JP4524837B2 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線板や金属リードフレームの片面に半導体素子を搭載し、その搭載面側の実質的に片面のみを樹脂封止されたいわゆるエリア実装型半導体装置に適した半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の小型化、軽量化、高機能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々進み、又、半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、新規にエリア実装型半導体装置が開発され、従来構造の装置から移行し始めている。エリア実装型半導体装置としては、ボールグリッドアレイ（以下、ＢＧＡという）、あるいは更に小型化を追求したチップサイズパッケージ（以下、ＣＳＰという）等が代表的であるが、これらは従来のＱＦＰ、ＳＯＰ等に代表される表面実装型半導体装置では限界に近づいている多ピン化・高速化への要求に対応するために開発されたものである。構造としては、ビスマレイミド・トリアジン（以下、ＢＴという）樹脂／銅箔回路基板に代表される硬質回路基板、あるいはポリイミド樹脂フィルム／銅箔回路基板に代表されるフレキシブル回路基板の片面上に半導体素子を搭載し、その半導体素子搭載面、即ち基板の片面のみがエポキシ樹脂組成物等で成形・封止されている。又、基板の半導体素子搭載面の反対面には、半田ボールを２次元的に並列して形成し、半導体装置を実装する回路基板との接合を行うという特徴を有している。更に、半導体素子を搭載する基板としては、上記有機回路基板以外にもリードフレーム等の金属基板を用いる構造も開発されている。
【０００３】
これらエリア実装型半導体装置の構造は、基板の半導体素子搭載面のみをエポキシ樹脂組成物で封止し、半田ボール形成面側は封止しないという片面封止の形態をとっている。ごく希に、リードフレーム等の金属基板等では、半田ボール形成面でも数十μｍ程度の封止樹脂層が存在することもあるが、半導体素子搭載面では数百μｍから数ｍｍ程度の封止樹脂層が形成されるため、実質的に片面封止となっている。このため、有機基板や金属基板とエポキシ樹脂組成物の硬化物との間での熱膨張・熱収縮の不整合、あるいはエポキシ樹脂組成物の成形・硬化時の硬化収縮による影響で、これらの半導体装置では成形直後から反りが発生しやすい。
又、これらの半導体装置を実装する回路基板上に半田接合を行う場合、２００℃以上の加熱工程を経るが、この際にも半導体装置の反りが発生し、多数の半田ボールが平坦とならず、半導体装置を実装する回路基板から浮き上がってしまい、電気的接合の信頼性が低下する問題が起こる。
基板上の実質的に片面のみをエポキシ樹脂組成物で封止した半導体装置において、反りを低減するには、基板の線膨張係数とエポキシ樹脂組成物の硬化物の線膨張係数を近づけること、及びエポキシ樹脂組成物の成形・硬化時の硬化収縮量を小さくすることの二つの方法が重要である。
基板としては、有機基板では、ＢＴ樹脂やポリイミド樹脂のような高いガラス転移温度（以下、Ｔｇという）を有する樹脂が広く用いられており、これらはエポキシ樹脂組成物の成形温度である１７０℃近辺よりも高いＴｇを有する。従って、成形温度から室温までの冷却過程では有機基板の線膨張係数α１（以下、α１という）の領域のみで収縮するので、エポキシ樹脂組成物の硬化物もＴｇが高く、且つα１が有機基板と同じであり、更に硬化収縮量がゼロであれば反りはほぼゼロであると考えられる。このため、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂とトリフェノールメタン型フェノール樹脂との組合せによりＴｇを高くし、無機充填材の配合量でα１を合わせる手法が既に提案されている。
【０００４】
又、赤外線リフロー、ベーパーフェイズソルダリング、半田浸漬等の手段での半田処理による半田接合を行う場合、エポキシ樹脂組成物の硬化物並びに有機基板からの吸湿により半導体装置内部に存在する水分が高温で急激に気化することによる応力で半導体装置にクラックが発生したり、有機基板の半導体素子搭載面とエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面で剥離が発生することもあり、エポキシ樹脂組成物の硬化物の高強度化、低応力化、低吸湿化とともに、有機基板との高密着性も求められる。
従来のＢＧＡやＣＳＰ等のエリア実装型半導体装置には、反りの低減のためにトリフェノールメタン型エポキシ樹脂とトリフェノールメタン型フェノール樹脂を樹脂成分とするエポキシ樹脂組成物が用いられてきた。このエポキシ樹脂組成物は、Ｔｇが高く、硬化性、熱時曲げ強度に優れた特性を有しているが、硬化物の吸湿率が高く、又、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が比較的高く、無機充填材の高充填化には限界があり、低吸湿化が不十分で、耐半田クラック性には問題があった。
一方、従来のＱＦＰやＳＯＰ等の表面実装型半導体装置では、半田実装時のクラックや各素材界面での剥離の防止のために、ビフェニル型エポキシ樹脂に代表されるような結晶性エポキシ樹脂を使用しているが、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物と比較して熱時曲げ強度が低く、且つ硬化が遅いのが問題であった。
そこで、反りが小さく、硬化性、熱時曲げ強度に優れ、且つ低吸湿性、耐半田クラック性に優れるエポキシ樹脂組成物を得るため、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂と結晶性エポキシ樹脂の特徴を生かすべく、エポキシ樹脂組成物の製造時に両方のエポキシ樹脂を適正量併用したり、予め両方のエポキシ樹脂を溶融混合したものを用いても、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂を用いた時の反りが小さく、硬化性、熱時曲げ強度に優れるという特徴と、結晶性エポキシ樹脂を用いた時の低吸湿性、耐半田クラック性に優れるという特徴を両立することはできておらず、不十分であった。
【０００５】
又、これらのエポキシ樹脂組成物中には、難燃性を確保するために難燃剤としてハロゲン系難燃剤とアンチモン系難燃剤が配合されている。ところが、環境・衛生の点からハロゲン系難燃剤、アンチモン系難燃剤を使用しない難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物の開発が要求されている。
この要求に対して、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等の水酸化物、硼素系化合物が検討されてきたが、多量に配合しないと難燃性の効果が発現しせず、又、不純物が多く耐湿性に問題があることから実用化されていない。
又、赤燐系の難燃剤は、少量の添加で効果があり、エポキシ樹脂組成物の難燃化に有用であるが、赤燐は微量の水分と反応し、フォスフィンや腐食性の燐酸を生じるため耐湿性に問題があり、耐湿性に対する要求が極めて厳しい半導体封止用エポキシ樹脂組成物には使用できない。このため、赤燐粒子を水酸化アルミニウム、金属酸化物、その他無機化合物、熱硬化性樹脂等の有機化合物で被膜し、赤燐の安定化をはかっているが、依然、耐湿性に問題があり、難燃性・耐湿性が両立し、難燃剤を使用しないエポキシ樹脂組成物がないのが実状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、成形後や半田処理時の反りが小さく、耐半田クラック性に優れ、且つ難燃性に優れるエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
［１］ （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に３０〜１００重量％含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるナフトールアラルキル樹脂を総樹脂硬化剤中に３０〜１００重量％含む樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、総エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対する総樹脂硬化剤中のフェノール性水酸基数の比が０．９を越え２．０以下であり、無機充填材の含有量が、総エポキシ樹脂と総樹脂硬化剤の合計量１００重量部当たり２５０〜１４００重量部であり、硬化促進剤の含有量が、総エポキシ樹脂と総樹脂硬化剤の合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部であることを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【化３】

（ｎは平均値で１〜１０の正数）
【０００８】
【化４】

（ｎは平均値で１〜７の正数）
［２］ 第［１］項記載の組成物に、（Ｅ）難燃剤を配合してなることを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［３］ （Ｅ）難燃剤が、総ポキシ樹脂組成物中に０．０５〜１０重量％である第［２］項記載のエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［４］ 基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが第［１］〜［３］項記載のいずれかのエポキシ樹脂組成物によって封止されていることを特徴とする半導体装置、
を提供するものであり、エリア実装型半導体装置での成形後や半田処理時の反りが小さく、耐半田クラック性に優れ、且つ難燃性に優れる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明者は、エポキシ樹脂組成物において、特定のエポキシ樹脂と特定の樹脂硬化剤との組合せが、低硬化収縮性、耐湿信頼性、難燃性に優れることを見出した。本発明のエポキシ樹脂とは、分子中にビフェニル骨格を含むノボラック構造のエポキシ樹脂のことであり、本発明の樹脂硬化剤とは、分子中にα−ナフトール骨格を含むノボラック構造のフェノール樹脂（以下、ナフトールアラルキル樹脂という）のことである。エポキシ樹脂、フェノール樹脂にビフェニル骨格やα−ナフトール骨格のような芳香族環が含まれると、分子間の結合エネルギーが大きくなり、燃焼による分解が起こりにくくなるため難燃性が発現する。エポキシ樹脂、フェノール樹脂の分子中の芳香族環数は多い方、即ち、ナフタレンよりアントラセンの方が燃えにくくなり難燃性は向上するが、軟化点が高くなり過ぎ、流動性の問題があり、ビフェニル骨格、α−ナフトール骨格が難燃性と流動性のバランスが良く最適である。
【００１０】
又、本発明のエポキシ樹脂、ナフトールアラルキル樹脂は、疎水性の芳香族環を有していることと、架橋間距離が汎用のエポキシ樹脂（オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等）やフェノール樹脂（フェノールノボラック樹脂等）と比較して大きいために、吸湿率が比較的低く、従って、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置は、実装時の半田処理下でも高い信頼性を得ることができる。
【００１１】
本発明で用いる一般式（１）で示されるエポキシ樹脂は、分子中にビフェニル誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂であり、例えば、フェノールとビスメチレンビフェノール類をフリーデル・クラフツ・アルキル化反応させて得られたフェノール樹脂をグリシジルエーテル化させて得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。
一般式（１）中のｎは、平均値で１〜１０の正数が好ましい。１未満だと硬化後の特性、例えば低吸湿性や難燃性等が十分に表れず好ましくない。１０を越えるとトランスファー成形時での流動性が低下し、成形性が劣化する傾向があるので好ましくない。
含有量としては、総エポキシ樹脂中に３０〜１００重量％が好ましく、特に５０〜１００重量％が好ましい。３０重量％未満だと難燃性が不十分なので好ましくない。
又、一般式（１）のエポキシ樹脂の特性を損なわない範囲で、他のエポキシ樹脂を併用できる。併用できるエポキシ樹脂としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ヒドロキノン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
【００１２】
本発明で用いる一般式（２）で示されるナフトールアラルキル樹脂は、剛直なα−ナフトール骨格を１分子中少なくとも２個以上有するため、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿率が低くなるという特徴を有している。更に、β−ナフトール骨格を有する樹脂硬化剤と比較して、硬化時のエポキシ樹脂組成物の硬化収縮量が小さく、接着強度の低下あるいは硬化物のＴｇの低下等が生じにくいという特徴を有している。
一般式（２）中のｎは、平均値で１〜７の正数が好ましい。１未満だと反応性が十分でなく、硬化性に劣るためので好ましくない。７を越えるとトランスファー成形時での流動性が低下し、成形性が劣化する傾向があるので好ましくない。
含有量としては、総樹脂硬化剤中に３０〜１００重量％が好ましく、特に５０〜１００重量％が好ましい。３０重量％未満だと低吸湿性及び難燃性が不十分なので好ましくない。
又、一般式（２）のナフトールアラルキル樹脂の特性を損なわない範囲で、他の樹脂硬化剤を併用できる。併用できる樹脂硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン化合物等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
【００１３】
特に、一般式（１）で示されるエポキシ樹脂が総エポキシ樹脂中に５０重量％以上、かつ一般式（２）のナフトールアラルキル樹脂が総樹脂硬化剤中に５０重量％以上であれば、難燃剤を配合しなくてもＶ−０レベルの難燃性を得ることが可能となるので好ましい。又、難燃剤を添加する場合でも、極少量で効果を発揮することができるため、硬化性や耐湿性を低下させずに十分な難燃性を得ることができる。この場合、難燃剤は総ポキシ樹脂組成物中に１０重量％以下が好ましい。１０重量％を越えると、硬化性や耐湿性等が低下してしまい、好ましくない。
総エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対する総樹脂硬化剤中のフェノール性水酸基数の比としては、０．９を越え２．０以下が好ましく、特に好ましくは１〜１．５である。０．９以下であっても、２．０を越えても、エポキシ樹脂組成物の硬化性の低下、あるいは硬化物のＴｇの低下等が生じるので好ましくない。
【００１４】
本発明で用いる無機充填材の種類については特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使用することができる。例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が挙げられ、特に溶融球状シリカが好ましい。球状シリカの形状としては、流動性改善のために限りなく真球状であり、且つ粒度分布がブロードであることが好ましい。
含有量としては、成形性と信頼性のバランスから、総エポキシ樹脂と総樹脂硬化剤の合計量１００重量部当たり２５０〜１４００重量部が好ましい。２５０重量部未満だと難燃性が得られず、１４００重量部を越えると成形性の問題が生じ好ましくない。
本発明の無機充填材は、予め十分に混合しておくことが好ましい。又、必要に応じて、無機充填材をカップリング剤やエポキシ樹脂あるいは樹脂硬化剤で予め処理して用いても良く、処理の方法としては、溶剤を用いて混合した後に溶媒を除去する方法や直接無機充填材に添加し、混合機を用いて処理する方法等がある。
【００１５】
本発明で用いる硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一般に封止材料に用いられているものを使用することができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィン、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。
含有量としては、総エポキシ樹脂と総樹脂硬化剤の合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部が好ましい。０．４重量部未満だと、加熱成形時に十分な硬化性が得られないおそれがある。一方、２０重量部を越えると、硬化が速すぎて成形時に流動性が低下し、充填不良等が生ずるおそれがある。
【００１６】
本発明で用いる難燃剤としては、例えば、臭素化エポキシ樹脂等のハロゲン系化合物、三酸化アンチモンや五酸化アンチモン等のアンチモン化合物、赤燐等のリン化合物、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等の水酸化物、硼素系化合物、シリコーン系化合物等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても良い。難燃剤の配合量としては、総ポキシ樹脂組成物中に０．０５〜１０重量％が好ましい。０．０５重量％未満だと、十分な難燃性が得られないおそれがある。一方、１０重量％を越えると、硬化性の不良や耐湿性の低下等が生ずる恐れがある。
【００１７】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分又は（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、必要に応じて酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力化成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合しても差し支えない。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分又は（Ａ）〜（Ｅ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、ロール、ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すればよい。特に、本発明のエポキシ樹脂組成物は、エリア実装型半導体装置用に適している。
【００１８】
【実施例】
以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。実施例及び比較例で用いたエポキシ樹脂、樹脂硬化剤の略号及び構造を、まとめて以下に示す。
・ エポキシ樹脂１：式（３）で示されるエポキシ樹脂（軟化点：５８℃、エポキシ当量：２７４ｇ／ｅｑ）
【化５】

【００１９】
・エポキシ樹脂２：式（４）で示される樹脂を主成分とするエポキシ樹脂（融点：１０５℃、エポキシ当量：１９１ｇ／ｅｑ）
【化６】

【００２０】
・エポキシ樹脂３：式（５）で示されるエポキシ樹脂（軟化点：５９℃、エポキシ当量：１７１ｇ／ｅｑ）
【化７】

【００２１】
・フェノール樹脂１：式（６）で示されるフェノール樹脂（軟化点：８７℃、水酸基当量：２１０ｇ／ｅｑ）
【化８】

【００２２】
・フェノール樹脂２：式（７）で示されるフェノール樹脂（軟化点：７９℃、水酸基当量：１９０ｇ／ｅｑ）
【化９】

【００２３】
・フェノール樹脂３：式（８）で示されるフェノール樹脂（軟化点：１１０℃、水酸基当量：９８ｇ／ｅｑ）
【化１０】

【００２４】
・フェノール樹脂４：式（９）で示されるフェノール樹脂（軟化点：７０℃、水酸基当量１７０ｇ／ｅｑ）
【化１１】

【００２５】

を、常温においてミキサーで混合し、７０〜１２０℃で２軸ロールを用いて混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００２６】
評価方法
・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で測定した。単位はｃｍ。
・硬化トルク：キュラストメータ（（株）オリエンテック・製、ＪＳＲキュラストメータＩＶＰＳ型）を用いて、金型温度１７５℃、加熱開始９０秒後のトルクを求めた。キュラストメータにおけるトルクは硬化性のパラメータであり、数値の大きい方が硬化性が良好である。単位はｋｇｆ・ｃｍ。
・吸湿率：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円盤を成形し、１７５℃、８時間で後硬化し、８５℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間放置し、重量変化を測定して吸湿率を求めた。単位は重量％。
・パッケージ反り量：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で２２５ｐＢＧＡ（基板は厚さ０．３６ｍｍ、ビスマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板、パッケージサイズは２４×２４ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ、シリコンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ、チップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の金線でボンディングしている。）を成形し、１７５℃、８時間で後硬化し、室温に冷却後、表面粗さ計を用いて、パッケージのゲート側から対角線方向に、高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。単位はμｍ。
・ 耐半田クラック性：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で２２５ｐＢＧＡ（基板は厚さ０．３６ｍｍ、ビスマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板、パッケージサイズは２４×２４ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ、シリコンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ、チップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の金線でボンディングしている。）を８個成形し、１７５℃、８時間で後硬化した。６０℃、相対湿度６０％で１２０時間、もしくは８５℃、相対湿度６０％で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー処理（２４０℃）を行った。処理後の内部の剥離、及びクラックの有無を超音波探傷機で観察し、不良パッケージの個数を数えた。不良パッケージの個数がｎ個であるとき、ｎ／８と表示する。
・ 難燃性：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で試験片（厚さ１．６ｍｍ）を成形し、ＵＬ−９４垂直試験に準じてＦmax、ΣFを測定し、Ｆmaxが１０秒以内、ΣFが５０秒以内のとき、難燃性をＶ−０と判定した。ただし、Ｆmaxはフレーミング時間の最大値（秒）、ΣFはフレーミング時間の合計（秒）である。
【００２７】
実施例２〜６、比較例１〜１１
表１、表２の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得て、実施例１と同様にして評価した。結果を表１、表２に示す。
なお、実施例３、比較例１に用いたオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂のエポキシ当量は１９６ｇ／ｅｑ、実施例４、比較例２に用いたフェノールノボラック樹脂の水酸基当量は１０４ｇ／ｅｑである。
【表１】

【００２８】
【表２】

【００２９】
【発明の効果】
本発明に従うと、エリア実装型半導体装置に適した半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体装置は、成形後や半田処理時の反りが小さく、耐半田クラック性に優れ、且つ難燃性に優れている。

Claims (4)

1. （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に５０〜１００重量％含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるナフトールアラルキル樹脂を総樹脂硬化剤中に５０〜１００重量％含む樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、総エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対する総樹脂硬化剤中のフェノール性水酸基数の比が０．９を越え２．０以下であり、無機充填材の含有量が、総エポキシ樹脂と総樹脂硬化剤の合計量１００重量部当たり２５０〜１４００重量部であり、硬化促進剤の含有量が、総エポキシ樹脂と総樹脂硬化剤の合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量部であることを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
   

   

   （ｎは平均値で１〜１０の正数）
   

   

   （ｎは平均値で１〜７の正数）
2. 請求項１記載の組成物に、（Ｅ）難燃剤を配合してなることを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
3. （Ｅ）難燃剤が、総ポキシ樹脂組成物中に０．０５〜１０重量％である請求項２記載のエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
4. 基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが請求項１〜３記載のいずれかのエポキシ樹脂組成物によって封止されていることを特徴とする半導体装置。