JP3365725B2

JP3365725B2 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Info

Publication number: JP3365725B2
Application number: JP23412497A
Authority: JP
Inventors: 賢至鮫島
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 1997-08-29
Filing date: 1997-08-29
Publication date: 2003-01-14
Anticipated expiration: 2017-08-29
Also published as: JPH1171444A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は成形性、信頼性、実
装性に優れた樹脂封止型半導体装置に関し、更に詳述す
ればプリント配線板や金属リードフレームの片面に半導
体素子を搭載し、金ワイヤーボンドにより半導体素子と
外部接続用端子や回路とを電気的に接続し、、その搭載
面側の実質的に片面のみを樹脂封止されたいわゆるエリ
ア実装型半導体装置において、樹脂封止過程で金線流れ
が発生せず、樹脂封止後の反りや基板実装時の半田付け
工程での反りが小さく、また温度サイクル試験での耐パ
ッケージクラック性や半田付け工程での耐パッケージク
ラック性や耐剥離性に優れ、かつ成形性に優れる半導体
封止用エポキシ樹脂組成物及び該半導体封止用エポキシ
樹脂組成物で封止された半導体装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の小型化、軽量化、高性
能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進
み、又半導体パッケージの表面実装化が促進されるなか
で、新規にエリア実装のパッケージが開発され、従来構
造のパッケージから移行し始めている。エリア実装パッ
ケージとしてはＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）あるい
は更に小型化を追求したＣＳＰ（チップサイズパッケー
ジ）が代表的であるが、これらは従来ＱＦＰ、ＳＯＰに
代表される表面実装パッケージでは限界に近づいている
多ピン化・高速化への要求に対応するために開発された
ものである。構造としては、ＢＴ樹脂／銅箔回路基板
（ビスマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板）に
代表される硬質回路基板、あるいはポリイミド樹脂フィ
ルム／銅箔回路基板に代表されるフレキシブル回路基板
の片面上に半導体素子を搭載し、その素子搭載面、即ち
基板の片面のみがエポキシ樹脂組成物などで成形・封止
されている。また、基板の素子搭載面の反対面には半田
ボールを２次元的に並列して形成し、パッケージを実装
する回路基板との接合を行う特徴を有している。更に、
素子を搭載する基板としては、上記有機回路基板以外に
もリードフレーム等の金属基板を用いる構造も考案され
ている。

【０００３】これらエリア実装型半導体パッケージの構
造は基板の素子搭載面のみを樹脂組成物で封止し、半田
ボール形成面側は封止しないという片面封止の形態をと
っている。ごく希に、リードフレーム等の金属基板など
では、半田ボール形成面でも数十μｍ程度の封止樹脂層
が存在することもあるが、素子搭載面では数百μｍから
数ｍｍ程度の封止樹脂層が形成されるため、実質的に片
面封止となっている。半導体素子と外部接続用端子や回
路との電気的接続には、金線を用いず半導体素子面に形
成した半田バンプ等を外部接続用端子や回路に熱圧着し
たり、導電性接着材で接着する方法と、従来の金線を用
いるワイヤーボンド法がある。ワイヤーボンド法の場
合、従来のＳＯＰやＱＦＰ構造に比べワイヤーループの
垂直高低差が大きく、また小型薄型のパッケージ形状の
ためワイヤー周囲の樹脂層が薄く樹脂封止過程で樹脂流
入速度が高速になりやすいため金線流れが発生しやすく
問題となっている。また、有機基板や金属基板と樹脂組
成物の硬化物との間での熱膨張・熱収縮の不整合、ある
いは樹脂組成物の成形・硬化時の硬化収縮による影響に
より、これらのパッケージでは成形直後から反りが発生
しやすい。また、これらのパッケージを実装する回路基
板上に半田接合を行う場合、２００℃以上の加熱工程を
経るが、この際にパッケージの反りが発生し、多数の半
田ボールが平坦とならず、パッケージを実装する回路基
板から浮き上がってしまい、電気的接合信頼性が低下す
る問題も起こる。

【０００４】一方、赤外線リフロー、ベーパーフェイズ
ソルダリング、半田浸漬などの手段での半田処理による
半田接合を行う場合、硬化物並びに有機基板からの吸湿
によりパッケージ内部に存在する水分が高温で急激に気
化することによる応力でパッケージにクラックが発生し
たり、基板の素子搭載面と樹脂組成物の硬化物との界面
で剥離が発生することもあり、硬化物の低応力化・低吸
湿化とともに、基板との密着性も求められる。さらに、
基板と硬化物の線膨張係数の不整合により、信頼性テス
トの代表例である温度サイクル試験でも、基板／封止材
料の硬化物の界面の剥離やパッケージクラックが発生す
る。従来のＱＦＰやＳＯＰなどの表面実装パッケージで
は、半田実装時のクラックや各素材界面での剥離の防止
のために、ビフェニル型エポキシ樹脂に代表されるよう
な結晶性エポキシ樹脂を用いて成形時の低粘度化を図
り、かつ無機質充填材の配合量を増加することが対策と
してとられてきた。しかし、この手法では、片面封止パ
ッケージにおける反りの問題は解決できないのが現状で
あった。

【０００５】基板上の実質的に片面のみを樹脂組成物で
封止したパッケージにおいて、反りを低減するには、基
板の線膨張係数と樹脂組成物の硬化物の線膨張係数を近
付けること、及び樹脂組成物の硬化収縮を小さくする二
つの方法が重要である。基板としては有機基板ではＢＴ
樹脂やポリイミド樹脂のような高ガラス転移温度の樹脂
が広く用いられており、これらはエポキシ樹脂組成物の
成形温度である１７０℃近辺よりも高いガラス転移温度
を有する。従って、成形温度から室温までの冷却過程で
は有機基板のα₁ の領域のみで収縮する。従って、樹脂
組成物もガラス転移温度が高くかつα₁ が回路基板と同
じであり、さらに硬化収縮がゼロであれば反りはほぼゼ
ロであると考えられる。このため、多官能型エポキシ樹
脂と多官能型フェノール樹脂との組み合わせによりガラ
ス転移温度を高くし、無機質充填材の配合量でα₁ を合
わせる手法が既に提案されている。

【０００６】ところが、一分子中に３個以上のエポキシ
基を有する多官能型エポキシ樹脂と一分子中に３個以上
のフェノール性水酸基を有する多官能型フェノール樹脂
との組み合わせ系は各々の樹脂粘度が高いため成形時の
金線流れが発生し問題があった。エリア実装パッケージ
では金線の長さも従来構造パッケージに比較して長く、
更に多ピン化により金線の配線が高密度化しているた
め、成形時に低粘度の樹脂組成物で封止しないと金線が
変形し、金線同士が接触して電気的不良を生じることに
なる。特にＣＳＰのような薄型のパッケージでは充填性
が良好で、金線変形の少ない樹脂組成物による封止が必
須の条件であった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、エリア実装
パッケージでの成形後や半田処理時の反りが小さく、ま
た温度サイクル試験や半田処理時などの信頼性に優れ、
かつ充填性が良好で金線変形の少ない、即ち、成形時に
高流動性の特徴を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物及びそれにより封止された半導体装置の提供を目的と
したものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は鋭意検討した結
果、特定の多官能型エポキシ樹脂と多官能型フェノール
樹脂硬化剤との組み合わせに、更に特殊な結晶性エポキ
シ樹脂を併用すること及び、溶融温度、寸法変化率の最
適値を見いだすことで、金線流れを防止でき、パッケー
ジの反りを小さくでき、温度サイクル試験や半田処理後
の信頼性に優れることを明らかにしたものである。

【０００９】即ち本発明は、（Ａ）一般式（１）、
（２）で示されるエポキシ樹脂からなる群から選択され
る少なくとも一つのエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に
４０〜６０重量％含み、かつ融点が５０〜１５０℃の結
晶性エポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に４０〜６０重量
％含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示されるフ
ェノール樹脂を総フェノール樹脂中に８０重量％以上含
むフェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）溶
融シリカ粉末を総樹脂組成物中に８０〜８５重量％含む
エポキシ樹脂組成物であって、該エポキシ樹脂組成物の
成形温度における溶融粘度が２〜１０Ｐａ．ｓｅｃで、
硬化物の寸法変化率が、０．３０％以下であり、かつガ
ラス転移温度が１５０℃以上であることを特徴とする半
導体封止用エポキシ樹脂組成物であり、好ましくは融点
が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂が、一般式
（４）〜（８）で示されるエポキシ樹脂からなる群から
選択される少なくとも一つのエポキシ樹脂である半導体
封止用エポキシ樹脂組成物であり、又基板の片面に半導
体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面
側の実質的に片面のみが請求項１又は２記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物によって封止されていることを
特徴とする半導体装置である。

【００１０】

【化７】

【化８】

【化９】式（１）〜（３）中のＲはハロゲン原子又は炭素数１〜
１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異な
っていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もし
くは１〜３の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の正の整
数である。

【００１１】

【化１０】

【化１１】

【化１２】式（４）〜（７）中のＲは水素原子、ハロゲン原子また
は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であ
っても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整
数、ｎは０もしくは１〜４の正の正数である。式（８）
中のＲはハロゲン原子または炭素数１〜１２のアルキル
基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよ
い。ｌは１〜１０の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の
正の正数である。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明に用いられる（Ａ）成分のエポキシ樹脂のうち一
般式（１）で表されるエポキシ樹脂は通常トリフェノー
ルメタン型エポキシ樹脂と総称される樹脂で、具体例と
しては以下のものが挙げられるが、これらに限定される
ものではない。いずれも、これを用いた樹脂組成物の硬
化物は架橋密度が高く、高いガラス転移温度となり、ま
た硬化収縮率が小さい特徴を有する。

【化１３】

【００１３】一般式（２）で表されるエポキシ樹脂は式
（１）と同様、硬化物の高架橋密度構造と低硬化収縮性
を有するが、更に比較的低粘度であるという特徴も有し
ている。具体例としては以下のものが挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。

【化１４】

【００１４】一般式（１）、（２）で示される多官能型
エポキシ樹脂は総エポキシ樹脂中の４０〜６０重量％含
まれることが寸法変化率及び、ガラス転移温度の点から
必要である。４０重量％未満では得られる架橋構造の架
橋密度が低下するためと、寸法変化率も増大し、ガラス
転移温度が低下する。また、６０重量％を越えると成形
時の流動性が低下し、金線変形を起こし易く、また基板
との密着性が低下する。

【００１５】本発明に用いられる融点が５０〜１５０℃
の結晶性エポキシ樹脂としては、１分子中にエポキシ基
を２個有するジエポキシ樹脂、さらにこれらのオリゴマ
ー、ポリマー等が含まれる。これらのエポキシ樹脂はい
ずれも結晶性を示すため、融点未満の温度では固体であ
るが、融点以上の温度で低粘度の液状物質となる。この
ため５０℃未満の融点の結晶性エポキシ樹脂では、エポ
キシ樹脂組成物の製造工程において融着を起こしやす
く、作業性が著しく低下する。また、１５０℃を越える
融点を示す結晶性エポキシ樹脂では、エポキシ樹脂組成
物を加熱混練する製造工程で充分に溶融しないため、材
料の均一性に劣るといった問題点を有する。融点の測定
方法としては示差走査熱量計［セイコー電子(株)製SSC
／5200］による吸熱ピーク温度（昇温速度５℃／分）か
ら求められる。

【００１６】融点５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂
としては、式（４）のビフェニル型エポキシ樹脂、式
（５）のハイドロキノン型エポキシ樹脂、式（６）のス
チルベン型エポキシ樹脂、式（７）のビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂、式（８）のアラルキル変性ビフェニル
型エポキシ樹脂が特に好ましい。以下にこれら結晶性エ
ポキシ樹脂の具体例を示すがこれらに限定されるもので
はない。

【００１７】

【化１５】

【００１８】

【化１６】

【００１９】

【化１７】

【００２０】

【化１８】

【００２１】これらの結晶性エポキシ樹脂は１分子中の
エポキシ基の数は２個からせいぜい数個と少なく、単独
では架橋密度が低く、耐熱性の低い硬化物しか得られな
い。しかし構造として剛直な平面ないし棒状骨格を有し
ており、かつ結晶化する性質、即ち分子同士が配向しや
すいという特徴を有する。このため、一般式（１）、
（２）で示される多官能型エポキシ樹脂と併用した場
合、硬化後の多官能型エポキシ樹脂による架橋構造の架
橋密度は低下させても、ガラス転移温度などの耐熱性を
低下させ難い。一方、通常の２官能非結晶性エポキシ樹
脂を多官能型エポキシ樹脂と併用した場合では単に架橋
密度が低下するだけであり、ガラス転移温度の大幅な低
下が起こる。ところが、結晶性エポキシ樹脂を併用した
場合、一旦ガラス転移温度を越えた温度領域では低官能
基数化合物の特徴である低弾性率を示すため、半田処理
温度での低応力化に効果的である。このため、半田処理
でのパッケージクラック発生や基板と樹脂組成物界面の
剥離発生を防止する効果がある。更に、溶融状態では低
粘度を示すため成形時に樹脂組成物の流動性が高く、薄
型パッケージへの充填性に優れ金線流れの問題を解決で
きる。融点５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂は総エ
ポキシ樹脂中に４０〜６０重量％含まれることが必要で
ある。４０重量％未満では熱時の低弾性化や低粘度化の
効果が得難く、６０重量％を越えると成形されたパッケ
ージの反りが大きくなり好ましくない。

【００２２】本発明のエポキシ樹脂は更に他のエポキシ
樹脂と併用しても差し支えない。併用可能なエポキシ樹
脂としては、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマ
ー、ポリマー全般を指し、例えば、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。又、
これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは混合して用いて
も差し支えない。

【００２３】本発明で用いられる（Ｂ）成分のフェノー
ル樹脂硬化剤の内、式（３）で示されるフェノール樹脂
硬化剤はいわゆるトリフェノールメタン型フェノール樹
脂と呼ばれるもので、具体例を以下に示す。

【化１９】

【００２４】これらフェノール樹脂を使用すると硬化物
の架橋密度が高くなり、高いガラス転移温度の硬化物が
得られる。式（３）のフェノール樹脂の使用量として
は、ガラス転移温度の点から総フェノール樹脂中の８０
重量％以上配合することが必要である。８０重量％未満
ではガラス転移温度が低下し、また寸法変化率も大きく
なり、成形後のパッケージの反り量が大きくなる。式
（３）のフェノール樹脂は他のフェノール樹脂と適宜併
用可能であり、特に限定されるものではないが、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフ
トールノボラック樹脂等が挙げられる。

【００２５】本発明で用いられる（Ｃ）成分の硬化促進
剤としては、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂硬化剤
との架橋反応の触媒となり得るものを指し、具体的には
トリブチルアミン等のアミン系化合物、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミ
ダゾール等のイミダゾール化合物等が例示できるがこれ
らに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は単
独であっても混合して用いても差し支えない。

【００２６】本発明で用いられる（Ｄ）成分の溶融シリ
カ粉末は、破砕状、球状のいずれでも使用可能である
が、溶融シリカ粉末の配合量を高め、かつ樹脂組成物の
溶融粘度の上昇を抑えるためには、球状シリカを主に用
いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を高めるた
めには、球状シリカの粒度分布をより広くとるよう調整
することが望ましい。使用量としては、総樹脂組成物中
８０〜８５重量％が良く８０重量％未満では、反りが大
きくなり、８５重量％を越えると粘度が増大し、金線流
れや未充填の問題がある。

【００２７】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）ま
での必須成分以外にも必要に応じて臭素化エポキシ樹
脂、三酸化アンチモン等の難燃剤、カップリング剤、カ
ーボンブラックに代表される着色剤、天然ワックス及び
合成ワックス等の離型剤等が適宜配合可能である。樹脂
組成物とするには各成分を混合後、加熱ニーダや熱ロー
ルにより加熱混練し、続いて冷却、粉砕することで目的
とする樹脂組成物が得られる。樹脂組成物の溶融粘度
は、金線流れ、充填性に重要で、成形温度における溶融
粘度は、３〜１０Ｐａ．ｓｅｃが最良の溶融粘度範囲で
あり、３Ｐａ．ｓｅｃ未満では、バリ、ボイドの問題が
あり、１０Ｐａ．ｓｅｃを越えると、金線流れや未充填
の問題がある。本発明のエポキシ樹脂組成物を用い
て、半導体等の電子部品を封止し、半導体装置を製造す
るには、トランスファーモールド、コンプレッションモ
ールド、インジェクションモールド等の従来からの成形
方法で硬化成形をすればよい。本発明の半導体装置の有
機基板としてＢＴ樹脂基板又は、フレキシブル回路基板
を用いる場合は、エポキシ樹脂組成物の硬化後の２５℃
〜１７５℃での寸法変化率が０．３０％以下、かつ熱機
械分析装置（ＴＭＡ）で測定されるガラス転移温度が１
５０℃以上が必要で寸法変化率が０．３０％を越える
と、パッケージの反りが大きくなり、また、ガラス転移
温度が１５０℃未満でも反りが大きくなる。

【００２８】本発明での溶融粘度、寸法変化率、ガラス
転移温度は以下の方法で測定する。・溶融粘度：高化式フロー粘度テスター（島津製作所）
を用い、半導体装置を樹脂で成形する温度（例１７５
℃）と同一の温度で、１０Ｋｇｗの荷重下、直径０．５
ｍｍ長さ１．０ｍｍのノズル（ダイス）を使用し測定し
た。・寸法変化率及びガラス転移温度（Ｔｇ）：１７５℃、
２分間トランスファー成形したテストピースを更に１７
５℃、８時間後硬化し、熱機械分析装置［セイコー電子
(株)製ＴＭＡ−１２０、昇温速度５℃／分］で測定し
た。寸法変化率は、テストピースを２５℃から１７５℃
に昇温時の寸法変化から求めた。

【００２９】

【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。《実施例１》・式（９）の構造を主成分とするエポキシ樹脂［油化シェルエポキシ(株)製、エピコート１０３２Ｈ、軟化点６０℃、エポキシ当量１７０］５．１重量部・式（１０）の構造を主成分とするビフェニル型エポキシ樹脂［油化シェルエポキシ(株)製、ＹＸ−４０００Ｈ、融点１０５℃、エポキシ当量１９５］５．１重量部・式（１１）の構造を主成分とするフェノール樹脂［明和化成(株)製、ＭＥＨ−７５００、軟化点１０７℃、水酸基当量９７）５．５重量部・トリフェニルホスフィン０．１重量部・球状溶融シリカ８３．０重量部・シランカップリング剤０．６重量部［信越化学工業(株)製ＫＢＭ５０３］・カルナバワックス０．３重量部・カーボンブラック０．３重量部上記の全成分をミキサーにより混合した後、表面温度が
９０℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、得
られた混練物シートを冷却後粉砕して、樹脂組成物とし
た。得られた樹脂組成物の特性を以下の方法で評価をし
た。評価結果を表１に示す。

【００３０】

【化２０】

【化２１】

【化２２】

【００３１】なお、上記実施例及び比較例で使用した式
（１２）〜（１７）のエポキシ樹脂及び式（１８）のフ
ェノール樹脂の構造及び性状を以下に示す。

【化２３】

【化２４】

【化２５】

【００３２】・式（１２）の構造を主成分とするエポキ
シ樹脂：融点１４４℃、エポキシ当量１７５・式（１３）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：融点
５２℃、エポキシ当量２２５・式（１４）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：融点
１３３℃、エポキシ当量１８２・式（１５）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：融点
８２℃、エポキシ当量１９０・式（１６）の構造を主成分とするエポキシ樹脂：軟化
点６５℃、エポキシ当量２１０・式（１８）のフェノール樹脂：軟化点８０℃、水酸基
当量１０４

【００３３】《評価方法》・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパ
イラルフロー測定用の金型を用いて、金型温１７５℃、
注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ² 、硬化時間２分で測定した。・ガラス転移温度（Ｔｇ）及び寸法変化率：前記した方
法による。・パッケージ反り量：２２５ピンＢＧＡパッケージ（基
板は０．３６ｍｍ厚のＢＴ樹脂基板、パッケージサイズ
は２４×２４ｍｍ、厚み１．１７ｍｍ、シリコンチップ
はサイズ９×９ｍｍ、厚み０．３５ｍｍ、チップと回路
基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の金線でボン
ディングしている）を１８０℃の金型温度、７５ｋｇ／
ｃｍ² の射出圧力で２分間トランスファー成形を行い、
更に１７５℃で８時間、後硬化した。室温に冷却後パッ
ケージのゲートから対角線方向に、表面粗さ計を用いて
高さ方向の変位を測定し、変異差の最も大きい値を反り
量とした。・耐半田性：パッケージ反り量測定に用いた成形品パッ
ケージを８５℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間
放置し、その後２４０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。
超音波探傷機を用いてパッケージを観察し、内部クラッ
ク数及び基板／樹脂組成物界面の剥離数を（発生パッケ
ージ数）／（全パッケージ数）の％表示で表した。・金線変形量：パッケージ反り量評価で成形した２２５
ピンＢＧＡパッケージを軟Ｘ線透視装置で観察し、金線
の変形率を（流れ量）／（金線長）で％表示した。

【００３４】《実施例２、３、４、５》実施例１を基本
配合とし、エポキシ樹脂の種類を変えて樹脂組成物を得
た。《比較例１、２、３、４、５》実施例１を基本配合と
し、比較例１、２では、エポキシ樹脂式（９）、式（１
０）の配合比率を変えて、比較例３、４では、無機充填
材の配合量を変えて、比較例５では、硬化剤式（１１）
の配合比率を変えて、その他は基本配合と同じ割合で各
成分を配合し、実施例１と同様に混合、混練して樹脂組
成物を得た。実施例１と同様に評価を行った。配合処方
及び評価結果を表１に示す。

【００３５】

【表１】

【００３６】

【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は金線変形など成形性においても優れおり、該半導体
封止用エポキシ樹脂組成物により封止されたエリア実装
型半導体装置は、室温及び半田付け工程での反りが小さ
く、耐半田性や耐温度サイクル性などの信頼性が高いも
のである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 23/31 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08G 59/24 C08G 59/62 C08K 3/36 C08L 63/00 - 63/10 H01L 23/29

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）一般式（１）、（２）で示される
エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一つ
のエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に４０〜６０重量％
含み、かつ融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂
を総エポキシ樹脂中に４０〜６０重量％含むエポキシ樹
脂、（Ｂ）一般式（３）で示されるフェノール樹脂を総
フェノール樹脂中に８０重量％以上含むフェノール樹脂
硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）溶融シリカ粉末を総
樹脂組成物中に８０〜８５重量％含むエポキシ樹脂組成
物であって、該エポキシ樹脂組成物の成形温度における
溶融粘度が２〜１０Ｐａ．ｓｅｃで、硬化物の寸法変化
率が、０．３０％以下であり、かつガラス転移温度が１
５０℃以上であることを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。【化１】【化２】【化３】式（１）〜（３）中のＲはハロゲン原子又は炭素数１〜
１２のアルキル基を示し、互いに同一であっても、異な
っていてもよい。ｌは１〜１０の正の整数、ｍは０もし
くは１〜３の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の正の整
数である。
【請求項２】融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ
樹脂が、一般式（４）〜（８）で示されるエポキシ樹脂
からなる群から選択される少なくとも一つのエポキシ樹
脂である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。【化４】【化５】【化６】式（４）〜（７）中のＲは水素原子、ハロゲン原子また
は炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同一であ
っても、異なっていてもよい。ｌは１〜１０の正の整
数、ｎは０もしくは１〜４の正の正数であり、式（８）
中のＲはハロゲン原子または炭素数１〜１２のアルキル
基を示し、互いに同一であっても、異なっていてもよ
い。ｌは１〜１０の正の整数、ｎは０もしくは１〜４の
正の正数である。
【請求項３】基板の片面に半導体素子が搭載され、こ
の半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみ
が請求項１又は２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物によって封止されていることを特徴とする半導体装
置。