JPS59129252A - エポキシ樹脂成形材料 - Google Patents
エポキシ樹脂成形材料Info
- Publication number
- JPS59129252A JPS59129252A JP439183A JP439183A JPS59129252A JP S59129252 A JPS59129252 A JP S59129252A JP 439183 A JP439183 A JP 439183A JP 439183 A JP439183 A JP 439183A JP S59129252 A JPS59129252 A JP S59129252A
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- Japan
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- epoxy resin
- molding material
- silicone intermediate
- resin molding
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、半導体素子などの電子部品の封止用に通し
たエポキシ樹脂成形材料に関する。
たエポキシ樹脂成形材料に関する。
コンデンザ、ダイオード、１−ランジスタ、サイリスク
、ホール素子などの個別半導体またはＩＣ、ＬＳＩなど
の集積回路においては、半導体を機械的、電気的に外的
環境から保護するためにしばしばエポキシ樹脂成形材料
で封止される。封止方法としては、気密封止、セラミッ
ク封止、プラスチック封止が行なわれているが、量産性
にもすくれ安価なプラスチック封止が最近の主流である
。
、ホール素子などの個別半導体またはＩＣ、ＬＳＩなど
の集積回路においては、半導体を機械的、電気的に外的
環境から保護するためにしばしばエポキシ樹脂成形材料
で封止される。封止方法としては、気密封止、セラミッ
ク封止、プラスチック封止が行なわれているが、量産性
にもすくれ安価なプラスチック封止が最近の主流である
。
プラスチックの種類についていえば、エポキシ樹脂とシ
リコン樹脂があるが、シリコン樹脂は高価であり金属と
゛の密着性が悪いため、エポキシ樹脂封止がプラスチッ
ク封止の主流である。しかし、エポキシ樹脂についても
問題がある。すなわち、まず、湿気に対する信頼性が悪
いことである。さらに、シリコンチップ・リードフレー
ムとの線膨張係数の差が大きいため、成形後に内部応力
が発生して、ヒートサイクル試験やハンダ耐熱試験中に
その応力の増大により、半導体素子保護膜にキズや割れ
が生じ、ついには半導体素子にクラックが発生ずるとい
う具合に、不良品発生の原因となることである。
リコン樹脂があるが、シリコン樹脂は高価であり金属と
゛の密着性が悪いため、エポキシ樹脂封止がプラスチッ
ク封止の主流である。しかし、エポキシ樹脂についても
問題がある。すなわち、まず、湿気に対する信頼性が悪
いことである。さらに、シリコンチップ・リードフレー
ムとの線膨張係数の差が大きいため、成形後に内部応力
が発生して、ヒートサイクル試験やハンダ耐熱試験中に
その応力の増大により、半導体素子保護膜にキズや割れ
が生じ、ついには半導体素子にクラックが発生ずるとい
う具合に、不良品発生の原因となることである。
内部応力は一般に線膨張係数と曲げ弾性率、さらにはガ
ラス転移温度の積に比例することがわかっている。線膨
張係数を小さくするために無機充填制を添加することが
行なわれる。しかし、多量に添加して線膨張係数を小さ
くすると、曲り組ｉ８性率が大きくなるばかりでな（、
耐湿性も低下する。
ラス転移温度の積に比例することがわかっている。線膨
張係数を小さくするために無機充填制を添加することが
行なわれる。しかし、多量に添加して線膨張係数を小さ
くすると、曲り組ｉ８性率が大きくなるばかりでな（、
耐湿性も低下する。
逆に、曲げ弾性率を下げるためにある種の可撓性付与剤
を添加すると、十分に架橋密度が得られない状態でガラ
ス転移点の低下、線膨張係数の増加、さらには耐湿性の
低下とい・う問題が起き、低応力化を達成しようとする
とどうしても耐湿性が低下するという問題があった。要
するに、現在、低応力グレードで耐湿性にずくれるもの
は存在しないのである。
を添加すると、十分に架橋密度が得られない状態でガラ
ス転移点の低下、線膨張係数の増加、さらには耐湿性の
低下とい・う問題が起き、低応力化を達成しようとする
とどうしても耐湿性が低下するという問題があった。要
するに、現在、低応力グレードで耐湿性にずくれるもの
は存在しないのである。
この発明は、このような事情に鑑み、封止用エポキシ樹
脂成形材料において、低応力化を実現しつつ、耐湿性に
つきその低下を避は従来レヘルを維持することを目的と
する。
脂成形材料において、低応力化を実現しつつ、耐湿性に
つきその低下を避は従来レヘルを維持することを目的と
する。
このような目的は、エポキシ樹脂成形材料にシリコン中
間体を添加することによって達成される。
間体を添加することによって達成される。
したがって、この発明は、シリコン中間体が添加されて
いることを特徴とするエポキシ樹脂成形材料をその要旨
とする。以下にこれを詳しく述べる。
いることを特徴とするエポキシ樹脂成形材料をその要旨
とする。以下にこれを詳しく述べる。
主材料としてのエポキシ樹脂成形材料の構成そのものは
、従来と同様である。すなわち、樹脂分としてノボラッ
ク型、ビスフェノール型等のエポキシ樹脂を用い、硬化
剤、充てん材、顔料、離型剤、補強材などを必要に応し
て配合する。混練。
、従来と同様である。すなわち、樹脂分としてノボラッ
ク型、ビスフェノール型等のエポキシ樹脂を用い、硬化
剤、充てん材、顔料、離型剤、補強材などを必要に応し
て配合する。混練。
粉砕なども従来と同様に行なわれる。そして、このよう
にして成形材料が作られるいずれかの段階でシリコン中
間体が添加されるのである。
にして成形材料が作られるいずれかの段階でシリコン中
間体が添加されるのである。
この発明に用いるシリコン中間体としては、脂環式エポ
キシ変性、エポキシ変性、カルビトル変性、エポキシポ
リエーテル変性、アミノ変性などしたものがあるが、好
ましくはアミノ変性シリコン中間体である。アミノ変性
シリコン中間体としては、下記一般式で示されるものが
好ましく用いられる。 ′ アミノ変性シリコン中間体としては、アミノ当量が６０
０〜３０００の範囲のものが好ましい。
キシ変性、エポキシ変性、カルビトル変性、エポキシポ
リエーテル変性、アミノ変性などしたものがあるが、好
ましくはアミノ変性シリコン中間体である。アミノ変性
シリコン中間体としては、下記一般式で示されるものが
好ましく用いられる。 ′ アミノ変性シリコン中間体としては、アミノ当量が６０
０〜３０００の範囲のものが好ましい。
６００未満になるとアミノ量増大による耐湿性の低下や
硬化挙動の変化が発生し、３０００を越えるようになる
と、添加量との関係にもよるが、成型品表面にムラが発
生しやすく、また、曲げ弾性率の低下も満足いくもので
なくなるからである。
硬化挙動の変化が発生し、３０００を越えるようになる
と、添加量との関係にもよるが、成型品表面にムラが発
生しやすく、また、曲げ弾性率の低下も満足いくもので
なくなるからである。
シリコン中間体をエポキシ樹脂１００重量部あたり１〜
１５重量部添加することにより、曲げ弾性率は低下し、
外観にムラなどが発生することがなく、かつ耐湿性も低
下することがなくして、応力を下げることができる。ア
ミン変性シリコン中間体の添加量がＩＭ量部未満だと、
曲げ弾性率の低下への寄与が少なく、１５重量部を越え
ると成型品外観にムラが発生する。
１５重量部添加することにより、曲げ弾性率は低下し、
外観にムラなどが発生することがなく、かつ耐湿性も低
下することがなくして、応力を下げることができる。ア
ミン変性シリコン中間体の添加量がＩＭ量部未満だと、
曲げ弾性率の低下への寄与が少なく、１５重量部を越え
ると成型品外観にムラが発生する。
シリコン中間体の添加方法としては、材料配合品中に添
加してブレンドする方法がある。さらに、第１ステツプ
として、硬化剤に使用するフェノールノボラック型エポ
キシ樹脂と予め熔融混合させておき、そののち添加する
方法がある。溶融温度としては１００〜１６０°Ｃの範
囲が採用される。
加してブレンドする方法がある。さらに、第１ステツプ
として、硬化剤に使用するフェノールノボラック型エポ
キシ樹脂と予め熔融混合させておき、そののち添加する
方法がある。溶融温度としては１００〜１６０°Ｃの範
囲が採用される。
アミンシリコン濃度としては、１０〜３０重量％の配合
が好ましい。このような前処理をすることにより、フェ
ノールとアミン基が多い結合で結ばれ〜エポキシ樹脂と
の反応の際、骨格の中心にとりこまれやすくなり、シリ
コン中間体の効果がより向上するのである。
が好ましい。このような前処理をすることにより、フェ
ノールとアミン基が多い結合で結ばれ〜エポキシ樹脂と
の反応の際、骨格の中心にとりこまれやすくなり、シリ
コン中間体の効果がより向上するのである。
この発明にかかるエポキシ樹脂成形材料は、このよう乙
こシリコン中間体を配合するようにしているため、耐湿
性を変化（劣化）させないで、かつ、線膨張係数、ガラ
ス転移点や成形収縮率も変化させノ、１′いで、曲げ弾
性率の低下を達成することができた。
こシリコン中間体を配合するようにしているため、耐湿
性を変化（劣化）させないで、かつ、線膨張係数、ガラ
ス転移点や成形収縮率も変化させノ、１′いで、曲げ弾
性率の低下を達成することができた。
以下に実施例を比較例とイ＃せて述へる。
（以 下 余 白）
第 １ 表 （ｆｆｉ位 重量部）第１表
の配合品を８０〜１１０℃の熱ロール上で混練し、得ら
れたシートを冷却し、粉砕して、試験に供した。その結
果は第２表のとおりであり、実施例はいずれも、比較例
に比し、他の物性の点で劣ることがなく、しかも曲げ弾
性率および熱応力の点で低かった。
の配合品を８０〜１１０℃の熱ロール上で混練し、得ら
れたシートを冷却し、粉砕して、試験に供した。その結
果は第２表のとおりであり、実施例はいずれも、比較例
に比し、他の物性の点で劣ることがなく、しかも曲げ弾
性率および熱応力の点で低かった。
Claims (5)
- （１） シリコン中間体が添加されていることを特徴
とするエポキシ樹脂成形材料。 - （２） シリコン中間体の添加量がエポキシ樹脂１０
０重量部あたり１〜１５重量部である特許請求の範囲第
１項記載のエポキシ樹脂成形材料。 - （３） シリコン中間体が濃度１０〜３０重量％とな
るようにフェノールノボラック型エポキシ樹脂と予め熔
融混合させた状態で配合されている特許請求の範囲第１
項または第２項記載のエポキシ樹脂成形材料。 - （４） シリコン中間体がアミン変性シリコン中間体
である特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載
のエポキシ樹脂成形材料。 - （５） アミノ変性シリコン中間体のアミノ当量が６
００〜３０００である特許請求の範囲第４項記載のエポ
キシ樹脂成形材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP439183A JPS59129252A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | エポキシ樹脂成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP439183A JPS59129252A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | エポキシ樹脂成形材料 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2079819A Division JPH0660233B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | エポキシ樹脂成形材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129252A true JPS59129252A (ja) | 1984-07-25 |
| JPS6315295B2 JPS6315295B2 (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=11583050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP439183A Granted JPS59129252A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | エポキシ樹脂成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129252A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0218228A2 (en) | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition |
| JPS62128162A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS62158716A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | ダウ コ−ニング コ−ポレ−シヨン | シリコ−ン変性剤分散体および変性方法 |
| US5006614A (en) * | 1988-07-05 | 1991-04-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition and semiconductor device encapsulated therewith containing polymaleimide and (allyl-epoxy)novolac/siloxane graft copolymer |
| JPH0365806B2 (ja) * | 1983-10-26 | 1991-10-15 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5131799A (ja) * | 1974-09-13 | 1976-03-18 | Hitachi Ltd | Netsukokaseijushisoseibutsu |
| JPS5160299A (ja) * | 1974-11-25 | 1976-05-26 | Sumitomo Bakelite Co | Ehokishijushokokazaisoseibutsu |
| JPS51111299A (en) * | 1975-02-28 | 1976-10-01 | Ciba Geigy Ag | Setting mixture and process for producing same |
| JPS56136816A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Epoxy resin composition |
| JPS57184242A (en) * | 1981-05-08 | 1982-11-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Molding material for sealing electronic part |
| JPS5821417A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性エポキシ樹脂組成物 |
| JPS5869244A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-25 | Toray Silicone Co Ltd | 成形用エポキシ樹脂組成物 |
-
1983
- 1983-01-14 JP JP439183A patent/JPS59129252A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0218228A2 (en) | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition |
| US4877822A (en) * | 1985-10-07 | 1989-10-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition |
| US5053445A (en) * | 1985-10-07 | 1991-10-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition |
| EP0218228B1 (en) * | 1985-10-07 | 1993-09-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition |
| JPS62128162A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS62158716A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-14 | ダウ コ−ニング コ−ポレ−シヨン | シリコ−ン変性剤分散体および変性方法 |
| JPH0512365B2 (ja) * | 1985-12-30 | 1993-02-17 | Dow Corning | |
| US5006614A (en) * | 1988-07-05 | 1991-04-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin composition and semiconductor device encapsulated therewith containing polymaleimide and (allyl-epoxy)novolac/siloxane graft copolymer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6315295B2 (ja) | 1988-04-04 |
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