JP2006077234A - Ｌｅｄ素子封止用樹脂組成物および該組成物を硬化してなる硬化物 - Google Patents
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Abstract
【課題】
耐熱性、耐紫外線性、光学的透明性、強靭性および接着性に優れたＬＥＤ素子封止用樹脂組成物、その硬化物および該硬化物によるＬＥＤ素子封止方法を提供する。
【解決手段】
（イ）下記平均組成式（１）：
Ｒ１ ａ(ＯＸ)ｂＳｉＯ(４−ａ−ｂ)／２ （１）
（式中、Ｒ１は、独立に、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Ｘは、独立に、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、ａは1.05〜1.5の数であり、ｂは０＜ｂ＜２を満たす数であり、但し、1.05＜ａ＋ｂ＜２である）
で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５×10３以上であるオルガノポリシロキサン、および
（ロ）縮合触媒
を含有するＬＥＤ素子封止用樹脂組成物、前記組成物を硬化してなる硬化物ならびに該硬化物によるＬＥＤ素子封止方法。
【選択図】 なし
耐熱性、耐紫外線性、光学的透明性、強靭性および接着性に優れたＬＥＤ素子封止用樹脂組成物、その硬化物および該硬化物によるＬＥＤ素子封止方法を提供する。
【解決手段】
（イ）下記平均組成式（１）：
Ｒ１ ａ(ＯＸ)ｂＳｉＯ(４−ａ−ｂ)／２ （１）
（式中、Ｒ１は、独立に、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Ｘは、独立に、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、ａは1.05〜1.5の数であり、ｂは０＜ｂ＜２を満たす数であり、但し、1.05＜ａ＋ｂ＜２である）
で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５×10３以上であるオルガノポリシロキサン、および
（ロ）縮合触媒
を含有するＬＥＤ素子封止用樹脂組成物、前記組成物を硬化してなる硬化物ならびに該硬化物によるＬＥＤ素子封止方法。
【選択図】 なし
Description
本発明は、光学用材料に関するものであって、特に、耐熱性、光学的透明性、強靭性等の特性に優れたＬＥＤ素子封止用樹脂組成物、その硬化物および該硬化物によるＬＥＤ素子封止方法に関する。
ＬＥＤ素子封止材としては、透明性の高いエポキシ樹脂やシリコーン樹脂が作業性のよさや扱いやすさから幅広く使用されている。
しかし、最近では青色ＬＥＤや紫外ＬＥＤ等の短波長を持ったＬＥＤが開発され、その用途が急速に広がっている。このような状況にあって、従来のようなエポキシ樹脂やシリコーン樹脂では、強い紫外光により樹脂の黄変や極端な場合には樹脂骨格が切断されるといった不具合が発生し、使用することができなくなっている。特に紫外ＬＥＤ用途では樹脂による封止が困難であるため、ガラスによる封止に頼らざるを得ないのが現状である。
したがって、本発明の目的は、耐熱性、耐紫外線性、光学的透明性、強靭性および接着性に優れたＬＥＤ素子封止用樹脂組成物、その硬化物および該硬化物によるＬＥＤ素子封止方法を提供することにある。
上記課題を解決するために本発明者らは鋭意研究の結果、下記の組成物およびその硬化物がその課題を解決することを見出した。即ち、本発明は、
（イ）下記平均組成式（１）：
Ｒ１ ａ(ＯＸ)ｂＳｉＯ(４−ａ−ｂ)／２ （１）
（式中、Ｒ１は、独立に、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Ｘは、独立に、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、ａは1.05〜1.5の数であり、ｂは０＜ｂ＜２を満たす数であり、但し、1.05＜ａ＋ｂ＜２である）
で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５×10３以上であるオルガノポリシロキサン、および
（ロ）縮合触媒
を含有するＬＥＤ素子封止用樹脂組成物、
を提供する。
（イ）下記平均組成式（１）：
Ｒ１ ａ(ＯＸ)ｂＳｉＯ(４−ａ−ｂ)／２ （１）
（式中、Ｒ１は、独立に、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Ｘは、独立に、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、ａは1.05〜1.5の数であり、ｂは０＜ｂ＜２を満たす数であり、但し、1.05＜ａ＋ｂ＜２である）
で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５×10３以上であるオルガノポリシロキサン、および
（ロ）縮合触媒
を含有するＬＥＤ素子封止用樹脂組成物、
を提供する。
また、本発明は、前記組成物を硬化してなる硬化物および該硬化物によるＬＥＤ素子封止方法を提供する。
本発明の組成物およびその硬化物は、耐熱性、耐紫外線性、光学的透明性、強靭性および接着性に優れたものであって、さらに複屈折率が小さいものである。したがって、ＬＥＤ素子封止用として特に有用なものである。
以下、本発明を詳細に説明する。なお、本明細書において、室温とは24±２℃（即ち、22〜26℃）を意味するものである。
〔（イ）オルガノポリシロキサン〕
（イ）成分は、下記平均組成式（１）：
Ｒ１ ａ(ＯＸ)ｂＳｉＯ(４−ａ−ｂ)／２ （１）
（式中、Ｒ１は、独立に、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Ｘは、独立に、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、ａは1.05〜1.5の数であり、ｂは０＜ｂ＜２を満たす数であり、但し、1.05＜ａ＋ｂ＜２である）
で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５×10３以上であるオルガノポリシロキサンである。
（イ）成分は、下記平均組成式（１）：
Ｒ１ ａ(ＯＸ)ｂＳｉＯ(４−ａ−ｂ)／２ （１）
（式中、Ｒ１は、独立に、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Ｘは、独立に、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、ａは1.05〜1.5の数であり、ｂは０＜ｂ＜２を満たす数であり、但し、1.05＜ａ＋ｂ＜２である）
で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５×10３以上であるオルガノポリシロキサンである。
上記式（１）中、Ｒ１で表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基等が挙げられ、特にビニル基が挙げられる。アリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。これらの中でも、Ｒ１としては、メチル基、フェニル基が好ましい。
上記式（１）中、Ｘで表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。アルケニル基としては、例えば、ビニル基等が挙げられる。アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシエチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基等が挙げられる。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基等が挙げられる。これらの中でも、Ｘとしては、水素原子、メチル基、イソブチル基が好ましい。
上記式（１）中、ａは、1.15〜1.25の数であることが好ましく、ｂは、0.01≦ｂ＜1.4、特に0.02≦ｂ≦1.0、とりわけ0.05≦ｂ≦0.3を満たす数であることが好ましい。ａが1.05未満である場合には、硬化被膜にクラックが入りやすくなり、1.5を超える場合には、硬化被膜に強靭性がなく、脆くなりやすい。ｂが０である場合には、基材に対する接着性に劣り、２以上の場合には、硬化被膜が得られないことがある。また、ａ＋ｂは、好ましくは、1.06≦ａ＋ｂ≦1.8であり、より好ましくは、1.1≦ａ＋ｂ≦1.7である。
また、本成分のオルガノポリシロキサンは、得られる硬化物の耐熱性がより優れたものとなることから、該オルガノポリシロキサン中の、メチル基等に代表されるＲ１の比率（質量基準）を少なくすることが好ましく、具体的には、32質量％以下とすることが好ましく、15〜32質量％とすることがより好ましく、20〜32質量％とすることが更により好ましく、25〜31質量％とすることが特に好ましい。該比率がこの範囲を満たすと、硬化被膜を形成しやすく、得られる硬化被膜は耐クラック性に優れたものとなりやすい。
本成分のオルガノポリシロキサンは、下記一般式（２）：
ＳｉＲ２ ｃ（ＯＲ３）４−ｃ （２）
（式中、Ｒ２は、独立に、前記で定義したＲ１と同じであり、Ｒ３は、独立に、前記で定義したＸのうち水素原子を除くものと同じであり、ｃは１〜３の整数である）
で表されるシラン化合物を加水分解縮合させることにより、あるいは上記一般式（２）で表されるシラン化合物と下記一般式（３）：
Ｓｉ（ＯＲ３）４ （３）
（式中、Ｒ３は、独立に、前記と同じである）
で表されるアルキルシリケートおよび／もしくは該アルキルシリケートの縮重合物（アルキルポリシリケート）とを、共加水分解縮合させることにより得られる。これらのシラン化合物およびアルキル（ポリ）シリケートは、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
ＳｉＲ２ ｃ（ＯＲ３）４−ｃ （２）
（式中、Ｒ２は、独立に、前記で定義したＲ１と同じであり、Ｒ３は、独立に、前記で定義したＸのうち水素原子を除くものと同じであり、ｃは１〜３の整数である）
で表されるシラン化合物を加水分解縮合させることにより、あるいは上記一般式（２）で表されるシラン化合物と下記一般式（３）：
Ｓｉ（ＯＲ３）４ （３）
（式中、Ｒ３は、独立に、前記と同じである）
で表されるアルキルシリケートおよび／もしくは該アルキルシリケートの縮重合物（アルキルポリシリケート）とを、共加水分解縮合させることにより得られる。これらのシラン化合物およびアルキル（ポリ）シリケートは、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
上記式（２）で表されるシラン化合物としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン等が挙げられ、好ましくはメチルトリメトキシシランである。これらのシラン化合物は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
上記式（３）で表されるアルキルシリケートとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロピルオキシシラン等のテトラアルコキシシランが挙げられ、該アルキルシリケートの縮重合物（アルキルポリシリケート）としては、例えば、メチルポリシリケート、エチルポリシリケート等が挙げられる。これらのアルキル（ポリ）シリケートは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
これらの中でも、得られる硬化物が耐クラック性および耐熱性により優れたものとなることから、本成分のオルガノポリシロキサンは、メチルトリメトキシシラン等のアルキルトリアルコキシシラン50〜95モル％とジメチルジメトキシシラン等のジアルキルジアルコキシシラン50〜５モル％とからなるものが好ましく、メチルトリメトキシシラン等のアルキルトリアルコキシシラン75〜85モル％とジメチルジメトキシシラン等のジアルキルジアルコキシシラン25〜15モル％とからなるものがより好ましい。
本発明の好ましい実施形態では、本成分のオルガノポリシロキサンは、上記シラン化合物を加水分解縮合させることにより、あるいは上記シラン化合物とアルキル（ポリ）シリケートを共加水分解縮合させることにより得ることができ、その方法は特に限定されないが、例えば、以下の条件を適用することができる。
上記シラン化合物、アルキル（ポリ）シリケートは、通常、アルコール類、ケトン類、エステル類、セロソルブ類、芳香族化合物類等の有機溶媒に溶解させて使用することが好ましい。具体的には、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ―ブタノール、２−ブタノール等のアルコール類が好ましく、得られる組成物の硬化性および硬化物の強靭性が優れたものとなることから、イソブチルアルコールがより好ましい。
さらに、上記シラン化合物、アルキル（ポリ）シリケートは、例えば、酢酸、塩酸、硫酸等の酸触媒を併用して加水分解縮合を行うことが好ましい。加水分解縮合させる際に添加される水の量は、上記シラン化合物、あるいは上記シラン化合物とアルキル（ポリ）シリケート中のアルコキシ基の合計量1モルに対して、通常、0.9〜1.5モルであり、好ましくは1.0〜1.2モルである。この配合量が0.9〜1.5モルの範囲を満たすと、得られる組成物の作業性に優れ、その硬化物が強靭性に優れたものとなる。
本成分のオルガノポリシロキサンのポリスチレン換算の重量平均分子量は、熟成によって分子量をゲル化寸前の分子量にすることが望ましく、取り扱い上の観点からポットライフを考慮して５×10３以上であることが必要であり、５×10３〜３×10６、特に１×10４〜１×10５であることが好ましい。この分子量が５×10３未満の場合には、得られる組成物の硬化時にクラックが入りやすくなる。なお、この分子量が大きすぎると、該組成物がゲル化しやすく作業性に劣ることがある。
前記熟成を行う温度は、０〜40℃が好ましく、室温がより好ましい。この熟成温度が０〜40℃であると、本成分のオルガノポリシロキサンがラダー状構造を有するものとなり、得られる硬化物が耐クラック性に優れたものとなる。
本成分のオルガノポリシロキサンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
〔（ロ）縮合触媒〕
（ロ）成分の縮合触媒は、前記（イ）成分のオルガノポリシロキサンを硬化させるために必要とされる成分である。縮合触媒としては、特に限定されないが、該オルガノポリシロキサンの安定性、得られる硬化物の硬度、無黄変性等に優れることから、通常、有機金属系触媒が用いられる。この有機金属系触媒としては、例えば、亜鉛、アルミニウム、チタン、錫、コバルト等の原子を含有するものが挙げられ、好ましくは亜鉛、アルミニウム、チタン原子を含有するものであり、具体的には、有機酸亜鉛、ルイス酸触媒、有機アルミニウム化合物、有機チタニウム化合物等が挙げられる。より具体的には、オクチル酸亜鉛、安息香酸亜鉛、p-tert-ブチル安息香酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、塩化アルミニウム、過塩素酸アルミニウム、リン酸アルミニウム、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムアセチルアセトナート、アルミニウムブトキシビスエチルアセトアセテート、テトラブチルチタネート、テトライソプロピルチタネート、オクチル酸錫、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸錫等が挙げられ、好ましくはオクチル酸亜鉛である。
（ロ）成分の縮合触媒は、前記（イ）成分のオルガノポリシロキサンを硬化させるために必要とされる成分である。縮合触媒としては、特に限定されないが、該オルガノポリシロキサンの安定性、得られる硬化物の硬度、無黄変性等に優れることから、通常、有機金属系触媒が用いられる。この有機金属系触媒としては、例えば、亜鉛、アルミニウム、チタン、錫、コバルト等の原子を含有するものが挙げられ、好ましくは亜鉛、アルミニウム、チタン原子を含有するものであり、具体的には、有機酸亜鉛、ルイス酸触媒、有機アルミニウム化合物、有機チタニウム化合物等が挙げられる。より具体的には、オクチル酸亜鉛、安息香酸亜鉛、p-tert-ブチル安息香酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、塩化アルミニウム、過塩素酸アルミニウム、リン酸アルミニウム、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムアセチルアセトナート、アルミニウムブトキシビスエチルアセトアセテート、テトラブチルチタネート、テトライソプロピルチタネート、オクチル酸錫、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸錫等が挙げられ、好ましくはオクチル酸亜鉛である。
（ロ）成分の配合量は、（イ）成分100質量部に対して、通常、0.05〜10質量部であり、得られる組成物が硬化性および安定性に優れたものとなることから、好ましくは0.1〜５質量部である。
本成分の縮合触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
〔その他の任意成分〕
本発明の組成物には、上記（イ）成分および（ロ）成分のほかに、本発明の作用・効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を配合することができる。その他の任意成分としては、例えば、無機フィラー、無機蛍光体、老化防止剤、ラジカル禁止剤、紫外線吸収剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、カップリング剤、酸化防止剤、熱安定剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤、有機溶媒等が挙げられる。これらの任意成分は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
本発明の組成物には、上記（イ）成分および（ロ）成分のほかに、本発明の作用・効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を配合することができる。その他の任意成分としては、例えば、無機フィラー、無機蛍光体、老化防止剤、ラジカル禁止剤、紫外線吸収剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、カップリング剤、酸化防止剤、熱安定剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤、有機溶媒等が挙げられる。これらの任意成分は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
無機フィラーを配合すると、得られる硬化物の光の散乱や組成物の流動性が適切な範囲となったり、該組成物を利用した材料が高強度化されたりする等の効果がある。無機フィラーとしては、特に限定されないが、光学特性を低下させない微粒子状のものが好ましく、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム、溶融シリカ、結晶性シリカ、超微粉無定型シリカ、疎水性超微粉シリカ、タルク、炭酸カルシウム、硫酸バリウム等が挙げられる。
無機蛍光体としては、例えば、ＬＥＤに広く利用されている、イットリウム、アルミニウム、ガーネット系のＹＡＧ系蛍光体、ＺｎＳ系蛍光体、Ｙ２Ｏ２Ｓ系蛍光体、赤色発光蛍光体、青色発光蛍光体、緑色発光蛍光体等が挙げられる。
〔組成物の形態の例〕
最も単純な実施形態において、本発明によるＬＥＤ素子封止用樹脂組成物は、前記（イ）成分および（ロ）成分を含有し、シリカ充填剤等の無機フィラーを含有しない組成物であり、特には前記（イ）成分および（ロ）成分のみから実質的になる組成物である。無機フィラーとしては、例えば、上記のものが挙げられる。
最も単純な実施形態において、本発明によるＬＥＤ素子封止用樹脂組成物は、前記（イ）成分および（ロ）成分を含有し、シリカ充填剤等の無機フィラーを含有しない組成物であり、特には前記（イ）成分および（ロ）成分のみから実質的になる組成物である。無機フィラーとしては、例えば、上記のものが挙げられる。
〔組成物・硬化物の調製〕
本発明の組成物は、前記（イ）成分、（ロ）成分、および場合により含有される任意成分を任意の方法により混合して調製することができる。具体的には、例えば、（イ）成分のオルガノポリシロキサンと（ロ）成分の触媒、および上記任意成分を、通常、市販の攪拌機（例えば、THINKY CONDITIONING MIXER（（株）シンキー製）等）に入れて、１〜５分間程度、均一に混合することによって、本発明の組成物を調製することができる。
本発明の組成物は、前記（イ）成分、（ロ）成分、および場合により含有される任意成分を任意の方法により混合して調製することができる。具体的には、例えば、（イ）成分のオルガノポリシロキサンと（ロ）成分の触媒、および上記任意成分を、通常、市販の攪拌機（例えば、THINKY CONDITIONING MIXER（（株）シンキー製）等）に入れて、１〜５分間程度、均一に混合することによって、本発明の組成物を調製することができる。
本発明の組成物は、そのままの状態でフィルム状等に成形してもよいが、該組成物を有機溶媒に溶解してワニスとしてもよい。前記有機溶媒としては、特に限定されないが、沸点が64℃以上であるものが好ましく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒；テトラヒドロフラン、１,４−ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒；メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；クロロホルム、塩化メチレン、１,２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール等のアルコール系溶媒；オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン等が挙げられ、好ましくはキシレン、イソブチルアルコールである。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
この有機溶媒の配合量は、特に限定されないが、（イ）成分のオルガノポリシロキサンの濃度を、好ましくは30質量％以上、より好ましくは40質量％以上となる範囲とすることが、得られる硬化物の厚さを、典型的には10μm〜３mm、より典型的には100μm〜３mmのとなるように加工することが容易となることから望ましい。
また、前記組成物を硬化させる際には、硬化は、例えば、80〜200℃で１〜１２時間程度行うことができるが、80〜200℃の範囲でステップキュアをすることにより行うことが好ましい。例えば、ステップキュアは、２段階または３段階以上を経て、好ましくは以下の３段階を経て行うことができる。まず、該組成物を80〜120℃で低温硬化させる。硬化時間は０．５〜２時間程度の範囲でよい。次いで、該組成物を125〜175℃で加熱硬化させる。硬化時間は０．５〜２時間程度の範囲でよい。最後に、該組成物を180〜200℃で加熱硬化させる。硬化時間は１〜１０時間程度の範囲でよい。より具体的には、該組成物を80℃で１時間低温硬化させ、次いで150℃で１時間加熱硬化させ、さらに200℃で８時間加熱硬化させることが好ましい。これらの段階を経たステップキュアにより、得られる組成物は硬化性に優れ、気泡の発生も適切な範囲となる。更に、ステップキュアにより、上記の厚さを有する無色透明の硬化物を得ることができる。
本発明の組成物を硬化させて得られる硬化物のガラス転移点（Ｔｇ）は、通常、市販の測定器（例えば、真空理工（株）製の熱機械試験器（商品名：TM-7000、測定範囲：25〜200℃））では検出されないほど高いことから、得られる硬化物は極めて耐熱性に優れたものとなる。
〔組成物・硬化物の用途〕
本発明の組成物は、ＬＥＤ素子封止用、特に青色ＬＥＤや紫外ＬＥＤの素子封止用として有用なものである。ＬＥＤ素子は、本発明の組成物の硬化物を用いて、
該ＬＥＤ素子に該組成物を塗布すること、および
該組成物を硬化させて該ＬＥＤ素子上に該硬化物を形成させることにより、該ＬＥＤ素子を該硬化物で封止すること
を含む方法により封止することができる。該組成物は、例えば、そのままの状態で、または、該組成物を上記の有機溶媒に溶解して生成したワニスの状態で、該ＬＥＤ素子に塗布することができる。該組成物は、例えば、上記のステップキュアを用いて硬化させることができる。
本発明の組成物は、ＬＥＤ素子封止用、特に青色ＬＥＤや紫外ＬＥＤの素子封止用として有用なものである。ＬＥＤ素子は、本発明の組成物の硬化物を用いて、
該ＬＥＤ素子に該組成物を塗布すること、および
該組成物を硬化させて該ＬＥＤ素子上に該硬化物を形成させることにより、該ＬＥＤ素子を該硬化物で封止すること
を含む方法により封止することができる。該組成物は、例えば、そのままの状態で、または、該組成物を上記の有機溶媒に溶解して生成したワニスの状態で、該ＬＥＤ素子に塗布することができる。該組成物は、例えば、上記のステップキュアを用いて硬化させることができる。
本発明の組成物は、その他にも、その優れた耐熱性、耐紫外線性、透明性等の特性から、下記のディスプレイ材料、光記録媒体材料、光学機器材料、光部品材料、光ファイバー材料、光・電子機能有機材料、半導体集積回路周辺材料等の用途にも用いることができる。
−１．ディスプレイ材料−
ディスプレイ材料としては、例えば、液晶ディスプレイの基板材料、導光板、プリズムシート、偏向板、位相差板、視野角補正フィルム、接着剤、偏光子保護フィルム等の液晶用フィルム等の液晶表示装置周辺材料；次世代フラットパネルディスプレイであるカラープラズマディスプレイ（ＰＤＰ）の封止材、反射防止フィルム、光学補正フィルム、ハウジング材、前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤等；プラズマアドレス液晶（ＰＡＬＣ）ディスプレイの基板材料、導光板、プリズムシート、偏向板、位相差板、視野角補正フィルム、接着剤、偏光子保護フィルム等；有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイの前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤等；フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）の各種フィルム基板、前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤等が挙げられる。
ディスプレイ材料としては、例えば、液晶ディスプレイの基板材料、導光板、プリズムシート、偏向板、位相差板、視野角補正フィルム、接着剤、偏光子保護フィルム等の液晶用フィルム等の液晶表示装置周辺材料；次世代フラットパネルディスプレイであるカラープラズマディスプレイ（ＰＤＰ）の封止材、反射防止フィルム、光学補正フィルム、ハウジング材、前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤等；プラズマアドレス液晶（ＰＡＬＣ）ディスプレイの基板材料、導光板、プリズムシート、偏向板、位相差板、視野角補正フィルム、接着剤、偏光子保護フィルム等；有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイの前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤等；フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）の各種フィルム基板、前面ガラスの保護フィルム、前面ガラス代替材料、接着剤等が挙げられる。
−２．光記録材料−
光記録材料としては、例えば、ＶＤ（ビデオディスク）、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ／ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ±Ｒ／ＤＶＤ±ＲＷ／ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、ＭＤ、ＰＤ（相変化ディスク）、光カード用のディスク基板材料、ピックアップレンズ、保護フィルム、封止材、接着剤等が挙げられる。
光記録材料としては、例えば、ＶＤ（ビデオディスク）、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ／ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ±Ｒ／ＤＶＤ±ＲＷ／ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、ＭＤ、ＰＤ（相変化ディスク）、光カード用のディスク基板材料、ピックアップレンズ、保護フィルム、封止材、接着剤等が挙げられる。
−３．光学機器材料−
光学機器材料としては、例えば、スチールカメラのレンズ用材料、ファインダプリズム、ターゲットプリズム、ファインダーカバー、受光センサー部等；ビデオカメラの撮影レンズ、ファインダー等；プロジェクションテレビの投射レンズ、保護フィルム、封止材、接着剤等；光センシング機器のレンズ用材料、封止材、接着剤、フィルム等が挙げられる。
光学機器材料としては、例えば、スチールカメラのレンズ用材料、ファインダプリズム、ターゲットプリズム、ファインダーカバー、受光センサー部等；ビデオカメラの撮影レンズ、ファインダー等；プロジェクションテレビの投射レンズ、保護フィルム、封止材、接着剤等；光センシング機器のレンズ用材料、封止材、接着剤、フィルム等が挙げられる。
−４．光部品材料−
光部品材料としては、例えば、光通信システムでの光スイッチ周辺のファイバー材料、レンズ、導波路、素子の封止材、接着剤等；光コネクタ周辺の光ファイバー材料、フェルール、封止材、接着剤等；光受動部品・光回路部品である、レンズ、導波路、ＬＥＤ素子の封止材、接着剤等；光電子集積回路（ＯＥＩＣ）周辺の基板材料、ファイバー材料、素子の封止材、接着剤等が挙げられる。
光部品材料としては、例えば、光通信システムでの光スイッチ周辺のファイバー材料、レンズ、導波路、素子の封止材、接着剤等；光コネクタ周辺の光ファイバー材料、フェルール、封止材、接着剤等；光受動部品・光回路部品である、レンズ、導波路、ＬＥＤ素子の封止材、接着剤等；光電子集積回路（ＯＥＩＣ）周辺の基板材料、ファイバー材料、素子の封止材、接着剤等が挙げられる。
−５．光ファイバー材料−
光ファイバー材料としては、例えば、装飾ディスプレイ用照明・ライトガイド等；工業用のセンサー類、表示・標識類等；通信インフラ用および家庭内のデジタル機器接続用の光ファイバー等が挙げられる。
光ファイバー材料としては、例えば、装飾ディスプレイ用照明・ライトガイド等；工業用のセンサー類、表示・標識類等；通信インフラ用および家庭内のデジタル機器接続用の光ファイバー等が挙げられる。
−６．半導体集積回路周辺材料−
半導体集積回路周辺材料としては、例えば、ＬＳＩ、超ＬＳＩ材料用のマイクロリソグラフィー用のレジスト材料等が挙げられる。
半導体集積回路周辺材料としては、例えば、ＬＳＩ、超ＬＳＩ材料用のマイクロリソグラフィー用のレジスト材料等が挙げられる。
−７．光・電子機能有機材料−
光・電子機能有機材料としては、例えば、有機ＥＬ素子周辺材料；有機フォトリフラクティブ素子；光−光変換デバイスである光増幅素子、光演算素子、有機太陽電池周辺の基板材料；ファイバー材料；これらの素子の封止材、接着剤等が挙げられる。
光・電子機能有機材料としては、例えば、有機ＥＬ素子周辺材料；有機フォトリフラクティブ素子；光−光変換デバイスである光増幅素子、光演算素子、有機太陽電池周辺の基板材料；ファイバー材料；これらの素子の封止材、接着剤等が挙げられる。
以下、実施例を用いて本発明についてより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
なお、合成例で用いたメチルトリメトキシシランは信越化学工業（株）製のＫＢＭ13（商品名）であり、ジメチルジメトキシシランは信越化学工業（株）製のＫＢＭ22（商品名）である。
なお、合成例で用いたメチルトリメトキシシランは信越化学工業（株）製のＫＢＭ13（商品名）であり、ジメチルジメトキシシランは信越化学工業（株）製のＫＢＭ22（商品名）である。
＜合成例１＞
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン109ｇ（0.8モル）と、ジメチルジメトキシシラン24ｇ（0.2モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液60.5ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整した後、室温で12時間熟成することにより、下記式（４）：
(ＣＨ３)１．２(ＯＸ)０．１８ＳｉＯ１．３１ （４）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量21,000のオルガノポリシロキサン１を118ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン109ｇ（0.8モル）と、ジメチルジメトキシシラン24ｇ（0.2モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液60.5ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整した後、室温で12時間熟成することにより、下記式（４）：
(ＣＨ３)１．２(ＯＸ)０．１８ＳｉＯ１．３１ （４）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量21,000のオルガノポリシロキサン１を118ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
＜合成例２＞
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン68.1ｇ（0.5モル）と、ジメチルジメトキシシラン60.1ｇ（0.5モル）と、イソブチルアルコ−ル118ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液54ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整した後、室温で12時間熟成することにより、下記式（５）：
(ＣＨ３)１．５(ＯＸ)０．１５ＳｉＯ１．１８ （５）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量8,500のオルガノポリシロキサン２を109ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン68.1ｇ（0.5モル）と、ジメチルジメトキシシラン60.1ｇ（0.5モル）と、イソブチルアルコ−ル118ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液54ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整した後、室温で12時間熟成することにより、下記式（５）：
(ＣＨ３)１．５(ＯＸ)０．１５ＳｉＯ１．１８ （５）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量8,500のオルガノポリシロキサン２を109ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
＜合成例３＞
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン115.8ｇ（0.85モル）と、ジメチルジメトキシシラン18.0ｇ（0.15モル）と、イソブチルアルコ−ル102ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液78.3ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整し、室温で長時間（120時間）熟成することにより、下記式（６）：
(ＣＨ３)１．１５(ＯＸ)０．１９ＳｉＯ１．３３ （６）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量120,000のオルガノポリシロキサン３を102ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン115.8ｇ（0.85モル）と、ジメチルジメトキシシラン18.0ｇ（0.15モル）と、イソブチルアルコ−ル102ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液78.3ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整し、室温で長時間（120時間）熟成することにより、下記式（６）：
(ＣＨ３)１．１５(ＯＸ)０．１９ＳｉＯ１．３３ （６）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量120,000のオルガノポリシロキサン３を102ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
＜合成例４＞
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン109ｇ（0.8モル）と、ジメチルジメトキシシラン24ｇ（0.2モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液60.5ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にヘキサメチルジシロキサン100g、キシレン50ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整し、室温で12時間熟成することにより、下記式（７）：
(ＣＨ３)１．２(ＯＸ)０．１９ＳｉＯ１．３１ （７）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量20,500のオルガノポリシロキサン４を113ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン109ｇ（0.8モル）と、ジメチルジメトキシシラン24ｇ（0.2モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液60.5ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にヘキサメチルジシロキサン100g、キシレン50ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整し、室温で12時間熟成することにより、下記式（７）：
(ＣＨ３)１．２(ＯＸ)０．１９ＳｉＯ１．３１ （７）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量20,500のオルガノポリシロキサン４を113ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
＜合成例５＞
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン27.2ｇ（0.2モル）と、ジメチルジメトキシシラン96.2ｇ（0.8モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液57.1ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、キシレン150ｇを反応液に入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整することにより、下記式（８）：
(ＣＨ３)１．８(ＯＸ)０．１１ＳｉＯ１．０５ （８）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量15,000のオルガノポリシロキサンＣ１を94ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン27.2ｇ（0.2モル）と、ジメチルジメトキシシラン96.2ｇ（0.8モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液57.1ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、キシレン150ｇを反応液に入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整することにより、下記式（８）：
(ＣＨ３)１．８(ＯＸ)０．１１ＳｉＯ１．０５ （８）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量15,000のオルガノポリシロキサンＣ１を94ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
＜合成例６＞
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン136.2ｇ（1.0モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液81ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却し、該反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整し、室温で12時間熟成することにより、下記式（９）：
(ＣＨ３)１．０(ＯＸ)０．２１ＳｉＯ１．４０ （９）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量22,500のオルガノポリシロキサンＣ２を103ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン136.2ｇ（1.0モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液81ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却し、該反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整し、室温で12時間熟成することにより、下記式（９）：
(ＣＨ３)１．０(ＯＸ)０．２１ＳｉＯ１．４０ （９）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量22,500のオルガノポリシロキサンＣ２を103ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
＜合成例７＞
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン109ｇ（0.8モル）と、ジメチルジメトキシシラン24ｇ（0.2モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液60.5ｇを滴下した。滴下終了後、室温で24時間攪拌した。次いで、反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整し、室温で12時間熟成することにより、下記式（１０）：
(ＣＨ３)１．２(ＯＸ)１．１６ＳｉＯ０．８２ （１０）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量2,700のオルガノポリシロキサンＣ３を109ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン109ｇ（0.8モル）と、ジメチルジメトキシシラン24ｇ（0.2モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液60.5ｇを滴下した。滴下終了後、室温で24時間攪拌した。次いで、反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整し、室温で12時間熟成することにより、下記式（１０）：
(ＣＨ３)１．２(ＯＸ)１．１６ＳｉＯ０．８２ （１０）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量2,700のオルガノポリシロキサンＣ３を109ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
＜合成例８＞
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン40.9ｇ（0.3モル）と、ジフェニルジメトキシシラン170.8ｇ（0.7モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液55.1ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整することにより、下記式（１１）：
(ＣＨ３)０．３(Ｃ６Ｈ５)１．４(ＯＸ)０．１２ＳｉＯ１．０９ （１１）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量13,800のオルガノポリシロキサンＣ４を124ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
１Ｌの３つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン40.9ｇ（0.3モル）と、ジフェニルジメトキシシラン170.8ｇ（0.7モル）と、イソブチルアルコ−ル106ｇとを入れ、撹拌しながら氷冷した。系中の温度を０〜20℃に保ちながら、0.05Ｎの塩酸溶液55.1ｇを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で７時間攪拌した。次いで、反応液にキシレン150ｇを入れて希釈した。その後、反応液を分液ロートに入れて水300ｇで洗浄し、水洗液の抽出水電気伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を50質量％に調整することにより、下記式（１１）：
(ＣＨ３)０．３(Ｃ６Ｈ５)１．４(ＯＸ)０．１２ＳｉＯ１．０９ （１１）
（式中、Ｘは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである）
で表される、重量平均分子量13,800のオルガノポリシロキサンＣ４を124ｇ（有機溶媒を含み、不揮発分50質量％である）得た。
＜実施例１〜６、比較例１〜４＞
合成例１〜８で得られたオルガノポリシロキサン１〜４、Ｃ１〜Ｃ４（有機溶媒を含む）と縮合触媒とを表１に示した割合で配合し、組成物を調製した。この組成物を硬化させることにより、得られる硬化物の特性（耐クラック性、接着性、耐ＵＶ照射試験、耐熱性）を、下記の評価方法に従って、試験・評価した。得られた結果を表１、２に示す。
合成例１〜８で得られたオルガノポリシロキサン１〜４、Ｃ１〜Ｃ４（有機溶媒を含む）と縮合触媒とを表１に示した割合で配合し、組成物を調製した。この組成物を硬化させることにより、得られる硬化物の特性（耐クラック性、接着性、耐ＵＶ照射試験、耐熱性）を、下記の評価方法に従って、試験・評価した。得られた結果を表１、２に示す。
＜評価方法＞
−１．耐クラック性−
得られた組成物を50mm×50mm×２mmのテフロン（登録商標）コートを施した金型に入れ、80℃で１時間、次いで150℃で１時間、さらに200℃で１時間のステップキュアを行い、その後、200℃で８時間のポストキュアを行うことにより、厚さ１mmの硬化膜を作製した。この硬化膜のクラックの有無を目視で観察した。前記硬化膜にクラックが認められない場合を「良好」と評価してＡと示し、クラックが認められる場合を「不良」と評価してＢと示す。また、前記硬化膜が作成できなかった場合を「測定不可」と評価してＣと示す。
−１．耐クラック性−
得られた組成物を50mm×50mm×２mmのテフロン（登録商標）コートを施した金型に入れ、80℃で１時間、次いで150℃で１時間、さらに200℃で１時間のステップキュアを行い、その後、200℃で８時間のポストキュアを行うことにより、厚さ１mmの硬化膜を作製した。この硬化膜のクラックの有無を目視で観察した。前記硬化膜にクラックが認められない場合を「良好」と評価してＡと示し、クラックが認められる場合を「不良」と評価してＢと示す。また、前記硬化膜が作成できなかった場合を「測定不可」と評価してＣと示す。
−２．接着性−
得られた組成物をガラス基板に浸漬法で塗布し、その後、80℃で１時間、次いで150℃で１時間、さらに200℃で１時間のステップキュアを行い、その後、200℃で８時間のポストキュアを行うことにより、ガラス基板上に厚さ２〜３μmの硬化物を形成させた。ゴバン目テストにより、該硬化物の該ガラス基板に対する接着性を調べた。また、該硬化物にクラックが発生したために接着性測定できなかった場合には、表中に×と示す。
得られた組成物をガラス基板に浸漬法で塗布し、その後、80℃で１時間、次いで150℃で１時間、さらに200℃で１時間のステップキュアを行い、その後、200℃で８時間のポストキュアを行うことにより、ガラス基板上に厚さ２〜３μmの硬化物を形成させた。ゴバン目テストにより、該硬化物の該ガラス基板に対する接着性を調べた。また、該硬化物にクラックが発生したために接着性測定できなかった場合には、表中に×と示す。
−３．耐ＵＶ照射試験−
ガラス基板に、得られた組成物をスポイトで0.1g滴下し、80℃で１時間、次いで150℃で１時間、さらに200℃で１時間のステップキュアを行い、その後、200℃で８時間のポストキュアを行うことにより、ガラス基板上に硬化物を形成させた。その硬化物に対して、ＵＶ照射装置（商品名：アイ紫外硬化用装置、アイグラフィックス（株）製）によりＵＶ照射（30mW）を24時間行った。ＵＶ照射後の硬化物の表面を目視により観察した。前記硬化物の表面に全く劣化が認められない場合を「良好」と評価しＡと示し、やや劣化が認められる場合を「やや劣化あり」と評価しＢと示し、著しい劣化が認められる場合を「劣化」と評価しＣと示した。
ガラス基板に、得られた組成物をスポイトで0.1g滴下し、80℃で１時間、次いで150℃で１時間、さらに200℃で１時間のステップキュアを行い、その後、200℃で８時間のポストキュアを行うことにより、ガラス基板上に硬化物を形成させた。その硬化物に対して、ＵＶ照射装置（商品名：アイ紫外硬化用装置、アイグラフィックス（株）製）によりＵＶ照射（30mW）を24時間行った。ＵＶ照射後の硬化物の表面を目視により観察した。前記硬化物の表面に全く劣化が認められない場合を「良好」と評価しＡと示し、やや劣化が認められる場合を「やや劣化あり」と評価しＢと示し、著しい劣化が認められる場合を「劣化」と評価しＣと示した。
−４．耐熱性−
得られた組成物を50mm×50mm×２mmのテフロン（登録商標）コートを施した金型に入れ、80℃で１時間、次いで150℃で１時間、さらに200℃で１時間のステップキュアを行い、その後、200℃で８時間のポストキュアを行うことにより、厚さ１mmの硬化膜を作成した。この硬化膜を250℃のオーブンに入れ、500時間経過後の残存重量減少率（％）を測定した。この残存重量減少率を耐熱性（％）として示す。また、前記硬化膜が作製できなかった場合には、表中に×と示す。
得られた組成物を50mm×50mm×２mmのテフロン（登録商標）コートを施した金型に入れ、80℃で１時間、次いで150℃で１時間、さらに200℃で１時間のステップキュアを行い、その後、200℃で８時間のポストキュアを行うことにより、厚さ１mmの硬化膜を作成した。この硬化膜を250℃のオーブンに入れ、500時間経過後の残存重量減少率（％）を測定した。この残存重量減少率を耐熱性（％）として示す。また、前記硬化膜が作製できなかった場合には、表中に×と示す。
（単位 質量部）
−（イ）成分に関して
表中の括弧内の数値は、揮発分を除いたオルガノポリシロキサンの配合量（質量部）である。
−（ロ）成分に関して
・触媒１：オクチル酸亜鉛
・触媒２：アルミニウムブトキシビスエチルアセトアセテート
・触媒３：テトラブチルチタネート
−組成物に関して
＊メチル基含有量：ポリシロキサン中のメチル基の理論量
表中の括弧内の数値は、揮発分を除いたオルガノポリシロキサンの配合量（質量部）である。
−（ロ）成分に関して
・触媒１：オクチル酸亜鉛
・触媒２：アルミニウムブトキシビスエチルアセトアセテート
・触媒３：テトラブチルチタネート
−組成物に関して
＊メチル基含有量：ポリシロキサン中のメチル基の理論量
−（イ）成分に関して
表中の括弧内の数値は、揮発分を除いたオルガノポリシロキサンの配合量（質量部）である。
−（ロ）成分に関して
・触媒１：オクチル酸亜鉛
−組成物に関して
＊メチル基含有量：ポリシロキサン中のメチル基の理論量
表中の括弧内の数値は、揮発分を除いたオルガノポリシロキサンの配合量（質量部）である。
−（ロ）成分に関して
・触媒１：オクチル酸亜鉛
−組成物に関して
＊メチル基含有量：ポリシロキサン中のメチル基の理論量
＜評価＞
表１から明らかなように、本発明のＬＥＤ素子封止用樹脂組成物は、硬化させることにより厚膜の硬化物の作成が可能であり、接着性、耐クラック性、耐ＵＶ照射試験、耐熱性が良好であり、ＬＥＤ素子封止用樹脂組成物として優れた性能を有するものである。
一方、表２から明らかなように、前述の平均組成式（１）の要件を満たさない比較例１、２および４のオルガノポリシロキサン、および前述の重量平均分子量の要件を満たさない比較例３のオルガノポリシロキサンは、いずれも接着性、耐クラック性、耐ＵＶ照射試験および耐熱性の少なくとも１つの特性に劣ったり、目的とする硬化物が作製できなかったりする等の問題が生じた。
表１から明らかなように、本発明のＬＥＤ素子封止用樹脂組成物は、硬化させることにより厚膜の硬化物の作成が可能であり、接着性、耐クラック性、耐ＵＶ照射試験、耐熱性が良好であり、ＬＥＤ素子封止用樹脂組成物として優れた性能を有するものである。
一方、表２から明らかなように、前述の平均組成式（１）の要件を満たさない比較例１、２および４のオルガノポリシロキサン、および前述の重量平均分子量の要件を満たさない比較例３のオルガノポリシロキサンは、いずれも接着性、耐クラック性、耐ＵＶ照射試験および耐熱性の少なくとも１つの特性に劣ったり、目的とする硬化物が作製できなかったりする等の問題が生じた。
Claims (12)
- （イ）下記平均組成式（１）：
Ｒ１ ａ(ＯＸ)ｂＳｉＯ(４−ａ−ｂ)／２ （１）
（式中、Ｒ１は、独立に、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Ｘは、独立に、水素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、ａは1.05〜1.5の数であり、ｂは０＜ｂ＜２を満たす数であり、但し、1.05＜ａ＋ｂ＜２である）
で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が５×10３以上であるオルガノポリシロキサン、および
（ロ）縮合触媒
を含有するＬＥＤ素子封止用樹脂組成物。 - 無機フィラーを含有しない請求項１に係る組成物。
- 前記Ｒ１がメチル基である請求項１または２に係る組成物。
- 前記オルガノポリシロキサン中の前記Ｒ１の比率が32質量％以下である請求項１〜３のいずれか一項に係る組成物。
- 前記オルガノポリシロキサンが、沸点が64℃以上の有機溶媒に溶解され、かつ該オルガノポリシロキサンの濃度が30質量％以上である請求項１〜４のいずれか一項に係る組成物。
- 前記縮合触媒が有機金属系触媒である請求項１〜５のいずれか一項に係る組成物。
- 前記有機金属系触媒が、亜鉛、アルミニウムまたはチタン原子を含有する請求項６に係る組成物。
- 前記有機金属系触媒がオクチル酸亜鉛である請求項７に係る組成物。
- 請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物を硬化してなる硬化物。
- 請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物を180℃以上の温度で硬化させて得られる、厚さが10μm〜３mmであり無色透明の硬化物。
- 請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物を80〜200℃の範囲でステップキュアにより硬化させて得られる、厚さが10μm〜３mmであり無色透明の硬化物。
- 請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物の硬化物を用いてＬＥＤ素子を封止する方法であって、
該ＬＥＤ素子に該組成物を塗布すること、および
該組成物を硬化させて該ＬＥＤ素子上に該硬化物を形成させることにより、該ＬＥＤ素子を該硬化物で封止すること
を含む方法。
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Cited By (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294821A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 耐熱性及び耐光性に優れる発光装置 |
| JP2006313886A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-11-16 | Nichia Chem Ind Ltd | スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置 |
| JP2007119568A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子量オルガノポリシロキサンの製造方法、該高分子量オルガノポリシロキサンを含む組成物およびその硬化物で封止された光半導体装置 |
| JP2007270055A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Jsr Corp | 多官能ポリシロキサンおよび金属酸化物微粒子含有ポリシロキサン組成物、ならびにそれらの製造方法 |
| JP2007332248A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池用硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
| WO2008001799A1 (en) | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Mitsubishi Chemical Corporation | Illuminating device |
| JP2008031190A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｌｅｄ用蛍光物質入り硬化性シリコーン組成物およびその組成物を使用するｌｅｄ発光装置。 |
| WO2008023746A1 (en) | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus |
| JP2008078638A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-04-03 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用部材、並びに半導体デバイス用部材形成液及び半導体デバイス用部材の製造方法、並びに、それを用いた半導体発光デバイス、半導体デバイス用部材形成液、及び蛍光体組成物 |
| JP2008115332A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置および画像表示装置 |
| JP2008189743A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Central Glass Co Ltd | 有機無機ハイブリッド透明封止材とその製造方法 |
| JP2008274272A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-11-13 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 光半導体素子封止用組成物、その硬化物および光半導体素子封止体 |
| JP2008300536A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置 |
| JP2009127021A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
| EP2075280A1 (en) | 2007-12-26 | 2009-07-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition, optoelectric part case, and molding method |
| WO2009099211A1 (ja) | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Mitsubishi Chemical Corporation | 半導体発光装置、バックライト、カラー画像表示装置、及びそれらに用いる蛍光体 |
| JP2009215345A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Central Glass Co Ltd | 熱硬化性有機無機ハイブリッド透明封止材 |
| WO2009119841A1 (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 三菱化学株式会社 | 硬化性ポリシロキサン組成物、並びに、それを用いたポリシロキサン硬化物、光学部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 |
| JP2009535834A (ja) * | 2006-05-02 | 2009-10-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 色安定蛍光体変換ｌｅｄ |
| JP2009221393A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース |
| EP2135898A1 (en) | 2008-06-09 | 2009-12-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case |
| EP2172522A1 (en) | 2008-06-09 | 2010-04-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | white heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case |
| EP2174984A1 (en) | 2008-09-30 | 2010-04-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone resin composition for optical semiconductor devices |
| WO2010090280A1 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | 荒川化学工業株式会社 | 透明封止材組成物および光半導体素子 |
| EP2289998A1 (en) | 2009-09-01 | 2011-03-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone/epoxy hybrid resin composition for optoelectronic use, making method, premolded package, and LED device |
| JP2011520023A (ja) * | 2008-05-14 | 2011-07-14 | ヘンケル コーポレイション | 硬化性組成物およびそれらの使用 |
| WO2011125646A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | Jsr株式会社 | 硬化性樹脂組成物および発光装置 |
| WO2012117822A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 横浜ゴム株式会社 | 加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物およびこれを用いる光半導体パッケージ |
| KR20130056184A (ko) | 2011-11-21 | 2013-05-29 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Ｌｅｄ 리플렉터로서 유용한 백색 열경화성 실리콘 수지 조성물 및 상기 조성물을 이용한 광반도체 장치 |
| KR101335906B1 (ko) | 2006-07-10 | 2013-12-02 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 경화성 오르가노폴리실록산 조성물, 그것을 포함하는 평판디스플레이용 시일제, 및 평판 디스플레이 소자 |
| JP2014141684A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 蛍光体の表面処理方法 |
| JP2015143295A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 住友化学株式会社 | Ｕｖ−ｌｅｄ用ポリシルセスキオキサン系封止材組成物及びそのための金属アルコキシドの使用 |
| JP2016000768A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 三菱化学株式会社 | 縮合硬化型シリコーン樹脂、硬化性シリコーン樹脂組成物、及び半導体デバイス用部材 |
| US9403983B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-08-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White thermosetting silicone resin composition for a light-emitting semiconductor device and a case for installing a light-emitting semiconductor element |
| JP2016184751A (ja) * | 2016-05-26 | 2016-10-20 | 石塚硝子株式会社 | Ｌｅｄ素子用封止材料 |
| JP2016186063A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 硬化性樹脂組成物、および光半導体装置 |
| JP2019077743A (ja) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | 信越化学工業株式会社 | レンズ用縮合硬化型シリコーン樹脂組成物 |
| JP2019514201A (ja) * | 2016-04-18 | 2019-05-30 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 光電子部品の製造方法、および光電子部品 |
-
2005
- 2005-07-25 JP JP2005213579A patent/JP2006077234A/ja active Pending
Cited By (66)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006313886A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-11-16 | Nichia Chem Ind Ltd | スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置 |
| JP2006294821A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 耐熱性及び耐光性に優れる発光装置 |
| JP2007119568A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子量オルガノポリシロキサンの製造方法、該高分子量オルガノポリシロキサンを含む組成物およびその硬化物で封止された光半導体装置 |
| JP2007270055A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Jsr Corp | 多官能ポリシロキサンおよび金属酸化物微粒子含有ポリシロキサン組成物、ならびにそれらの製造方法 |
| JP2009535834A (ja) * | 2006-05-02 | 2009-10-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 色安定蛍光体変換ｌｅｄ |
| JP2007332248A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池用硬化性オルガノポリシロキサン組成物 |
| WO2008001799A1 (en) | 2006-06-27 | 2008-01-03 | Mitsubishi Chemical Corporation | Illuminating device |
| EP2682446A2 (en) | 2006-06-27 | 2014-01-08 | Mitsubishi Chemical Corporation | Illuminating device |
| KR101335906B1 (ko) | 2006-07-10 | 2013-12-02 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 경화성 오르가노폴리실록산 조성물, 그것을 포함하는 평판디스플레이용 시일제, 및 평판 디스플레이 소자 |
| JP4520437B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2010-08-04 | 信越化学工業株式会社 | Ｌｅｄ用蛍光物質入り硬化性シリコーン組成物およびその組成物を使用するｌｅｄ発光装置。 |
| JP2008031190A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｌｅｄ用蛍光物質入り硬化性シリコーン組成物およびその組成物を使用するｌｅｄ発光装置。 |
| JP2008078638A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-04-03 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体デバイス用部材、並びに半導体デバイス用部材形成液及び半導体デバイス用部材の製造方法、並びに、それを用いた半導体発光デバイス、半導体デバイス用部材形成液、及び蛍光体組成物 |
| US8502364B2 (en) | 2006-08-22 | 2013-08-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device member, production method of semiconductor-device-member formation liquid and semiconductor device member, and semiconductor-device-member formation liquid, phosphor composition, semiconductor light-emitting device, lighting system and image display system using the same |
| TWI404791B (zh) * | 2006-08-22 | 2013-08-11 | Mitsubishi Chem Corp | A semiconductor light emitting device, a lighting device, and an image display device |
| WO2008023746A1 (en) | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor device member, liquid for forming semiconductor device member, method for manufacturing semiconductor device member, and liquid for forming semiconductor device member using the method, phosphor composition, semiconductor light emitting device, illuminating apparatus and image display apparatus |
| JP2016131248A (ja) * | 2006-08-22 | 2016-07-21 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用部材、及び半導体発光デバイス |
| JP2008115332A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置および画像表示装置 |
| JP2008189743A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Central Glass Co Ltd | 有機無機ハイブリッド透明封止材とその製造方法 |
| JP2008274272A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-11-13 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 光半導体素子封止用組成物、その硬化物および光半導体素子封止体 |
| JP2008300536A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置 |
| KR101148522B1 (ko) * | 2007-11-28 | 2012-05-29 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광반도체-소자 밀봉용 수지 및 이를 이용하여 얻은 광반도체 디바이스 |
| US8034889B2 (en) | 2007-11-28 | 2011-10-11 | Nitto Denko Corporation | Resin for optical-semiconductor-element encapsulation and optical semiconductor device obtained with the same |
| JP2009127021A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
| EP2075280A1 (en) | 2007-12-26 | 2009-07-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition, optoelectric part case, and molding method |
| KR101505626B1 (ko) | 2007-12-26 | 2015-03-24 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 광반도체 케이스 형성용 백색 열경화성 실리콘 수지 조성물및 광반도체 케이스 및 그 성형 방법 |
| JP4623322B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2011-02-02 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法 |
| JP2009155415A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース及びその成形方法 |
| US8013056B2 (en) | 2007-12-26 | 2011-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition, optoelectronic part case, and molding method |
| EP3045965A1 (en) | 2008-02-07 | 2016-07-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Red emitting fluoride phosphor activated by mn4+ |
| WO2009099211A1 (ja) | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Mitsubishi Chemical Corporation | 半導体発光装置、バックライト、カラー画像表示装置、及びそれらに用いる蛍光体 |
| JP2009215345A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Central Glass Co Ltd | 熱硬化性有機無機ハイブリッド透明封止材 |
| US8013057B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White thermosetting silicone resin composition for molding an optical semiconductor case and optical semiconductor case |
| JP2009221393A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース |
| JP4678415B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2011-04-27 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びに光半導体ケース |
| WO2009119841A1 (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 三菱化学株式会社 | 硬化性ポリシロキサン組成物、並びに、それを用いたポリシロキサン硬化物、光学部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 |
| US8629222B2 (en) | 2008-03-28 | 2014-01-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Curable polysiloxane composition, and polysiloxane cured product, optical member, member for aerospace industry, semiconductor light-emitting device, illuminating device and image display device using the same |
| JP2011520023A (ja) * | 2008-05-14 | 2011-07-14 | ヘンケル コーポレイション | 硬化性組成物およびそれらの使用 |
| US8012381B2 (en) | 2008-06-09 | 2011-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case |
| EP2135898A1 (en) | 2008-06-09 | 2009-12-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case |
| US8173053B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-05-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case |
| EP2172522A1 (en) | 2008-06-09 | 2010-04-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | white heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case |
| US8022137B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-09-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone resin composition for optical semiconductor devices |
| EP2174984A1 (en) | 2008-09-30 | 2010-04-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicone resin composition for optical semiconductor devices |
| WO2010090280A1 (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-12 | 荒川化学工業株式会社 | 透明封止材組成物および光半導体素子 |
| JPWO2010090280A1 (ja) * | 2009-02-09 | 2012-08-09 | 荒川化学工業株式会社 | 透明封止材組成物および光半導体素子 |
| EP2289998A1 (en) | 2009-09-01 | 2011-03-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone/epoxy hybrid resin composition for optoelectronic use, making method, premolded package, and LED device |
| KR20110025112A (ko) | 2009-09-01 | 2011-03-09 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 광 반도체 기판 형성용 백색 열경화성 실리콘 에폭시 혼성 수지 조성물 및 그의 제조 방법, 및 프리몰드 패키지 및 ｌｅｄ 장치 |
| US8044128B2 (en) | 2009-09-01 | 2011-10-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone/epoxy hybrid resin composition for optoelectronic use, making method, premolded package, and LED device |
| WO2011125646A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | Jsr株式会社 | 硬化性樹脂組成物および発光装置 |
| WO2012117822A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 横浜ゴム株式会社 | 加熱硬化性光半導体封止用シリコーン樹脂組成物およびこれを用いる光半導体パッケージ |
| KR20130056184A (ko) | 2011-11-21 | 2013-05-29 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Ｌｅｄ 리플렉터로서 유용한 백색 열경화성 실리콘 수지 조성물 및 상기 조성물을 이용한 광반도체 장치 |
| JP2014141684A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 蛍光体の表面処理方法 |
| US9598636B2 (en) * | 2012-12-28 | 2017-03-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phosphor surface treatment method |
| US20150329770A1 (en) * | 2012-12-28 | 2015-11-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Phosphor surface treatment method |
| WO2015115343A1 (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 住友化学株式会社 | Ｕｖ－ｌｅｄ用ポリシルセスキオキサン系封止材組成物及びそのための金属アルコキシドの使用 |
| JP2015143295A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 住友化学株式会社 | Ｕｖ−ｌｅｄ用ポリシルセスキオキサン系封止材組成物及びそのための金属アルコキシドの使用 |
| TWI639654B (zh) * | 2014-01-31 | 2018-11-01 | 日商住友化學股份有限公司 | Use of polysilsesquioxane encapsulating material composition for UV-LED and metal alkoxide used therefor |
| US9403983B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-08-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White thermosetting silicone resin composition for a light-emitting semiconductor device and a case for installing a light-emitting semiconductor element |
| JP2016000768A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 三菱化学株式会社 | 縮合硬化型シリコーン樹脂、硬化性シリコーン樹脂組成物、及び半導体デバイス用部材 |
| JP2016186063A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 硬化性樹脂組成物、および光半導体装置 |
| JP2019514201A (ja) * | 2016-04-18 | 2019-05-30 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 光電子部品の製造方法、および光電子部品 |
| US10833231B2 (en) | 2016-04-18 | 2020-11-10 | Osram Oled Gmbh | Method for producing an optoelectronic component, and optoelectronic component |
| JP2020184641A (ja) * | 2016-04-18 | 2020-11-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 光電子部品の製造方法、および光電子部品 |
| JP7168615B2 (ja) | 2016-04-18 | 2022-11-09 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 光電子部品の製造方法、および光電子部品 |
| JP2016184751A (ja) * | 2016-05-26 | 2016-10-20 | 石塚硝子株式会社 | Ｌｅｄ素子用封止材料 |
| JP2019077743A (ja) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | 信越化学工業株式会社 | レンズ用縮合硬化型シリコーン樹脂組成物 |
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