KR20140035368A - 개선된 장벽 특성을 갖는 실리콘 수지 - Google Patents

개선된 장벽 특성을 갖는 실리콘 수지 Download PDF

Info

Publication number
KR20140035368A
KR20140035368A KR1020137029743A KR20137029743A KR20140035368A KR 20140035368 A KR20140035368 A KR 20140035368A KR 1020137029743 A KR1020137029743 A KR 1020137029743A KR 20137029743 A KR20137029743 A KR 20137029743A KR 20140035368 A KR20140035368 A KR 20140035368A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
organopolysiloxane
groups
formula
methyl
substituents
Prior art date
Application number
KR1020137029743A
Other languages
English (en)
Inventor
리웨이 장
용 장
Original Assignee
헨켈 차이나 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 헨켈 차이나 컴퍼니 리미티드 filed Critical 헨켈 차이나 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20140035368A publication Critical patent/KR20140035368A/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/50Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/70Siloxanes defined by use of the MDTQ nomenclature
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/56Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04Polysiloxanes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/008Additives improving gas barrier properties

Abstract

본 발명에 따르면, 1 분자 당 가교 반응될 수 있는 치환기를 2 개 이상 갖는 오르가노폴리실록산의 습기 및 기체 장벽 특성이 개선될 것이다. 이는 모든 치환기 중 10 mol% 이상이 하기 화학식 (1) 로 나타내어지는 오르가노폴리실록산을 제공함으로써 달성된다:
Figure pct00008

[식 중, q 은 0 내지 5 의 정수이고, R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 메틸 또는 에틸기임].
또한, 본 발명은 상기 언급된 오르가노폴리실론산을 기반으로 하는 조성물, 상기 오르가노폴리실록산 및 조성물의 용도에 관한 것이다.

Description

개선된 장벽 특성을 갖는 실리콘 수지 {SILICONE RESIN WITH IMPROVED BARRIER PROPERTIES}
본 발명은 예를 들어 기판의 습기 방지가 바람직한 많은 적용물에서 사용되는 오르가노폴리실록산 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 가교 반응될 수 있는 기를 포함하는 경화성 오르가노폴리실록산에 관한 것이다. 개선된 장벽 특성을 허용하는 특정 치환기가 제안된다. 또한, 본 발명은 예를 들어 반도체 소자를 위한 캡슐화 조성물에서의 상기 폴리실록산의 용도에 관한 것이다. 본 발명은 또한 본 발명의 오르가노폴리실록산을 기반으로 하고 이에 따라 개선된 장벽 특성을 갖는 조성물에 관한 것이다.
선행 기술에는, 다양한 유형의 오르가노폴리실록산 (이 중합체는 대안적으로 실리콘으로 나타내어질 수 있음) 을 개시하고 있는 다수의 문헌이 존재한다. 실리콘 조성물은 많은 바람직한 특성 예컨대 내후성 및 내열성, 소수성 및 고무형 특성 예컨대 경도 및 신장을 갖는 경화 생성물을 형성한다. 이의 의도된 용도에 따라서, 오르가노폴리실록산의 입체 구조 및 치환 패턴이 변화될 수 있다. 입체 구조는 대개 M, D, T 및/또는 Q 단위의 존재 및 그 사이의 관계에 가변적인 한편, 치환 패턴은 경화 메카니즘 및 많은 추가 특성을 결정한다.
예를 들어, WO 2004/107458 A2 는 평균 조성식: (R1R2R3SiO1 /2)M·(R4R5 SiO2 /2)D·(R6SiO3 /2)T·(SiO4 /2)Q (식 중, T + Q > 0 이고; R1 내지 R6 은 유기기, 히드록실기 및 수소 원자로부터 선택되는 동일 또는 상이한 라디칼이고; R1 내지 R6 중 하나 이상은 다중결합을 갖는 탄화수소 기 또는 수소 원자이고, R1 내지 R6 중 하나 이상은 방향족 기임) 을 갖는 하나 이상의 폴리오르가노실록산을 포함하는, 발광 소자 (LED) 캡슐화 조성물을 개시하고 있다. 조성물은 UV 스펙트럼을 통해 청색의 빛을 방사하는 LED 의 캡슐화에 사용될 수 있다.
WO 2004/148812 A1 은 각각 알케닐기를 갖는 하나의 선형 및 하나의 분지형 오르가노폴리실록산 및 규소 수소 기를 갖는 하나의 오르가노폴리실록산 (모든 폴리실록산은 페닐기를 포함함) 을 포함하는 경화성 실리콘 조성물을 개시하고 있다. 조성물은 양호한 충전성 및 경화성을 특징으로 한다. 유사한 오르가노폴리실록산 조성물이 WO 2008/023537 A1 에 개시되어 있다. 모든 조성물은 양호한 광학적 특성을 나타낸다.
또한 아릴 치환기를 포함하고 히드로실릴화에 의해 경화될 수 있는 실리콘 조성물이 US 20070073026 A1 및 US 2004/0178509 A1 에 개시되어 있다.
아릴기는 오르가노폴리실록산의 치환기에 대한 특정한 특성의 의존성을 입증하기 위한 좋은 예이다. 한편으로는, 아릴기는 많은 적용물에 대해 매우 바람직할 수 있는 실리콘 조성물의 굴절률을 확대시킬 수 있다. 그러나, 실리콘 조성물에서 아릴기의 존재는 경화 실리콘체의 열 안정성 및 UV 안정성을 감소시키고, 이는 예를 들어 자동차의 헤드램프와 같은 고출력 발광 장치에 대한 이의 적용성을 제한한다.
따라서, 보통의 굴절률을 갖는 경화 실리콘 조성물은 유리하게는 높은 굴절률을 갖는 것보다 양호한 열 안정성 및 UV 안정성을 나타낸다. 이는 상기 실리콘 메틸기가 통상적으로 알케닐 및 Si-H 기와 같은 반응성 기 이외에 유기 기로서 존재한다는 사실로 인할 수 있다. 다른 한편으로는, 임의의 아릴기가 없는 상기 경화 실리콘 조성물은 불량한 장벽 특성을 나타내고, 부식성 기체 및 습기가 밀봉된 재료를 통과할 수 있다. 그 결과, 기판이 변질될 수 있고 이의 수명이 상당히 감소될 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 경화 이후에 기체 및 습기에 대한 양호한 장벽 특성을 갖고 동시에 원하는 특성 및/또는 경화 메카니즘을 결정하기 위한 다양한 추가 치환을 허용하는 경화성 오르가노폴리실록산을 제공하는 것이다.
또한, 오르가노폴리실록산이 열 및/또는 UV 광의 영향 하에서 황변 또는 기타 변색 영향을 나타내지 않는다는 것을 의미하는, 경화 이후의 개선된 열적 및 UV 안정성이 바람직하다.
본 발명의 제 1 주제는 1 분자 당 가교 반응될 수 있는 치환기를 2 개 이상 포함하는 오르가노폴리실록산이고, 여기서 오르가노폴리실록산의 모든 치환기 중 10 mol% 이상은 하기 화학식 (1) 로 나타내어진다:
Figure pct00001
[식 중, q 는 0 내지 5 의 정수이고, R1, R2 및 R3 은 각각 독립적으로 메틸 또는 에틸기임].
본 발명에 따른 오르가노폴리실록산은 경화 반응될 수 있는 치환기의 성질에 따라 경화될 수 있고, 경화 이후에 기체 및 습기에 대해 특히 양호한 장벽 특성을 나타낼 것이다. 또한, 이는 양호한 열적 안정성 및 매우 낮은 변색 경향을 갖는다.
"오르가노폴리실록산" 은, 실질적으로 산소 원자를 통해 연결된 규소 원자로 구성되어 사슬 또는 네트워크를 형성하며, 규소 원자의 잔여 원자가, 즉 산소 원자를 연결시키는 것에 의해 포화되지 않은 원자가가 유기 치환기에 의해 완전히 또는 적어도 대부분 포화되고 수소 원자 및/또는 OH 기에 의해 낮은 정도로 포화되는 선형 또는 분지형 중합체인 것으로 이해된다.
본 발명에 따르면, 용어 "오르가노폴리실록산" 은 또한 주요 규모가 실록산 반복 단위로 이루어지지만 부수적 규모가 또한 실록산 단위 사이에 알킬렌, 아릴렐 및/또는 아르알킬렌 가교를 포함할 수 있는 중합체를 포함한다. 그러나, 바람직하게는 본 발명에 따른 오르가노폴리실록산의 골격은 오로지 산소 원자를 통해 연결된 규소 원자로 구성된다. 이는 오르가노폴리실록산이 상기 언급된 실록산 단위 사이의 탄화수소 가교 중 어떠한 것도 포함하지 않는다는 것을 의미한다.
"치환기" 는 폴리실록산 골격의 규소 원자에 직접 결합되고 경화 전에 중합체 사슬 또는 네트워크에 기여하지 않는 원자 또는 화학적 기인 것으로 이해된다. 본 발명에 따른 오르가노폴리실록산은 1 분자 당 가교 반응될 수 있는 치환기를 2 개 이상 포함한다. 따라서 이러한 치환기는, 저분자 물질 또는 중합체의 다른 분자의 관능기와 직접 반응될 수 있다. 중합체와의 반응은 본 발명에 따른 오르가노폴리실록산의 가교를 야기한다. 상기 중합체는 본 발명에 따른 오르가노폴리실록산과 동일한 유형이거나 상이한 유형일 수 있다. 대안적으로 가교 반응될 수 있는 치환기는, 상기 언급된 방식으로 기타 분자의 관능기와 이후 반응될 수 있을 활성 종으로 변형될 수 있는 치환기일 수 있다.
가교 반응될 수 있는 오르가노폴리실록산의 분자 당 2 개 이상의 치환기에 관하여, 본 발명의 오르가노폴리실록산은 바람직하게는 1 분자 당 알케닐 기 및 수소 원자로부터 선택되는 치환기를 2 개 이상 포함한다. 따라서, 본 발명의 오르가노폴리실록산 분자는 둘 이상의 알케닐기 또는 둘 이상의 H-원자 또는 하나 이상의 알케닐기 및 하나 이상의 H-원자를 포함할 수 있다. 알케닐기는 올레핀계 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 임의의 탄화수소 기인 것으로 이해된다. 더 바람직하게는, 본 발명의 오르가노폴리실록산은 1 분자당 비닐기 및 알릴기로부터 선택된 치환 기를 2 개 이상 포함한다. 가장 바람직하게는, 본 발명의 오르가노폴리실록산은 1 분자당 비닐기를 2 개 이상 포함한다.
본 발명에 따르면, 오르가노폴리실록산의 모든 치환기 중 10 mol% 이상은 상기 나타낸 화학식 (1) 로 나타내어진다. 화학식 (1) 에 따른 치환기는, 이들이 임의의 반응기를 포함하지 않으므로 "가교 반응될 수 있는 치환기" 로 여겨지지 않는다. 바람직하게는, 본 발명의 오르가노폴리실록산의 모든 치환기 중 15 mol% 이상은 화학식 (1) 로 나타내어진다. 더 바람직하게는, 본 발명의 오르가노폴리실록산의 모든 치환기 중 20 mol% 이상, 가장 바람직하게는 25 mol% 이상은 화학식 (1) 로 나타내어진다.
바람직하게는, 화학식 (1) 의 q 는 0 내지 2 의 정수이다. 생성된 길이의 알킬렌 사슬은 본 발명의 오르가노폴리실록산의 매우 양호한 장벽 특성에 기여하는 것으로 밝혀졌다.
바람직하게는 화학식 (1) 의 R1, R2 및 R3 은 메틸기이다.
바람직하게는, 화학식 (1) 의 q 는 0 내지 2 의 정수이고, R1, R2 및 R3 은 메틸기이다. 따라서, 화학식 (1) 에 따른 치환기는 바람직하게는 tert-부틸, 2,2-디메틸-n-프로필기 및 3,3-디메틸-n-부틸기로부터 선택된다. 이들 중, 3,3-디메틸-n-부틸기가 가장 바람직한 것이고, 화학식 (1) 은 가장 바람직하게는 3,3-디메틸-n-부틸기를 나타낸다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 오르가노폴리실록산은 1 분자 당 2 개 이상의 비닐기를 포함하고, 오르가노폴리실록산의 모든 치환기 중 10 mol% 이상, 더 바람직하게는 15 mol% 이상, 보다 더 바람직하게는 20 mol% 이상, 가장 바람직하게는 25 mol% 이상은 3,3-디메틸-n-부틸기이다.
상기 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 오르가노폴리실록산의 모든 치환기 중 10 mol% 이상, 더 바람직하게는 모든 치환기 중 15 mol% 이상, 보다 더 바람직하게는 모든 치환기 중 20 mol% 이상, 가장 바람직하게는 모든 치환기 중 25 mol% 이상은 3,3-디메틸-n-부틸기이다. 화학식 (1) 로 나타내어지는 치환기 또는 가교 반응될 수 있는 치환기에 속하지 않는 오르가노폴리실록산에서 추가 치환기는 바람직하게는 메틸, 에틸 및 n-프로필기이다. 이들 중, 메틸기가 가장 바람직하다.
본 발명의 추가 주제는 본 발명에 따른 오르가노폴리실록산 하나 이상을 포함하는 경화성 조성물이다. "경화성 조성물" 은 혼합물이 물리적 또는 화학적 작용에 의해 연화 상태에서 경화 상태로 전환될 수 있는 둘 이상의 성분의 혼합물인 것으로 이해된다. 이러한 물리적 또는 화학적 작용은 예를 들어 열, 빛 또는 기타 전자기 방사 형태의 에너지 전달, 또한 단순히 대기 습기, 물 또는 반응성 성분과 접촉시키는 것으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면, 열경화 유형의 경화성 조성물은 단시간 내에 경화될 수 있으므로 바람직하다.
본 발명의 경화성 조성물의 구현예에 따르면, 경화성 조성물은 하기를 포함한다:
(A) 하기 평균 조성식 (2) 로 나타내어지는 하나 이상의 오르가노폴리실록산:
R4 nSiO(4-n)/2 (2)
[식 중, R4 는 메틸, 에틸, n-프로필, 비닐, 알릴 및 하기 화학식 (1) 로 나타내어지는 임의의 기로부터 선택되는 동일 또는 상이한 유기 기를 나타내고:
Figure pct00002
(식 중, q 는 0 내지 5 의 정수이고, R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 메틸 또는 에틸기임);
R4 중 10 mol% 이상은 화학식 (1) 로 나타내어지는 동일 또는 상이한 기이고;
1 분자 당 2 개 이상의 R4 는 각각 독립적으로 비닐 또는 알릴이고;
n 은 1 ≤ n < 2 를 만족시키는 양의 수임];
(B) 하기 평균 조성식 (3) 으로 나타내어지는 하나 이상의 오르가노히드로겐폴리실록산:
R5 mHpSiO(4-m-p)/2 (3)
[식 중,
R5 는 메틸, 에틸, n-프로필 및 하기 화학식 (1) 로 나타내어지는 임의의 기로부터 선택되는 동일 또는 상이한 기를 나타내고:
Figure pct00003
(식 중, q 는 0 내지 5 의 정수이고, R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 메틸 또는 에틸 기임);
m 은 1 ≤ m < 2 를 만족시키는 양의 수이고;
p 는 0.001 < p < 1 을 만족시키는 양의 수이고;
단 1 분자 당 2 개 이상의 Si-H 기가 포함됨];
(C) 촉매량의 첨가 반응 촉매;
여기서, 상기 성분 (A) 의 비닐 및 알릴기의 합에 대한 성분 (B) 의 규소 원자에 직접 결합된 수소 원자의 몰비는 0.5 내지 10 임.
본 발명에 따른 경화성 조성물은 양호한 내열성 및 UV 저항성 및 특히 양호한 장벽 특성을 갖는 투명한 생성물로 경화된다. 성분 (A) 의 오르가노폴리실록산의 비닐 및/또는 알릴 기 및 성분 (B) 의 오르가노히드로겐폴리실록산의 Si-H 기는 유리하게는 본 발명에 따른 실리콘 조성물의 부가 경화를 위한 관능기를 제공한다.
성분 (A) 의 실리콘 수지는 실질적으로 상기 나타낸 평균 조성식 (2) 로 나타내어지는 분지형 또는 3차원 네트워크 구조의 액체 또는 고체 오르가노폴리실록산이다. 바람직하게는, R4 는 메틸, 비닐 및 화학식 (1) 로 나타내어지는 임의의 기로부터 선택되는 동일 또는 상이한 유기기를 나타내고, 1 분자 당 2 개 이상의 R4 는 비닐기이다.
화학식 (1) 로 나타내어지는 기에 관하여, R1, R2 및 R3 은 바람직하게는 메틸기이다. 또한, q 는 바람직하게는 0 내지 2 의 정수이다. 더 바람직하게는, R1, R2 및 R3 은 메틸기이고, q 는 0 내지 2 의 정수이다. 가장 바람직하게는, 화학식 (1) 로 나타내어지는 기는 3,3-디메틸-n-부틸기이다.
따라서, R4 는 더 바람직하게는 메틸, 비닐 및 화학식 (1) (식 중, R1, R2 및 R3 은 메틸기이고/이거나 q 는 0 내지 2 의 정수이고; R4 중 10 mol% 이상은 화학식 (1) 로 나타내어지는 동일 또는 상이한 기이고; 1 분자 당 2 개 이상의 R4 는 비닐기임) 로 나타내어지는 임의의 기로부터 선택되는 동일 또는 상이한 유기 기를 나타낸다. 가장 바람직하게는 R4 는 메틸, 비닐 및 3,3-디메틸-n-부틸기로부터 선택되는 동일 또는 상이한 유기기를 나타내고; R4 중 10 mol% 이상은 3,3-디메틸-n-부틸기이고; 오르가노폴리실록산의 분자 당 2 개 이상의 R4 는 비닐기이다.
화학식 (1) 로 나타내어지는 기의 함량은 장벽 특성에 관하여 본 발명에 따른 조성물의 중요한 특징인 것으로 증명되었다. 따라서, R4 중 바람직하게는 15 mol% 이상, 더 바람직하게는 20 mol% 이상, 가장 바람직하게는 25 mol% 이상은 화학식 (1) 로 나타내어지는 동일 또는 상이한 기이다.
본 발명에 따른 경화성 조성물의 성분 (B) 는 오르가노히드로겐폴리실록산인데, 이는 실질적으로 비닐 및/또는 알릴 함유 실리콘 수지 (A) 와 히드로실릴화 반응되어 가교제로서 역할한다. 성분 (B) 는 이의 분자에 2 개 이상, 바람직하게는 3 개 이상의 Si-H 결합을 갖는 오르가노히드로겐폴리실록산이고, 상기 나타낸 평균 조성식 (3) 으로 나타내어진다. "오르가노히드로겐폴리실록산" 은 화학식 (3) 에 따른 4 개 이상의 단위를 포함하는 것으로 이해된다.
조성식 (3) 에 따른 오르가노히드로겐폴리실록산 내의 화학식 (1) 로 나타내어지는 기에 관하여, 동일한 바람직한 사항이 조성식 (2) 에 적용된다. 따라서, R1, R2 및 R3 은 바람직하게는 메틸기이다. 또한, q 는 바람직하게는 0 내지 2 의 정수이다. 더 바람직하게는 R1, R2 및 R3 은 메틸기이고, q 는 0 내지 2 의 정수이다. 가장 바람직하게는, 화학식 (1) 로 나타내어지는 기는 3,3-디메틸-n-부틸기이다.
바람직하게는, R5 중 5 mol% 이상은 에틸, n-프로필 및 화학식 (1) 로 나타내어지는 임의의 기로부터 선택된다. 더 바람직하게는, R5 중 5 mol% 이상은 에틸, n-프로필 및 화학식 (1) (식 중, q 는 0 내지 2 의 정수이고, R1, R2 및 R3 은 메틸기이고, 1 < m+p < 2.4 임) 로 나타내어지는 임의의 기로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, R5 중 5 mol% 이상은 에틸, n-프로필 및 3,3-디메틸-n-부틸기로부터 선택되고, 1 < m+p < 2.4 이다.
또한, 화학식 (1) 로 나타내어지는 기는, 바람직하게는 조성식 (3) 에 따른 오르가노히드로겐폴리실록산의 규소 원자의 모든 치환기 중 5 내지 50 mol%, 더 바람직하게는 8 내지 40 mol%, 가장 바람직하게는 10 내지 30 mol% 를 나타낸다. 이는 화학식 (1) 로 나타내어지는 기가 조성식 (3) 으로 나타내어진 오르가노히드로겐폴리실록산의 R5 기 및 수소 원자의 합 중 5 내지 50 mol%, 더 바람직하게는 8 내지 40 mol%, 가장 바람직하게는 10 내지 30 mol% 를 나타낸다. 이러한 상기 언급된 기의 양은 본 발명에 따른 경화성 조성물의 장벽 특성을 최적화하는 것으로 증명되었다.
오르가노히드로겐폴리실록산 (B) 의 전형적 예는 하기이다:
1,3,5,7-테트라메틸-1'-(3,3-디메틸부틸)-시클로테트라실록산,
1,3,5,7-테트라메틸-1',3'-디(3,3-디메틸부틸)-시클로테트라실록산,
1,3,5,7-테트라메틸-1',5'-디(3,3-디메틸부틸)-시클로테트라실록산,
모든 말단 트리메틸실록시-캡핑된 메틸(3,3-디메틸부틸)실록산-디메틸실록산- 메틸히드로겐실록산 공중합체,
모든 말단 트리메틸실록시-캡핑된 메틸(3,3-디메틸부틸)실록산-메틸히드로겐실록산 공중합체,
모든 말단 디메틸(3,3-디메틸부틸)실록시-캡핑된 메틸(3,3-디메틸부틸)실록산 -디메틸실록산-메틸히드로겐실록산 공중합체,
모든 말단 디메틸(3,3-디메틸부틸)실록시-캡핑된 메틸(3,3-디메틸부틸)실록산-메틸히드로겐실록산 공중합체,
모든 말단 디메틸히드로겐실록시-캡핑된 메틸(3,3-디메틸부틸)실록산-디메틸실록산-메틸히드로겐실록산 공중합체,
모든 말단 디메틸히드로겐실록시-캡핑된 메틸(3,3-디메틸부틸)실록산-메틸히드로겐실록산 공중합체,
(CH3)2HSiO1 /2 단위 및 (3,3-디메틸부틸)SiO3 /2 단위로 이루어지는 공중합체,
(CH3)2HSiO1 /2 단위 및 (2,2-디메틸프로필)SiO3 /2 단위로 이루어지는 공중합체,
(CH3)2HSiO1 /2 단위 및 (tert-부틸)SiO3 /2 단위로 이루어지는 공중합체,
(CH3)2HSiO1 /2 단위, (3,3-디메틸부틸)SiO3 /2 단위 및 SiO4 /2 단위로 이루어지는 공중합체,
(CH3)2HSiO1 /2 단위, (2,2-디메틸프로필)SiO3 /2 단위 및 SiO4 /2 단위로 이루어지는 공중합체,
(CH3)2HSiO1 /2 단위, (tert-부틸)SiO3 /2 단위 및 SiO4 /2 단위로 이루어지는 공중합체.
이러한 예에서, "3,3-디메틸프로필" 및 "3,3-디메틸부틸" 은 각각 3,3-디메틸-n-프로필 및 3,3-디메틸-n-부틸인 것으로 이해된다.
성분 (A) 및 성분 (B) 의 양은 바람직하게는 성분 (A) 의 오르가노폴리실록산에서 규소-결합된 비닐 및 알릴 기의 합에 대한 성분 (B) 의 규소-결합된 수소 원자 (즉, SiH 기) 의 몰비가 0.5 내지 10, 더 바람직하게는 0.8 내지 4, 가장 바람직하게는 1 내지 3 의 범위인 양이다.
성분 (C) 는 성분 (A) 의 비닐 및/또는 알릴 기와 성분 (B) 의 Si-H 기 사이의 히드로실릴화 첨가 반응을 촉진시키기 위한 첨가 반응 촉매이다. 전형적 첨가 반응 촉매는 백금 촉매 예컨대 염화백금산과 1가 알코올의 반응 생성물, 염화백금산과 올레핀의 착물, 및 백금 비스아세토아세테이트를 포함하는 백금족 금속 촉매, 팔라듐 촉매 및 로듐 촉매이다. 첨가 반응 촉매는 조합된 성분 (A) 및 (B) 의 중량을 기준으로, 바람직하게는 촉매량, 더 바람직하게는 약 1 내지 100 ppm, 특히 약 2 내지 20 ppm 양 정도의 금속, 특히 백금족 금속으로 사용된다. 용어 "금속" 또는 "백금족 금속" 각각은, 심지어 본 발명의 경화성 조성물에서 금속이 착물 화합물로서 존재하는 경우에도, 오로지 금속 자체의 함량을 나타낸다.
상기 기재된 성분 (A) 내지 (C) 이외에, 본 발명에 따른 조성물은 본 발명의 목적이 위태로워지지 않는 한 임의의 성분을 추가로 포함할 수 있다. 가능한 임의의 성분은 경화 시간을 조절하고 가용 시간을 제공하기 위한 첨가 반응 저해제, 및 접착 촉진제, 예를 들어 3,4-에폭시시클로헥실에틸 트리메톡시실란을 포함하여, 조성물의 접착 특성을 개선한다.
투명성이 위태로워지지 않는 한, 조성물의 강도를 향상시키기 위한 무기 충전제 예컨대 발연 실리카가 배합될 수 있다. 원한다면, 인광체 및 항분해제가 또한 배합될 수 있다.
경화 조건은 전형적으로 50 내지 200 ℃, 특히 70 내지 160 ℃ 에서 1 내지 60 분, 특히 2 내지 30 분 동안 가열되는 것을 포함한다. 또한, 후속-경화가 50 내지 200 ℃, 특히 70 내지 160 ℃ 에서 0.1 내지 10 시간, 특히 1 내지 4 시간 동안 수행될 수 있다.
본 발명의 추가 주제는 캡슐화, 밀봉, 보호, 결합 및/또는 렌즈 형성 재료에서 본 발명에 따른 오르가노폴리실록산의 용도이다. 본 발명의 오르가노폴리실록산은 습기 및 기체에 대해 향상된 장벽 특성을 제공할 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 오르가노폴리실록산은 유리하게는 반도체 소자, 특히 발광 소자 (LED) 의 캡슐화를 위한 캡슐화 재료에서 사용된다.
본 발명의 추가 주제는 반도체 소자에서 캡슐화, 보호, 결합 및/또는 렌즈 형성 재료로서의 본 발명에 따른 경화성 조성물의 용도이다.
실시예
하기 실시예에서, 중량 평균 분자량 값은 겔 투과 크로마토그래피 (GPC) 를 사용하여 측정된 폴리스티렌-등가 값이다. 비닐 함량은 중국 화학 산업 표준 (Chinese Chemical Industry Standard) HG/T 3312-2000 에 의해 적정하였다. 히드로겐 함량은 하기 문헌에 의해 적정하였다 (Feng S. Y.; Zhang, J.; Li, M. J.; Zhu, Q. Z.; Organosilicon Polymer and Application Thereof, P400-401; Chemical Industry Press). 경도는 LX-A 쇼어 경도계에 의해 측정하였다. 투과율은 Evolution 600 UV-Vis 분광계에 의해 측정하였다. 투과성은 50 ℃/100 % RH 에서 Mocon Permatran-W® model 3/33 에 의해 측정하였다.
DMB 는 3,3-디메틸-n-부틸기를 나타내고, Me 는 메틸기를 나타내고, Vi 는 비닐기를 나타내고, TMS 는 트리메톡시실릴기를 나타낸다.
원료 물질: XS-60056-HSR (오르가노히드로겐폴리실록산) 을 Henkel China Co. Ltd 에 의해 출원된 특허 출원 PCT/CN2010/078329 에 따라 제조하였고; 3,3-디메틸부틸트리메톡시실란 (DMBTMS) 을 합성예 1 에 기재된 방법에 의해 실험실에서 제조하였고; 3,3-디메틸부틸트리에톡시실란 (DMBTES) 을 Gelest, Inc. 로부터 입수하였고; 비닐 트리메톡시실란 (VTMS), 디메틸디메톡시실란 (MDMS), 헥사메틸디실라잔 (HMDZ), 아세트산 (HAc) 및 기타 시약은 Sinopharm Chemical Reagent Co., Ltd 로부터 입수하였다.
합성예 1
2,2-디메틸부틸렌 (16.8 g), 트리메톡시실란 (30.0 g) 및 트리스-(트리페닐포스핀) 루테늄 (II) 디클로라이드 (50 mg) 을 THF (80 g) 에 용해시킨 후, 7 시간 동안 70 ℃ 에서 교반하였다. 이후, 회전 증발에 의해 낮은 비등 성분을 제거하였고, DMBTMS 를 감압 하에 증류 제거하였다. 무색 투명 액체 (28 g) 를 수득하였다. 1H NMR: CH 3O- (s, 3.534-3.608 ppm), -CH 2CH2Si (t, 1.268-1.345 ppm), CH 3- (s, 0.931-0.982 ppm), -CH2CH 2Si (t, 0.458-0.587 ppm).
합성예 2
DMBTMS (69.90 g), VTMS (16.78 g), MDMS (13.63 g), 톨루엔 (224 ml) 및 HCl 수성 (84 ml, 1 mol/l) 을 칭량하고, 둥근 바닥 플라스크에 충전하였다. 이후 이를 교반하고 5 시간 동안 110 ℃ 에서 환류하고, 혼합물을 분리 깔대기에 옮겼다. 톨루엔 상을 중성일 때까지 증류수로 세척한 후, MgSO4 로 건조시켰다. 용액을 플라스크에 옮기고, 실온에서 교반하였다. 이후 HMDZ (78.01 g) 및 HAc (7.80 g) 을 순서대로 첨가하였다. 이후 용액을 50 ℃ 로 가열하고, 5 시간 동안 교반한 후, 중성일 때까지 증류수로 세척하고, MgSO4 로 건조시켰다. 이후, 용매를 회전 증발에 의해 제거하고, 높은 점성 액체를 수득하였다: 1700 의 평균 분자량, 1.1 mmol/g 의 비닐 함량.
합성예 3
DMBTES (49.95 g), VTMS (7.48 g), 톨루엔 (127 ml) 및 HCl 수성 (40 ml, 1 mol/l) 을 칭량하고, 둥근 바닥 플라스크에 충전하였다. 이후 이를 교반하고, 5 시간 동안 110 ℃ 에서 환류하고, 혼합물을 분리 깔대기에 옮겼다. 톨루엔 상을 중성일 때까지 증류수로 세척한 후, MgSO4 로 건조시켰다. 용액을 약 100 ml 로 농축시킨 후, HMDZ (5.25 g) 및 HAc (0.54 g) 를 순서대로 첨가하였다. 이후 용액을 50 ℃ 로 가열하고, 5 시간 동안 교반한 후, 중성일 때까지 증류수로 세척하고, MgSO4 로 건조시켰다. 이후 용매를 회전 증발에 의해 제거하고, 높은 점성 액체를 수득하였다: 1680 의 평균 분자량, 1.4 mmol/g 의 비닐 함량.
합성예 4
XS-60056-HSR (25.77 g), 3,3-디메틸부틸렌 (12.77 g), 톨루엔 (25.77 ml) 및 Pt@Al2O3 (0.29 g, 0.5% Pt) 을 칭량하고, 스테인레스 스틸 자켓 내의 Teflon 컬럼에 충전하였다. 혼합물을 1.5 시간 동안 90 ℃ 에서 교반한 후, 여과하여, Pt@Al2O3 입자를 제거하였다. 이후 용액을 회전 증발에 의해 정제하여, 매우 점성인 액체를 얻었다: 3.3 mmol/g 의 규소-수소 함량.
합성예 5
DMBTES (12.48 g), 디메틸클로로실란 (5.33 g) 및 톨루엔 (20 ml) 을 칭량하고, 둥근 바닥 플라스크에 충전하였다. 증류수 (10.8 g) 을 실온에서 첨가하였다. 이후 혼합물을 100 ℃ 로 가열하고, 2 시간 동안 교반하였다. 분리 깔대기에 옮긴 후, 물 상을 제거하고, 톨루엔 상을 중성일 때까지 증류수로 세척한 후, MgSO4 로 건조시켰다. 용매 제거 후에 무색 액체를 수득하였다: 4.4 mmol/g 의 규소-히드로겐 함량.
적용예 1 (본 발명에 따름)
합성예 2 의 생성물 3.70 g, 합성예 4 의 생성물 1.63 g 및 Pt 촉매 1 액적을 함께 혼합한 후, 2 시간 동안 150 ℃ 에서 가열하였다.
적용예 2 (본 발명에 따름)
합성예 3 의 생성물 2.40 g, 합성예 5 의 생성물 0.98 g 및 Pt 촉매 1 액적을 함께 혼합한 후, 1 시간 동안 120 ℃ 에서 가열하고, 1 시간 동안 150 ℃ 에서 가열하였다.
비교예 1
Dow corning high RI 물질 OE6631, A 및 B 성분을 A : B = 1 : 2 의 비율로 혼합하고, 1 시간 동안 70 ℃ 에서 가열하고, 1 시간 동안 120 ℃ 에서 가열하고, 1 시간 동안 150 ℃ 에서 가열하였다.
비교예 2
3.01g 의 XS-60056-HSR 및 1.02 g 의 D4 vi 및 Pt 촉매 1 액적을 함께 혼합한 후, 2 시간 동안 150 ℃ 에서 가열하였다.
Figure pct00004
하기와 같이 모델 공정으로서 추가 연구를 수행하였다:
1) R9Si(OCH3)3 (0.1 mol) 및 디메틸디메톡시실란 (0.1 mol) 을 톨루엔 (70 ml) 에 용해시키고, HCl 수성 (0.1 mol/L, 35 ml) 을 첨가한 후, 교반하고, 5 시간 동안 110 ℃ 에서 환류시키고;
2) 상 분리 이후, 톨루엔 상을 중성일 때까지 증류수로 세척하고, MgSO4 로 건조시킨 후, 회전 증발하여 톨루엔을 제거하고;
3) 무색 액체를 수득하고, 이를 오븐에 넣고, 72 시간 동안 150 ℃ 에서 유지하고;
4) 고체를 수득함.
R9 는 각각 3,3-디메틸-n-부틸, n-헥실, 시클로헥실, n-옥틸, n-노닐 및 n-데실이었다. R9 가 3,3-디메틸-n-부틸인 경우, 최종 고체는 무색 투명한 한편, 다른 것은 황색 내지 갈색이었다. 결과적으로, 다른 치환기는 3,3-디메틸-n-부틸보다 불량한 황변 방지 특성을 갖는 것으로 증명되었다.

Claims (14)

  1. 오르가노폴리실록산의 모든 치환기 중 10 mol% 이상이 하기 화학식 (1) 로 나타내어지는, 1 분자 당 가교 반응될 수 있는 치환기를 2 개 이상 포함하는 오르가노폴리실록산:
    Figure pct00005

    [식 중, q 는 0 내지 5 의 정수이고, R1, R2 및 R3 은 각각 독립적으로 메틸 또는 에틸기임].
  2. 제 1 항에 있어서, 모든 치환기 중 15 mol% 이상이 화학식 (1) 로 나타내어지는 오르가노폴리실록산.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 모든 치환기 중 20 mol% 이상이 화학식 (1) 로 나타내어지는 오르가노폴리실록산.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, q 가 0 내지 2 의 정수인 오르가노폴리실록산.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, R1, R2 및 R3 이 메틸기인 오르가노폴리실록산.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, q 가 0 내지 2 의 정수이고, R1, R2 및 R3 이 메틸기인 오르가노폴리실록산.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 (1) 이 3,3-디메틸-n-부틸기를 나타내는 오르가노폴리실록산.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 1 분자 당 알케닐기 및 수소 원자로부터 선택된 치환기를 2 개 이상 포함하는 오르가노폴리실록산.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 1 분자 당 비닐기를 2 개 이상 포함하는 오르가노폴리실록산.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 1 분자 당 비닐기를 2 개 이상 포함하고, 오르가노폴리실록산의 모든 치환기 중 10 mol% 이상이 3,3-디메틸-n-부틸기인 오르가노폴리실록산.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 오르가노폴리실록산을 포함하는 경화성 조성물.
  12. 제 11 항에 있어서, 하기를 포함하는 경화성 조성물:
    (A) 하기 평균 조성식 (2) 로 나타내어지는 하나 이상의 오르가노폴리실록산:
    R4 nSiO(4-n)/2 (2)
    [식 중, R4 는 메틸, 에틸, n-프로필, 비닐, 알릴 및 하기 화학식 (1) 로 나타내어지는 임의의 기로부터 선택되는 동일 또는 상이한 유기 기를 나타내고:
    Figure pct00006

    (식 중, q 는 0 내지 5 의 정수이고, R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 메틸 또는 에틸기임);
    R4 중 10 mol% 이상은 화학식 (1) 로 나타내어지는 동일 또는 상이한 기이고;
    1 분자 당 2 개 이상의 R4 는 각각 독립적으로 비닐 또는 알릴이고;
    n 은 1 ≤ n < 2 를 만족시키는 양의 수임];
    (B) 하기 평균 조성식 (3) 으로 나타내어지는 하나 이상의 오르가노히드로겐폴리실록산:
    R5 mHpSiO(4-m-p)/2 (3)
    [식 중,
    R5 는 메틸, 에틸, n-프로필 및 하기 화학식 (1) 로 나타내어지는 임의의 기로부터 선택되는 동일 또는 상이한 기를 나타내고:
    Figure pct00007

    (식 중, q 는 0 내지 5 의 정수이고, R1, R2, R3 은 각각 독립적으로 메틸 또는 에틸 기임);
    m 은 1 ≤ m < 2 를 만족시키는 양의 수이고;
    p 는 0.001 < p < 1 을 만족시키는 양의 수이고;
    단 1 분자 당 2 개 이상의 Si-H 기가 포함됨];
    (C) 촉매량의 첨가 반응 촉매;
    여기서, 성분 (A) 의 비닐 및 알릴기의 합에 대한 성분 (B) 의 규소 원자에 직접 결합된 수소 원자의 몰비는 0.5 내지 10 임.
  13. 캡슐화, 밀봉, 보호, 결합 및/또는 렌즈 형성 재료에서 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 오르가노폴리실록산의 용도.
  14. 반도체 소자에서 캡슐화, 보호, 결합 및/또는 렌즈 형성 재료로서의 제 11 항 또는 제 12 항에 따른 경화성 조성물의 용도.
KR1020137029743A 2011-05-11 2011-05-11 개선된 장벽 특성을 갖는 실리콘 수지 KR20140035368A (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2011/073921 WO2012151747A1 (en) 2011-05-11 2011-05-11 Silicone resin with improved barrier properties

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140035368A true KR20140035368A (ko) 2014-03-21

Family

ID=47138654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137029743A KR20140035368A (ko) 2011-05-11 2011-05-11 개선된 장벽 특성을 갖는 실리콘 수지

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8759468B2 (ko)
EP (1) EP2707417A4 (ko)
JP (1) JP5889399B2 (ko)
KR (1) KR20140035368A (ko)
CN (1) CN103534296A (ko)
TW (1) TWI542612B (ko)
WO (1) WO2012151747A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180100561A (ko) * 2016-01-08 2018-09-11 주식회사 다이셀 경화성 실리콘 수지 조성물 및 그의 경화물, 및 광 반도체 장치
GB2563542A (en) 2016-02-25 2018-12-19 Cintas Corp Services Inc Emblem adhesive removal asssembly and associated methods

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4300809A1 (de) * 1993-01-14 1994-07-21 Wacker Chemie Gmbh Alkenylgruppen aufweisende Siloxancopolymere, deren Herstellung und Verwendung
US5670686A (en) * 1996-08-13 1997-09-23 Dow Corning Corporation Alkyl substituted siloxanes and alkyl substituted polyether fluids
DE19701393A1 (de) * 1997-01-16 1998-07-23 Wacker Chemie Gmbh Polymere Organosiliciumverbindungen, deren Herstellung und Verwendung
US5973095A (en) * 1997-04-21 1999-10-26 Alliedsignal, Inc. Synthesis of hydrogensilsesquioxane and organohydridosiloxane resins
US6218497B1 (en) * 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
JP4603635B2 (ja) * 1998-05-12 2010-12-22 東レ・ダウコーニング株式会社 ジハロシランからオルガノシロキサンを製造する方法
US6169155B1 (en) * 1999-01-14 2001-01-02 Dow Corning Corporation Silicone gel composition and silicone gel produced therefrom
GB0108274D0 (en) * 2001-04-03 2001-05-23 Dow Corning preparation of silicone resins
US6872456B2 (en) * 2001-07-26 2005-03-29 Dow Corning Corporation Siloxane resins
JP2004186168A (ja) 2002-11-29 2004-07-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード素子用シリコーン樹脂組成物
TW200427111A (en) * 2003-03-12 2004-12-01 Shinetsu Chemical Co Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device
JP2004359756A (ja) 2003-06-03 2004-12-24 Wacker Asahikasei Silicone Co Ltd Led用封止剤組成物
JP4676735B2 (ja) 2004-09-22 2011-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
US8007754B2 (en) * 2005-02-04 2011-08-30 Mineral And Coal Technologies, Inc. Separation of diamond from gangue minerals
JP4648146B2 (ja) 2005-09-26 2011-03-09 信越化学工業株式会社 耐クラック性に優れた付加硬化型シリコーン組成物
TWI428396B (zh) 2006-06-14 2014-03-01 Shinetsu Chemical Co 填充磷光體之可固化聚矽氧樹脂組成物及其固化產物
JP5202822B2 (ja) 2006-06-23 2013-06-05 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP5148088B2 (ja) 2006-08-25 2013-02-20 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2013541623A (ja) 2010-11-02 2013-11-14 ヘンケル・チャイナ・カンパニー・リミテッド ヒドロシリコーン樹脂およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20130197181A1 (en) 2013-08-01
TW201245286A (en) 2012-11-16
EP2707417A4 (en) 2015-01-07
US8759468B2 (en) 2014-06-24
JP5889399B2 (ja) 2016-03-22
WO2012151747A1 (en) 2012-11-15
TWI542612B (zh) 2016-07-21
JP2014519533A (ja) 2014-08-14
EP2707417A1 (en) 2014-03-19
CN103534296A (zh) 2014-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101223545B1 (ko) 규소함유 경화성 조성물 및 그 경화물
JP4862032B2 (ja) 高屈折率を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物からなる光学素子封止材
KR101868167B1 (ko) 경화성 오르가노폴리실록산 조성물, 광학 소자 밀봉재 및 광학 소자
JP5545862B2 (ja) イソシアヌル環含有末端ビニルポリシロキサン
EP2289979B1 (en) Organopolysilmethylene and a composition comprising the same
CN113544195B (zh) 具有聚(甲基)丙烯酸酯基团的聚有机硅氧烷及其制备方法和用途
KR20040047716A (ko) 발광 다이오드 소자용 실리콘 수지 조성물
US20140187733A1 (en) Organopolysiloxane, And Method For Producing Same
KR20120099282A (ko) 오르가노실리콘 화합물, 이의 생성 방법, 및 이를 함유하는 경화성 실리콘 조성물
WO2014019188A1 (en) Polycarbosilane and curable compositions for led encapsulants comprising same
KR101474283B1 (ko) 수소 올리고실록산 수지 및 이의 제조 방법
KR101909914B1 (ko) 경화성 조성물, 반도체 장치, 및 에스테르결합함유 유기규소 화합물
EP3808799A1 (en) Manufacturing method for cured silicone product, cured silicone product, and optical member
KR20170129248A (ko) 유기폴리실록산, 이의 제조 방법, 및 경화성 실리콘 조성물
US8759468B2 (en) Silicone resin with improved barrier properties
KR0152309B1 (ko) 염기성촉매를 사용하는 Si-결합수소함유 오르가노폴리실록산의 제조방법
KR20110008053A (ko) 규소-함유 중합체, 이의 제조 방법, 및 경화성 중합체 조성물
JP3779187B2 (ja) ヒドロキシルカルビル基含有ポリオルガノシロキサンの製造方法
JP6493268B2 (ja) 主鎖にアリーレン基を有するオルガノポリシロキサンの製造方法
KR20150084940A (ko) 광-이량체화 작용기-함유 유기폴리실록산, 활성화 에너지 방사선-경화가능한 유기폴리실록산 조성물, 및 그의 경화된 생성물
CN111936556B (zh) 可交联的有机硅氧烷组合物
JP7203196B2 (ja) 架橋性オルガノシロキサン組成物
KR20230130714A (ko) 실록산-작용화된 실리카
KR101472188B1 (ko) 실리콘 조성물
CN112262181A (zh) 阻燃性聚有机硅氧烷组合物、阻燃性固化物及光学用部件

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal