JPH11199754A

JPH11199754A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH11199754A
Application number: JP231998A
Authority: JP
Inventors: Akira Mogi; 亮茂木; Toshiaki Ishii; 利昭石井; Hiroyoshi Kokado; 博義小角
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1998-01-08
Filing date: 1998-01-08
Publication date: 1999-07-27

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】温度サイクル性及び耐はんだリフロー性に優
れた半導体装置を提供する。【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、
（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）式(I) （式中、Ｘは炭素数１〜５のアルコキシ基を表し、Ｙは
エポキシ基または水酸基を表し、Ｚはポリエーテル基を
表し、ｌ，ｍ，ｎ，ｏはそれぞれ正の整数を表す）で表
されるシリコーン化合物、（ｅ）特定のアルコキシシラ
ン含有化合物、並びに（ｆ）無機質充填剤を必須成分と
するエポキシ樹脂組成物、並びに前記エポキシ樹脂組成
物で封止されていることを特徴とする半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】エポキシ樹脂組成物を用いて
封止された半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、半導体装置は小型化、薄型化が著
しく進んでおり、半導体装置に占める半導体素子を封止
するエポキシ樹脂組成物の割合が小さくなっている。そ
のため温度サイクル試験やリフロー試験を行うと、半導
体素子とエポキシ樹脂組成物の熱膨張係数の差が大きい
ので半導体装置にクラック及び剥離が生じてしまう。エ
ポキシ樹脂組成物の熱膨張係数を下げる手段としては無
機質充填剤を高充填する方法が一般的であるが、無機質
充填剤の充填量を増やすと溶融粘度が上昇し、流動性や
成形性が低下するため、低い熱膨張係数と低い溶融粘度
を併せ持つ封止材料の開発が望まれている。

【０００３】従来の封止材料のエポキシ樹脂組成物は、
熱膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以上で低いものでも８．０
ｐｐｍ／℃程度であるため、半導体素子のシリコンとの
熱膨張係数の差が大きい。そのため半導体装置をはんだ
リフローにより基板へ実装するとき、半導体装置全体が
２００℃以上に加熱され熱応力及び吸湿した水分の急激
な膨張によりクラック及び剥離が生じることが問題とな
っている。また、温度サイクル試験での繰り返しの熱応
力により、パッケージにクラックが生じる問題があっ
た。また最近ではさらに薄型化が進み、シリコンチップ
の片面のみをモールド成形する片面封止型半導体装置が
検討されており、これらのパッケージでは熱膨張係数の
不整合により反りが生じる問題があった。

【０００４】本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、半導
体素子を封止するエポキシ樹脂組成物は、熱膨張係数が
６．０ｐｐｍ／℃以下の特性を有すれば、上記温度サイ
クル性、耐はんだリフロー性、反りの問題が低減するこ
とを見出した。しかしながら、熱膨張係数６．０ｐｐｍ
／℃以下を達成する無機質充填剤の充填量は、溶融シリ
カでは８５．０容積％以上必要であり、無機質充填剤を
高充填すれば溶融粘度が上昇し、流動性、成形性が悪く
なるといった問題が生じてまう。本発明者等はさらに鋭
意検討を重ねた結果、特定のシリコーン化合物とアルコ
キシシラン含有化合物を併用して用いることにより、無
機質充填剤の充填量を８５容積％以上にまで高めても上
述の問題が生じないことを見出し、本発明を完成するに
至った。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、式(I)で表
されるシリコーン化合物と式(II)及び／または式(III)
で表されるアルコキシシラン含有化合物を併用して用い
ることにより、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低下さ
せ、無機質充填剤の充填量を増やしても流動性、成形性
が良好なエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とす
る。本発明のエポキシ樹脂組成物を半導体装置の封止に
用いることにより、温度サイクル性、耐はんだリフロー
性、反りの問題を解消し、優れた半導体装置を提供する
ことが可能である。

【０００６】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は以下の発
明を包含する。（１）（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）硬化
促進剤、（ｄ）式（Ｉ）

【０００７】

【化４】（式中、Ｘは炭素数１〜５のアルコキシ基を表し、Ｙは
エポキシ基または水酸基を表し、Ｚはポリエーテル基を
表し、ｌ，ｍ，ｎ，ｏはそれぞれ正の整数を表す）で表
されるシリコーン化合物、（ｅ）式（ＩＩ）

【０００８】

【化５】（式中、Ｒ₁はメチル基またはエチル基を表し、Ｒ₂はエ
ポキシ基を表す）及び／または式(III)

【０００９】

【化６】（式中、Ｒ₁はメチル基またはエチル基を表し、Ｒ₂はア
ミノ基またはメルカプト基を表す）で表されるアルコキ
シシラン含有化合物、並びに（ｆ）無機質充填剤を必須
成分とし、（ａ）１００重量部に対する（ｄ）及び
（ｅ）の重量割合をそれぞれＡ、Ｂとすると、０．５≦
Ａ＋Ｂ≦２０かつ０．１≦Ａ／Ｂ≦２０であり、無機質
充填剤の充填量が８５．０容積％以上であることを特徴
とするエポキシ樹脂組成物。

【００１０】（２）（１）に記載のエポキシ樹脂組成物
で封止されていることを特徴とする半導体装置。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明のエポキシ樹脂組成物は、
エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、式(I)のシリコー
ン化合物、式(II)及び／または式(III)のアルコキシシ
ラン含有化合物、並びに無機質充填剤を必須成分とす
る。本発明におけるエポキシ樹脂は、１分子中にエポキ
シ基を２個以上有するものであれば特に限定されない。
例えば、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフ
タレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキ
シ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が挙げられ、溶
融粘度が低いビフェニル型エポキシ樹脂が好ましい。本
発明における硬化剤は、１分子中にフェノール性水酸基
を２個以上有するものであれば特に限定されない。例え
ば、フェノールノボラック、キシリレン型フェノール樹
脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾー
ルフェノールノボラック等が挙げられ、溶融粘度が低い
フェノールノボラックが好ましい。

【００１２】本発明における式(I)で表されるシリコー
ン化合物は、特開平０６−２７９６５４に開示されてお
り、エポキシ樹脂組成物の一成分として記載されてい
る。しかしながら、特開平０６−２７９６５４に記載の
エポキシ樹脂組成物は、シリコンオイル含有液状エポキ
シ樹脂組成物と限定され、硬化物の低応力維持、印字性
を高めるために使用されている。また、特開平０６−２
７９６５４では硬化剤として酸無水物を用いている。一
方、本発明のエポキシ樹脂組成物では、硬化剤はフェノ
ール性水酸基を有するものであり、また、エポキシ樹脂
はビフェニル型エポキシ樹脂、硬化剤はフェノールノボ
ラックが好ましく、両者は共に室温では個体であるた
め、本発明のエポキシ樹脂組成物は特開平０６−２７９
６５４のように液状に限定されるものではない。さら
に、本発明のエポキシ樹脂組成物は熱膨張係数と溶融粘
度とのバランスを保つ役割を果たすものであり、その使
用目的も特開平０６−２７９６５４に記載のものとは異
なっている。式(I)中、Ｘは好ましくはメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、ブトキシであり、Ｙのエポキシ基は

【００１３】

【化７】の構造を含むものをいう。式(I)のシリコーン化合物が
エポキシ基を有する場合、エポキシ樹脂との相溶性がよ
くなるためエポキシ樹脂組成物の硬化時の表面へのしみ
だしを抑えることが可能である。また、エポキシ基を介
して硬化剤と反応できるため、良好な硬化組成物が得ら
れる。

【００１４】本発明者らは、式(I)のシリコーン化合物
を式(II)及び／または式(III)で表されるアルコキシシ
ラン含有化合物と併用することにより、エポキシ樹脂組
成物の溶融粘度が下がることを見い出した。エポキシ樹
脂１００重量部に対するシリコーン化合物及びアルコキ
シシラン含有化合物の重量割合をそれぞれＡ、Ｂとする
と、０．５≦Ａ＋Ｂ≦２０であり、かつ０．１≦Ａ／Ｂ
≦２０とすることが、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度を
低下させ、良好な成形性を得るうえで重要である。Ａ＋
Ｂ及びＡ／Ｂの値が上記範囲を外れると、エポキシ樹脂
組成物の粘度を下げる効果が顕著でなくなったり、ま
た、エポキシ樹脂組成物硬化時にシリコーン化合物が組
成物表面にしみだす等成形後の外観に影響を及ぼす虞が
ある。

【００１５】本発明に用いる無機質充填剤は、シリカで
あり、シリカは溶融シリカ及び結晶シリカがあるが、熱
膨張係数が小さい溶融シリカが好ましい。粒子形状につ
いては、球、角どちらでもよいが、流動性のためには球
が好ましい。無機質充填剤は、充填剤の９５重量％以上
が粒径０．１〜１００μｍの範囲にあり、かつ平均粒径
が２〜２０μｍで球状の粉末が好ましい。この範囲の充
填剤は最大充填分率が高く、高充填してもエポキシ樹脂
組成物の溶融粘度は上昇しにくい。充填剤の粒度分布を
ＲＲＳ粒度線図にプロットすると分布は直線性を示し、
その勾配ｎは０．６〜１．０の範囲の値を示す。これ
は、無機質充填剤の粒度分布が広いことにより、充填剤
自体の最大充填分率が９０％以上の高い値を示す。その
ためエポキシ樹脂組成物の溶融粘度は上昇しにくく、流
動性の低下は起こりにくい。本発明では、無機質充填剤
の充填量はエポキシ樹脂組成物の全容積に対して８５．
０容積％以上であるのが望ましく、特に８５．０〜９
０．０容積％であるのが好ましい。

【００１６】本発明では、硬化促進剤は硬化反応を促進
させるものならば種類は限定されない。例えば、トリフ
ェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェ
ニルボロン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェ
ニルボレート、ブチルトリフェニルホスホニウム・テト
ラフェニルボレート等のリン化合物、２−フェニル−４
−ベンジル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−
フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾ
ール、２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダ
ゾール化合物、１，８−ジアザビシクロ[５.４.０]ウン
デセン−７、ジアミノジフェニルメタン、トリエチレン
ジアミン等のアミン化合物等が挙げられる。

【００１７】本発明のエポキシ樹脂組成物には、上記成
分以外にも、必要に応じて離型剤、着色剤、可とう化
剤、難燃助剤等を添加することができる。離型剤は、成
形金型からの離型を容易にするものであり、カルナバワ
ックス、モンタン酸ワックス、ポリオレフィン系ワック
スを単独で用いるか、これらを併用して用いることがで
きる。添加量は、全量の０．０１〜５重量％が好まし
い。すなわち０．０１％未満では離型効果が得られにく
く、また５％を越えるとリードフレームやシリコンチッ
プとの接着性が低下する虞がある。着色剤は、カーボン
ブラックを用いることが好ましい。硬化物の強靱化、低
弾性率化のため配合される可とう化剤は、エポキシ樹脂
と非相溶のアミノ基またはエポキシ基、カルボキシル基
末端のブタジエン・アクリロニトリル系共重合体、ま
た、末端または側鎖アミノ基、水酸基、エポキシ基、カ
ルボキシル基変性シリコーン樹脂可とう化剤等を用いる
ことができる。難燃助剤は、リン系難燃助剤、臭素系難
燃助剤、塩素系難燃助剤、水和物含有化合物、金属水酸
化物、三酸化アンチモン等を用いることができる。

【００１８】本発明のエポキシ樹脂組成物を得るには、
上記材料を配合、混合、混練、粉砕すればよく、必要に
応じてさらに造粒することもできる。混練は一般的に
は、熱ロールや押し出し機等によって行うことができ
る。また、式(I)のシリコーン化合物と式(II)及び／ま
たは式(III)のアルコキシシラン含有化合物はエポキシ
樹脂組成物の溶融粘度を下げる以外に、エポキシ樹脂、
硬化剤と無機質充填剤の密着性を向上させる作用も有す
るため、無機質充填剤の表面をシリコーン化合物とアル
コキシシラン含有化合物で予め処理することも有効であ
る。表面処理方法は特に限定されないが、例えば、噴
霧、浸漬等により処理を行うことができる。

【００１９】本発明の半導体装置は、以上のようにして
得られたエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止
したものである。封止方法としては、トランスファー成
形、射出成形、圧縮成形等がある。この半導体装置は信
頼性を向上させるため、エポキシ樹脂組成物による成形
後、１５０℃以上の温度にて所定時間アフタキュアを行
うことが好ましい。

【００２０】

【実施例】実施例１表１に示す配合量にて各成分を配合し、二軸の熱ロール
を使用して６５℃〜８５．０℃で１０分間混練した。そ
の後、約２〜３mmφに粉砕し、エポキシ樹脂組成物を調
製した。エポキシ樹脂としては式（ＩＶ）

【００２１】

【化８】のビフェニル型エポキシ樹脂、硬化剤としては式（ＶＩ
Ｉ）

【００２２】

【化９】（式中、ｎは３〜１０の整数を表す）のキシリレン型フ
ェノール樹脂、シリコーン化合物としては式(I)のうち
Ｘがメトキシ基で、Ｙがエポキシ基のもの、アルコキシ
シラン含有化合物としては式(II)（式中、Ｒ₁はメチル
基である）を使用した。

【００２３】実施例２実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を調製した。エポ
キシ樹脂としては式(IV)のビフェニル型エポキシ樹脂、
硬化剤としては式(VI)

【００２４】

【化１０】（式中、ｎは３〜１０の整数を表す）のフェノールノボ
ラック、シリコーン化合物としては式(I)のうちＸがエ
トキシ基で、Ｙがエポキシ基のもの、アルコキシシラン
含有化合物としては式(III)（式中、Ｒ₁はメチル基、Ｒ
₂はメルカプト基である）を使用した。

【００２５】実施例３実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を調製した。エポ
キシ樹脂としては式(V)

【００２６】

【化１１】（式中、ｎは３〜１０の整数を表す）のo-クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂、硬化剤としては式(VII)のキ
シリレン型フェノール樹脂、シリコーン化合物としては
式(I)のうちＸがプロポキシ基で、Ｙが水酸基のものを
使用し、アルコキシシラン含有化合物としては式(II)
（式中、Ｒ₁はエチル基である）と式(III)（式中、Ｒ₁
はエチル基、Ｒ₂はメルカプト基である）を併用した。

【００２７】実施例４実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を調製した。エポ
キシ樹脂としては式(V)のo-クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、硬化剤としては式(VI)のフェノールノボラ
ック、シリコーン化合物としては式(I)のうちＸがブト
キシ基で、Ｙが水酸基のものを使用し、アルコキシシラ
ン含有化合物としては式(II)（式中、Ｒ₁はメチル基で
ある）と式(III)（式中、Ｒ₁はエチル基、Ｒ₂はアミノ
基である）を併用した。

【００２８】比較例１実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を調製した。エポ
キシ樹脂としては式(IV)のビフェニル型エポキシ樹脂、
硬化剤としては式(VII)のキシリレン型フェノール樹
脂、シリコーン化合物としては式(I)のうちＸがメトキ
シ基で、Ｙがエポキシ基のもの、アルコキシシラン含有
化合物としては式(II)（式中、Ｒ₁はメチル基である）
を使用した。

【００２９】比較例２実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を調製した。エポ
キシ樹脂としては式(IV)のビフェニル型エポキシ樹脂、
硬化剤としては式(VI)のフェノールノボラック、シリコ
ーン化合物としては式(I)のうちＸがエトキシ基で、Ｙ
がエポキシ基のもの、アルコキシシラン含有化合物とし
ては式(III) （式中、Ｒ₁はメチル基、Ｒ₂はメルカプト
基である）を使用した。

【００３０】比較例３実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を調製した。エポ
キシ樹脂としては式(V)のo-クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、硬化剤としては式(VII)のキシリレン型フ
ェノール樹脂、シリコーン化合物としては式(I)のうち
Ｘがプロポキシ基で、Ｙが水酸基のものを使用し、アル
コキシシラン含有化合物としては式(II)（式中、Ｒ₁は
エチル基である）と式(III)（式中、Ｒ₁はエチル基、Ｒ
₂はメルカプト基である）を併用した。

【００３１】比較例４実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を調製した。エポ
キシ樹脂としては式(V)のo-クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、硬化剤としては式(VI)のフェノールノボラ
ック、シリコーン化合物としては式(I)のうちＸがブト
キシ基で、Ｙが水酸基のものを使用し、アルコキシシラ
ン含有化合物としては式(II)（式中、Ｒ₁はメチル基で
ある）と式(III)（式中、Ｒ₁はエチル基、Ｒ₂はアミノ
基である）を併用した。

【００３２】比較例５実施例１と同様にエポキシ樹脂組成物を調製した。エポ
キシ樹脂としては式(V)のo-クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、硬化剤としては式(VI)のフェノールノボラ
ック、シリコーン化合物としては式(I)のうちＸがブト
キシ基で、Ｙが水酸基のものを使用し、アルコキシシラ
ン含有化合物としては式(II)（式中、Ｒ₁はメチル基で
ある）と式(III)（式中、Ｒ₁はエチル基、Ｒ₂はアミノ
基である）を併用した。

【００３３】

【表１】表２に実施例１〜４及び比較例１〜５のエポキシ樹脂組
成物と半導体装置の特性を示す。スパイラルフローの測
定は、該エポキシ樹脂組成物を用いてＥＭＭＩ規格に準
じた金型を用い金型温度１８０℃、成形圧力７０ｋｇ／
ｃｍ²、成形時間９０秒の条件で成形後の流動距離を測
定した。熱膨張係数の測定は、該エポキシ樹脂組成物を
用いて試験片を低圧トランスファープレスにて金型温度
１８０℃、成形圧力７０ｋｇ／ｃｍ²、成形時間９０秒
の条件で作製し、１８０℃にて６時間加熱硬化を行い、
熱物理試験機を用い昇温速度５℃／分の条件で行った。

【００３４】溶融粘度は、該エポキシ樹脂組成物を用い
て高下式フローテスター（島津製作所）にて荷重３０ｋ
ｇで１８０℃での溶融粘度を測定した。成形後の外観
は、該エポキシ樹脂組成物を用いて試験片を低圧トラン
スファープレスにて金型温度１８０℃、成形圧力７０ｋ
ｇ／ｃｍ²、成形時間９０秒の条件で作製し、１８０℃
にて６時間加熱硬化を行い、目視で観察した。

【００３５】温度サイクル性及びリフロー試験に用いた
半導体装置は、該エポキシ樹脂組成物を用いて低圧トラ
ンスファープレスにて金型温度１８０℃、成形圧力７０
ｋｇ／ｃｍ²、成形時間９０秒で成形し、１８０℃にて
６時間加熱硬化により作製した。温度サイクル性は、試
験条件は−５０℃を１０分、１５０℃を１０分で１サイ
クルとし、このサイクルを繰り返して行い、表面及び内
部にクラックが発生するまでのサイクル数として求め
た。表面クラックは目視、内部クラックは超音波探傷装
置により調べた。

【００３６】耐リフロー性は、まず各試験体を温度８５
℃、相対湿度８５％の環境中に１６８時間放置し吸湿さ
せた後リフロー試験を行った。リフロー試験条件は、２
６０℃のはんだ槽に１０秒間浸し、その後表面及び内部
クラック、剥離を観察した。表面クラックは目視、内部
クラック及び剥離は超音波探傷装置により調べた。

【００３７】

【表２】実施例１と比較例１を比べると、熱膨張係数はそれぞれ
５．５ｐｐｍ／℃、５．8ｐｐｍ／℃と目標値を満た
し、温度サイクル性及びリフロー性は優れている。しか
し比較例１は、シリコーン化合物の配合量／アルコキシ
シラン含有化合物の配合量の値が本発明のエポキシ樹脂
組成物の範囲を外れているため実施例１に比べて溶融粘
度が高く成形後の外観も悪い。実施例２と比較例２を比
べると、熱膨張係数はそれぞれ５．４ｐｐｍ／℃、６．
０ｐｐｍ／℃と目標値を満たし、温度サイクル性及びリ
フロー性は優れている。しかし比較例2は、シリコーン
化合物の配合量＋アルコキシシラン含有化合物の配合量
の値が本発明のエポキシ樹脂組成物の範囲を外れている
ため実施例２に比べて溶融粘度が高く成形後の外観も悪
い。実施例３と比較例３は、熱膨張係数はそれぞれ５．
７ｐｐｍ／℃、６．０ｐｐｍ／℃と目標値を満たし、温
度サイクル性及びリフロー性は優れている。しかしシリ
コーン化合物の配合量／アルコキシシラン含有化合物の
配合量の値が本発明のエポキシ樹脂組成物の範囲を外れ
ているため実施例3に比べて溶融粘度が高く成形後の外
観も悪い。

【００３８】実施例４と比較例４を比べると、熱膨張係
数はそれぞれ５．6ｐｐｍ／℃、５．９ｐｐｍ／℃と目
標値を満たし、温度サイクル性及びリフロー性は優れて
いる。しかし比較例４は、シリコーン化合物の配合量＋
アルコキシシラン含有化合物の配合量の値が本発明のエ
ポキシ樹脂組成物の範囲を外れているため実施例４に比
べて溶融粘度が高く、成形後の外観も悪い。

【００３９】実施例４と比較例5を比べると、比較例5は
溶融シリカの充填量が低いため、熱膨張係数８．０ｐｍ
／℃と目標値より高く、実施例４に比べ温度サイクル性
及びリフロー性が悪い。またシリコーン化合物の配合量
＋アルコキシシラン含有化合物の配合量の値及びシリコ
ーン化合物の配合量／アルコキシシラン含有化合物の配
合量の値がそれぞれ９．０、１．０と本発明のエポキシ
樹脂組成物の範囲内にあるため、成形後の外観は良好で
ある。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、式(I)で表されるシリ
コーン化合物と式(II)及び／または式(III)で表される
アルコキシシラン含有化合物を併用して用いることによ
り、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低下させ、無機質
充填剤の充填量を増やしても流動性、成形性が良好なエ
ポキシ樹脂組成物が得られる。本発明のエポキシ樹脂組
成物を半導体装置の封止に用いることにより、温度サイ
クル性、耐はんだリフロー性、反りの問題を解消し、優
れた半導体装置を提供することが可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩ //(Ｃ０８Ｋ 13/02 5:54 3:36）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、
（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）式(I) 【化１】（式中、Ｘは炭素数１〜５のアルコキシ基を表し、Ｙは
エポキシ基または水酸基を表し、Ｚはポリエーテル基を
表し、ｌ，ｍ，ｎ，ｏはそれぞれ正の整数を表す）で表
されるシリコーン化合物、（ｅ）式（II）【化２】（式中、Ｒ₁はメチル基またはエチル基を表し、Ｒ₂はエ
ポキシ基を表す）及び／または式(III) 【化３】（式中、Ｒ₁はメチル基またはエチル基を表し、Ｒ₂はア
ミノ基またはメルカプト基を表す）で表されるアルコキ
シシラン含有化合物、並びに（ｆ）無機質充填剤を必須
成分とし、（ａ）１００重量部に対する（ｄ）及び
（ｅ）の重量割合をそれぞれＡ、Ｂとすると、０．５≦
Ａ＋Ｂ≦２０かつ０．１≦Ａ／Ｂ≦２０であり、無機質
充填剤の充填量が８５．０容積％以上であることを特徴
とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物で
封止されていることを特徴とする半導体装置。