JPH08311169A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH08311169A JPH08311169A JP11886395A JP11886395A JPH08311169A JP H08311169 A JPH08311169 A JP H08311169A JP 11886395 A JP11886395 A JP 11886395A JP 11886395 A JP11886395 A JP 11886395A JP H08311169 A JPH08311169 A JP H08311169A
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- Japan
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- epoxy resin
- component
- integer
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の封止樹脂とインサートとの間の
剥離及びクラックの発生を抑制し、耐湿性に優れた封止
用樹脂組成物を提供すること。 【構成】 特定のビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）
及びテルペン型フェノール樹脂もしくはアラルキル型フ
ェノール樹脂もしくはクレゾールノボラック型フェノー
ル樹脂（Ｂ成分）、硬化促進剤（Ｃ成分）、無機質充填
材（Ｄ成分）を必須成分とし、前記無機質充填材を樹脂
組成物に対して、６０〜９５ｖｏｌ％含有してなる半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。
剥離及びクラックの発生を抑制し、耐湿性に優れた封止
用樹脂組成物を提供すること。 【構成】 特定のビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ成分）
及びテルペン型フェノール樹脂もしくはアラルキル型フ
ェノール樹脂もしくはクレゾールノボラック型フェノー
ル樹脂（Ｂ成分）、硬化促進剤（Ｃ成分）、無機質充填
材（Ｄ成分）を必須成分とし、前記無機質充填材を樹脂
組成物に対して、６０〜９５ｖｏｌ％含有してなる半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、はんだ耐熱性、耐湿性
に優れた、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその樹
脂組成物で封止した半導体装置に関する。
に優れた、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその樹
脂組成物で封止した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子は素子の集
積度の向上と共に、素子サイズの大型化、樹脂封止型半
導体装置の小型化、薄型化が進んでいる。同時に半導体
装置の基板への取り付けを行う時に、半導体装置自体が
短時間のうちに２００℃以上の高温にさらされるように
なってきた。この時、樹脂封止材中に含有される水分が
気化し、ここで発生する蒸気圧が樹脂と素子、リードフ
レーム等のインサートとの界面において、剥離応力とし
て働き、樹脂インサートの間で剥離が発生し、特に薄型
の樹脂封止型半導体装置においては、半導体装置のフク
レやクラックに至ってしまうことになる。以上の様な剥
離やクラックにより半導体装置の耐湿信頼性の劣化を生
じることになる。このような剥離やクラックを生じる防
止策として、タブ裏面と封止用樹脂との間の接着力を向
上させるため、タブ面のディンプル加工、スリット加工
等の手法が取られているが、リードフレームの高コスト
化、効果不十分等の問題があり、封止用樹脂での改善が
望まれる。このため、吸湿の影響が少なく、半導体装置
が基板への取り付けの際の高温にさらされても、剥離や
クラックが発生せず、耐湿信頼性の劣化の少ない封止用
樹脂の開発が強く要求されている。
積度の向上と共に、素子サイズの大型化、樹脂封止型半
導体装置の小型化、薄型化が進んでいる。同時に半導体
装置の基板への取り付けを行う時に、半導体装置自体が
短時間のうちに２００℃以上の高温にさらされるように
なってきた。この時、樹脂封止材中に含有される水分が
気化し、ここで発生する蒸気圧が樹脂と素子、リードフ
レーム等のインサートとの界面において、剥離応力とし
て働き、樹脂インサートの間で剥離が発生し、特に薄型
の樹脂封止型半導体装置においては、半導体装置のフク
レやクラックに至ってしまうことになる。以上の様な剥
離やクラックにより半導体装置の耐湿信頼性の劣化を生
じることになる。このような剥離やクラックを生じる防
止策として、タブ裏面と封止用樹脂との間の接着力を向
上させるため、タブ面のディンプル加工、スリット加工
等の手法が取られているが、リードフレームの高コスト
化、効果不十分等の問題があり、封止用樹脂での改善が
望まれる。このため、吸湿の影響が少なく、半導体装置
が基板への取り付けの際の高温にさらされても、剥離や
クラックが発生せず、耐湿信頼性の劣化の少ない封止用
樹脂の開発が強く要求されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
要求に対し、樹脂封止に用いる封止用樹脂組成物におい
て、その吸湿を低下することにより、半導体装置の封止
樹脂とインサートとの間の剥離及びクラックの発生を抑
制し、耐湿性に優れた封止用樹脂組成物を提供すること
を目的とする。
要求に対し、樹脂封止に用いる封止用樹脂組成物におい
て、その吸湿を低下することにより、半導体装置の封止
樹脂とインサートとの間の剥離及びクラックの発生を抑
制し、耐湿性に優れた封止用樹脂組成物を提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、すなわち下記
一般式（Ｉ）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ
成分）、一般式（II）で示される水酸基当量１３０〜１
８０（ｇ／ｅｑ）軟化点７０〜１３０（℃）のテルペン
骨格を有するフェノール樹脂一般式(III) で示されるア
ラルキル基フェノール樹脂及び一般式（IV）で示される
クレゾールノボラック型フェノール樹脂から選ばれる２
種以上の硬化剤（Ｂ成分）、一般式（Ｖ）で示される硬
化促進剤（Ｃ成分）、無機質充填材（Ｄ成分）を必須成
分とし、樹脂組成物に対して前記無機質充填材を６０〜
９５ｖｏｌ％含有することを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に関する。
一般式（Ｉ）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂（Ａ
成分）、一般式（II）で示される水酸基当量１３０〜１
８０（ｇ／ｅｑ）軟化点７０〜１３０（℃）のテルペン
骨格を有するフェノール樹脂一般式(III) で示されるア
ラルキル基フェノール樹脂及び一般式（IV）で示される
クレゾールノボラック型フェノール樹脂から選ばれる２
種以上の硬化剤（Ｂ成分）、一般式（Ｖ）で示される硬
化促進剤（Ｃ成分）、無機質充填材（Ｄ成分）を必須成
分とし、樹脂組成物に対して前記無機質充填材を６０〜
９５ｖｏｌ％含有することを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物に関する。
【０００５】
【化１】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 は、Ｈ基、ＣＨ3 基も
しくはＣ（ＣＨ3 ）3 基を示し、ｎは０〜３の整数を示
す。）
しくはＣ（ＣＨ3 ）3 基を示し、ｎは０〜３の整数を示
す。）
【０００６】
【化２】 （式中、ｍは０〜５の整数を示す。）
【０００７】
【化３】 （式中、ｌは０〜３０の整数を示す。）
【０００８】
【化４】 （式中、ｋは０以上の整数を示す。）
【０００９】
【化５】
【００１０】更に、上記Ａ成分のエポキシ樹脂には通常
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に用いられるエポキ
シ樹脂を併用することができる。この併用されるエポキ
シ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエ
ポキシ樹脂であれば特に制限するものではないが、従来
から半導体封止用樹脂組成物の封止樹脂として用いられ
ているオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポ
キシ樹脂等が好適である。
の半導体封止用エポキシ樹脂組成物に用いられるエポキ
シ樹脂を併用することができる。この併用されるエポキ
シ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエ
ポキシ樹脂であれば特に制限するものではないが、従来
から半導体封止用樹脂組成物の封止樹脂として用いられ
ているオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポ
キシ樹脂等が好適である。
【００１１】本発明に用いる上記の一般式（II）で示さ
れる水酸基当量１３０〜１８０（ｇ／ｅｑ）軟化点７０
〜１３０（℃）のテルペン骨格を有するフェノール樹脂
及び一般式(III) で示されるアラルキル基フェノール樹
脂及び一般式（IV）で示されるクレゾールノボラック型
フェノール樹脂以外にも通常の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物に用いられるフェノール樹脂を併用することが
できる。この併用されるフェノール樹脂は１分子中に２
個以上の水酸基を有するフェノール樹脂であれば特に限
定するものではないが、従来から半導体の封止樹脂とし
て用いられているノボラック型フェノール樹脂、フェノ
ール類とジメトキシパラキシレンから合成されるキシリ
レン基を有するフェノール・アラルキル樹脂、分子内に
ジシクロペンタジエン骨格構造を有するフェノール樹脂
等があり、２種類以上併用しても良い。また、（Ａ）の
エポキシ樹脂と（Ｂ）の硬化剤の当量比（Ｂの水酸基数
／エポキシ樹脂基数）は、特に限定はされないが、それ
ぞれの未反応分を少なく抑えるために０．７〜１．３の
範囲に設定することが好ましい。
れる水酸基当量１３０〜１８０（ｇ／ｅｑ）軟化点７０
〜１３０（℃）のテルペン骨格を有するフェノール樹脂
及び一般式(III) で示されるアラルキル基フェノール樹
脂及び一般式（IV）で示されるクレゾールノボラック型
フェノール樹脂以外にも通常の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物に用いられるフェノール樹脂を併用することが
できる。この併用されるフェノール樹脂は１分子中に２
個以上の水酸基を有するフェノール樹脂であれば特に限
定するものではないが、従来から半導体の封止樹脂とし
て用いられているノボラック型フェノール樹脂、フェノ
ール類とジメトキシパラキシレンから合成されるキシリ
レン基を有するフェノール・アラルキル樹脂、分子内に
ジシクロペンタジエン骨格構造を有するフェノール樹脂
等があり、２種類以上併用しても良い。また、（Ａ）の
エポキシ樹脂と（Ｂ）の硬化剤の当量比（Ｂの水酸基数
／エポキシ樹脂基数）は、特に限定はされないが、それ
ぞれの未反応分を少なく抑えるために０．７〜１．３の
範囲に設定することが好ましい。
【００１２】Ｃ成分の硬化促進剤として、従来使用して
いたアミン類及びその誘導体又はそれらの塩類、１，８
−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデンセン−７及び
その誘導体又はそれらの塩類、各種オニウム化合物、イ
ミダゾール等の硬化促進剤から一般式（IV）で示される
潜在性のある（活性化エネルギーに変曲点があり、低温
で反応が遅く、高温で反応が早い）硬化促進剤を用い
る。Ｃ成分の硬化促進剤を必須成分として用いる一つの
理由としては、上記１，８−ジアザビシクロ（５，４，
０）ウンデンセン−７を使用すると、成形する前に吸湿
した場合、硬化性が著しく低下してしまう為である。硬
化促進剤の配合割合は、好ましくはエポキシ樹脂１００
重量部に対して、０．１〜１０重量部である。
いたアミン類及びその誘導体又はそれらの塩類、１，８
−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデンセン−７及び
その誘導体又はそれらの塩類、各種オニウム化合物、イ
ミダゾール等の硬化促進剤から一般式（IV）で示される
潜在性のある（活性化エネルギーに変曲点があり、低温
で反応が遅く、高温で反応が早い）硬化促進剤を用い
る。Ｃ成分の硬化促進剤を必須成分として用いる一つの
理由としては、上記１，８−ジアザビシクロ（５，４，
０）ウンデンセン−７を使用すると、成形する前に吸湿
した場合、硬化性が著しく低下してしまう為である。硬
化促進剤の配合割合は、好ましくはエポキシ樹脂１００
重量部に対して、０．１〜１０重量部である。
【００１３】本発明に用いるＤ成分の無機質充填剤は結
晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カル
シウム、炭酸カルシウム、又はこれらを球形化したビー
ズ等が挙げられ、１種以上用いることができる。充填剤
の配合量としては、成形性、熱膨張係数の低減、高温強
度向上の観点から６０〜９５ｖｏｌ％以上が好ましい。
晶シリカ、溶融シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カル
シウム、炭酸カルシウム、又はこれらを球形化したビー
ズ等が挙げられ、１種以上用いることができる。充填剤
の配合量としては、成形性、熱膨張係数の低減、高温強
度向上の観点から６０〜９５ｖｏｌ％以上が好ましい。
【００１４】その他の添加剤として高級脂肪酸、高級脂
肪金属塩、エステル系ワックス、ポリエチレン系ワック
ス等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、エポキシ
シラン、アミノシラン、ウレイドシランビニルシラン、
アルキルシラン、有機チタネート、アルミニウムアルコ
レート等のカップリング剤及び難燃剤等を用いることが
できる。
肪金属塩、エステル系ワックス、ポリエチレン系ワック
ス等の離型剤、カーボンブラック等の着色剤、エポキシ
シラン、アミノシラン、ウレイドシランビニルシラン、
アルキルシラン、有機チタネート、アルミニウムアルコ
レート等のカップリング剤及び難燃剤等を用いることが
できる。
【００１５】以上のような原材料を用いて樹脂組成物を
作製する一般的な方法としては、所定の配合量の原材料
をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロー
ル、押出機等によって混練し、冷却、粉砕することによ
って封止用樹脂組成物を得ることができる。
作製する一般的な方法としては、所定の配合量の原材料
をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロー
ル、押出機等によって混練し、冷却、粉砕することによ
って封止用樹脂組成物を得ることができる。
【００１６】本発明で得られる樹脂組成物を用いて電子
部品を封止する方法としては、低圧トランスファー成形
法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧
縮成形法によっても可能である。
部品を封止する方法としては、低圧トランスファー成形
法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧
縮成形法によっても可能である。
【００１７】
【効果】前記した樹脂組成物は、低吸水率、高接着で、
高温時での曲げ強度や歪みが高く、この樹脂組成物を用
いて封止した半導体装置は、含有する水分が少なく、更
にインサートとの密着性が高くなり、はんだ付け時のク
ラックが発生することなく、耐熱信頼性に優れた樹脂封
止型半導体装置を提供することができる。
高温時での曲げ強度や歪みが高く、この樹脂組成物を用
いて封止した半導体装置は、含有する水分が少なく、更
にインサートとの密着性が高くなり、はんだ付け時のク
ラックが発生することなく、耐熱信頼性に優れた樹脂封
止型半導体装置を提供することができる。
【００１８】
【実施例】以下実施例及び比較例によって具体的に本発
明を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定
されるものではない。まず、表１に示す重量部で配合し
予備混合（ドライブレンド）した後、１０インチ径の二
軸加熱ロールを使用して、混練温度８０〜９０℃、混練
時間７〜１０分の条件で混練し、冷却後、粉砕後微粒化
して得た封止用樹脂組成物を用いた。
明を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定
されるものではない。まず、表１に示す重量部で配合し
予備混合（ドライブレンド）した後、１０インチ径の二
軸加熱ロールを使用して、混練温度８０〜９０℃、混練
時間７〜１０分の条件で混練し、冷却後、粉砕後微粒化
して得た封止用樹脂組成物を用いた。
【００１９】実施例１〜４、比較例１〜６ この封止用樹脂組成物を用い、トランスファー成形機
で、金型温度１８０℃、成形圧力７０ｋｇｆ／ｃｍ2 、
硬化時間９０秒の条件で成形した。スパイラルフロー
（ＳＦ）は、ＥＭＭＩ１−６６に準じて測定した。吸湿
後の硬化性については、封止用樹脂組成物を２５℃、５
０％ＲＨ雰囲気中に２４時間放置後、上記と同様にスパ
イラルフロー測定時カル部の硬化状態を見た。表２にお
いて、○印は、吸湿後の硬化性が良好、×印は不良であ
ることを示す。Ａ１ピール接着力は、厚み約０．０３ｍ
ｍのアルミホイル上に幅１０ｍｍの成形品を上記の条件
で成形し、更に１７５℃、５時間後硬化を行ったものに
ついて、アルミ箔と成形品の密着力を測定した。曲げ弾
性率、曲げ強さ、歪みは、１２７×１２．７×４ｍｍの
試験片を上記の条件で成形し、更に後硬化を行ったもの
について、オートグラフ（島津製作所製）を用いて、三
点支持の曲げ試験を２０℃及び２１５℃で行った。吸湿
率はφ５０×３ｍｍの円板を上記の条件で成形し、更に
後硬化を行ったものについてＰＣＴ（１２１℃、２ａｔ
ｍ）２０時間後の重量変化から測定した。また、封止用
樹脂組成物を用いて、半導体素子をトランスファー成形
機で同様の条件で成形し、後硬化（１７５℃／５時間）
後はんだ付け時の耐熱性と耐熱信頼性を測定した。はん
だ付け時の耐熱性に用いた半導体装置ＱＦＰ８０ピン
は、外形寸法が２０×１４×２（ｍｍ）のフラットパッ
ケージであり、８×１４×０．４（ｍｍ）の素子を搭載
した８０ピン、４２アロイリードのものである。試験条
件は、８５℃／８５％ＲＨで所定時間加湿した後、２１
５℃のベーパーフェーズリフロー炉において９０秒加熱
する。評価は外観を顕微鏡にて観察し、パッケージクラ
ックの有無を判定することにより行った。耐湿信頼性に
用いた半導体装置ＤＩＰ１６ピンは、外形寸法が６．３
×１９．５×３．８（ｍｍ）であり、リードフレームは
４２アロイ材で７．２×３．９（ｍｍ）のチップサイズ
を有するものである。（チップのデザインはＡ１１５μ
ｍ幅、ギャップ５μｍ、パッシベーションなし） このようにして得られた半導体装置について、１２５
℃、２４時間ベーキング後８５℃／８５％ＲＨで７２時
間加熱させた後、２１５℃のベーパーフェーズリフロー
炉において、９０秒加熱処理を行い、ＰＣＴ（１２１
℃、２ａｔｍ）の条件化で放置した時の半導体装置のＡ
１配線の腐食断線を導通試験を行うことにより求めた。
上記の各試験結果をまとめて表２に示す。表２より、実
施例の成形品は、低吸水率、高接着時での曲げ弾性率が
低く、高温時での曲げ強度や歪みが高く、これを用いて
封止した半導体装置は、はんだ付け時の耐熱性、耐湿信
頼性が良好であることが明白である。
で、金型温度１８０℃、成形圧力７０ｋｇｆ／ｃｍ2 、
硬化時間９０秒の条件で成形した。スパイラルフロー
（ＳＦ）は、ＥＭＭＩ１−６６に準じて測定した。吸湿
後の硬化性については、封止用樹脂組成物を２５℃、５
０％ＲＨ雰囲気中に２４時間放置後、上記と同様にスパ
イラルフロー測定時カル部の硬化状態を見た。表２にお
いて、○印は、吸湿後の硬化性が良好、×印は不良であ
ることを示す。Ａ１ピール接着力は、厚み約０．０３ｍ
ｍのアルミホイル上に幅１０ｍｍの成形品を上記の条件
で成形し、更に１７５℃、５時間後硬化を行ったものに
ついて、アルミ箔と成形品の密着力を測定した。曲げ弾
性率、曲げ強さ、歪みは、１２７×１２．７×４ｍｍの
試験片を上記の条件で成形し、更に後硬化を行ったもの
について、オートグラフ（島津製作所製）を用いて、三
点支持の曲げ試験を２０℃及び２１５℃で行った。吸湿
率はφ５０×３ｍｍの円板を上記の条件で成形し、更に
後硬化を行ったものについてＰＣＴ（１２１℃、２ａｔ
ｍ）２０時間後の重量変化から測定した。また、封止用
樹脂組成物を用いて、半導体素子をトランスファー成形
機で同様の条件で成形し、後硬化（１７５℃／５時間）
後はんだ付け時の耐熱性と耐熱信頼性を測定した。はん
だ付け時の耐熱性に用いた半導体装置ＱＦＰ８０ピン
は、外形寸法が２０×１４×２（ｍｍ）のフラットパッ
ケージであり、８×１４×０．４（ｍｍ）の素子を搭載
した８０ピン、４２アロイリードのものである。試験条
件は、８５℃／８５％ＲＨで所定時間加湿した後、２１
５℃のベーパーフェーズリフロー炉において９０秒加熱
する。評価は外観を顕微鏡にて観察し、パッケージクラ
ックの有無を判定することにより行った。耐湿信頼性に
用いた半導体装置ＤＩＰ１６ピンは、外形寸法が６．３
×１９．５×３．８（ｍｍ）であり、リードフレームは
４２アロイ材で７．２×３．９（ｍｍ）のチップサイズ
を有するものである。（チップのデザインはＡ１１５μ
ｍ幅、ギャップ５μｍ、パッシベーションなし） このようにして得られた半導体装置について、１２５
℃、２４時間ベーキング後８５℃／８５％ＲＨで７２時
間加熱させた後、２１５℃のベーパーフェーズリフロー
炉において、９０秒加熱処理を行い、ＰＣＴ（１２１
℃、２ａｔｍ）の条件化で放置した時の半導体装置のＡ
１配線の腐食断線を導通試験を行うことにより求めた。
上記の各試験結果をまとめて表２に示す。表２より、実
施例の成形品は、低吸水率、高接着時での曲げ弾性率が
低く、高温時での曲げ強度や歪みが高く、これを用いて
封止した半導体装置は、はんだ付け時の耐熱性、耐湿信
頼性が良好であることが明白である。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、はんだ付け時の耐熱性、耐湿信頼性に優れたもの
であり、従って該封止用樹脂封止組成物で封止した半導
体装置もはんだ付け時の耐熱性、耐湿信頼性に優れたも
のとなる。
物は、はんだ付け時の耐熱性、耐湿信頼性に優れたもの
であり、従って該封止用樹脂封止組成物で封止した半導
体装置もはんだ付け時の耐熱性、耐湿信頼性に優れたも
のとなる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】一般式（Ｉ）で示されるビフェニル型エポ
キシ樹脂（Ａ成分）、下記一般式（II）で示される水酸
基当量１３０〜１８０（ｇ／ｅｑ）軟化点７０〜１３０
（℃）のテルペン骨格を有するフェノール樹脂及び一般
式(III) で示されるアラルキル型フェノール樹脂及び一
般式（IV）で示されるクレゾールノボラック型フェノー
ル樹脂から選ばれる２種以上の硬化剤（Ｂ成分）、下記
一般式（Ｖ）で示される硬化促進剤（Ｃ成分）、無機質
充填材（Ｄ成分）を必須成分とし、前記無機質充填材を
樹脂組成物に対して６０〜９５ｖｏｌ％含有してなる半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 は、Ｈ基、ＣＨ3 基も
しくはＣ（ＣＨ3 ）3 基を示し、ｎは０〜３の整数を示
す。） 【化２】 （式中、ｍは０〜５の整数を示す。） 【化３】 （式中、ｌは０〜３０の整数を示す。） 【化４】 （式中、ｋは０以上の整数を示す。） 【化５】 - 【請求項２】請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物で封止した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11886395A JPH08311169A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11886395A JPH08311169A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08311169A true JPH08311169A (ja) | 1996-11-26 |
Family
ID=14747002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11886395A Pending JPH08311169A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08311169A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6194491B1 (en) * | 1997-10-03 | 2001-02-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Biphenyl epoxy resin, naphthalene-containing phenolic resin and accelerator triphenylphosphine/p-benzoquinone |
| CN1320019C (zh) * | 2002-10-03 | 2007-06-06 | 日本化药株式会社 | 光半导体密封用环氧树脂组合物 |
| JP2013249280A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Air Water Inc | フェノール系オリゴマー、その製法及び用途 |
-
1995
- 1995-05-18 JP JP11886395A patent/JPH08311169A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6194491B1 (en) * | 1997-10-03 | 2001-02-27 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Biphenyl epoxy resin, naphthalene-containing phenolic resin and accelerator triphenylphosphine/p-benzoquinone |
| CN1320019C (zh) * | 2002-10-03 | 2007-06-06 | 日本化药株式会社 | 光半导体密封用环氧树脂组合物 |
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