TWI253460B - Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device - Google Patents

Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
TWI253460B
TWI253460B TW091123453A TW91123453A TWI253460B TW I253460 B TWI253460 B TW I253460B TW 091123453 A TW091123453 A TW 091123453A TW 91123453 A TW91123453 A TW 91123453A TW I253460 B TWI253460 B TW I253460B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
composition
group
bonded
component
organic
Prior art date
Application number
TW091123453A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoko Kato
Minoru Isshiki
Original Assignee
Dow Corning Toray Silicone
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Toray Silicone filed Critical Dow Corning Toray Silicone
Application granted granted Critical
Publication of TWI253460B publication Critical patent/TWI253460B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/56Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/045Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Description

1253460 五 、發明説明( 曼明領域 本發明係關於一種可固化有機聚矽氧烷組合物及半導體 裝置。特而言之,本發明係關於一種可形成高光學穿透率 之固化產物及顯現較少隨時間而產生之熱誘導黃化之可固 化有機聚矽氧烷組合物,及關於一種高可靠度之半導體裝 置’其中’半導體元件係封裝於該組合物之固化產物中。 先前技藝 可固化有機聚石夕氧院組合物係做為光學半導體裝置(例 如光耦合器、發光二極體、固態影像拾取元件等)中半導體 元件之保護塗佈劑。當半導體元件發射或接收光線時,該 半導體元件之保護塗佈劑必須既不吸收亦不散射光線。 然而,當組合物係包含一種每個分子具有至少二個與矽 鍵結之烯基基團之有機聚矽氧烷、一種每個分子具有至少 二個與矽鍵結之氫原子之有機聚矽氧烷、及一種鉑金屬錯 合物,且該組合物之固化產物受熱超過延長時間後,該固 化產物傾向於隨時間黃化且固化產物的光學穿透率也會下 降。特而言之,具有封裝於該固化產物之半導體元件之半 導體裝置的可靠度已傾向降低。 因此,本發明之目的即在於提供一種可固化之有機聚矽 氧烷組合物,其可形成具有優越光學穿透率之固化產物, 並顯現較少隨時間而產生之熱誘導黃化、及一種高可靠度 之半導體裝置,其中,半導體元件係封裝於該組合物之固 化產物中。 發明概要 本發明之可固化之有機聚矽氧烷組合物係包含至少(a) -4- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Μ規格χ 297公爱) 1253460
一種每分子具有至少二個與矽鍵結之烯基基團及具有與石夕 鍵結之芳基基團之有機聚矽氧烷,(B) 一種每分子具有至少 二個與矽鍵結之氫原子之有機聚矽氧烷,及(c) 一種鉑之有 機石夕氧烷寡聚物錯合物。該可固化之有機聚矽氧烷組合物 之特徵在於相對於在該成分(A)中之所有與石夕鍵結之有機 基團,在該成分(A)中與矽鍵結之芳基基團之含量不少於4〇 莫耳%,及在該成分(C)之有機矽氧烷寡聚物中,每分子具 有不多於8個矽原子且具有與矽鍵結之烯基基團及與矽鍵 結之芳基基團。 本發明之半導體裝置之特徵在於裝置中的半導體元件係 封裝於上述可固化有機聚矽氧烷之固化產物中。 圖式簡簟說明 圖1係光耦合器之剖示圖,其係作為本發明之半導體裝置 之實施例。 圖2係發光二極體之剖示圖,其係作為本發明之半導體裝 置之實施例。 1 ·半導體元件 2. 導線架 3. 打線 4. 半導體元件 5. 導線架 6. 打線 7·可固化有機聚矽氧烷組合物之固化產物 8. 密封樹脂 9. 半導體元件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
線 1253460 A7 _ B7 五、發明説明(3~) 10. 導線架 11. 導線架 12. 打線 13·可固化有機聚石夕氧烧組合物之固化產物 14.透明密封樹脂 發明詳細說明 首先解釋本發明之可固化有機聚石夕氧烧組合物。成分 (A)(本發明組合物之主要成分)係一種每分子具有至少二 個與石夕鍵結之烯基基團且具有與矽鍵結之芳基基團之有機 聚矽氧烷。烯基基團係例如乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊 烯基及己烯基。此外,芳基基團係例如苯基、甲苯基、二 甲苯基及莕甲醯基。再者,與矽鍵結之有機基團(除了烯基 基團及芳基基團)係例如經取代或未經取代之單價烴類基 團,例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基及 其它烷基基團;苯甲基、苯乙基及其它芳烷基基團;氣甲 基、3-氣丙基、3, 3, 3-三氟丙基及其它鹵化烷基基團。由 於本發明之組合物係假設由於光的反射、折射及散射等僅 引起很少之光衰減,因此本發明之組合物之特徵在於相對 於在成分(A)中之所有與矽鍵結之有機基團,其係含有不少 於40莫耳%(較佳地係不少於45莫耳%)之與矽鍵結之芳基基 團。此外,成分(A)之分子結構係例如直鏈、部分分支之直 鏈、分支、環狀及網狀結構。雖然沒有特別限制成分(A)之 黏度,但其在25°C之黏度係較佳地在10至1,000,000毫帕斯 卡-秒(1^31)之範圍,且更佳地係在1〇〇至50,〇〇〇111?3.3之 範圍。當黏度小於上述範圍之下限時,藉由固化本發明 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1253460 A7 _________ B7 五、發明説明(4 ) 之組合物而獲得之固化產物的機械強度將傾向於降低。另 一方面’當含量超過上述範圍之上限時,本發明之組合物 之操作特性將傾向於劣化。 成分(B)(作為本發明之組合物之固化劑)係一種每分子 具有至少二個與矽鍵結之氫原子之有機聚矽氧烷。在成分 (B)中與矽鍵結之有機基團係例如經取代或未經取代之單 價烴類基團,例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基 庚基及其匕燒基基團;苯基、甲苯基、二甲苯基、萘甲 醯基及其它芳基基團,·苯〒基、苯乙基及其它芳烷基基團 :氯甲基、3_氣丙基、3,3,3-三氟丙基及其它鹵化烷基基 團。此外’成分(B)之分子結構係例如直鍵、部分分支之直 鏈、分支、環狀及網狀結構。雖然沒有特別限制成分之 黏度’其在25°C之黏度係較佳地在〇·ι至1,〇〇〇,〇〇〇〇〇〇 mPa.s之範圍〇 只要含量足以使本發明之組合物固化,則關於本發明之 組合物中之成分(B)之含量沒有限制。例如,對於成分(A) 之有機聚矽氧烷所含之每個與矽鍵結之烯基基團而言,其 含量較佳為使得在該成分及其他作為可視需要之成份之有 機石夕化合物中之與矽鍵結之氫原子數目係在〇1至1〇個原 子之範圍,較佳係使得原子數目在〇·1至5的範圍,更佳係 使得原子數目在〇·5至5的範圍。當成分(Β)的含量低於上述 範圍之下限時,則本發明之組合物將傾向於完全無法固化 。另一方面’當其超過上述範圍之上限時,則藉由固化本 發明之組合物而獲得之固化產物的物理性質傾向於降低。 成分(C )係用以促進本發明之組合物之固化之催化劑,其 -7- 本纸浪尺度適用中s s家標準(CNS) Α4規格(21()X2974D —- 1253460
為一種具有有機石夕氧烧寡聚物配位基之始錯合物配位美 係具有與矽鍵結之烯基基團及與矽鍵結之芳基基團,且在 每個在分子中之鉑原子具有不多於8個矽原子。成分((:)之 有機矽氧烷寡聚物較佳為由下列通式表示之有機♦氧燒寡 聚物:
R——si——R
R 1 R—S-R 在該通式中,R代表相同或不相同之單價烴類基團,例如 甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基及其它烧基 ;乙嫦基、烯丙基、丁稀基、戊晞基、己婦基及其它埽基 基團,苯基、甲苯基、二甲苯基、莕甲醯基及其它芳基基 團;苯甲基、苯乙基及其它芳烷基基團;以及氯甲基、3一 氯丙基、3, 3, 3-三氟丙基及其它鹵化烷基基團,且至少一 個R係上述烯基基團之一及至少一個R係上述芳基基團之一 。此外,該通式之下標m係介於0至6之整數。有機矽氧烷寡 聚物係特佳地具有在分子鏈末端之烯基基團。該有機矽氧 烧募聚物係由下列通式表示: R2 /R2
R1—S 卜 0‘Si-〇-一孕一R R2 8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 χ 297公釐) 1253460 A7 B7 五、發明説明(6 ) 在以上通式中’R代表烤基基團(例如與上述相同之基團) 。R2係相同或不相同之單價烴類基團(例如與上述相同之基 團),且至少一個R2為上述基團中之芳基。上式之下標m係介 0至6之整數。1,3-二甲基-1,3-二苯基-1,3二乙烯基二矽氧 烷係一較佳之有機矽氧烷寡聚物。 成分(C)之主要成分係鉑及與其聯結之有機矽氧烷寡聚 物;然而,此外亦可包含上述之有機矽氧烷寡聚物及/或未 與鉑聯結之有機聚矽氧烷。有機矽氧烷寡聚物可為與上述 相同之有機石夕氧烧寡聚物,或是分子鏈之二末端均以二甲 基乙烯基矽烷氧基基團封阻之二甲基矽氧烧寡聚物、分子 鏈之二末端均以三甲基矽烷氧基基團封阻之二甲基矽氧烷 寡聚物等。此外,有機聚矽氧烷可為與上述使用於成分(A) 中相同之有機聚石夕氧燒,或是分子鏈之二末端均以二甲基 乙烯基矽烷氧基基團封阻之二甲基聚矽氧烷、分子鏈之二 末端均以三甲基矽烷氧基基團封阻之二甲基聚矽氧烷、分 子鏈之二末端均以三甲基矽烷氧基基團封阻之甲基苯基矽 氧烷與一甲基聚矽氧烷之共聚物等。再者,成分(c)係較佳 地具有低含量之氣;特而言之,其包含不超過1莫耳的氣, 更佳地,每莫耳鉑不超過〇· 01莫耳氯。 只要含量足以促進本發明之組合物之固化反應,則關於 本發明之組合物中之成分((:)之含量沒有限制。例如,較佳 係使用可提供(以重量計)相對於本發明之組合物之0· 01至 1,000百萬分之一(ppm)的鉑之量。這是由於當成分(c)的含 量少於上述範圍之下限時,則本發明之組合物傾向完全無 法固化。另一方面,當成分(c)的含量超過上限時則並未 -9-
1253460 A7 -_____ Β7 五、發明説明(7 ) 明顯地促進固化反應,而這是在經濟上不利的。 本發明組合物可包含做為可視需要之成分之3-甲基-1-丁快-3-醇、3, 5-二甲基—1 —戊炔—3-醇、苯基丁炔醇及其它 炔醇;3—甲基一 3 一戊烯基-1-炔、3, 5-二甲基-3_己烯基-卜 炔及其它烯炔化合物;1357—四甲基—1357—四乙烯基 環四石夕氧烧、1,3, 5, 7-四甲基-13, 5, 7-四己基環四矽氧烷 、苯基二氮嗤及其它反應抑制劑。雖然關於反應抑制劑之 含量沒有限制,但較佳地,每1〇〇重量份之成分(A),其含 量應在0.0001至5重量份的範圍内。 此外’本發明之組合物可包含用以促進其黏著性之黏著 供應劑。該黏著供應劑係較佳地每分子具有至少一個與矽 鍵結之烷氧基基團之有機矽化合物。烷氧基基團係例如甲 氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基及甲氧乙氧基,而甲氧基 基團係最佳的。再者,除了與矽鍵結之烷氧基基團之外, 在有機矽化合物中之基團係例如甲基、乙基、丙基、丁基 、戍基、己基、庚基及其它烷基基團;乙烯基、烯丙基、 丁烯基、戊烯基、己烯基及其它烯基基團;苯基、甲苯基 、二甲苯基、莕甲醯基及其它芳基基團;苯甲基、苯乙基 及其匕芳烧基基團;鹵化烷基基團,例如氣甲基、3一氯丙 基、3, 3, 3-三氟丙基及其它經取代或未經取代之單價基團 ’ 3-縮水甘油氧基丙基、4_縮水甘油氧基丁基及其它縮水 甘油氧基烷基基團;環氧基環己基烷基基團,例如2-(3, 4一 環氧基環己基)乙基及3-(3, 4環氧基環己基)丙基;環氧烷 基基團,例如4-環氧丁基及8 —環氧辛基、及其它含有環氧 基之單價有機基團;3-(甲基丙烯羰氧基)丙基及其它含有 -10- 各紙張尺度適财s时標準(CNS) M規格( χ 297公董) --
裝· 訂
▲ 1253460 A7 B7 五、發明説明(8 ) 丙烯酸之單價有機基團;及氫原子。較佳地’有機石夕化合 物應具有可與成分(A)或成分(B)反應之基團。較佳地’有 機矽化合物係具有與矽鍵結之烯基基團或與石夕鍵結之氮原 子。再者,由提供相關於各式基板材質之優越黏著性之觀 點為之,有機梦化合物應較佳具有每分子至少一個含有玉衣 氧基之有機基團。該有機石夕化合物例如石夕炫化合物或石夕氧 烷化合物。矽氧烷之分子結構係例如直鏈、部分分支直鍵 、分支、環狀及網狀結構’而直鍵、分支及網狀結構係特 別較佳者。該有機石夕化合物例如3 —縮水甘油氧基丙基三甲 氧基矽烷、2-(3, 4-環氧基環己基)乙基三甲氧基石夕烧、3一 (甲基丙稀幾氧基)丙基三甲氧基石夕烧及其它石夕烧化合物’ 碎氧炫化合物(每分子具有至少一個與石夕鍵結之稀基基團 或與矽鍵結之氫原子及一個與矽鍵結之烧氧基基團)、梦氧 烷化合物或矽烷化合物(具有至少一個與♦鍵結之烧氧基 基團)與矽氧烷化合物(分別具有至少一個與石夕鍵結之經基 及一個與矽鍵結之烯基基團之)之混合物、由下式表示之矽 氧烷化合物: {(CH2=CH)CH3Si〇2/2}a(CH3〇i/2)b{CH2-CHCH2〇(CH2)3Si〇3/2}c \ / 〇 其中下標a、b及c係正整數,而矽氧烷化合物係由下式表 示: i(CH2=CH)CH3Si〇2/2}a(CH3〇1/2)b{CH2-CHCH2〇(CH2)3Si〇3/2}c{(CH3)2Si〇2/2}d u \ / 〇 -11- 本紙張尺度適^國®家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
裝' 訂
1253460 A7 _ B7 五、發明説明(10 ) 固化而言,最佳為加熱)時發生。加熱之溫度係較佳地在5〇 至200 °C之範圍内。藉由這種方式固化本發明之組合物而獲 得之固化產物係似樹脂的、似凝膠的或似橡膠的,而特佳 地係似凝膠的或似橡膠的。 本發明半導體裝置之特徵在於裝置中的半導體元件係封 裝於上述可固化有機聚石夕烧組合物之固化產物中。半導體 元件係例如用在混合積體電路(ICs)及單石積體電路中之 半導體元件、固態影像拾取元件、閘流體、電晶體及二極 體。此外,半導體裝置係例如二極體、發光二極體、電晶 體、閘流體、光耦合器、電荷耦合裝置(CCDs)、單石ICs、 混合ICs、LSI (大型積體電路)及VLSI(超大型積體電路)裝 置。 圖1係顯示光耦合器之剖示圖,其係作為本發明裝置之實 施例。在圖1所示之光耦合器中,含有化合物半導體之半導 體元件(1)係黏晶至導線架(2 ),且進一步以打線(3)打線接 合於其上。此外,光接收半導體元件(4)係黏晶至面對半導 體元件(1)之導線架(5),且進一步以打線(6)打線接合至該 導線架。半導體元件間的空隙係以可固化有機聚矽氧烷組 合物之固化產物(7)充填。再者,封裝於固化產物(7)之半 導體元件係以密封樹脂(8 )密封。 圖1所示之光耦合器的製造方法係包含將半導體元件 黏晶至導線架(2),然後使用金屬打線(3)將半導體元件(1) 及另一導線架(2)(未顯示)打線接合。同樣地,光接收半導 體元件(4)係黏晶至面對半導體元件(1)之導線架(5 ),然後 使用金屬打線(6)將半導體元件(4)及另一導線架(5)(未顯 -13 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝·-
Ϊ253460 A7 _ B7 五、發明説明(13 ) 如圖1所示之光耦合器係採用下列方式製造。即將GaA1As 化合物半導體元件(1)以導電膠黏晶至導線架(2),然後使 用金屬打線(3)將半導體元件(1)與導線架(2)(未顯示)打 線接合。光接收器半導體元件(4)係以導電膠黏晶至半導體 元件(1)對面之導線架(5),然後使用金屬打線(6)將半導體 元件(4)與另一導線架(5)(未顯示)打線接合。在以可固化 有機聚石夕氧烧組合物充填半導體元件間之空隙後,藉由將 其放置於150°C熱空氣循環烘箱中加熱1小時使其固化。接 著’封裝於可固化有機聚矽氧烷組合物之固化產物(7)中的 半導體元件係以白色環氧樹脂(8)密封。十個光耦合器係採 用上述方式製造。 光耦合器在放置於150t熱空氣循環烘箱中加熱ι〇〇小時 前後之發射輸出之量測結果係將熱處理前之發射輸出設為 100%,而顯示熱處理後之發射輸出之相對平均值。 i算半導體裝1可靠度之方法(方法9、 圖2所示之發光二極體係以下列方式製造。即將GaN化合 物半導體元件(9)以導電膠黏晶至導線架(iq)之後,使用打 線(12)將半導體元件(9)及導線架(11)打線接合^接著,在 以可固化有機聚矽氧烷組合物塗佈半導體元件(9)之後,藉 由將其放置於150°C熱空氣循環烘箱中加小時而使其固 化。然後’封裝於可固化有機聚石夕氧院組合物之固化產物 (13)之半導體元件(9)係以透明環氧樹脂(14)密封。十個發 光二極體係採用上述方法製造。 發光二極體之發射輸出係在將其放置於15〇熱空氣循 環洪相中熱處理1 0 0小時之則及之後而量測,並顯示為熱處 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) ' --- 1253460 A7
理後之發射輸出之相對值的平均 輸出為100%而計算。 參考實例1 其係以熱處理前之發射 以5(TC加熱400公克(g)1,3_二甲基_13二苯基一13-二 乙烯基二矽氧烷’並以滴落方式加入55g之氣鉑酸水溶液 (銘金屬含量=13重量%) ’並在7(rc授拌混合物i小時。然後 ’將混合物冷卻至室溫並加人55g碳氫化納及9g氣化妈。授 拌混合物之後,以過濾除去所產生之鹽後,即產生鉑錯合 物(I),其係包含鉑之1,3-二甲基_13_二苯基_13_二乙烯 基二矽氧烷錯合物之1,3-二甲基_13一二苯基_13_二乙烯 基二矽氧烷溶液。 參考實例2 除了使用1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷代替參考實例i 中之1,3-—甲基_1,3 - 一苯基-1,3-二乙婦基二石夕氧烧以外 ,鉑錯合物(II)之製備方法係與參考實例1相同,其係包含 鉑之1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物之丨,3 —二乙烯基 四甲基二矽氧烷溶液。 應用實例1 黏度為10,000 mPa·s之可固化有機聚夕氧院組合物係經 由均勻混合100重量份做為成分(A)之甲基苯基聚石夕氧烧、 2· 5重量份做為成份(B)之甲基氫聚矽氧烷、做為成份((:)之 始錯合物(I)、及0.05重量份做為反應抑制劑之3 -苯基一 1 一 炔基_3-醇而製備,其中,甲基苯基聚矽烷之黏度為12, 〇〇〇 mPa.s,且分子鏈之二末端以二甲基乙烯基矽烷氧基基團封 阻(與石夕鍵結之乙稀基基團含量= 0·20重量%,與石夕鍵結之笨 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝'
!253460
發射輸出之相對估 算值U)(方法2) 1業利用性 100 100 98 97 93 本發明之可固化有機聚矽氧烷組合物之特徵在於其可形 成具有高光穿透率且顯現較少隨時間而產生之熱誘導黃^ 之固化產物。本發明之組合物可用做電子或電子零件之黏 著劑、澆注劑、保護塗佈劑或底部灌充劑,且由於固化產 物固化之後並不會出現黃化,其特別適合做為光電半導體 元件之底部灌充劑、保護塗佈劑、澆注劑及黏著劑。此外 ,由於半導體元件係以本發明組合物之固化產物封裝,因 此本發明半導體裝置之特徵在於優越之可靠度。 -21 -

Claims (1)

1253侧_3號專利申請案A8 中文申請專利範圍替換本(94年7月)S
::::化有機聚儀組合物:其包含 :之芳、美^:一個與石夕鍵結之稀基基團及具有與石夕鍵 方基基團之有機聚石夕氧燒,(B) -種每個分子具有至 ::個?矽ί結之氫原子之有機聚矽氧烷,(C)~種鉑之 :矽氧烷募聚物錯合物,其中該可固化有機聚矽氧烷 組合物之特徵在於: ⑴相對於成分(Α)之所有與矽鍵結之有機基團,與矽 鍵結之芳基基團之含量不少於4〇莫耳%;及 (11)在成分(C)之有機矽氧烷寡聚物具有 a) 每一分子不多於8個矽原子、 b) 與矽鍵結之烯基基團、及 c) 與矽鍵結之芳基基團。 :·如申請專利範圍第i項之組合物,其特徵在於該成分(c) 之有機聚矽氧烷寡聚物係以下列通式表示: R—si—.R ^—sh——R/f\ 〇 Γ R—si—R I R R 其中m為0至6之整數,每個R係獨立地為相同或不同之 單價烴類基團,條件為⑴至少一個R係為烯基基團及(ii) 至少一個R係為芳基基團。 3·如申請專利範圍第1項之組合物,其特徵在於該成分 之有機聚矽氧烷寡聚物係以下列通式表示: 80916-940721.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 1253460
其2中m為〇至6之整數,每個Ri係獨立地為一烯基基團,及 R係獨立地為一相同或不同之單價烴類基團,條件為至 y —個r2為芳基基團。 4·如申請專利範圍第丨項之組合物,其特徵在於該成分(c) 之有機矽氧烷寡聚物為L3-二甲基“,3_二苯基4,3•二乙 烯基二矽氧烷。 5 · 士申明專利範圍第1至4項中任一項之組合物,其特徵在 於該組合物具有不少於15之可見光折射係數,及不少於 80%之光穿透率。 6 ·'申明專利範圍第1至4項中任一項之組合物,其特徵在 於该組合物具有不多於1〇%之紫外光穿透率。 7· 一種半導體裝置,其特徵在於半導體元件係封裝於申請 專利範圍第丨至4項中任一項之組合物之可固化產品。 8·如申請專利範圍第7項之半導體裝置,其係選自由二極體 #發光一極體、t晶體、閘流體、光耦合器、電荷耦合 名置單石積體電路、混合積體電路、大型積體電路裝 置及超大型積體電路裝置所組成之群。#
裝 m 9. 一種如申請專利範圍第1至4項中 品之用途,其係做為電子或電子 、保護塗佈劑或底部灌充劑。 任一項組合物之固化產 零件之黏著劑、澆注劑 80916-940721 .doc 本紙張尺度適财關家鮮(CNS) A视格㈣/撕公幻
TW091123453A 2001-10-19 2002-10-11 Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device TWI253460B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001322138A JP4040858B2 (ja) 2001-10-19 2001-10-19 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWI253460B true TWI253460B (en) 2006-04-21

Family

ID=19139232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091123453A TWI253460B (en) 2001-10-19 2002-10-11 Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7271232B2 (zh)
EP (1) EP1442081B1 (zh)
JP (1) JP4040858B2 (zh)
KR (1) KR100909575B1 (zh)
DE (1) DE60223832T2 (zh)
TW (1) TWI253460B (zh)
WO (1) WO2003035763A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI398488B (zh) * 2006-08-25 2013-06-11 Dow Corning Toray Co Ltd 可固化之有機聚矽氧烷組合物及半導體裝置
TWI462954B (zh) * 2008-12-05 2014-12-01 Shinetsu Chemical Co An addition-hardening type silicone compound having a high refractive index, and an optical component sealing material made of the composition
TWI495688B (zh) * 2008-09-05 2015-08-11 Dow Corning Toray Co Ltd 可固化有機聚矽氧烷組合物、光學半導體元件密封劑及光學半導體裝置

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4040858B2 (ja) * 2001-10-19 2008-01-30 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
TW200427111A (en) * 2003-03-12 2004-12-01 Shinetsu Chemical Co Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device
JP4308821B2 (ja) * 2003-07-28 2009-08-05 ダウ・コーニング・コーポレイション パターン形成されたシリコーン層をエッチングする方法
JP4908736B2 (ja) * 2003-10-01 2012-04-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2006073950A (ja) 2004-09-06 2006-03-16 Kansai Electric Power Co Inc:The 高耐熱半導体装置
JP5392805B2 (ja) * 2005-06-28 2014-01-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材
JP2007258317A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP5060074B2 (ja) * 2006-05-11 2012-10-31 東レ・ダウコーニング株式会社 接着促進剤、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および半導体装置
JP5202822B2 (ja) * 2006-06-23 2013-06-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
EP2065931A4 (en) 2006-08-22 2013-02-27 Mitsubishi Chem Corp SEMICONDUCTOR ELEMENT ELEMENT, LIQUID TO FORM A SEMICONDUCTOR COMPONENT member, PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT link and FLUID TO FORM A SEMICONDUCTOR COMPONENT member USING THE METHOD, FLUORESCENT COMPOSITION, SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT, ILLUMINATION DEVICE AND IMAGE DISPLAY DEVICE
KR101022994B1 (ko) * 2006-09-29 2011-03-22 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 폴리오르가노실록산 조성물
TWI361205B (en) * 2006-10-16 2012-04-01 Rohm & Haas Heat stable aryl polysiloxane compositions
US8029904B2 (en) * 2006-12-01 2011-10-04 Rohm And Haas Company Aryl (thio)ether aryl polysiloxane composition and methods for making and using same
US20080160317A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Deborah Ann Haitko Optoelectronic device
US8017246B2 (en) * 2007-11-08 2011-09-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Silicone resin for protecting a light transmitting surface of an optoelectronic device
EP2270100A4 (en) 2008-03-28 2012-07-25 Mitsubishi Chem Corp CURABLE POLYSILOXANE COMPOSITION, AND POLYSILOXANE CURED PRODUCT, OPTICAL ELEMENT, AEROSPACE ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, ILLUMINATION SYSTEM, AND IMAGE DISPLAY DEVICE USING THE CURABLE POLYSILOXANE COMPOSITION
JP2009284618A (ja) * 2008-05-21 2009-12-03 Sharp Corp フォトカプラ及びスイッチング電源回路
US8946353B2 (en) 2008-10-31 2015-02-03 Dow Corning Toray Co. Ltd. Curable organopolysiloxane composition, optical semiconductor element sealant, and optical semiconductor device
KR101030019B1 (ko) 2009-12-31 2011-04-20 제일모직주식회사 봉지재용 투광성 수지 및 이를 포함하는 전자 소자
JP2011219597A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂シート
US8519429B2 (en) * 2010-06-24 2013-08-27 Sekisui Chemical Co., Ltd. Encapsulant for optical semiconductor device and optical semiconductor device using same
TWI483995B (zh) 2010-08-18 2015-05-11 Cheil Ind Inc 聚有機矽氧烷與由該聚有機矽氧烷獲得之封裝材料以及包含該封裝材料之電子元件
US9045639B2 (en) 2010-12-31 2015-06-02 Eternal Materials Co., Ltd. Curable composition and method for manufacturing the same
TWI435914B (zh) 2010-12-31 2014-05-01 Eternal Chemical Co Ltd 可固化之有機聚矽氧烷組合物及其製法
US8895662B2 (en) 2010-12-31 2014-11-25 Eternal Chemical Co., Ltd. Curable composition and method for manufacturing the same
JP5522111B2 (ja) 2011-04-08 2014-06-18 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
WO2012150850A2 (ko) * 2011-05-04 2012-11-08 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
WO2012157330A1 (ja) * 2011-05-17 2012-11-22 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置
WO2013077705A1 (ko) * 2011-11-25 2013-05-30 주식회사 엘지화학 오가노폴리실록산
JP5805883B2 (ja) * 2011-11-25 2015-11-10 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP6203189B2 (ja) * 2011-11-25 2017-09-27 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
JP5831959B2 (ja) * 2011-11-25 2015-12-16 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
EP2784105B1 (en) * 2011-11-25 2017-05-10 LG Chem, Ltd. Method for producing organopolysiloxane
KR101562091B1 (ko) * 2011-11-25 2015-10-21 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
KR101560046B1 (ko) * 2012-07-27 2015-10-15 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP5779155B2 (ja) * 2012-08-28 2015-09-16 株式会社東芝 半導体装置
US9470395B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Abl Ip Holding Llc Optic for a light source
EP3081365B1 (en) 2013-05-10 2021-02-17 ABL IP Holding LLC Method and apparatus for manufacturing silicone optics
KR101611009B1 (ko) 2013-11-07 2016-04-08 제일모직주식회사 코어-쉘 미립자, 그 제조방법 및 이를 이용한 확산필름
DE102015101748A1 (de) 2015-02-06 2016-08-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement mit einem Werkstoff umfassend Epoxysilan-modifiziertes Polyorganosiloxan
US9416273B1 (en) 2015-04-30 2016-08-16 Eternal Materials Co., Ltd. Curable composition and method for manufacturing the same
JP6445947B2 (ja) * 2015-09-04 2018-12-26 株式会社東芝 光結合装置
KR200485988Y1 (ko) 2016-04-18 2018-03-20 우성화학(주) 김 양식용 부구
JP6512181B2 (ja) * 2016-06-23 2019-05-15 信越化学工業株式会社 フォトカプラー一次封止用熱硬化性シリコーン樹脂組成物、該組成物で封止されたフォトカプラー及び該フォトカプラーを有する光半導体装置
CN109642079B (zh) * 2016-08-26 2022-04-05 信越化学工业株式会社 脱醇型室温固化性有机聚硅氧烷组合物和用该组合物的固化物密封的物品
WO2020082359A1 (en) * 2018-10-26 2020-04-30 Elkem Silicones Shanghai Co., Ltd. Silicone composition and method for additive manufacturing silicone elastomer article

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5616632A (en) * 1994-05-09 1997-04-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicone compositions
US6432137B1 (en) * 1999-09-08 2002-08-13 Medennium, Inc. High refractive index silicone for use in intraocular lenses
JP4040858B2 (ja) * 2001-10-19 2008-01-30 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI398488B (zh) * 2006-08-25 2013-06-11 Dow Corning Toray Co Ltd 可固化之有機聚矽氧烷組合物及半導體裝置
TWI495688B (zh) * 2008-09-05 2015-08-11 Dow Corning Toray Co Ltd 可固化有機聚矽氧烷組合物、光學半導體元件密封劑及光學半導體裝置
TWI462954B (zh) * 2008-12-05 2014-12-01 Shinetsu Chemical Co An addition-hardening type silicone compound having a high refractive index, and an optical component sealing material made of the composition

Also Published As

Publication number Publication date
US7763697B2 (en) 2010-07-27
DE60223832T2 (de) 2008-10-30
KR100909575B1 (ko) 2009-07-29
US20040241927A1 (en) 2004-12-02
DE60223832D1 (de) 2008-01-10
US20070273051A1 (en) 2007-11-29
US7271232B2 (en) 2007-09-18
JP2003128922A (ja) 2003-05-08
KR20040048423A (ko) 2004-06-09
EP1442081B1 (en) 2007-11-28
EP1442081A1 (en) 2004-08-04
JP4040858B2 (ja) 2008-01-30
WO2003035763A1 (en) 2003-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI253460B (en) Curable organopolysiloxane composition, use of the cured product of the composition, and semiconductor device
KR101499709B1 (ko) 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 장치
JP4409160B2 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP5667740B2 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
KR101436800B1 (ko) 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 디바이스
JP5972512B2 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
TWI654257B (zh) 可固化有機聚矽氧烷組合物、密封劑和半導體裝置
JP5913538B2 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
TW202010794A (zh) 可固化的有機聚矽氧烷組合物、密封劑和半導體裝置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees