JP4645147B2 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Description
更に、これらの半導体装置を実装する回路基板上に半田接合を行う場合、200℃以上の加熱工程を経るが、この際に半導体装置の反りが発生し、多数の半田ボールが平坦とならず、半導体装置を実装する回路基板から浮き上がってしまい、電気的接合の信頼性が低下する問題も起こる。
基板としては、有機基板ではBT樹脂やポリイミド樹脂のような高いガラス転移温度(以下、Tgという)を有する樹脂が広く用いられており、これらはエポキシ樹脂組成物の成形温度である170℃近辺よりも高いTgを有する。従って、成形温度から室温までの冷却過程では有機基板のガラス領域、換言すると線膨張係数がα1の領域のみで収縮する。よって、エポキシ樹脂組成物の硬化物も、Tgが成形温度より高く且つα1が有機基板と同じで、更に成形硬化時の硬化収縮がゼロとなれば、反りはほぼゼロとなると考えられる。このため、多官能型エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂との組み合わせによりTgを高くし、無機充填材の配合量でα1を合わせる手法が既に提案されている。しかし多官能型エポキシ樹脂と多官能型フェノール樹脂との組み合わせでは流動性が低下し金線変形が生じる等の不具合があった。
従来から耐半田性の向上を目的として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランやγ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン等のシランカップリング剤がエポキシ樹脂組成物中に添加し、基材との界面の接着性向上を図る検討がなされてきた。しかし近年、鉛フリーハンダに対応した実装時のリフロー温度の上昇により、これらのシランカップリング剤だけでは充分に対応できなくなっている。
その対処法として、アルコキシシランカップリング剤によりリードフレームの表面処理をする方法(例えば、特許文献1参照。)やチアゾール系、スルフェンアミド系、及びチウラム系化合物を添加した樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置(例えば、特許文献2及び特許文献3参照。)などが提案されている。しかしながら、前者のシランカップリング剤は、熱時安定性が悪く耐半田処理において密着向上効果が低下する欠点があり、また、後者の化合物は分子量が大きく、また、不安定な結合(窒素―硫黄結合など)を数多く含んでいるため、成形後の封止樹脂中において分解する可能性が指摘されている。
[1] 結晶性エポキシ樹脂(A)、一般式(1)で表されるフェノール樹脂(B)、硬化促進剤(C)、全エポキシ樹脂組成物中に対し80〜95重量%の無機充填材(D)及びトリアゾール環を有する化合物(E)を必須成分として含み、
前記トリアゾール環を有する化合物が一般式(2)で示される化合物であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
(一般式(2)中、R1は水素原子、又は、メルカプト基、アミノ基、水酸基もしくはそれらの官能基が付加された炭化水素鎖を示す。)
結晶性エポキシ樹脂(A)、一般式(1)で表されるフェノール樹脂(B)、硬化促進剤(C)、全エポキシ樹脂組成物中に対し80〜95重量%の無機充填材(D)、及びトリアゾール環を有する化合物(E)を必須成分として含み、
前記トリアゾール環を有する化合物が一般式(2)で示される化合物であることを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
(一般式(2)中、R1は水素原子、又は、メルカプト基、アミノ基、水酸基もしくはそれらの官能基が付加された炭化水素鎖を示す。)
である。
以下、本発明について詳細に説明する。
結晶性エポキシ樹脂としては、ハイドロキノンのグリシジルエーテル化物、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、一般式(3)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂、一般式(4)で示されるスチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
また、一般式(4)のスチルベン型エポキシ樹脂の内では、作業性、実用性のバランスの取れた5−ターシャリブチル−4,4’−ジグリシジル−2,3’,5’−トリメチルスチルベン、あるいは4,4’−ジグリシジル−3,3’,5,5’テトラメチルスチルベン及びこの両者の溶融混合物が好ましい。
一般式(1)のR1、R2は炭素数4以下のアルキル基、aは0〜4の整数、bは0〜4の整数、cは0〜3の整数、nは平均値で0〜10の数であるが、これらの内では硬化性の点から式(5)で示されるフェノール樹脂が好ましい。nが上記上限値を越えると樹脂の粘度が増大し、成形時の樹脂組成物の流動性が劣り、より一層の低吸湿化、低そり化のための無機充填材の高充填化が不可能となる恐れがあるので好ましくない。
本発明に用いられる全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基数の当量比としては、好ましくは0.5〜2であり、特に0.7〜1.5がより好ましい。上記範囲を外れると、耐湿性、硬化性などが低下する恐れがあるので好ましくない。
本発明で用いられるトリアゾール環を含む化合物としては、一般式(2)で示される化合物であることが好ましい。メルカプト基をまったく含んでいないと金属との反応性がないため、半導体装置の信頼性が向上しない可能性がある。このような化合物としては、具体的には下記のものが挙げられる。
実施例1
エポキシ樹脂1:ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX4000K、融点105℃、エポキシ当量185) 5.25重量部
フェノール樹脂1:ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(明和化成(株)製、MEH7851SS、軟化点65℃、水酸基当量203) 5.77重量部
トリフェニルホスフィン 0.18重量部
溶融球状シリカ(平均粒径30μm) 88.00重量部
カルナバワックス 0.20重量部
カーボンブラック 0.30重量部
をミキサーで混合した後、表面温度が90℃と45℃の2本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物とした。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間2分で測定した。単位はcm。
表1、表2、表3の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、同様に評価した。これらの評価結果を表1、表2、表3に示す。
実施例1以外で用いた成分を以下に示す。
エポキシ樹脂2:クレゾールノボラックエポキシ樹脂(住友化学(株)製、ESCN195LA、軟化点62℃、エポキシ当量199)
フェノール樹脂2:フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、XLC−LL、軟化点75℃、水酸基当量175)
フェノール樹脂3:フェノールノボラック樹脂(軟化点80℃、水酸基当量105)
1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという)
Claims (4)
- 結晶性エポキシ樹脂(A)、一般式(1)で表されるフェノール樹脂(B)、硬化促進剤(C)、全エポキシ樹脂組成物中に対し80〜95重量%の無機充填材(D)、及びトリアゾール環を有する化合物(E)を必須成分として含み、
前記トリアゾール環を有する化合物が一般式(2)で示される化合物であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(一般式(2)中、R1は水素原子、又は、メルカプト基、アミノ基、水酸基もしくはそれらの官能基が付加された炭化水素鎖を示す。) - 請求項1記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
- 基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の片面のみの封止に用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、
結晶性エポキシ樹脂(A)、一般式(1)で表されるフェノール樹脂(B)、硬化促進剤(C)、全エポキシ樹脂組成物中に対し80〜95重量%の無機充填材(D)、及びトリアゾール環を有する化合物(E)を必須成分として含み、
前記トリアゾール環を有する化合物が一般式(2)で示される化合物であることを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(一般式(2)中、R1は水素原子、又は、メルカプト基、アミノ基、水酸基もしくはそれらの官能基が付加された炭化水素鎖を示す。) - 基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の片面のみが請求項3記載のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されていることを特徴とするエリア実装型半導体装置。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001002755A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2001226451A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-08-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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JP2002173578A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002284844A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002322344A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003040979A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003064239A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2003160645A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62161820A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JP3122814B2 (ja) * | 1997-07-11 | 2001-01-09 | 大塚化学株式会社 | エポキシ樹脂用硬化促進剤及びエポキシ樹脂組成物 |
JP3365725B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2003-01-14 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001002755A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2001226451A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-08-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002020460A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002173578A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002284844A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002322344A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003064239A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
JP2003040979A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003160645A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003277585A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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