JPH1025335A - 半導体素子用封止材及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体素子用封止材及びそれを用いた半導体装置Info
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- JPH1025335A JPH1025335A JP8182052A JP18205296A JPH1025335A JP H1025335 A JPH1025335 A JP H1025335A JP 8182052 A JP8182052 A JP 8182052A JP 18205296 A JP18205296 A JP 18205296A JP H1025335 A JPH1025335 A JP H1025335A
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- JP
- Japan
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- sealing material
- semiconductor element
- epoxy resin
- encapsulant
- phenolic resin
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】はんだ耐熱性に優れた半導体素子用封止材を提
供すること。 【解決手段】エポキシ樹脂、フェノール樹脂系硬化剤、
無機充填材を主成分とする半導体素子用封止材におい
て、カップリング剤としてエポキシシラン、アルキルシ
ラン及びメルカプトシランを必須成分として配合したこ
とを特徴とする半導体素子用封止材。
供すること。 【解決手段】エポキシ樹脂、フェノール樹脂系硬化剤、
無機充填材を主成分とする半導体素子用封止材におい
て、カップリング剤としてエポキシシラン、アルキルシ
ラン及びメルカプトシランを必須成分として配合したこ
とを特徴とする半導体素子用封止材。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、はんだ耐熱性に優
れた半導体素子用封止材およびそれを用いた半導体装置
に関する。
れた半導体素子用封止材およびそれを用いた半導体装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子は、素子の
集積度の向上と共に、素子サイズの大型化、半導体装置
の小型化、薄型化が進んでいる。また同時に半導体装置
を基板に取り付けるときに、半導体装置自体が２００℃
以上の高温にさらされるため、封止材中に含まれる水分
が気化し、ここで発生する蒸気圧が封止材と素子、リー
ドフレーム等のインサートとの界面において、剥離応力
として働き、封止材とインサートの間で剥離が生じ、特
に薄型の半導体装置においては、半導体装置のフクレや
クラックを引き起こし、半導体装置の耐湿性が著しく悪
化する。
集積度の向上と共に、素子サイズの大型化、半導体装置
の小型化、薄型化が進んでいる。また同時に半導体装置
を基板に取り付けるときに、半導体装置自体が２００℃
以上の高温にさらされるため、封止材中に含まれる水分
が気化し、ここで発生する蒸気圧が封止材と素子、リー
ドフレーム等のインサートとの界面において、剥離応力
として働き、封止材とインサートの間で剥離が生じ、特
に薄型の半導体装置においては、半導体装置のフクレや
クラックを引き起こし、半導体装置の耐湿性が著しく悪
化する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなフクレ、ク
ラックの防止策として、半導体素子表面にコート材を用
いて封止材の接着力を向上させる手法、リードフレーム
のアイランド裏面にディンプル加工やスリット加工等を
行い封止材との接着力を向上させる手法が取られている
が、高コスト化、効果不十分等の問題があり改善が求め
られている。このため、エポキシ樹脂及び硬化剤を低粘
度化（低分子化）することにより、封止材とインサート
との接着力を向上する検討、あるいは無機充填材の形状
を球状化し高充填化をはかり、吸水率を低減させる検討
が行われている。またさらに各種カップリング剤の添加
および処理方法の検討等も行われている。しかしなが
ら、これら種々の検討にもかかわらず封止材とインサー
トとの接着性はまだ不十分であり、はんだ耐熱性に問題
がある。
ラックの防止策として、半導体素子表面にコート材を用
いて封止材の接着力を向上させる手法、リードフレーム
のアイランド裏面にディンプル加工やスリット加工等を
行い封止材との接着力を向上させる手法が取られている
が、高コスト化、効果不十分等の問題があり改善が求め
られている。このため、エポキシ樹脂及び硬化剤を低粘
度化（低分子化）することにより、封止材とインサート
との接着力を向上する検討、あるいは無機充填材の形状
を球状化し高充填化をはかり、吸水率を低減させる検討
が行われている。またさらに各種カップリング剤の添加
および処理方法の検討等も行われている。しかしなが
ら、これら種々の検討にもかかわらず封止材とインサー
トとの接着性はまだ不十分であり、はんだ耐熱性に問題
がある。
【０００４】本発明はかかる状況に鑑みなされたもの
で、はんだ耐熱性に優れた半導体素子用封止材を提供す
ることを目的とする。
で、はんだ耐熱性に優れた半導体素子用封止材を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる目的は本発明によ
れば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂系硬化剤、無機充
填材を主成分とする半導体素子用封止材において、カッ
プリング剤としてエポキシシラン、アルキルシラン及び
メルカプトシランを必須成分として配合してなる半導体
素子用封止材により達成される。
れば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂系硬化剤、無機充
填材を主成分とする半導体素子用封止材において、カッ
プリング剤としてエポキシシラン、アルキルシラン及び
メルカプトシランを必須成分として配合してなる半導体
素子用封止材により達成される。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明で用いられるエポキシ樹脂
としては、特に制限するものではないが、オルソクレゾ
ールノボラック型、ビフェニル型、ジシクロ型、臭素化
エポキシ樹脂等を単独または併用して用いることができ
るが、特にビフェニル型がインサートとの接着性が良い
ことから適している。硬化剤としては、フェノールノボ
ラック型、アッルキル型、テルペン型等のフェノール樹
脂を単独又は併用して用いることができるが、特にアラ
ルキル型がインサートとの接着性が良く好ましい。硬化
促進剤としては、テトラフェニルホスホニウム−テトレ
フェニルボレート、トリフェニルホスフィン、トリフェ
ニルホスフィンとベンゾキノンの付加物、１，８−ジア
ザ−ビシクロ（５，４，０）−ウンデセン−７，２−フ
ェニル−４メチル−イミダゾール、トリフェニルホスホ
ニウム−トリフェニルボラン等を単独又は併用して用い
ることができるが、特にトリフェニルホスフィンとベン
ゾキノンの付加物がボイドや充填性といった成形性の面
から好適である。
としては、特に制限するものではないが、オルソクレゾ
ールノボラック型、ビフェニル型、ジシクロ型、臭素化
エポキシ樹脂等を単独または併用して用いることができ
るが、特にビフェニル型がインサートとの接着性が良い
ことから適している。硬化剤としては、フェノールノボ
ラック型、アッルキル型、テルペン型等のフェノール樹
脂を単独又は併用して用いることができるが、特にアラ
ルキル型がインサートとの接着性が良く好ましい。硬化
促進剤としては、テトラフェニルホスホニウム−テトレ
フェニルボレート、トリフェニルホスフィン、トリフェ
ニルホスフィンとベンゾキノンの付加物、１，８−ジア
ザ−ビシクロ（５，４，０）−ウンデセン−７，２−フ
ェニル−４メチル−イミダゾール、トリフェニルホスホ
ニウム−トリフェニルボラン等を単独又は併用して用い
ることができるが、特にトリフェニルホスフィンとベン
ゾキノンの付加物がボイドや充填性といった成形性の面
から好適である。
【０００７】カップリング剤は、エポキシシランとアル
キルシランおよびメルカプトシランをインサートとの接
着性向上及び封止材の強度向上のため必須成分として用
いる。離型剤としては、特に制限はないが、カルナバワ
ックス等の高級脂肪酸とポリエチレン系ワックスを単独
又は併用して用いることができる。また、無機充填剤
は、８０〜９５重量％配合され、その形状は全体の５０
％以上が球状でることが必要である。溶融シリカ、結晶
シリカ、アルミナ等を単独あるいは併用して用いること
ができるが、特に溶融シリカは低膨張であり好適であ
る。その他の添加物としては、必要により着色剤（カー
ボンブラック等）、難燃助剤（三酸化アンチモン等）、
改質剤(シリコーン等)、イオン捕捉剤(ハイドロタルサ
イト、アンチモン-ビスマス等)等を用いることができ
る。
キルシランおよびメルカプトシランをインサートとの接
着性向上及び封止材の強度向上のため必須成分として用
いる。離型剤としては、特に制限はないが、カルナバワ
ックス等の高級脂肪酸とポリエチレン系ワックスを単独
又は併用して用いることができる。また、無機充填剤
は、８０〜９５重量％配合され、その形状は全体の５０
％以上が球状でることが必要である。溶融シリカ、結晶
シリカ、アルミナ等を単独あるいは併用して用いること
ができるが、特に溶融シリカは低膨張であり好適であ
る。その他の添加物としては、必要により着色剤（カー
ボンブラック等）、難燃助剤（三酸化アンチモン等）、
改質剤(シリコーン等)、イオン捕捉剤(ハイドロタルサ
イト、アンチモン-ビスマス等)等を用いることができ
る。
【０００８】これら原料をそれぞれ配合し、この配合物
をミキシングロール等の混練機にかけ混練して、半溶融
状の樹脂組成物とし、これを室温に冷却した後、公知の
手段によって破砕し、必要に応じて打錠するという一連
の工程により目的とするエポキシ樹脂組成物を得る。か
かるエポキシ樹脂組成物を用いた半導体素子の封止は、
通常のトランスファー成形等の公知の方法によって行う
ことができる。
をミキシングロール等の混練機にかけ混練して、半溶融
状の樹脂組成物とし、これを室温に冷却した後、公知の
手段によって破砕し、必要に応じて打錠するという一連
の工程により目的とするエポキシ樹脂組成物を得る。か
かるエポキシ樹脂組成物を用いた半導体素子の封止は、
通常のトランスファー成形等の公知の方法によって行う
ことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１、２ 比較例１〜５ 表１に示す各種材料を用い、各素材を予備混合（ドライ
ブレンド）した後、２軸ロール（ロール表面温度８０
℃）で１０分間混練し、冷却粉砕して封止材を製造し
た。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１、２ 比較例１〜５ 表１に示す各種材料を用い、各素材を予備混合（ドライ
ブレンド）した後、２軸ロール（ロール表面温度８０
℃）で１０分間混練し、冷却粉砕して封止材を製造し
た。
【００１０】
【表１】
【００１１】これらの封止材を用い、トランスファー成
形機により、金型温度１８０℃、成形圧力７０ｋｇ／ｃ
ｍ2、硬化時間９０ｓｅｃの条件で各試験を行った。ス
パイラルフローは、ＥＭＭＩ１−６６により測定した。
また、この封止材を用い、半導体素子をトランスファー
成形機で封止し、１７５℃／５ｈのポストキュア後はん
だ耐熱性の試験をおこなった。はんだ耐熱性に用いた半
導体装置は、ＱＦＰ型の８０ピンの４２アロイリードフ
レームに８×１０ｍｍのチップを搭載したもので、外形
寸法は２０×１４×２．０ｍｍのものである。はんだ耐
熱性は、１２５℃／２４ｈベーキング後、８５℃／８５
％ＲＨで所定時間吸湿させた後、２４０℃／１０ｓｅｃ
の加熱処理を行ったときの半導体装置のクラック発生率
を求めた。試験結果を表２に纏めて示す。比較例４はス
パイラルフローが短いため試験用サンプルの作成ができ
なかった。
形機により、金型温度１８０℃、成形圧力７０ｋｇ／ｃ
ｍ2、硬化時間９０ｓｅｃの条件で各試験を行った。ス
パイラルフローは、ＥＭＭＩ１−６６により測定した。
また、この封止材を用い、半導体素子をトランスファー
成形機で封止し、１７５℃／５ｈのポストキュア後はん
だ耐熱性の試験をおこなった。はんだ耐熱性に用いた半
導体装置は、ＱＦＰ型の８０ピンの４２アロイリードフ
レームに８×１０ｍｍのチップを搭載したもので、外形
寸法は２０×１４×２．０ｍｍのものである。はんだ耐
熱性は、１２５℃／２４ｈベーキング後、８５℃／８５
％ＲＨで所定時間吸湿させた後、２４０℃／１０ｓｅｃ
の加熱処理を行ったときの半導体装置のクラック発生率
を求めた。試験結果を表２に纏めて示す。比較例４はス
パイラルフローが短いため試験用サンプルの作成ができ
なかった。
【００１２】
【表２】
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の封止材によればインサートとの接着性が良好でクラッ
クの発生が殆どない半導体装置の提供が可能になった。
の封止材によればインサートとの接着性が良好でクラッ
クの発生が殆どない半導体装置の提供が可能になった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＴ Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＴ Ｃ０９Ｋ 3/10 Ｃ０９Ｋ 3/10 Ｌ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 柏原 隆貴 茨城県結城市大字鹿窪1772−１ 日立化成 工業株式会社下館工場内 (72)発明者 堀江 修 茨城県結城市大字鹿窪1772−１ 日立化成 工業株式会社下館工場内
Claims (7)
- 【請求項１】エポキシ樹脂、フェノール樹脂系硬化剤、
無機充填材を主成分とする半導体素子用封止材におい
て、カップリング剤としてエポキシシラン、アルキルシ
ラン及びメルカプトシランを必須成分として配合したこ
とを特徴とする半導体素子用封止材。 - 【請求項２】無機充填材が、８０〜９５重量％配合さ
れ、かつその５０％以上が球状である請求項１に記載の
半導体素子用封止材。 - 【請求項３】エポキシ樹脂が、ビフェニル型エポキシ樹
脂である請求項１又は２に記載の半導体素子用封止材。 - 【請求項４】フェノール樹脂系硬化剤がアラルキル型フ
ェノール樹脂である請求項１又は２又は３に記載の半導
体素子用封止材。 - 【請求項５】硬化促進剤として、トリフェニルホスフィ
ンとベンゾキノンの付加物を配合してなる請求項１乃至
４のいずれかに記載の半導体封止用封止材。 - 【請求項６】離型剤として、高級脂肪酸とポリエチレン
ワックスを配合してなる請求項１乃至５のいずれかに記
載の半導体素子用封止材。 - 【請求項７】請求項１乃至６のいずれか記載の封止材に
より封止してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18205296A JP3603483B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 半導体素子用封止材及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18205296A JP3603483B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 半導体素子用封止材及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1025335A true JPH1025335A (ja) | 1998-01-27 |
| JP3603483B2 JP3603483B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=16111505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18205296A Expired - Lifetime JP3603483B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 半導体素子用封止材及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3603483B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6194491B1 (en) * | 1997-10-03 | 2001-02-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Biphenyl epoxy resin, naphthalene-containing phenolic resin and accelerator triphenylphosphine/p-benzoquinone |
| JP2001279057A (ja) * | 1999-03-09 | 2001-10-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止材組成物及び電子部品装置 |
| KR100519656B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2005-10-07 | 제일모직주식회사 | 이형성이 우수한 반도체 봉지재용 에폭시 수지 조성물 |
| US7074738B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-07-11 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Curing accelerator, epoxy resin composition, and semiconductor device |
| JP2007231042A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂用硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US7723444B2 (en) | 2005-01-20 | 2010-05-25 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition, process for providing latency to the composition and a semiconductor device |
| US8148831B2 (en) | 2003-08-29 | 2012-04-03 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Latent catalyst for epoxy resin, epoxy resin composition, and semiconductor device |
| WO2015079807A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 横浜ゴム株式会社 | シーリング材組成物及び複合ガラス |
| WO2017188455A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 日立化成株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2019157027A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、層間絶縁用樹脂フィルム、複合フィルム、プリント配線板及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-07-11 JP JP18205296A patent/JP3603483B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6194491B1 (en) * | 1997-10-03 | 2001-02-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Biphenyl epoxy resin, naphthalene-containing phenolic resin and accelerator triphenylphosphine/p-benzoquinone |
| JP2001279057A (ja) * | 1999-03-09 | 2001-10-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止材組成物及び電子部品装置 |
| KR100519656B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2005-10-07 | 제일모직주식회사 | 이형성이 우수한 반도체 봉지재용 에폭시 수지 조성물 |
| US7074738B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-07-11 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Curing accelerator, epoxy resin composition, and semiconductor device |
| US7442729B2 (en) | 2002-06-05 | 2008-10-28 | Sumitomo Baeklite Company Limited | Composition of epoxy resin, polyphenolic compound and trisubstituted phosphonionphenolate salt |
| US8148831B2 (en) | 2003-08-29 | 2012-04-03 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Latent catalyst for epoxy resin, epoxy resin composition, and semiconductor device |
| US7723444B2 (en) | 2005-01-20 | 2010-05-25 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition, process for providing latency to the composition and a semiconductor device |
| JP2007231042A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂用硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2015079807A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 横浜ゴム株式会社 | シーリング材組成物及び複合ガラス |
| JPWO2015079807A1 (ja) * | 2013-11-27 | 2017-03-16 | 横浜ゴム株式会社 | シーリング材組成物及び複合ガラス |
| WO2017188455A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 日立化成株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| KR20180136494A (ko) * | 2016-04-28 | 2018-12-24 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 에폭시 수지 조성물 및 전자 부품 장치 |
| JPWO2017188455A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2019-03-07 | 日立化成株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2019157027A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、層間絶縁用樹脂フィルム、複合フィルム、プリント配線板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3603483B2 (ja) | 2004-12-22 |
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