JP2001123046A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2001123046A JP2001123046A JP30677199A JP30677199A JP2001123046A JP 2001123046 A JP2001123046 A JP 2001123046A JP 30677199 A JP30677199 A JP 30677199A JP 30677199 A JP30677199 A JP 30677199A JP 2001123046 A JP2001123046 A JP 2001123046A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- semiconductor device
- alkyl group
- integer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 充填性が良好で金線変形が少なく、成形時の
離型性に優れ、かつ耐半田クラック性及び信頼性に優れ
た特性を有するエポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
樹脂からなるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に１０〜
１００重量％含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤からなる
ことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ａ
は０〜３の整数、Ｒ２、Ｒ３は、炭素数１〜４のアルキ
ル基を示し、ｂ、ｃは０〜４の整数で、互いに同一であ
っても異なっていてもよい。ｍ、ｎは平均値で、ｍ、ｎ
はいずれも１〜１０の正数）
離型性に優れ、かつ耐半田クラック性及び信頼性に優れ
た特性を有するエポキシ樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
樹脂からなるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に１０〜
１００重量％含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤からなる
ことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ａ
は０〜３の整数、Ｒ２、Ｒ３は、炭素数１〜４のアルキ
ル基を示し、ｂ、ｃは０〜４の整数で、互いに同一であ
っても異なっていてもよい。ｍ、ｎは平均値で、ｍ、ｎ
はいずれも１〜１０の正数）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成形性、耐半田ク
ラック性に優れたエポキシ樹脂組成物及び半導体装置に
関するものである。
ラック性に優れたエポキシ樹脂組成物及び半導体装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスタ、集積
回路等の電子部品は、耐熱性、耐湿性に優れたオルソク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂をノボラック型フェ
ノール樹脂で硬化させるエポキシ樹脂組成物が用いられ
てきた。ところが近年、集積回路の高集積化に伴い半導
体素子が大型化し、かつ半導体装置は従来の挿入実装タ
イプのＤＩＰ等から表面実装タイプのＱＦＰ、ＳＯＰ、
ＳＯＪ、更に小型、薄型タイプのＬＱＦＰ、ＴＱＦＰ、
ＴＳＯＰ、ＳＳＯＰ等に変わってきている。即ち、大型
の半導体素子を小型で薄いパッケージに封入することに
より、内部応力によるクラックあるいは他の部材との剥
離が発生し、これらの不具合による耐湿性の低下等の問
題が提起されている。又、特に半田実装工程において
は、急激に２００℃以上の高温にさらされることによ
り、半導体装置のクラックや、樹脂組成物の硬化物と半
導体素子やリードフレームとの界面での剥離により耐湿
性が劣化してしまうといった問題が発生している。この
半導体装置のクラックや樹脂組成物の硬化物と半導体素
子の剥離が発生する原因は、半導体装置中の樹脂組成物
の硬化物と半導体素子及びリードフレームとの線膨張係
数の違いによる応力の発生と、半導体装置に吸湿された
水分が表面実装時の加熱により急激に気化膨張すること
による応力集中で剥離及び半導体装置のクラックが発生
するものと考えられる。これらの問題に対して、従来の
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をノボラッ
ク型フェノール樹脂で硬化させるタイプの樹脂組成物で
封入された半導体装置では、充分な性能が得られず、新
たな樹脂システムを用い、このような問題に耐え得るエ
ポキシ樹脂組成物及び半導体装置の開発が望まれてい
る。
回路等の電子部品は、耐熱性、耐湿性に優れたオルソク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂をノボラック型フェ
ノール樹脂で硬化させるエポキシ樹脂組成物が用いられ
てきた。ところが近年、集積回路の高集積化に伴い半導
体素子が大型化し、かつ半導体装置は従来の挿入実装タ
イプのＤＩＰ等から表面実装タイプのＱＦＰ、ＳＯＰ、
ＳＯＪ、更に小型、薄型タイプのＬＱＦＰ、ＴＱＦＰ、
ＴＳＯＰ、ＳＳＯＰ等に変わってきている。即ち、大型
の半導体素子を小型で薄いパッケージに封入することに
より、内部応力によるクラックあるいは他の部材との剥
離が発生し、これらの不具合による耐湿性の低下等の問
題が提起されている。又、特に半田実装工程において
は、急激に２００℃以上の高温にさらされることによ
り、半導体装置のクラックや、樹脂組成物の硬化物と半
導体素子やリードフレームとの界面での剥離により耐湿
性が劣化してしまうといった問題が発生している。この
半導体装置のクラックや樹脂組成物の硬化物と半導体素
子の剥離が発生する原因は、半導体装置中の樹脂組成物
の硬化物と半導体素子及びリードフレームとの線膨張係
数の違いによる応力の発生と、半導体装置に吸湿された
水分が表面実装時の加熱により急激に気化膨張すること
による応力集中で剥離及び半導体装置のクラックが発生
するものと考えられる。これらの問題に対して、従来の
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をノボラッ
ク型フェノール樹脂で硬化させるタイプの樹脂組成物で
封入された半導体装置では、充分な性能が得られず、新
たな樹脂システムを用い、このような問題に耐え得るエ
ポキシ樹脂組成物及び半導体装置の開発が望まれてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、充填性が良
好で金線変形が少なく、成形時の離型性に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物及び表面実装時の耐半田クラ
ック性及びその後の信頼性に優れた半導体装置を提供す
るものである。
好で金線変形が少なく、成形時の離型性に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物及び表面実装時の耐半田クラ
ック性及びその後の信頼性に優れた半導体装置を提供す
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）一般式
（１）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に１
０〜１００重量％含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤からな
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物及
びこれを用いて半導体素子を封止させてなることを特徴
とする半導体装置である。
（１）で示されるエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂中に１
０〜１００重量％含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）硬化促進剤からな
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物及
びこれを用いて半導体素子を封止させてなることを特徴
とする半導体装置である。
【化２】 （式中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ａ
は０〜３の整数、Ｒ２、Ｒ３は、炭素数１〜４のアルキ
ル基を示し、ｂ、ｃは０〜４の整数で、互いに同一であ
っても異なっていてもよい。ｍ、ｎは平均値で、ｍ、ｎ
はいずれも１〜１０の正数）
は０〜３の整数、Ｒ２、Ｒ３は、炭素数１〜４のアルキ
ル基を示し、ｂ、ｃは０〜４の整数で、互いに同一であ
っても異なっていてもよい。ｍ、ｎは平均値で、ｍ、ｎ
はいずれも１〜１０の正数）
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明に用いる一般式（１）で示されるエポキシ樹脂
は、ジフェニレン骨格及びフェニレン骨格とフェノール
類骨格を有する多官能エポキシ樹脂であり、これを用い
た樹脂組成物の硬化物は低い吸水率と高い靱性の特徴を
有する。ジフェニレン骨格とフェニレン骨格との共重合
型樹脂は、強靱性を有するジフェニレン骨格と、硬化性
の点で比較的成形性が良好であるフェニレン骨格を有し
ていることにより、成形性と半導体装置の信頼性とのバ
ランスに優れている。従って、ジフェニレン骨格のみの
エポキシ樹脂であれば、硬化性に難点があり、又、フェ
ニレン骨格のみのエポキシ樹脂であれば、信頼性の点で
不満足である。一般式（１）のｍ／ｎの割合は、２／８
〜８／２の範囲が特性のバランスの点から好ましい。一
般式（１）のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基を示
し、ａは０〜３の整数、Ｒ２、Ｒ３は、炭素数１〜４の
アルキル基を示し、ｂ、ｃは０〜４の整数で、互いに同
一であっても異なっていてもよい。ｍ、ｎは平均値で、
ｍ、ｎはいずれも１〜１０の正数であるが、ｍ、ｎのい
ずれかが１０を越えると成形時の流動性が劣り好ましく
ない。これらの種々の樹脂の内では、硬化性の点から式
（２）で示されるエポキシ樹脂が好ましい。
本発明に用いる一般式（１）で示されるエポキシ樹脂
は、ジフェニレン骨格及びフェニレン骨格とフェノール
類骨格を有する多官能エポキシ樹脂であり、これを用い
た樹脂組成物の硬化物は低い吸水率と高い靱性の特徴を
有する。ジフェニレン骨格とフェニレン骨格との共重合
型樹脂は、強靱性を有するジフェニレン骨格と、硬化性
の点で比較的成形性が良好であるフェニレン骨格を有し
ていることにより、成形性と半導体装置の信頼性とのバ
ランスに優れている。従って、ジフェニレン骨格のみの
エポキシ樹脂であれば、硬化性に難点があり、又、フェ
ニレン骨格のみのエポキシ樹脂であれば、信頼性の点で
不満足である。一般式（１）のｍ／ｎの割合は、２／８
〜８／２の範囲が特性のバランスの点から好ましい。一
般式（１）のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基を示
し、ａは０〜３の整数、Ｒ２、Ｒ３は、炭素数１〜４の
アルキル基を示し、ｂ、ｃは０〜４の整数で、互いに同
一であっても異なっていてもよい。ｍ、ｎは平均値で、
ｍ、ｎはいずれも１〜１０の正数であるが、ｍ、ｎのい
ずれかが１０を越えると成形時の流動性が劣り好ましく
ない。これらの種々の樹脂の内では、硬化性の点から式
（２）で示されるエポキシ樹脂が好ましい。
【化３】
【０００６】一般式（１）で示されるエポキシ樹脂は、
総エポキシ樹脂中に１０〜１００重量％、より好ましく
は５０〜１００重量％含むことにより必要な耐半田クラ
ック性及び信頼性を得ることができる。１０重量％未満
では、得られる樹脂組成物の硬化物の低吸水性及び強靱
性が不足し、満足できる耐半田クラック性及び信頼性が
得られないので好ましくない。本発明の一般式（１）の
エポキシ樹脂を他のエポキシ樹脂と併用する場合、併用
するエポキシ樹脂としては、分子中にエポキシ基を有す
るモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例え
ば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エ
ポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、スチルベ
ン型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。
これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは混合して用いて
も差し支えない。
総エポキシ樹脂中に１０〜１００重量％、より好ましく
は５０〜１００重量％含むことにより必要な耐半田クラ
ック性及び信頼性を得ることができる。１０重量％未満
では、得られる樹脂組成物の硬化物の低吸水性及び強靱
性が不足し、満足できる耐半田クラック性及び信頼性が
得られないので好ましくない。本発明の一般式（１）の
エポキシ樹脂を他のエポキシ樹脂と併用する場合、併用
するエポキシ樹脂としては、分子中にエポキシ基を有す
るモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指し、例え
ば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エ
ポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、スチルベ
ン型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。
これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは混合して用いて
も差し支えない。
【０００７】本発明で用いるフェノール樹脂は、分子中
にフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、
ポリマー全般を指し、例えば、フェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル
樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等が挙
げられる。これらのフェノール樹脂は、単独もしくは混
合して用いても差し支えない。本発明で用いる無機充填
材は、一般的に溶融シリカの内では破砕シリカあるいは
溶射等により球形化した球状シリカ、結晶シリカ、窒化
珪素、窒化アルミ、アルミナ、炭酸カルシウム、凝集化
シリカ、多孔質シリカ等が挙げられ、特に溶融シリカで
の破砕シリカ、球状シリカ、あるいは破砕シリカと球状
シリカの適正な混合物を用いるのが好ましい。又、総エ
ポキシ樹脂組成物中の無機充填材量としては、耐半田ク
ラック性等の特性を具備することを考慮して、７０〜９
０重量％が好ましい。７０重量％未満では、硬化したエ
ポキシ樹脂組成物の吸水率が増加し好ましくない。又、
９０重量％を越えると成形時にエポキシ樹脂組成物が高
粘度であることにより半導体装置中のダイパット、金線
ワイヤ−のずれ等の不都合が生じるおそれがあるので好
ましくない。
にフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、
ポリマー全般を指し、例えば、フェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル
樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等が挙
げられる。これらのフェノール樹脂は、単独もしくは混
合して用いても差し支えない。本発明で用いる無機充填
材は、一般的に溶融シリカの内では破砕シリカあるいは
溶射等により球形化した球状シリカ、結晶シリカ、窒化
珪素、窒化アルミ、アルミナ、炭酸カルシウム、凝集化
シリカ、多孔質シリカ等が挙げられ、特に溶融シリカで
の破砕シリカ、球状シリカ、あるいは破砕シリカと球状
シリカの適正な混合物を用いるのが好ましい。又、総エ
ポキシ樹脂組成物中の無機充填材量としては、耐半田ク
ラック性等の特性を具備することを考慮して、７０〜９
０重量％が好ましい。７０重量％未満では、硬化したエ
ポキシ樹脂組成物の吸水率が増加し好ましくない。又、
９０重量％を越えると成形時にエポキシ樹脂組成物が高
粘度であることにより半導体装置中のダイパット、金線
ワイヤ−のずれ等の不都合が生じるおそれがあるので好
ましくない。
【０００８】本発明で用いる硬化促進剤は、エポキシ基
と水酸基との硬化反応を促進させるものであればよい。
一般的に封止材料で用いられているものを広く用いるこ
とができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィン、テ
トラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、
ジメチルベンジルアミン、２−メチルイミダゾ−ル等が
挙げられ、これらは単独もしくは混合して用いても差し
支えない。本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分以外に必要に応じてカップリング剤、カーボ
ンブラックに代表される着色剤、天然ワックス及び合成
ワックス等の離型剤、シリコーンオイル、シリコーンゴ
ム等の低応力改質剤等が適宜配合される。又、本発明の
エポキシ樹脂組成物を製造するには、以上の各種原材料
をスーパーミキサー等の混合機により充分に均一に混合
した後、熱ロール、又はニーダー等の溶融混練機で混練
し、冷却後粉砕して粉末状、又はタブレットとすればよ
い。
と水酸基との硬化反応を促進させるものであればよい。
一般的に封止材料で用いられているものを広く用いるこ
とができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィン、テ
トラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、
ジメチルベンジルアミン、２−メチルイミダゾ−ル等が
挙げられ、これらは単独もしくは混合して用いても差し
支えない。本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜
（Ｄ）成分以外に必要に応じてカップリング剤、カーボ
ンブラックに代表される着色剤、天然ワックス及び合成
ワックス等の離型剤、シリコーンオイル、シリコーンゴ
ム等の低応力改質剤等が適宜配合される。又、本発明の
エポキシ樹脂組成物を製造するには、以上の各種原材料
をスーパーミキサー等の混合機により充分に均一に混合
した後、熱ロール、又はニーダー等の溶融混練機で混練
し、冷却後粉砕して粉末状、又はタブレットとすればよ
い。
【０００９】以下に本発明の実施例及び比較例を示し、
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【実施例】 実施例１ 式（２）で示されるエポキシ樹脂（ｍ：ｎ＝４８：５２、軟化点６０℃、エポ キシ当量２８９ｇ／ｅｑ、エポキシ樹脂Ａという） ７．８０重量部 オルソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂（軟化点６２℃、エポキシ当量２ ００ｇ／ｅｑ） ２．６０重量部 フェノ−ルノボラック樹脂（軟化点８０℃、水酸基当量１０５ｇ／ｅｑ） ４．２３重量部 溶融球状シリカ粉末（平均粒子径２０μｍ、２．５ｍ2／ｇ） ８４．４０重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ０．２２重量 部 カ−ボンブラック ０．２５重量部 カルナバワックス ０．５０重量部 を常温においてスーパーミキサーで混合し、７０〜１０
０℃で２軸ロールにより混練し、冷却後粉砕して成形材
料とした。得られた封止材料を成形機のサイズに合わせ
てタブレット化した。得られた成形材料の特性を以下の
方法で評価した。評価結果を表１に示す。
０℃で２軸ロールにより混練し、冷却後粉砕して成形材
料とした。得られた封止材料を成形機のサイズに合わせ
てタブレット化した。得られた成形材料の特性を以下の
方法で評価した。評価結果を表１に示す。
【００１０】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間１２０秒で測定し
た。 硬化性測定（ショアＤ硬度）：低圧トランスファー成形
機にて１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒
の条件にてＤＩＰ１６Ｌを成形時において、型開き後１
０秒後にランナー部の硬さをショアＤ硬度計にて測定。
値の大きい方が硬化が速い。 信頼性試験（半田クラック）：得られた成形材料をタブ
レット化し、低圧トランスファー成形機にて１７５℃、
注入圧力１００ｋｇ／ｃｍ2、６０秒の条件で半田クラ
ック試験用として９ｘ９ｍｍの半導体素子をＱＦＰ８０
Ｌに封止した。封止した半導体装置については、８５
℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間及び８５℃、
相対湿度８５％の環境下で１６８時間吸湿処理し、その
後ピーク温度２４０℃のＩＲリフロー炉を通し、超音波
探傷装置で内部の剥離状態を、顕微鏡にて外部クラック
の発生状況を観察した。 信頼性試験（半田プレッシャークッカーテスト、以下半
田ＰＣＴという）：得られた成形材料をタブレット化
し、低圧トランスファー成形機にて１７５℃、注入圧力
１００ｋｇ／ｃｍ2、６０秒の条件で半田クラック試験
用として９×９ｍｍの半導体素子をＱＦＰ８０Ｌに封止
した。封止した半導体装置については８５℃、相対湿度
８５％の環境下で１６８時間吸湿処理し、その後ピーク
温度２４０℃のＩＲリフロー炉を通し、プレッシャーク
ッカー試験（１２５℃、相対湿度１００％）を行い回路
のオープン不良を測定した。
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間１２０秒で測定し
た。 硬化性測定（ショアＤ硬度）：低圧トランスファー成形
機にて１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、１２０秒
の条件にてＤＩＰ１６Ｌを成形時において、型開き後１
０秒後にランナー部の硬さをショアＤ硬度計にて測定。
値の大きい方が硬化が速い。 信頼性試験（半田クラック）：得られた成形材料をタブ
レット化し、低圧トランスファー成形機にて１７５℃、
注入圧力１００ｋｇ／ｃｍ2、６０秒の条件で半田クラ
ック試験用として９ｘ９ｍｍの半導体素子をＱＦＰ８０
Ｌに封止した。封止した半導体装置については、８５
℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間及び８５℃、
相対湿度８５％の環境下で１６８時間吸湿処理し、その
後ピーク温度２４０℃のＩＲリフロー炉を通し、超音波
探傷装置で内部の剥離状態を、顕微鏡にて外部クラック
の発生状況を観察した。 信頼性試験（半田プレッシャークッカーテスト、以下半
田ＰＣＴという）：得られた成形材料をタブレット化
し、低圧トランスファー成形機にて１７５℃、注入圧力
１００ｋｇ／ｃｍ2、６０秒の条件で半田クラック試験
用として９×９ｍｍの半導体素子をＱＦＰ８０Ｌに封止
した。封止した半導体装置については８５℃、相対湿度
８５％の環境下で１６８時間吸湿処理し、その後ピーク
温度２４０℃のＩＲリフロー炉を通し、プレッシャーク
ッカー試験（１２５℃、相対湿度１００％）を行い回路
のオープン不良を測定した。
【００１１】実施例２〜６、比較例１〜６ 表１に示す配合で実施例１と同様にして成形材料を作成
し、実施例１と同様に評価した。評価結果を表１に示
す。なお、実施例１以外に用いたエポキシ樹脂の特性及
び構造を以下に示す。 ・式（２）で示されるエポキシ樹脂（ｍ：ｎ＝７３：２
７、軟化点６３℃、エポキシ当量２９６ｇ／ｅｑ、エポ
キシ樹脂Ｂという） ・式（２）で示されるエポキシ樹脂（ｍ：ｎ＝２４：７
６、軟化点６０℃、エポキシ当量２８２ｇ／ｅｑ、エポ
キシ樹脂Ｃという） ・式（３）のエポキシ樹脂（軟化点６５℃、エポキシ当
量２９８ｇ／ｅｑ）
し、実施例１と同様に評価した。評価結果を表１に示
す。なお、実施例１以外に用いたエポキシ樹脂の特性及
び構造を以下に示す。 ・式（２）で示されるエポキシ樹脂（ｍ：ｎ＝７３：２
７、軟化点６３℃、エポキシ当量２９６ｇ／ｅｑ、エポ
キシ樹脂Ｂという） ・式（２）で示されるエポキシ樹脂（ｍ：ｎ＝２４：７
６、軟化点６０℃、エポキシ当量２８２ｇ／ｅｑ、エポ
キシ樹脂Ｃという） ・式（３）のエポキシ樹脂（軟化点６５℃、エポキシ当
量２９８ｇ／ｅｑ）
【化４】
【００１２】・式（４）のエポキシ樹脂（軟化点５８
℃、エポキシ当量２７８ｇ／ｅｑ）
℃、エポキシ当量２７８ｇ／ｅｑ）
【化５】
【００１３】
【表１】
【００１４】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、充填性
が良好で金線変形が少なく、成形時の離型性に優れ、こ
れを用いて封止された半導体装置は表面実装時の耐半田
クラック性及び信頼性に優れている。
が良好で金線変形が少なく、成形時の離型性に優れ、こ
れを用いて封止された半導体装置は表面実装時の耐半田
クラック性及び信頼性に優れている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC032 CC042 CC052 CC072 CD041 DE146 DE236 DF016 DJ006 DJ016 EN067 EU117 EW147 EW177 EX000 EY017 FA086 FA096 FD016 FD090 FD142 FD157 FD160 FD200 GJ02 GQ05 4J036 AA01 AE05 DA02 FA01 FB07 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EA06 EB03 EB04 EB06 EB08 EB09 EB12 EB13 EB16 EB19 EC01 EC03 EC20
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ
樹脂を総エポキシ樹脂中に１０〜１００重量％含むエポ
キシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、
及び（Ｄ）硬化促進剤からなることを特徴とする半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中のＲ１は、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ａ
は０〜３の整数、Ｒ２、Ｒ３は、炭素数１〜４のアルキ
ル基を示し、ｂ、ｃは０〜４の整数で、互いに同一であ
っても異なっていてもよい。ｍ、ｎは平均値で、ｍ、ｎ
はいずれも１〜１０の正数） - 【請求項２】 請求項１記載のエポキシ樹脂組成物によ
って半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30677199A JP2001123046A (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30677199A JP2001123046A (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001123046A true JP2001123046A (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=17961095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30677199A Pending JP2001123046A (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001123046A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003012772A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2003012769A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
-
1999
- 1999-10-28 JP JP30677199A patent/JP2001123046A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003012772A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2003012769A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3334998B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2768088B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2000273280A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH11130936A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2001123046A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH07118366A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2006257309A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2951092B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2816290B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2862777B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2009256475A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP3359445B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
| JPH09143345A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2843247B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3675571B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3973137B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3235798B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP4961638B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH11106612A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH1192629A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3093051B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2991847B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPH1192631A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2000281748A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3235799B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060630 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081022 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090428 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090915 |