JPH06209024A - 樹脂封止型半導体装置の製造法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造法Info
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- JPH06209024A JPH06209024A JP219693A JP219693A JPH06209024A JP H06209024 A JPH06209024 A JP H06209024A JP 219693 A JP219693 A JP 219693A JP 219693 A JP219693 A JP 219693A JP H06209024 A JPH06209024 A JP H06209024A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 トランスファーモールド工程段階でのインサ
ートとの密着力が高く、半田付け時の耐熱性劣化や耐湿
信頼性の低下の少ない樹脂封止型半導体装置の製造法を
提供すること。 【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤、および充填材を含有
する組成物を加熱混練した混練物を冷却粉砕して得た成
形材料に、さらにエージング処理工程を付加するか、あ
るいは再度加熱混練して冷却粉砕してなる成形材料を用
いて半導体素子を封止する。
ートとの密着力が高く、半田付け時の耐熱性劣化や耐湿
信頼性の低下の少ない樹脂封止型半導体装置の製造法を
提供すること。 【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤、および充填材を含有
する組成物を加熱混練した混練物を冷却粉砕して得た成
形材料に、さらにエージング処理工程を付加するか、あ
るいは再度加熱混練して冷却粉砕してなる成形材料を用
いて半導体素子を封止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エポキシ樹脂成形材料
を用いた半導体装置の製造法に関する。
を用いた半導体装置の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子は素子の集
積度の向上と共に、素子サイズの大型化、樹脂封止型半
導体装置の小型化、薄型化が進み、同時に半導体装置の
基板への取付けを行う時に、半導体装置自体が短時間の
うちに２００℃以上の高温に曝されることになる。この
時、樹脂封止材中に含有される水分が気化し、ここで発
生する蒸気圧は樹脂と素子、リードフレーム等のインサ
ートとの界面において、剥離応力として働き、樹脂とイ
ンサートの間で剥離を発生し、特に薄型の樹脂封止型半
導体装置においては、半導体装置のフクレやクラックに
至ってしまうことになる。こうした樹脂封止型半導体装
置においては、剥離やクラックの発生に伴い耐湿信頼性
の低下、あるいは半導体装置のフクレによる基板実装時
の半田付け不良を発生してしまうことになる。
積度の向上と共に、素子サイズの大型化、樹脂封止型半
導体装置の小型化、薄型化が進み、同時に半導体装置の
基板への取付けを行う時に、半導体装置自体が短時間の
うちに２００℃以上の高温に曝されることになる。この
時、樹脂封止材中に含有される水分が気化し、ここで発
生する蒸気圧は樹脂と素子、リードフレーム等のインサ
ートとの界面において、剥離応力として働き、樹脂とイ
ンサートの間で剥離を発生し、特に薄型の樹脂封止型半
導体装置においては、半導体装置のフクレやクラックに
至ってしまうことになる。こうした樹脂封止型半導体装
置においては、剥離やクラックの発生に伴い耐湿信頼性
の低下、あるいは半導体装置のフクレによる基板実装時
の半田付け不良を発生してしまうことになる。
【０００３】従来エポキシ樹脂と硬化剤、充填材及びそ
の他添加剤をドライもしくは一部ウェットで常温または
加熱して混合し、そのブレンド物を一段で加熱混練する
製造方法を用いて製造した半導体封止用エポキシ樹脂成
形材料は、トランスファーモールド工程（例えば成形温
度１８０℃、成形時間９０sec 、成形圧７０kgf/cm2)で
は、インサートとの密着力が低いため、トランスファー
モールド工程でインサートとの剥離が発生しやすく、半
田付け時の耐熱性が劣化したり、耐湿信頼性を低下させ
てしまうという問題がある。
の他添加剤をドライもしくは一部ウェットで常温または
加熱して混合し、そのブレンド物を一段で加熱混練する
製造方法を用いて製造した半導体封止用エポキシ樹脂成
形材料は、トランスファーモールド工程（例えば成形温
度１８０℃、成形時間９０sec 、成形圧７０kgf/cm2)で
は、インサートとの密着力が低いため、トランスファー
モールド工程でインサートとの剥離が発生しやすく、半
田付け時の耐熱性が劣化したり、耐湿信頼性を低下させ
てしまうという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる状況に
鑑みなされたもので、トランスファーモールド工程段階
でのインサートとの密着力が高く、半田付け時の耐熱性
劣化や耐湿信頼性の低下の少ない樹脂封止型半導体装置
の製造法を提供することを目的とする。
鑑みなされたもので、トランスファーモールド工程段階
でのインサートとの密着力が高く、半田付け時の耐熱性
劣化や耐湿信頼性の低下の少ない樹脂封止型半導体装置
の製造法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、エポ
キシ樹脂、硬化剤、および充填材を含有する組成物を加
熱混練した混練物を冷却粉砕して得た成形材料に、さら
にエージング処理工程を付加するか、あるいは再度加熱
混練して冷却粉砕してなる成形材料を用いて半導体素子
を封止することを特長とする半導体装置の製造法に関す
る。ここでエージングとは成形材料を常温〜６０℃で数
時間〜２４時間放置しスパイラルフローがエージング前
より１０〜２０％少なくすることをいう。
キシ樹脂、硬化剤、および充填材を含有する組成物を加
熱混練した混練物を冷却粉砕して得た成形材料に、さら
にエージング処理工程を付加するか、あるいは再度加熱
混練して冷却粉砕してなる成形材料を用いて半導体素子
を封止することを特長とする半導体装置の製造法に関す
る。ここでエージングとは成形材料を常温〜６０℃で数
時間〜２４時間放置しスパイラルフローがエージング前
より１０〜２０％少なくすることをいう。
【０００６】本発明で用いられるエポキシ樹脂として
は、特に制約はないがｏ−クレゾールノボラック型、Ｂ
ｒ化−フェノールノボラック型等の他、下記の一般式
［Ｉ］で示されるようなエポキシ樹脂を用いることがで
きる。
は、特に制約はないがｏ−クレゾールノボラック型、Ｂ
ｒ化−フェノールノボラック型等の他、下記の一般式
［Ｉ］で示されるようなエポキシ樹脂を用いることがで
きる。
【化１】
【０００７】また硬化剤としては通常用いられるフェノ
ールノボラック樹脂の他、下記の一般式［ＩＩ］で示さ
れるようなアラルキル型フェノール樹脂を用いることが
できる。
ールノボラック樹脂の他、下記の一般式［ＩＩ］で示さ
れるようなアラルキル型フェノール樹脂を用いることが
できる。
【化２】 充填剤としては通常の封止材に用いられるものであれば
特に制約はないが溶融シリカ粉末等が一般的である。
特に制約はないが溶融シリカ粉末等が一般的である。
【０００８】
【作用】前記した手段を用いて製造した半導体封止用エ
ポキシ樹脂成形材料は、樹脂マトリックスと充填材の親
和性が高くなり、そのためトランスファーモールド工程
段階で半導体装置内部のインサートとの密着性を向上こ
せることができ、インサートの剥離が発生せず、半田付
け時の耐熱性及びその後の耐湿信頼性を向上させること
ができる。
ポキシ樹脂成形材料は、樹脂マトリックスと充填材の親
和性が高くなり、そのためトランスファーモールド工程
段階で半導体装置内部のインサートとの密着性を向上こ
せることができ、インサートの剥離が発生せず、半田付
け時の耐熱性及びその後の耐湿信頼性を向上させること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１０】実施例１〜６、比較例１〜３ まず表１に示す各種の素材を用い、実施例１〜３は各素
材を予備混合（ドライブレンド）した後、二軸ロール
（ロール表面温度約８０℃）で１０分間混練し、冷却粉
砕後エージング工程（３０℃、１２ｈ）を加えて製造し
た。実施例４〜５は第１表に示す各種の素材を予備混合
した後、二軸ロールで混練し、冷却粉砕後さらに二軸ロ
ールで混練し、冷却粉砕して製造した。比較例１〜３は
第１表に示す各種素材を予備混合した後、二軸ロールで
混練し、冷却粉砕して製造した。
材を予備混合（ドライブレンド）した後、二軸ロール
（ロール表面温度約８０℃）で１０分間混練し、冷却粉
砕後エージング工程（３０℃、１２ｈ）を加えて製造し
た。実施例４〜５は第１表に示す各種の素材を予備混合
した後、二軸ロールで混練し、冷却粉砕後さらに二軸ロ
ールで混練し、冷却粉砕して製造した。比較例１〜３は
第１表に示す各種素材を予備混合した後、二軸ロールで
混練し、冷却粉砕して製造した。
【００１１】
【表１】
【００１２】この半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を
用い、トランスファ成形機を用い、金型温度１８０℃、
成形圧力７０kgf/cm2 、硬化時間９０sec の条件で各試
験を行った。スパイラルフロー（ＳＦ）はＥＭＭＩ１−
６６により測定した。Ａｌピール接着力は厚さ約０．０
３mmのアルミホイル上に幅約１cmの成形品を成形し、ア
ルミ箔と成形品の密着性を測定した。さらに１７５℃、
５ｈのポストキュアを行ったものについてもＡｌピール
接着力を測定した。また、この半導体封止用エポキシ樹
脂成形材料を用いて、半導体素子をトランスファー成形
機で同様の条件で成形し、ポストキュア後半田付け時の
耐熱性とその後の耐湿信頼性を測定した。 半田付け時
の耐熱性に用いた半導体装置は、ＱＦＰ５４ピンの樹脂
封止型半導体装置（外形寸法２０×１４×２．０mm）で
あり、リードフレームは４２アロイ材で８×１０mmのチ
ップサイズを有するものである。このようにして得られ
た樹脂封止型半導体装置について、半田付け時の耐熱性
を評価する前に超音波探傷装置（日立建機製）を用い
て、インサートの密着性を観察した後、１２５℃／２４
ｈベーキング後、８５℃／８５％ＲＨで所定の時間吸湿
させた後、２１５℃／９０sec の処理を行った時の樹脂
封止型半導体装置のクラック発生率を求めた。
用い、トランスファ成形機を用い、金型温度１８０℃、
成形圧力７０kgf/cm2 、硬化時間９０sec の条件で各試
験を行った。スパイラルフロー（ＳＦ）はＥＭＭＩ１−
６６により測定した。Ａｌピール接着力は厚さ約０．０
３mmのアルミホイル上に幅約１cmの成形品を成形し、ア
ルミ箔と成形品の密着性を測定した。さらに１７５℃、
５ｈのポストキュアを行ったものについてもＡｌピール
接着力を測定した。また、この半導体封止用エポキシ樹
脂成形材料を用いて、半導体素子をトランスファー成形
機で同様の条件で成形し、ポストキュア後半田付け時の
耐熱性とその後の耐湿信頼性を測定した。 半田付け時
の耐熱性に用いた半導体装置は、ＱＦＰ５４ピンの樹脂
封止型半導体装置（外形寸法２０×１４×２．０mm）で
あり、リードフレームは４２アロイ材で８×１０mmのチ
ップサイズを有するものである。このようにして得られ
た樹脂封止型半導体装置について、半田付け時の耐熱性
を評価する前に超音波探傷装置（日立建機製）を用い
て、インサートの密着性を観察した後、１２５℃／２４
ｈベーキング後、８５℃／８５％ＲＨで所定の時間吸湿
させた後、２１５℃／９０sec の処理を行った時の樹脂
封止型半導体装置のクラック発生率を求めた。
【００１３】耐湿信頼性に用いた半導体装置はＤｉｐ１
６ピンの樹脂封止型半導体装置( 外形寸法６．３×１
９．５×３．８mm）であり、リードフレームは４２アロ
イ材で７．２×３．９mmのチップサイズ（チップの仕様
はＡｌ１５μｍ幅、ギャップ５μｍ、パッシベーション
なし）を有するものである。このようにして得られた半
導体装置について、１２５℃／２４ｈベーキング後、８
５℃／８５％ＲＨ７２ｈ吸湿させた後、１２５℃／９０
sec の処理を行い、ＰＣＴ２atm の条件下で放置した時
の半導体装置のＡｌ配線の腐食断線を導通試験を行い求
めた。上記の各試験結果をまとめて表２に示す。
６ピンの樹脂封止型半導体装置( 外形寸法６．３×１
９．５×３．８mm）であり、リードフレームは４２アロ
イ材で７．２×３．９mmのチップサイズ（チップの仕様
はＡｌ１５μｍ幅、ギャップ５μｍ、パッシベーション
なし）を有するものである。このようにして得られた半
導体装置について、１２５℃／２４ｈベーキング後、８
５℃／８５％ＲＨ７２ｈ吸湿させた後、１２５℃／９０
sec の処理を行い、ＰＣＴ２atm の条件下で放置した時
の半導体装置のＡｌ配線の腐食断線を導通試験を行い求
めた。上記の各試験結果をまとめて表２に示す。
【００１４】
【表２】
【００１５】
【発明の効果】加熱混練した混練物を冷却粉砕後、エー
ジング工程を新たに加えるか、または加熱混練した混練
物を冷却粉砕後、さらに加熱混練することにより製造し
たエポキシ樹脂成形材料は、樹脂マトリックスと充填材
の親和性が高くなり、そのためトランスファーモールド
工程段階で樹脂封止型半導体装置内部のインサートとの
密着性を向上させることができ、インサートの剥離が発
生せず、半田付け時の耐熱性及びその後の耐湿信頼性を
向上させることができる。
ジング工程を新たに加えるか、または加熱混練した混練
物を冷却粉砕後、さらに加熱混練することにより製造し
たエポキシ樹脂成形材料は、樹脂マトリックスと充填材
の親和性が高くなり、そのためトランスファーモールド
工程段階で樹脂封止型半導体装置内部のインサートとの
密着性を向上させることができ、インサートの剥離が発
生せず、半田付け時の耐熱性及びその後の耐湿信頼性を
向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 樹脂封止型半導体装置の製造法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エポキシ樹脂成形材料
を用いた半導体装置の製造法に関する。
を用いた半導体装置の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子は素子の集
積度の向上と共に、素子サイズの大型化、樹脂封止型半
導体装置の小型化、薄型化が進み、同時に半導体装置の
基板への取付けを行う時に、半導体装置自体が短時間の
うちに２００℃以上の高温に曝されることになる。この
時、樹脂封止材中に含有される水分が気化し、ここで発
生する蒸気圧は樹脂と素子、リードフレーム等のインサ
ートとの界面において、剥離応力として働き、樹脂とイ
ンサートの間で剥離を発生し、特に薄型の樹脂封止型半
導体装置においては、半導体装置のフクレやクラックに
至ってしまうことになる。こうした樹脂封止型半導体装
置においては、剥離やクラックの発生に伴い耐湿信頼性
の低下、あるいは半導体装置のフクレによる基板実装時
の半田付け不良を発生してしまうことになる。
積度の向上と共に、素子サイズの大型化、樹脂封止型半
導体装置の小型化、薄型化が進み、同時に半導体装置の
基板への取付けを行う時に、半導体装置自体が短時間の
うちに２００℃以上の高温に曝されることになる。この
時、樹脂封止材中に含有される水分が気化し、ここで発
生する蒸気圧は樹脂と素子、リードフレーム等のインサ
ートとの界面において、剥離応力として働き、樹脂とイ
ンサートの間で剥離を発生し、特に薄型の樹脂封止型半
導体装置においては、半導体装置のフクレやクラックに
至ってしまうことになる。こうした樹脂封止型半導体装
置においては、剥離やクラックの発生に伴い耐湿信頼性
の低下、あるいは半導体装置のフクレによる基板実装時
の半田付け不良を発生してしまうことになる。
【０００３】従来エポキシ樹脂と硬化剤、充填材及びそ
の他添加剤をドライもしくは一部ウェットで常温または
加熱して混合し、そのブレンド物を一段で加熱混練する
製造方法を用いて製造した半導体封止用エポキシ樹脂成
形材料は、トランスファーモールド工程（例えば成形温
度１８０℃、成形時間９０sec 、成形圧７０kgf/cm2)で
は、インサートとの密着力が低いため、トランスファー
モールド工程でインサートとの剥離が発生しやすく、半
田付け時の耐熱性が劣化したり、耐湿信頼性を低下させ
てしまうという問題がある。
の他添加剤をドライもしくは一部ウェットで常温または
加熱して混合し、そのブレンド物を一段で加熱混練する
製造方法を用いて製造した半導体封止用エポキシ樹脂成
形材料は、トランスファーモールド工程（例えば成形温
度１８０℃、成形時間９０sec 、成形圧７０kgf/cm2)で
は、インサートとの密着力が低いため、トランスファー
モールド工程でインサートとの剥離が発生しやすく、半
田付け時の耐熱性が劣化したり、耐湿信頼性を低下させ
てしまうという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる状況に
鑑みなされたもので、トランスファーモールド工程段階
でのインサートとの密着力が高く、半田付け時の耐熱性
劣化や耐湿信頼性の低下の少ない樹脂封止型半導体装置
の製造法を提供することを目的とする。
鑑みなされたもので、トランスファーモールド工程段階
でのインサートとの密着力が高く、半田付け時の耐熱性
劣化や耐湿信頼性の低下の少ない樹脂封止型半導体装置
の製造法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、エポ
キシ樹脂、硬化剤、および充填材を含有する組成物を加
熱混練した混練物を冷却粉砕して得た成形材料に、さら
にエージング処理工程を付加するか、あるいは再度加熱
混練して冷却粉砕してなる成形材料を用いて半導体素子
を封止することを特長とする半導体装置の製造法に関す
る。ここでエージングとは成形材料を常温〜６０℃で数
時間〜２４時間放置しスパイラルフローがエージング前
より１０〜２０％短くすることをいう。
キシ樹脂、硬化剤、および充填材を含有する組成物を加
熱混練した混練物を冷却粉砕して得た成形材料に、さら
にエージング処理工程を付加するか、あるいは再度加熱
混練して冷却粉砕してなる成形材料を用いて半導体素子
を封止することを特長とする半導体装置の製造法に関す
る。ここでエージングとは成形材料を常温〜６０℃で数
時間〜２４時間放置しスパイラルフローがエージング前
より１０〜２０％短くすることをいう。
【０００６】本発明で用いられるエポキシ樹脂として
は、特に制約はないがｏ−クレゾールノボラック型、Ｂ
ｒ化−エピビス型等の他、下記の一般式［Ｉ］で示され
るようなエポキシ樹脂を用いることができる。
は、特に制約はないがｏ−クレゾールノボラック型、Ｂ
ｒ化−エピビス型等の他、下記の一般式［Ｉ］で示され
るようなエポキシ樹脂を用いることができる。
【化１】
【０００７】また硬化剤としては通常用いられるフェノ
ールノボラック樹脂の他、下記の一般式［ＩＩ］で示さ
れるようなアラルキル型フェノール樹脂を用いることが
できる。
ールノボラック樹脂の他、下記の一般式［ＩＩ］で示さ
れるようなアラルキル型フェノール樹脂を用いることが
できる。
【化２】 充填剤としては通常の封止材に用いられるものであれば
特に制約はないが溶融シリカ粉末等が一般的である。
特に制約はないが溶融シリカ粉末等が一般的である。
【０００８】
【作用】前記した手段を用いて製造した半導体封止用エ
ポキシ樹脂成形材料は、樹脂マトリックスと充填材の親
和性が高くなり、そのためトランスファーモールド工程
段階で半導体装置内部のインサートとの密着性を向上こ
せることができ、インサートの剥離が発生せず、半田付
け時の耐熱性及びその後の耐湿信頼性を向上させること
ができる。
ポキシ樹脂成形材料は、樹脂マトリックスと充填材の親
和性が高くなり、そのためトランスファーモールド工程
段階で半導体装置内部のインサートとの密着性を向上こ
せることができ、インサートの剥離が発生せず、半田付
け時の耐熱性及びその後の耐湿信頼性を向上させること
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１０】実施例１〜６、比較例１〜３ まず表１に示す各種の素材を用い、実施例１〜３は各素
材を予備混合（ドライブレンド）した後、二軸ロール
（ロール表面温度約８０℃）で１０分間混練し、冷却粉
砕後エージング工程（３０℃、１２ｈ）を加えて製造し
た。実施例４〜５は第１表に示す各種の素材を予備混合
した後、二軸ロールで混練し、冷却粉砕後さらに二軸ロ
ールで混練し、冷却粉砕して製造した。比較例１〜３は
第１表に示す各種素材を予備混合した後、二軸ロールで
混練し、冷却粉砕して製造した。
材を予備混合（ドライブレンド）した後、二軸ロール
（ロール表面温度約８０℃）で１０分間混練し、冷却粉
砕後エージング工程（３０℃、１２ｈ）を加えて製造し
た。実施例４〜５は第１表に示す各種の素材を予備混合
した後、二軸ロールで混練し、冷却粉砕後さらに二軸ロ
ールで混練し、冷却粉砕して製造した。比較例１〜３は
第１表に示す各種素材を予備混合した後、二軸ロールで
混練し、冷却粉砕して製造した。
【００１１】
【表１】
【００１２】この半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を
用い、トランスファ成形機を用い、金型温度１８０℃、
成形圧力７０kgf/cm2 、硬化時間９０sec の条件で各試
験を行った。スパイラルフロー（ＳＦ）はＥＭＭＩ１−
６６により測定した。Ａｌピール接着力は厚さ約０．０
３mmのアルミホイル上に幅約１cmの成形品を成形し、ア
ルミ箔と成形品の密着性を測定した。さらに１７５℃、
５ｈのポストキュアを行ったものについてもＡｌピール
接着力を測定した。また、この半導体封止用エポキシ樹
脂成形材料を用いて、半導体素子をトランスファー成形
機で同様の条件で成形し、ポストキュア後半田付け時の
耐熱性とその後の耐湿信頼性を測定した。 半田付け時
の耐熱性に用いた半導体装置は、ＱＦＰ５４ピンの樹脂
封止型半導体装置（外形寸法２０×１４×２．０mm）で
あり、リードフレームは４２アロイ材で８×１０mmのチ
ップサイズを有するものである。このようにして得られ
た樹脂封止型半導体装置について、半田付け時の耐熱性
を評価する前に超音波探傷装置（日立建機製）を用い
て、インサートの密着性を観察した後、１２５℃／２４
ｈベーキング後、８５℃／８５％ＲＨで所定の時間吸湿
させた後、２１５℃／９０sec の処理を行った時の樹脂
封止型半導体装置のクラック発生率を求めた。
用い、トランスファ成形機を用い、金型温度１８０℃、
成形圧力７０kgf/cm2 、硬化時間９０sec の条件で各試
験を行った。スパイラルフロー（ＳＦ）はＥＭＭＩ１−
６６により測定した。Ａｌピール接着力は厚さ約０．０
３mmのアルミホイル上に幅約１cmの成形品を成形し、ア
ルミ箔と成形品の密着性を測定した。さらに１７５℃、
５ｈのポストキュアを行ったものについてもＡｌピール
接着力を測定した。また、この半導体封止用エポキシ樹
脂成形材料を用いて、半導体素子をトランスファー成形
機で同様の条件で成形し、ポストキュア後半田付け時の
耐熱性とその後の耐湿信頼性を測定した。 半田付け時
の耐熱性に用いた半導体装置は、ＱＦＰ５４ピンの樹脂
封止型半導体装置（外形寸法２０×１４×２．０mm）で
あり、リードフレームは４２アロイ材で８×１０mmのチ
ップサイズを有するものである。このようにして得られ
た樹脂封止型半導体装置について、半田付け時の耐熱性
を評価する前に超音波探傷装置（日立建機製）を用い
て、インサートの密着性を観察した後、１２５℃／２４
ｈベーキング後、８５℃／８５％ＲＨで所定の時間吸湿
させた後、２１５℃／９０sec の処理を行った時の樹脂
封止型半導体装置のクラック発生率を求めた。
【００１３】耐湿信頼性に用いた半導体装置はＤｉｐ１
６ピンの樹脂封止型半導体装置( 外形寸法６．３×１
９．５×３．８mm）であり、リードフレームは４２アロ
イ材で７．２×３．９mmのチップサイズ（チップの仕様
はＡｌ１５μｍ幅、ギャップ５μｍ、パッシベーション
なし）を有するものである。このようにして得られた半
導体装置について、１２５℃／２４ｈベーキング後、８
５℃／８５％ＲＨ７２ｈ吸湿させた後、２１５℃／９０
sec の処理を行い、ＰＣＴ２atm の条件下で放置した時
の半導体装置のＡｌ配線の腐食断線を導通試験を行い求
めた。上記の各試験結果をまとめて表２に示す。
６ピンの樹脂封止型半導体装置( 外形寸法６．３×１
９．５×３．８mm）であり、リードフレームは４２アロ
イ材で７．２×３．９mmのチップサイズ（チップの仕様
はＡｌ１５μｍ幅、ギャップ５μｍ、パッシベーション
なし）を有するものである。このようにして得られた半
導体装置について、１２５℃／２４ｈベーキング後、８
５℃／８５％ＲＨ７２ｈ吸湿させた後、２１５℃／９０
sec の処理を行い、ＰＣＴ２atm の条件下で放置した時
の半導体装置のＡｌ配線の腐食断線を導通試験を行い求
めた。上記の各試験結果をまとめて表２に示す。
【００１４】
【表２】
【００１５】
【発明の効果】加熱混練した混練物を冷却粉砕後、エー
ジング工程を新たに加えるか、または加熱混練した混練
物を冷却粉砕後、さらに加熱混練することにより製造し
たエポキシ樹脂成形材料は、樹脂マトリックスと充填材
の親和性が高くなり、そのためトランスファーモールド
工程段階で樹脂封止型半導体装置内部のインサートとの
密着性を向上させることができ、インサートの剥離が発
生せず、半田付け時の耐熱性及びその後の耐湿信頼性を
向上させることができる。
ジング工程を新たに加えるか、または加熱混練した混練
物を冷却粉砕後、さらに加熱混練することにより製造し
たエポキシ樹脂成形材料は、樹脂マトリックスと充填材
の親和性が高くなり、そのためトランスファーモールド
工程段階で樹脂封止型半導体装置内部のインサートとの
密着性を向上させることができ、インサートの剥離が発
生せず、半田付け時の耐熱性及びその後の耐湿信頼性を
向上させることができる。
フロントページの続き (72)発明者 幸島 博起 茨城県結城市大字鹿窪1772−１ 日立化成 工業株式会社南結城工場内 (72)発明者 鈴木 宏 茨城県結城市大字鹿窪1772−１ 日立化成 工業株式会社南結城工場内
Claims (1)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂、硬化剤、および充填材を
含有する組成物を加熱混練した混練物を冷却粉砕して得
た成形材料に、さらにエージング処理工程を付加する
か、あるいは再度加熱混練して冷却粉砕してなる成形材
料を用いて半導体素子を封止することを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP219693A JPH06209024A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 樹脂封止型半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP219693A JPH06209024A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 樹脂封止型半導体装置の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06209024A true JPH06209024A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11522610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP219693A Pending JPH06209024A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 樹脂封止型半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06209024A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007297601A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-11-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置 |
| JP2008144127A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-06-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 |
| US20100140638A1 (en) * | 2006-11-15 | 2010-06-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition |
| KR101941888B1 (ko) * | 2017-08-08 | 2019-01-25 | 대주전자재료 주식회사 | 열경화성 광반사용 수지 조성물의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 열경화성 광반사용 수지 조성물 |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP219693A patent/JPH06209024A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007297601A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-11-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置 |
| JP2008144127A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-06-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 |
| US20100140638A1 (en) * | 2006-11-15 | 2010-06-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition |
| JP2012138610A (ja) * | 2006-11-15 | 2012-07-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 |
| CN102751430A (zh) * | 2006-11-15 | 2012-10-24 | 日立化成工业株式会社 | 光半导体装置及其制造方法 |
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| US9387608B2 (en) | 2006-11-15 | 2016-07-12 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition |
| JP2017002316A (ja) * | 2006-11-15 | 2017-01-05 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
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| US10381533B2 (en) | 2006-11-15 | 2019-08-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using thermosetting resin composition for light reflection |
| KR101941888B1 (ko) * | 2017-08-08 | 2019-01-25 | 대주전자재료 주식회사 | 열경화성 광반사용 수지 조성물의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 열경화성 광반사용 수지 조성물 |
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