JP2003105062A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金線流れがなく、成形後や半田処理時での反
りが小さい特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）トリフェノールメタン型エポキシ
樹脂、（Ｂ）トリフェノールメタン型フェノール樹脂、
（Ｃ）溶融シリカ、及び（Ｄ）テトラ置換ホスホニウム
（Ｘ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有
する化合物（Ｙ）及び１分子内にフェノール性水酸基を
２個以上有する化合物（Ｙ）の共役塩基との分子会合体
であって、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有
する化合物（Ｙ）が、ジヒドロキシベンゼン類、トリヒ
ドロキシベンゼン類、ビスフェノール類の中から選択さ
れる１種以上であり、該共役塩基が前記フェノール性水
酸基を１分子内に２個以上有する化合物（Ｙ）から１個
の水素を除いたフェノキシド型化合物からなる硬化促進
剤を含むことを特徴とするエリア実装型半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エリア実装型半導
体装置に適した半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこ
れを用いた半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の小型化、軽量化、高性
能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々
進み、又半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、
新規にエリア実装型半導体装置が開発され、従来構造の
半導体装置から移行し始めている。エリア実装型半導体
装置としてはＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）或いは更
に小型化を追求したＣＳＰ（チップスケールパッケー
ジ）等が代表的であるが、これらは従来ＱＦＰ、ＳＯＰ
に代表される表面実装型半導体装置では限界に近づいて
いる多ピン化・高速化への要求に対応するために開発さ
れたものである。構造としては、ＢＴ樹脂／銅箔回路基
板（ビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基
板）に代表される硬質回路基板、或いはポリイミド樹脂
フィルム／銅箔回路基板に代表されるフレキシブル回路
基板の片面上に半導体素子を搭載し、その半導体素子搭
載面、即ち基板の片面のみがエポキシ樹脂組成物等で成
形・封止されている。又基板の半導体素子搭載面の反対
面には半田ボールを２次元的に並列して形成し、半導体
装置を実装する回路基板との接合を行う特徴を有してい
る。更に半導体素子を搭載する基板としては、上記の有
機回路基板以外にもリードフレーム等の金属基板を用い
る構造も開発されている。

【０００３】これらエリア実装型半導体装置の構造は、
基板の半導体素子搭載面のみをエポキシ樹脂組成物で封
止し、半田ボール形成面側は封止しないという片面封止
の形態をとっている。リードフレーム等の金属基板等で
は、半田ボール形成面でも数十μｍ程度の封止樹脂層が
存在することもあるが、半導体素子搭載面では数百μｍ
から数ｍｍ程度の封止樹脂層が形成されるため、実質的
に片面封止となっている。このため、有機基板や金属基
板とエポキシ樹脂組成物の硬化物との間での熱膨張・熱
収縮の不整合、或いはエポキシ樹脂組成物の成形硬化時
の硬化収縮による影響で、これらの半導体装置では成形
直後から反りが発生しやすい。更に、これらの半導体装
置を実装する回路基板上に半田接合を行う場合、２００
℃以上の加熱工程を経るが、この際にも半導体装置の反
りが発生し、多数の半田ボールが平坦とならず、半導体
装置を実装する回路基板から浮き上がってしまい、電気
的接合の信頼性が低下する問題が起こる。

【０００４】基板上の実質的に片面のみをエポキシ樹脂
組成物で封止した半導体装置において、反りを低減する
には、基板の熱膨張係数とエポキシ樹脂組成物の硬化物
の熱膨張係数とを近づけること、及びエポキシ樹脂組成
物の硬化物の硬化収縮量を小さくすることの二つの方法
が重要である。基板としては、有機基板ではＢＴ樹脂や
ポリイミド樹脂のような高いガラス転移温度（以下、Ｔ
ｇという）を有する樹脂が広く用いられており、これら
はエポキシ樹脂組成物の成形温度である１７０℃近辺よ
りも高いＴｇを有する。従って、成形温度から室温まで
の冷却過程では有機基板の線膨張係数（以下、α１とい
う）の領域のみで収縮する。従って、エポキシ樹脂組成
物の硬化物も、Ｔｇが高く且つα１が有機基板と同じ
で、更に硬化収縮量がゼロであれば、反りはほぼゼロで
あると考えられる。このため、多官能型エポキシ樹脂と
多官能型フェノール樹脂との組み合わせによりＴｇを高
くし、無機充填材の配合量でα１を合わせる手法が既に
提案されている。しかし多官能型エポキシ樹脂と多官能
型フェノール樹脂との組み合わせでは流動性が低下し金
線変形率が低下する等の不具合があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、金銭流れが
なく、成形後や半田処理時の反りが小さく、特にエリア
実装型半導体装置に適した半導体封止用エポキシ樹脂組
成物及びこれを用いた半導体装置を提供するものであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者は、成形後や半
田処理後の反りが小さく、且つ金銭流れをなくすべく鋭
意検討した結果、多官能型エポキシ樹脂と多官能型フェ
ノール樹脂とを組み合わせても、特定の化合物を硬化促
進剤として用いたエポキシ樹脂組成物が、極めて優れた
特性を示すことを見出し、この知見に基づいて本発明を
完成するに至った。すなわち本発明は、［１］（Ａ）一
般式（１）又は一般式（２）で示される多官能エポキシ
樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示されるフェノール樹脂、
（Ｃ）溶融シリカ、及び（Ｄ）テトラ置換ホスホニウム
（Ｘ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有
する化合物（Ｙ）及び１分子内にフェノール性水酸基を
２個以上有する化合物（Ｙ）の共役塩基との分子会合体
であって、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有
する化合物（Ｙ）が、ジヒドロキシベンゼン類、トリヒ
ドロキシベンゼン類、ビスフェノール類の中から選択さ
れる１種以上であり、該共役塩基が前記フェノール性水
酸基を１分子内に２個以上有する化合物（Ｙ）から１個
の水素を除いたフェノキシド型化合物からなる硬化促進
剤を含むことを特徴とするエリア実装型半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物、

【０００７】

【化４】 （Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同
一であっても、異なっていてもよい。ｎは平均値であり
１〜１０の正数、ａは０もしくは１〜３の整数、ｂは０
もしくは１〜３の整数である。）

【０００８】

【化５】 （Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同
一であっても、異なっていてもよい。ｎは平均値であり
１〜１０の正数、ａは０もしくは１〜３の整数であ
る。）

【０００９】

【化６】 （Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同
一であっても、異なっていてもよい。ｎは平均値であり
１〜１０の正数、ａは０もしくは１〜３の整数、ｂは０
もしくは１〜３の整数である。）

【００１０】［２］１分子内にフェノール性水酸基を２
個以上有する化合物（Ｙ）が、ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン、ピロガロール又はフロログルシンで
ある請求［１］項記載のエリア実装型半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物、［３］基板の片面に半導体素子が搭載
され、該半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片
面のみが第［１］項又は［２］項のいづれかに記載のエ
ポキシ樹脂組成物を用いて封止されていることを特徴と
する半導体装置、である。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明で用いられる一般式（１）
で示されるエポキシ樹脂又は一般式（２）で示されるエ
ポキシ樹脂は、下記する一般式（３）で示されるフェノ
ール樹脂と組み合わせることにより、得られる硬化物の
架橋密度が高く、Ｔｇも高くなり、又硬化収縮率が小さ
いという特徴を有するため、本発明のエポキシ樹脂組成
物の用途であるエリア実装型の半導体装置の封止では、
反りの低減に効果的である。一般式（１）及び一般式
（２）の具体例としては以下のものが挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。

【００１２】

【化７】

【００１３】

【化８】

【００１４】一般式（１）で示されるエポキシ樹脂又は
一般式（２）で示されるエポキシ樹脂の特性を損なわな
い範囲で他のエポキシ樹脂と併用してもよい。併用でき
るエポキシ樹脂としては、特に限定しないが、例えばフ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビス
フェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹
脂、フェノールアラルキル（フェニレン、ビフェニル骨
格を含む）型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹
脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェ
ノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキ
シ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキ
シ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いて
もよい。これらの内では、常温では結晶性の固体である
が、融点を越えると極めて低粘度の液状となり、無機充
填材を高充填化できるビフェニル型エポキシ樹脂、ビス
フェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂
が好ましい。特にビフェニル型エポキシ樹脂を用いる
と、エポキシ樹脂組成物の粘度を低下でき、無機充填材
を高充填化できるため、耐湿性の向上や低線膨張化が図
れ、成形品としての特性も向上するので好ましい。ビフ
ェニル型エポキシ樹脂としては、例えば、３，３’，
５，５’−テトラメチルビフェニルジグリシジルエーテ
ル、ビフェニルジグリシジルエーテル等が挙げられる。
その他のエポキシ樹脂も極力粘度の低いものを使用する
ことが望ましい。

【００１５】本発明で用いられる一般式（３）で示され
るフェノール樹脂は、前記した一般式（１）で示される
エポキシ樹脂又は一般式（２）で示されるエポキシ樹脂
と組み合わせることにより、得られる硬化物の架橋密度
が高くなり、Ｔｇの高い硬化物が得られるため、半導体
装置の反りを低減できる。一般式（３）の具体例として
は以下のものが挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。

【００１６】

【化９】

【００１７】一般式（３）で示されるフェノール樹脂の
特性を損なわない範囲で他のフェノール樹脂と併用して
もよい。併用できるフェノール樹脂としては、特に限定
しないが、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、フェノ
ールアラルキル（フェニレン、ビフェニル骨格を含む）
樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等が挙
げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。

【００１８】本発明で用いられる溶融シリカは、破砕
状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの
配合量を高め、且つエポキシ樹脂組成物の溶融粘度の上
昇を抑えるためには、球状シリカを主に用いる方が好ま
しい。更に球状シリカの配合量を高めるためには、球状
シリカの粒度分布をより広くとるよう調整することが望
ましい。

【００１９】本発明で用いられる硬化促進剤（Ｄ）であ
るテトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と、１分子内にフェノ
ール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）及び１分子
内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）
の共役塩基との分子会合体は、１分子内にフェノール性
水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）が、ジヒドロキシ
ベンゼン類、トリヒドロキシベンゼン類、ビスフェノー
ル類の中から選択される１種以上であり、該共役塩基
は、前記フェノール性水酸基を１分子内に２個以上有す
る化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型
化合物である。１個のテトラ置換ホスホニウムカチオン
と、１個以上３個未満のフェノール性水酸基及び１個の
フェノキシドアニオンの単位で構成され、テトラ置換ホ
スホニウムイオンの正電荷の周囲を１個以上３個未満の
フェノール性水酸基と１個のフェノキシドアニオンが取
り囲み、安定化した構造となっているものと考えられ
る。

【００２０】このような構造をとり得るホスホニウムイ
オンは、置換又は無置換のアリール基やアルキル基を置
換基として有するテトラ置換ホスホニウムイオンが、熱
や加水分解に対して安定であり好ましい。具体的には、
テトラフェニルホスホニウム、テトラトリルホスホニウ
ム、テトラエチルフェニルホスホニウム、テトラメトキ
シフェニルホスホニウム、テトラナフチルホスホニウ
ム、テトラベンジルホスホニウム、エチルトリフェニル
ホスホニウム、ｎ−ブチルトリフェニルホスホニウム、
２−ヒドロキシエチルトリフェニルホスホニウム、トリ
メチルフェニルホスホニウム、メチルジエチルフェニル
ホスホニウム、メチルジアリルフェニルホスホニウム、
テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム等を例示できる。

【００２１】本発明の分子会合体の構成成分である、１
分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物
（Ｙ）としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシ−３，
５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビス
フェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、
４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフ
ェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒ
ドロキシフェニル）−（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン及びこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒ
ドロキシフェニル）−（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）・製、
ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２
−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，
４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、
１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベ
ンゼン類等が挙げられるが、分子化合物の安定性や硬化
性、硬化物物性の点で、ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホン、ピロガロール又はフロログルシンが好適
である。更に他の構成成分である共役塩基は、上記の化
合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型化合
物である。

【００２２】本発明の分子会合体は、前述のようにホス
ホニウム−フェノキシド型の塩を構造中に有するが、従
来の技術におけるホスホニウム−有機酸アニオン塩型の
化合物と異なる点は、本発明の分子会合体では水素結合
による高次構造がイオン結合を取り囲んでいる点であ
る。従来の技術における塩では、イオン結合の強さのみ
により反応性を制御しているのに対し、本発明の分子会
合体では、常温ではアニオンの高次構造による囲い込み
が活性点の保護を行う一方、成形の段階においては、こ
の高次構造が崩れることで活性点がむき出しになり、反
応性を発現する、いわゆる潜伏性が付与されている。

【００２３】本発明に用いる硬化促進剤として作用する
分子会合体の配合量は、エポキシ樹脂と硬化剤として作
用するフェノール樹脂の合計重量を１００重量部とした
場合、０．５〜２０重量部程度が硬化性、保存性、他特
性のバランスがよく好適である。

【００２４】本発明の分子会合体の特性を損なわない範
囲で他の硬化促進剤と併用してもよい。併用できる硬化
促進剤としては、特に限定されるものではないが、例え
ば１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−
７、トリブチルアミン等のアミン系化合物、トリフェニ
ルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラ
フェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチル
イミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられ、こ
れらは単独でも混合して用いてもよい。

【００２５】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分の他、必要に応じてγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブ
ラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモ
ン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコ
ーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワック
ス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等
の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合することが
できる。

【００２６】本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分及びその他の添加剤等をミキサーを用いて常
温混合し、ロール、押出機等の混練機で混練し、冷却後
粉砕して得られる。本発明のエポキシ樹脂組成物を用い
て、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製
造するには、トランスファーモールド、コンプレッショ
ンモールド、インジェクションモールド等の成形方法で
硬化成形すればよい。特に、本発明のエポキシ樹脂組成
物は、エリア実装型半導体装置用に適している。

【００２７】

【実施例】以下に、本発明の実施例を示すが、本発明は
これにより何ら限定されるものではない。 ［分子会合体の合成例］以下、合成した分子会合体の構
造確認は、ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析及び以下
の方法による中和滴定（ホスホニウムフェノキシド当量
の測定）により実施した。合成した分子会合体をメタノ
ール／水系溶媒中で、重量既知の過剰量のシュウ酸と反
応させ、残余のシュウ酸を規定度既知の水酸化ナトリウ
ム水溶液で定量して、分子会合体の重量あたり規定度
（Ｎ／ｇ）を算出した。この値の逆数がホスホニウムフ
ェノキシド当量となる。 （合成例１）撹拌装置付きの１リットルのセパラブルフ
ラスコに日華化学工業（株）・製ＢＰＳ−Ｎ（４，４’
−ビスフェノールＳを主成分とする）３７．５ｇ（０．
１５モル）、メタノール１００ｍｌを仕込み、室温で撹
拌溶解し、更に攪拌しながら予め５０ｍｌのメタノール
に水酸化ナトリウム４．０ｇ（０．１モル）を溶解した
溶液を添加した。次いで予め１５０ｍｌのメタノールに
テトラフェニルホスホニウムブロマイド４１．９ｇ
（０．１モル）を溶解した溶液を加えた。しばらく攪拌
を継続し、３００ｍｌのメタノールを追加した後、フラ
スコ内の溶液を大量の水に撹拌しながら滴下し、白色沈
殿を得た。沈殿を濾過、乾燥し、白色結晶６６．０ｇを
得た。この化合物をＤ１とする。Ｄ１は、ＮＭＲ、マス
スペクトル、元素分析の結果から、テトラフェニルホス
ホニウム１分子と４，４’−ビスフェノールＳとが、モ
ル比１：１．５で錯化した目的の分子化合物であること
が確認された。又中和滴定の値からホスホニウムフェノ
キシド当量が、理論値７１３に近く、前述の構造を示し
た。合成の収率は９２．６％であった。 （合成例２）撹拌装置付きの１リットルのセパラブルフ
ラスコにピロガロール２７．７ｇ（０．２モル）、テト
ラフェニルホスホニウムブロマイド４１．９ｇ（０．１
モル）、メタノール１００ｍｌを仕込み、室温で撹拌溶
解し、更に攪拌しながら５．０規定の水酸化ナトリウム
水溶液２３．９ｇ（０．１モル）を添加した。しばらく
攪拌を継続し、２００ｍｌの純水を追加した後、撹拌を
止めてフラスコを氷冷し、白色沈殿を得た。沈殿を濾
過、乾燥し、白色結晶２７．０ｇを得た。この化合物を
Ｄ２とする。Ｄ２は、ＮＭＲ、マススペクトル、元素分
析の結果から、テトラフェニルホスホニウム１分子とピ
ロガロールとが、モル比１：２で錯化した目的の分子化
合物であることが確認された。また中和滴定の値からホ
スホニウムフェノキシド当量が、理論値５９０に近く、
前述の構造を示した。合成の収率は９１．５％であっ
た。 （合成例３）合成例３では、表１に示した条件により、
基本的な操作はすべて合成例２と同様に行い、化合物Ｄ
３を調製した。結果を表１に示す。 （合成例４）合成例４では、表１に示した条件により、
基本的な操作はすべて合成例１と同様に行い、化合物Ｄ
４を調整した。結果を表１に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】［エポキシ樹脂組成物の製造例］配合割合
は重量部とする。 実施例１ エポキシ樹脂１：式（４）で示されるエポキシ樹脂（軟化点６０℃、エポキシ 当量１７０） ９．０重量部

【００３０】

【化１０】

【００３１】 フェノール樹脂１：式（５）で示されるフェノール樹脂（軟化点１０７℃、水 酸基当量９７） ５．０重量部

【００３２】

【化１１】

【００３３】 球状溶融シリカ ８４．８重量部 化合物Ｄ１ ０．４重量部 カルナバワックス ０．５重量部 カーボンブラック ０．３重量部 をミキサーを用いて混合した後、表面温度が９０℃と４
５℃の２本ロールを用いて３０回混練し、冷却後粉砕し
てエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組
成物を以下の方法で評価した。結果を表２に示す。

【００３４】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。単位
はｃｍ。 パッケージ反り量：２２５ピンＢＧＡパッケージ（基板
は０．３６ｍｍ厚のＢＴ樹脂基板、パッケージサイズは
２４×２４ｍｍ、厚み１．１７ｍｍ、シリコンチップは
サイズ９×９ｍｍ、厚み０．３５ｍｍ、チップと回路基
板のボンディングパッドとを２５μｍ径の金線でボンデ
ィングしている）を、金型温度１８０℃、注入圧力７．
８ＭＰａ、２分間でトランスファー成形し、更に１７５
℃、８時間で後硬化した。室温に冷却後、パッケージの
ゲートから対角線方向に、表面粗さ計を用いて高さ方向
の変位を測定し、変異差の最も大きい値を反り量とし
た。単位はμｍ。 金線変形率：パッケージ反り量の評価で成形した２２５
ピンＢＧＡパッケージを軟Ｘ線透視装置で観察し、金線
の変形率を（流れ量）／（金線長）の比率で表した。単
位は％。

【００３５】実施例２〜７、比較例１〜３ 表２の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂
組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結果を表
２に示す。実施例及び比較例で用いたエポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂の詳細を以下に示す。 エポキシ樹脂２：式（６）で示されるエポキシ樹脂を主
成分とする樹脂（軟化点６５℃、エポキシ当量２１０）

【００３６】

【化１２】

【００３７】エポキシ樹脂３：ビフェニル型エポキシ樹
脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ４０００
Ｈ、融点１０５℃、エポキシ当量１９５） フェノール樹脂２：フェノールノボラック樹脂（軟化点
８０℃、水酸基当量１０４） なお、比較例１で用いた硬化促進剤はトリフェニルホス
フィン、比較例２で用いた硬化促進剤は、１，８−ジア
ザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢ
Ｕという）である。

【００３８】

【表２】

【００３９】

【発明の効果】本発明に従うと、金線流れがなく、特に
エリア実装型半導体封止用に適したエポキシ樹脂組成物
が得られ、これを用いた半導体装置は、成形後や半田処
理時での反りが小さい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J002 CC032 CC052 CC062 CC072 CD001 CD071 DA036 DJ016 EJ028 EJ038 EU117 EW017 EW177 FA086 FD016 FD142 FD147 FD148 GQ00 GQ05 4J036 AA02 AA04 AD08 AE05 AF01 AF03 AF05 AF06 AF07 AF09 AF19 BA02 DB05 DB06 DC02 DC41 DC46 FA02 FA05 FB08 GA04 GA29 JA07 4M109 AA01 EA02 EB04 EB13

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）一般式（１）又は一般式（２）で
   示される多官能エポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（３）で示
   されるフェノール樹脂、（Ｃ）溶融シリカ、及び（Ｄ）
   テトラ置換ホスホニウム（Ｘ）と、１分子内にフェノー
   ル性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）及び１分子内
   にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）の
   共役塩基との分子会合体であって、１分子内にフェノー
   ル性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ）が、ジヒドロ
   キシベンゼン類、トリヒドロキシベンゼン類、ビスフェ
   ノール類の中から選択される１種以上であり、該共役塩
   基が前記フェノール性水酸基を１分子内に２個以上有す
   る化合物（Ｙ）から１個の水素を除いたフェノキシド型
   化合物からなる硬化促進剤を含むことを特徴とするエリ
   ア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同
   一であっても、異なっていてもよい。ｎは平均値であり
   １〜１０の正数、ａは０もしくは１〜３の整数、ｂは０
   もしくは１〜３の整数である。） 【化２】 （Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同
   一であっても、異なっていてもよい。ｎは平均値であり
   １〜１０の正数、ａは０もしくは１〜３の整数であ
   る。） 【化３】 （Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基を示し、互いに同
   一であっても、異なっていてもよい。ｎは平均値であり
   １〜１０の正数、ａは０もしくは１〜３の整数、ｂは０
   もしくは１〜３の整数である。）
2. 【請求項２】 １分子内にフェノール性水酸基を２個以
   上有する化合物（Ｙ）が、ビス（４−ヒドロキシフェニ
   ル）スルホン、ピロガロール又はフロログルシンである
   請求項１記載のエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂
   組成物。
3. 【請求項３】 基板の片面に半導体素子が搭載され、該
   半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが
   請求項１又は２のいづれかに記載のエポキシ樹脂組成物
   を用いて封止されていることを特徴とする半導体装置。