JP2001226451A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 成形性、速硬化性、保存性に優れ、成形後や
半田処理時の反りが小さく、半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を提供する。 【解決手段】 多官能フェノール樹脂（ａ）と、結晶性
エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類（ｂ）とを混
合しグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂、多官能フ
ェノール樹脂硬化剤、テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と
１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物
（Ｙ）及び１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有
する化合物（Ｙ）の共役塩基との分子会合体であって、
該共役塩基が前記フェノール性水酸基を１分子内に２個
以上有する化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノ
キシド型化合物からなる硬化促進剤、及び無機充填材を
必須成分とし、無機充填材の含有量が全エポキシ樹脂と
全フェノール樹脂硬化剤の合計量１００重量部当たり２
５０〜１４００重量部である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板や
金属リードフレームの片面に半導体素子を搭載し、その
搭載面側の実質的に片面のみを樹脂封止されたいわゆる
エリア実装型半導体装置に適した半導体封止用エポキシ
樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の小型化、軽量化、高機
能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々
進み、又、半導体装置の表面実装化が促進されるなか
で、新規にエリア実装型半導体装置が開発され、従来構
造の装置から移行し始めている。エリア実装型半導体装
置としては、ボールグリッドアレイ（以下、ＢＧＡとい
う）、あるいは更に小型化を追求したチップサイズパッ
ケージ（以下、ＣＳＰという）等が代表的であるが、こ
れらは従来のＱＦＰ、ＳＯＰ等に代表される表面実装型
半導体装置では限界に近づいている多ピン化・高速化へ
の要求に対応するために開発されたものである。構造と
しては、ビスマレイミド・トリアジン（以下、ＢＴとい
う）樹脂／銅箔回路基板に代表される硬質回路基板、あ
るいはポリイミド樹脂フィルム／銅箔回路基板に代表さ
れるフレキシブル回路基板の片面上に半導体素子を搭載
し、その半導体素子搭載面、即ち基板の片面のみがエポ
キシ樹脂組成物等で成形・封止されている。又、基板の
半導体素子搭載面の反対面には、半田ボールを２次元的
に並列して形成し、半導体装置を実装する回路基板との
接合を行うという特徴を有している。更に、半導体素子
を搭載する基板としては、上記有機回路基板以外にもリ
ードフレーム等の金属基板を用いる構造も開発されてい
る。

【０００３】これらエリア実装型半導体装置の構造は、
基板の半導体素子搭載面のみをエポキシ樹脂組成物で封
止し、半田ボール形成面側は封止しないという片面封止
の形態をとっている。ごく希に、リードフレーム等の金
属基板等では、半田ボール形成面でも数十μｍ程度の封
止樹脂層が存在することもあるが、半導体素子搭載面で
は数百μｍから数ｍｍ程度の封止樹脂層が形成されるた
め、実質的に片面封止となっている。このため、有機基
板や金属基板とエポキシ樹脂組成物の硬化物との間での
熱膨張・熱収縮の不整合、あるいはエポキシ樹脂組成物
の成形・硬化時の硬化収縮による影響で、これらの半導
体装置では成形直後から反りが発生しやすい。又、これ
らの半導体装置を実装する回路基板上に半田接合を行う
場合、２００℃以上の加熱工程を経るが、この際にも半
導体装置の反りが発生し、多数の半田ボールが平坦とな
らず、半導体装置を実装する回路基板から浮き上がって
しまい、電気的接合の信頼性が低下する問題が起こる。
基板上の実質的に片面のみをエポキシ樹脂組成物で封止
した半導体装置において、反りを低減するには、基板の
線膨張係数とエポキシ樹脂組成物の硬化物の線膨張係数
を近づけること、及びエポキシ樹脂組成物の成形・硬化
時の硬化収縮量を小さくすることの二つの方法が重要で
ある。基板としては、有機基板では、ＢＴ樹脂やポリイ
ミド樹脂のような高いガラス転移温度（以下、Ｔｇとい
う）を有する樹脂が広く用いられており、これらはエポ
キシ樹脂組成物の成形温度である１７０℃近辺よりも高
いＴｇを有する。従って、成形温度から室温までの冷却
過程では有機基板の線膨張係数α１（以下、α１とい
う）の領域のみで収縮するので、エポキシ樹脂組成物の
硬化物もＴｇが高く、且つα１が有機基板と同じであ
り、更に硬化収縮量がゼロであれば反りはほぼゼロであ
ると考えられる。このため、トリフェノールメタン型エ
ポキシ樹脂とトリフェノールメタン型フェノール樹脂と
の組合せによりＴｇを高くし、無機充填材の配合量でα
１を合わせる手法が既に提案されている。

【０００４】又、赤外線リフロー、ベーパーフェイズソ
ルダリング、半田浸漬等の手段での半田処理による半田
接合を行う場合、エポキシ樹脂組成物の硬化物並びに有
機基板からの吸湿により半導体装置内部に存在する水分
が高温で急激に気化することによる応力で半導体装置に
クラックが発生したり、有機基板の半導体素子搭載面と
エポキシ樹脂組成物の硬化物との界面で剥離が発生する
こともあり、エポキシ樹脂組成物の硬化物の高強度化、
低応力化、低吸湿化とともに、有機基板との高密着性も
求められる。従来のＢＧＡやＣＳＰ等のエリア実装型半
導体装置には、反りの低減のためにトリフェノールメタ
ン型エポキシ樹脂とトリフェノールメタン型フェノール
樹脂を樹脂成分とするエポキシ樹脂組成物が用いられて
きた。このエポキシ樹脂組成物は、Ｔｇが高く、硬化
性、熱時曲げ強度に優れた特性を有しているが、硬化物
の吸湿率が高く、又、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が
比較的高く、無機充填材の高充填化には限界があり、低
吸湿化が不十分で、耐半田クラック性には問題があっ
た。一方、従来のＱＦＰやＳＯＰ等の表面実装型半導体
装置では、半田実装時のクラックや各素材界面での剥離
の防止のために、ビフェニル型エポキシ樹脂に代表され
るような結晶性エポキシ樹脂を使用しているが、トリフ
ェノールメタン型エポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組
成物の硬化物と比較して熱時曲げ強度が低く、且つ硬化
が遅いのが問題であった。そこで、反りが小さく、硬化
性、熱時曲げ強度に優れ、且つ低吸湿性、耐半田クラッ
ク性に優れるエポキシ樹脂組成物を得るため、トリフェ
ノールメタン型エポキシ樹脂と結晶性エポキシ樹脂の特
徴を生かすべく、エポキシ樹脂組成物の製造時に両方の
エポキシ樹脂を適正量併用したり、予め両方のエポキシ
樹脂を溶融混合したものを用いても、トリフェノールメ
タン型エポキシ樹脂を用いた時の反りが小さく、硬化
性、熱時曲げ強度に優れるという特徴と、結晶性エポキ
シ樹脂を用いた時の低吸湿性、耐半田クラック性に優れ
るという特徴を両立することはできておらず、不十分で
あった。

【０００５】又、電子・電気材料、特にＩＣ封止材料は
近年、生産効率の向上を目的とした速硬化性と、物流・
保管時の取り扱い性向上のための保存性の向上とが求め
られるようになってきている。従来、電子・電気分野向
けエポキシ樹脂には、硬化促進剤としてホスフィン類、
アミン類、イミダゾール系化合物、ジアザビシクロウン
デセン等の含窒素複素環式化合物、第四級アンモニウ
ム、ホスホニウム或いはアルソニウム化合物等の種々の
化合物が使用されている。これらの一般に使用される硬
化促進剤は、常温等の比較的低温においても硬化促進作
用を示す場合が多い。このことは、エポキシ樹脂組成物
の製造時及び得られたエポキシ樹脂組成物の保存時の粘
度上昇や、流動性の低下、硬化性のバラツキ等、製品と
しての品質を低下させる原因となっている。この問題を
解決すべく、最近では低温での粘度、流動性の経時変化
を抑え、賦形、成形時の加熱によってのみ硬化反応を起
こすような、いわゆる潜伏性硬化促進剤の研究が盛んに
なされている。その手段として、硬化促進剤の活性点を
イオン対により保護することで、潜伏性を発現する研究
がなされており、特開平８−４１２９０号公報では、種
々の有機酸とホスホニウムイオンとの塩構造を有する潜
伏性硬化促進剤が開示されている。しかし、このホスホ
ニウム塩は特定の高次の分子構造を有さず、イオン対が
比較的容易に外部環境の影響を受けるため、最近の低分
子エポキシ樹脂やフェノールアラルキル樹脂を用いる半
導体封止材料においては、保存性が低下する問題が生じ
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、成形後や半
田処理時の反りが小さく、且つ速硬化性、保存性に優れ
るエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び
これを用いた半導体装置を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、［１］（Ａ）
一般式（１）及び／又は一般式（２）で示される多官能
フェノール樹脂（ａ）と、結晶性エポキシ樹脂の前駆体
であるフェノール類（ｂ）とを混合しグリシジルエーテ
ル化したエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（１）、又は一般
式（２）で示される多官能フェノール樹脂硬化剤、
（Ｃ）テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と１分子内にフェ
ノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）及び１分
子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物
（Ｙ）の共役塩基との分子会合体であって、該共役塩基
が前記フェノール性水酸基を１分子内に２個以上有する
化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化
合物からなる硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填材を必須
成分とし、（ａ）と（ｂ）との重量比（ａ／ｂ）が１〜
１９であり、エポキシ樹脂（Ａ）の融点が７０〜１２０
℃であり、全エポキシ樹脂のエポキシ基に対する全フェ
ノール樹脂硬化剤のフェノール性水酸基の当量比が０．
５〜２．０であり、分子会合体（Ｃ）の含有量が全エポ
キシ樹脂と全フェノール樹脂硬化剤の合計量１００重量
部当たり０．４〜２０重量部であり、無機充填材の含有
量が全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂硬化剤の合計量
１００重量部当たり２５０〜１４００重量部であること
を特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組
成物、

【化６】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４、ｎ
＝０〜３、ｋは平均値で、１〜１０の正数）

【０００８】

【化７】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４）

【０００９】［２］１分子内にフェノール性水酸基を２
個以上有する化合物（Ｙ）の共役塩基が、ジヒドロキシ
ベンゼン類、トリヒドロキシベンゼン類、ビスフェノー
ル類、ビフェノール類、ジヒドロキシナフタレン類、フ
ェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂の
中から選択される１種以上である第［１］項記載のエリ
ア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、［３］一般
式（１）及び／又は一般式（２）で示される多官能フェ
ノール樹脂（ａ）と、結晶性エポキシ樹脂の前駆体であ
るフェノール類（ｂ）とを混合し、グリシジルエーテル
化したエポキシ樹脂（Ａ）において、融解熱量が３〜４
０ｍＪ／ｍｇである第［１］、又は［２］項記載のエリ
ア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、［４］結晶
性エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類（ｂ）が、
一般式（３）、一般式（４）、又は一般式（５）から選
ばれる一種以上である第［１］〜［３］項記載のエリア
実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、

【化８】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４）

【００１０】

【化９】

【００１１】

【化１０】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４、Ｒ
₂は水素、炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲンの中から
選択される基又は原子であり、それらは互いに同一であ
っても異なっていてもよい。 ） ［５］結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類
（ｂ）が、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチ
ルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、２，２−ビス（３’，５’−ジメ
チル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（２
−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）スルフィド、又は、３−ターシャリブチル−２，
４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチ
ルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキ
シ−３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ター
シャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，
５’−トリメチルスチルベン、の３種から選ばれる１種
以上と４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−
テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルス
チルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジター
シャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキ
シ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、
４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチ
ル−５，５’−ジメチルスチルベンの６種から選ばれる
１種以上との混合物である第［１］〜［４］項記載のエ
リア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、［６］基
板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭
載された基板面側の実質的に片面のみが第［１］〜
［５］項記載のいずれかのエポキシ樹脂組成物によって
封止されていることを特徴とする半導体装置、である。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明に用いる一般式（１）、又
は一般式（２）で示される多官能フェノール樹脂（ａ）
と結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類
（ｂ）との重量比（ａ／ｂ）を１〜１９とした混合物
（以下、混合多価フェノールという）をグリシジルエー
テル化したエポキシ樹脂（Ａ）は、結晶性エポキシ樹脂
に由来する低粘度化が図られており、これにより無機充
填材の高充填化、ひいてはエポキシ樹脂組成物の硬化物
の低吸湿化が可能となり、エポキシ樹脂組成物の硬化物
のＴｇが殆ど低下せず、又、多官能エポキシ樹脂を用い
たエポキシ樹脂組成物の硬化物の熱時曲げ強度と較べて
も遜色なく、且つ低弾性率で、硬化性も同等の特性を有
している。この方法で得られたエポキシ樹脂は、多官能
エポキシ樹脂と結晶性エポキシ樹脂がより均一化される
ことにより、結晶性エポキシ樹脂を使用する場合の問題
点である硬化反応性も向上するものと考えられる。従っ
て、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置
は、実装時の半田処理下でも高い信頼性を得ることがで
きる。

【００１３】一般式（１）、又は一般式（２）で示され
る多官能フェノール樹脂としては、例えば式（６）、式
（７）、式（８）、式（９）、式（１０）等が挙げられ
るが、入手のし易さ、性能、原料価格等の点から式
（６）、式（９）の多官能フェノール樹脂が好ましい。

【化１１】

【００１４】

【化１２】

【００１５】

【化１３】

【００１６】

【化１４】

【００１７】

【化１５】 本発明に用いる結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェ
ノール類（ｂ）としては、例えば一般式（３）のビフェ
ニル型、一般式（４）のビスフェノール型、一般式
（５）のスチルベン型等が挙げられる。

【００１８】一般式（３）のビフェニル型フェノール類
としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルビフェ
ニル、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャ
リブチル−６，６’−ジメチルビフェニル、４，４’−
ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，
５’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラターシャリブチルビフェニ
ル等（置換位置の異なる異性体を含む）が挙げられる。
一般式（４）のビスフェノール型フェノール類として
は、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、１，１−ビス（３’，５’−ジメチ
ル−４’−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３’−ター
シャリブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、
ビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）スルフィド等が挙げられる。

【００１９】一般式（５）のスチルベン型フェノール類
としては、例えば、３−ターシャリブチル−４，４’−
ジヒドロキシ−５，３’−ジメチルスチルベン、３−タ
ーシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，６−
ジメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−２，４’
−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベ
ン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
３’，５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャ
リブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−
トリメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’−ジメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチルス
チルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジター
シャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，
２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒドロキ
シ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジメチ
ルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’，
５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−５，５’−ジ
メチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラターシャリブチルスチルベン等
（置換位置の異なる異性体を含む）が挙げられる。

【００２０】これらの内では、入手のし易さ、性能、原
料価格等の点から、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
トラメチルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−
ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，５−トリ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビ
ス（３’−メチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３’，５’−ジメチル−４’−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、ビス（２−ターシャリブチ
ル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド
（以上７種のフェノール類を、以下ａ群という）、３−
ターシャリブチル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，
５’，６−トリメチルスチルベン、３−ターシャリブチ
ル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメ
チルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジ
ヒドロキシ−３’，５，５’−トリメチルスチルベン
（以上３種のフェノール類を、以下ｂ群という）、４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチ
ルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ
ターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、
２，２’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチ
ル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，４’−ジヒド
ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジ
メチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラメチルスチルベン、又は４，
４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−
５，５’−ジメチルスチルベン（以上６種のフェノール
類を、以下ｃ群という）から選択される１種以上が好ま
しい。

【００２１】ａ群の内、ビフェニル型フェノール類で
は、低粘度化効果が大きく、且つ反応性に富む４，４’
−ジヒドロキシビフェニルが含まれているものが特に好
ましい。その他のａ群では、ビス（３，５−ジメチル−
４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス
（３’，５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）
プロパン、ビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）スルフィドが特に好ましい。
又、スチルベン型フェノール類では、ｂ群から選ばれる
１種以上と、ｃ群から選ばれる１種以上との混合物が、
軟化点が低くなるため好ましい。これらの混合比、混合
方法等は特に限定しない。

【００２２】本発明の多官能フェノール樹脂（ａ）と結
晶性エポキシ樹脂の前駆体のフェノール類（ｂ）の重量
比（ａ／ｂ）としては、１〜１９が好ましく、特に、
１．５〜９が好ましい。１未満だと、グリシジルエーテ
ル化したときに生成した多官能エポキシ樹脂に由来する
高いＴｇ、熱時曲げ強度を十分に発現できないので好ま
しくない。又、１９を越えると、グリシジルエーテル化
したときに生成した結晶性エポキシ樹脂に由来する低粘
度化の効果が薄まり、無機充填材の高充填化ができない
ので好ましくない。本発明のエポキシ樹脂（Ａ）の合成
方法については特に限定しないが、例えば、混合多価フ
ェノールを過剰のエピクロルヒドリンに溶解した後、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸
化物の存在下で５０〜１５０℃、好ましくは６０〜１２
０℃で１〜１０時間反応させる方法が挙げられる。反応
終了後、過剰のエピクロルヒドリンを留去し、残留物を
トルエン、メチルイソブチルケトン等の溶剤に溶解し、
濾過し、水洗して無機塩を除去し、次いで溶剤を留去す
ることにより得ることができる。生成したエポキシ樹脂
の塩素イオン、ナトリウムイオン、その他フリーのイオ
ンは極力少ないことが望ましい。本発明のエポキシ樹脂
の結晶性エポキシ樹脂に由来する融点としては、７０〜
１５０℃の範囲にあることが好ましく、特に、９０〜１
２０℃が好ましい。７０℃未満だと、常温でブロッキン
グ性が低くなり、作業性やこれを用いたエポキシ樹脂組
成物の常温保存性の低下が見られるため好ましくない。
１５０℃を越えると、加熱混練の際、エポキシ樹脂が十
分に溶融できず、不均一なエポキシ樹脂組成物となり、
エポキシ樹脂組成物の硬化物の物性にバラツキが見られ
る可能性があるため好ましくない。本発明での融点と
は、示差走査熱量計（セイコー電子工業（株）・製）を
用い、エポキシ樹脂１０ｍｇ前後を精秤し、昇温速度５
℃／分で測定した吸熱ピークの温度を言う。

【００２３】本発明のエポキシ樹脂（Ａ）の結晶性エポ
キシ樹脂に由来する融解熱量が３〜４０ｍＪ／ｍｇであ
るものが好ましく、特に、５〜３５ｍＪ／ｍｇが好まし
い。３ｍＪ／ｍｇ未満だと、エポキシ樹脂はビスフェノ
ールＦ型樹脂のような挙動を示し、作業性が著しく低下
するので好ましくない。４０ｍＪ／ｍｇを越えると、加
熱混練の際にエポキシ樹脂が十分に溶融できずに不均一
なエポキシ樹脂組成物となり、エポキシ樹脂組成物の硬
化物の物性にバラツキが見られる可能性があるため、好
ましくない。本発明での融解熱量とは、示差走査熱量計
（セイコー電子工業（株）・製）を用い、エポキシ樹脂
１０ｍｇ前後を精秤し、昇温速度５℃／分で測定した吸
熱ピークの熱量を言う。又、本発明のエポキシ樹脂
（Ａ）の特性を損なわない範囲で、他のエポキシ樹脂を
併用できる。併用できるエポキシ樹脂としては、例え
ば、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキ
シ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ
樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、こ
れらは単独でも混合して用いても良い。

【００２４】本発明で用いる一般式（１）、又は一般式
（２）で示される多官能フェノール樹脂硬化剤として
は、具体的には前記した式（６）、式（７）、式
（８）、式（９）、式（１０）等が挙げられるが、入手
のし易さ、性能、原料価格等の点から式（６）、式
（９）の多官能フェノール樹脂硬化剤が好ましい。又、
本発明の一般式（１）、又は一般式（２）で示される多
官能フェノール樹脂硬化剤の特性を損なわない範囲で、
他のフェノール樹脂硬化剤を併用できる。併用できるフ
ェノール樹脂硬化剤としては、例えば、フェノールノボ
ラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペン
タジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹
脂、ナフトールアラルキル樹脂、テルペン変性フェノー
ル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いて
も良い。更に、半導体装置の長期信頼性の点から、不純
物として含有される塩素イオン、ナトリウムイオン、そ
の他フリーのイオンは極力少ないことが望ましい。全エ
ポキシ樹脂のエポキシ基に対する全フェノール樹脂硬化
剤のフェノール性水酸基の当量比は、０．５〜２．０が
好ましく、この範囲を外れると、エポキシ樹脂組成物の
硬化性の低下、或いは硬化物のＴｇの低下等のおそれが
あるので好ましくない。

【００２５】本発明に用いる硬化促進剤である分子会合
体（Ｃ）は、テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と１分子内
にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）及
び１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合
物（Ｙ）の共役塩基との分子会合体であって、該共役塩
基が前記フェノール性水酸基を１分子内に２個以上有す
る化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型
化合物である。その構成成分の一つであるテトラ置換ホ
スホニウム（Ｘ）の置換基については何ら限定されず、
置換基は互いに同一であっても異なっていてもよい。例
えば、置換又は無置換のアリール基やアルキル基を置換
基に有するテトラ置換ホスホニウムイオンが、熱や加水
分解に対して安定であり好ましい。具体的には、テトラ
フェニルホスホニウム、テトラトリルホスホニウム、テ
トラエチルフェニルホスホニウム、テトラメトキシフェ
ニルホスホニウム、テトラナフチルホスホニウム、テト
ラベンジルホスホニウム、エチルトリフェニルホスホニ
ウム、ｎ−ブチルトリフェニルホスホニウム、２−ヒド
ロキシエチルトリフェニルホスホニウム、トリメチルフ
ェニルホスホニウム、メチルジエチルフェニルホスホニ
ウム、メチルジアリルフェニルホスホニウム、テトラ−
ｎ−ブチルホスホニウム等を例示できる。

【００２６】本発明の分子会合体（Ｃ）の構成成分であ
る、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化
合物（Ｙ）としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシ−
３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチル
ビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノー
ル、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビ
スフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−
ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン及びこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒ
ドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン
の３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）・製、ビ
スフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−
ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４
−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，
２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼ
ン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキ
シナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノー
ル、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種
異性体等の化合物が挙げられる。更に、他の構成成分で
ある共役塩基は、上記の化合物（Ｙ）から１個の水素を
除いたフェノキシド型化合物である。

【００２７】本発明の分子会合体（Ｃ）は、前述のよう
にホスホニウム−フェノキシド型の塩を構造中に有する
が、従来の技術におけるホスホニウム−有機酸アニオン
塩型の化合物と異なる点は、本発明の分子会合体（Ｃ）
では水素結合による高次構造がイオン結合を取り囲んで
いる点である。従来の技術における塩では、イオン結合
の強さのみにより反応性を制御しているのに対し、本発
明の分子会合体（Ｃ）では、常温ではアニオンの高次構
造による囲い込みが活性点の保護を行う一方、成形の段
階においては、この高次構造が崩れることで活性点がむ
き出しになり、反応性を発現する、いわゆる潜伏性が付
与されている。

【００２８】本発明の分子会合体（Ｃ）の製造方法は何
ら限定されないが、代表的な２方法を挙げることができ
る。１つ目は、テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボ
レート（Ｚ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個
以上有する化合物（Ｙ）とを、高温下で反応させた後、
更に沸点６０℃以上の溶媒中で熱反応させる方法であ
る。２つ目は、１分子内にフェノール性水酸基を２個以
上有する化合物（Ｙ）と、無機塩基又は有機塩基と、テ
トラ置換ホスホニウムハライドとを反応させる方法であ
る。テトラ置換ホスホニウムハライドの置換基について
は何ら限定されることはなく、置換基は互いに同一であ
っても異なっていてもよい。例えば、置換又は無置換の
アリール基やアルキル基を置換基に有するテトラ置換ホ
スホニウムイオンが、熱や加水分解に対して安定であり
好ましい。具体的には、テトラフェニルホスホニウム、
テトラトリルホスホニウム、テトラエチルフェニルホス
ホニウム、テトラメトキシフェニルホスホニウム、テト
ラナフチルホスホニウム、テトラベンジルホスホニウ
ム、エチルトリフェニルホスホニウム、ｎ−ブチルトリ
フェニルホスホニウム、２−ヒドロキシエチルトリフェ
ニルホスホニウム、トリメチルフェニルホスホニウム、
メチルジエチルフェニルホスホニウム、メチルジアリル
フェニルホスホニウム、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウ
ム等を例示できる。ハライドとしてはクロライドやブロ
マイドを例示でき、テトラ置換ホスホニウムハライドの
価格や吸湿等の特性、及び入手のし易さから選択すれば
良く、いずれを用いても差し支えない。

【００２９】又、本発明の分子会合体（Ｃ）の特性を損
なわない範囲で、他の硬化促進剤を併用してもよい。併
用できる硬化促進剤としては、例えば、１，８−ジアザ
ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のアミジン系
化合物、トリフェニルホスフィン等の有機リン系化合
物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等
が挙げられるが、これらに限定されるものではない。こ
れらの硬化促進剤は単独でも混合して用いても差し支え
ない。本発明の分子会合体（Ｃ）の含有量としては、全
エポキシ樹脂と全フェノール樹脂硬化剤との合計量１０
０重量部当たり０．４〜２０重量部が好ましい。配合量
が０．４重量部未満だと、加熱成形時に十分な硬化性が
得られないおそれがあり、一方、２０重量部を越える
と、硬化が速すぎて成形時に流動性の低下による充填不
良等を生じるおそれがある。

【００３０】本発明で用いる無機充填材の種類について
は特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているも
のを使用することができる。例えば、溶融破砕シリカ、
溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、アルミ
ナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、ク
レー、ガラス繊維等が挙げられ、特に溶融球状シリカが
好ましい。球状シリカの形状としては、流動性改善のた
めに限りなく真球状であり、且つ粒度分布がブロードで
あることが好ましい。この無機充填材の含有量として
は、全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂との合計量１０
０重量部当たり２５０〜１４００重量部が好ましい。２
５０重量部未満だと、低熱膨張化、低吸湿性が得られ
ず、耐半田クラック性が不十分となり、１４００重量部
を越えると、流動性が低下し、成形時に充填不良等が生
じたり、高粘度化による半導体装置内の金線変形等の不
都合が生じるおそれがあるので好ましくない。本発明で
用いる無機充填材は、予め十分に混合しておくことが好
ましい。又、必要に応じて無機充填材をカップリング剤
やエポキシ樹脂、或いはフェノール樹脂硬化剤等で予め
処理して用いても良く、処理の方法としては、例えば、
溶剤を用いて混合した後に溶媒を除去する方法や、直接
無機充填材に添加し、混合機を用いて処理する方法等が
ある。

【００３１】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸
化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水
和物等の無機イオン交換体、γ-グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラ
ック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコ
ーンゴム等の低応力化成分、天然ワックス、合成ワック
ス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等
の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合しても
差し支えない。本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）
〜（Ｄ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用い
て常温混合し、ロール、ニーダー、押出機等の混練機で
溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。本発明のエポキ
シ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止
し、半導体装置を製造するには、トランスファーモール
ド、コンプレッションモールド、インジェクションモー
ルド等の成形方法で硬化成形すればよい。特に、本発明
のエポキシ樹脂組成物は、エリア実装型半導体装置用に
適している。

【００３２】

【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定さ
れるものではない。 ［エポキシ樹脂の合成例］実施例及び比較例のエポキシ
樹脂Ａ〜Ｆの合成に使用したフェノール樹脂は、前記し
た式（９）（水酸基当量１４２ｇ／ｅｑ）と、式（１
１）（水酸基当量９１ｇ／ｅｑ）である。式（１１）の
構造を以下に示す。

【化１６】

【００３３】又、結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフ
ェノール類として、４，４’−ジヒドロキシ−３，
３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、３−ターシ
ャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６
−トリメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’，５，５’−テトラメチルスチルベンを用い
た。エポキシ樹脂Ａ〜Ｆは、表１の配合割合で、常法に
よりグリシジルエーテル化して得た。配合割合は重量部
とする。得られたエポキシ樹脂Ａ〜Ｆの特性を表１に示
す。融点、融解熱量は、前述した方法で測定した。

【表１】

【００３４】［分子会合体（Ｃ）の合成例］１Ｌのセパ
ラブルフラスコに、本州化学工業（株）・製のビスフェ
ノールＦ−Ｄ（化合物（Ｙ）に相当）１２０ｇ（０．６
モル）、北興化学工業（株）・製のテトラフェニルホス
ホニウムブロマイド１２６ｇ（０．３モル）、メタノー
ル２４６ｇを仕込み、加熱下完全に溶解させた。そこに
水酸化ナトリウム１２ｇ含有するメタノール／水混合溶
液を攪拌しながら、内温６５℃の状態で滴下した。得ら
れた溶液に、更に水を滴下し、滴下終了後冷却すること
で、目的物を固形物として得た。濾過して固形物を取り
出し、更に水中で洗浄し、乾燥させて得られた生成物を
化合物Ｃ１とした。測定溶媒に重メタノールを用い、¹
Ｈ−ＮＭＲデータを測定して化合物Ｃ１の構造を同定し
た。４．８ｐｐｍ付近及び３．３ｐｐｍ付近のピークは
溶媒のピークである。６．４〜７．１ｐｐｍ付近のピー
ク群は、原料であるビスフェノールＦ［（Ｘ）１モルに
対するモル数（ｐ）］及びこのビスフェノールＦから１
個の水素を除いたフェノキシド型の共役塩基［（Ｘ）１
モルに対するモル数（ｑ）］のフェニルプロトン、７．
６〜８．０ｐｐｍ付近のピーク群は、テトラフェニルホ
スホニウム基のフェニルプロトンと帰属され、それらの
面積比から、モル比が（ｐ＋ｑ）／（Ｘ）＝２／１であ
ると計算された。

【００３５】 ［エポキシ樹脂組成物の製造例］ （実施例１） エポキシ樹脂Ａ ６．６０重量部 前記式（１１）のフェノール樹脂硬化剤（水酸基当量９１ｇ／ｅｑ） ４．２９重量部 化合物Ｃ１ ０．４０重量部 溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ） ８５．００重量部 臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２７５ｇ／ｅｑ） １．００重量部 三酸化アンチモン １．００重量部 無機イオン交換体 ０．５０重量部 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン ０．４０重量部 カーボンブラック ０．３１重量部 カルナバワックス ０．５０重量部 を、常温でミキサーを用いて混合し、７０〜１２０℃で
２軸ロールを用いて混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹
脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の
方法で評価した。結果を表２に示す。

【００３６】・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６
に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温
度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分
で測定した。単位はｃｍ。 ・硬化トルク：キュラストメータ（（株）オリエンテッ
ク・製、ＪＳＲキュラストメータＩＶＰＳ型）を用い、
金型温度１７５℃、加熱開始９０秒後のトルクを求め
た。キュラストメータにおけるトルクは硬化性のパラメ
ータであり、数値の大きい方が硬化性が良好である。単
位はｋｇｆ・ｃｍ。 ・吸湿率：トランスファー成形機を用いて、金型温度１
７５℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間２分で直
径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円盤を成形し、１７５℃、８
時間で後硬化し、更に８５℃、相対湿度６０％の環境下
で１６８時間放置し、重量変化を測定して吸湿率を求め
た。単位は重量％。 ・熱時強度：熱時曲げ強度をＪＩＳ Ｋ ６９１１に準
じて（２４０℃で）測定した。単位はＮ／ｍｍ²。 ・パッケージ反り量：トランスファー成形機を用いて、
金型温度１８０℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ²、硬化時
間２分で２２５ｐＢＧＡ（基板は厚さ０．３６ｍｍ、ビ
スマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板、パッケ
ージサイズは２４×２４ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ、シリ
コンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ、チ
ップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の
金線でボンディングしている。）を成形し、１７５℃、
８時間で後硬化した。室温に冷却後、パッケージのゲー
トから対角線方向に、表面粗さ計を用いて高さ方向の変
位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。単
位はμｍ。 ・耐半田クラック性：トランスファー成形機を用いて、
金型温度１８０℃、注入圧力７５ｋｇ／ｃｍ²、硬化時
間２分で２２５ｐＢＧＡ（基板は厚さ０．３６ｍｍ、ビ
スマレイミド・トリアジン／ガラスクロス基板、パッケ
ージサイズは２４×２４ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ、シリ
コンチップはサイズ９×９ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ、チ
ップと回路基板のボンディングパッドとを２５μｍ径の
金線でボンディングしている。）を成形し、１７５℃、
８時間で後硬化した。得られたパッケージ８個を、８５
℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間放置した後、
ＩＲリフロー処理（２４０℃）を行った。処理後の内部
の剥離、及びクラックの有無を超音波探傷機で観察し、
不良パッケージの個数を数えた。不良パッケージの個数
がｎ個であるとき、ｎ／８と表示する。 ・常温保存性：３０℃で１週間保存した後、スパイラル
フローを測定し、調製直後のスパイラルフローに対する
百分率として表した。数値の大きい方が常温保存性が良
好である。単位は％。

【００３７】（実施例２〜５、比較例１〜１１）表２、
表３の配合（配合割合は重量部とする）に従い、実施例
１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得て、実施例１と
同様にして評価した。結果を表２、表３に示す。実施例
２、５では前記した式（９）のフェノール樹脂硬化剤
（水酸基当量１４２ｇ／ｅｑ）を用いた。比較例４、５
では式（１２）のエポキシ樹脂（エポキシ当量１５４ｇ
／ｅｑ）を用いた。比較例５、６では４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’
−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂
Ｇ（融点１０５℃、エポキシ当量１９５ｇ／ｅｑ）を用
いた。比較例１、２、４、５、６、７、９、１０では前
記した式（６）のフェノール樹脂硬化剤（水酸基当量９
８ｇ／ｅｑ）を用いた。比較例７〜１１では硬化促進剤
として、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７（以下、ＤＢＵという）を用いた。

【化１７】

【００３８】

【表２】

【００３９】

【表３】

【００４０】

【発明の効果】本発明に従うと、成形性、速硬化性、保
存性に優れ、エリア実装型半導体装置に適した半導体封
止用エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体
装置は、成形後や半田処理時の反りが小さく、基板への
実装性に優れている。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CD041 CD051 CD061 CD071 DE136 DE146 DJ016 DJ036 DJ046 DL006 EU007 EU117 EW017 FD020 FD090 FD130 FD140 FD160 GQ01 GQ05 4J036 AA02 AC02 AC03 AC06 AD01 AD04 AD05 AD07 AD08 AD09 AD10 AD20 BA03 DB05 DB07 DB08 DC40 DC46 DD07 FA01 FA03 FA05 FB08 HA12 JA07 4M109 AA01 CA21 EA02 EB03 EB04 EB07 EB12

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）一般式（１）及び／又は一般式
   （２）で示される多官能フェノール樹脂（ａ）と、結晶
   性エポキシ樹脂の前駆体であるフェノール類（ｂ）とを
   混合しグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂、（Ｂ）
   一般式（１）、又は一般式（２）で示される多官能フェ
   ノール樹脂硬化剤、（Ｃ）テトラ置換ホスホニウム
   （Ｘ）と１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有す
   る化合物（Ｙ）及び１分子内にフェノール性水酸基を２
   個以上有する化合物（Ｙ）の共役塩基との分子会合体で
   あって、該共役塩基が前記フェノール性水酸基を１分子
   内に２個以上有する化合物（Ｙ）から１個の水素を除い
   たフェノキシド型化合物からなる硬化促進剤、及び
   （Ｄ）無機充填材を必須成分とし、（ａ）と（ｂ）との
   重量比（ａ／ｂ）が１〜１９であり、エポキシ樹脂
   （Ａ）の融点が７０〜１５０℃であり、全エポキシ樹脂
   のエポキシ基に対する全フェノール樹脂硬化剤のフェノ
   ール性水酸基の当量比が０．５〜２．０であり、分子会
   合体（Ｃ）の含有量が全エポキシ樹脂と全フェノール樹
   脂硬化剤の合計量１００重量部当たり０．４〜２０重量
   部であり、無機充填材の含有量が全エポキシ樹脂と全フ
   ェノール樹脂硬化剤の合計量１００重量部当たり２５０
   〜１４００重量部であることを特徴とするエリア実装型
   半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （ただし、式中のＲは、炭素数１〜５の炭化水素、ハロ
   ゲンの中から選択される基又は原子であり、それらは互
   いに同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４、
   ｎ＝０〜３、ｋは平均値で、１〜１０の正数） 【化２】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
   ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
   に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４）
2. 【請求項２】 １分子内にフェノール性水酸基を２個以
   上有する化合物（Ｙ）の共役塩基が、ジヒドロキシベン
   ゼン類、トリヒドロキシベンゼン類、ビスフェノール
   類、ビフェノール類、ジヒドロキシナフタレン類、フェ
   ノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂の中
   から選択される１種以上である請求項１記載のエリア実
   装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
3. 【請求項３】 一般式（１）及び／又は一般式（２）で
   示される多官能フェノール樹脂（ａ）と、結晶性エポキ
   シ樹脂の前駆体であるフェノール類（ｂ）とを混合し、
   グリシジルエーテル化したエポキシ樹脂（Ａ）におい
   て、融解熱量が３〜４０ｍＪ／ｍｇである請求項１、又
   は２記載のエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成
   物。
4. 【請求項４】 結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェ
   ノール類（ｂ）が、一般式（３）、一般式（４）、又は
   一般式（５）から選ばれる一種以上である請求項１〜３
   記載のエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化３】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
   ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
   に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４） 【化４】 【化５】 （ただし、式中のＲは炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲ
   ンの中から選択される基又は原子であり、それらは互い
   に同一であっても異なっていてもよい。ｍ＝０〜４、Ｒ
   ₂は水素、炭素数１〜５の炭化水素、ハロゲンの中から
   選択される基又は原子であり、それらは互いに同一であ
   っても異なっていてもよい。 ）
5. 【請求項５】 結晶性エポキシ樹脂の前駆体であるフェ
   ノール類（ｂ）が、４，４’−ジヒドロキシビフェニ
   ル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テ
   トラメチルビフェニル、ビス（３，５−ジメチル−４−
   ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３’，
   ５’−ジメチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロパ
   ン、ビス（２−ターシャリブチル−５−メチル−４−ヒ
   ドロキシフェニル）スルフィド、又は、３−ターシャリ
   ブチル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−ト
   リメチルスチルベン、３−ターシャリブチル−４，４’
   −ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメチルスチルベ
   ン、３−ターシャリブチル−４，４’−ジヒドロキシ−
   ３’，５，５’−トリメチルスチルベン、の３種から選
   ばれる１種以上と４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，
   ５，５’−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒド
   ロキシ−３，３’−ジターシャリブチル−６，６’−ジ
   メチルスチルベン、２，２’−ジヒドロキシ−３，３’
   −ジターシャリブチル−６，６’−ジメチルスチルベ
   ン、２，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャリ
   ブチル−６，６’−ジメチルスチルベン、２，２’−ジ
   ヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチル
   ベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジターシャ
   リブチル−５，５’−ジメチルスチルベンの６種から選
   ばれる１種以上との混合物である請求項１〜４記載のエ
   リア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
6. 【請求項６】 基板の片面に半導体素子が搭載され、こ
   の半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみ
   が請求項１〜５記載のいずれかのエポキシ樹脂組成物に
   よって封止されていることを特徴とする半導体装置。