JP2004359756A - Led用封止剤組成物 - Google Patents

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Abstract

【課題】青色〜紫外光を発するLEDを封止して、透明性に優れ、耐光性・耐熱性があり、硬くかつ割れ難く、成形時の収縮も少ない、強度と硬度とのバランスに優れるシリコーン系の封止材を提供する。
【解決手段】(イ)少なくとも1種のポリオルガノシロキサンからなり、それらの混合物の平均組成式が(RSiO1/2・(RSiO2/2・(RSiO3/2・(SiO4/2(但し、R〜Rは、各々同一でも異なっていてもよい有機基、水酸基または水素原子から選択され、かつ、R〜Rの内の少なくとも1つは多重結合を有する炭化水素基およびまたは水素原子を含み、M、D、T、Qは0以上1未満の数であり、かつM+D+T+Q=1、Q+T>0である。)で表されるポリオルガノシロキサン、および有効量の(ロ)付加反応用触媒からなり、硬化して樹脂状となるLED用封止剤組成物。
【選択図】 選択図なし

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード(以下LEDという)封止用ポリオルガノシロキサン組成物、特に、青色〜紫外光を発するLED及び白色の発光素子を封止するに好適な硬化して樹脂状となるポリオルガノシロキサン組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
LEDは長寿命、高輝度、低電圧、小型、熱線をほとんど含まない、調光点滅が自在で応答も速く、低温でも発光効率を維持し、防水構造が容易である、等の様々な特徴を持つ為、その用途は拡大しつつある。
【0003】
様々なLEDの用途の中でも、青色〜紫外光を発するLEDの開発の進展が用途拡大の一因であり、このようなLEDの応用の一つとして、照明光源、表示装置、液晶デイスプレイのバックライトなどに用いる白色の発光素子がある。この白色の発光装置は、GaN(窒化ガリウム)系LEDのような青色から紫外光までの発光をするLEDに蛍光体を組み合わせたものや、赤・青・黄の3種のLEDを組み合わせたものなどがある。
【0004】
LEDは、化合物半導体チップと電極を、保護のための透明樹脂で封止してなるものであり、蛍光体と組み合わせた発光素子の場合には、例えばLEDを封止する樹脂中に蛍光体を分散させておくことにより、LEDが発する青色(490nm)から短波長(365nm)の光が蛍光体に当たることで、蛍光体の選択によって種々の波長の光として散乱させ、白色の発光素子とするものである。
【0005】
LEDの封止用樹脂として、従来、主としてエポキシ樹脂が用いられてきており、例えば特許文献1においても、青色ないし紫外光LEDチップと蛍光体との組み合わせによる白色の発光素子において、エポキシ樹脂を使用する例が提案されている。しかしながら、エポキシ樹脂の場合には、透明性に優れるものの、LEDの高輝度、短波長化に対応した耐熱性、耐光性が十分ではなかった。すなわち、エポキシ系樹脂封止体にこれら紫外線等が照射されると、有機高分子の繋ぎ目が切断され、各種の光学的特性及び化学的特性が劣化することによって、発光ダイオードチップの周囲から次第に黄変し、着色現象が発生し、発光装置の寿命が限定されるという欠点を有していた。蛍光体を含有しない青色系のLEDの場合も、エポキシ樹脂を用いる場合には、その耐光性・耐熱性は十分とは言えなかった。
【0006】
一方、LEDの封止用樹脂としては、透明性に優れ、耐光性もあるシリコーン系の高分子化合物が古くから提案されている。例えば、特許文献2では、シリコーン樹脂を内層にエポキシ樹脂を外層とした樹脂封止が提案されており、ここで用いるシリコーン樹脂としてはエラストマーとも呼べるようなゴム弾性を有するものが示唆されている。また、特許文献3では、化合物半導体上の水酸基と反応し得るアルコキシ基を含有し、付加反応によりシリコーン樹脂を生成するシロキサン化合物をLEDの封止用樹脂として用いることが提案されており、この場合にはオルガノシロキサン骨格を有する高分子化合物が用いられている。
【0007】
シリコーンを、紫外光のLEDと蛍光体とを組み合わせた発光素子の封止に使用する提案として、特許文献4がある。蛍光体を分散させた液状のシリコーンが封止に用いられており、加熱硬化後にゲル状となるシリコーンとゴム状のシリコーンとを比較し、ゴム状のものがLEDの保護の点で好ましいとされている。
【0008】
これら従来技術に示される、オルガノシロキサン骨格を有するシリコーンは透明性に優れ、弾性体であって衝撃を吸収し得る反面、変形しやすいものであり、変形によってはLEDのボンデイングワイヤーが切断するという問題も発生し、さらに、機械的強度も十分なレベルではないことから、強度と硬度とのバランス改良が強く望まれていた。
【0009】
【特許文献1】
特開平7−99345号公報
【特許文献2】
特開昭54−19660号公報
【特許文献3】
特開平6−314816号公報
【特許文献4】
特開2002−314142号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来技術の問題点に鑑み、LEDの封止、特に、青色〜紫外光を発するLEDを封止して、透明性に優れ、耐光性・耐熱性があり、硬くかつ割れ難く、成形時の収縮も少ない、強度と硬度とのバランスに優れるシリコーン系の封止材を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、前記課題を解決するため、鋭意検討を重ねた結果、硬化して樹脂状となる特定の付加反応をするポリオルガノシロキサンと付加反応用触媒とからなるLED用封止剤組成物を用いる事により、透過率が高く、屈折率が高く、耐光性、耐熱性に優れ、硬くかつ割れ難く、成形時の収縮も少ない、LED用封止剤組成物を提供できる事を見いだし、本発明をなすに至った。
【0012】
すなわち、本発明は、
[1](イ)少なくとも1種のポリオルガノシロキサンからなり、それらの混合物の平均組成式が(RSiO1/2・(RSiO2/2・(RSiO3/2・(SiO4/2で表されるポリオルガノシロキサン、および有効量の(ロ)付加反応用触媒からなり、硬化して樹脂状となるLED用封止剤組成物。(但し、R〜Rは、各々同一でも異なっていてもよい有機基、水酸基または水素原子から選択され、かつ、R〜Rの内の少なくとも1つは多重結合を有する炭化水素基およびまたは水素原子を含み、M、D、T、Qは0以上1未満の数であり、かつM+D+T+Q=1、Q+T>0である。)
[2]R〜Rの内の少なくとも1つは同一でも異なっていてもよい芳香族基である[1]記載のLED用封止剤組成物。
[3]3.0>(2D+3T+4Q)/(D+T+Q)>2.0である[1]または[2]のいずれかに記載のLED用封止剤組成物。
[4]水素と直接結合するケイ素原子が全ケイ素原子の40mol%以下のポリオルガノシロキサンである[1]〜[3]記載のLED用封止剤組成物。
【0013】
[5](イ)成分が、(イ−1)平均組成式(RSiO1/2M1・(RSiO2/2D1・(RSiO3/2T1・(SiO4/2Q1で表され、R〜Rの内の少なくとも一つは多重結合を有する炭化水素基であり、ケイ素原子に直接結合する水素原子を含まない少なくとも1種のポリオルガノシロキサンと、(イ−2)平均組成式(RSiO1/2M2・(RSiO2/2D2・(RSiO3/2T2・(SiO4/2Q2で表され、R〜Rの内の少なくとも一つはケイ素原子に直接結合する水素原子であり、多重結合を有する炭化水素基を含まない少なくとも1種のポリオルガノシロキサンとからなる[1]〜[4]記載のLED用封止剤組成物。(但し、M1、D1、T1、Q1は0以上1未満の数であり、かつM1+D1+T1+Q1=1、Q1+T1>0である。さらにM2、D2、T2、Q2は0以上1未満の数であり、かつM2+D2+T2+Q2=1である。)
【0014】
[6](イ)成分が、(イ−1)平均組成式(RSiO1/2M1・(RSiO2/2D1・(RSiO3/2T1・(SiO4/2Q1で表され、R〜Rの内の少なくとも一つ以上は多重結合を有する炭化水素基であり、ケイ素原子に直接結合する水素原子を含まない少なくとも1種のポリオルガノシロキサンと、(イ−3)平均組成式(RSiO1/2M3・(RSiO2/2D3・(RSiO3/2T3・(SiO4/2Q3で表され、R〜Rの内の少なくとも一つ以上は多重結合を有する炭化水素基であり、かつR〜Rの内の少なくとも一つ以上はケイ素原子に直接結合する水素原子である少なくとも1種のポリオルガノシロキサンである[1]〜[4]記載のLED用封止剤組成物。(但し、M1、D1、T1、Q1は0以上1未満の数であり、かつM1+D1+T1+Q1=1、Q1+T1>0である。さらにM3、D3、T3、Q3は0以上1未満の数であり、かつM3+D3+T3+Q3=1である。)
[7]多重結合を有する炭化水素基がビニル基である[5]または[6]記載のLED用封止剤組成物。
[8][1]〜[7]記載の組成物によって封止されたLED。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明について、以下具体的に説明する。
本発明の(イ)成分である、少なくとも1種のポリオルガノシロキサンからなり、それらの混合物の平均組成式が(RSiO1/2・(RSiO2/2・(RSiO3/2・(SiO4/2で表されるポリオルガノシロキサンにおいて、R〜Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよい有機基、水酸基または水素原子から選択され、かつケイ素原子に直接結合した多重結合を有する炭化水素基およびまたはケイ素原子に直接結合した水素原子である。また、M、D、T、Qは0以上1未満の数であり、かつM+D+T+Q=1、Q+T>0である。
【0016】
本発明において(イ)のポリオルガノシロキサンとは、オルガノシラン類およびまたはオルガノシロキサン類を加水分解等の反応によって得られる、混合物中の平均組成として、Tユニット(RSiO3/2)、Qユニット(SiO4/2)の分岐構造を有するものであり、架橋等の反応により更に高度の三次元網目構造を取ることのできるポリマーである。その為、すべての平均組成式においてはQ+T>0である。このようなポリオルガノシロキサンは、シリコーンレジンとも呼ばれるものであって、固体であっても液体であっても良いが、液体であることが本発明の目的とするLED封止の成型の容易さからより好ましい。
【0017】
〜Rは、それぞれ単独で同一でまたは異なって次に挙げるもののなから選択される。式は平均組成式であるので、これらの選択の方法は、同一構造ユニット例えば(RSiO2/2構造ユニットの中で、例えばRとして同時に異なるもの、すなわちメチル基とフェニル基と水素原子の3種類の基を同時に選択する事を妨げる物でない。また、各ユニットをつなぐ為の構造が各ユニット構造と異なる形態を取っていても構わない。
【0018】
〜Rの例を挙げれば、直鎖状または分岐状の炭素数1〜20のアルキル基又はアルケニル基及びそのハロゲン置換体、炭素数5〜25のシクロアルキル基又はシクロアルケニル基及びそのハロゲン置換体、炭素数6〜25のアラルキル基又はアリール基及びそのハロゲン置換体、水素原子、水酸基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ケトキシメート基、アルケニルオキシ基、酸無水物基、カルボニル基、糖類、シアノ基、オキサゾリン基、イソシアナート基、等およびまたはこれらの基の炭化水素置換体より選択することができる。
【0019】
本発明においてR〜Rの少なくとも一つは、ケイ素原子に直接結合した多重結合を有する炭化水素基およびまたはケイ素原子に直接結合した水素原子である。但し、水素原子の場合R〜Rの置換基総てが置換される事はない。好ましくは2つないし1つのユニットが選択されて置換される。本発明において最も好ましい水素原子の存在位置は(RSiO2/2構造ユニットである。多重結合とは、ケイ素原子に直接結合した水素と触媒の存在下または不存在下、付加反応をする可能性のある多重結合であり、好ましくは炭素−炭素二重結合および炭素−炭素三重結合が挙げられる。最も好ましいのは炭素−炭素二重結合であり、多重結合を有する炭化水素基として最も好ましいのはビニル基である。多重結合のより好ましい存在位置は(RSiO2/2構造ユニットである。
【0020】
R1〜R6の好ましい例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプチル基、イソヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖又は分岐状のアルキル基、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基などのアルケニル基、エチニル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、ジシクロペンチル基、デカヒドロナフチル基などのシクロアルキル基、シクロペンテニル基(1−及び2−、3−)、シクロヘキセニル基(1−及び2−、3−)等のシクロアルケニル基、フェニル基、ナフチル基、テトラヒドロナフチル基、トリル基、エチルフェニル基等のアラルキル基及びアリール基、水素原子、水酸基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ターシャリーブトキシ基、ヘキシロキシ基、イソヘキシロキシ基、2−ヘキシロキシ基、オクチロキシ基、イソオクチロキシ基、2−オクチロキシ基、アセトキシ基、ジメチルケトオキシム基、メチルエチルケトオキシム基、グリシジル基、エチレングリコキシ基、ジエチレングリコキシ基、ポリエチレングリコキシ基、プロピレングリコキシ基、ジプロピレングリコキシ基、ポリプロピレングリコキシ基、メトキシエチレングリコキシ基、エトキシエチレングリコキシ基、メトキシジエチレングリコキシ基、エトキシジエチレングリコキシ基、メトキシプロピレングリコキシ基、メトキシジプロピレングリコキシ基、エトキシジプロピレングリコキシ基、等を挙げることができる。
【0021】
これら例示されるものの中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基、ビニル基、水素原子が特に好ましい。
【0022】
本発明の(イ)成分であるポリオルガノシロキサンは芳香族基を持つ事が好ましく、芳香族基の例としてはアラルキル基及びアリール基として先に挙げた基が用いられるが、最も好ましい例としてはフェニル基が挙げられる。芳香族基の付加量は、全ユニットの5〜90mol%が好ましく、より好ましくは10〜60mol%である。芳香族基の量が少ないと耐熱性、耐光性の改良効果が得られず、また量が多すぎると経済的に不利になる。芳香族基は(SiO4/2を除くどのユニットに導入する事もできるが、(RSiO2/2、(RSiO3/2構造ユニットに導入する事が好ましく、最も好ましいのは(RSiO3/2への導入である。
【0023】
また、本発明の(イ)成分について、水素原子と直接結合するケイ素原子は全ケイ素原子の1〜40mol%である事がより好ましく、さらに好ましくは3〜30mol%、最も好ましくは5〜20mol%である。この量が多いと硬度は上がるがもろくなる傾向にあり、またこの量が少ないと硬度が上がらなくなるので上記範囲に入っている事がより好ましい。また、本発明の(イ)成分が多重結合を有する炭化水素とケイ素原子に直接水素原子とを含む場合には、水素原子と直接結合するケイ素原子は全ケイ素原子の1〜40mol%である事がより好ましく、さらに好ましくは3〜30mol%、最も好ましくは5〜20mol%である。40mol%以上では、得られる硬化物の硬度は上がるがもろくなる傾向にあり、またこの量が1mol%以下では十分な硬度の硬化物が得られなくなる。
【0024】
M、D、T、Qは各々のユニットの割合を示す数で0以上1未満である。好ましくは、Mが0〜0.6、Dが0.1〜0.8、Tが0.1〜0.7、Qが0〜0.3であり、さらに好ましくは、Mが0.1〜0.4、Dが0.1〜0.6、Tが0.3〜0.6、Qが0である。T+Qは0.9以下で0.3以上の範囲が好ましく、より好ましくは0.8以下0.5以上である。
【0025】
さらに分岐度を表す(2D+3T+4Q)/(D+T+Q)の値が、3.0>(2D+3T+4Q)/(D+T+Q)>2.0であることが好ましく、より好ましくは、2.8>(2D+3T+4Q)/(D+T+Q)>2.2であり、さらに好ましくは、2.8>(2D+3T+4Q)/(D+T+Q)>2.5である。
【0026】
本発明においては、少なくとも1種以上の(イ)成分に(ロ)の付加反応触媒を組み合わせてLED封止用組成物として用いられるが、数種の(イ)成分の組み合わせ、または一種以上の(イ)成分とこの(イ)成分の硬化に用いる他の成分の組み合わせとして種々の形態があり得る。好ましい組み合わせの形態の例の一つは、(イ−1)(RSiO1/2M1・(RSiO2/2D1・(RSiO3/2T1・(SiO4/2Q1の平均組成式で表され、R〜Rの内の少なくとも一つは多重結合を有する炭化水素基であり、ケイ素原子に直接結合する水素原子を含まない少なくとも1種のポリオルガノシロキサンと、(イ−2)(RSiO1/2M2・(RSiO2/2D2・(RSiO3/2T2・(SiO4/2Q2の平均組成式で表され、R〜Rの内の少なくとも一つはケイ素原子に直接結合する水素原子であり、多重結合を有する炭化水素基を含まない少なくとも1種のポリオルガノシロキサンとからなる組み合わせは、LED用封止剤組成物自体の保管など、製品の安定性の上で、より好ましい。この場合において、単純に(イ−1)、(イー2)、(ロ)の3成分を混ぜて最終的な組成物とする事もできるし、(ロ)成分は(イー1)成分と組み合せて保存し、使用時に(イー2)成分と組み合せて最終的な組成物とし、型に注ぎ固化する事もできる。
【0027】
但し、(イー1)の平均組成式中、M1、D1、T1、Q1は0以上1未満の数であり、かつM1+D1+T1+Q1=1、Q1+T1>0である。さらに(イー2)の平均組成式中、M2、D2、T2、Q2は0以上1以下の数であり、かつM2+D2+T2+Q2=1である。この場合において、M1、D1、T1、Q1、M2、D2、T2、Q2の好ましい範囲は、(イー1)と(イー2)との混合物でのM、D、T、Q各ユニットの平均値が、前記した(イ)成分としてのM、D、T、Qの好ましい範囲に入るように選択される。例えば、M1とM2との重量平均であるMユニットは、0〜0.6であることが好ましく、0.1〜0.4である。
【0028】
本発明において好ましい組み合わせの他の例は、前記した(イ−1)と同様なポリオルガノシロキサンと、(イ−3)平均組成式(RSiO1/2M3・(RSiO2/2D3・(RSiO3/2T3・(SiO4/2Q3で表され(但し、M3、D3、T3、Q3は0以上1以下の数であり、かつM3+D3+T3+Q3=1である。)、R〜Rの内の少なくとも一つ以上は多重結合を有する炭化水素基であり、かつR〜Rの内の少なくとも一つ以上は水素原子である少なくとも1種のポリオルガノシロキサンとからなる組み合わせであり、LED用封止剤組成物が硬化した後の特性上、より好ましい。
【0029】
この場合、各構成単位のM、D、T、Q各ユニットの好ましい範囲は、各ポリオルガノシロキサンの平均値として得られるMが0〜0.6、Dが0.1〜0.8、Tが0.1〜0.7、Qが0〜0.3であり、さらに好ましくは、Mが0.1〜0.4、Dが0.2〜0.5、Tが0.3〜0.6、Qが0となるように選択される。
【0030】
さらに分岐度を表す(2D+3T+4Q)/(D+T+Q)の値についても、組み合わせる全ポリオルガノシロキサンにおける各ユニットの平均として、3.0>(2D+3T+4Q)/(D+T+Q)>2.0であることが好ましく、より好ましくは、2.8>(2D+3T+4Q)/(D+T+Q)>2.2であり、さらに好ましくは、2.8>(2D+3T+4Q)/(D+T+Q)>2.3である。
【0031】
本発明の(ロ)成分である付加反応用触媒は水素原子が結合したケイ素原子と多重結合を有する炭化水素との付加反応を促進する為の触媒であり、通常使用されるものである。金属及びその化合物としては、例えば、白金、ロジウム、パラジウム、ルテニウム、及びイリジウム、有利には白金を使用することができる。金属は場合により微粒子状の担体材料(例えば、活性炭、酸化アルミニウム、酸化ケイ素)に固定する。付加反応用触媒としては、白金及び白金化合物を使用することが好ましい。白金化合物としては、白金黒、白金ハロゲン化物(例えば、PtCl、HPtCl・6HO、NaPtCl・4HO、HPtCl・6HOとシクロヘキサンからなる反応生成物)、白金−オレフィン錯体、白金−アルコール錯体、白金−アルコラート錯体、白金−エーテル錯体、白金−アルデヒド錯体、白金−ケトン錯体、白金−ビニルシロキサン錯体(例えば、白金−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体、ビス−(γ−ピコリン)−白金ジクロライド、トリメチレンジピリジン−白金ジクロライド、ジシクロペンタジエン−白金ジクロライド、シクロオクタジエン−白金ジクロライド、シクロペンタジエン−白金ジクロライド)、ビス(アルキニル)ビス(トリフェニルホスフィン)白金錯体、ビス(アルキニル)(シクロオクタジエン)白金錯体などが挙げられる。また、付加反応用触媒はマイクロカプセル化した形で使用することもできる。この場合触媒を含有し、かつオルガノポリシロキサン中に不溶の微粒子固体は、例えば、熱可塑性樹脂(例えば、ポリエステル樹脂またはシリコーン樹脂)である。また、付加反応用触媒は包接化合物の形で、例えば、シクロデキストリン内で使用することも可能である。なお、この付加反応用触媒は有効量(即ち、いわゆる触媒量)で用いられ、金属換算で通常(イ)成分に対し1〜1000ppm、好ましくは2〜500ppmである。
【0032】
本発明の組成物によって得られる硬化物は、付加反応による架橋硬化後に、樹脂状の硬度を有することが好ましい。好ましい硬度は、JIS規格のショアD硬度で、30〜90、より好ましくは、40〜90である。このような硬度範囲の硬化物は、用いる(イ)成分の分岐度を表す(2D+3T+4Q)/(D+T+Q)を特定範囲とすることにより達成される。
【0033】
本発明におけるLEDの例を挙げれば、従来のGaP、GaAs、GaNベースの赤・緑・黄色発光LEDと近年開発が進んでいる高輝度、短波長のLED等を挙げる事ができる。本発明の組成物は従来型のLEDの封止にも用いる事はできるが、特に効果を発揮するのは、近年開発が進んでいる高輝度、短波長のものであり、さらに言えば、高輝度青色、白色用、青〜近紫外のLEDであって、発光のピーク波長が490〜350nmとなるLEDである。これらのLEDに使用される封止材料は、青〜紫外の波長に対する耐光性が特に必要になる他、LEDの発光輝度が高く、より高いエネルギーの光に曝される事になる為、特に耐光性及び耐熱性が必要とされる。現在、広く用いられているエポキシ系の封止剤を用いる場合に比較して、本発明の封止剤組成物は耐光性及び耐熱性に優れることにより、LEDの寿命を格段に向上させることができる。これら高輝度青色、白色用、青〜近紫外のLEDの発光素子を例示すれば、AlGaInNの黄色、InGaNの青色、緑色さらにはInGaNと蛍光体を組み合わせた白色発光素子等を挙げる事ができる。
【0034】
封止したLEDの具体例を挙げれば砲弾型、大型パッケージ形、面実装形、等を挙げる事ができる。これらの形状については、例えば、株式会社 工業調査会発行の「フラットパネルディスプレイ大辞典」2001年12月25日発行897〜906ページに記載されている。
【0035】
LEDの封止樹脂としては樹脂自体は光を透過する必要から透明である事、さらに光が輝いて見えるとより明るく見えるために屈折率が高い事、また精密な発光素子を守る為(特にボンディングワイヤー等は衝撃や変型により外れ易い)変型が少ない、すなわちある程度の硬度を持つ事が要求される。落下時、衝撃時にも耐える必要から割れ難い事も要求される。さらに、先に述べた様に耐光性が必要であり、また発光部は高熱になるので耐熱性(短期、長期)が必要である。耐光性、耐熱性は機械的強度を保つのみならず、封止剤の光透過性も阻害されるべきでなく、さらに着色等が起らない事が重要である。本発明の組成物は、これらの要求特性を十分に満足しており、LED用の封止剤組成物として特に有効である。
【0036】
封止の方法は、特に限定されないが、例えば、樹脂型の凹型に本発明のシリコーン組成物を注入しさらに素子を漬け温度を上げ固化させる方法等により作製される。樹脂型のみならず従来のエポキシを使用した封止剤では使用できなかった金属製の金型も使用できる所も本発明の長所である。
【0037】
また、本発明の組成物においてはその効果を損なう事のない範囲内で種々の添加物を添加する事ができる。例えば、硬化性、ポットライフを与えるための付加反応用反応制御剤や硬度・粘度を調節するための反応性又は非反応性の直鎖状又は環状の低分子ポリオルガノポリシロキサン等、白色発光用のYAG等の蛍光発光剤、また、必要に応じて微粒子状シリカ、酸化チタン等の無機充填剤や顔料、有機充填剤、金属充填剤、難燃剤、耐熱剤、耐酸化劣化剤等を配合してもよい。
【0038】
さらに、本発明の組成物は各種の分野に応用できる。例示すれば、可視LEDや不可視LEDの発光素子(LED)はもちろんの事、単体または多分割の受光素子、発光・受光複合素子、光ピックアップ、有機EL発光素子等挙げる事ができる。
【0039】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。尚、評価方法は以下のように実施した。
<透過率>
島津製作所製 可視紫外スペクトル測定機 UV1240を用いて400nm〜750nmの透過率を測定し、最も低い値を透過率とする。
<屈折率>
JIS K7105に従い屈折率を測定する。
<耐光性>
東洋精機(株)社製 ユーブコン ultra−violet / condensation weathering device
を用いて340nmの波長ランプに200時間暴露し色の変化を目視で観察し色目を示す。
【0040】
<耐熱性>
200℃のオーブンに24時間入れ色の変化を観察する。
<硬度>
硬度はJIS K7060に準じてバーコル硬度計を用いて測定し、ショアDであらわす。
<割れ難さ>
試験片5枚を50cmの高さから自然落下させ、1つでも割れた場合は×、割れなかった場合は○、全部割れずかつひびも無かった場合は◎で表す。
<成形時の収縮>
試験片の直径を測定し容器の直径と比較して成形収縮率を求める。
【0041】
ポリオルガノシロキサンの合成は以下のように実施した。合成例に記載する平均組成式中のMeはメチル基、Phはフェニル基、Viはビニル基を示す。
[イ−11の合成]
フェニルトリクロロシラン54.0g(55mol%)、ジメチルジクロロシラン24.7g(15mol%)及びメチルビニルジクロロシラン148.4g(30mol%)の混合物を、フラスコ内であらかじめ80℃に加熱した水500g及びトルエン200gの混合溶媒に攪拌しながら1時間かけて滴下し、滴下終了後さらに2時間還流させて共加水分解縮合物のトルエン溶液を得た。この溶液を静置して室温まで冷却した後、分離した水層を除去し、引き続き水を混合して攪拌後静置し、水層を除去するという水洗浄操作をトルエン層が中性になるまで行ない、反応を停止させた。得られたポリオルガノシロキサンのトルエン溶液をろ過して、不純物を除去した後、さらに、減圧蒸留によってトルエンを除去し、(イー1)成分に該当する下式の液状ポリオルガノシロキサンを得た。各ユニット表記の右側の数字は、モル比を示す。
(MeSiO2/20.15・(MeViSiO2/20.30・(PhSiO3/20.55
【0042】
[イ−12の合成]
イ−11と同様の手順でフェニルトリクロロシラン55mol%、フェニルメチルジクロロシラン15mol%、メチルビニルジクロロシラン30mol%の共加水分解によって、(イー1)成分に該当する下式の液状ポリオルガノシロキサンを得た。
(PhMeSiO2/20.15・(MeViSiO2/20.30・(PhSiO3/20.55
[イ−13の合成]
イー11と同様の手順でフェニルトリクロロシラン45mol%、ジメチルジクロロシラン15mol%、メチルビニルジクロロシラン15mol%、トリメチルクロロシラン25mol%の共加水分解によって、(イー1)成分に該当する下式の液状ポリオルガノシロキサンを得た。
(MeSiO1/20.25・(MeSiO2/20.15・(MeViSiO2/20.15・(PhSiO3/20.45
【0043】
[イ−21の合成]
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン53.6g(22mol%)、ジフェニルジメトキシシラン195.2g(45mol%)及び1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン144.0g(33mol%)を仕込んだフラスコに10℃にて濃硫酸17.8g、純水15.4gを順次添加し12時間攪拌して加水分解及び平衡化反応をさせた。この反応液に水5.9g、トルエン195.8gを加えて攪拌し反応を停止させた後、水を混合して攪拌後静置し、水層を除去するという水洗浄操作をトルエン層が中性になるまで行った。さらに、減圧蒸留によってトルエンを除去し得られたオルガノハイドロジェンポリシロキサンをろ過し、不純物を除去して、(イー2)成分に該当する下式の液状ポリオルガノシロキサンを得た。
(MeHSiO1/20.2・(PhSiO2/20.2・(MeHSiO2/20.6
【0044】
[イ−22の合成]
イ−21と同様の手順で1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシロキサン30mol%、ジフェニルジメトキシシラン40mol%、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン30mol%の加水分解及び平衡化反応によって、(イー2)成分に該当する下式の液状ポリオルガノシロキサンを得た。
(MeSiO1/20.27・(PhSiO2/20.18・(MeHSiO2/20.55
[イ−31の合成]
イ−11と同様の手順でフェニルトリクロロシラン45mol%、メチルジクロロシラン15mol%、メチルビニルジクロロシラン15mol%、トリメチルクロロシラン25mol%の共加水分解によって、(イー3)成分に該当する下式の液状ポリオルガノシロキサンを得た。
(MeSiO1/20.25・(MeHSiO2/20.15・(MeViSiO2/20.15・(PhSiO3/20.45
【0045】
【実施例1〜5】
直径5cmのアルミの円筒形の容器に表中に示す成分を表1中に示す量、秤量し充分に攪拌した。さらに、白金触媒を金属換算で200ppmになる様添加し、さらに充分に攪拌した。容器を200℃のオーブンに入れ5時間熱を加えた。室温で放冷して試験片を取出し種々の測定に使用した。屈折率の測定を実施例1、4の試験片について測定したところ、実施例1で1.50、実施例4で1.51であり、いずれもエポキシ樹脂と同様の高い屈折率を示した。その他の評価の結果を表1に示す。
【0046】
【比較例1】
エポキシ樹脂としてエポキシレジン株式会社製 YX 8000を100部と酸無水物硬化剤MH−700を83部使用し、硬化促進剤SA−102を1部添加して、100℃で4時間加熱した後、さらに150℃で6時間加熱硬化した。他の条件は実施例1と同様に実施した。
【0047】
【表1】
Figure 2004359756
【0048】
【発明の効果】
本発明のLED用封止剤組成物は、透過率・屈折率が高く、耐光性、耐熱性に優れ、硬くかつ割れ難く、成形時の収縮も少なくLEDの透明封止材料として有効である。特に高輝度タイプ、白色発光LED用の封止剤組成物として特に有効である。

Claims (8)

  1. (イ)少なくとも1種のポリオルガノシロキサンからなり、それらの混合物の平均組成式が(RSiO1/2・(RSiO2/2・(RSiO3/2・(SiO4/2で表されるポリオルガノシロキサン、および有効量の(ロ)付加反応用触媒からなり、硬化して樹脂状となるLED用封止剤組成物。(但し、R〜Rは、各々同一でも異なっていてもよい有機基、水酸基または水素原子から選択され、かつ、R〜Rの内の少なくとも1つは多重結合を有する炭化水素基およびまたは水素原子を含み、M、D、T、Qは0以上1未満の数であり、かつM+D+T+Q=1、Q+T>0である。)
  2. 〜Rの内の少なくとも1つは同一でも異なっていてもよい芳香族基である請求項1記載のLED用封止剤組成物。
  3. 3.0>(2D+3T+4Q)/(D+T+Q)>2.0である請求項1または2のいずれかに記載のLED用封止剤組成物。
  4. 水素原子と直接結合するケイ素原子が全ケイ素原子の40mol%以下のポリオルガノシロキサンである請求項1〜3記載のLED用封止剤組成物。
  5. (イ)成分が、(イ−1)平均組成式(RSiO1/2M1・(RSiO2/2D1・(RSiO3/2T1・(SiO4/2Q1で表され、R〜Rの内の少なくとも一つは多重結合を有する炭化水素基であり、ケイ素原子に直接結合する水素原子を含まない少なくとも1種のポリオルガノシロキサンと、(イ−2)平均組成式(RSiO1/2M2・(RSiO2/2D2・(RSiO3/2T2・(SiO4/2Q2で表され、R〜Rの内の少なくとも一つはケイ素原子に直接結合する水素原子であり、多重結合を有する炭化水素基を含まない少なくとも1種のポリオルガノシロキサンとからなる請求項1〜4記載のLED用封止剤組成物。(但し、M1、D1、T1、Q1は0以上1未満の数であり、かつM1+D1+T1+Q1=1、Q1+T1>0である。さらにM2、D2、T2、Q2は0以上1未満の数であり、かつM2+D2+T2+Q2=1である。)
  6. (イ)成分が、(イ−1)平均組成式(RSiO1/2M1・(RSiO2/2D1・(RSiO3/2T1・(SiO4/2Q1で表され、R〜Rの内の少なくとも一つ以上は多重結合を有する炭化水素基であり、ケイ素原子に直接結合する水素原子を含まない少なくとも1種のポリオルガノシロキサンと、(イ−3)平均組成式(RSiO1/2M3・(RSiO2/2D3・(RSiO3/2T3・(SiO4/2Q3で表され、R〜Rの内の少なくとも一つ以上は多重結合を有する炭化水素基であり、かつR〜Rの内の少なくとも一つ以上はケイ素原子に直接結合する水素原子である少なくとも1種のポリオルガノシロキサンである請求項1〜4記載のLED用封止剤組成物。(但し、M1、D1、T1、Q1は0以上1未満の数であり、かつM1+D1+T1+Q1=1、Q1+T1>0である。さらにM3、D3、T3、Q3は0以上1未満の数であり、かつM3+D3+T3+Q3=1である。)
  7. 多重結合を有する炭化水素基がビニル基である請求項5または6記載のLED用封止剤組成物。
  8. 請求項1〜7記載の組成物によって封止されたLED。
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Cited By (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005344114A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Therm-O-Disc Inc 一液シロキサン硬化システムに使用するための立体障害反応体
WO2006077667A1 (ja) * 2005-01-24 2006-07-27 Momentive Performance Materials Japan Llc. 発光素子封止用シリコーン組成物及び発光装置
JP2006299099A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体素子封止用樹脂組成物及び光半導体素子
JP2006324596A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Shin Etsu Chem Co Ltd Led用シリコーン樹脂レンズ及びその製造方法
JP2006328315A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 光関連デバイス封止用樹脂組成物およびその硬化物
JP2006335857A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物
JP2007019459A (ja) * 2005-06-06 2007-01-25 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP2007063538A (ja) * 2005-08-03 2007-03-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物
WO2007034919A1 (ja) * 2005-09-22 2007-03-29 Mitsubishi Chemical Corporation 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP2007084766A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 耐クラック性に優れた付加硬化型シリコーン組成物
JP2007182549A (ja) * 2005-12-06 2007-07-19 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーン組成物及びその硬化物
WO2007125785A1 (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Enikolopov Institute Of Synthetic Polymeric Materials (Ispm) Of The Russian Academy Of Sciences 硬化性樹脂組成物
JP2007302892A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Wacker Chemie Ag 電子素子のためのシリコーン樹脂被覆
WO2008023746A1 (en) * 2006-08-22 2008-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus
JP2008138207A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Rohm & Haas Co アリール(チオ)エーテルアリールポリシロキサン組成物およびその製造方法および使用方法
JP2008525557A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 ロディア・シミ 非黄変シリコーン組成物
WO2009066608A1 (ja) * 2007-11-19 2009-05-28 Toagosei Co., Ltd. ポリシロキサンおよびその製造方法ならびに硬化物の製造方法
JP2010013503A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Showa Highpolymer Co Ltd 硬化性樹脂組成物およびオプトデバイス
JP2010037538A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Korea Advanced Inst Of Sci Technol Led封止用樹脂組成物
JP2010508377A (ja) * 2006-08-28 2010-03-18 ダウ・コーニング・コーポレイション 光学部品およびシリコーン組成物および光学部品の成型方法
JP2010163601A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Korea Advanced Inst Of Science & Technol 透明複合体組成物
JP2010532792A (ja) * 2007-04-10 2010-10-14 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド オプトエレクトロニクスデバイス用の組成物、層、及びフィルム、並びにこれらの使用
JP2010280908A (ja) * 2005-02-23 2010-12-16 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP2011107717A (ja) * 2010-12-22 2011-06-02 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 蛍光体含有シリコーン樹脂製レンズの製造方法
WO2011125463A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-13 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置
JP2012007136A (ja) * 2010-05-21 2012-01-12 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
JP2012074512A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置
WO2012053301A1 (ja) * 2010-10-19 2012-04-26 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
WO2012164636A1 (ja) * 2011-05-31 2012-12-06 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 半導体封止用シリコーン組成物
WO2013008842A1 (ja) * 2011-07-14 2013-01-17 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置
WO2012173460A3 (ko) * 2011-06-17 2013-03-28 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP2013518143A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド シリコーン樹脂
KR101271971B1 (ko) * 2005-12-06 2013-06-07 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 실리콘 조성물 및 그의 경화물
KR20130088791A (ko) 2012-01-31 2013-08-08 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 경화성 오르가노폴리실록산 조성물, 광학 소자 밀봉재 및 광학 소자
JP5284490B2 (ja) * 2011-05-31 2013-09-11 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 半導体封止用シリコーン組成物
JP2013541202A (ja) * 2010-09-14 2013-11-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ビーム放射デバイス
JP2014509668A (ja) * 2011-03-28 2014-04-21 ヘンケル・チャイナ・カンパニー・リミテッド Led封入用硬化性シリコーン樹脂
JP2014094970A (ja) * 2011-09-08 2014-05-22 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用硬化性組成物
US8759840B2 (en) 2005-02-23 2014-06-24 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor light emitting device member, method for manufacturing such semiconductor light emitting device member and semiconductor light emitting device using such semiconductor light emitting device member
KR20140079296A (ko) 2012-12-18 2014-06-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 부가 경화형 실리콘 조성물 및 광학 소자
WO2014126265A1 (en) 2013-02-15 2014-08-21 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
US8896004B2 (en) 2005-04-26 2014-11-25 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED, backlight using the same, and liquid crystal display device
US9624374B2 (en) 2014-03-05 2017-04-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Addition-curable silicone composition and optical device
WO2018155131A1 (ja) * 2017-02-27 2018-08-30 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5132027B2 (ja) * 2004-05-12 2013-01-30 株式会社Adeka ケイ素含有硬化性組成物、及びこれを熱硬化させた硬化物
JP2006073950A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Kansai Electric Power Co Inc:The 高耐熱半導体装置
TWI400817B (zh) * 2005-04-08 2013-07-01 Nichia Corp 具有藉由網版印刷形成之矽酮樹脂層的發光裝置
DE102005034122A1 (de) * 2005-07-21 2007-02-08 Wacker Chemie Ag Siliconharzverguss von Leuchtdioden
US8426879B2 (en) 2005-09-30 2013-04-23 Nichia Corporation Light emitting device and backlight unit using the same
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
JP5202822B2 (ja) * 2006-06-23 2013-06-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP4302721B2 (ja) * 2006-07-10 2009-07-29 信越化学工業株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、それを含むフラットパネルディスプレイ用シール剤、及びフラットパネルディスプレイ素子
TWI361205B (en) * 2006-10-16 2012-04-01 Rohm & Haas Heat stable aryl polysiloxane compositions
JP2009275196A (ja) * 2008-05-19 2009-11-26 Sony Corp 硬化性樹脂材料組成物、光学材料、発光装置及びその製造方法、並びに電子デバイス
CN101475689B (zh) * 2008-12-03 2011-01-12 杭州师范大学 一种甲基苯基乙烯基硅树脂的制备方法
JP4862032B2 (ja) * 2008-12-05 2012-01-25 信越化学工業株式会社 高屈折率を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物からなる光学素子封止材
KR100976461B1 (ko) 2009-12-30 2010-08-17 제일모직주식회사 봉지재용 투광성 수지 및 이를 포함하는 전자 소자
US9379296B2 (en) 2010-01-25 2016-06-28 Lg Chem, Ltd. Silicone resin
KR101277722B1 (ko) 2010-07-14 2013-06-24 제일모직주식회사 하이브리드 실록산 중합체, 상기 하이브리드 실록산 중합체로부터 형성된 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자
TWI483995B (zh) * 2010-08-18 2015-05-11 Cheil Ind Inc 聚有機矽氧烷與由該聚有機矽氧烷獲得之封裝材料以及包含該封裝材料之電子元件
EP2635621B1 (en) 2010-11-02 2016-08-17 Henkel AG & Co. KGaA Hydrosilicone resin and preparation process thereof
JP6300218B2 (ja) 2010-12-31 2018-03-28 サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. 封止材用透光性樹脂組成物、該透光性樹脂を含む封止材および電子素子
WO2012150850A2 (ko) * 2011-05-04 2012-11-08 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
KR20140035368A (ko) 2011-05-11 2014-03-21 헨켈 차이나 컴퍼니 리미티드 개선된 장벽 특성을 갖는 실리콘 수지
US8257988B1 (en) * 2011-05-17 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of making light emitting diodes
US8258636B1 (en) * 2011-05-17 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Llc High refractive index curable liquid light emitting diode encapsulant formulation
KR101589337B1 (ko) * 2011-06-17 2016-01-29 주식회사 엘지화학 광전지용 시트
CN103608407B (zh) * 2011-06-17 2016-05-04 Lg化学株式会社 高折射组合物
KR101136888B1 (ko) * 2011-07-27 2012-04-20 (주)에버텍엔터프라이즈 발광 다이오드용 폴리유기실리콘 조성물
EP2763198A4 (en) * 2011-09-30 2015-07-08 Konica Minolta Inc LIGHT EMITTING DEVICE AND COATING LIQUID
KR101686572B1 (ko) 2011-10-21 2016-12-15 삼성전자 주식회사 발광 소자
JP6203189B2 (ja) * 2011-11-25 2017-09-27 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
EP2784105B1 (en) * 2011-11-25 2017-05-10 LG Chem, Ltd. Method for producing organopolysiloxane
JP5831959B2 (ja) * 2011-11-25 2015-12-16 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
WO2013077705A1 (ko) * 2011-11-25 2013-05-30 주식회사 엘지화학 오가노폴리실록산
KR101562091B1 (ko) * 2011-11-25 2015-10-21 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP5805883B2 (ja) * 2011-11-25 2015-11-10 エルジー・ケム・リミテッド 硬化性組成物
DE102012202521A1 (de) * 2012-02-20 2013-08-22 Evonik Goldschmidt Gmbh Verzweigte Polysiloxane und deren Verwendung
CN103146304B (zh) * 2013-03-20 2015-06-03 苏州太湖电工新材料股份有限公司 一种无溶剂绝缘漆
DE102013215102A1 (de) 2013-08-01 2015-02-05 Wacker Chemie Ag Siliconharzzusammensetzung für optische Halbleiter
DE102013215105A1 (de) 2013-08-01 2015-02-05 Wacker Chemie Ag Polyorganosiloxanzubereitung für optische Halbleiter
TWI653295B (zh) * 2014-02-04 2019-03-11 日商道康寧東麗股份有限公司 硬化性聚矽氧組合物、其硬化物及光半導體裝置
KR101615544B1 (ko) * 2014-04-01 2016-04-26 한국과학기술원 가수분해-축합반응을 이용한 투명 실록산 경화물의 제조방법
JP6875063B2 (ja) 2015-10-16 2021-05-19 信越化学工業株式会社 ヒドロシリル基含有有機ケイ素樹脂の製造方法
JP6657037B2 (ja) * 2015-12-22 2020-03-04 信越化学工業株式会社 付加硬化性シリコーン樹脂組成物および半導体装置
KR101804047B1 (ko) * 2016-04-19 2017-12-01 주식회사 케이씨씨 금속 함유 유기-규소 복합체 및 이를 포함하는 경화성 오르가노폴리실록산 조성물
CN107068896B (zh) * 2016-12-28 2019-06-18 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及其制备方法
CN112218912A (zh) * 2018-06-12 2021-01-12 迈图高新材料日本合同公司 硅酮固化物的制备方法、硅酮固化物及光学用部件
KR20200130414A (ko) * 2018-08-31 2020-11-18 와커 헤미 아게 경화성 유기 폴리실록산 조성물, 봉지재 및 반도체 소자
CN116515300B (zh) * 2023-05-06 2023-12-08 上海艾康特医疗科技有限公司 高透氧硬性接触镜材料及接触镜

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1129270A (en) * 1979-03-05 1982-08-10 John D. Blizzard Method for coating a substrate using a curable silicone release composition
GB2066833B (en) * 1980-01-04 1984-03-14 Gen Electric Self-bonding addition cured silicone systems
US5314979A (en) * 1990-12-10 1994-05-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Optical fibers and core - forming compositions
FR2698875B1 (fr) * 1992-12-04 1995-01-13 Rhone Poulenc Chimie Système silicone modulateur d'adhérence et son utilisation pour la préparation de compositions antiadhérentes durcissables.
JP3523098B2 (ja) * 1998-12-28 2004-04-26 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物
JP2003516458A (ja) * 1999-12-10 2003-05-13 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 室温硬化性シリコーンシーラント
US7160972B2 (en) * 2003-02-19 2007-01-09 Nusil Technology Llc Optically clear high temperature resistant silicone polymers of high refractive index

Cited By (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005344114A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Therm-O-Disc Inc 一液シロキサン硬化システムに使用するための立体障害反応体
JP2008525557A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 ロディア・シミ 非黄変シリコーン組成物
JP4809366B2 (ja) * 2004-12-23 2011-11-09 ロディア・シミ 非黄変シリコーン組成物
US8637628B2 (en) 2005-01-24 2014-01-28 Momentive Performance Materials Japan Llc Silicone composition for sealing light emitting element, and light emitting device
WO2006077667A1 (ja) * 2005-01-24 2006-07-27 Momentive Performance Materials Japan Llc. 発光素子封止用シリコーン組成物及び発光装置
US8293849B2 (en) 2005-01-24 2012-10-23 Momentive Performance Materials Japan Llc Silicone composition for sealing light emitting element, and light emittying device
JP5705396B2 (ja) * 2005-01-24 2015-04-22 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 発光素子封止用シリコーン組成物及び発光装置
JP2011018921A (ja) * 2005-02-23 2011-01-27 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP4615626B1 (ja) * 2005-02-23 2011-01-19 三菱化学株式会社 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP2010280908A (ja) * 2005-02-23 2010-12-16 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP4615625B2 (ja) * 2005-02-23 2011-01-19 三菱化学株式会社 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
US8759840B2 (en) 2005-02-23 2014-06-24 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor light emitting device member, method for manufacturing such semiconductor light emitting device member and semiconductor light emitting device using such semiconductor light emitting device member
JP4636242B2 (ja) * 2005-04-21 2011-02-23 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止材及び光半導体素子
JP2006299099A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体素子封止用樹脂組成物及び光半導体素子
US8896004B2 (en) 2005-04-26 2014-11-25 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED, backlight using the same, and liquid crystal display device
JP2006324596A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Shin Etsu Chem Co Ltd Led用シリコーン樹脂レンズ及びその製造方法
JP2006328315A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 光関連デバイス封止用樹脂組成物およびその硬化物
JP2006335857A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物
JP2007019459A (ja) * 2005-06-06 2007-01-25 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP2007063538A (ja) * 2005-08-03 2007-03-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物
WO2007034919A1 (ja) * 2005-09-22 2007-03-29 Mitsubishi Chemical Corporation 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
JP2014099614A (ja) * 2005-09-22 2014-05-29 Mitsubishi Chemicals Corp シリコーン系半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
US7928457B2 (en) 2005-09-22 2011-04-19 Mitsubishi Chemical Corporation Member for semiconductor light emitting device and method for manufacturing such member, and semiconductor light emitting device using such member
JP2007084766A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 耐クラック性に優れた付加硬化型シリコーン組成物
JP4648146B2 (ja) * 2005-09-26 2011-03-09 信越化学工業株式会社 耐クラック性に優れた付加硬化型シリコーン組成物
KR101271971B1 (ko) * 2005-12-06 2013-06-07 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 실리콘 조성물 및 그의 경화물
JP2007182549A (ja) * 2005-12-06 2007-07-19 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーン組成物及びその硬化物
WO2007125785A1 (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Enikolopov Institute Of Synthetic Polymeric Materials (Ispm) Of The Russian Academy Of Sciences 硬化性樹脂組成物
JP2007302892A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Wacker Chemie Ag 電子素子のためのシリコーン樹脂被覆
WO2008023746A1 (en) * 2006-08-22 2008-02-28 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus
US8502364B2 (en) 2006-08-22 2013-08-06 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device member, production method of semiconductor-device-member formation liquid and semiconductor device member, and semiconductor-device-member formation liquid, phosphor composition, semiconductor light-emitting device, lighting system and image display system using the same
JP2010508377A (ja) * 2006-08-28 2010-03-18 ダウ・コーニング・コーポレイション 光学部品およびシリコーン組成物および光学部品の成型方法
KR101172042B1 (ko) 2006-12-01 2012-08-08 롬 앤드 하아스 컴패니 아릴 (티오)에테르 아릴 폴리실록산 조성물 및 이를 제조및 사용하는 방법
JP2008138207A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Rohm & Haas Co アリール(チオ)エーテルアリールポリシロキサン組成物およびその製造方法および使用方法
JP2010532792A (ja) * 2007-04-10 2010-10-14 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド オプトエレクトロニクスデバイス用の組成物、層、及びフィルム、並びにこれらの使用
WO2009066608A1 (ja) * 2007-11-19 2009-05-28 Toagosei Co., Ltd. ポリシロキサンおよびその製造方法ならびに硬化物の製造方法
US8168739B2 (en) 2007-11-19 2012-05-01 Toagosei Co., Ltd. Polysiloxane, method for producing the same, and method for producing cured product of the same
JP5263171B2 (ja) * 2007-11-19 2013-08-14 東亞合成株式会社 ポリシロキサンおよびその製造方法ならびに硬化物の製造方法
JP2013147659A (ja) * 2007-11-19 2013-08-01 Toagosei Co Ltd ポリシロキサンおよびその硬化物の製造方法
JP2010013503A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Showa Highpolymer Co Ltd 硬化性樹脂組成物およびオプトデバイス
EP2157624A1 (en) 2008-07-31 2010-02-24 Korea Advanced Institute of Science and Technology Resin composition for led encapsulation
JP2010037538A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Korea Advanced Inst Of Sci Technol Led封止用樹脂組成物
JP2010163601A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Korea Advanced Inst Of Science & Technol 透明複合体組成物
JP2016047927A (ja) * 2010-01-25 2016-04-07 エルジー・ケム・リミテッド シリコーン樹脂
JP2013518143A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 エルジー・ケム・リミテッド シリコーン樹脂
WO2011125463A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-13 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置
KR101274350B1 (ko) 2010-03-31 2013-06-13 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 광 반도체 장치용 밀봉제 및 광 반도체 장치
JP5060654B2 (ja) * 2010-03-31 2012-10-31 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置
JP2012007136A (ja) * 2010-05-21 2012-01-12 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
JP2013541202A (ja) * 2010-09-14 2013-11-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ビーム放射デバイス
US8937330B2 (en) 2010-09-14 2015-01-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting component
JP2012074512A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置
JP5167419B2 (ja) * 2010-10-19 2013-03-21 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
JPWO2012053301A1 (ja) * 2010-10-19 2014-02-24 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
WO2012053301A1 (ja) * 2010-10-19 2012-04-26 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
JP2011107717A (ja) * 2010-12-22 2011-06-02 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 蛍光体含有シリコーン樹脂製レンズの製造方法
JP2014509668A (ja) * 2011-03-28 2014-04-21 ヘンケル・チャイナ・カンパニー・リミテッド Led封入用硬化性シリコーン樹脂
EP2716717A4 (en) * 2011-05-31 2015-02-18 Momentive Performance Mat Jp SILICONE COMPOSITION FOR SEALING A SEMICONDUCTOR
US9564562B2 (en) 2011-05-31 2017-02-07 Momentive Performance Materials Japan Llc Silicone composition for sealing semiconductor
JPWO2012164636A1 (ja) * 2011-05-31 2014-07-31 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 半導体封止用シリコーン組成物
WO2012164636A1 (ja) * 2011-05-31 2012-12-06 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 半導体封止用シリコーン組成物
JP5284490B2 (ja) * 2011-05-31 2013-09-11 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 半導体封止用シリコーン組成物
WO2012173460A3 (ko) * 2011-06-17 2013-03-28 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
US9123647B2 (en) 2011-06-17 2015-09-01 Lg Chem, Ltd. Curable composition
WO2013008842A1 (ja) * 2011-07-14 2013-01-17 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置
JP2014094970A (ja) * 2011-09-08 2014-05-22 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用硬化性組成物
KR20130088791A (ko) 2012-01-31 2013-08-08 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 경화성 오르가노폴리실록산 조성물, 광학 소자 밀봉재 및 광학 소자
US8809469B2 (en) 2012-01-31 2014-08-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Curable organopolysiloxane composition, optical device sealing material, and optical device
US8957165B2 (en) 2012-12-18 2015-02-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Addition-curable silicone composition and optical element
KR20140079296A (ko) 2012-12-18 2014-06-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 부가 경화형 실리콘 조성물 및 광학 소자
WO2014126265A1 (en) 2013-02-15 2014-08-21 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
US9453158B2 (en) 2013-02-15 2016-09-27 Dow Corning Toray Co. Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
US9624374B2 (en) 2014-03-05 2017-04-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Addition-curable silicone composition and optical device
WO2018155131A1 (ja) * 2017-02-27 2018-08-30 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JPWO2018155131A1 (ja) * 2017-02-27 2019-11-21 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
US10927278B2 (en) 2017-02-27 2021-02-23 Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device

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