CN116410000A - 一种基板、制备方法及应用 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板、制备方法及应用，属于封装基板技术领域。其中，本发明基板的制备方法包括：制备AlN蜂窝，基于所述AlN蜂窝，形成AlN蜂窝‑AlN粉体陶瓷素坯，对所述陶瓷素坯进行烧结处理以得到氮化铝陶瓷基板。本发明通过AlN粉体与AlN蜂窝复合，蜂窝的特殊结构可以使得陶瓷粉体在烧结过程中形成约束，以使AlN粉体在烧结过程中保持压应力的状态，促进陶瓷颗粒的致密化速度，提高陶瓷材料的致密化程度。以及，由于AlN蜂窝和AlN粉体为同一材质，保证了蜂窝结构和陶瓷基体粉体之间的界面结合优异，具有同样的固体传质和扩散机制，不会影响陶瓷的界面强度，同时利用蜂窝结构的增强效果提高陶瓷材料的结构强度，且具有较高的热导率。

Description

一种基板、制备方法及应用
技术领域
本发明属于封装基板技术领域，具体涉及一种基板、一种基板的制备方法、以及基板在第三代半导体功率器件与发光器件中的应用。
背景技术
氮化铝作为一种综合性能优良的先进陶瓷材料，具有较高的热传导性，可靠的电绝缘性，较低的介电常数和介电损耗，以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特性，被认为是新一代高集程度半导体基片和电子器件封装的理想材料。然而，传统的氮化铝陶瓷制备过程中直接采用氮化铝粉为原料，通过与分散剂、烧结助剂、粘结剂以及交联剂等混合，经成型工艺与烧结处理得到氮化铝陶瓷基板，该陶瓷基板存在热导率低，致密化程度较差以及结构强度低等问题。
因此，需要开发一种新的氮化铝陶瓷基板及其制备方法、应用。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，具体涉及一种基板、一种基板的制备方法、以及基板在第三代半导体功率器件与发光器件中的应用。
本发明的一方面，提供一种基板的制备方法，具体步骤包括：
制备AlN蜂窝；
基于所述AlN蜂窝，形成AlN蜂窝-AlN粉体陶瓷素坯；
对所述陶瓷素坯进行烧结处理以得到氮化铝陶瓷基板。
进一步地，所述制备AlN蜂窝，包括：
将Al蜂窝框架在氮气气氛炉中进行退火处理，制得AlN蜂窝。
进一步地，所述Al蜂窝孔径范围为1.5mm～3.1mm，壁厚范围为0.15～0.33mm，所述AlN蜂窝的单元内径范围为1μm～1cm；和/或，
所述AlN蜂窝形状包括六边形、四边形、三角形、圆形内径六边形以及圆形内径四边形中任意一者。
进一步地，所述基于所述AlN蜂窝，形成AlN蜂窝-AlN粉体陶瓷素坯，包括：
将氮化铝粉，氟化钙粉、氧化钇粉、氟化钇粉中至少一者，聚乙二醇、聚乙烯醇缩丁醛中至少一者以及无水乙醇、丁酮、二甲苯、甲苯、异丙醇中至少一者进行混合得到混合料浆；
将所述混合料浆进行球磨与烘干处理，以得到混合粉体；
将所述混合粉体进行造粒过筛并注入到所述AlN蜂窝的孔洞之中，经干压成型得到陶瓷素坯。
进一步地，所述氮化铝粉、所述氟化钙粉、所述氧化钇粉、所述聚乙二醇以及所述乙醇之间的质量比范围为(8～11):(0.05～0.11):(0.15～0.28):(0.18～0.30):(18～23)；和/或，
所述干压成型的压力范围为15MPa～20MPa，保压时间范围为1mm～4mm，以及，所述球磨处理的时间范围为7h～10h，烘干处理的时间范围为1h～3h。
进一步地，所述对所述陶瓷素坯进行烧结处理以得到氮化铝陶瓷基板，包括：
将所述陶瓷素坯在氮气气氛下进行无压烧结，以得到氮化铝陶瓷基板。
进一步地，烧结过程采用下述升温过程：第一升温阶段：0℃-800℃温度区间，升温速度为10℃/min；第二升温阶段：800℃-1200℃温度区间，升温速度为5℃/min；第三升温阶段：1200℃-1700℃温度区间，升温速度为2℃/min；第四升温阶段：1600℃-1820℃温度区间，升温速度为1℃/min；1820℃保温4h。
本发明的另一方面，提供一种基板，所述基板包括AlN蜂窝结构层以及填充在所述AlN蜂窝结构层之间的AlN粉体层；其中，
所述AlN蜂窝结构层的单元内径范围为1μm～1cm；以及，
所述AlN粉体层粒径范围为100nm～100μm。
本发明的另一方面，提供一种包含前文记载所述基板的第三代半导体功率器件，所述基板作为所述第三代半导体功率器件热电分离的载板。
本发明的另一方面，提供一种包含前文记载所述基板的发光器件，所述发光器件还包括线路层、发光芯片、荧光粉和围墙；其中，
所述发光芯片包括紫外芯片、紫光芯片以及蓝光芯片中的至少一种；
所述荧光粉包括钇铝石榴石系荧光粉、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu红色荧光粉、KSF红色荧光粉、β-塞隆荧光粉、(Sr,Ba)2SiO4:Eu硅酸盐荧光粉中的至少一种。
本发明提供一种基板的制备方法，具体步骤包括：制备AlN蜂窝，基于所述AlN蜂窝，形成AlN蜂窝-AlN粉体的陶瓷素坯，对所述陶瓷素坯进行烧结处理以得到氮化铝陶瓷基板。本发明通过AlN粉体与AlN蜂窝复合，蜂窝的特殊结构可以使得陶瓷粉体在烧结过程中形成约束，以使AlN粉体在烧结过程中保持压应力的状态，促进陶瓷颗粒的致密化速度，提高陶瓷材料的致密化程度。以及，由于AlN蜂窝和AlN粉体为同一材质，保证了蜂窝结构和陶瓷基体粉体之间的界面结合优异，具有同样的固体传质和扩散机制，不会影响陶瓷的界面强度，同时利用蜂窝结构的增强效果提高陶瓷材料的结构强度，且具有较高的热导率。
附图说明
图1为本发明一实施例的一种氮化铝陶瓷基板制备方法的流程框图；
图2为本发明另一实施例的一种氮化铝陶瓷基板制备方法的流程示意图；
图3为本发明另一实施例的一种AlN蜂窝结构示意图；
图4为本发明另一实施例的IGBT器件的结构示意图；
图5为本发明另一实施例的集成发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护范围。
除非另外具体说明，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等既不限定所提及的形状、数字、步骤、动作、操作、构件、原件和/或它们的组，也不排除出现或加入一个或多个其他不同的形状、数字、步骤、动作、操作、构件、原件和/或它们的组。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示技术特征的数量与顺序。
如图1和图2所示，本发明的一方面，提供一种氮化铝陶瓷基板的制备方法S100，具体步骤包括S110～S130：
S110、制备AlN蜂窝。
具体的，将Al蜂窝框架在氮气气氛炉中进行退火处理，制得AlN蜂窝。也就是说，本实施例通过Al蜂窝直接氮化形成高导热通道，同时对填充的陶瓷粉体形成约束，改善氮化铝陶瓷基板的热电-力学性能。
需要说明的是，本实施例的Al蜂窝孔径范围为1.5mm～3.1mm，壁厚范围为0.15～0.33mm。也就是说，本实施例的Al蜂窝孔径与厚度可控制。
进一步需要说明的是，如图3所示，本实施例的AlN蜂窝的形状包括六边形、四边形、三角形、圆形内径六边形以及圆形内径四边形中任意一者。当然，对于本领域技术人员来说，还可以选择其他形状的AlN蜂窝结构。
仍需要说明的是，本实施例的AlN蜂窝制备方法有用3D打印方法，具体包括分层实体制造(Laminated Object Manufacturing，LOM)，数字光处理(Digital LightProcessing，DLP)，形状沉积制造(Shape Deposition Manufacturing，SDM)，立体光刻(Stereolithography Apparatus，SLA)，选取激光烧结(Selective Laser Sintering，SLS)等，对此不作具体限定，可以根据实际需要进行选择。
仍需要说明的是，本实施例制备得到的AlN蜂窝单元内径范围为1微米-1厘米，以将AlN粉体填充在蜂窝单元内。
进一步地，本实施例的退火处理的温度范围为750℃～800℃，所述保温时间范围为1h～3h。
本实施例利用Al蜂窝直接氮化形成的AlN蜂窝具有更高的纯度，且具有连续的晶粒取向，其蜂窝形成导热通道，这使得陶瓷件在垂直方向具有更高的导热率，远高于多晶相的AlN陶瓷，进而大大提高陶瓷材料整体的热导率。
S120、基于AlN蜂窝，形成AlN蜂窝-AlN粉体陶瓷素坯。
具体的，将氮化铝粉，氟化钙粉、氧化钇粉、氟化钇粉中至少一者，聚乙二醇、聚乙烯醇缩丁醛中至少一者以及无水乙醇、丁酮、二甲苯、甲苯、异丙醇中至少一者进行混合得到混合料浆。之后，将混合料浆放入聚四氟乙烯罐中进行球磨处理，并将球磨处理后的料浆进行烘干处理，以得到混合粉体。之后，再将混合粉体进行造粒过筛并注入到AlN蜂窝的孔洞之中，经干压成型得到AlN蜂窝-AlN粉体陶瓷素坯。
需要说明的是，本实施例的氟化钙粉、氧化钇粉、氟化钇粉作为烧结助剂，聚乙二醇、聚乙烯醇缩丁醛作为粘结剂，无水乙醇、丁酮、二甲苯、甲苯、异丙醇作为溶剂。
进一步需要说明的是，本实施例中干压成型的压力范围为15MPa～20MPa，保压时间范围为1mm～4mm，以及，球磨处理的时间范围为7h～10h，烘干处理的时间范围为1h～3h。
进一步需要说明的是，本实施例的氮化铝粉、氟化钙粉、氧化钇粉、聚乙二醇以及乙醇之间的质量比范围为(8～11):(0.05～0.11):(0.15～0.28):(0.18～0.30):(18～23)。
具体的，在一些优选实施例中，将氮化铝粉、氟化钙粉、氧化钇粉、聚乙二醇以及乙醇之间的质量比设置为10:0.1:0.2:0.2:20。
仍需要说明的是，本实施例填充的氮化铝粉体粒径范围为100纳米-100微米。
本实施例由于Al蜂窝直接氮化后的AlN蜂窝和AlN粉体两者的材质相同，这保证了蜂窝结构和陶瓷基体粉体之间的界面结合优异性，具有同样的固体传质和扩散机制，不会影响陶瓷的界面强度，同时利用蜂窝结构的增强效果可以提高陶瓷材料的结构强度。
S130、对陶瓷素坯进行烧结处理以得到氮化铝陶瓷基板。
具体的，将陶瓷素坯置于氮化硼模具中在氮气气氛下进行无压烧结，以得到基板制品，即氮化铝陶瓷基板。
进一步地，本实施例的烧结温度范围为1800℃～1850℃(例如，1820℃)，其中，烧结过程采用下述升温过程：第一升温阶段：0℃-800℃温度区间，升温速度为10℃/min；第二升温阶段：800℃-1200℃温度区间，升温速度为5℃/min；第三升温阶段：1200℃-1700℃温度区间，升温速度为2℃/min；第四升温阶段：1600℃-1820℃温度区间，升温速度为1℃/min；1820℃保温4h。
本实施例的制备方法相当于通过铝蜂窝直接氮化制备氮化铝陶瓷基板，基于AlN蜂窝的特殊结构，可以使得陶瓷粉体在烧结过程中形成约束，即使得AlN粉体在烧结过程中保持压应力的状态，并促进陶瓷颗粒的致密化速度，以提高陶瓷材料的致密化程度。
本发明的另一方面，提供一种基板，采用前文记载的制备方法制得，具体制备过程参考前文记载，在此不再赘述。
进一步的，如图2所示，本实施例的基板为氮化铝陶瓷基板，其包括AlN蜂窝结构层以及填充在所述AlN蜂窝结构层之间的AlN粉体层；其中，AlN蜂窝结构单元内径范围为1μm～1cm；以及，所述AlN粉体层粒径范围为100nm～100μm。也就是说，本实施例的AlN蜂窝结构包括多个蜂窝结构单元，各单元内填充有AlN粉体层，且多个蜂窝结构作为高导热通道。
本发明另一方面，提供一种包含前文记载的基板的第三代半导体功率器件，该第三代半导体功率器件包括陶瓷基板、功率器件、热沉、热界面材料、丝焊等，其中，氮化铝陶瓷基板作为第三代半导体功率器件热电分离的陶瓷载板。
本发明另一方面，提供一种包含前文记载的基板的发光器件，该发光器件还包括线路层、发光芯片、荧光粉、围墙(或围坝)以及封装胶、键合线等外部封装材料。
具体的，本实施例的发光芯片包括紫外芯片、紫光芯片、绿光芯片、红光芯片、红外发光芯片以及蓝光芯片中的至少一种，对此不作具体限定。
需要说明的是，本实施例的发光芯片为紫外芯片、紫光芯片、蓝光芯片中的一种或多种时，还可以起激发芯片的作用，此时发光器件中还包括荧光粉，荧光粉受激发芯片激发而发光。
在一些优选实施例中，发光芯片阵列中的发光芯片采用蓝光芯片、绿光芯片和红色芯片组合，形成RGB全彩。
在另一些优选实施例中，发光芯片阵列中的发光芯片采用紫外芯片，用于杀菌。
在另一些优选实施例中，发光芯片阵列中的发光芯片采用蓝光芯片和红光芯片的组合，用于植物照明。
在另一些优选实施例中，发光芯片阵列中的发光芯片为红外芯片，用于设备图像识别。
在另一些优选实施例中，发光芯片阵列还可以为激发芯片和发光芯片的组合。
进一步的，本实施例的荧光粉包括钇铝石榴石系荧光粉、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu红色荧光粉、KSF红色荧光粉、β-塞隆荧光粉、(Sr,Ba)2SiO4:Eu硅酸盐荧光粉中的至少一种，对此不作具体限定。
作为本发明的一个优选高显色白光应用方案，发光器件中的荧光粉采用钇铝石榴石系荧光粉和(Sr,Ca)AlSiN3:Eu红色荧光粉。
作为本发明的另一个优选高显色白光应用方案，发光器件中的荧光粉采用钇铝石榴石系荧光粉、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu红色荧光粉和KSF红色荧光粉。
作为本发明的另一个优选高显色照明应用方案，发光器件中的荧光粉采用(Sr,Ca)AlSiN3:Eu氮化物红粉和(Sr,Ba)2SiO4:Eu硅酸盐荧光粉。
作为本发明的另一个优选高色域背光应用方案，发光器件中的荧光粉采用β-塞隆荧光粉和KSF红色荧光粉。
下面将以具体实施例对氮化铝陶瓷基板的制备方法与应用进行说明：
实施例1
本发明提出一种氮化铝陶瓷基板的制备方法，如图1和图2所示，包括以下步骤：
S1、制备AlN蜂窝。
具体地，本实施例的氮化铝陶瓷蜂窝结构由数字光处理DLP方案制备获得，以1.4微米氮化铝粉与0.8微米氧化钇粉以质量比95:5加入并分散在光敏树脂，该光敏树脂采用丙烯酸酯化环氧树脂，其固含量为55vol.％。之后，将2wt.％触变剂也加入到上述体系中。
增材制造打印的具体参数如下：单层厚25微米，辐照UV光源波长为405纳米。打印的生胚在通空气气氛的马弗炉中脱去树脂，以得到AlN蜂窝，即将Al蜂窝框架在氮气气氛炉中进行退火处理，制得Al(N)蜂窝。
其中，退火温度为800℃，保温时间为2h，0-500℃升温速度为5℃/min，500-800℃升温速度为2℃/min。以及，得到的Al蜂窝孔径为2mm，壁厚为0.2mm。
S2、基于AlN蜂窝，形成AlN蜂窝-AlN粉体陶瓷素坯。
具体地，将氮化铝粉、氟化钙粉、氧化钇粉、聚乙二醇、和乙醇进行混合，将混合料浆放入聚四氟乙烯罐中球磨8h，球磨后料浆进行烘干2h，所得混合粉体进行造粒过筛后注入到Al(N)蜂窝的孔洞之中，而后在正方形模具中干压成型得到陶瓷素坯。
其中，氮化铝粉、氟化钙粉、氧化钇粉、聚乙二醇和乙醇的质量比为10:0.1:0.2:0.2:20，干压成型压力为20MPa，保压时间为2min。
S3、对陶瓷素坯进行烧结处理以得到氮化铝陶瓷基板。
具体地，将复相陶瓷素坯置于氮化硼模具在高纯氮气气氛氛环境下，在1820℃的温度下进行，其中，具体升温过程如下：升温速率为：0-800℃升温速度为10℃/min；800℃-1200℃升温速度为5℃/min；1200℃-1700℃升温速度为2℃/min；1600℃-1820℃升温速度为1℃/min；1820℃保温4h，最终制得密度为3.05g/cm3，热导率为200W/m·K，抗折强度为420MPa的氮化铝陶瓷基板。
实施例2
本发明还提出一种根据实施例1的制备方法所获得的氮化铝陶瓷基板在绝缘栅双极型晶体管器件(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)中的应用。
具体地，如图4所示，该器件主要包括热沉、陶瓷基板、芯片以及丝焊线等，其中，热沉与陶瓷基板之间通过基底粘结层连接，芯片与陶瓷基板通过芯片粘结层连接，以及，通过硅胶进行封装。本实施例的氮化铝陶瓷基板作为第三代半导体功率器件热电分离的陶瓷载板。
本实施例的IGBT器件由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，其兼有金属-氧化物半导体场效应晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。
实施例3
本发明还提出一种根据实施例1的制备方法所获得的氮化铝陶瓷基板在集成发光器件中的应用。
具体地，如图5所示，该发光器件包括陶瓷基板、导电金属层(线路层)，发光芯片阵列，围坝(或围墙)，固晶胶，外部封装材料；其中，发光芯片阵列中的发光芯片可以为紫外、紫光、蓝光、绿光、红光或红外发光芯片中一种或多种。
需要说明的是，本实施例的发光芯片为紫外芯片、紫光芯片、蓝光芯片中的一种或多种时，还可以起激发芯片的作用，此时发光器件中还包括荧光粉，荧光粉受激发芯片激发而发光。
进一步需要说明的是，本实施例的线路层为导电金属层，位于陶瓷基板表面，通过磁控溅射沉积铜、钛等金属薄膜作为晶种层，再由光刻胶或干膜等图形化方式配合电镀进行铜厚膜沉积，并在铜金属表面进行化学镀镍和化学镀金等最终精饰。其中，金属层的材质一般为铜，镍，金等材料，一般来说，铜层厚度为0.05-1mm，镍层厚度为2-10μm，金层厚度为50-250nm。
此外，陶瓷基底表面可以进行直接覆铜DBC工艺制备得铜图案，铜图形厚度为0.05-3mm。之后，将发光芯片连接至导电金属层(线路层)，再采用固晶胶将激发芯片阵列粘结至陶瓷基板；并且，将外部封装材料用于封装激发芯片阵列和荧光粉，该外部封装材料一般为硅胶。
本发明提供一种基板、制备方法及应用，具有以下有益效果：
第一、本发明利用Al蜂窝直接氮化形成的AlN蜂窝具有更高的纯度，且具有连续的晶粒取向，使得陶瓷基板在垂直方向具有更高的导热率，远高于多晶相的AlN陶瓷，大大提高陶瓷基板整体的热导率。
第二、本发明基于AlN蜂窝的特殊结构可以使得陶瓷粉体在烧结过程中形成约束，使得AlN粉体在烧结过程中保持压应力的状态，促进陶瓷颗粒的致密化速度，提高陶瓷材料的致密化程度。
第三、本发明基于AlN蜂窝和AlN粉体为同一材质，这保证了蜂窝结构和陶瓷基体粉体之间的界面结合优异性，具有同样的固体传质和扩散机制，不会影响陶瓷的界面强度，同时利用蜂窝结构的增强效果提高陶瓷材料的结构强度。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种基板的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：制备AlN蜂窝；
基于所述AlN蜂窝，形成AlN蜂窝-AlN粉体陶瓷素坯；
对所述陶瓷素坯进行烧结处理以得到氮化铝陶瓷基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备AlN蜂窝，包括：
将Al蜂窝框架在氮气气氛炉中进行退火处理，制得AlN蜂窝。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述Al蜂窝孔径范围为1.5mm～3.1mm，壁厚范围为0.15～0.33mm，所述AlN蜂窝的单元内径范围为1μm～1cm；和/或，
所述AlN蜂窝形状包括六边形、四边形、三角形、圆形内径六边形以及圆形内径四边形中任意一者。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述基于所述AlN蜂窝，形成AlN蜂窝-AlN粉体陶瓷素坯，包括：
将氮化铝粉，氟化钙粉、氧化钇粉、氟化钇粉中至少一者，聚乙二醇、聚乙烯醇缩丁醛中至少一者以及无水乙醇、丁酮、二甲苯、甲苯、异丙醇中至少一者进行混合得到混合料浆；
将所述混合料浆进行球磨与烘干处理，以得到混合粉体；
将所述混合粉体进行造粒过筛并注入到所述AlN蜂窝的孔洞之中，经干压成型得到陶瓷素坯。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氮化铝粉、所述氟化钙粉、所述氧化钇粉、所述聚乙二醇以及所述乙醇之间的质量比范围为(8～11):(0.05～0.11):(0.15～0.28):(0.18～0.30):(18～23)；和/或，
所述干压成型的压力范围为15MPa～20MPa，保压时间范围为1mm～4mm，以及，所述球磨处理的时间范围为7h～10h，烘干处理的时间范围为1h～3h。
6.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述陶瓷素坯进行烧结处理以得到氮化铝陶瓷基板，包括：
将所述陶瓷素坯在氮气气氛下进行无压烧结，以得到氮化铝陶瓷基板。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，烧结过程采用下述升温过程：第一升温阶段：0℃-800℃温度区间，升温速度为10℃/min；第二升温阶段：800℃-1200℃温度区间，升温速度为5℃/min；第三升温阶段：1200℃-1700℃温度区间，升温速度为2℃/min；第四升温阶段：1600℃-1820℃温度区间，升温速度为1℃/min；1820℃保温4h。
8.一种基板，其特征在于，所述基板包括AlN蜂窝结构层以及填充在所述AlN蜂窝结构层之间的AlN粉体层；其中，
所述AlN蜂窝结构层的单元内径范围为1μm～1cm；以及，
所述AlN粉体层粒径范围为100nm～100μm。
9.一种包含权利要求8所述基板的第三代半导体功率器件，其特征在于，所述基板作为所述第三代半导体功率器件热电分离的载板。
10.一种包含权利要求8所述基板的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括线路层、发光芯片、荧光粉和围墙；其中，
所述发光芯片包括紫外芯片、紫光芯片以及蓝光芯片中的至少一种；
所述荧光粉包括钇铝石榴石系荧光粉、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu红色荧光粉、KSF红色荧光粉、β-塞隆荧光粉、(Sr,Ba)2SiO4:Eu硅酸盐荧光粉中的至少一种。
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