JP2011256241A - 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びそれを用いた半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011256241A JP2011256241A JP2010130237A JP2010130237A JP2011256241A JP 2011256241 A JP2011256241 A JP 2011256241A JP 2010130237 A JP2010130237 A JP 2010130237A JP 2010130237 A JP2010130237 A JP 2010130237A JP 2011256241 A JP2011256241 A JP 2011256241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- component
- bonded
- mol
- curable organopolysiloxane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくとも、(A)次式で表されるオルガノポリシロキサン、(RSiO3/2)a(R2SiO2/2)b(R3SiO1/2)c(XO1/2)d、(B)一分子中に、少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を有し、ケイ素原子に結合した全置換基の少なくとも10モル%以上がアリール基である直鎖状のオルガノポリシロキサン:(A)成分に対して5/95〜95/5の量比、(C)水素に結合したケイ素を含む有機ケイ素化合物:(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して1〜200質量部、(D)ヒドロシリル化反応用触媒、からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
【選択図】なし
Description
(A)下記平均単位式(1)で表されるオルガノポリシロキサン、
(RSiO3/2)a(R2SiO2/2)b(R3SiO1/2)c(XO1/2)d (1)
{式中、Rは同一又は異なっていても良い、置換又は非置換の一価炭化水素基(但し、Rの0.1〜50モル%はアルケニル基であり、Rの10モル%以上はアリール基である)であり、Xは水素原子又はアルキル基である。aは正数、bは0又は正数、cは0又は正数、dは0又は正数であり、(b+c+d)/aは0〜3である。}
(B)一分子中に、少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を有し、ケイ素原子に結合した全置換基の少なくとも10モル%以上がアリール基である直鎖状のオルガノポリシロキサン:(A)成分に対して、質量比で5/95〜95/5となる量、
(C)下記一般式(2)又は下記一般式(3)で表される有機ケイ素化合物:(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して1〜200質量部となる量、
及び
(D)ヒドロシリル化反応用触媒:触媒量、
からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物を提供する。
上述のように、従来の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、粘度が高く充填性に乏しい、硬化物の密着性が乏しく基材から剥離し易い、シロキサン結合の割合が多いことによりガス透過性が高くなり基板を腐食し易い、耐クラック性に劣るといった問題を有していた。
(A)下記平均単位式(1)で表されるオルガノポリシロキサン、
(RSiO3/2)a(R2SiO2/2)b(R3SiO1/2)c(XO1/2)d (1)
{式中、Rは同一又は異なっていても良い、置換又は非置換の一価炭化水素基(但し、Rの0.1〜50モル%はアルケニル基であり、Rの10モル%以上はアリール基である)であり、Xは水素原子又はアルキル基である。aは正数、bは0又は正数、cは0又は正数、dは0又は正数であり、(b+c+d)/aは0〜3である。}
(B)一分子中に、少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を有し、ケイ素原子に結合した全置換基の少なくとも10モル%以上がアリール基である直鎖状のオルガノポリシロキサン:(A)成分に対して、質量比で5/95〜95/5となる量、
(C)下記一般式(2)又は下記一般式(3)で表される有機ケイ素化合物:(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して1〜200質量部となる量、
及び
(D)ヒドロシリル化反応用触媒:触媒量、
からなることを特徴とする。
<(A)成分>
(A)成分は、下記平均単位式(1)で表されるオルガノポリシロキサンである。
(RSiO3/2)a(R2SiO2/2)b(R3SiO1/2)c(XO1/2)d (1)
{式中、Rは同一又は異なっていても良い、置換又は非置換の一価炭化水素基(但し、Rの0.1〜50モル%はアルケニル基であり、Rの10モル%以上はアリール基である)であり、Xは水素原子又はアルキル基である。aは正数、bは0又は正数、cは0又は正数、dは0又は正数であり、(b+c+d)/aは0〜3である。}
また、上記平均単位式(1)中、Xは水素原子又はアルキル基であり、このアルキル基としては、前記と同様の基が例示され、特に、メチル基、エチル基であることが好ましい。
(B)成分は、本組成物を硬化して得られる硬化物に可とう性を付与するための成分であり、一分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基と、少なくともケイ素原子に結合した全置換基(但し、シロキサン結合を形成する酸素原子は除く)10モル%以上、好ましくは10〜99.9モル%、より好ましくは20〜60モル%のケイ素原子結合アリール基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンである。(B)成分中のアルケニル基としては、(A)成分のRで例示したものと同様の基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。また、(B)成分中のアリール基としては、(A)成分のRで例示したものと同様の基が例示され、特に、フェニル基であることが好ましい。アルケニル基、アリール基以外の置換基としては(A)成分のRで例示したものと同様の基が例示され、特に、メチル基が好ましい。
ケイ素原子結合アリール基の含有量が10モル%未満であると屈折率、透明性が不十分となる。
(C)成分は本組成物の硬化剤であり、下記一般式(2)又は下記一般式(3)で表されるケイ素原子結合水素原子で封鎖された有機ケイ素化合物である。
上記一般式(2)及び(3)中のR2としては、前記アリール基、前記アルキル基、前記アラルキル基、前記ハロゲン化アルキル基等のアルケニル基を除く置換又は非置換の一価有機基が例示され、特に、メチル基、フェニル基であることが好ましい。
また、取り扱いが容易であることから、(C)成分として上記一般式(3)で表されるものが、より好ましく用いられる。
(D)成分のヒドロシリル化反応用触媒は、(A)成分及び(B)成分中のアルケニル基と、(C)成分中のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を促進するための触媒である。このような(D)成分としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示され、本組成物の硬化を著しく促進できることから白金系触媒であることが好ましい。この白金系触媒としては、白金微粉末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体が例示され、特に、白金−アルケニルシロキサン錯体であることが好ましい。このアルケニルシロキサンとしては、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのメチル基の一部をエチル基、フェニル基等の基で置換したアルケニルシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのビニル基をアリル基、ヘキセニル基等の基で置換したアルケニルシロキサンが例示される。特に、この白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性が良好であることから、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサンであることが好ましい。
本組成物には、その他任意の成分として、2−メチル−3−ブチン−2−オール、3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−オール、2−フェニル−3−ブチン−2−オール等のアルキンアルコール;3−メチル−3−ペンテン−1−イン、3,5−ジメチル−3−ヘキセン−1−イン等のエンイン化合物;1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサン、1,3,5,7−テトラメチル−1,3,5,7−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等の反応抑制剤を含有しても良い。この反応抑制剤の含有量は限定されないが、(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して0.0001〜5質量部の範囲内であることが好ましい。
また、本組成物には、本発明の目的を損なわない限り、その他任意の成分として、シリカ、ガラス、アルミナ、酸化亜鉛等の無機質充填剤;ポリメタクリレート樹脂等の有機樹脂微粉末;耐熱剤、染料、顔料、難燃性付与剤、溶剤等を含有しても良い。
このように、硬化した際に、例えばショアーDで30以上の硬化物を形成するものとすれば、半導体装置に用いた場合にも、外部応力の影響を受け難く、ゴミ等が極力付着し難くなる。
以下、図面を参照に、本発明の半導体装置について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図1は、本発明の半導体装置の一例(この場合LED)を示す概略断面図である。
本発明の半導体装置1は、銀メッキ基板2が形成されたパッケージ3上に、半導体チップ4がダイボンドされており、この半導体チップ4は、ボンディングワイヤ5によりワイヤボンディングされている。
半導体チップ4の被覆は、上述した本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物6を塗布し、加熱により硬化性オルガノポリシロキサン組成物6を硬化させることにより行われる。
尚、実施例中の粘度は25℃において測定した値である。また、硬化性オルガノポリシロキサン組成物、及びその硬化物の特性は次のようにして測定した。
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を150℃の熱風循環式オーブンで3時間加熱することにより硬化させて得られた厚み1mmの硬化物を、酸素ガス透過装置を用いて測定を行った。
銀メッキ基板が形成されたパッケージ内に硬化性オルガノポリシロキサン組成物を流し込み、150℃の熱風循環式オーブンで3時間加熱することにより硬化させて得られた硬化物で覆われたパッケージ(図1)を、イオウ粉末が入っているガラス瓶内部に入れ密閉し時間と共に銀メッキが腐食されていくか目視にて確認を行い、24時間経過後に試験前と比較し変化のなかった基板を○とし、若干の変化が見られた基板は△、黒く変化した基板は×とした。
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を150℃の熱風循環式オーブンで3時間加熱することにより硬化物を作製した。この硬化物の硬さを、ショアーD硬度計を使用して測定した。
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を150℃の熱風循環式オーブンで3時間加熱することにより硬化して作製した硬化物の25℃における屈折率を、アッベ式屈折率計を用いて測定した。尚、測定に用いた光源として、可視光(589nm)を用いた。
硬化性オルガノポリシロキサン組成物を150℃の熱風循環式オーブンで3時間加熱することにより硬化して作製した硬化物(光路長2.0mm)の25℃における400nmの波長の光透過率を測定した。
上記[硬化物の光透過率]で得られた結果を100とし、この硬化物を150℃の熱風循環式オーブンで500時間加熱後、硬化物を取り出し光透過率が100と比較してどの程度落ちるか測定した。
図1のように作成したパッケージを、{−40℃(30分)、100℃(30分)}を1サイクルとする熱衝撃試験機の中に入れ、100サイクル経過後、パッケージを拡大顕微鏡で観察し、硬化物のクラックがある場合を×、クラックがない場合を○、クラックがあるかどうかが明瞭でない場合を△とした。
平均単位式:
(C6H5SiO3/2)0.75[(CH2=CH)(CH3)SiO]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン{性状=固体状(25℃)、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率=12.5モル%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=75モル%、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量=2400}50質量部、粘度700mPa・sであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジフェニルジメチルポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基の含有量=0.055モル%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=30モル%)25質量部、式:
H(CH3)2SiCH2CH2(C6H5)2SiCH2CH2Si(CH3)2H
で表される分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシルエチニル基封鎖有機ケイ素化合物23質量部、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(本組成物において、本錯体中の白金金属が質量単位で30ppmとなる量)、接着付与剤として下記構造式のSiH含有化合物を1.0質量部均一に混合して、粘度2,700mPa・sである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
平均単位式:
(C6H5SiO3/2)0.8[(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2]0.2
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン{性状=固体状(25℃)、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率=10モル%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=80モル%、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量=1,600}55質量部、粘度700mPa・sであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジフェニルジメチルポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基の含有量=0.055モル%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=30モル%)25質量部、
式:
H(CH3)2SiCH2CH2(CH3)2SiCH2CH2Si(CH3)2H
で表される分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシルエチニル基封鎖有機ケイ素化合物15質量部、接着付与剤として、
粘度3,500mPa・sであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基の含有量=0.20質量%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=49モル%)60質量部、平均単位式:
(C6H5SiO3/2)0.75[(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン{性状=固体状(25℃)、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率=12.5モル%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=75モル%、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量=1,600}40質量部、式:
H(CH3)2SiO[(CH3)2SiO]4Si(CH3)2H
で表されるジメチルポリシロキサン24質量部、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(本組成物において、本錯体中の白金金属が質量単位で30ppmとなる量)を均一に混合して、粘度2,460mPa・sである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
平均単位式:
(C6H5SiO3/2)0.75[(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン{性状=固体状(25℃)、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率=12.5モル%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=75モル%、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量=1,600}55質量部、粘度950mPa・sであり、平均単位式:
(C6H5SiO3/2)0.60[(CH3)2HSiO1/2]0.40
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合全基中のケイ素原子結合水素原子の含有率=22モル%、ケイ素原子結合全基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=33モル%、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量=1,100)12質量部、粘度3,500mPa・sであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基の含有量=0.20質量%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=49モル%)50質量部、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(本組成物において、本錯体中の白金金属が質量単位で2.5ppmとなる量)を均一に混合して、粘度3,500mPa・sである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
平均単位式:
(C6H5SiO3/2)0.75[(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2]0.25
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン{性状=固体状(25℃)、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率=12.5モル%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=75モル%、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量=1,600}45質量部、粘度3,500mPa・sであり、直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基の含有量=0.20質量%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=49モル%)55質量部、式:
H(CH3)2SiO[CH3(C6H5)SiO]4Si(CH3)2H
で表される分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン24質量部、白金の1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(本組成物において、本錯体中の白金金属が質量単位で2.5ppmとなる量)を均一に混合して、粘度1,700mPa・sである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
実施例1の分岐鎖状のオルガノポリシロキサンを平均単位式:
(C6H5SiO3/2)0.05(CH3SiO3/2)0.70[(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2]0.25{性状=固体状(25℃)、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合ビニル基の含有率=12.5モル%、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率=5モル%、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量2,100}とした以外は実施例1と同様にして粘度2,300mPa・sである硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
また、比較例2、3においては、クラックの発生が見られ、クラックの有無が不明瞭であった比較例1も、耐熱性に劣るものであった。
比較例4では、耐熱性は良好であったものの、酸素ガス透過性が高く、イオウによる腐食も若干見られ、硬化物の屈折率、光透過率も他の例に比べやや劣るものであった。
5…ボンディングワイヤ、 6…ポリオルガノシロキサン組成物(硬化剤)。
Claims (3)
- 少なくとも、
(A)下記平均単位式(1)で表されるオルガノポリシロキサン、
(RSiO3/2)a(R2SiO2/2)b(R3SiO1/2)c(XO1/2)d (1)
{式中、Rは同一又は異なっていても良い、置換又は非置換の一価炭化水素基(但し、Rの0.1〜50モル%はアルケニル基であり、Rの10モル%以上はアリール基である)であり、Xは水素原子又はアルキル基である。aは正数、bは0又は正数、cは0又は正数、dは0又は正数であり、(b+c+d)/aは0〜3である。}
(B)一分子中に、少なくとも2個のケイ素原子結合アルケニル基を有し、ケイ素原子に結合した全置換基の少なくとも10モル%以上がアリール基である直鎖状のオルガノポリシロキサン:(A)成分に対して、質量比で5/95〜95/5となる量、
(C)下記一般式(2)又は下記一般式(3)で表される有機ケイ素化合物:(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して1〜200質量部となる量、
及び
(D)ヒドロシリル化反応用触媒:触媒量、
からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 - 請求項1又は請求項2に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により半導体素子が被覆されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010130237A JP5368379B2 (ja) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010130237A JP5368379B2 (ja) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011256241A true JP2011256241A (ja) | 2011-12-22 |
JP5368379B2 JP5368379B2 (ja) | 2013-12-18 |
Family
ID=45472789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010130237A Active JP5368379B2 (ja) | 2010-06-07 | 2010-06-07 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5368379B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103571209A (zh) * | 2012-08-01 | 2014-02-12 | 信越化学工业株式会社 | 加成固化型硅酮组合物、及半导体装置 |
KR20150023496A (ko) * | 2012-06-28 | 2015-03-05 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 코팅제, 전기-전자 기기, 및 전기-전자 기기의 금속부의 보호 방법 |
CN112300576A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-02-02 | 杜邦东丽特殊材料株式会社 | 热熔性固化性有机硅组合物、密封剂、膜以及光半导体元件 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004143361A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
JP2005105217A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
JP2009258385A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光学レンズ用硬化性シリコーン組成物 |
JP2010013503A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Showa Highpolymer Co Ltd | 硬化性樹脂組成物およびオプトデバイス |
-
2010
- 2010-06-07 JP JP2010130237A patent/JP5368379B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004143361A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
JP2005105217A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Dow Corning Toray Silicone Co Ltd | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 |
JP2009258385A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光学レンズ用硬化性シリコーン組成物 |
JP2010013503A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Showa Highpolymer Co Ltd | 硬化性樹脂組成物およびオプトデバイス |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150023496A (ko) * | 2012-06-28 | 2015-03-05 | 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 | 코팅제, 전기-전자 기기, 및 전기-전자 기기의 금속부의 보호 방법 |
KR102145008B1 (ko) * | 2012-06-28 | 2020-08-18 | 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 | 코팅제, 전기-전자 기기, 및 전기-전자 기기의 금속부의 보호 방법 |
CN103571209A (zh) * | 2012-08-01 | 2014-02-12 | 信越化学工业株式会社 | 加成固化型硅酮组合物、及半导体装置 |
CN112300576A (zh) * | 2019-07-30 | 2021-02-02 | 杜邦东丽特殊材料株式会社 | 热熔性固化性有机硅组合物、密封剂、膜以及光半导体元件 |
CN112300576B (zh) * | 2019-07-30 | 2024-05-14 | 杜邦东丽特殊材料株式会社 | 热熔性固化性有机硅组合物、密封剂、膜以及光半导体元件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5368379B2 (ja) | 2013-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5524017B2 (ja) | 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置 | |
JP5667740B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置 | |
KR101499709B1 (ko) | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 반도체 장치 | |
JP5587148B2 (ja) | 自己接着性ポリオルガノシロキサン組成物 | |
JP5769622B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 | |
JP5534977B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置 | |
JP5972512B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置 | |
JP4409160B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 | |
JP5680889B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置 | |
JP5972511B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物 | |
JP2010084118A (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 | |
JP2014031394A (ja) | 付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆された半導体装置 | |
EP3587498A1 (en) | Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device | |
JP5368379B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
TWI801654B (zh) | 加成硬化型聚矽氧組成物及半導體裝置 | |
JP7270574B2 (ja) | 付加硬化型シリコーン組成物、シリコーン硬化物、及び、光学素子 | |
JP6981938B2 (ja) | 付加硬化型シリコーン組成物及び半導体装置 | |
JP2015078375A (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130912 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5368379 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |