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）の範囲で任意
に光源の波長を設定できる分光光源装置を用いて、波長
５８９ｎｍにおける屈折率を測定した。同様にして、こ
の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物の２５
℃における屈折率を測定した。この硬化物として、硬化
性オルガノポリシロキサン組成物を１５０℃の熱風循環
式オーブンで１時間加熱することにより硬化したもの
を、さらに１５０℃の熱風循環式オーブンで１００時間
処理したものを用いた。
【００２５】［硬化性オルガノポリシロキサン組成物お
よび硬化物の光透過率の測定方法］硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物（光路長１．０ｍｍ）の２５℃におけ
る光透過率を可視光（波長２００ｎｍ〜７００ｎｍ）の
範囲において任意の波長で測定できる自記分光光度計を
用いて測定した。なお、表１中には波長５７０ｎｍにお
ける光透過率を記載した。同様にして、この硬化性オル
ガノポリシロキサン組成物の硬化物（光路長１．０ｍ
ｍ）の２５℃における光透過率を測定した。この硬化物
として、硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１５０
℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬
化したものを、さらに１５０℃の熱風循環式オーブンで
１００時間加熱処理したものを用いた。
よび硬化物の光透過率の測定方法］硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物（光路長１．０ｍｍ）の２５℃におけ
る光透過率を可視光（波長２００ｎｍ〜７００ｎｍ）の
範囲において任意の波長で測定できる自記分光光度計を
用いて測定した。なお、表１中には波長５７０ｎｍにお
ける光透過率を記載した。同様にして、この硬化性オル
ガノポリシロキサン組成物の硬化物（光路長１．０ｍ
ｍ）の２５℃における光透過率を測定した。この硬化物
として、硬化性オルガノポリシロキサン組成物を１５０
℃の熱風循環式オーブンで１時間加熱することにより硬
化したものを、さらに１５０℃の熱風循環式オーブンで
１００時間加熱処理したものを用いた。
【００２６】［硬化性オルガノポリシロキサン組成物の
硬化物の紫外線透過率の測定方法］硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物の硬化物（光路長１．０ｍｍ）の２５
℃における紫外線（２３０ｎｍ）の透過率を分光光度計
により測定した。この硬化物としては、硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物を１５０℃の熱風循環式オーブン
で１時間加熱して硬化したものを用いた。
硬化物の紫外線透過率の測定方法］硬化性オルガノポリ
シロキサン組成物の硬化物（光路長１．０ｍｍ）の２５
℃における紫外線（２３０ｎｍ）の透過率を分光光度計
により測定した。この硬化物としては、硬化性オルガノ
ポリシロキサン組成物を１５０℃の熱風循環式オーブン
で１時間加熱して硬化したものを用いた。
【００２７】［半導体装置の信頼性の評価方法（その
１）］図１で示したフォトカプラーを次のようにして作
成した。すなわち、Ｇa−Ａl−Ａs化合物系の半導体素
子１をリードフレーム２に導電性ペーストによりダイボ
ンドし、次いで、この半導体素子１と別のリードフレー
ム２を金製のボンディングワイヤ３によりワイヤボンド
した。この半導体素子１と対向する位置に受光用の半導
体素子４をリードフレーム５上に導電性ペーストを用い
てダイボンドし、次いで、この半導体素子４と別のリー
ドフレーム５を金製のボンディングワイヤ６によりワイ
ヤボンドした。これらの半導体素子の間を硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物により充填した後、１５０℃の
熱風循環式オーブンで１時間加熱して硬化した。次に、
硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物７により
被覆されたこれらの半導体素子を白色のエポキシ樹脂８
で樹脂封止した。このようにして１０個のフォトカプラ
ーを作成した。
１）］図１で示したフォトカプラーを次のようにして作
成した。すなわち、Ｇa−Ａl−Ａs化合物系の半導体素
子１をリードフレーム２に導電性ペーストによりダイボ
ンドし、次いで、この半導体素子１と別のリードフレー
ム２を金製のボンディングワイヤ３によりワイヤボンド
した。この半導体素子１と対向する位置に受光用の半導
体素子４をリードフレーム５上に導電性ペーストを用い
てダイボンドし、次いで、この半導体素子４と別のリー
ドフレーム５を金製のボンディングワイヤ６によりワイ
ヤボンドした。これらの半導体素子の間を硬化性オルガ
ノポリシロキサン組成物により充填した後、１５０℃の
熱風循環式オーブンで１時間加熱して硬化した。次に、
硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物７により
被覆されたこれらの半導体素子を白色のエポキシ樹脂８
で樹脂封止した。このようにして１０個のフォトカプラ
ーを作成した。
【００２８】これらのフォトカプラーの発光出力につい
て、１５０℃の熱風循環式オーブン中で１００時間加熱
処理する前後で測定し、加熱処理前の発光出力を１００
とした時の加熱処理後の発光出力の相対値の平均値で示
した。
て、１５０℃の熱風循環式オーブン中で１００時間加熱
処理する前後で測定し、加熱処理前の発光出力を１００
とした時の加熱処理後の発光出力の相対値の平均値で示
した。
【００２９】［半導体装置の信頼性の評価方法（その
２）］図２で示したＬＥＤを次のようにして作成した。
すなわち、ＧaＮ系化合物半導体素子９をリードフレー
ム１０に導電性ペーストによりダイボンドした後、次い
で、この半導体素子９をリードフレーム１１と金製のボ
ンディングワイヤ１２によりワイヤボンドした。次い
で、半導体素子９を硬化性オルガノポリシロキサン組成
物をコーティングした後、１５０℃の熱風循環式オーブ
ンで１時間加熱することにより硬化した。この硬化性オ
ルガノポリシロキサン組成物の硬化物１３により被覆し
た半導体素子９を透明なエポキシ樹脂１４により樹脂封
止した。このようにして１０個のＬＥＤを作成した。
２）］図２で示したＬＥＤを次のようにして作成した。
すなわち、ＧaＮ系化合物半導体素子９をリードフレー
ム１０に導電性ペーストによりダイボンドした後、次い
で、この半導体素子９をリードフレーム１１と金製のボ
ンディングワイヤ１２によりワイヤボンドした。次い
で、半導体素子９を硬化性オルガノポリシロキサン組成
物をコーティングした後、１５０℃の熱風循環式オーブ
ンで１時間加熱することにより硬化した。この硬化性オ
ルガノポリシロキサン組成物の硬化物１３により被覆し
た半導体素子９を透明なエポキシ樹脂１４により樹脂封
止した。このようにして１０個のＬＥＤを作成した。
【００３０】これらのＬＥＤの発光出力について、１５
０℃の熱風循環式オーブン中で１００時間加熱処理する
前後で測定し、加熱処理前の発光出力を１００とした時
の加熱処理後の発光出力の相対値の平均値で示した。
０℃の熱風循環式オーブン中で１００時間加熱処理する
前後で測定し、加熱処理前の発光出力を１００とした時
の加熱処理後の発光出力の相対値の平均値で示した。
【００３１】［参考例１］４００ｇの１，３−ジメチル
−１，３−ジフェニル−１，３−ジビニルジシロキサン
を５０℃に加熱した状態で５５ｇの塩化白金酸水溶液
（白金含有量＝１３重量％）を滴下した後、７０℃で１
時間攪拌した。その後、室温まで冷却して、５５ｇの炭
酸水素ナトリウム、および９ｇの塩化カルシウムを添加
した。攪拌後、生成した塩をろ過により除去して、白金
の１，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１，３−ジ
ビニルジシロキサン錯体の１，３−ジメチル−１，３−
ジフェニル−１，３−ジビニルジシロキサン溶液からな
る白金錯体（Ｉ）を調製した。
−１，３−ジフェニル−１，３−ジビニルジシロキサン
を５０℃に加熱した状態で５５ｇの塩化白金酸水溶液
（白金含有量＝１３重量％）を滴下した後、７０℃で１
時間攪拌した。その後、室温まで冷却して、５５ｇの炭
酸水素ナトリウム、および９ｇの塩化カルシウムを添加
した。攪拌後、生成した塩をろ過により除去して、白金
の１，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１，３−ジ
ビニルジシロキサン錯体の１，３−ジメチル−１，３−
ジフェニル−１，３−ジビニルジシロキサン溶液からな
る白金錯体（Ｉ）を調製した。
【００３２】［参考例２］参考例１において、１，３−
ジメチル−１，３−ジフェニル−１，３−ジビニルジシ
ロキサンの代わりに１，３−ジビニルテトラメチルジシ
ロキサンを用いた以外は参考例１と同様にして、白金の
１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の１，
３−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液からなる白
金錯体（II）を調製した。
ジメチル−１，３−ジフェニル−１，３−ジビニルジシ
ロキサンの代わりに１，３−ジビニルテトラメチルジシ
ロキサンを用いた以外は参考例１と同様にして、白金の
１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の１，
３−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液からなる白
金錯体（II）を調製した。
【００３３】［実施例１］（Ａ）成分として、粘度が１
２０００ｍＰａ・ｓである分子鎖両末端ジメチルビニル
シロキシ基封鎖のメチルフェニルポリシロキサン（ケイ
素原子に結合したビニル基の含有量＝０．２０重量％、
全ケイ素原子結合有機基に対するケイ素原子結合フェニ
ル基の比率が４９モル％である。）１００重量部、
（Ｂ）成分として，粘度が１．５ｍＰａ・ｓである分子
鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチル水素ポリシロ
キサン（ケイ素原子に結合した水素原子の含有量＝１．
０重量％）２．５重量部（本組成物中のケイ素原子に結
合したアルケニル基１個に対して、本成分中のケイ素原
子に結合した水素原子が３．０個となる量である。）、
（Ｃ）成分として、参考例１に調製した白金錯体（Ｉ）
（本組成物中において、この錯体中の白金金属が重量単
位で２．５ｐｐｍとなる量）、および反応抑制剤とし
て、３−フェニル−１−ブチン−３−オール０．０５重
量部を均一に混合して、粘度が１００００ｍＰａ・ｓで
ある硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
２０００ｍＰａ・ｓである分子鎖両末端ジメチルビニル
シロキシ基封鎖のメチルフェニルポリシロキサン（ケイ
素原子に結合したビニル基の含有量＝０．２０重量％、
全ケイ素原子結合有機基に対するケイ素原子結合フェニ
ル基の比率が４９モル％である。）１００重量部、
（Ｂ）成分として，粘度が１．５ｍＰａ・ｓである分子
鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチル水素ポリシロ
キサン（ケイ素原子に結合した水素原子の含有量＝１．
０重量％）２．５重量部（本組成物中のケイ素原子に結
合したアルケニル基１個に対して、本成分中のケイ素原
子に結合した水素原子が３．０個となる量である。）、
（Ｃ）成分として、参考例１に調製した白金錯体（Ｉ）
（本組成物中において、この錯体中の白金金属が重量単
位で２．５ｐｐｍとなる量）、および反応抑制剤とし
て、３−フェニル−１−ブチン−３−オール０．０５重
量部を均一に混合して、粘度が１００００ｍＰａ・ｓで
ある硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
【００３４】この硬化性オルガノポリシロキサン組成物
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥ
Ｄを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表１に示した。
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥ
Ｄを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表１に示した。
【００３５】［比較例１］実施例１において、（Ａ）成
分として、粘度が１２０００ｍＰａ・ｓである分子鎖両
末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖のメチルフェニルポ
リシロキサン（ケイ素原子に結合したビニル基の含有量
＝０．２０重量％、全ケイ素原子結合有機基に対するケ
イ素原子結合フェニル基の比率が４９モル％である。）
の代わりに、粘度が１２０００ｍＰａ・ｓである分子鎖
両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖のジメチルポリシ
ロキサン（ケイ素原子に結合したビニル基の含有量＝
０．１０重量％、全ケイ素原子結合有機基に対するケイ
素原子結合フェニル基の比率が０モル％である．）を用
いた以外は実施例１と同様にして、粘度が９８００ｍＰ
ａ・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調
製した。
分として、粘度が１２０００ｍＰａ・ｓである分子鎖両
末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖のメチルフェニルポ
リシロキサン（ケイ素原子に結合したビニル基の含有量
＝０．２０重量％、全ケイ素原子結合有機基に対するケ
イ素原子結合フェニル基の比率が４９モル％である。）
の代わりに、粘度が１２０００ｍＰａ・ｓである分子鎖
両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖のジメチルポリシ
ロキサン（ケイ素原子に結合したビニル基の含有量＝
０．１０重量％、全ケイ素原子結合有機基に対するケイ
素原子結合フェニル基の比率が０モル％である．）を用
いた以外は実施例１と同様にして、粘度が９８００ｍＰ
ａ・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調
製した。
【００３６】この硬化性オルガノポリシロキサン組成物
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥ
Ｄを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表１に示した。
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥ
Ｄを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表１に示した。
【００３７】［比較例２］実施例１において、（Ｃ）成
分として、参考例１で調製した白金錯体（Ｉ）の代わり
に、参考例２で調製した白金錯体（II）を用いた以外は
実施例１と同様にして、粘度が１００００ｍＰａ・ｓで
ある硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬
化物の屈折率と光透過率を測定した。これらの結果を表
１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン
組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥＤを作成し
た。これらの半導体装置の信頼性の評価結果を表１に示
した。
分として、参考例１で調製した白金錯体（Ｉ）の代わり
に、参考例２で調製した白金錯体（II）を用いた以外は
実施例１と同様にして、粘度が１００００ｍＰａ・ｓで
ある硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
この硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬
化物の屈折率と光透過率を測定した。これらの結果を表
１に示した。また、この硬化性オルガノポリシロキサン
組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥＤを作成し
た。これらの半導体装置の信頼性の評価結果を表１に示
した。
【００３８】［比較例３］比較例２において、（Ｂ）成
分として、粘度が１．５ｍＰａ・ｓである分子鎖両末端
トリメチルシロキシ基封鎖メチル水素ポリシロキサン
（ケイ素原子に結合した水素原子の含有量＝１．０重量
％）の代わりに、粘度が２０ｍＰａ・ｓである分子鎖両
末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メ
チル水素シロキサンコポリマー（ケイ素原子に結合した
水素原子の含有量＝１．０重量％）を使用した以外は比
較例２と同様にして、粘度が１０５００ｍＰａ・ｓであ
る硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
分として、粘度が１．５ｍＰａ・ｓである分子鎖両末端
トリメチルシロキシ基封鎖メチル水素ポリシロキサン
（ケイ素原子に結合した水素原子の含有量＝１．０重量
％）の代わりに、粘度が２０ｍＰａ・ｓである分子鎖両
末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メ
チル水素シロキサンコポリマー（ケイ素原子に結合した
水素原子の含有量＝１．０重量％）を使用した以外は比
較例２と同様にして、粘度が１０５００ｍＰａ・ｓであ
る硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
【００３９】この硬化性オルガノポリシロキサン組成物
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥ
Ｄを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表１に示した。
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥ
Ｄを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表１に示した。
【００４０】［実施例２］（Ａ）成分として、粘度が６
００ｍＰａ・ｓである分子鎖両末端ジメチルビニルシロ
キシ基封鎖のジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサ
ンコポリマー（ケイ素原子に結合したビニル基の含有量
＝０．２５重量％、全ケイ素原子結合有機基に対するケ
イ素原子結合フェニル基の比率が４７．５モル％であ
る。）１００重量部、（Ｂ）成分として粘度が１．５ｍ
Ｐａ・ｓである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
メチル水素ポリシロキサン（ケイ素原子に結合した水素
原子の含有量＝１．０重量％）２．５重量部（本組成物
中のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して、
本成分中のケイ素原子に結合した水素原子が２．４個と
なる量である。）、（Ｃ）成分として、参考例１で調製
した白金錯体（Ｉ）（本組成物中において、この錯体中
の白金金属が重量単位で２．５ｐｐｍとなる量）、およ
び反応抑制剤として、３−フェニル−１−ブチン−３−
オール０．０５重量部を均一に混合して、粘度が５３０
ｍＰａ・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物
を調製した。
００ｍＰａ・ｓである分子鎖両末端ジメチルビニルシロ
キシ基封鎖のジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサ
ンコポリマー（ケイ素原子に結合したビニル基の含有量
＝０．２５重量％、全ケイ素原子結合有機基に対するケ
イ素原子結合フェニル基の比率が４７．５モル％であ
る。）１００重量部、（Ｂ）成分として粘度が１．５ｍ
Ｐａ・ｓである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖
メチル水素ポリシロキサン（ケイ素原子に結合した水素
原子の含有量＝１．０重量％）２．５重量部（本組成物
中のケイ素原子に結合したアルケニル基１個に対して、
本成分中のケイ素原子に結合した水素原子が２．４個と
なる量である。）、（Ｃ）成分として、参考例１で調製
した白金錯体（Ｉ）（本組成物中において、この錯体中
の白金金属が重量単位で２．５ｐｐｍとなる量）、およ
び反応抑制剤として、３−フェニル−１−ブチン−３−
オール０．０５重量部を均一に混合して、粘度が５３０
ｍＰａ・ｓである硬化性オルガノポリシロキサン組成物
を調製した。
【００４１】この硬化性オルガノポリシロキサン組成物
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥ
Ｄを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表１に示した。
およびその硬化物の屈折率と光透過率を測定した。これ
らの結果を表１に示した。また、この硬化性オルガノポ
リシロキサン組成物を用いてフォトカプラーおよびＬＥ
Ｄを作成した。これらの半導体装置の信頼性の評価結果
を表１に示した。
【００４２】
【表１】
【００４３】
【発明の効果】本発明の硬化性オルガノポリシロキサン
組成物は、加熱による経時的な黄変が少なく、光透過率
が高い硬化物を形成することができるという特徴があ
る。また、本発明の半導体装置は、このような組成物の
硬化物により半導体素子を被覆しているので、信頼性が
優れるという特徴がある。
組成物は、加熱による経時的な黄変が少なく、光透過率
が高い硬化物を形成することができるという特徴があ
る。また、本発明の半導体装置は、このような組成物の
硬化物により半導体素子を被覆しているので、信頼性が
優れるという特徴がある。
【図１】 本発明の半導体装置の一例であるフォトカプ
ラーの断面図である。
ラーの断面図である。
【図２】 本発明の半導体装置の一例であるＬＥＤの断
面図である。
面図である。
１ 半導体素子
２ リードフレーム
３ ボンディングワイヤ
４ 半導体素子
５ リードフレーム
６ ボンディングワイヤ
７ 硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物
８ 封止樹脂
９ 半導体素子
１０ リードフレーム
１１ リードフレーム
１２ ボンディングワイヤ
１３ 硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物
１４ 透明封止樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4J002 CP04W CP13X CP13Y CP14X
CP14Y GH01 GJ01 GQ05
4M109 AA01 EA20 EC11 EC13
Claims (5)
- 【請求項１】 （Ａ）ケイ素原子に結合したアルケニル
基を一分子中に少なくとも２個有し、かつケイ素原子に
結合したアリール基を有するオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を一分子中に少な
くとも２個有するオルガノポリシロキサン、および
（Ｃ）白金のオルガノシロキサンオリゴマー錯体から少
なくともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物であ
って、前記（Ａ）成分中のケイ素原子に結合した全有機
基に対するケイ素原子に結合したアリール基の含有率が
４０モル％以上であり、かつ、前記（Ｃ）成分中のオル
ガノシロキサンオリゴマーが、一分子中のケイ素原子数
が８個以下であり、ケイ素原子に結合したアルケニル基
とケイ素原子に結合したアリール基を有することを特徴
とする硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 【請求項２】 （Ｃ）成分中のオルガノシロキサンオリ
ゴマーが、一般式： 【化１】 ｛式中、Ｒは同じか、または異なる一価炭化水素基（但
し、少なくとも１個のＲはアルケニル基であり、かつ少
なくとも１個のＲはアリール基である。）であり、ｍは
０〜６の整数である。｝で示されることを特徴とする、
請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 【請求項３】 （Ｃ）成分中のオルガノシロキサンオリ
ゴマーが、一般式： 【化２】 ｛式中、Ｒ1はアルケニル基であり、Ｒ2は同じか、また
は異なる一価炭化水素基（但し、少なくとも１個のＲ2
はアリール基である。）であり、ｍは０〜６の整数であ
る。｝で示されることを特徴とする、請求項１記載の硬
化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 【請求項４】 （Ｃ）成分中のオルガノシロキサンオリ
ゴマーが１，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１，
３−ジビニルジシロキサンであることを特徴とする、請
求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項記載の硬
化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により半導
体素子が被覆されていることを特徴とする半導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP2001322138A JP4040858B2 (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
| EP02802006A EP1442081B1 (en) | 2001-10-19 | 2002-10-09 | Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device |
| DE60223832T DE60223832T2 (de) | 2001-10-19 | 2002-10-09 | Härtbare organopolysiloxanzusammensetzung, verwendung des gehärteten produkts der zusammensetzung und halbleitervorrichtung |
| PCT/JP2002/010499 WO2003035763A1 (en) | 2001-10-19 | 2002-10-09 | Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device |
| US10/492,569 US7271232B2 (en) | 2001-10-19 | 2002-10-09 | Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device |
| KR1020047005795A KR100909575B1 (ko) | 2001-10-19 | 2002-10-09 | 경화성 오가노폴리실록산 조성물, 당해 조성물의 경화생성물의 용도 및 반도체 장치 |
| TW091123453A TWI253460B (en) | 2001-10-19 | 2002-10-11 | Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device |
| US11/832,984 US7763697B2 (en) | 2001-10-19 | 2007-08-02 | Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device |
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| JP2001322138A JP4040858B2 (ja) | 2001-10-19 | 2001-10-19 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
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|---|---|
| JP2003128922A true JP2003128922A (ja) | 2003-05-08 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (2) | US7271232B2 (ja) |
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