JPH08153831A - 半導体装置 - Google Patents
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】熱サイクルテスト特性および耐リフロークラッ
ク特性に優れ、しかも反りの発生が低減された信頼性に
優れた半導体装置を提供する。 【構成】半導体素子が搭載されたリード基板と、この半
導体素子搭載リード基板を樹脂封止した樹脂硬化体層と
を備えた半導体装置において、上記リード基板の樹脂封
止後の収縮量（Ｘ）と、上記樹脂硬化体層の収縮量
（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）を、０．８〜１．６の範囲に設定
する。
ク特性に優れ、しかも反りの発生が低減された信頼性に
優れた半導体装置を提供する。 【構成】半導体素子が搭載されたリード基板と、この半
導体素子搭載リード基板を樹脂封止した樹脂硬化体層と
を備えた半導体装置において、上記リード基板の樹脂封
止後の収縮量（Ｘ）と、上記樹脂硬化体層の収縮量
（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）を、０．８〜１．６の範囲に設定
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プリント配線板また
はヒートシンク（放熱板）等のリード基板に半導体素子
が搭載され、その搭載面である片面が封止された、ある
いはリード基板の上下の封止樹脂の厚みが異なる半導体
素子搭載済リード基板を封止してなる半導体装置であっ
て、樹脂封止後の半導体装置の反りが小さく、さらに、
熱サイクルテスト（ＴＣＴテスト）特性，耐リフローク
ラック性，耐湿信頼性，耐高温放置特性等の諸特性に優
れた半導体装置に関するものである。
はヒートシンク（放熱板）等のリード基板に半導体素子
が搭載され、その搭載面である片面が封止された、ある
いはリード基板の上下の封止樹脂の厚みが異なる半導体
素子搭載済リード基板を封止してなる半導体装置であっ
て、樹脂封止後の半導体装置の反りが小さく、さらに、
熱サイクルテスト（ＴＣＴテスト）特性，耐リフローク
ラック性，耐湿信頼性，耐高温放置特性等の諸特性に優
れた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】トランジスター，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体素子は、従来、セラミックパッケージ等によって封止
され半導体装置化されていた。が、最近では、コスト，
量産性の観点から、４方向フラットパッケージ（ＱＦ
Ｐ），スモールアウトラインＪリーデッドパッケージ
（ＳＯＪ），薄形スモールアウトラインパッケージ（Ｔ
ＳＯＰ）等に代表されるプラスチックパッケージを用い
た樹脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止に
は、従来からエポキシ樹脂組成物が使用されており良好
な成績を収めている。しかしながら、半導体分野の技術
革新によって集積度の向上とともに素子サイズの大形
化，配線の微細化が進み、パッケージも小形化，薄形化
する傾向にあり、これに伴って封止材料に対してより以
上の信頼性（得られる半導体装置の熱応力化の低減，耐
湿信頼性，熱衝撃試験に対する信頼性，大形薄形化する
パッケージの反りの問題等）の向上が要求されている。
特に、近年、半導体素子サイズは、益々大形化する傾向
にあり、半導体封止樹脂の性能評価用の加速試験である
ＴＣＴテストに対するより以上の性能向上が要求されて
いる。また、半導体装置の実装方法としては表面実装が
主流となってきており、このために半導体パッケージを
吸湿させたうえで半田溶融液に浸漬してもパッケージに
クラックや膨れが発生しないという特性（耐リフローク
ラック性）が要求されるとともに、この表面実装を想定
した半導体パッケージ吸湿後の半田溶融液浸漬後の信頼
性が要求されている。また、近年、半導体素子をプリン
ト配線板やヒートシンク等のリード基板に、直接、固定
し、半導体素子搭載面のみを樹脂封止した片面封止のパ
ッケージも量産されてきており、このようなパッケージ
に関しては、上記の要求特性以外にも、封止樹脂と、半
導体素子を固定したリード基板の収縮率の不一致等から
発生するパッケージの反りの低減も大きく要求されてい
る。上記片面封止のパッケージの具体例として、図１に
示すようなボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と通称され
るパッケージ形態の半導体装置があげられる。このパッ
ケージは、回路１が形成されたビスマレイミドトリアジ
ン（ＢＴ）基板２上に、接着剤層３を介して半導体素子
４が搭載され、上記半導体素子４が、樹脂硬化体層５に
よって封止されている。１０は半導体素子４と回路１と
を電気的に接続する金線である。この樹脂硬化体層５に
よる封止は、ＢＴ基板２の半導体素子４搭載面のみの封
止（片面封止）である。そして、上記ＢＴ基板２の封止
面と反対側の面に、略球状の半田端子６が設けられてい
る。さらに、上記ＢＧＡの他に、図２に示すように、リ
ードフレーム７上に接着剤層３を介して半導体素子４が
搭載され、この半導体素子４搭載部の略真下部分にヒー
トシンク（あるいは回路付きヒートシンク）８が上記リ
ードフレーム７と接触するよう配置され、これらが、リ
ードフレーム７のリード部先端を除き、ヒートシンク８
の片面が露出するよう樹脂硬化体層５ａで封止された半
導体装置があげられる。また、近年、これら片面封止タ
イプ以外に、つぎのような半導体装置も量産されてい
る。この半導体装置は、図３に示すように、リードフレ
ーム７上に接着剤層３を介して半導体素子４が搭載さ
れ、この半導体素子４搭載部の略真下部分にヒートシン
ク（あるいは回路付きヒートシンク）８が上記リードフ
レーム７と接触するよう配置されている。そして、これ
らが、リードフレーム７のリード部先端を除き、ヒート
シンク８を内蔵した形で樹脂硬化体層５ｂで封止されて
いる。上記図において、１０は半導体素子４とリードフ
レーム７とを電気的に接続する金線である。
体素子は、従来、セラミックパッケージ等によって封止
され半導体装置化されていた。が、最近では、コスト，
量産性の観点から、４方向フラットパッケージ（ＱＦ
Ｐ），スモールアウトラインＪリーデッドパッケージ
（ＳＯＪ），薄形スモールアウトラインパッケージ（Ｔ
ＳＯＰ）等に代表されるプラスチックパッケージを用い
た樹脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止に
は、従来からエポキシ樹脂組成物が使用されており良好
な成績を収めている。しかしながら、半導体分野の技術
革新によって集積度の向上とともに素子サイズの大形
化，配線の微細化が進み、パッケージも小形化，薄形化
する傾向にあり、これに伴って封止材料に対してより以
上の信頼性（得られる半導体装置の熱応力化の低減，耐
湿信頼性，熱衝撃試験に対する信頼性，大形薄形化する
パッケージの反りの問題等）の向上が要求されている。
特に、近年、半導体素子サイズは、益々大形化する傾向
にあり、半導体封止樹脂の性能評価用の加速試験である
ＴＣＴテストに対するより以上の性能向上が要求されて
いる。また、半導体装置の実装方法としては表面実装が
主流となってきており、このために半導体パッケージを
吸湿させたうえで半田溶融液に浸漬してもパッケージに
クラックや膨れが発生しないという特性（耐リフローク
ラック性）が要求されるとともに、この表面実装を想定
した半導体パッケージ吸湿後の半田溶融液浸漬後の信頼
性が要求されている。また、近年、半導体素子をプリン
ト配線板やヒートシンク等のリード基板に、直接、固定
し、半導体素子搭載面のみを樹脂封止した片面封止のパ
ッケージも量産されてきており、このようなパッケージ
に関しては、上記の要求特性以外にも、封止樹脂と、半
導体素子を固定したリード基板の収縮率の不一致等から
発生するパッケージの反りの低減も大きく要求されてい
る。上記片面封止のパッケージの具体例として、図１に
示すようなボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と通称され
るパッケージ形態の半導体装置があげられる。このパッ
ケージは、回路１が形成されたビスマレイミドトリアジ
ン（ＢＴ）基板２上に、接着剤層３を介して半導体素子
４が搭載され、上記半導体素子４が、樹脂硬化体層５に
よって封止されている。１０は半導体素子４と回路１と
を電気的に接続する金線である。この樹脂硬化体層５に
よる封止は、ＢＴ基板２の半導体素子４搭載面のみの封
止（片面封止）である。そして、上記ＢＴ基板２の封止
面と反対側の面に、略球状の半田端子６が設けられてい
る。さらに、上記ＢＧＡの他に、図２に示すように、リ
ードフレーム７上に接着剤層３を介して半導体素子４が
搭載され、この半導体素子４搭載部の略真下部分にヒー
トシンク（あるいは回路付きヒートシンク）８が上記リ
ードフレーム７と接触するよう配置され、これらが、リ
ードフレーム７のリード部先端を除き、ヒートシンク８
の片面が露出するよう樹脂硬化体層５ａで封止された半
導体装置があげられる。また、近年、これら片面封止タ
イプ以外に、つぎのような半導体装置も量産されてい
る。この半導体装置は、図３に示すように、リードフレ
ーム７上に接着剤層３を介して半導体素子４が搭載さ
れ、この半導体素子４搭載部の略真下部分にヒートシン
ク（あるいは回路付きヒートシンク）８が上記リードフ
レーム７と接触するよう配置されている。そして、これ
らが、リードフレーム７のリード部先端を除き、ヒート
シンク８を内蔵した形で樹脂硬化体層５ｂで封止されて
いる。上記図において、１０は半導体素子４とリードフ
レーム７とを電気的に接続する金線である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、上記片面
封止タイプの半導体装置およびヒートシンク内蔵型の半
導体装置は、前記ＴＣＴテスト特性や耐リフロークラッ
ク特性に加えてパッケージの反りの低減が要求されてい
る。このような要求特性に対して、例えば、封止材料の
シリコーン変性等による低弾性化や、フィラーの高配合
充填による封止樹脂の線収縮率の低減、あるいは吸湿率
の低減により、耐ＴＣＴテスト特性や耐リフロークラッ
ク性に関してはその特性を向上させる技術が提案されて
いる。しかしながら、上記パッケージの反りの低減に関
して、すなわち、反りが問題となるパッケージに関して
は、耐ＴＣＴテスト特性や耐リフロークラック性あるい
は耐湿信頼性等と、パッケージの反りの問題とを併せて
解決できる技術は未だ確立されていない。
封止タイプの半導体装置およびヒートシンク内蔵型の半
導体装置は、前記ＴＣＴテスト特性や耐リフロークラッ
ク特性に加えてパッケージの反りの低減が要求されてい
る。このような要求特性に対して、例えば、封止材料の
シリコーン変性等による低弾性化や、フィラーの高配合
充填による封止樹脂の線収縮率の低減、あるいは吸湿率
の低減により、耐ＴＣＴテスト特性や耐リフロークラッ
ク性に関してはその特性を向上させる技術が提案されて
いる。しかしながら、上記パッケージの反りの低減に関
して、すなわち、反りが問題となるパッケージに関して
は、耐ＴＣＴテスト特性や耐リフロークラック性あるい
は耐湿信頼性等と、パッケージの反りの問題とを併せて
解決できる技術は未だ確立されていない。
【０００４】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、ＴＣＴテスト特性および耐リフロークラック
特性に優れ、しかも反りの発生が低減された信頼性に優
れた半導体装置の提供をその目的とする。
たもので、ＴＣＴテスト特性および耐リフロークラック
特性に優れ、しかも反りの発生が低減された信頼性に優
れた半導体装置の提供をその目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、半導体素子が搭載された
リード基板と、この半導体素子搭載リード基板を樹脂封
止した樹脂硬化体層とを備えた半導体装置であって、上
記リード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、上記樹脂
硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）が、０．８〜
１．６の範囲に設定されているという構成をとる。
め、この発明の半導体装置は、半導体素子が搭載された
リード基板と、この半導体素子搭載リード基板を樹脂封
止した樹脂硬化体層とを備えた半導体装置であって、上
記リード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、上記樹脂
硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）が、０．８〜
１．６の範囲に設定されているという構成をとる。
【０００６】
【作用】本発明者らは、上記ＴＣＴテスト特性，耐リフ
ロークラック特性に加えて、反りの発生の低減を解決す
るために、半導体装置を構成するリード基板と樹脂硬化
体層との関係を中心に研究を重ねた。その結果、上記リ
ード基板と樹脂硬化体層の各物性のなかでも、特に、そ
れぞれの収縮量に着目し、両者の収縮量についてさらに
研究を重ねた。その結果、リード基板の収縮量、すなわ
ち、封止温度から室温（２５℃）まで冷却することによ
って生じる冷却収縮量（Ｘ）と、樹脂硬化体層の収縮
量、すなわち、封止工程で生じる硬化収縮量と後硬化を
含む硬化後に封止温度から室温（２５℃）まで冷却する
ことによって生じる冷却収縮量の和（Ｙ）の比（Ｙ／
Ｘ）を特定の値の範囲に設定すると、所期の目的を満た
した半導体装置が得られることを見出しこの発明に到達
した。この発明により、特に、高性能化が図れる片面封
止タイプおよびヒートシンク内蔵タイプの半導体装置に
対して高い信頼性を付与することが可能となる。
ロークラック特性に加えて、反りの発生の低減を解決す
るために、半導体装置を構成するリード基板と樹脂硬化
体層との関係を中心に研究を重ねた。その結果、上記リ
ード基板と樹脂硬化体層の各物性のなかでも、特に、そ
れぞれの収縮量に着目し、両者の収縮量についてさらに
研究を重ねた。その結果、リード基板の収縮量、すなわ
ち、封止温度から室温（２５℃）まで冷却することによ
って生じる冷却収縮量（Ｘ）と、樹脂硬化体層の収縮
量、すなわち、封止工程で生じる硬化収縮量と後硬化を
含む硬化後に封止温度から室温（２５℃）まで冷却する
ことによって生じる冷却収縮量の和（Ｙ）の比（Ｙ／
Ｘ）を特定の値の範囲に設定すると、所期の目的を満た
した半導体装置が得られることを見出しこの発明に到達
した。この発明により、特に、高性能化が図れる片面封
止タイプおよびヒートシンク内蔵タイプの半導体装置に
対して高い信頼性を付与することが可能となる。
【０００７】つぎに、この発明を詳しく説明する。
【０００８】この発明の半導体装置は、半導体素子を、
樹脂硬化体層で封止したものである。
樹脂硬化体層で封止したものである。
【０００９】この発明の対象となる半導体装置として
は、特に限定するものではないが、例えば、前述の図１
に示すようなＢＧＡタイプの半導体装置、および図２に
示すようなヒートシンク８の片面が露出した片面樹脂封
止の半導体装置があげられる。さらに、図３に示すよう
なヒートシンク内蔵型の半導体装置があげられる。ま
た、半導体素子が搭載されたリード基板全体を樹脂封止
した半導体装置において、半導体素子が搭載されたリー
ド基板側の樹脂硬化体層の厚みを１とした場合、素子が
搭載されていないリード基板側の樹脂硬化体層の厚みが
０．８以下である半導体装置に有用である。このよう
に、素子が搭載されていないリード基板側の樹脂硬化体
層の厚みが０．８以下であるような半導体装置は、厚み
のアンバランスに応じた応力のアンバランスにより発生
する反りが大きくなるという問題があり、この発明にお
いては、この問題点である反りの発生が低減され有効で
ある。
は、特に限定するものではないが、例えば、前述の図１
に示すようなＢＧＡタイプの半導体装置、および図２に
示すようなヒートシンク８の片面が露出した片面樹脂封
止の半導体装置があげられる。さらに、図３に示すよう
なヒートシンク内蔵型の半導体装置があげられる。ま
た、半導体素子が搭載されたリード基板全体を樹脂封止
した半導体装置において、半導体素子が搭載されたリー
ド基板側の樹脂硬化体層の厚みを１とした場合、素子が
搭載されていないリード基板側の樹脂硬化体層の厚みが
０．８以下である半導体装置に有用である。このよう
に、素子が搭載されていないリード基板側の樹脂硬化体
層の厚みが０．８以下であるような半導体装置は、厚み
のアンバランスに応じた応力のアンバランスにより発生
する反りが大きくなるという問題があり、この発明にお
いては、この問題点である反りの発生が低減され有効で
ある。
【００１０】上記リード基板としては、特に限定するも
のではなく従来公知のものがあげられる。例えば、ヒー
トシンク（回路形成済みヒートシンクを含む）や、表面
に金属配線が形成されたビスマレイミドトリアジン（Ｂ
Ｔ）基板等に代表される有機基板があげられる。また、
絶縁層を介して、下記に示す（Ａ）もしくは（Ｂ）から
なる金属箔層が形成されたリード基板があげられる。さ
らに、下記に示す（Ａ）もしくは（Ｂ）からなる回路配
線が形成されたリード基板があげられる。
のではなく従来公知のものがあげられる。例えば、ヒー
トシンク（回路形成済みヒートシンクを含む）や、表面
に金属配線が形成されたビスマレイミドトリアジン（Ｂ
Ｔ）基板等に代表される有機基板があげられる。また、
絶縁層を介して、下記に示す（Ａ）もしくは（Ｂ）から
なる金属箔層が形成されたリード基板があげられる。さ
らに、下記に示す（Ａ）もしくは（Ｂ）からなる回路配
線が形成されたリード基板があげられる。
【００１１】（Ａ）銅または銅を主体とした銅合金。 （Ｂ）アルミニウムまたはアルミニウムを主体としたア
ルミニウム合金。
ルミニウム合金。
【００１２】上記（Ａ）のなかの銅合金としては、例え
ば、主成分の銅の他に、Ｓｎ，Ｎｉ，Ｐ，Ｚｎ，Ｃｒ，
Ｓｉ，Ｆｅ，Ｚｒ等を必要に応じて添加した合金等があ
げられる。
ば、主成分の銅の他に、Ｓｎ，Ｎｉ，Ｐ，Ｚｎ，Ｃｒ，
Ｓｉ，Ｆｅ，Ｚｒ等を必要に応じて添加した合金等があ
げられる。
【００１３】上記（Ｂ）のなかのアルミニウム合金とし
ては、例えば、主成分のアルミニウムの他に、Ｓｉ，Ｃ
ｕ，Ｍｇ等の合金等があげられる。
ては、例えば、主成分のアルミニウムの他に、Ｓｉ，Ｃ
ｕ，Ｍｇ等の合金等があげられる。
【００１４】そして、上記リード基板においては、その
封止温度から室温（２５℃）までの収縮量が０．１５〜
０．２５％であるリード基板を用いることが好ましい。
すなわち、上記収縮量が０．１５％未満では、封止樹脂
自体の収縮が相対的に大きくなり、パッケージの反りの
発生が大きくなる。０．２５％を超えると、封止樹脂自
体の収縮より基板の収縮が大きくなりすぎてパッケージ
の反りが大きくなる傾向がみられるからである。
封止温度から室温（２５℃）までの収縮量が０．１５〜
０．２５％であるリード基板を用いることが好ましい。
すなわち、上記収縮量が０．１５％未満では、封止樹脂
自体の収縮が相対的に大きくなり、パッケージの反りの
発生が大きくなる。０．２５％を超えると、封止樹脂自
体の収縮より基板の収縮が大きくなりすぎてパッケージ
の反りが大きくなる傾向がみられるからである。
【００１５】この発明の半導体装置において、樹脂硬化
体層形成材料として用いられる封止用樹脂組成物として
は、特に限定するものではなく従来公知の封止材料が用
いられる。このような、封止材料としては、常温で固形
であっても、また液状であってもよい。例えば、エポキ
シ樹脂系，イミド系等があげられる。なかでも、エポキ
シ樹脂およびフェノール樹脂を主成分とする熱硬化性樹
脂組成物を用いることが好ましい。特に、後硬化（アフ
ターキュア）後の樹脂硬化体層が、粘弾性スペクトルメ
ータ（セイコウ社製、ＤＭＳ２１０、測定条件−昇温速
度：５℃／ｍｉｎ，周波数：１０Ｈｚ，測定モード：テ
ンション法）で測定される封止材料の粘性特性を示すｔ
ａｎδの値が、ピーク値で０．１〜１．０の範囲のもの
を用いることが好ましい。すなわち、上記ｔａｎδの値
が０．１〜１．０の範囲内の封止材料を用いることによ
り、封止，アフターキュア，冷却の間で、封止樹脂と基
板（半導体チップを搭載した基板）との間に、収縮の歪
みが生じたときに、封止樹脂に応力緩和作用が働き、パ
ッケージの反りを効果的に低減してくれるからである。
体層形成材料として用いられる封止用樹脂組成物として
は、特に限定するものではなく従来公知の封止材料が用
いられる。このような、封止材料としては、常温で固形
であっても、また液状であってもよい。例えば、エポキ
シ樹脂系，イミド系等があげられる。なかでも、エポキ
シ樹脂およびフェノール樹脂を主成分とする熱硬化性樹
脂組成物を用いることが好ましい。特に、後硬化（アフ
ターキュア）後の樹脂硬化体層が、粘弾性スペクトルメ
ータ（セイコウ社製、ＤＭＳ２１０、測定条件−昇温速
度：５℃／ｍｉｎ，周波数：１０Ｈｚ，測定モード：テ
ンション法）で測定される封止材料の粘性特性を示すｔ
ａｎδの値が、ピーク値で０．１〜１．０の範囲のもの
を用いることが好ましい。すなわち、上記ｔａｎδの値
が０．１〜１．０の範囲内の封止材料を用いることによ
り、封止，アフターキュア，冷却の間で、封止樹脂と基
板（半導体チップを搭載した基板）との間に、収縮の歪
みが生じたときに、封止樹脂に応力緩和作用が働き、パ
ッケージの反りを効果的に低減してくれるからである。
【００１６】上記熱硬化性樹脂組成物としては、エポキ
シ樹脂およびフェノール樹脂を主成分とし、これに無機
質充填剤を配合したものがあげられる。このような配合
の封止材料は、通常、粉末状、もしくはこれを打錠した
タブレット状になっている。
シ樹脂およびフェノール樹脂を主成分とし、これに無機
質充填剤を配合したものがあげられる。このような配合
の封止材料は、通常、粉末状、もしくはこれを打錠した
タブレット状になっている。
【００１７】上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂，フェノールノボラック型
エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エポキシ樹脂，
ビフェニル型エポキシ樹脂等があげられる。そして、通
常、エポキシ当量１００〜３００ｇ／ｅｑ、軟化点５０
〜１６０℃、１５０℃のＩ．Ｃ．Ｉコーニプレート粘度
〔Research Equipment（London）社製〕が０．０１〜２
０ポイズの範囲のものを用いるのが好ましい。さらに、
上記エポキシ樹脂の他に、例えば下記の一般式（１），
式（２），式（３），式（４），式（５），式（６）で
表されるエポキシ樹脂があげられる。
フェノールＡ型エポキシ樹脂，フェノールノボラック型
エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エポキシ樹脂，
ビフェニル型エポキシ樹脂等があげられる。そして、通
常、エポキシ当量１００〜３００ｇ／ｅｑ、軟化点５０
〜１６０℃、１５０℃のＩ．Ｃ．Ｉコーニプレート粘度
〔Research Equipment（London）社製〕が０．０１〜２
０ポイズの範囲のものを用いるのが好ましい。さらに、
上記エポキシ樹脂の他に、例えば下記の一般式（１），
式（２），式（３），式（４），式（５），式（６）で
表されるエポキシ樹脂があげられる。
【００１８】
【化１】
【００１９】
【化２】
【００２０】
【化３】
【００２１】
【化４】
【００２２】
【化５】
【００２３】
【化６】
【００２４】これらエポキシ樹脂のなかでも、一般式
（４），式（５）および式（６）で表されるエポキシ樹
脂を用いることは、特にそれ自身の高温での溶融粘度の
低さから、複合して用いる球状シリカを主体とする無機
質充填剤の配合量を相対的に多くすることを可能とす
る。したがって、得られる樹脂硬化体層の収縮量の低減
や吸湿量の低減がより広範囲にすることができ好まし
い。これらエポキシ樹脂は単独でもしくは２種以上併せ
て用いられる。
（４），式（５）および式（６）で表されるエポキシ樹
脂を用いることは、特にそれ自身の高温での溶融粘度の
低さから、複合して用いる球状シリカを主体とする無機
質充填剤の配合量を相対的に多くすることを可能とす
る。したがって、得られる樹脂硬化体層の収縮量の低減
や吸湿量の低減がより広範囲にすることができ好まし
い。これらエポキシ樹脂は単独でもしくは２種以上併せ
て用いられる。
【００２５】上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用する
フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラッ
ク樹脂，クレゾールノボラック樹脂，ナフトールノボラ
ック樹脂等があげられる。これらフェノール樹脂は、一
般に、軟化点が４０〜１２０℃、水酸基当量が７０〜２
８０ｇ／ｅｑ、１５０℃のＩ．Ｃ．Ｉコーニプレート粘
度が０．０１〜２０ポイズである。なかでも、軟化点が
５０〜９０℃、水酸基当量が１００〜２２０ｇ／ｅｑ、
１５０℃のＩ．Ｃ．Ｉコーニプレート粘度が０．１〜１
０ポイズの範囲のものが好ましい。例えば、下記の一般
式（７），式（８），式（９），式（１０），式（１
１）で表されるフェノール樹脂があげられる。
フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラッ
ク樹脂，クレゾールノボラック樹脂，ナフトールノボラ
ック樹脂等があげられる。これらフェノール樹脂は、一
般に、軟化点が４０〜１２０℃、水酸基当量が７０〜２
８０ｇ／ｅｑ、１５０℃のＩ．Ｃ．Ｉコーニプレート粘
度が０．０１〜２０ポイズである。なかでも、軟化点が
５０〜９０℃、水酸基当量が１００〜２２０ｇ／ｅｑ、
１５０℃のＩ．Ｃ．Ｉコーニプレート粘度が０．１〜１
０ポイズの範囲のものが好ましい。例えば、下記の一般
式（７），式（８），式（９），式（１０），式（１
１）で表されるフェノール樹脂があげられる。
【００２６】
【化７】
【００２７】
【化８】
【００２８】
【化９】
【００２９】
【化１０】
【００３０】
【化１１】
【００３１】そして、上記エポキシ樹脂とフェノール樹
脂の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に
対してフェノール樹脂中の水酸基を０．８〜１．２当量
となるよう配合することが好ましい。特に好ましくは
０．９〜１．１である。
脂の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に
対してフェノール樹脂中の水酸基を０．８〜１．２当量
となるよう配合することが好ましい。特に好ましくは
０．９〜１．１である。
【００３２】上記エポキシ樹脂およびフェノール樹脂と
ともに用いる無機質充填剤は、特に限定するものではな
いが、球状シリカを主体とする無機質充填剤を用いるこ
とがこの発明の目的を達成するという観点から好まし
い。無機質充填剤の配合量は、目的とする半導体装置の
反り低減のために封止材料の成形および後硬化で生じる
収縮量の低減を考慮しなければならず、封止材料全体の
５０重量％以上に設定することが好ましく、より好まし
くは７５重量％である。また、封止材料が、加熱された
成形型内で溶融流動してトランスファー成形可能とする
ためには、封止材料全体の９５重量％以下に設定するこ
とが好ましい。
ともに用いる無機質充填剤は、特に限定するものではな
いが、球状シリカを主体とする無機質充填剤を用いるこ
とがこの発明の目的を達成するという観点から好まし
い。無機質充填剤の配合量は、目的とする半導体装置の
反り低減のために封止材料の成形および後硬化で生じる
収縮量の低減を考慮しなければならず、封止材料全体の
５０重量％以上に設定することが好ましく、より好まし
くは７５重量％である。また、封止材料が、加熱された
成形型内で溶融流動してトランスファー成形可能とする
ためには、封止材料全体の９５重量％以下に設定するこ
とが好ましい。
【００３３】上記球状シリカは、例えば、化学合成から
得られるより真球に近い合成球状シリカ、あるいは、天
然の結晶シリカの粉砕物、または一旦熱処理を施した
後、粉砕した非結晶粉砕状シリカから溶射等で得られる
球状シリカである。この球状シリカは、無機質充填剤全
体の５０重量％以上含有するよう設定することが好まし
い。すなわち、球状シリカの含有割合が５０重量％未満
では、封止材料の溶融粘度の上昇につながり、上記無機
質充填剤の配合割合が封止材料全体の７５〜９０重量％
を達成することが困難となる。そして、上記球状シリカ
を主体とする無機質充填剤の球状シリカ以外に用いる無
機質充填剤としては、破砕状シリカ，熱伝導性の向上を
目的として配合する球状アルミナや無定形アルミナ，炭
酸カルシウム等があげられる。
得られるより真球に近い合成球状シリカ、あるいは、天
然の結晶シリカの粉砕物、または一旦熱処理を施した
後、粉砕した非結晶粉砕状シリカから溶射等で得られる
球状シリカである。この球状シリカは、無機質充填剤全
体の５０重量％以上含有するよう設定することが好まし
い。すなわち、球状シリカの含有割合が５０重量％未満
では、封止材料の溶融粘度の上昇につながり、上記無機
質充填剤の配合割合が封止材料全体の７５〜９０重量％
を達成することが困難となる。そして、上記球状シリカ
を主体とする無機質充填剤の球状シリカ以外に用いる無
機質充填剤としては、破砕状シリカ，熱伝導性の向上を
目的として配合する球状アルミナや無定形アルミナ，炭
酸カルシウム等があげられる。
【００３４】さらに、封止材料には、上記エポキシ樹
脂，フェノール樹脂および無機質充填剤以外に、必要に
応じて、低応力化剤，硬化促進剤等を適宜に配合するこ
とができる。
脂，フェノール樹脂および無機質充填剤以外に、必要に
応じて、低応力化剤，硬化促進剤等を適宜に配合するこ
とができる。
【００３５】上記低応力化剤としては、シリコーンゴム
やオレフィンゴム等があげられる。この低応力化剤は、
そのまま各成分とともに配合するか、もしくは上記エポ
キシ樹脂，フェノール樹脂と予め反応させて低応力変性
して用いられる。
やオレフィンゴム等があげられる。この低応力化剤は、
そのまま各成分とともに配合するか、もしくは上記エポ
キシ樹脂，フェノール樹脂と予め反応させて低応力変性
して用いられる。
【００３６】上記硬化促進剤としては、特に限定するも
ではなく従来公知のもの、例えば、三級アミン，四級ア
ンモニウム塩，イミダゾール類，ホウ素化合物，リン系
化合物等があげられる。これらは単独でもしくは２種以
上併せて用いられる。なかでも、リン系化合物が好適に
用いられ、特にトリフェニルホスフィンが好ましい。
ではなく従来公知のもの、例えば、三級アミン，四級ア
ンモニウム塩，イミダゾール類，ホウ素化合物，リン系
化合物等があげられる。これらは単独でもしくは２種以
上併せて用いられる。なかでも、リン系化合物が好適に
用いられ、特にトリフェニルホスフィンが好ましい。
【００３７】さらに、上記添加剤以外に、三酸化アンチ
モンやリン系化合物等の難燃剤、カーボンブラックや酸
化チタン等の顔料、パラフィンや脂肪族エステル等の離
型剤、粘着付与等のためのシランカップリング剤等のカ
ップリング剤を用いることができる。
モンやリン系化合物等の難燃剤、カーボンブラックや酸
化チタン等の顔料、パラフィンや脂肪族エステル等の離
型剤、粘着付与等のためのシランカップリング剤等のカ
ップリング剤を用いることができる。
【００３８】上記封止材料であるエポキシ樹脂組成物
は、例えば、エポキシ樹脂，フェノール樹脂および無機
質充填剤、そして必要に応じて低応力化剤，硬化促進
剤，難燃剤，顔料，離型剤，カップリング剤等を所定の
割合で配合する。ついで、これら混合物を、ミキシング
ロール機，単軸押出機あるいは二軸押出機等の装置で加
熱溶融混合する。ついで、冷却した後、公知の方法で粉
砕し、さらに必要に応じてタブレット状に打錠すること
により製造することができる。
は、例えば、エポキシ樹脂，フェノール樹脂および無機
質充填剤、そして必要に応じて低応力化剤，硬化促進
剤，難燃剤，顔料，離型剤，カップリング剤等を所定の
割合で配合する。ついで、これら混合物を、ミキシング
ロール機，単軸押出機あるいは二軸押出機等の装置で加
熱溶融混合する。ついで、冷却した後、公知の方法で粉
砕し、さらに必要に応じてタブレット状に打錠すること
により製造することができる。
【００３９】このエポキシ樹脂組成物は、有機樹脂成分
が、全体の５〜３５重量％であることが好ましく、特に
好ましくは７〜２０重量％である。すなわち、有機樹脂
成分が５重量％未満では、流動特性が著しく低下し、３
５重量％を超えると、素子への応力緩和能力不足により
素子に悪影響を与える傾向にあるからである。なお、上
記有機樹脂成分とは、例えば、エポキシ樹脂組成物の場
合、主成分であるエポキシ樹脂およびフェノール樹脂に
加えて、硬化促進剤，離型剤，シランカップリング剤，
顔料，難燃剤，低応力化剤等のものをいう。
が、全体の５〜３５重量％であることが好ましく、特に
好ましくは７〜２０重量％である。すなわち、有機樹脂
成分が５重量％未満では、流動特性が著しく低下し、３
５重量％を超えると、素子への応力緩和能力不足により
素子に悪影響を与える傾向にあるからである。なお、上
記有機樹脂成分とは、例えば、エポキシ樹脂組成物の場
合、主成分であるエポキシ樹脂およびフェノール樹脂に
加えて、硬化促進剤，離型剤，シランカップリング剤，
顔料，難燃剤，低応力化剤等のものをいう。
【００４０】つぎに、この封止用エポキシ樹脂組成物を
用いて、リード基板上に搭載された半導体素子を封止す
る方法は、特に制限するものではなく、通常のトランス
ファー成形等の公知のモールド方法によって行うことが
できる。このようにして、この発明の半導体装置を作製
することができる。
用いて、リード基板上に搭載された半導体素子を封止す
る方法は、特に制限するものではなく、通常のトランス
ファー成形等の公知のモールド方法によって行うことが
できる。このようにして、この発明の半導体装置を作製
することができる。
【００４１】上記トランスファー成形は、１５０〜２５
０℃の間の封止温度で行うことが好ましい。すなわち、
２５０℃を超えた高温で樹脂封止を行うと、樹脂組成物
中の有機成分の劣化が生じる傾向がみられるからであ
る。
０℃の間の封止温度で行うことが好ましい。すなわち、
２５０℃を超えた高温で樹脂封止を行うと、樹脂組成物
中の有機成分の劣化が生じる傾向がみられるからであ
る。
【００４２】そして、この発明の半導体装置において、
上記リード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、上記樹
脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）は、０．８〜
１．６の範囲に設定される。特に好ましくはＹ／Ｘ＝
０．９〜１．３である。すなわち、両者の収縮量の比
（Ｙ／Ｘ）が１．６を超えると、パッケージの反りが極
度に大きくなるからである。
上記リード基板の樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、上記樹
脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）は、０．８〜
１．６の範囲に設定される。特に好ましくはＹ／Ｘ＝
０．９〜１．３である。すなわち、両者の収縮量の比
（Ｙ／Ｘ）が１．６を超えると、パッケージの反りが極
度に大きくなるからである。
【００４３】なお、上記収縮量のうち、リード基板の収
縮量（Ｘ）は、下記の式により算出される。
縮量（Ｘ）は、下記の式により算出される。
【００４４】
【数１】
【００４５】また、樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）は、下
記の式により算出される。
記の式により算出される。
【００４６】
【数２】
【００４７】なお、この発明において、上記各収縮量
は、例えば、熱機械分析（ＴＭＡ）測定によって測定さ
れる。
は、例えば、熱機械分析（ＴＭＡ）測定によって測定さ
れる。
【００４８】このように、上記リード基板の樹脂封止後
の収縮量（Ｘ）と、上記樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の
比が、特定の範囲内に設定された半導体装置は、封止に
よる加熱によって発生する反りが低減され、かつＴＣＴ
テスト特性および耐リフロークラック特性が優れるよう
になる。これは、前述の半導体装置に関する一連の研究
により得た知見に基づき、つぎのような理由によるもの
と考えられる。すなわち、反りは接触している異種の材
料の収縮量の差によって発生するため、上記のようにリ
ード基板と樹脂硬化体の収縮量の比を１に近づけること
により低減されると考えられる。また、このような場
合、リード基板と樹脂硬化体界面での残留応力が小さく
なると考えられ、このことにより耐リフロー性，ＴＣＴ
テスト特性が優れるようになったと考えられる。
の収縮量（Ｘ）と、上記樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の
比が、特定の範囲内に設定された半導体装置は、封止に
よる加熱によって発生する反りが低減され、かつＴＣＴ
テスト特性および耐リフロークラック特性が優れるよう
になる。これは、前述の半導体装置に関する一連の研究
により得た知見に基づき、つぎのような理由によるもの
と考えられる。すなわち、反りは接触している異種の材
料の収縮量の差によって発生するため、上記のようにリ
ード基板と樹脂硬化体の収縮量の比を１に近づけること
により低減されると考えられる。また、このような場
合、リード基板と樹脂硬化体界面での残留応力が小さく
なると考えられ、このことにより耐リフロー性，ＴＣＴ
テスト特性が優れるようになったと考えられる。
【００４９】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、これを構成するリード基板の樹脂封止後の収縮量
（Ｘ）と、樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）
を特定範囲に設定して構成されている。このため、ＴＣ
Ｔテスト特性および耐リフロークラック特性に優れるこ
とはもちろん、加熱により発生するパッケージの反りが
低減され、信頼性に優れたものとなる。特に、近年、量
産され、反り発生が問題されていた片面封止タイプの半
導体装置やヒートシンクを設けた半導体装置において、
この反りの発生を低減することが可能となるため、この
発明の適用により、高性能の半導体装置に、高い信頼性
を付与することが可能となる。
は、これを構成するリード基板の樹脂封止後の収縮量
（Ｘ）と、樹脂硬化体層の収縮量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）
を特定範囲に設定して構成されている。このため、ＴＣ
Ｔテスト特性および耐リフロークラック特性に優れるこ
とはもちろん、加熱により発生するパッケージの反りが
低減され、信頼性に優れたものとなる。特に、近年、量
産され、反り発生が問題されていた片面封止タイプの半
導体装置やヒートシンクを設けた半導体装置において、
この反りの発生を低減することが可能となるため、この
発明の適用により、高性能の半導体装置に、高い信頼性
を付与することが可能となる。
【００５０】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００５１】まず、実施例に先立ち、下記に示すエポキ
シ樹脂Ａ〜Ｄ、フェノール樹脂Ｅ，Ｆ、硬化触媒として
トリフェニルホスフィン、難燃剤としてブロム化エポキ
シ樹脂、離型剤としてカルナバワックス、低応力化剤と
してジメチルポリシロキサン系シリコーン化合物、接着
付与剤としてシランカップリング剤、顔料としてカーボ
ンブラックを準備した。
シ樹脂Ａ〜Ｄ、フェノール樹脂Ｅ，Ｆ、硬化触媒として
トリフェニルホスフィン、難燃剤としてブロム化エポキ
シ樹脂、離型剤としてカルナバワックス、低応力化剤と
してジメチルポリシロキサン系シリコーン化合物、接着
付与剤としてシランカップリング剤、顔料としてカーボ
ンブラックを準備した。
【００５２】〔エポキシ樹脂Ａ〕
【化１２】
【００５３】〔エポキシ樹脂Ｂ〕
【化１３】
【００５４】〔エポキシ樹脂Ｃ〕
【化１４】
【００５５】〔エポキシ樹脂Ｄ〕
【化１５】
【００５６】〔フェノール樹脂Ｅ〕
【化１６】
【００５７】〔フェノール樹脂Ｆ〕
【化１７】
【００５８】
【実施例１〜６、比較例１〜５】上記各成分を下記の表
１および表２に示す割合で配合し、ミキシングロール機
（温度１００℃）で１分間溶融混練を行い、冷却固化し
た後、粉砕して目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物
を得た。
１および表２に示す割合で配合し、ミキシングロール機
（温度１００℃）で１分間溶融混練を行い、冷却固化し
た後、粉砕して目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物
を得た。
【００５９】
【表１】
【００６０】
【表２】
【００６１】このようにして得られたエポキシ樹脂組成
物を用い、半導体素子をトランスファー成形（成形条
件：１７５℃×２分、１７５℃×５時間後硬化）するこ
とにより、図４（ａ）および（ｂ）に示す構成の片面封
止タイプの半導体装置を得た。この半導体装置は、ＢＴ
基板２０上にダイボンド材２１を介して半導体素子２２
が搭載された搭載面のみを樹脂硬化体層２３によって封
止した片面封止の半導体装置である。なお、半導体装置
のサイズを下記に示す。
物を用い、半導体素子をトランスファー成形（成形条
件：１７５℃×２分、１７５℃×５時間後硬化）するこ
とにより、図４（ａ）および（ｂ）に示す構成の片面封
止タイプの半導体装置を得た。この半導体装置は、ＢＴ
基板２０上にダイボンド材２１を介して半導体素子２２
が搭載された搭載面のみを樹脂硬化体層２３によって封
止した片面封止の半導体装置である。なお、半導体装置
のサイズを下記に示す。
【００６２】 半導体素子２２：１２×１２×厚み０．３７ｍｍ ＢＴ基板２０：４８×４８×厚み０．４ｍｍ 樹脂硬化体層２３：４０×４０×厚み１．０ｍｍ
【００６３】また、上記ＢＴ基板２０の１７５℃から２
５℃に冷却した際に生じた収縮量は、ＴＭＡ分析により
０．２０％であった。一方、実施例および比較例の各エ
ポキシ樹脂組成物の樹脂硬化体層２３の収縮量（１７５
℃の封止工程の収縮量および後硬化を含む硬化後に１７
５℃から２５℃まで冷却した際に生じた収縮量の和）を
ＴＭＡ分析によって測定した。その結果を後記の表３お
よび表４に示す。
５℃に冷却した際に生じた収縮量は、ＴＭＡ分析により
０．２０％であった。一方、実施例および比較例の各エ
ポキシ樹脂組成物の樹脂硬化体層２３の収縮量（１７５
℃の封止工程の収縮量および後硬化を含む硬化後に１７
５℃から２５℃まで冷却した際に生じた収縮量の和）を
ＴＭＡ分析によって測定した。その結果を後記の表３お
よび表４に示す。
【００６４】さらに、得られた半導体装置について、反
りの測定を行った。上記反りの測定は、図５（ａ）およ
び（ｂ）に示すように、半導体素子２２搭載のＢＴ基板
２０を封止した樹脂硬化体層２３の角部を結ぶ２本の一
点鎖線（一点鎖線ｍと一点鎖線ｎ）における各反り量Ｑ
を測定した（２５℃の条件下）。そして、上記２つの反
り量の平均値を求め、後記の表３および表４に示す。な
お、上記反り量の測定には、マイクロディプスメーター
（ＴＥＣＬＯＣＫ社製）を用いた。
りの測定を行った。上記反りの測定は、図５（ａ）およ
び（ｂ）に示すように、半導体素子２２搭載のＢＴ基板
２０を封止した樹脂硬化体層２３の角部を結ぶ２本の一
点鎖線（一点鎖線ｍと一点鎖線ｎ）における各反り量Ｑ
を測定した（２５℃の条件下）。そして、上記２つの反
り量の平均値を求め、後記の表３および表４に示す。な
お、上記反り量の測定には、マイクロディプスメーター
（ＴＥＣＬＯＣＫ社製）を用いた。
【００６５】つぎに、テスト条件が、−６５℃／１０分
〜１５０℃／１０分の１０００サイクルに設定したＴＣ
Ｔテストを行った。その結果、半導体装置にクラックま
たは内部剥離の生じたものを×、クラックおよび内部剥
離の全く生じなかったものを○としして評価した。その
結果を後記の表３および表４に示す。また、８５℃／８
５％ＲＨの相対湿度の恒温槽中に１６８時間放置して吸
湿させた後、２１５℃の半田溶融液に９０秒間浸漬する
試験を行った。その結果、半導体装置にクラックまたは
内部剥離の生じたものを×、クラックおよび内部剥離の
全く生じなかったものを○としして評価した。その結果
を後記の表３および表４に示す。
〜１５０℃／１０分の１０００サイクルに設定したＴＣ
Ｔテストを行った。その結果、半導体装置にクラックま
たは内部剥離の生じたものを×、クラックおよび内部剥
離の全く生じなかったものを○としして評価した。その
結果を後記の表３および表４に示す。また、８５℃／８
５％ＲＨの相対湿度の恒温槽中に１６８時間放置して吸
湿させた後、２１５℃の半田溶融液に９０秒間浸漬する
試験を行った。その結果、半導体装置にクラックまたは
内部剥離の生じたものを×、クラックおよび内部剥離の
全く生じなかったものを○としして評価した。その結果
を後記の表３および表４に示す。
【００６６】
【表３】
【００６７】
【表４】
【００６８】上記表３および表４の結果から、実施例品
および比較例品においてもＴＣＴテスト特性および耐リ
フロー特性の双方ともクラックや内部剥離が発生せず良
好な結果が得られた。しかし、パッケージに生じた反り
量に関しては、比較例品は１６０μｍを超えたのに対し
て、実施例品は全て１００μｍ未満であり、反り量の低
減がなされたことがわかる。
および比較例品においてもＴＣＴテスト特性および耐リ
フロー特性の双方ともクラックや内部剥離が発生せず良
好な結果が得られた。しかし、パッケージに生じた反り
量に関しては、比較例品は１６０μｍを超えたのに対し
て、実施例品は全て１００μｍ未満であり、反り量の低
減がなされたことがわかる。
【図１】片面樹脂封止の半導体装置の一例を示す構成図
である。
である。
【図２】上記片面樹脂封止の半導体装置において、ヒー
トシンクを設けた例を示す構成図である。
トシンクを設けた例を示す構成図である。
【図３】ヒートシンクが内蔵された例を示す構成図であ
る。
る。
【図４】（ａ）は実施例および比較例における片面樹脂
封止タイプの半導体装置の構成を示す平面図であり、
（ｂ）はその側面図である。
封止タイプの半導体装置の構成を示す平面図であり、
（ｂ）はその側面図である。
【図５】（ａ）は半導体装置の反り量の測定位置を示す
平面図であり、（ｂ）はその側面図である。
平面図であり、（ｂ）はその側面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ 7511−4Ｅ 1/05 Ａ Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｒ (72)発明者 秋月 伸也 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 池村 和弘 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 福島 喬 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子が搭載されたリード基板と、
この半導体素子搭載リード基板を樹脂封止した樹脂硬化
体層とを備えた半導体装置であって、上記リード基板の
樹脂封止後の収縮量（Ｘ）と、上記樹脂硬化体層の収縮
量（Ｙ）の比（Ｙ／Ｘ）が、０．８〜１．６の範囲に設
定されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 上記樹脂硬化体層形成材料が、エポキシ
樹脂およびフェノール樹脂を主成分とする有機成分と、
球状シリカを主体とする無機質充填剤を含有するエポキ
シ樹脂組成物であって、上記有機成分の含有量がエポキ
シ樹脂組成物全体の５〜２５重量％に設定されている請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 上記リード基板が、その表面に金属配線
を有するビスマレイミドトリアジン基板であって、しか
も封止温度から２５℃にかけての収縮量が０．１５〜
０．２５％である請求項１または２記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29458394A JP3347228B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29458394A JP3347228B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153831A true JPH08153831A (ja) | 1996-06-11 |
| JP3347228B2 JP3347228B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=17809663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29458394A Expired - Fee Related JP3347228B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3347228B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001214033A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2004186525A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エリア実装型半導体装置 |
| US8729715B2 (en) | 2011-07-25 | 2014-05-20 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
| KR20160140638A (ko) | 2014-03-31 | 2016-12-07 | 메이와가세이가부시키가이샤 | 페놀 수지, 상기 페놀 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물, 상기 에폭시 수지 조성물의 경화물, 및 상기 경화물을 가지는 반도체 장치 |
| CN112665980A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-04-16 | 航天科工微电子系统研究院有限公司 | 板级封装结构机械加载装置 |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP29458394A patent/JP3347228B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001214033A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP4524837B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2010-08-18 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2004186525A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エリア実装型半導体装置 |
| US8729715B2 (en) | 2011-07-25 | 2014-05-20 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
| KR20160140638A (ko) | 2014-03-31 | 2016-12-07 | 메이와가세이가부시키가이샤 | 페놀 수지, 상기 페놀 수지를 포함하는 에폭시 수지 조성물, 상기 에폭시 수지 조성물의 경화물, 및 상기 경화물을 가지는 반도체 장치 |
| CN112665980A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-04-16 | 航天科工微电子系统研究院有限公司 | 板级封装结构机械加载装置 |
| CN112665980B (zh) * | 2020-12-16 | 2024-03-26 | 航天科工微电子系统研究院有限公司 | 板级封装结构机械加载装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3347228B2 (ja) | 2002-11-20 |
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